CN116646409A - 太阳能电池、光伏组件及其制备方法 - Google Patents

太阳能电池、光伏组件及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本申请实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池、光伏组件及其制备方法，太阳能电池包括：基底，所述基底具有相对的第一表面以及第二表面；多个沿第一方向依次排布的第一栅线，所述第一栅线位于所述基底的第一表面；其中，沿所述第一方向，所述多个第一栅线中至少一个位于所述基底端部的第一栅线包括第一加宽部；多个沿所述第一方向依次排布的第二栅线，所述第二栅线位于所述基底的第二表面；其中，沿所述第一方向，所述多个第二栅线中至少一个位于所述基底端部的第二栅线包括第二加宽部，所述第二加宽部的尺寸大于所述第一加宽部的尺寸。

Description

太阳能电池、光伏组件及其制备方法
技术领域
本申请实施例涉及光伏领域，特别涉及一种太阳能电池、光伏组件及其制备方法。
背景技术
太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。单体太阳电池不能直接发电使用。必须将若干单体电池通过焊带串、并联连接和严密封装成组件后使用。太阳能电池组件(也叫太阳能电池板)是太阳能发电系统中的核心部分，也是太阳能发电系统中最重要的部分。太阳能电池组件的作用是将太阳能转化为电能，或送往蓄电池中存储起来，或推动负载工作。
电池片非常脆弱，一般需要在电池组件的上下表面设置胶膜以及盖板，用于保护电池片。盖板一般为光伏玻璃，光伏玻璃不能直接附着在电池片上面，需要胶膜在中间起到粘接作用。电池片与电池片之间连接通常需要用于收集电流的焊带，常规中的焊带在焊接时需要通过焊接使焊带与细栅之间合金化。然而，焊带中焊料的熔点一般都较高，且在实际焊接过程中，焊接温度要高于焊料熔点20℃以上。电池片在焊接过程中因翘曲变形较大，焊接后隐裂风险大、破片率较高。在上述背景下，为了改善焊接质量，低温焊带以及无主栅技术应运而生。但影响组件的良率的因素还是有很多，例如焊带与细栅之间的焊接效果以及焊接良率等。
发明内容
本申请实施例提供一种太阳能电池、光伏组件及其制备方法，至少有利提高光伏组件的良率。
根据本申请一些实施例，本申请实施例一方面提供一种太阳能电池，包括：基底，所述基底具有相对的第一表面以及第二表面；多个沿第一方向依次排布的第一栅线，所述第一栅线位于所述基底的第一表面；其中，沿所述第一方向，所述多个第一栅线中至少一个位于所述基底端部的第一栅线包括第一加宽部；多个沿所述第一方向依次排布的第二栅线，所述第二栅线位于所述基底的第二表面；其中，沿所述第一方向，所述多个第二栅线中至少一个位于所述基底端部的第二栅线包括第二加宽部，所述第二加宽部的尺寸大于所述第一加宽部的尺寸。
在一些实施例中，沿所述第一方向，所述第一栅线包括位于所述基底端部的两个第一电极以及位于两个第一电极之间的多个第二电极，所述第一电极包括第一加宽部；所述第二电极包括第三加宽部，所述第三加宽部沿所述第一方向与所述第一加宽部相对，所述第三加宽部的尺寸小于所述第一加宽部的尺寸。
在一些实施例中，沿所述第一方向，所述第二栅线包括间隔排布的第三电极以及位于每两个所述第三电极之间的多个第四电极，所述第三电极包括第二加宽部；所述第四电极包括第四加宽部，所述第四加宽部沿所述第一方向与所述第二加宽部相对，所述第四加宽部的尺寸小于所述第二加宽部的尺寸。
在一些实施例中，所述第四加宽部的尺寸小于所述第一加宽部的尺寸。
在一些实施例中，同一所述第二表面内，所述第三电极的数量为2-20。
在一些实施例中，所述第二加宽部沿所述第一方向的长度范围为0.2mm～1.0mm。
在一些实施例中，还包括：钝化层，所述钝化层位于所述基底表面，所述第一加宽部和/或所述第二加宽部位于所述钝化层表面且不烧穿所述钝化层；所述第一栅线还包括位于所述第一加宽部两侧的第一子栅线，所述第一子栅线烧穿所述钝化层且凸出于所述钝化层。
在一些实施例中，所述第一栅线为一体成型结构；所述第二栅线为一体成型结构。
根据本申请一些实施例，本申请实施例另一方面还提供一种光伏组件，包括：电池串，由多个太阳能电池通过焊带电连接而成，所述焊带与每一第一栅线和/或每一第二栅线电连接，任一所述焊带与所述第一加宽部或第二加宽部电接触；封装层，用于覆盖所述电池串的表面；盖板，用于覆盖所述封装层背离所述电池串的表面。
在一些实施例中，同一所述焊带与多个所述第一栅线之间具有M个第一交叠区；还包括：N个胶点，每一所述胶点覆盖所述第一交叠区，所述胶点还位于所述第一加宽部上，所述N小于M且大于或等于所述第一加宽部的数量；所述封装层位于所述胶点的表面。
在一些实施例中，所述N小于或等于所述第二加宽部的数量。
在一些实施例中，所述N满足：2≤N≤20。
在一些实施例中，所述封装层位于所述第二栅线的表面，对应于所述第二表面的所述焊带与所述封装层之间直接接触，所述第二表面不设置所述胶点。
根据本申请一些实施例，本申请实施例又一方面还提供一种光伏组件的制备方法，包括：提供多个电池片以及焊带；对所述焊带与所述电池片进行焊接处理以使所述焊带与所述第一栅线之间和所述焊带与所述第二栅线之间形成合金层，经过所述焊接处理后的所述电池片以及所述焊带构成电池串；提供封装层以及盖板，所述封装层用于覆盖所述电池串的表面；所述盖板用于覆盖所述封装层背离所述电池串的表面；对所述电池串、封装层以及盖板进行层压处理。
在一些实施例中，同一所述焊带与所述第一栅线之间具有M个第一交叠区；进行焊接处理之后还包括：对所述电池片的部分所述第一交叠区进行点胶处理以使所述电池片的表面具有N个胶点，每一所述胶点覆盖所述第一交叠区，所述胶点还位于所述第一加宽部，所述N小于M且大于或等于所述第一加宽部的数量。
本申请实施例提供的技术方案至少具有以下优点：
本申请实施例提供的技术方案中，通过设置基底具有相对的第一表面以及第二表面，位于第一表面的第一栅线具有第一加宽部，位于第二表面的第二栅线具有第二加宽部，第一加宽部以及第二加宽部可以增加第一栅线与焊带之间的焊接拉力以及第二栅线与焊带之间的焊接拉力，从而提高第一栅线与焊带之间的焊接效果以及第二栅线与焊带之间的焊接效果。第一加宽部的尺寸大于第二加宽部的尺寸，通过改变第一表面的第一加宽部的尺寸与第二表面的第二加宽部的尺寸，即保证第一表面上的第一加宽部的尺寸较小，从而第一表面的遮盖面积较少，从而提高太阳能电池的电池效率。第二表面的第二加宽部至少位于基底的端部，即第二加宽部的数量大于或等于第一加宽部的数量，从而通过增加第二加宽部的数量以增加第二表面的焊接面积，从而提高电池与焊带之间的焊接拉力。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制；为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请一实施例提供的太阳能电池的第一表面的第一种结构示意图；
图2为图1沿A1-A2剖面的第一种剖面结构示意图；
图3为图1沿A1-A2剖面的第二种剖面结构示意图；
图4为图1沿B1-B2剖面的第一种剖面结构示意图；
图5为本申请一实施例提供的太阳能电池的第一加宽部的局部种结构示意图；
图6为本申请一实施例提供的太阳能电池的第二表面的第一种结构示意图；
图7为本申请一实施例提供的太阳能电池的第二加宽部的局部种结构示意图；
图8为本申请一实施例提供的太阳能电池的第一表面的第二种结构示意图；
图9为本申请一实施例提供的太阳能电池的第三加宽部的局部种结构示意图；
图10为本申请一实施例提供的太阳能电池的第二表面的第二种结构示意图；
图11为本申请一实施例提供的太阳能电池的第四加宽部的局部种结构示意图；
图12为本申请一实施例提供的太阳能电池的第一表面的第三种结构示意图；
图13为本申请一实施例提供的光伏组件的第一表面形成焊带的结构示意图；
图14为本申请一实施例提供的光伏组件的第二表面形成焊带的结构示意图；
图15为本申请一实施例提供的光伏组件的第一表面形成胶点的结构示意图；
图16为本申请一实施例提供的光伏组件的结构示意图。
具体实施方式
由背景技术可知，目前的光伏组件的良率欠佳。
本申请实施例提供的太阳能电池中，通过设置基底具有相对的第一表面以及第二表面，位于第一表面的第一栅线具有第一加宽部，位于第二表面的第二栅线具有第二加宽部，第一加宽部以及第二加宽部可以增加第一栅线与焊带之间的焊接拉力以及第二栅线与焊带之间的焊接拉力，从而提高第一栅线与焊带之间的焊接效果以及第二栅线与焊带之间的焊接效果。第一加宽部的尺寸大于第二加宽部的尺寸，通过改变第一表面的第一加宽部的尺寸与第二表面的第二加宽部的尺寸，即保证第一表面上的第一加宽部的尺寸较小，从而第一表面的遮盖面积较少，从而提高太阳能电池的电池效率。第二表面的第二加宽部至少位于基底的端部，即第二加宽部的数量大于或等于第一加宽部的数量，从而通过增加第二加宽部的数量以增加第二表面的焊接面积，从而提高电池与焊带之间的焊接拉力。
下面将结合附图对本申请的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本申请各实施例中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。
图1为本申请一实施例提供的太阳能电池的第一表面的第一种结构示意图；图2为图1沿A1-A2剖面的第一种剖面结构示意图；图3为图1沿A1-A2剖面的第二种剖面结构示意图；
图4为图1沿B1-B2剖面的第一种剖面结构示意图；图5为本申请一实施例提供的太阳能电池的第一加宽部的局部种结构示意图；图6为本申请一实施例提供的太阳能电池的第二表面的第一种结构示意图；图7为本申请一实施例提供的太阳能电池的第二加宽部的局部种结构示意图；图8为本申请一实施例提供的太阳能电池的第一表面的第二种结构示意图；图9为本申请一实施例提供的太阳能电池的第三加宽部的局部种结构示意图；图10为本申请一实施例提供的太阳能电池的第二表面的第二种结构示意图；图11为本申请一实施例提供的太阳能电池的第四加宽部的局部种结构示意图；图12为本申请一实施例提供的太阳能电池的第一表面的第三种结构示意图。其中，为了示意出第一加宽部与焊带之间得相对位置关系，图2和图3中也示意出了焊带。为了示意出第一加宽部与第二加宽部的区域，图12中以虚线围成的区域示出第二加宽部。
可以理解的是，第二表面的第二加宽部与第二栅线之间的截面图可以参考图2至图4中第一加宽部与第一栅线之间的位置关系，在这里并未示出第二表面的截面图，仅示意出第一表面侧的截面图。
参考图1至图12，根据本申请一些实施例，本申请实施例一方面提供一种太阳能电池，包括：基底100，基底100具有相对的第一表面11以及第二表面12；多个沿第一方向Y依次排布的第一栅线21，第一栅线21位于基底100的第一表面11；其中，沿第一方向Y，多个第一栅线中至少一个位于基底100端部的第一栅线21包括第一加宽部111；多个沿第一方向Y依次排布的第二栅线22，第二栅线22位于基底100的第二表面12；其中，沿第一方向Y，多个第二栅线中至少一个位于基底端部的第二栅线22包括第二加宽部211，第二加宽部211的尺寸大于第一加宽部111的尺寸。
太阳能电池可以为常规中的TOPCON(Tunnel Oxide Passivated Contact，隧穿氧化层钝化接触)电池、PERC电池(钝化发射极和背面电池，Passivated emitter and realcell)以及异质结电池等的任意一种。在一些实施例中，太阳能电池也可以为化合物电池，化合物包括但不限于锗化硅、碳化硅、砷化镓、镓化铟、钙钛矿、碲化镉、铜铟硒等材料。
太阳能电池包括依次层叠的基底以及钝化层。基底100的材料可以为元素半导体材料。具体地，元素半导体材料由单一元素组成，例如可以是硅或者硅。其中，元素半导体材料可以为单晶态、多晶态、非晶态或者微晶态(同时具有单晶态和非晶态的状态，称为微晶态)，例如，硅可以是单晶硅、多晶硅、非晶硅或者微晶硅中的至少一种。
在一些实施例中，基底100的材料也可以是化合物半导体材料。常见的化合物半导体材料包括但不限于锗化硅、碳化硅、砷化镓、镓化铟、钙钛矿、碲化镉、铜铟硒等材料。基底100也可以为蓝宝石基底、绝缘体上的硅基底或者绝缘体上的锗基底。
在一些实施例中，基底100可以为N型半导体基底或者P型半导体基底。N型半导体基底内掺杂有N型掺杂元素，N型掺杂元素可以为磷(P)元素、铋(Bi)元素、锑(Sb)元素或砷(As)元素等Ⅴ族元素中的任意一者。P型半导体基底内掺杂有P型元素，P型掺杂元素可以为硼(B)元素、铝(Al)元素、镓(Ga)元素或镓(In)元素等Ⅲ族元素中的任意一者。
在一些实施例中，太阳能电池还包括：钝化层101，钝化层101位于基底100表面。钝化层101的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氮氧化硅、氧化钛、氧化铪或氧化铝等材料中的任意一种或者多种。
太阳能电池包括位于基底100的第一表面11的发射极以及第一钝化层，位于基底100的第二表面12的第二钝化层，第一栅线21贯穿第一钝化层与发射极电接触，第二栅线22贯穿第二钝化层的厚度与第二表面12电接触。钝化层101包括第一钝化层以及第二钝化层。
在一些实施例中，当太阳能电池为TOPCON电池时，太阳能电池还可以包括层叠的隧穿介质层以及掺杂导电层，隧穿介质层位于基底100的第二表面12，第二栅线22烧穿第二钝化层与掺杂导电层电接触。
在一些实施例中，第一栅线21以及第二栅线22均为太阳能电池的副栅线，副栅线可以由烧穿型浆料烧结而成。形成第一栅线21以及第二栅线22的方法包括：采用丝网印刷工艺在部分钝化层表面印刷金属浆料。金属浆料可以包括银、率、铜、锡、金、铅或者镍中的至少一者。对金属浆料进行烧结工艺，在一些实施例中，金属浆料中具有玻璃等高腐蚀性成分的材料，如此，在烧结过程中，腐蚀性成分将会对钝化层进行腐蚀，从而使得金属浆料在钝化层101中渗透从而与基底100电接触。
在一些实施例中，沿第一方向Y，第一栅线21包括位于基底100端部的两个第一电极110以及位于两个第一电极110之间的多个第二电极120，第一电极110包括第一加宽部111。第一电极110还包括位于第一加宽部111两侧的第一子栅线112。第一子栅线112烧穿钝化层101且凸出于钝化层101。
在一些实施例中，参考图2，第一加宽部111位于钝化层101表面且不烧穿钝化层101，即第一加宽部111的材料组成与第一子栅线112的材料组成并不同。例如，第一加宽部111由主栅线的印刷浆料制备，第一子栅线112由副栅线的印刷浆料制备。其中，副栅线的印刷浆料中银的含量较高，从而烧穿钝化层。而主栅线的印刷浆料中银的含量较低，而铝的含量较高。
在一些实施例中，第一加宽部111沿第二方向X的第一长度L1的范围为0.5mm～1.5mm。第一长度L1的范围可以为0.5mm～0.8mm、0.58mm～1.39mm、0.6mm～1.5mm、0.9mm～1.48mm、0.5mm～1mm、0.6mm～1.3mm或者0.69mm～0.8mm。第一长度L1可以为0.53mm、0.58mm、0.77mm、0.98mm、1.19mm、1.28mm、1.33mm、1.42mm或者1.5mm。
在一些实施例中，第一加宽部111沿第一方向Y的第一宽度W1的范围为0.1mm～0.5mm。第一宽度W1可以为0.1mm～0.16mm、0.16mm～0.28mm、0.28mm～0.41mm、0.41mm～0.5mm、0.14mm～0.45mm、0.16mm～0.28mm或者0.19mm～0.0.36mm。第一宽度W1可以为0.12mm、0.18mm、0.21mm、0.33mm、0.35mm、0.42mm、0.46mm或者0.5mm。
在一些实施例中，第一子栅线112沿第一方向的第五宽度W5的范围为10um～45um。第五宽度W5可以为11um～15um、15um～20um、20um～38um、38um～45um、10um～25um、18um～32um或者14um～37um。第五宽度W5可以为10.3um、16.8um、21.7um、33.6um、35.8um、41.1um、42.3um或者45um。
在一些实施例中，参考图3，第一栅线21为一体成型结构，即第一电极110的第一加宽部111以及第一子栅线112也为一体成型结构，第一加宽部111以及第一子栅线112可以由同一印刷浆料在同一制备工艺制备，第一加宽部111与第一子栅线112均烧穿钝化层101。如此，位于电池片端部的第一栅线21部分区域的宽度较大，可以缓解第一电极110的焊接应力，以使焊带40与电池片之间形成良好的接触；此外，第一加宽部111提升载流子的传输能力，使电池片具有较多的传输面积用于收集电流。
在一些实施例中，沿第一方向，第二栅线22包括位于间隔排布的第三电极210以及位于每两个第三电极210之间的多个第四电极220，第三电极210包括第二加宽部211。第三电极210还包括位于第二加宽部211两侧的第二子栅线212。第二子栅线212烧穿钝化层101且凸出于钝化层101。
在一些实施例中，同一第二表面12内，第三电极210的数量为2-20。第三电极210的数量，即为第二加宽部211的数量，第二加宽部211的数量大于或等于第一加宽部111的数量。如此，可以减少第一表面11的遮挡面积，从而提高电池片的电池效率。通过增加第二加宽部211的数量以增加第二表面的焊接面积，从而提高电池与焊带之间的焊接拉力。
在一些实施例中，第二加宽部211沿第一方向Y的第二宽度W2范围为0.2mm～1.0mm。第二宽度W2的范围可以为0.21mm～0.8mm、0.2mm～0.8mm、0.38mm～0.78mm、0.25mm～0.94mm、0.29mm～0.99mm、0.5mm～0.82mm、0.86mm～1.0mm或者0.19mm～0.69mm。第二宽度W2可以为0.21mm、0.38mm、0.41mm、0.53mm、0.65mm、0.78mm、0.89mm或者0.98mm。
在一些实施例中，第二加宽部211沿第二方向X的第二长度L2范围为0.5mm～1.5mm。第二长度L2的范围可以为0.5mm～0.8mm、0.54mm～1.39mm、0.6mm～1.5mm、0.9mm～1.48mm、0.5mm～1mm、0.6mm～1.3mm或者0.56mm～0.8mm。第二长度L2可以为0.53mm、0.58mm、0.77mm、0.98mm、1.19mm、1.28mm、1.33mm、1.42mm或者1.5mm。
在一些实施例中，第二加宽部211位于钝化层101表面且不烧穿钝化层101，即第二加宽部211的材料组成与第二子栅线212的材料组成并不同。例如，第二加宽部211由主栅线的印刷浆料制备，第二子栅线由副栅线的印刷浆料制备。
在一些实施例中，第二栅线22为一体成型结构，即第三电极210的第二加宽部211以及第二子栅线212也为一体成型结构，第二加宽部211以及第二子栅线212可以由同一印刷浆料在同一制备工艺制备，第二加宽部211与第二子栅线212均烧穿钝化层101。如此，位于电池片端部的第二栅线22部分区域的宽度较大，可以缓解第三电极210的焊接应力，以使焊带与电池片之间形成良好的接触；此外，第二加宽部211提升载流子的传输能力，使电池片具有较多的传输面积用于收集电流。
在一些实施例中，第二子栅线212的第六宽度W6的范围为14um～60um。第六宽度W6可以为15um～20um、20um～28um、28um～35um、35um～49um、49um～52um、52um～60um或者18um～39um。第六宽度W6可以为14.3um、24.8um、35.7um、41.8um、47.8um、52.1um、59.6um或者60um。
参考图8，第二电极120包括第三加宽部121，第三加宽部121沿第一方向Y与第三加宽部121相对，第三加宽部121的尺寸小于第一加宽部111的尺寸。第二电极120还包括位于第三加宽部121两侧的第三子栅线122。第三子栅线122烧穿钝化层101且凸出于钝化层101。
在一些实施例中，第三加宽部121位于钝化层101表面且不烧穿钝化层101，即第三加宽部121的材料组成与第三子栅线122的材料组成并不同。例如，第三加宽部121由主栅线的印刷浆料制备，第三子栅线122由副栅线的印刷浆料制备。
在一些实施例中，参考图9，第三加宽部121沿第二方向X的第三长度L3的范围为0.5mm～1.5mm。第三长度L3的范围可以为0.5mm～0.8mm、0.58mm～1.39mm、0.6mm～1.5mm、0.9mm～1.48mm、0.5mm～1mm、0.6mm～1.3mm或者0.69mm～0.8mm。第三长度L3可以为0.53mm、0.58mm、0.77mm、0.98mm、1.19mm、1.28mm、1.33mm、1.42mm或者1.5mm。
在一些实施例中，第三加宽部121沿第一方向Y的第三宽度W3的范围为0.02mm～0.2mm。第三宽度W3可以为0.02mm～0.1mm、0.18mm～0.18mm、0.2mm～0.14mm、0.09mm～0.19mm、0.05mm～0.12mm、0.16mm～0.2mm或者0.09mm～0.19mm。第三宽度W3可以为0.02mm、0.08mm、0.11mm、0.13mm、0.15mm、0.18mm、0.19mm或者0.2mm。
在一些实施例中，第三子栅线122沿第一方向的第七宽度W7的范围为10um～45um。第七宽度W7可以为11um～15um、15um～20um、20um～38um、38um～45um、10um～25um、18um～32um或者14um～37um。第七宽度W7可以为10.3um、16.8um、21.7um、33.6um、35.8um、41.1um、42.3um或者45um。
在一些实施例中，第一栅线21为一体成型结构，即第三电极120的第三加宽部121以及第三子栅线122也为一体成型结构，第三加宽部121以及第三子栅线122可以由同一印刷浆料在同一制备工艺制备，第三加宽部121以及第三子栅线122均烧穿钝化层101。第三加宽部121以及第三子栅线122可以提升载流子的传输能力，使电池片具有较多的传输面积用于收集电流。
在一些实施例中，参考图10，第四电极220包括第四加宽部221，第四加宽部221沿第一方向Y与第二加宽部211相对，第四加宽部221的尺寸小于第二加宽部211的尺寸。
在一些实施例中，第四加宽部的尺寸小于第一加宽部的尺寸。第四电极220还包括位于第四加宽部221两侧的第二子栅线212。第二子栅线212烧穿钝化层101且凸出于钝化层101。
在一些实施例中，第四加宽部221沿第一方向Y的第四宽度W4范围为0.02mm～0.2mm。第四宽度W4可以为0.02mm～0.1mm、0.18mm～0.18mm、0.2mm～0.14mm、0.09mm～0.19mm、0.05mm～0.12mm、0.16mm～0.2mm或者0.09mm～0.19mm。第四宽度W4可以为0.02mm、0.08mm、0.11mm、0.13mm、0.15mm、0.18mm、0.19mm或者0.2mm。
在一些实施例中，第四加宽部221沿第二方向X的第四长度L4范围为0.5mm～1.5mm。第四长度L4的范围可以为0.5mm～0.8mm、0.54mm～1.39mm、0.6mm～1.5mm、0.9mm～1.48mm、0.5mm～1mm、0.6mm～1.3mm或者0.56mm～0.8mm。第四长度L4可以为0.53mm、0.58mm、0.77mm、0.98mm、1.19mm、1.28mm、1.33mm、1.42mm或者1.5mm。
在一些实施例中，第四加宽部221位于钝化层101表面且不烧穿钝化层101，即第四加宽部221的材料组成与第四子栅线222的材料组成并不同。例如，第四加宽部221由主栅线的印刷浆料制备，第四子栅线由副栅线的印刷浆料制备。
在一些实施例中，第二栅线22为一体成型结构，即第四电极220的第四加宽部221以及第四子栅线222也为一体成型结构，第四加宽部221以及第四子栅线222可以由同一印刷浆料在同一制备工艺制备，第四加宽部221与第四子栅线222均烧穿钝化层101。如此，位于电池片端部的第二栅线22部分区域的宽度较大，可以缓解第三电极220的焊接应力，以使焊带与电池片之间形成良好的接触；此外，第四加宽部221提升载流子的传输能力，使电池片具有较多的传输面积用于收集电流。
在一些实施例中，太阳能电池为切片电池。在一些实施例中，切片电池为半片电池，半片电池也可以理解为切半电池或者二分片电池；在另一些实施例中，切片电池可以为三分片电池、4分片电池或者8分片电池等。
实验例0：并不设置第一加宽部以及第二加宽部，即每个栅线均为一个完整均等的栅线。
实施例一：均等数量的第一加宽部以及第二加宽部，第一表面无胶点，第二加宽部的尺寸大于第一加宽部的尺寸，第一加宽部的第一宽度W1为0.3mm、第一加宽部的第一长度L1为0.8mm，第二加宽部的第二宽度W2为0.3mm、第二加宽部的第二长度L2为1.0mm，第一加宽部的数量为2，第二加宽部的数量为2。
实施例二：第一加宽部的数量小于第二加宽部的数量，第一表面无胶点，第二加宽部的尺寸大于第一加宽部的尺寸，第一加宽部的第一宽度W1为0.3mm、第一加宽部的第一长度L1为0.8mm，第二加宽部的第二宽度W2为0.3mm、第二加宽部的第二长度L2为1.0mm，第一加宽部的数量为2，第二加宽部的数量为4。
实施例三：第一加宽部的数量小于第二加宽部的数量，第一表面有胶点，第二加宽部的尺寸大于第一加宽部的尺寸，第一加宽部的第一宽度W1为0.3mm、第一加宽部的第一长度L1为0.8mm，第二加宽部的第二宽度W2为0.3mm、第二加宽部的第二长度L2为1.0mm，胶点的数量为4，第一加宽部的数量为2，第二加宽部的数量为4。
实施例四：第一加宽部的数量等于第二加宽部的数量，第一表面有胶点，第二加宽部的尺寸大于第一加宽部的尺寸，第一加宽部的第一宽度W1为0.3mm、第一加宽部的第一长度L1为0.8mm，第二加宽部的第二宽度W2为0.3mm、第二加宽部的第二长度L2为1.0mm，第一加宽部的数量为2，第二加宽部的数量为2，胶点的数量为4，第一表面以及第二表面具有第三加宽部以及第四加宽部。
表1
通过表1可知，设置第二加宽部的数量以及尺寸可以增加焊带与电池片之间的焊接拉力。其中，通过各实施例与实施例0的焊接拉力的比值可以说明当第一表面的焊带与电池片之间设置胶点时，焊接拉力较好。
本申请实施例提供的太阳能电池中，通过设置基底具有相对的第一表面以及第二表面，位于第一表面的第一栅线具有第一加宽部，位于第二表面的第二栅线具有第二加宽部，第一加宽部以及第二加宽部可以增加第一栅线与焊带之间的焊接拉力以及第二栅线与焊带之间的焊接拉力，从而提高第一栅线与焊带之间的焊接效果以及第二栅线与焊带之间的焊接效果。第一加宽部的尺寸大于第二加宽部的尺寸，通过改变第一表面的第一加宽部的尺寸与第二表面的第二加宽部的尺寸，即保证第一表面上的第一加宽部的尺寸较小，从而第一表面的遮盖面积较少，从而提高太阳能电池的电池效率。第二表面的第二加宽部至少位于基底的端部，即第二加宽部的数量大于或等于第一加宽部的数量，从而通过增加第二加宽部的数量以增加第二表面的焊接面积，从而提高电池与焊带之间的焊接拉力。
图13为本申请一实施例提供的光伏组件的第一表面形成焊带的结构示意图；图14为本申请一实施例提供的光伏组件的第二表面形成焊带的结构示意图；图15为本申请一实施例提供的光伏组件的第一表面形成胶点的结构示意图；图16为本申请一实施例提供的光伏组件的结构示意图。
根据本申请一些实施例，本申请实施例另一方面还提供一种光伏组件，包括：电池串，由多个太阳能电池50通过焊带40电连接而成，焊带40与每一第一栅线21和/或每一第二栅线22电连接，任一焊带40与第一加宽部111或第二加宽部211电接触；封装层51，用于覆盖电池串的表面；盖板52，用于覆盖封装层51背离电池串的表面。
具体地，在一些实施例中，多个电池串之间可以通过焊带40电连接。图16仅示意出一种太阳能电池50之间的位置关系，即太阳能电池50具有相同的极性的电极的排布方向相同或者说具有每个电池片具有正极极性的电极均朝同一侧排布，从而导电带分别连接两个相邻的电池片的不同侧。在一些实施例中，太阳能电池50也可以按照不同极性的电极朝向同一侧，即相邻的多个电池片的电极分别为第一极性、第二极性、第一极性的顺序依次排序，则导电带连接同一侧的两个相邻的电池片。
在一些实施例中，太阳能电池50之间并未设置间隔，即太阳能电池50之间相互交叠。
在一些实施例中，焊带40的横截面形状可以如图11所示为圆形，圆形焊带不存在定向问题以及对准问题，圆形焊带更易量产。在一些实施例中，焊带40的横截面形状可以为三角形或者其他任意形状，以增加焊带与加强栅的接触面积以及降低焊带40与加强栅对准偏移的问题。
在一些实施例中，焊带40的尺寸为160～300um，一个电池片的焊带数量为12～30条。焊带40的尺寸为160～180um、180～200um、200～220um、220～240um、240～280um、280～300um。
在一些实施例中，同一焊带40与第一栅线110之间具有M个第一交叠区；还包括：N个胶点102，每一胶点102覆盖第一交叠区，胶点102还位于第一加宽部111上，N小于M且大于或等于第一加宽部111的数量；封装层51位于胶点102的表面。如此，通过胶点101定位焊带40的位置，准确定位焊带40与第一栅线21之间的位置关系，并在后续的焊接处理或者层压处理使焊带40与电池之间的良好接触以及提高焊接拉力，进而使电池效率最大化。
在一些实施例中，胶点完全覆盖第一交叠区，且胶点的尺寸大于或等于1.5倍第一交叠区的尺寸，从而将焊带牢牢定位在电池片表面，提高电池与焊带之间的焊接拉力。胶点还可以防止焊带在后续的层压处理过程中的偏移等问题。
在一些实施例中，N小于或等于第二加宽部211的数量。N满足：2≤N≤20。
在一些实施例中，封装层51位于第二栅线22的表面，对应于第二表面12的焊带40与封装层51之间直接接触，第二表面12不设置胶点。并不在第二表面设置胶点，通过增加第二加宽部的数量以及尺寸以提高电池片与焊带之间的焊接拉力，如此，可以避免进行胶水的这一步骤，从而降低工艺难度。
在一些实施例中，封装层51包括第一封装层以及第二封装层，第一封装层覆盖太阳能电池片50的正面或者背面的其中一者，第二封装层覆盖太阳能电池片50的正面或者背面的另一者，具体地，第一封装层或第二封装层的至少一者可以为聚乙烯醇缩丁醛(Polyvinyl Butyral，简称PVB)胶膜、乙烯-乙酸乙烯共聚物(EVA)胶膜、聚乙烯辛烯共弹性体(POE)胶膜或者聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)胶膜等有机封装胶膜，也可以是EPE(一层EVA、一层POE、一层EVA的共挤胶膜)或EP(一层EVA、一层POE的共挤胶膜)。
可以理解的是，第一封装层以及第二封装层在层压前还有分界线，在层压处理之后形成光伏组件并不会再有第一封装层以及第二封装层的概念，第一封装层与第二封装层已经形成整体的封装层51。
在一些实施例中，盖板52可以为玻璃盖板、塑料盖板等具有透光功能的盖板。具体地，盖板52朝向封装层51的表面可以为凹凸表面，从而增加入射光线的利用率。盖板52包括第一盖板以及第二盖板，第一盖板与第一封装层相对，第二盖板与第二封装层相对。
根据本申请一些实施例，本申请实施例又一方面还提供一种光伏组件的制备方法，包括：提供多个电池片以及焊带；对焊带与电池片进行焊接处理以使焊带与第一栅线之间和焊带与第二栅线之间形成合金层，经过焊接处理后的电池片以及焊带构成电池串；提供封装层以及盖板，封装层用于覆盖电池串的表面；盖板用于覆盖封装层背离电池串的表面；对电池串、封装层以及盖板进行层压处理。
在一些实施例中，同一焊带与第一栅线之间具有M个第一交叠区；进行焊接处理之后还包括：对电池片的部分第一交叠区进行点胶处理以使电池片的表面具有N个胶点，每一胶点覆盖第一交叠区，胶点还位于第一加宽部，N小于M且大于或等于第一加宽部的数量。
本申请虽然以较佳实施例公开如上，但并不是用来限定权利要求，任何本领域技术人员在不脱离本申请构思的前提下，都可以做出若干可能的变动和修改，因此本申请的保护范围应当以本申请权利要求所界定的范围为准。此外，本申请说明书的实施例以及所示出的附图仅为示例说明，并非本申请权利要求所保护的全部范围。
本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本申请的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本申请的精神和范围。任何本领域技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种改动与修改，因此本申请的保护范围应当以权利要求限定的范围为准。

Claims (15)

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
基底，所述基底具有相对的第一表面以及第二表面；
多个沿第一方向依次排布的第一栅线，所述第一栅线位于所述基底的第一表面；其中，沿所述第一方向，所述多个第一栅线中至少一个位于所述基底端部的第一栅线包括第一加宽部；
多个沿所述第一方向依次排布的第二栅线，所述第二栅线位于所述基底的第二表面；其中，沿所述第一方向，所述多个第二栅线中至少一个位于所述基底端部的第二栅线包括第二加宽部，所述第二加宽部的尺寸大于所述第一加宽部的尺寸。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，沿所述第一方向，所述第一栅线包括位于所述基底端部的两个第一电极以及位于两个第一电极之间的多个第二电极，所述第一电极包括第一加宽部；所述第二电极包括第三加宽部，所述第三加宽部沿所述第一方向与所述第一加宽部相对，所述第三加宽部的尺寸小于所述第一加宽部的尺寸。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于，沿所述第一方向，所述第二栅线包括间隔排布的第三电极以及位于每两个所述第三电极之间的多个第四电极，所述第三电极包括第二加宽部；所述第四电极包括第四加宽部，所述第四加宽部沿所述第一方向与所述第二加宽部相对，所述第四加宽部的尺寸小于所述第二加宽部的尺寸。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述第四加宽部的尺寸小于所述第一加宽部的尺寸。
5.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，同一所述第二表面内，所述第三电极的数量为2-20。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二加宽部沿所述第一方向的长度范围为0.2mm～1.0mm。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括：钝化层，所述钝化层位于所述基底表面，所述第一加宽部和/或所述第二加宽部位于所述钝化层表面且不烧穿所述钝化层；所述第一栅线还包括位于所述第一加宽部两侧的第一子栅线，所述第一子栅线烧穿所述钝化层且凸出于所述钝化层。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一栅线为一体成型结构；所述第二栅线为一体成型结构。
9.一种光伏组件，其特征在于，包括：
电池串，由多个太阳能电池通过焊带电连接而成，所述焊带与每一第一栅线和/或每一第二栅线电连接，任一所述焊带与所述第一加宽部或第二加宽部电接触；
封装层，用于覆盖所述电池串的表面；
盖板，用于覆盖所述封装层背离所述电池串的表面。
10.根据权利要求9所述的光伏组件，其特征在于，同一所述焊带与所述第一栅线之间具有M个第一交叠区；还包括：N个胶点，每一所述胶点覆盖所述第一交叠区，所述胶点还位于所述第一加宽部上，所述N小于M且大于或等于所述第一加宽部的数量；所述封装层位于所述胶点的表面。
11.根据权利要求10所述的光伏组件，其特征在于，所述N小于或等于所述第二加宽部的数量。
12.根据权利要求10所述的光伏组件，其特征在于，所述N满足：2≤N≤20。
13.根据权利要求9所述的光伏组件，其特征在于，所述封装层位于所述第二栅线的表面，对应于所述第二表面的所述焊带与所述封装层之间直接接触，所述第二表面不设置所述胶点。
14.一种光伏组件的制备方法，其特征在于，包括：
提供多个电池片以及焊带；
对所述焊带与所述电池片进行焊接处理以使所述焊带与所述第一栅线之间和所述焊带与所述第二栅线之间形成合金层，经过所述焊接处理后的所述电池片以及所述焊带构成电池串；
提供封装层以及盖板，所述封装层用于覆盖所述电池串的表面；所述盖板用于覆盖所述封装层背离所述电池串的表面；
对所述电池串、封装层以及盖板进行层压处理。
15.根据权利要求14所述的光伏组件的制备方法，其特征在于，同一所述焊带与所述第一栅线之间具有M个第一交叠区；进行焊接处理之后还包括：对所述电池片的部分所述第一交叠区进行点胶处理以使所述电池片的表面具有N个胶点，每一所述胶点覆盖所述第一交叠区，所述胶点还位于所述第一加宽部，所述N小于M且大于或等于所述第一加宽部的数量。
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CN117238984A (zh) * 2023-11-14 2023-12-15 无锡华晟光伏科技有限公司 光伏电池片和光伏组件
CN117238985A (zh) * 2023-11-16 2023-12-15 浙江晶科能源有限公司 太阳能电池及光伏组件
CN117976751A (zh) * 2024-04-01 2024-05-03 苏州智慧谷激光智能装备有限公司 电池串、电池串制备方法以及电池串制备装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117238984A (zh) * 2023-11-14 2023-12-15 无锡华晟光伏科技有限公司 光伏电池片和光伏组件
CN117238984B (zh) * 2023-11-14 2024-03-29 无锡华晟光伏科技有限公司 光伏电池片和光伏组件
CN117238985A (zh) * 2023-11-16 2023-12-15 浙江晶科能源有限公司 太阳能电池及光伏组件
CN117976751A (zh) * 2024-04-01 2024-05-03 苏州智慧谷激光智能装备有限公司 电池串、电池串制备方法以及电池串制备装置

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