CN116666473A - 无银电极的背接触太阳电池及其组件的封装方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种无银电极的背接触太阳电池及其组件的封装方法，该电池包括：沿电池厚度方向依次设置的正面钝化减反射膜、正面掺杂层、硅基体、背面本征非晶硅钝化层、背面掺杂层和透明导电膜，其中，硅基体为p型硅基体或n型硅基体，正面掺杂层的类型根据硅基体的类型设置；背面本征非晶硅钝化层是本征非晶硅层、钝化隧穿层和叠加层中的任一种，叠加层由本征非晶硅层与钝化隧穿层叠加生成；背面掺杂层包括p型掺杂层和n型掺杂层，两种掺杂层之间采用绝缘隔离层进行绝缘；透明导电膜在背面掺杂层中形成p型掺杂层和n型掺杂层之后，沉积在背面掺杂层上。该背接触太阳电池没有银浆消耗，降低了成本，并简化了制备工艺。
Description
技术领域
本申请涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种无银电极的背接触太阳电池及其组件的封装方法。
背景技术
目前，太阳电池在各领域中的普及率逐渐提高，太阳电池是一种可以吸收太阳能并将其转化成电能的半导体部件。为了降本增效，太阳电池的金属化是当前的一种发展方向。
相关技术中，太阳电池金属化中，绝大部分太阳电池的金属电极是采用丝网印刷银浆后，再经高温烧结而形成。上述相关技术中的方案由于需要消耗较多的银浆，导致电池成本昂贵。并且，上述方案在制备太阳电池的过程中，以及在采用金属银电极太阳电池的组件的封装过程，容易对电池片造成损害，太阳电池及其组件在应用过程中的安全性较低。
因此，如何实现一种无银电极的太阳电池成为目前亟需解决的问题。
发明内容
本申请的目的旨在至少在一定程度上解决上述的技术问题之一。
为此，本申请的第一个目的在于提出一种无银电极的背接触太阳电池。该背接触太阳电池没有银浆消耗，降低了电池的成本，并且在制备过程中的安全性较高。
本申请的第二个目的在于提出一种无银电极的背接触太阳电池组件。
本申请的第三个目的在于提出一种无银电极的背接触太阳电池组件的封装方法。
本申请的第四个目的在于提出另一种无银电极的背接触太阳电池组件的封装方法。
本申请的第五个目的在于提出一种非临时性计算机可读存储介质。
为达上述目的，本申请第一方面提出了一种无银电极的背接触太阳电池，该无银电极的背接触太阳电池包括：沿电池厚度方向依次设置的正面钝化减反射膜、正面掺杂层、硅基体、背面本征非晶硅钝化层、背面掺杂层和透明导电膜，其中，
所述硅基体为p型硅基体或n型硅基体，所述正面掺杂层的类型根据所述硅基体的类型设置；
所述背面本征非晶硅钝化层是本征非晶硅层、钝化隧穿层和叠加层中的任一种，所述叠加层由所述本征非晶硅层与所述钝化隧穿层叠加生成；
所述背面掺杂层包括p型掺杂层和n型掺杂层，所述p型掺杂层和所述n型掺杂层之间采用绝缘隔离层进行绝缘；
所述透明导电膜在所述背面掺杂层中形成所述p型掺杂层和所述n型掺杂层之后，沉积在所述背面掺杂层上。
另外，本申请第一方面提出的无银电极的背接触太阳电池还具有如下附加的技术特征：
可选地，在一些实施例中，所述正面钝化减反射膜为单层膜或者由所述单层膜叠加生成的叠层膜，所述单层膜的材料为氮化硅或氧化铝。
可选地，在一些实施例中，在所述硅基体为所述p型硅基体的情况下，所述正面掺杂层为掺硼扩散层；在所述硅基体为所述n型硅基体的情况下，所述正面掺杂层为掺磷扩散层。
可选地，在一些实施例中，所述透明导电膜为透明氧化物导电薄膜，所述透明氧化物导电薄膜的材料为氧化铟锡ITO或者氧化铟锌IZO。
为实现上述目的，本发明第二方面提出了一种无银电极的背接触太阳电池组件，该组件包括：
至少一个玻璃盖板、背板、多个无银电极的背接触太阳电池和金属栅线布线板，其中，
所述无银电极的背接触太阳电池是上述第一方面中任一项所述的无银电极的背接触太阳电池；
所述金属栅线布线板包括金属汇流导线结构和承载所述金属汇流导线结构的封装胶膜；
每个所述无银电极的背接触太阳电池中的背面掺杂层中的布局，与所述金属汇流导线结构的布局一致。
另外，本申请实施例的无银电极的背接触太阳电池组件还具有如下附加的技术特征：
可选地，在一些实施例中，所述金属汇流导线结构，包括：多个主汇流导线、多个副汇流导线和多个汇流条，其中，每个所述主汇流导线与对应的汇流条相连；所述主汇流导线和所述副汇流导线，用于连接同一行中的多个所述无银电极的背接触太阳电池。
可选地，在一些实施例中，该组件还包括：多个二极管，其中，每个所述二极管连接在相邻的两个所述汇流条之间。
可选地，在一些实施例中，所述主汇流导线和所述副汇流导线由银包铜粉烧结形成；或者，在铜导线或铝导线的表面镀上低温焊料以生成所述主汇流导线和所述副汇流导线。
为实现上述目的，本发明第三方面提出了一种无银电极的背接触太阳电池组件的封装方法，所述无银电极的背接触太阳电池组件是如上述第二方面中任一项所述的无银电极的背接触太阳电池组件，该封装方法包括：
在背板上铺设封装胶膜；
根据预设的金属汇流导线结构的布局方式，在所述封装胶膜上布线以生成金属栅线布线板；
将多个无银电极的背接触太阳电池在所述金属栅线布线板上进行排片；
将玻璃盖板铺设在排片完成的电池层上，并对形成的组件结构进行叠层和层压，以实现每个所述无银电极的背接触太阳电池的透明导电膜与所述金属栅线布线板上的金属导线之间的电连接。
为实现上述目的，本发明第四方面提出了另一种无银电极的背接触太阳电池组件的封装方法，所述无银电极的背接触太阳电池组件是如上述第二方面中任一项所述的无银电极的背接触太阳电池组件，该封装方法包括：
铺设正面玻璃；
通过工装夹具按照电池片的受光面向下的方向，将多个无银电极的背接触太阳电池铺设在所述正面玻璃上；
在铺设完成的所述多个无银电极的背接触太阳电池上，铺设集成了金属汇流导线结构的封装胶膜，
在所述封装胶膜上依次铺设背板和背面玻璃，并对形成的组件结构进行叠层和层压，以实现每个所述无银电极的背接触太阳电池的透明导电膜与所述金属栅线布线板上的金属导线之间的电连接。
为实现上述目的，本发明第五方面提出了一种非临时性计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上述第三方面中任一所述的封装方法，或者实现如上述第四方面中任一所述的封装方法。
本申请的实施例提供的技术方案至少带来以下有益效果：
本申请的无银电极的背接触太阳电池，在硅片背面形成p区和n区后，再沉积透明导电膜，最后使用激光进行p区和n区隔离，即完成了整个电池制造过程。该背接触太阳电池结构可以实现银浆的零消耗，同时，该电池制备过程中没有丝网印刷和烧结工艺，可以有效降低太阳电池制备工艺的复杂度和成本，具有工艺制程简单、电池成本低的优点。并且，在太阳电池的制备和组件的封装过程中，避免了高温烧结和高温焊接的过程，降低了对太阳能电池片的损害，降低了太阳电池在制备和应用过程中发生异常的概率，提高了太阳电池的安全性和使用寿命。
本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1为本申请实施例提出的一种无银电极的背接触太阳电池的结构示意图；
图2为本申请实施例提出的一种背面掺杂层的布局示意图；
图3为本申请实施例提出的一种金属栅线布线板的金属汇流导线结构的布局示意图；
图4为本申请实施例提出的一种无银电极的背接触太阳电池组件内各个电池片的连接示意图；
图5为本申请实施例提出的一种无银电极的背接触太阳电池组件的封装方法的流程图；
图6为本申请实施例提出的另一种无银电极的背接触太阳电池组件的封装方法的流程图。
具体实施方式
下面详细描述本申请的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。
需要说明的是，相关实施例中采用丝网印刷银浆经高温烧结形成太阳电池的金属电极的方案中，印刷导电银浆的硅片要经过高温烧结工艺，对硅基体的少子寿命造成损害。而采用金属银电极的太阳电池在组件封装过程中要采用高温焊接工艺，造成局部热应力，容易导致电池片在焊接过程中隐裂、碎片。而且焊接残留的热应力残余地方也是组件户外运行时经受温度变化造成热胀冷缩时的疲劳损伤点，容易导致电池片在运行过程中的隐裂、碎片，进而导致蚯蚓纹或热斑的发生。
为此，本申请提出一种无银电极的背接触太阳电池及其组件，以及组件的封装方法，该背接触太阳电池没有银浆消耗，在制备过程中避免了高温工艺，电池的安全性较高。
下面参考附图描述本申请实施例的无银电极的背接触太阳电池及其组件的封装方法。
图1为本申请实施例提出的一种无银电极的背接触太阳电池的结构示意图，如图1所示，该无银电极的背接触太阳电池包括：沿电池厚度方向依次设置的正面钝化减反射膜1、正面掺杂层2、硅基体3、背面本征非晶硅钝化层4、背面掺杂层5和透明导电膜6。
其中，沿电池厚度方向依次设置各层，即是如图1所示，从太阳电池的上表面开始，自上而下依次设置上述各层。下面依次对该无银电极的背接触太阳电池结构中的各层进行详细说明。
具体的，正面钝化减反射膜1，是一种进行了钝化且能够实现减反射功能的膜。该层膜经过钝化处理，表面变为不活泼态且化学稳定性较高。该层膜可以实现减少太阳电池的光学表面的反射光，从而增加太阳电池的透光量，减少杂散光，进而提高太阳电池的工作效率。
在本申请一个实施例中，正面钝化减反射膜1为单层膜或者由单层膜叠加生成的叠层膜，该单层膜的材料为氮化硅或氧化铝。即正面钝化减反射膜1可以为单层膜结构或叠层膜结构，每个单层膜可以选用氮化硅膜、氧化铝膜或者其他可进行钝化及减反射的材质的膜。
正面掺杂层2，即是该无银电极的背接触太阳电池的前表面场，正面掺杂层2的类型根据硅基体3的类型设置。
硅基体3，是作为该无银电极的背接触太阳电池的基底，硅基体3可以为p型硅基体或n型硅基体。
在本申请一个实施例中，由于正面掺杂层2跟硅基体3类型有关，在硅基体3为p型硅基体的情况下，正面掺杂层2为掺硼扩散层；在硅基体3为n型硅基体的情况下，正面掺杂层2为掺磷扩散层。
背面本征非晶硅钝化层4是本征非晶硅层、钝化隧穿层和叠加层中的任一种，该叠加层由本征非晶硅层与钝化隧穿层叠加生成。
具体而言，背面本征非晶硅钝化层4可以是本征非晶硅层或钝化隧穿层中的一种或叠加，即它可以是本征非晶硅层，也可以是钝化隧穿层，还可以是由本征非晶硅层和钝化隧穿层叠加而成的叠层结构。
背面掺杂层5，包括p型掺杂层和n型掺杂层，p型掺杂层和n型掺杂层之间采用绝缘隔离层7进行绝缘。
具体而言，背面掺杂层5由两个掺杂区域组成，这两个掺杂区域分别为p型掺杂层和n型掺杂层，p型掺杂层和n型掺杂层的布局方式可以根据生产需要确定，即在制备完成后p型掺杂层和n型掺杂层之间可形成预定的形状，以适用于后续太阳电池组件的封装。
举例而言，如图2所示的布局方式，该背面掺杂层5设置在硅片(即硅基体)3上，背面掺杂层5中的第一掺杂层51和第二掺杂层52形成图2所示的形状，第一掺杂层51和第二掺杂层52之间通过绝缘隔离层7进行绝缘隔离。其中，第一掺杂层51可以为p型掺杂层，第二掺杂层52可以为n型掺杂层。
透明导电膜6在背面掺杂层5中形成p型掺杂层和n型掺杂层之后，沉积在背面掺杂层5之上。
在本申请一个实施例中，透明导电膜6为透明氧化物导电薄膜，透明氧化物导电薄膜的材料包括但不限于氧化铟锡ITO或者氧化铟锌IZO等各类导电氧化物。透明导电膜6也可以为单层膜或叠层膜结构。
需要说明的是，由图1可知，绝缘隔离层7贯穿背面掺杂层5和透明导电膜6，即在本申请的无银电极的背接触太阳电池中，是在硅片背面的掺杂层中形成p区和n区后，再沉积透明导电膜，最后进行p区和n区隔离，具体可以使用激光等方式制备绝缘隔离层7后，使绝缘隔离层7隔离p区和n区。由此，本申请的无银电极的背接触太阳电池可在实现背接触太阳电池的功能的基础上，避免了银浆消耗。
在本申请一个实施例中，可以按照上述实施例中所述的无栅线电极结构的背接触太阳电池的结构进行电池的制备。本申请的无栅线电极结构的背接触太阳电池包括但不限于IBC、TBC和HBC等类型的背接触结构太阳电池，即可以参照HBC结构和TBC结构的制备方式进行本申请的无银电极的背接触太阳电池的制备。其中，IBC太阳电池即交叉指式背接触(Interdigitatedbackcontact)太阳电池，HBC太阳电池是将IBC太阳电池与HJT(异质结，Heterojunction with Intrinsic Thin-layer)电池的结合，HBC太阳电池即在硅片表面采用本征非晶硅进行钝化，在背面分别采用N型和P型的非晶硅薄膜形成异质结。TBC太阳电池是将TOPCon钝化接触技术与IBC太阳电池相结合。
举例而言，本申请的无银电极的背接触太阳电池在制备过程中，可以参照HBC电池和TBC电池的制备工艺。比如，将HBC电池制备工艺中去掉原本的丝网印刷和烧结工艺即可；又比如，将TBC电池制备工艺去掉原本的丝网印刷工艺，并增加透明导电膜沉积工艺。
综上所述，本申请实施的无银电极的背接触太阳电池，在硅片背面形成p区和n区后，再沉积透明导电膜，最后使用激光进行p区和n区隔离，即完成了整个电池制造过程。该背接触太阳电池结构可以实现银浆的零消耗，同时，该电池制备过程中没有丝网印刷和烧结工艺，可以有效降低太阳电池制备工艺的复杂度和成本，具有工艺制程简单、电池成本低的优点。在制备过程中可以减少热应力对电池的损耗，可以避免太阳电池在应用过程中出现隐裂、碎片等异常，提高背接触太阳电池的安全性。
为了实现上述实施例，本申请还提出了一种无银电极的背接触太阳电池组件。该电池组件基于上述第一方面实施中所述的无银电极的背接触太阳电池构成，即，该组件中包含的无银电极的背接触太阳电池即是上述第一方面实施中所述的无银电极的背接触太阳电池。
具体的，本申请的无银电极的背接触太阳电池组件，包括：至少一个玻璃盖板、背板、多个无银电极的背接触太阳电池和金属栅线布线板。
其中，玻璃盖板和背板可用于固定和保护太阳电池和金属栅线布线板。每个无银电极的背接触太阳电池均是如是上述第一方面实施中任一项所述的无银电极的背接触太阳电池。各个无银电极的背接触太阳电池片的结构和制备方式如上述实施例所述，此处不再赘述。
金属栅线布线板包括金属汇流导线结构和承载金属汇流导线结构的封装胶膜。
具体的，本申请的金属栅线布线板包括金属导线布局结构和承载金属导线布局结构的封装胶膜，金属导线布局结构中包括多个金属材质的汇流导线，汇流导线可以包括多种类型，汇流导线用于汇集相连的各个无银电极的背接触太阳电池片输出的电流。
作为其中一种可能的实现方式，金属汇流导线可以是银包铜栅线，具体实施时，银包铜栅线可以由银包铜粉烧结形成；或者，银包铜栅线还可以是在铜导线或铝导线的表面镀上低温焊料而生成，其中，低温焊料可以是银或其他类型的焊料。封装胶膜的材质包括但不限于乙烯-醋酸乙烯共聚物(Ethylene Vinyl Acetate Copolymer，简称EVA)和乙烯-辛烯共聚物POE等。
其中，每个无银电极的背接触太阳电池中的背面掺杂层5中的布局，与金属汇流导线结构的布局一致，比如，每个太阳电池片的背面掺杂层5中的p型掺杂层和n型掺杂层可形成指叉状或H-pattern图形，以与布线板上的导线布局相一致，便于后续对组件进行封装。
在本申请一个实施例中，如图3所示，金属汇流导线结构，包括：多个主汇流导线10、多个副汇流导线20和多个汇流条30。
其中，每个主汇流导线10与对应的汇流条30相连。主汇流导线10和副汇流导线20，用于连接同一行中的多个无银电极的背接触太阳电池。
在本实施例中，在布线板两侧的汇流条可视为布线板的引出端。可按图3所示的方式，在布线板上铺设多行电池片，每一行中均包括多个无银电极的背接触太阳电池，每一行中均由多条主汇流导线10与多条副汇流导线20，将该行中的多个无银电极的背接触太阳电池进行连接。其中，每个主汇流导线10和每个副汇流导线20均可采用上述的银包铜栅线，各汇流导线的制备方式如上所述，此处不再赘述。
基于上述布线板的布局方式，在本申请一个实施例中，太阳电池组件内的各个无银电极的背接触太阳电池的连接方式如图4所示。在本实施例中，在图3所示的基础上，组件内还包括：多个二极管40。其中，每个二极管连接在相邻的两个汇流条30之间。各个无银电极的背接触太阳电池(简述为电池片)50按照图4和上述实施例中所述的方式连接。
为了实现上述实施例，本申请还提出了两种针对上述无银电极的背接触太阳电池组件的封装方法，即本申请中进行封装的电池组件是上述第二方面实施中所述的无银电极的背接触太阳电池组件，太阳电池组件的结构如上述实施例所述，此处不再赘述。
图5为本申请实施例提出的一种无银电极的背接触太阳电池组件的封装方法的流程图，如图5所示，该方法包括以下步骤：
步骤S501，在背板上铺设封装胶膜。
步骤S502，根据预设的金属汇流导线结构的布局方式，在封装胶膜上布线以生成金属栅线布线板。
步骤S503，将多个无银电极的背接触太阳电池在金属栅线布线板上进行排片。
步骤S504，将玻璃盖板铺设在排片完成的电池层上，并对形成的组件结构进行叠层和层压，以实现每个无银电极的背接触太阳电池的透明导电膜与金属栅线布线板上的金属导线之间的电连接。
其中，电池层，即是按照上述实施例中图3所示的布局方式，排片完成后形成的由各行无银电极的背接触太阳电池组成的层。
具体的，本实施例先在背板上铺设封装胶膜，然后在封装胶膜上布线，再完成电池片排片，最后完成叠层和层压。其中，叠层是指按照上述封装步骤，对依次铺设的相邻两层进行对齐和重叠。层压是指通过加热或加压等方式，把按照上述封装步骤依次铺设的多层结合为整体。本申请将组件中的每个背接触太阳电池表面的透明导电膜与金属栅线布线板上的金属导线之间，通过层压工艺形成直接接触，进而可以实现电连接。
在本申请一个实施例中，也可以将组件中的每个背接触太阳电池表面的透明导电膜与金属栅线布线板上的金属导线之间，通过导电胶粘接在一起，进而实现电连接。
在本申请一个实施例中，还可以先在步骤S501铺设玻璃盖板，在玻璃盖板上铺设封装胶膜，最后在步骤S504将背板铺设在排片完成的电池层上。从而本实施例可以调整封装后组件的结构。
与上述封装方法并列的，本申请还提出了另一种无银电极的背接触太阳电池组件的封装方法。图6为本申请实施例提出的另一种无银电极的背接触太阳电池组件的封装方法的流程图，如图6所示，该方法包括以下步骤：
步骤S601，铺设正面玻璃。
步骤S602，通过工装夹具按照电池片的受光面向下的方向，将多个无银电极的背接触太阳电池铺设在正面玻璃上。
步骤S603，在铺设完成的多个无银电极的背接触太阳电池上，铺设集成了金属汇流导线结构的封装胶膜。
步骤S604，在封装胶膜上依次铺设背板和背面玻璃，并对形成的组件结构进行叠层和层压，以实现每个无银电极的背接触太阳电池的透明导电膜与金属栅线布线板上的金属导线之间的电连接。
具体的，本实施例先铺设正面玻璃，再利用工装夹具铺设电池片(受光面朝下)，再铺设集成了汇流导线的封装胶膜，然后铺设背板和背面玻璃，最后进行层压。
需要说明的是，本实施例中进行层压和实现每个背接触太阳电池表面的透明导电膜与金属栅线布线板上的金属导线之间的电连接的方式，可以参照上述第三方面实施例中封装方法，实现原理相同，此处不再赘述。
综上所述，本申请实施的无银电极的背接触太阳电池组件的封装方法，在太阳电池组件的封装过程中，通过层压工艺或导电胶粘接实现电连接，减少了焊接工艺，简化了封装工艺的流程，提高了封装效率。并且，该方法且针对无银电极的背接触太阳电池进行封装，避免了高温焊接的过程，降低了对太阳能电池片的损害，降低了太阳电池在制备和应用过程中发生异常的概率，提高了太阳电池的安全性和使用寿命。
为了实现上述实施例，本申请还提出一种非临时性计算机可读存储介质，存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现如本申请第三方面实施例提出的一种无银电极的背接触太阳电池组件的封装方法，或者，实现如本申请第四方面实施例提出的另一种无银电极的背接触太阳电池组件的封装方法。
需要说明的是，应当理解，本申请的各部分可以用硬件、软件、固件或它们的组合来实现。在上述实施方式中，多个步骤或方法可以用存储在存储器中且由合适的指令执行系统执行的软件或固件来实现。例如，如果用硬件来实现，和在另一实施方式中一样，可用本领域公知的下列技术中的任一项或他们的组合来实现：具有用于对数据信号实现逻辑功能的逻辑门电路的离散逻辑电路，具有合适的组合逻辑门电路的专用集成电路，可编程门阵列(PGA)，现场可编程门阵列(FPGA)等。
另外，在本申请的描述中，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本申请的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本申请的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (10)
1.一种无银电极的背接触太阳电池，其特征在于，所述无银电极的背接触太阳电池包括：沿电池厚度方向依次设置的正面钝化减反射膜、正面掺杂层、硅基体、背面本征非晶硅钝化层、背面掺杂层和透明导电膜，其中，
所述硅基体为p型硅基体或n型硅基体，所述正面掺杂层的类型根据所述硅基体的类型设置；
所述背面本征非晶硅钝化层是本征非晶硅层、钝化隧穿层和叠加层中的任一种，所述叠加层由所述本征非晶硅层与所述钝化隧穿层叠加生成；
所述背面掺杂层包括p型掺杂层和n型掺杂层，所述p型掺杂层和所述n型掺杂层之间采用绝缘隔离层进行绝缘；
所述透明导电膜在所述背面掺杂层中形成所述p型掺杂层和所述n型掺杂层之后，沉积在所述背面掺杂层上。
2.根据权利要求1所述的无银电极的背接触太阳电池，其特征在于，所述正面钝化减反射膜为单层膜或者由所述单层膜叠加生成的叠层膜，所述单层膜的材料为氮化硅或氧化铝。
3.根据权利要求1所述的无银电极的背接触太阳电池，其特征在于，在所述硅基体为所述p型硅基体的情况下，所述正面掺杂层为掺硼扩散层；
在所述硅基体为所述n型硅基体的情况下，所述正面掺杂层为掺磷扩散层。
4.根据权利要求1所述的无银电极的背接触太阳电池，其特征在于，所述透明导电膜为透明氧化物导电薄膜，所述透明氧化物导电薄膜的材料为氧化铟锡ITO或者氧化铟锌IZO。
5.一种无银电极的背接触太阳电池组件，其特征在于，包括：至少一个玻璃盖板、背板、多个无银电极的背接触太阳电池和金属栅线布线板，其中，
所述无银电极的背接触太阳电池是如权利要求1-4任一项所述的无银电极的背接触太阳电池；
所述金属栅线布线板包括金属汇流导线结构和承载所述金属汇流导线结构的封装胶膜；
每个所述无银电极的背接触太阳电池中的背面掺杂层中的布局，与所述金属汇流导线结构的布局一致。
6.根据权利要求5所述的无银电极的背接触太阳电池组件，其特征在于，所述金属汇流导线结构，包括：多个主汇流导线、多个副汇流导线和多个汇流条，其中，
每个所述主汇流导线与对应的汇流条相连；
所述主汇流导线和所述副汇流导线，用于连接同一行中的多个所述无银电极的背接触太阳电池。
7.根据权利要求6所述的无银电极的背接触太阳电池组件，其特征在于，还包括：多个二极管，其中，
每个所述二极管连接在相邻的两个所述汇流条之间。
8.根据权利要求6所述的无银电极的背接触太阳电池组件，其特征在于，所述主汇流导线和所述副汇流导线由银包铜粉烧结形成；或者，
在铜导线或铝导线的表面镀上低温焊料以生成所述主汇流导线和所述副汇流导线。
9.一种无银电极的背接触太阳电池组件的封装方法，其特征在于，所述无银电极的背接触太阳电池组件是如权利要求5-8任一项所述的无银电极的背接触太阳电池组件，所述封装方法包括以下步骤：
在背板上铺设封装胶膜；
根据预设的金属汇流导线结构的布局方式，在所述封装胶膜上布线以生成金属栅线布线板；
将多个无银电极的背接触太阳电池在所述金属栅线布线板上进行排片；
将玻璃盖板铺设在排片完成的电池层上，并对形成的组件结构进行叠层和层压，以实现每个所述无银电极的背接触太阳电池的透明导电膜与所述金属栅线布线板上的金属导线之间的电连接。
10.一种无银电极的背接触太阳电池组件的封装方法，其特征在于，所述无银电极的背接触太阳电池组件是如权利要求5-8任一项所述的无银电极的背接触太阳电池组件，所述封装方法包括以下步骤：
铺设正面玻璃；
通过工装夹具按照电池片的受光面向下的方向，将多个无银电极的背接触太阳电池铺设在所述正面玻璃上；
在铺设完成的所述多个无银电极的背接触太阳电池上，铺设集成了金属汇流导线结构的封装胶膜，
在所述封装胶膜上依次铺设背板和背面玻璃，并对形成的组件结构进行叠层和层压，以实现每个所述无银电极的背接触太阳电池的透明导电膜与所述金属栅线布线板上的金属导线之间的电连接。
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| CN117832301A (zh) * | 2024-03-05 | 2024-04-05 | 金阳(泉州)新能源科技有限公司 | 一种背接触电池串及其制作方法和光伏组件 |
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