CN115842062A - 一种太阳能电池及光伏组件 - Google Patents

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Jinko Solar Co Ltd
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Abstract

本申请涉及一种太阳能电池及光伏组件，该太阳能电池包括基底、隧穿氧化层、掺杂导电层、本征多晶硅层、增强导电部和第一电极。基底具有第一表面；隧穿氧化层覆盖于第一表面；掺杂导电层覆盖于隧穿氧化层远离基底的一侧表面；本征多晶硅层设置于掺杂导电层远离隧穿氧化层的一侧表面；增强导电部覆盖于本征多晶硅层远离掺杂导电层的一侧表面，至少部分的增强导电部与掺杂导电层相连接；多个第一电极设置于所述增强导电部远离本征多晶硅层的一侧，每个第一电极的至少部分位于增强导电部内，以通过增强导电部与掺杂导电层电连接。载流子能够直接通过增强导电部在掺杂导电层与第一电极之间传输，增强载流子的传输能力，提高了太阳能电池的电池效率。

Description

一种太阳能电池及光伏组件
技术领域
本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种太阳能电池及光伏组件。
背景技术
太阳能电池能够将太阳辐射能直接转换为电能，通常会在基底表面制备隧穿氧化层和掺杂导电层，以增强对基底的钝化效果。现有技术中，太阳能电池的电极与掺杂导电层之间的电连接不够可靠，载流子在二者之间的传输不畅，影响了太阳能电池的光电转化效率。
发明内容
本申请提供了一种太阳能电池及光伏组件，能够提高太阳能电池的光电转换效率。
本申请第一方面提供一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：
基底，所述基底具有第一表面；
隧穿氧化层，所述隧穿氧化层覆盖于所述第一表面；
掺杂导电层，所述掺杂导电层覆盖于所述隧穿氧化层远离所述基底的一侧表面；
本征多晶硅层，所述本征多晶硅层设置于所述掺杂导电层远离所述隧穿氧化层的一侧表面；
增强导电部，所述增强导电部覆盖于所述本征多晶硅层远离所述掺杂导电层的一侧表面，至少部分的所述增强导电部与所述掺杂导电层相连接；
第一电极，多个所述第一电极设置于所述增强导电部远离所述本征多晶硅层的一侧，每个所述第一电极的至少部分位于所述增强导电部内，以通过所述增强导电部与所述掺杂导电层电连接。
在一种可能的设计中，所述增强导电部包括相连接的增强导电膜和增强导电桩，所述增强导电膜覆盖于所述本征多晶硅层远离所述掺杂导电层的一侧表面；沿所述太阳能电池的厚度方向，所述增强导电桩的两端分别与所述掺杂导电层和所述增强导电膜相连接。
在一种可能的设计中，所述增强导电膜的电导率和所述增强导电桩的电导率均大于所述掺杂导电层的电导率。
在一种可能的设计中，所述增强导电膜的厚度D1满足：1nm≤D1≤40nm。
在一种可能的设计中，所述增强导电膜的材料为金属导电物、半导体材料、无机复合导电材料、高分子电介质中的一种或多种。
在一种可能的设计中，所述增强导电桩的材料为金属导电物、半导体材料、无机复合导电材料、高分子电介质中的一种或多种。
在一种可能的设计中，所述本征多晶硅层覆盖于所述掺杂导电层远离所述隧穿氧化层一侧的全部表面。
在一种可能的设计中，所述增强导电桩形成于所述本征多晶硅层内；所述增强导电桩贯穿所述本征多晶硅层，以与所述掺杂导电层和所述增强导电膜连接。
在一种可能的设计中，所述掺杂导电层与所述增强导电膜具有相同导电类型的掺杂元素，且所述增强导电膜的掺杂浓度大于所述掺杂导电层的掺杂浓度；所述增强导电膜中的所述掺杂元素朝向所述掺杂导电层的方向渗透，以形成所述增强导电桩。
在一种可能的设计中，所述掺杂导电层中所述掺杂元素的浓度为1×1018atoms/cm3～5×1021atoms/cm3。
在一种可能的设计中，所述增强导电膜中所述掺杂元素的浓度为5×1018atoms/cm3～1×1022atoms/cm3。
在一种可能的设计中，所述本征多晶硅层包括多个覆盖部，所述覆盖部用于覆盖所述掺杂导电层远离所述隧穿氧化层的一侧表面；多个所述覆盖部分别覆盖于所述掺杂导电层上与多个所述第一电极相对应的部位。
在一种可能的设计中，所述增强导电桩位于相邻的两个覆盖部之间，并与所述覆盖部的侧面接触。
在一种可能的设计中，所述太阳能电池还包括局部掺杂区域，所述局部掺杂区域分别与所述第一电极、所述本征多晶硅层和所述掺杂导电层相连接，以使所述第一电极与所述掺杂导电层电连接。
在一种可能的设计中，所述太阳能电池还包括第一钝化层，所述第一钝化层覆盖于所述增强导电膜远离所述本征多晶硅层的一侧表面。
在一种可能的设计中，所述基底还具有与所述第一表面相对设置的第二表面；
所述太阳能电池还包括：
发射极，所述发射极设置于所述第二表面；
第二电极，多个所述第二电极设置于所述发射极远离所述基底的一侧，多个所述第二电极与所述发射极电连接；
第二钝化层，所述第二钝化层覆盖于所述发射极远离所述基底的一侧表面。
本申请第二方面提供一种光伏组件，所述光伏组件包括：
电池串，所述电池串由多个太阳能电池连接而成，所述太阳能电池为以上所述的太阳能电池；
封装层，所述封装层用于覆盖所述电池串的表面；
盖板，所述盖板用于覆盖所述封装层远离所述电池串的表面。
本申请中，通过设置增强导电部能够实现掺杂导电层与第一电极之间的电连接，使得载流子能够直接通过增强导电部在掺杂导电层与第一电极之间传输，增强了载流子的传输能力，降低了太阳能电池的串联电阻，从而提高了太阳能电池的光电转换效率，使得太阳能电池的正面电池效率、背面电池效率和电池双面率均得到增加。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本申请。
附图说明
图1为本申请所提供的太阳能电池在第一种具体实施例中的剖面结构示意图；
图2为本申请所提供的太阳能电池在第二种具体实施例中的剖面结构示意图；
图3为图1中A部分的放大图；
图4为本申请所提供的光伏组件的结构示意图。
附图标记：
1-基底；
1a-第一表面；
1b-第二表面；
2-隧穿氧化层；
3-掺杂导电层；
4-本征多晶硅层；
41-覆盖部；
5-增强导电部；
51-增强导电膜；
52-增强导电桩；
6-第一电极；
61-本体；
62-延伸部；
621-第一部分；
622-第二部分；
7-局部掺杂区域；
8-第一钝化层；
9-发射极；
10-第二电极；
11-第二钝化层；
110-电池串；
120-封装层；
130-盖板；
140-导电带。
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。
具体实施方式
为了更好的理解本申请的技术方案，下面结合附图对本申请实施例进行详细描述。
应当明确，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
需要注意的是，本申请实施例所描述的“上”、“下”、“左”、“右”等方位词是以附图所示的角度来进行描述的，不应理解为对本申请实施例的限定。此外，在上下文中，还需要理解的是，当提到一个元件连接在另一个元件“上”或者“下”时，其不仅能够直接连接在另一个元件“上”或者“下”，也可以通过中间元件间接连接在另一个元件“上”或者“下”。
现有技术中，制备太阳能电池时，会在基底的一侧表面设置隧穿氧化层和掺杂导电层，隧穿氧化层能够作为多数载流子的隧穿层，同时对基底表面进行化学钝化，减少界面态。掺杂导电层能够形成能带弯曲，实现载流子的选择性传输，减少复合损失，保证了载流子的传输效率。此外，还会在基底表面制备金属电极，金属电极与掺杂导电层电连接，且不穿透隧穿氧化层，以保持良好的界面钝化效果。其中，掺杂导电层具有吸光能力，会造成一定的光学损失而使得太阳能电池的正面电池和背面电池效率降低，进而使得电池双面率下降，导致太阳能电池用于双面发电功能时，双面发电率下降。
当掺杂导电层的厚度减薄时，能够减少掺杂导电层的吸光能力，从而减少光学损失，提高太阳能电池的电池效率。但是掺杂导电层减薄后，金属电极很容易穿透隧穿氧化层而与基底相接触，导致基底表面的钝化效果被破坏，使得基底表面的载流子复合增加，导致电池的光电转化效率下降。
现有的太阳能电池中，会通过在掺杂导电层远离基底的一侧加设本征多晶硅层的方式，来达到“金属电极与掺杂导电层相接触，但不穿透隧穿氧化层”的效果。但是本征多晶硅层存在导电性较差的问题，会导致掺杂导电层与金属电极之间的载流子传输不畅，影响太阳能电池的效率。
基于上述情况，本申请实施例提供了一种太阳能电池，该太阳能电池能够提高太阳能电池的光电转化效率。如图1所示，该太阳能电池包括基底1、隧穿氧化层2、掺杂导电层3、本征多晶硅层4、增强导电部5和第一电极6。其中，基底1具有第一表面1a，隧穿氧化层2覆盖于第一表面1a，掺杂导电层3覆盖于隧穿氧化层远离基底1的一侧表面，本征多晶硅层4设置于掺杂导电层3远离隧穿氧化层2的一侧表面，增强导电部5覆盖于本征多晶硅层4远离掺杂导电层3的一侧表面，至少部分的增强导电部5与掺杂导电层3相连接，多个第一电极6设置于增强导电部5远离本征多晶硅层4的一侧，每个第一电极6的至少部分位于增强导电部5内，以通过增强导电部5与掺杂导电层3电连接。
基底1用于接收入射光线并产生光生载流子，隧穿氧化层2能够对第一表面1a进行化学钝化，能够降低第一表面1a的界面缺陷密度，从而减少第一表面1a的复合中心来降低载流子复合速率，掺杂导电层3用于形成场钝化层，能够降低少数载流子浓度，从而降低载流子复合速率。本征多晶硅层4设置于掺杂导电层3远离隧穿氧化层2的一侧，能够增大第一电极6与隧穿氧化层2之间的距离，防止第一电极6穿透隧穿氧化层2而与基底1产生接触，避免了隧穿氧化层2被破坏，从而使得第一表面1a处能够保持良好的界面钝化效果，避免了载流子复合增加，进而能够提高太阳能电池的光电转换效率。并且，本征多晶硅层4中没有掺杂，其吸光系数相比于掺杂导电层3低很多，因此设置本征多晶硅层4还能够降低太阳能电池的光学损失，提高了太阳能电池对光能的利用率。
本征多晶硅层4中不含掺杂元素，相比于掺杂导电层3，本征多晶硅层4的导电能力较弱，因此当本征多晶硅层4掺杂导电层3的表面时，不利于实现第一电极6与掺杂导电层3之间的电连接，导致载流子的传输速率降低。因此，需要设置导电性能较强的增强导电部5来实现第一电极6与掺杂导电层3之间的电连接。
具体地，如图1所示，增强导电部5覆盖于本征多晶硅层4远离掺杂导电层3的一侧表面，至少部分的增强导电部5与掺杂导电层3相连接，且每个第一电极6的至少部分位于增强导电部5内，能够实现掺杂导电层3与第一电极6之间的电连接，使得载流子能够直接通过增强导电部5在掺杂导电层3与第一电极6之间传输，增强了载流子的传输能力，降低了太阳能电池的串联电阻，从而提高了太阳能电池的光电转换效率，使得太阳能电池的正面电池效率、背面电池效率和电池双面率均得到增加。
本实施例中，基底1可以为硅基底，包括但不限于单晶硅基底、多晶硅基底、微晶硅基底、纳米晶硅基底等等。
在一种具体的实施例中，如图1所示，增强导电部5包括相连接的增强导电膜51和增强导电桩52，增强导电膜51覆盖于本征多晶硅层4远离掺杂导电层3的一侧表面；沿太阳能电池的厚度方向，增强导电桩52的两端分别与掺杂导电层3和增强导电膜51相连接。
增强导电部5包括相连接的增强导电膜51和增强导电桩52，增强导电桩52用于电连接掺杂导电层3与增强导电膜51，掺杂导电层3中的载流子能够经增强导电桩52流向增强导电膜51，再经增强导电膜51流向第一电极6，从而实现了掺杂导电层3与第一电极6之间的电连接。
将增强导电部5分成增强导电膜51和增强导电桩52时，有利于降低太阳能电池的工艺难度，可以将二者分开设计和加工，方便了太阳能电池的生产制造。
具体地，增强导电膜51的电导率和增强导电桩52的电导率均大于掺杂导电层3的电导率。
增强导电膜51的电导率和增强导电桩52的电导率大于掺杂导电层3的电导率时，增强导电部5整体具有良好的导电性能，能够降低载流子在掺杂导电层3与第一电极6之间传输时的电阻，提高电流传输效率，从而提高太阳能电池的光电转换效率。
其中，增强导电膜51的电导率高于增强导电桩52的电导率。
在一种具体的实施例中，如图3所示，增强导电膜51的厚度D1满足：1nm≤D1≤40nm。具体可以为1nm、5nm、10nm、20nm、40nm，也可以是上述范围内的其他值，在此不做限定。
增强导电膜51的厚度D1不应过大也不应过小，若D1过大(例如大于40nm)时，会影响基底1对光量子的吸收利用，进而影响太阳能电池的光电转换效率；若D1过小(例如小于1nm)，会导致掺杂导电层3与第一电极6之间的电连接可靠性较低且电阻值较大。因此，当增强导电膜51的厚度D1为1nm～40nm时，能够在保证有较多的光量子到达基底1的同时，使掺杂导电层3与第一电极6之间的电连接较为可靠且电阻值较小。
在一种具体的实施例中，增强导电膜51的材料为金属导电物、半导体材料、无机复合导电材料、高分子电介质中的一种或多种。
其中，金属导电物可以为Au(金)、Pt(铂)、Pd(钯)等；半导体材料可以为多晶硅、微晶硅、ITO(氧化铟锡)、TCO(透明导电氧化物)等；无机复合导电材料可以为Bi2O3/Au/Bi2O3复合材料或TiO2/Ag/TiO2复合材料等；高分子电介质可以为聚苯胺或聚吡咯等。
上述材料的导电性能优异且具有较高的透光性，能够增强掺杂导电层3与第一电极6之间的载流子的传输能力，降低太阳能电池的串联电阻，同时不会对太阳能电池造成较大的光学损失。
增强导电桩52与增强导电膜51可以为相同材料或不同材料，在一种具体的实施例中，增强导电桩52的材料为金属导电物、半导体材料、无机复合导电材料、高分子电介质中的一种或多种。
金属导电物可以为Au(金)、Pt(铂)、Pd(钯)等；半导体材料可以为多晶硅、微晶硅、ITO(氧化铟锡)、TCO(透明导电氧化物)等；无机复合导电材料可以为Bi2O3/Au/Bi2O3复合材料或TiO2/Ag/TiO2复合材料等；高分子电介质可以为聚苯胺或聚吡咯等。
上述材料的导电性能优异且具有较高的透光性，能够增强掺杂导电层3与第一电极6之间载流子的传输能力，降低太阳能电池的串联电阻，同时不会对太阳能电池造成较大的光学损失。
在一种具体的实施例中，如图1所示，本征多晶硅层4覆盖于掺杂导电层3远离隧穿氧化层2一侧的全部表面。
本征多晶硅层4将掺杂导电层3远离隧穿氧化层2的一侧表面全部覆盖，能够增大第一电极6与隧穿氧化层2之间的距离，在电极浆料烧结形成第一电极6的过程中，第一电极6的顶端会先与本征多晶硅层4接触，再与掺杂导电层3接触，降低了第一电极6穿透隧穿氧化层2而与基底1接触的可能性。
在一种具体的实施例中，如图1所示，增强导电桩52形成于本征多晶硅层4内，增强导电桩52贯穿本征多晶硅层4，以与掺杂导电层3和增强导电膜51连接。
增强导电桩52形成于本征多晶硅层4内且贯穿本征多晶硅层4，能够达到与掺杂导电层3和增强导电膜51分别连接的效果。本征多晶硅层4的导电性能较差，而掺杂导电层3和增强导电膜51又被本征多晶硅层4分隔开，二者之间的电阻较大，影响了太阳能电池的效率。故需要形成增强导电桩52来实现掺杂导电层3与增强导电膜51的连接，使得载流子能够从掺杂导电层3经增强导电桩52和增强导电膜51流向第一电极6，达到了提高载流子传输能力的目的。
具体地，掺杂导电层3与增强导电膜51具有相同导电类型的掺杂元素，且增强导电膜51的掺杂浓度大于掺杂导电层3的掺杂浓度，增强导电膜51中的掺杂元素朝向掺杂导电层3的方向渗透，以形成增强导电桩52。
当增强导电膜51与掺杂导电层3具有相同导电类型的掺杂元素，且增强导电膜51的掺杂浓度大于掺杂导电层3的掺杂浓度时，掺杂元素能够沿浓度从高到低的方向发生渗透，从而在掺杂导电层3与增强导电膜51之间形成增强导电桩52，提高了掺杂导电层3与第一电极6之间的导电性能，增强了载流子的传输能力，从而降低了太阳能电池的串联电阻。
在一种具体的实施例中，掺杂导电层3中掺杂元素的浓度为1×1018atoms/cm3～5×1021atoms/cm3。增强导电膜51中掺杂元素的浓度为5×1018atoms/cm3～1×1022atoms/cm3。
可选地，掺杂导电层3中掺杂元素的浓度可以为1×1018atoms/cm3、5×1018atoms/cm3、1×1019atoms/cm3、1×1020atoms/cm3或5×1021atoms/cm3，也可以是上述范围内的其他值，在此不做限定。
可选地，增强导电膜51中掺杂元素的浓度可以为5×1018atoms/cm3、1×1019atoms/cm3、1×1020atoms/cm3、5×1021atoms/cm3或1×1022atoms/cm3，也可以是上述范围内的其他值，在此不做限定。
当掺杂导电层3和增强导电膜51中掺杂元素的浓度分别满足上述范围时，能够渗透形成增强导电桩52，且增强导电桩52中掺杂元素的浓度与增强导电膜51中掺杂元素的浓度相同，确保太阳能电池的载流子传输能力得到提升，进而提高太阳能电池的性能。
此外，在另一种具体的实施例中，如图2所示，本征多晶硅层4包括多个覆盖部41，覆盖部41用于覆盖掺杂导电层3远离隧穿氧化层2的一侧表面，多个覆盖部41分别覆盖于掺杂导电层3上与多个第一电极6相对应的部位。
本实施例中，本征多晶硅层4由间隔设置的多个覆盖部41组成，每个覆盖部41分别覆盖掺杂导电层3的一部分表面，且能够与多个第一电极6的位置相对应，以确保第一电极6能够先接触覆盖部41，再接触掺杂导电层3，降低了第一电极6穿透隧穿氧化层2而与基底1接触的可能性。在此基础上，间隔设置的覆盖部41有利于减少太阳能电池的光学损失，从而使更多的光被基底1吸收，产生更多的载流子，进而提高太阳能电池的光电转换效率。还能够减少设置本征多晶硅层4的成本，进而降低太阳能电池的制作成本。
在一种具体的实施例中，如图2所示，增强导电桩52位于相邻的两个覆盖部41之间，并与覆盖部41的侧面接触。
增强导电桩52位于相邻的两个覆盖部41之间，有效利用了太阳能电池的内部空间，增强导电桩52与覆盖部41的侧面接触，使载流子能够通过增强导电桩52在相邻的覆盖部41之间传输，降低了太阳能电池的电阻，进而提高了太阳能电池的光电转换效率。
在一种具体的实施例中，如图1所示，太阳能电池还包括局部掺杂区域7，局部掺杂区域7分别与第一电极6、本征多晶硅层4和掺杂导电层3相连接，以使第一电极6与掺杂导电层3电连接。
局部掺杂区域7的导电性较强，能够提高第一电极6与掺杂导电层3之间的载流子的传输能力，如图3所示，局部掺杂区域7位于本征多晶硅层4和掺杂导电层3的区域内，当第一电极6未穿透本征多晶硅层4时，局部掺杂区域7能够分别与第一电极6、本征多晶硅层4和掺杂导电层3相连接，从而实现第一电极6与掺杂导电层3之间的电连接，加快载流子的传输速率。当第一电极6穿透本征多晶硅层4，并与掺杂导电层3相接触形成电连接时，局部掺杂区域7能够在此基础上提高第一电极6与掺杂导电层3之间的导电效率，进而加快载流子的传输速率。因此，局部掺杂区域7与增强导电部5共同配合，提高了太阳能电池的电池效率。
具体地，第一电极6为金属电极，第一电极6与掺杂导电层3具有相同导电类型的掺杂元素，且第一电极6的掺杂浓度大于掺杂导电层3的掺杂浓度，在电极浆料烧结的高温过程中，第一电极6中的掺杂元素朝向掺杂导电层3的方向渗透，以形成局部掺杂区域7。
具体地，掺杂元素可以为包括磷(P)、砷(As)、铋(Bi)、锑(Sb)等V族元素N型掺杂物，或包括硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)等III族元素的P型掺杂物。第一电极6与基底1可以具有相同导电类型的掺杂元素或不同导电类型的掺杂元素。
此外，第一电极6由金属电极浆料烧结而成，金属电极浆料中掺杂元素占浆料全部组分的比例为0.01％～5％，具体可以为0.01％、0.05％、1％、3％或5％，也可以是上述范围内的其他值，在此不做限定。
形成局部掺杂区域7之后，局部掺杂区域7中掺杂元素的掺杂浓度与掺杂导电层3中掺杂元素的掺杂浓度之比为1:100～1:1，具体可以为1:100、1:80、1:50、1:30或1:1，也可以是上述范围内的其他值，在此不做限定。
进一步地，如图3所示，第一电极6包括本体61和沿本体61朝向掺杂导电层3的方向延伸的延伸部62，本体61设置于本征多晶硅层4远离掺杂导电层3的一侧，本体61不与掺杂导电层3直接接触，能够减少对场钝化层的破坏，确保第一表面1a具有良好的钝化效果。延伸部62与第一本体61电连接，二者均能起到传输载流子的作用，延伸部62沿本体61朝向掺杂导电层3的方向延伸，延伸部62是由于电极浆料的烧结过程中，电极浆料朝向掺杂导电层3的方向渗透而形成，本征多晶硅层4能够避免延伸部62穿透隧穿氧化层2。局部掺杂区域7包覆于延伸部62位于本体61相接触的表面，且能够与本征多晶硅层4和掺杂导电层3相连接，以实现延伸部62与掺杂导电层3之间的电连接。
延伸部62包括第一部分621和第二部分622，第一部分61与本体61相连接，第二部分622与本体61和第一部分621之间均存在间隔，一部分局部掺杂区域7包覆于第一部分621，另一部分局部掺杂区域7包覆于第二部分622。
延伸部62存在两种形式，一种是与本体61直接连接的第一部分621，另一种是与本体61之间存在间隔的第二部分622，第二部分622为游离态的晶粒，第一部分621和第二部分622的表面均包覆有局部掺杂区域7，以确保延伸部62与掺杂导电层3之间的稳定电连接。
在一种具体的实施例中，太阳能电池还包括第一钝化层8，第一钝化层8覆盖于增强导电膜51远离本征多晶硅层4的一侧表面。
第一钝化层8可以起到钝化与其接触的表面的作用，用于增强太阳能电池的钝化效果，能够降低界面处载流子的复合，提高载流子的传输效率，进而提高太阳能电池的光电转换效率。第一钝化层8还具有减少或消除太阳能电池表面的反射光、增加透光量的功能，进一步提高了太阳能电池的光电转换效率。
具体地，第一钝化层8可以包括氧化硅、氮化硅、氧化铝或氮氧化硅等组分，此外，第一钝化层8可以为单层结构，也可以为多层结构，每一层的折射率和厚度均可以做出相应的设计。
在一种具体的实施例中，如图1所示，基底1还具有与第一表面1a相对设置的第二表面1b，该太阳能电池还包括发射极9、第二电极10和第二钝化层11，发射极9设置于第二表面1b，多个第二电极10设置于发射极9远离基底1的一侧，多个第二电极10与发射极9电连接，第二钝化层11覆盖于发射极9远离基底1的一侧表面。
基底1的第一表面1a和第二表面1b均可用于接收入射光线或反射光线，如图1所示，与第一表面1a相对的第二表面1b上依次设置有发射极9、第二电极10和第二钝化层11。其中，当基底1为P型硅基底时，发射极9可以为N型发射极，二者可以共同组成PN结结构，或者，当基底1为N型硅基底时，发射极9可以为P型发射极。第二钝化层11与第一钝化层8的作用和效果接近，即起到钝化与其接触的表面的作用，从而降低了界面处载流子的复合，提高载流子的传输效率，进而提高太阳能电池的光电转换效率。
此外，如图1所示，基底1的第二表面1b可以设置为金字塔绒面结构，以使第二表面1b对入射光线的反射率减小，对光线的吸收利用率增大，从而提高第二表面1b的透光量，进而提高太阳能电池的光电转换效率。基底1的第一表面1a可以设置为非金字塔绒面结构，比如层叠的台阶形貌，以使位于第一表面1a的隧穿氧化层2具有较高的致密度和均匀性，使得隧穿氧化层2的对基底1具有良好的钝化效果。具体地，第一表面1a可以为基底1的背面，即基底1背向太阳的一侧表面，相应地，第二表面1b可以为基底1的正面，即基底1面向太阳，用于接收太阳光的一侧表面；或者，第一表面1a也可以为基底1的正面，相应地，第二表面1b也可以为基底1的背面。
本申请实施例还提供了一种光伏组件，如图4所示，该光伏组件包括电池串110、封装层120和盖板130，电池串110由多个太阳能电池连接而成，该太阳能电池为以上各实施例中所述的太阳能电池，封装层120用于覆盖电池串110的表面，盖板130用于覆盖封装层120远离电池串110的表面。
如图4所示，太阳能电池以整片或者多分片的形式电连接形成多个电池串110，多个电池串110以串联和/或并联的方式进行电连接。具体地，多个电池串110之间可以通过导电带140电连接。封装层120覆盖太阳能电池的正面以及背面，具体地，封装层120可以为乙烯-乙酸乙烯共聚物(EVA)胶膜、聚乙烯辛烯共弹性体(POE)胶膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)胶膜或者聚乙烯醇缩丁醛(PVB)等有机封装胶膜。盖板130可以为玻璃盖板、塑料盖板等具有透光功能的盖板130。具体地，盖板130朝向封装层120的表面可以为凹凸表面，从而增加入射光线的利用率。
太阳能电池设置有增强导电部5，能够提高掺杂导电层3与第一电极6之间的载流子传输能力，降低了太阳能电池的串联电阻，从而提高了太阳能电池的光电转换效率，则包含该太阳能电池的光伏组件的光电转换效率也能够得到提升。
以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (17)

1.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括：
基底(1)，所述基底(1)具有第一表面(1a)；
隧穿氧化层(2)，所述隧穿氧化层(2)覆盖于所述第一表面(1a)；
掺杂导电层(3)，所述掺杂导电层(3)覆盖于所述隧穿氧化层(2)远离所述基底(1)的一侧表面；
本征多晶硅层(4)，所述本征多晶硅层(4)设置于所述掺杂导电层(3)远离所述隧穿氧化层(2)的一侧表面；
增强导电部(5)，所述增强导电部(5)覆盖于所述本征多晶硅层(4)远离所述掺杂导电层(3)的一侧表面，至少部分的所述增强导电部(5)与所述掺杂导电层(3)相连接；
第一电极(6)，多个所述第一电极(6)设置于所述增强导电部(5)远离所述本征多晶硅层(4)的一侧，每个所述第一电极(6)的至少部分位于所述增强导电部(5)内，以通过所述增强导电部(5)与所述掺杂导电层(3)电连接。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述增强导电部(5)包括相连接的增强导电膜(51)和增强导电桩(52)，所述增强导电膜(51)覆盖于所述本征多晶硅层(4)远离所述掺杂导电层(3)的一侧表面；
沿所述太阳能电池的厚度方向，所述增强导电桩(52)的两端分别与所述掺杂导电层(3)和所述增强导电膜(51)相连接。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述增强导电膜(51)的电导率和所述增强导电桩(52)的电导率均大于所述掺杂导电层(3)的电导率。
4.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述增强导电膜(51)的厚度D1满足：1nm≤D1≤40nm。
5.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述增强导电膜(51)的材料为金属导电物、半导体材料、无机复合导电材料、高分子电介质中的一种或多种。
6.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述增强导电桩(52)的材料为金属导电物、半导体材料、无机复合导电材料、高分子电介质中的一种或多种。
7.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述本征多晶硅层(4)覆盖于所述掺杂导电层(3)远离所述隧穿氧化层(2)一侧的全部表面。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述增强导电桩(52)形成于所述本征多晶硅层(4)内；
所述增强导电桩(52)贯穿所述本征多晶硅层4，以与所述掺杂导电层(3)和所述增强导电膜(51)连接。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂导电层(3)与所述增强导电膜(51)具有相同导电类型的掺杂元素，且所述增强导电膜(51)的掺杂浓度大于所述掺杂导电层(3)的掺杂浓度；
所述增强导电膜(51)中的所述掺杂元素朝向所述掺杂导电层(3)的方向渗透，以形成所述增强导电桩(52)。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂导电层(3)中所述掺杂元素的浓度为1×1018atoms/cm3～5×1021atoms/cm3。
11.根据权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，所述增强导电膜(51)中所述掺杂元素的浓度为5×1018atoms/cm3～1×1022atoms/cm3。
12.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述本征多晶硅层(4)包括多个覆盖部(41)，所述覆盖部(41)用于覆盖所述掺杂导电层(3)远离所述隧穿氧化层(2)的一侧表面；
多个所述覆盖部(41)分别覆盖于所述掺杂导电层(3)上与多个所述第一电极(6)相对应的部位。
13.根据权利要求12所述的太阳能电池，其特征在于，所述增强导电桩(52)位于相邻的两个覆盖部(41)之间，并与所述覆盖部(41)的侧面接触。
14.根据权利要求1-13中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括局部掺杂区域(7)，所述局部掺杂区域(7)分别与所述第一电极(6)、所述本征多晶硅层(4)和所述掺杂导电层(3)相连接，以使所述第一电极(6)与所述掺杂导电层(3)电连接。
15.根据权利要求2-13中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括第一钝化层(8)，所述第一钝化层(8)覆盖于所述增强导电膜(51)远离所述本征多晶硅层(4)的一侧表面。
16.根据权利要求1-13中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述基底(1)还具有与所述第一表面(1a)相对设置的第二表面(1b)；
所述太阳能电池还包括：
发射极(9)，所述发射极(9)设置于所述第二表面(1b)；
第二电极(10)，多个所述第二电极(10)设置于所述发射极(9)远离所述基底(1)的一侧，多个所述第二电极(10)与所述发射极(9)电连接；
第二钝化层(11)，所述第二钝化层(11)覆盖于所述发射极(9)远离所述基底(1)的一侧表面。
17.一种光伏组件，其特征在于，所述光伏组件包括：
电池串(110)，所述电池串(110)由多个太阳能电池连接而成，所述太阳能电池为权利要求1-16中任一项所述的太阳能电池；
封装层(120)，所述封装层(120)用于覆盖所述电池串(110)的表面；
盖板(130)，所述盖板(130)用于覆盖所述封装层(120)远离所述电池串(110)的表面。
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