CN116666309B - 裸片及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种裸片及其制备方法。裸片的制备方法包括：提供裸片，裸片包括功能区；于功能区与裸片的外侧边缘之间的区域内形成至少一个环绕功能区的环状沟槽；于环状沟槽内形成缓冲层。由于环状沟槽内的缓冲层可以在裸片受到外力时提供缓冲，从而能够提高裸片的机械强度。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种裸片及其制备方法。
背景技术
随着半导体技术的发展，芯片的工艺制程节点越来越小，芯片尺寸也越来越小。半导体领域中通常可以将还未进行封装的芯片称为裸片（die），裸片在受到外力（如撞击，跌落等）时，由于其机械强度较低，会有碎裂破坏的风险。
发明内容
基于此，有必要针对相关技术中的裸片的机械强度较低的问题提供一种裸片及其制备方法。
第一方面，本发明提供了一种裸片的制备方法，包括：
提供裸片，所述裸片包括功能区；
于所述功能区与所述裸片的外侧边缘之间的区域内形成至少一个环绕所述功能区的环状沟槽；
于所述环状沟槽内形成缓冲层。
上述裸片的制备方法，通过提供包括功能区的裸片，并于所述功能区与所述裸片的外侧边缘之间的区域内形成至少一个环绕所述功能区的环状沟槽，于所述环状沟槽内形成缓冲层。由于环状沟槽内的缓冲层可以在裸片受到外力时提供缓冲，从而能够提高裸片的机械强度。
在其中一个实施例中，所述于所述环状沟槽内形成缓冲层，包括：
于所述环状沟槽的底部和侧壁形成无机层；
于所述环状沟槽内填充有机层，所述有机层与所述无机层共同构成所述缓冲层。
在其中一个实施例中，所述环状沟槽开口的宽度小于所述环状沟槽横截面的最大宽度，所述方法还包括：
形成至少一个注入开口，所述注入开口与所述环状沟槽连通；其中，所述注入开口的宽度大于所述环状沟槽开口的宽度；
所述于所述环状沟槽内形成缓冲层，包括：
于所述环状沟槽的底部和侧壁形成无机层，所述无机层将除所述注入开口外的所述环状沟槽开口进行封闭；
基于所述注入开口向所述环状沟槽注入液态有机物，以形成有机层。
在其中一个实施例中，所述基于所述注入开口向所述环状沟槽注入液态有机物，以形成所述有机层，包括：
于所述裸片的表面涂布液态有机物，所述液态有机物经所述注入开口被吸附进入所述环状沟槽内；
采用固化工艺使所述液态有机物固化，以形成所述有机层。
在其中一个实施例中，所述于所述环状沟槽内形成缓冲层，包括：
于所述环状沟槽内填充无机层。
在其中一个实施例中，所述于所述环状沟槽内形成缓冲层，包括：
于所述环状沟槽内填充有机层。
第二方面，本发明还提供了一种裸片，包括：
功能区；
至少一个环状沟槽，位于所述功能区与所述裸片的外侧边缘之间的区域内，且环绕所述功能区；
缓冲层，位于所述环状沟槽内。
上述裸片，包括：功能区、至少一个环状沟槽以及缓冲层。其中，环状沟槽位于所述功能区与所述裸片的外侧边缘之间的区域内，且环绕所述功能区。缓冲层位于所述环状沟槽内。由于环状沟槽内的缓冲层可以在裸片受到外力时提供缓冲，从而能够提高裸片的机械强度。
在其中一个实施例中，所述缓冲层包括：
无机层，位于所述环状沟槽的底部和侧壁；
有机层，填充于所述环状沟槽内。
在其中一个实施例中，所述环状沟槽开口的宽度小于所述环状沟槽横截面的最大宽度，所述裸片还包括至少一个注入开口，所述注入开口与所述环状沟槽连通，所述注入开口的宽度大于所述环状沟槽开口的宽度；所述无机层还将除所述注入开口外的所述环状沟槽开口进行封闭。
在其中一个实施例中，所述环状沟槽的槽底形状为矩形，所述裸片包括四个注入开口，各所述注入开口位于所述矩形的拐角位置的槽口处。
在其中一个实施例中，所述环状沟槽横截面的图形包括倒梯形、圆形、椭圆形或多边形。
在其中一个实施例中，所述裸片包括多个环状沟槽，多个所述环状沟槽在由所述功能区指向所述裸片的外侧边缘的方向上依次排布。
在其中一个实施例中，所述缓冲层为无机层和有机层中的一种。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为一实施例中提供的裸片的制备方法的流程图；
图2为一实施例中提供的裸片的制备方法中步骤S10所得结构的俯视结构示意图；
图3为一实施例中提供的裸片的制备方法中步骤S20所得结构的俯视结构示意图；
图4为一实施例中提供的裸片的制备方法中步骤S30所得结构的俯视结构示意图；
图5为一实施例中图4中的裸片沿AA’方向的截面结构示意图；
图6为另一实施例中图4中的裸片沿AA’方向的截面结构示意图；
图7为一实施例中提供的裸片的制备方法中步骤S30的步骤流程图；
图8为一实施例中提供的裸片的制备方法中步骤S3012的截面结构示意图；
图9为一实施例中提供的裸片的制备方法中形成注入开口后所得结构的俯视结构示意图；
图10为一实施例中图9中的裸片沿BB’方向的截面结构示意图；
图11为另一实施例中图9中的裸片沿BB’方向的截面结构示意图；
图12为又一实施例中图9中的裸片沿BB’方向的截面结构示意图；
图13为另一实施例中提供的裸片的制备方法中步骤S30的步骤流程图；
图14为一实施例中提供的裸片的制备方法中步骤S3021所得结构的截面结构示意图；
图15为一实施例中提供的裸片的制备方法中步骤S3022所得结构的截面结构示意图；
图16为一实施例中提供的裸片的制备方法中步骤S3022的步骤流程图；
图17为另一实施例中的裸片的俯视结构示意图；
图18为一实施例中提供的晶圆的俯视结构示意图。
附图标记说明：10-裸片，101-功能区，102-环状沟槽，103-缓冲层，1031-无机层，1032-有机层，104-注入开口，20-晶圆。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本发明的公开内容更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。
应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、 第二、第三等描述各种元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分，这些元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层、掺杂类型或部分与另一个元件、部件、区、层、掺杂类型或部分。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层、掺杂类型或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分；譬如，第一掺杂类型可以为P型且第二掺杂类型可以为N型，或第一掺杂类型可以为N型且第二掺杂类型可以为P型。
空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可以用于描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。此外，器件也可以包括另外地取向(譬如，旋转90度或其它取向)，并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。同时，在本说明书中，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
这里参考作为本发明的优选实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述发明的实施例，这样可以预期由于例如制造技术和/或容差导致的所示形状的变化。因此，本发明的实施例不应当局限于在此所示的区的特定形状，而是包括由于例如制造技术导致的形状偏差。例如，显示为矩形的注入区在其边缘通常具有圆的或弯曲特征和/或注入浓度梯度，而不是从注入区到非注入区的二元改变。同样，通过注入形成的埋藏区可导致该埋藏区和注入进行时所经过的表面之间的区中的一些注入。因此，图中显示的区实质上是示意性的，它们的形状并不表示器件的区的实际形状，且并不限定本发明的范围。
随着半导体技术的发展，芯片的工艺制程节点越来越小，芯片尺寸也越来越小，裸片也更加容易受到破坏。
相关技术中通常采用封胶等方式保护裸片，然而，封胶等方式虽然可以在一定程度上保护裸片免受破坏，但是会影响裸片的散热，减慢裸片的运行速度。如果不采用封胶等方式对裸片进行保护，裸片在受到外力（如撞击，跌落等）时，由于其机械强度较低，又会有碎裂破坏的风险。
请参阅图1，本发明提供一种裸片的制备方法，包括如下步骤：
S10：提供裸片，裸片包括功能区。
如图2所示，其中，裸片10可以为一整块晶圆上还未被切割下来的一小块裸片10，也可以为已经被切割下来的单个裸片10。裸片10的功能区101内可以已经形成了相应的半导体结构而被功能化，也可以还未被功能化仅是被预先留出的功能区。例如，如图18所示，一整块晶圆20上可以有多个裸片10。
S20：于功能区与裸片的外侧边缘之间的区域内形成至少一个环绕功能区的环状沟槽。
如图3所示，其中，可以采用刻蚀工艺形成至少一个环状沟槽102，刻蚀工艺可以包括干法刻蚀、湿法刻蚀、或者干法刻蚀与湿法刻蚀相结合的工艺，本实施例在此不做限制。需要说明的是，为了便于理解本方案，在图3中仅示出了一个环状沟槽102，然而，在其他合适的应用场景中，环状沟槽102的数量还可以为多个，本实施例在此不做限制。
S30：于环状沟槽内形成缓冲层。
如图4所示，其中，缓冲层103用于在裸片10受到外力时提供缓冲，以提高裸片10的机械强度，降低裸片10受到外力而发生碎裂破坏的风险。
可选的，缓冲层103的材料可以为无机物材料、有机物材料中的至少一种。当然，缓冲层103的材料还可以为其他合适的材料，可以根据裸片10的具体应用场景而确定具体的缓冲层103的材料，本实施例在此不做限制。
上述裸片的制备方法，通过提供包括功能区的裸片，并于功能区与裸片的外侧边缘之间的区域内形成至少一个环绕功能区的环状沟槽，于环状沟槽内形成缓冲层。由于环状沟槽内的缓冲层可以在裸片受到外力时提供缓冲，从而能够提高裸片的机械强度。
另外，由于环状沟槽位于功能区与裸片的外侧边缘之间的区域，因此不会影响到功能区的正常工作，从而也能够避免出现相关封胶工艺中的影响裸片的散热，减慢裸片的运行速度的问题。
在一个实施例中，上述步骤S103，包括：于环状沟槽内填充无机层。
如图4-图5所示，图4可以视为本实施例中的裸片10的俯视结构示意图，图5可以视为图4沿AA’方向的截面结构示意图。其中，无机层1031的材料可以包括为Si/C/O/N等元素形成的稳定无机物，例如SixNy或SixOy，其中x＞0、y＞0，或者，无机层1031还可以包括其他合适的无机层1031，本实施例在此不做限制。无机层1031的硬度较佳，在裸片10应用于不易发生移动的载体内部时，缓冲层103可以全部为无机层1031，以提高裸片10的硬度。
在一个实施例中，上述步骤S30，包括：于环状沟槽内填充有机层。
如图4以及图6所示，图4可以视为本实施例中的裸片10的俯视结构示意图，图6可以视为图4沿AA’方向的截面结构示意图。其中，有机层1032的材料可以包括聚酰亚胺类或环氧树脂类有机物。有机层1032为大分子结构，其杨氏模量低，抗拉伸性能好，因此具有更好的抗冲击，抗跌落能力。在裸片10应用于经常发生移动的载体内部时，缓冲层103的材料可以为有机层1032，以提高裸片10的抗冲击或抗跌落能力。
在一些实施例中，如图7所示，上述步骤S30，包括：
S3011：于环状沟槽的底部和侧壁形成无机层。
如图4以及图8所示，图4可以视为本实施例中的裸片10的俯视结构示意图，图8可以视为图4沿AA’方向的截面结构示意图，可以采用沉积工艺形成无机层1031，沉积工艺可以包括原子层沉积（Atomic Layer Deposition , ALD）工艺、物理气相淀积(PhysicalVapor Deposition，PVD)工艺、化学气相淀积(Chemical Vapor Deposition，CVD)工艺、等离子体增强型化学气相淀积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)工艺或低压化学气相淀积(Low Pressure Chemical Vapor Deposition，LPCVD)工艺等等。
S3012：于环状沟槽内填充有机层，有机层与无机层共同构成缓冲层。
如图4以及图8所示，将无机层1031与有机层1032相结合而形成的缓冲层103，可以综合无机层1031与有机层1032的优点，而避开两者的缺点，从而进一步地提高芯片的机械强度。例如，若缓冲层103仅为无机层1031组成，则由于无机层1031的硬度较高，因此裸片10在受到外力时通常容易产生裂纹；而若缓冲层103仅为有机层1032组成，则由于有机层1032质地较软，因此裸片10的抗冲击能力可能较差。
本实施例中，通过将无机层1031与有机层1032相结合而形成的缓冲层103，可以将无机层1031和有机层1032的优点进行结合。在裸片10受到外力时，可以利用无机层1031提高裸片10的硬度，同时利用有机层1032对外力进行缓冲，以防止裸片10产生裂纹，从而能够进一步地提高裸片10的机械强度。
在上述实施例的基础上，在一个实施例中，如图9-图12所示，环状沟槽102开口的宽度小于环状沟槽102横截面的最大宽度，在步骤S20之后，在步骤30之前，裸片的制备方法还包括：形成至少一个注入开口104，注入开口104与环状沟槽102连通；其中，注入开口104的宽度大于环状沟槽102开口的宽度。
其中，如图9-图12所示，图9可以视为本实施例中的裸片10的俯视结构示意图，图10-图12可以视为环状沟槽102横截面图形不同时图9中的裸片10沿BB’方向的截面结构示意图。可以采用干法刻蚀与湿法刻蚀相结合的工艺形成环状沟槽102，以使得环状沟槽102开口的宽度小于环状沟槽102横截面的最大宽度。环状沟槽102横截面的图形可以包括倒梯形（如图10）、圆形（如图11）、椭圆形或多边形（如图12）。当然，环状沟槽102横截面的图形还可以为其他合适的图形，只需保证环状沟槽102开口的宽度小于环状沟槽102横截面的最大宽度即可，本实施例在此不做限制。
为了便于理解本方案，在图9中示出了四个注入开口104，四个注入开口104均位于环状沟槽102的拐角处。然而在实际的应用场景中，注入开口104的数量可以仅为一个，也可以为多个；注入开口104可以位于环状沟槽102的拐角处，也可以位于环状沟槽102的任一合适的位置，本实施例在此不做限制。可以根据环状沟槽102的宽度，深度或长度来适当增加或减少注入开口104的数量。
如图13，上述步骤S30，包括：
S3021：于环状沟槽的底部和侧壁形成无机层，无机层将除注入开口外的环状沟槽开口进行封闭。
以环状沟槽102横截面为倒梯形为例，对本实施例中的无机层1031以及有机层1032的形成过程进行附图示例说明，环状沟槽102横截面为其他形状时可以类似图14-图15的形成过程。如图14所示，可以采用沉积工艺形成无机层1031。由于环状沟槽102开口的宽度小于环状沟槽102横截面的最大宽度，因此无机层1031在形成过程中会提前将环状沟槽102开口进行封闭。而又由于注入开口104的宽度大于环状沟槽102开口的宽度，因此注入开口104不会被无机层1031封闭。进一步地，由于环状沟槽102开口的宽度小于环状沟槽102横截面的最大宽度，因此环状沟槽102内部并不会被无机层1031填充，而将会形成如图14所示的微细管道。
S3022：基于注入开口向环状沟槽注入液态有机物，以形成有机层。
如图15所示，由于注入开口104未被无机层1031封闭，因此可以通过注入开口104向环状沟槽102注入液态有机物，并可以在液态有机物注入完成后，通过固化工艺使得液态有机物固化而形成有机层1032，从而形成无机层1031与有机层1032相结合的缓冲层103。
可选的，在形成缓冲层之后，还可以包括采用化学机械抛光（ChemicalMechanical Polishing，CMP）以及清洗工艺对多余的缓冲层进行去除的步骤。
本实施例中，通过无机层1031与有机层1032相结合而形成的缓冲层103能够进一步地提高裸片10的机械强度。另外，裸片10在加工过程中或者使用过程中可能会接触到高温条件，在高温条件下，有机层1032内部的杂质或化学物质容易挥发出来，并且在加工过程中这些挥发出来的杂质或化学物质可能会与裸片10的其他结构发生反应而导致裸片10失效。本实施例中通过无机层1031的封闭作用，能够有效避免有机层1032内的杂质或者化学物质的挥发，从而能够进一步地提高裸片10的可靠性。
在一个实施例中，如图16所示，上述步骤S3022，包括：
S3022a：于裸片的表面涂布液态有机物，液态有机物经注入开口被吸附进入环状沟槽内。
其中，通过在裸片10的表面涂布液态有机物后，由于在步骤S3021中形成了微细管道，而微细管道内部近乎真空，因此微细管道的内部与外部空气之间存在压力差。因此，涂布在裸片10表面的液态有机物会从注入开口104处被微细管道内外的压力差吸附进入微细管道内，在一定时间后，液态有机物可以完全填充微细管道（即经过静置一段时间后，液态有机物可以完全将环状沟槽102的内部进行填充）。
S3022b：采用固化工艺使液态有机物固化，以形成有机层。
其中，固化工艺可以包括加热或者紫外固化。本实施例中，通过利用压力差的方式注入液态有机物的工艺步骤简单，并且液态有机物的固化工艺也很简单，因此能够缩短复杂的工艺步骤，节约工艺成本。
其中，有机层1032还可以包括其他固化方式固化后能够形成稳定结构的有机物。
如图4所示，本发明还提供了一种裸片，包括：功能区101、至少一个环状沟槽102以及缓冲层103。其中，环状沟槽102位于功能区101与裸片10的外侧边缘之间的区域内，且环绕功能区101。缓冲层103位于环状沟槽102内。
其中，裸片10可以为一整块晶圆上还未被切割下来的一小块裸片10，也可以为已经被切割下来的单个裸片10。裸片10的功能区101内可以已经形成了相应的半导体结构而被功能化，也可以还未被功能化仅是被预先留出的功能区。例如，如图18所示，一整块晶圆20上可以有多个裸片10。
其中，缓冲层103用于在裸片10受到外力时提供缓冲，以提高裸片10的机械强度，降低裸片10受到外力而发生碎裂破坏的风险。
可选的，缓冲层103的材料可以为无机物材料、有机物材料中的至少一种。当然，缓冲层103的材料还可以为其他合适的材料，可以根据裸片10的具体应用场景而确定具体的缓冲层103的材料，本实施例在此不做限制。
上述裸片10，包括：功能区101、至少一个环状沟槽102以及缓冲层103。其中，环状沟槽102位于功能区101与裸片10的外侧边缘之间的区域内，且环绕功能区101。缓冲层103位于环状沟槽102内。由于环状沟槽102内的缓冲层103可以在裸片10受到外力时提供缓冲，从而能够提高裸片10的机械强度。
另外，由于环状沟槽102位于功能区101与裸片10的外侧边缘之间的区域，因此不会影响到功能区101的正常工作，从而也能够避免出现相关封胶工艺中的影响裸片10的散热，减慢裸片10的运行速度的问题。
在一个实施例中，缓冲层103为无机层1031和有机层1032中的一种。
如图5-图6所示，其中，无机层1031的材料可以包括为Si/C/O/N等元素形成的稳定无机物，例如SixNy或SixOy，其中x＞0、y＞0，或者，无机层1031还可以包括其他合适的无机层1031，本实施例在此不做限制。无机层1031的硬度较佳，在裸片10应用于不易发生移动的载体内部时，缓冲层103可以全部为无机层1031，以提高裸片10的硬度。
其中，有机层1032的材料可以包括聚酰亚胺类或环氧树脂类有机物。有机层1032为大分子结构，其杨氏模量低，抗拉伸性能好，因此具有更好的抗冲击，抗跌落能力。在裸片10应用于经常发生移动的载体内部时，缓冲层103的材料可以为有机层1032，以提高裸片10的抗冲击或抗跌落能力。
在一个实施例中，如图8所示，缓冲层103包括无机层1031和有机层1032。无机层1031位于环状沟槽102的底部和侧壁，有机层1032填充于环状沟槽102内。
如图8所示，将无机层1031与有机层1032相结合而形成的缓冲层103，可以综合无机层1031与有机层1032的优点，而避开两者的缺点，从而进一步地提高芯片的机械强度。例如，若缓冲层103仅为无机层1031组成，则由于无机层1031的硬度较高，因此裸片10在受到外力时通常容易产生裂纹；而若缓冲层103仅为有机层1032组成，则由于有机层1032质地较软，因此裸片10的抗冲击能力可能较差。通过将无机层1031与有机层1032相结合而形成的缓冲层103，可以将无机层1031和有机层1032的优点进行结合。在裸片10受到外力时，可以利用无机层1031提高裸片10的硬度，同时利用有机层1032对外力进行缓冲，以防止裸片10产生裂纹，从而能够进一步地提高裸片10的机械强度。
在一个实施例中，如图9-图15所示，环状沟槽102开口的宽度小于环状沟槽102横截面的最大宽度，裸片10还包括至少一个注入开口104，注入开口104与环状沟槽102连通，注入开口104的宽度大于环状沟槽102开口的宽度；无机层1031还将除注入开口104外的环状沟槽102开口进行封闭。
在一些实施例中，环状沟槽102横截面的图形可以包括倒梯形（如图10）、圆形（如图11）、椭圆形或多边形（如图12）。当然，环状沟槽102横截面的图形还可以为其他合适的图形，只需保证环状沟槽102开口的宽度小于环状沟槽102横截面的最大宽度即可，本实施例在此不做限制。
为了便于理解本方案，在图9中示出了四个注入开口104，四个注入开口104均位于环状沟槽102的拐角处。然而在实际的应用场景中，注入开口104的数量可以仅为一个，也可以为多个；注入开口104可以位于环状沟槽102的拐角处，也可以位于环状沟槽102的任一合适的位置，本实施例在此不做限制。可以根据环状沟槽102的宽度，深度或长度来适当增加或减少注入开口104的数量。
以环状沟槽102横截面为倒梯形为例，如图14所示，由于环状沟槽102开口的宽度小于环状沟槽102横截面的最大宽度，因此环状沟槽102内部并不会被无机层1031填充，而将会形成如图14所示的微细管道。如图15所示，由于注入开口104未被无机层1031封闭，因此可以通过注入开口104向环状沟槽102注入液态有机物，并可以在液态有机物注入完成后，通过固化工艺使得液态有机物固化而形成有机层1032，从而形成无机层1031与有机层1032相结合的缓冲层103。
本实施例中，通过无机层1031与有机层1032相结合而形成的缓冲层103能够进一步地提高裸片10的机械强度。另外，裸片10在加工过程中或者使用过程中可能会接触到高温条件，在高温条件下，有机层1032内部的杂质或化学物质容易挥发出来，并且在加工过程中这些挥发出来的杂质或化学物质可能会与裸片10的其他结构发生反应而导致裸片10失效。本实施例中通过无机层1031的封闭作用，能够有效避免有机层1032内的杂质或者化学物质的挥发，从而能够提高裸片10的可靠性。
在一个实施例中，如图9所示，环状沟槽102的槽底形状为矩形，裸片10包括四个注入开口104，各注入开口104位于矩形的拐角位置的槽口处。
在一个实施例中，如图17所示，裸片10包括多个环状沟槽102，多个环状沟槽102在由功能区101指向裸片10的外侧边缘的方向上依次排布。
在不影响裸片10的功能区101正常工作的情况下，环状沟槽102的数量可以尽可能的多一些，更多的环状沟槽102可以更大地提升裸片10的机械强度。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种裸片的制备方法，其特征在于，包括：
提供裸片，所述裸片包括功能区；
于所述功能区与所述裸片的外侧边缘之间的区域内形成至少一个环绕所述功能区的环状沟槽；所述环状沟槽开口的宽度小于所述环状沟槽横截面的最大宽度；
形成至少一个注入开口，所述注入开口与所述环状沟槽连通；其中，所述注入开口的宽度大于所述环状沟槽开口的宽度；
于所述环状沟槽的底部和侧壁形成无机层，所述无机层将除所述注入开口外的所述环状沟槽开口进行封闭；
基于所述注入开口向所述环状沟槽注入液态有机物，以形成有机层。
2.根据权利要求1所述的裸片的制备方法，其特征在于，所述有机层与所述无机层共同构成缓冲层，所述方法还包括：
采用化学机械抛光以及清洗工艺对多余的所述缓冲层进行去除。
3.根据权利要求1所述的裸片的制备方法，其特征在于，所述基于所述注入开口向所述环状沟槽注入液态有机物，以形成所述有机层，包括：
于所述裸片的表面涂布液态有机物，所述液态有机物经所述注入开口被吸附进入所述环状沟槽内；
采用固化工艺使所述液态有机物固化，以形成所述有机层。
4.一种裸片，其特征在于，包括：
功能区；
至少一个环状沟槽，位于所述功能区与所述裸片的外侧边缘之间的区域内，且环绕所述功能区；
无机层，位于所述环状沟槽的底部和侧壁；
有机层，填充于所述环状沟槽内；
其中，所述环状沟槽开口的宽度小于所述环状沟槽横截面的最大宽度，所述裸片还包括至少一个注入开口，所述注入开口与所述环状沟槽连通，所述注入开口的宽度大于所述环状沟槽开口的宽度；所述无机层还将除所述注入开口外的所述环状沟槽开口进行封闭。
5.根据权利要求4所述的裸片，其特征在于，所述无机层的材料的组成元素包括Si/C/O/N元素中的至少一种。
6.根据权利要求4所述的裸片，其特征在于，所述有机层的材料包括聚酰亚胺类或环氧树脂类有机物。
7.根据权利要求4所述的裸片，其特征在于，所述环状沟槽的槽底形状为矩形，所述裸片包括四个注入开口，各所述注入开口位于所述矩形的拐角位置的槽口处。
8.根据权利要求4所述的裸片，其特征在于，所述环状沟槽横截面的图形包括倒梯形、圆形、椭圆形或多边形。
9.根据权利要求4所述的裸片，其特征在于，所述裸片包括多个环状沟槽，多个所述环状沟槽在由所述功能区指向所述裸片的外侧边缘的方向上依次排布。
10.根据权利要求4所述的裸片，其特征在于，所述注入开口的数量为一个。
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