CN116651837A - 一种晶圆材料清洗设备的温控系统 - Google Patents

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Abstract

本发明所述的一种晶圆材料清洗设备的温控系统，涉及晶圆材料清洗技术领域，包括清洗设备机体，清洗设备机体包括若干清洗槽，该清洗槽包括清洗槽本体、排液阀门、进水管道、以及循环管道，并在进水管道与循环管道均设有控温装置，温控装置包括：排液阀门驱动模块，用于接收排液阀门驱动信号并根据排液阀门驱动信号驱动温控系统的选择阀门；加热机构，用于对进水管道与循环管道流经的清洗液作加热处理；温度检测机构，用于检测清洗液的温度并生成温度检测信号；电控模块，用于接收温度检测信号并根据预设参数计算排液阀门驱动信号。通过本发明解决了各个清洗槽内清洗液在清洗过程中存在热量损失，无法达到理想温度值，导致清洗效果不佳的问题。

Description

一种晶圆材料清洗设备的温控系统
技术领域
本发明涉及晶圆材料清洗技术领域，具体涉及一种晶圆材料清洗设备的温控系统。
背景技术
晶圆材料是手机、电脑、汽车等众多领域必不可少的半导体材料，随着半导体器件的轻便化与高度集中发展，对基础材料比如晶圆也有了更高的要求，特别是在清洗方面要求标准等级也更高。
在目前晶圆材料的清洗工艺中，往往会在不同清洗槽内使用不同的清洗液对其进行清洗，例如分别使用SC-1清洗液、臭氧水、去离子水等药液作清洗处理，且不同清洗槽内的不同清洗液往往需要设置不同的温度，确保槽内的清洗液能够处于最合适的温度对晶圆进行清洗，保证清洗效果达到最佳。但由于清洗液在流经晶圆材料清洗设备的各个进液管路和循环管路中存在热量损失，各个清洗槽内的清洗液始终无法达到理想温度值，导致清洗效果不佳。
因此，有必要提出一种晶圆材料清洗设备的温控系统。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种晶圆材料清洗设备的温控系统，用于解决各个清洗槽内清洗液始终无法达到理想温度值，清洗效果不够好的问题。
为实现上述目的，本发明提供一种晶圆材料清洗设备的温控系统，包括清洗设备机体，所述清洗设备机体包括若干清洗槽，所述清洗槽包括清洗槽本体、设置在所述清洗槽本体底部的排液阀门、与所述清洗槽本体外侧固定连接的进水管道、以及与所述清洗槽内测固定连接的循环管道，所述进水管道与所述循环管道均设有控温装置，所述温控装置包括：
排液阀门驱动模块，用于接收排液阀门驱动信号并根据所述排液阀门驱动信号驱动所述温控装置的选择阀门；
加热机构，用于对所述进水管道与所述循环管道流经的清洗液作加热处理；
温度检测机构，用于检测所述清洗液的温度并生成温度检测信号；
电控模块，用于接收所述温度检测信号并根据预设参数计算所述排液阀门驱动信号；以及，
无线通信模块，所述电控模块通过所述无线通信模块与外部通信连接。
进一步地，所述加热机构包括加热支架、发热管、导线、第一加热电阻丝、第二加热电阻丝以及导电活塞，其中，所述发热管固定安装在所述加热支架的四周，所述加热支架的上端两侧分别与所述导线的一端电性连接，所述导线的另一端分别与所述第一加热电阻丝和所述第二加热电阻丝电性连接，所述第一加热电阻丝和所述第二加热电阻丝的外侧与所述导电活塞的一端电性连接，所述导电活塞的另一端与可拆卸滑动螺栓固定连接在进水管道与循环管道上。
进一步地，所述清洗槽包括：
第一清洗槽，用于盛装SC-1清洗液并对所述晶圆进行第一次清洗，同时通过所述加热机构将所述第一清洗槽内的温度控制在50℃-80℃，且所述加热机构的温度控制精度为±3℃；
第二清洗槽，用于盛装去离子水并对所述晶圆进行第二次过滤清洗，同时通过所述加热机构将所述第二清洗槽内的温度控制在45℃-60℃；
第三清洗槽，用于盛装去臭氧水并对所述晶圆进行第三次清洗，同时通过所述加热机构将所述第三清洗槽内的温度控制在45℃-80℃；
第四清洗槽，用于盛装去离子水并对所述晶圆进行第四次过滤清洗，同时通过所述加热机构将所述第二清洗槽内的温度控制在45℃-60℃；
第五清洗槽，用于盛装氟化氢并对所述晶圆进行浸泡，同时通过所述加热机构将所述第五清洗槽内的温度控制在45℃-75℃；
第六清洗槽，用于盛装去离子水并对所述晶圆进行第六次过滤清洗，同时通过所述加热机构将所述第二清洗槽内的温度控制在50℃-70℃。
进一步地，将经过六次清洗后的晶圆放置于干燥槽内进行烘干处理，所述干燥槽的外壁上设有所述加热机构，通过加热机构将所述干燥槽内的温度控制在65℃-70℃。
进一步地，所述加热机构的温度控制精度为±3℃。
进一步地，所述无线通信模块包括蓝牙通信模块、ZigBee通信模块、NFC通信模块以及WIFI通信模块。
有益效果：
本发明所述的一种晶圆材料清洗设备的温控系统，通过在进水管道与循环管道均设有控温装置，使得各个清洗槽内清洗液的清洗温度始终维持在恒定温度范围内，克服了传统晶圆材料清洗设备清洗过程中存在热量损失，无法保证各清洗槽内的清洗液始终维持在合适的温度范围内，以使晶圆材料清洗效果达到最佳状态，保证晶圆的清洗效果。
附图说明
图1为本发明提供的一种温控装置示意图；
图2为本发明提供的一种加热机构结构示意图。
标记说明：
1、排液阀门驱动模块，2、加热机构，3、温度检测机构，4-电控模块，5、通信模块，21、加热支架，22、发热管，23、导线，24、第一加热电阻丝，25、第二加热电阻丝，26、导电活塞。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
具体地，一种晶圆材料清洗设备的温控系统，包括清洗设备机体，所述清洗设备机体包括若干清洗槽，所述清洗槽包括清洗槽本体、设置在所述清洗槽本体底部的排液阀门、与所述清洗槽本体外侧固定连接的进水管道、以及与所述清洗槽内测固定连接的循环管道，所述进水管道与所述循环管道均设有控温装置，如图1所示，所述温控装置包括：排液阀门驱动模块1，用于接收排液阀门驱动信号并根据所述排液阀门驱动信号驱动所述温控装置的选择阀门；加热机构2，用于对所述进水管道与所述循环管道流经的清洗液作加热处理；温度检测机构3，用于检测所述清洗液的温度并生成温度检测信号；电控模块4，用于接收所述温度检测信号并根据预设参数计算所述排液阀门驱动信号；以及，无线通信模块5，所述电控模块通过所述无线通信模块与外部通信连接，其中，所述无线通信模块5的类型包括但不限于蓝牙通信模块、ZigBee通信模块、NFC通信模块以及WIFI通信模块，实际使用过程中可以根据现场使用环境，选择比较合适的无线模型模块类型。
在本实施例中，上述待清洗的晶圆材料包括但不限于硅片、蓝宝石等传统半导体材料，同时电控模块通过无线通信模块与外部通信连接，使得工程师能够远程控制带温控装置的调节，当排液阀门驱动模块接收到排液阀门驱动信号后，根据该信号控制温控装置的选择阀门打开，同时通过温度检测机构实时检测各个清洗槽内清洗液的温度，当检测到各清洗槽内清洗液热量流失过大时，会将检测到的清洗液温度生成温度检测信号传输至电控模块，当电控模块节后到该温度检测信号后，根据预设参数计算排液阀门驱动信号，驱使排液阀门驱动模块将已经冷却掉的冷却液排除，同时输入新的冷却液对工作，同时控制加热机构对流经进水管道与循环管道的清洗液进行加热。
进一步地，如图2所示，上述加热机构2包括加热支架21、发热管22、导线23、第一加热电阻丝24、第二加热电阻丝25以及导电活塞26，其中，所述发热管22固定安装在所述加热支架21的四周，能够保证受热装置能够得到均匀受热，避免出现一面温度过高，另一面温度过低的情况。同时所述加热支架21的上端两侧分别与所述导线23的一端电性连接，所述导线23的另一端分别与所述第一加热电阻丝24和所述第二加热电阻丝25电性连接，所述第一加热电阻丝24和所述第二加热电阻丝25的外侧与所述导电活塞26的一端电性连接，所述导电活塞26的另一端与可拆卸滑动螺栓固定连接在进水管道与循环管道上，使其能够为了更加灵活地安装该加热机构，便于拆卸与安装。通过该加热机构能够确保流经进水管道或循环管道能够均匀受热，避免出现管道一面温度过高，另一面温度过低，形成受热不均的加热情形，长时间的受热不均与可能造成进水管道与循环管道的破裂，造成严重的安全事故。且由于该加热机构的温度控制精度达到了±3摄氏度，能够实时且准确地对各个清洗槽的清洗液的最佳温度进行控制，保证清洗液的清洗效果，始终维持在最合适的温度范围内。
在本实施例中，所述清洗槽包括：第一清洗槽，用于盛装SC-1清洗液并对所述晶圆进行第一次清洗，同时通过所述加热机构将所述第一清洗槽内的温度控制在50℃-80℃；第二清洗槽，用于盛装去离子水并对所述晶圆进行第二次过滤清洗，同时通过所述加热机构将所述第二清洗槽内的温度控制在45℃-60℃；第三清洗槽，用于盛装去臭氧水并对所述晶圆进行第三次清洗，同时通过所述加热机构将所述第三清洗槽内的温度控制在45℃-80℃；第四清洗槽，用于盛装去离子水并对所述晶圆进行第四次过滤清洗，同时通过所述加热机构将所述第二清洗槽内的温度控制在45℃-60℃；第五清洗槽，用于盛装氟化氢并对所述晶圆进行浸泡，同时通过所述加热机构将所述第五清洗槽内的温度控制在45℃-75℃；第六清洗槽，用于盛装去离子水并对所述晶圆进行第六次过滤清洗，同时通过所述加热机构将所述第二清洗槽内的温度控制在45℃-60℃。通过对各个清洗槽实现精准温度控制，确保整个晶圆材料的清洗效果始终维持在最佳清洗效果的状态。
进一步地，在经过上述工序多次清洗以后，将清洗后的晶圆放置于干燥槽内进行烘干处理，同样将加热机构设置在所述干燥槽的外壁上，通过加热机构将所述干燥槽内的温度控制在50℃-70℃，由于加热机构的温度精度比较高，能够保证最后干燥槽的温度控制也始终保持在最合适的温度，保证晶圆材料的清洗效果达到最佳。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
应当理解，虽然本说明书是按照各个实施例描述的，但并非每个实施例仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
上文所列出的一个系列的详细说明仅仅是针对本发明的可行性实施例的具体说明，它们并非用以限制本发明的保护范围，凡未脱离本发明技艺精神所作的等效实施方案或变更，如特征的组合、分割或重复，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种晶圆材料清洗设备的温控系统，包括清洗设备机体，所述清洗设备机体包括若干清洗槽，所述清洗槽包括清洗槽本体、设置在所述清洗槽本体底部的排液阀门、与所述清洗槽本体外侧固定连接的进水管道、以及与所述清洗槽内测固定连接的循环管道，其特征在于，所述进水管道与所述循环管道均设有控温装置，所述温控装置包括：
排液阀门驱动模块（1），用于接收排液阀门驱动信号并根据所述排液阀门驱动信号驱动所述温控装置的选择阀门；
加热机构（2），用于对所述进水管道与所述循环管道流经的清洗液作加热处理；
温度检测机构（3），用于检测所述清洗液的温度并生成温度检测信号；
电控模块（4），用于接收所述温度检测信号并根据预设参数计算所述排液阀门驱动信号；以及，
无线通信模块（5），所述电控模块通过所述无线通信模块与外部通信连接。
2.根据权利要求1所述的晶圆材料清洗设备的温控系统，其特征在于，所述加热机构（2）包括加热支架（21）、发热管（22）、导线（23）、第一加热电阻丝（24）、第二加热电阻丝（25）以及导电活塞（26），其中，所述发热管（22）固定安装在所述加热支架（21）的四周，所述加热支架（2·）的上端两侧分别与所述导线（23）的一端电性连接，所述导线（23）的另一端分别与所述第一加热电阻丝（24）和所述第二加热电阻丝（25）电性连接，所述第一加热电阻丝（24）和所述第二加热电阻丝（25）的外侧与所述导电活塞（26）的一端电性连接，所述导电活塞（26）的另一端与可拆卸滑动螺栓固定连接在进水管道与循环管道上。
3.根据权利要求1或2所述的晶圆材料清洗设备的温控系统，其特征在于，所述清洗槽包括：
第一清洗槽，用于盛装SC-1清洗液并对所述晶圆进行第一次清洗，同时通过所述加热机构将所述第一清洗槽内的温度控制在50℃-80℃，且所述加热机构的温度控制精度为±3℃；
第二清洗槽，用于盛装去离子水并对所述晶圆进行第二次过滤清洗，同时通过所述加热机构将所述第二清洗槽内的温度控制在45℃-60℃；
第三清洗槽，用于盛装去臭氧水并对所述晶圆进行第三次清洗，同时通过所述加热机构将所述第三清洗槽内的温度控制在45℃-80℃；
第四清洗槽，用于盛装去离子水并对所述晶圆进行第四次过滤清洗，同时通过所述加热机构将所述第二清洗槽内的温度控制在45℃-60℃；
第五清洗槽，用于盛装氟化氢并对所述晶圆进行浸泡，同时通过所述加热机构将所述第五清洗槽内的温度控制在45℃-75℃；
第六清洗槽，用于盛装去离子水并对所述晶圆进行第六次过滤清洗，同时通过所述加热机构将所述第二清洗槽内的温度控制在45℃-60℃。
4.根据权利要求3所述的晶圆材料清洗设备的温控系统，其特征在于，将经过六次清洗后的晶圆放置于干燥槽内进行烘干处理，所述干燥槽的外壁上设有所述加热机构，通过加热机构将所述干燥槽内的温度控制在50℃-70℃。
5.根据权利要求4所述的晶圆材料清洗设备的温控系统，其特征在于，所述加热机构的温度控制精度为±3℃。
6.根据权利要求1所述的晶圆材料清洗设备的温控系统，其特征在于，所述无线通信模块包括蓝牙通信模块、ZigBee通信模块、NFC通信模块以及WIFI通信模块。
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