KR20230128999A - 태양전지, 태양광 모듈 및 그 제조 방법 - Google Patents

태양전지, 태양광 모듈 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 실시예는 태양광 분야에 관한 것으로, 태양전지, 태양광 모듈 및 그 제조 방법을 제공하고, 태양전지는, 대향하는 제1 표면 및 제2 표면을 갖는 베이스; 상기 베이스의 제1 표면에 위치하며 제1 방향을 따라 순차적으로 배치되는 복수의 제1 그리드 라인; 및 상기 베이스의 제2 표면에 위치하며 상기 제1 방향을 따라 순차적으로 배치되는 복수의 제2 그리드 라인을 포함하되, 여기서, 상기 제1 방향을 따라, 상기 복수의 제1 그리드 라인 중 적어도 하나로서 상기 베이스의 대향하는 두 변에 가까운 제1 그리드 라인은 적어도 하나의 제1 광폭부를 포함하고; 상기 제1 방향을 따라, 상기 복수의 제2 그리드 라인 중 적어도 하나로서 상기 베이스의 대향하는 두 변에 가까운 제2 그리드 라인은 적어도 하나의 제2 광폭부를 포함하며, 각각의 상기 적어도 하나의 제2 광폭부의 사이즈는 각각의 상기 적어도 하나의 제1 광폭부의 사이즈보다 크다.

Description

태양전지, 태양광 모듈 및 그 제조 방법{SOLAR CELLS, SOLAT MODULES AND THEIR PREPARATION METHODS}
본 발명의 실시예는 태양광 분야에 관한 것으로, 특히 태양전지, 태양광 모듈 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
태양전지는 광전효과 또는 광화학효과를 통해 직접 광에너지를 전기에너지로 변환하는 장치이다. 단일 태양전지는 직접 발전하여 사용할 수 없다. 다수의 단일 전지를 용접 리본으로 직렬, 병렬 연결하고 모듈로 엄밀히 밀봉한 후 사용해야 한다. 태양전지 모듈(태양전지판이라고도 함)은 태양 에너지 발전 시스템 중의 핵심 부분이고, 또한 태양 에너지 발전 시스템 중 가장 중요한 부분이다. 태양전지 모듈의 작용은 태양 에너지를 전기에너지로 변환하거나, 축전지에 보내 저장하거나, 부하 작업을 추진하는 것이다.
전지 시트는 매우 취약하며, 일반적으로 전지 모듈의 상하 표면에 접착 필름 및 커버 플레이트를 설치하여, 전지 시트를 보호해야 한다. 커버 플레이트는 일반적으로 태양광 유리로서, 태양광 유리는 전지 시트 위에 직접 부착될 수 없고, 접착 필름이 중간에서 접착 작용을 일으켜야 한다. 전지 시트와 전지 시트 사이의 연결은 일반적으로 전류 수집용 용접 리본이 필요하며, 종래의 용접 리본은 용접 시 용접을 통해 용접 리본과 미세 그리드 사이를 합금화해야 한다. 그러나, 용접 리본 중 땜납의 용융점은 일반적으로 비교적 높고, 실제 용접 과정에서, 용접 온도는 땜납 용융점보다 20℃ 이상 높아야 한다. 전지 시트는 용접 과정에서 휨 변형이 비교적 커, 용접 후 크랙 위험이 크고, 파편율이 비교적 높다. 상기 배경 하에, 용접 품질을 개선하기 위해, 저온 용접 리본 및 메인 그리드가 없는 기술이 등장했다. 그러나 모듈의 수율에 영향을 주는 요소는 여러 가지가 있는데, 예를 들어 용접 리본과 미세 그리드 사이의 용접 효과 및 용접 수율 등이다.
본 발명의 실시예는 적어도 태양광 모듈의 수율 향상에 도움을 주는 태양전지, 태양광 모듈 및 그 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일부 실시예에 따르면, 본 발명의 실시예는 한 방면으로, 대향하는 제1 표면 및 제2 표면을 갖는 베이스; 각각 제1 방향을 따라 연장되고, 상기 베이스의 제1 표면에 위치하는 이격 배치된 복수의 제1 그리드 라인; 및 각각 상기 제1 방향을 따라 연장되고, 상기 베이스의 제2 표면에 위치하는 이격 배치된 복수의 제2 그리드 라인을 포함하되, 여기서, 상기 제1 방향을 따라, 상기 복수의 제1 그리드 라인 중 적어도 하나로서 상기 베이스의 대향하는 두 변에 가까운 제1 그리드 라인은 적어도 하나의 제1 광폭부를 포함하고; 상기 제1 방향을 따라, 상기 복수의 제2 그리드 라인 중 적어도 하나로서 상기 베이스의 대향하는 두 변에 가까운 제2 그리드 라인은 적어도 하나의 제2 광폭부를 포함하며, 각각의 상기 적어도 하나의 제2 광폭부의 사이즈는 각각의 상기 적어도 하나의 제1 광폭부보다 큰 태양전지를 제공한다.
일부 실시예에서, 상기 제1 방향을 따라, 상기 제1 그리드 라인은 상기 베이스의 대향하는 두 변에 가까운 두 개의 제1 전극 및 두 개의 제1 전극 사이에 위치하는 복수의 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 전극은 적어도 하나의 제1 광폭부를 포함하며; 상기 제2 전극은 적어도 하나의 제3 광폭부를 포함하고, 각각의 상기 적어도 하나의 제3 광폭부는 상기 제1 방향을 따라 각각의 상기 적어도 하나의 제1 광폭부와 대향하며, 각각의 상기 적어도 하나의 제3 광폭부는 각각의 상기 적어도 하나의 제1 광폭부보다 작다.
일부 실시예에서, 상기 제1 방향을 따라, 상기 제2 그리드 라인은 이격 배치되는 제3 전극 및 두 개의 상기 제3 전극 사이마다 위치하는 복수의 제4 전극을 포함하고, 상기 제3 전극은 적어도 하나의 제2 광폭부를 포함하며; 상기 제4 전극은 적어도 하나의 제4 광폭부를 포함하고, 각각의 상기 적어도 하나의 제4 광폭부는 상기 제1 방향을 따라 각각의 상기 적어도 하나의 제2 광폭부와 대향하며, 각각의 상기 적어도 하나의 제4 광폭부는 각각의 상기 적어도 하나의 제2 광폭부보다 작다.
일부 실시예에서, 각각의 상기 적어도 하나의 제4 광폭부의 사이즈는 각각의 상기 적어도 하나의 제1 광폭부보다 작다.
일부 실시예에서, 동일한 상기 제2 표면 내에서, 상기 제3 전극의 개수는 2 내지 20개이다.
일부 실시예에서, 상기 제1 방향을 따른 각각의 상기 적어도 하나의 제2 광폭부의 길이 범위는 0.2 mm 내지 1.0 mm이다.
일부 실시예에서, 패시베이션층을 더 포함하되, 상기 패시베이션층은 상기 베이스의 표면에 위치하고, 각각의 상기 적어도 하나의 제1 광폭부 및/또는 각각의 상기 적어도 하나의 제2 광폭부는 상기 패시베이션층 표면에 위치하되 상기 패시베이션층을 관통하지 않으며; 상기 제1 그리드 라인은 각각의 상기 적어도 하나의 제1 광폭부 양측에 위치하는 제1 서브 그리드 라인을 더 포함하되, 상기 제1 서브 그리드 라인은 상기 패시베이션층을 관통하고 상기 베이스에서 멀어지는 방향으로 따라 상기 패시베이션층에 돌출된다.
일부 실시예에서, 상기 제1 그리드 라인은 일체 성형 구조이고; 상기 제2 그리드 라인은 일체 성형 구조이다.
본 발명의 일부 실시예에 따르면, 본 발명의 실시예는 다른 방면으로, 복수의 태양전지가 용접 리본을 통해 전기적으로 연결되어 형성되되, 상기 용접 리본은 각각의 제1 그리드 라인 및/또는 각각의 제2 그리드 라인과 전기적으로 연결되고, 임의의 하나의 상기 용접 리본은 각각의 상기 적어도 하나의 제1 광폭부 또는 제2 광폭부와 전기적으로 접촉되는 적어도 하나의 전지 스트링; 상기 적어도 하나의 전지 스트링을 커버하는 적어도 하나의 패키징층; 및 상기 적어도 하나의 패키징층을 커버하는 적어도 하나의 커버 플레이트를 포함하는 태양광 모듈을 더 제공한다.
일부 실시예에서, 동일한 상기 용접 리본과 상기 제1 그리드 라인 사이에는 M개의 제1 중첩 영역이 구비되고; 각각의 상기 용접 리본 상에는 N개의 접착 포인트가 구비되되, 각각의 상기 접착 포인트는 적어도 모든 상기 제1 광폭부를 포함하는 상기 제1 중첩 영역을 커버하며, 상기 접착 포인트는 또한 각각의 상기 적어도 하나의 제1 광폭부에 위치하고, 상기 N은 M보다 작고 각각의 상기 적어도 하나의 제1 광폭부의 개수보다 크거나 같으며; 상기 패키징층은 상기 접착 포인트의 표면을 커버한다.
일부 실시예에서, 상기 N은 상기 적어도 하나의 제2 광폭부의 개수보다 작거나 같다.
일부 실시예에서, 2≤N≤20이다.
일부 실시예에서, 상기 패키징층은 상기 제2 그리드 라인의 표면에 위치하고, 상기 제2 표면에 대응되는 상기 용접 리본과 상기 패키징층은 직접 접촉되며, 상기 제2 표면에는 상기 접착 포인트가 설치되지 않는다.
본 발명의 일부 실시예에 따르면, 본 발명의 실시예는 또 다른 방면으로,복수의 전지 시트 및 용접 리본을 제공하는 단계; 상기 용접 리본과 상기 전지 시트에 대해 용접 처리를 수행하여 상기 용접 리본과 상기 제1 그리드 라인 사이 및 상기 용접 리본과 상기 제2 그리드 라인 사이에 합금층이 형성되도록 하고, 상기 용접 처리를 거친 후 상기 전지 시트 및 상기 용접 리본이 적어도 하나의 전지 스트링을 구성하는 단계; 상기 적어도 하나의 전지 스트링을 커버하는 적어도 하나의 패키징층과, 상기 적어도 하나의 패키징층을 커버하는 적어도 하나의 커버 플레이트를 제공하는 단계; 및 상기 적어도 하나의 전지 스트링, 상기 적어도 하나의 패키징층 및 상기 적어도 하나의 커버 플레이트에 대해 적층 처리를 수행하는 단계를 포함하는 태양광 모듈의 제조 방법을 제공한다. 일부 실시예에서, 동일한 상기 용접 리본과 상기 제1 그리드 라인 사이에는 M개의 제1 중첩 영역이 구비되고; 용접 처리를 수행한 후, 상기 전지 시트의 제1 표면에 N개의 접착 포인트가 구비되도록, 상기 전지 시트의 상기 제1 중첩 영역의 일부에 대해 디스펜싱 처리를 수행하는 단계를 더 포함하되, 각각의 상기 접착 포인트는 적어도 모든 상기 제1 광폭부를 포함하는 상기 제1 중첩 영역을 커버하고, 상기 접착 포인트는 또한 각각의 상기 적어도 하나의 제1 광폭부에 위치하며, 상기 N은 M보다 작고 상기 적어도 하나의 제1 광폭부의 개수보다 크거나 같다.
하나 이상의 실시예는 이에 대응되는 첨부된 도면을 통해 예시적으로 설명되며, 이러한 예시적인 설명은 실시예를 한정하지 않으며, 특별한 언급이 없는 한 도면은 비율에 의해 한정되지 않는다. 본 발명의 실시예 또는 종래의 기술 중의 기술적 해결수단을 보다 명확하게 설명하기 위해, 아래에 실시예에서 사용되어야 하는 도면들을 간략히 소개하고, 아래에서 설명하는 도면들은 본 발명의 일부 실시예에 불과함은 물론이다. 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자라면, 창의적인 노력 없이도 도면에 따라 다른 도면을 얻을 수도 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에서 제공되는 태양전지의 제1 표면의 첫 번째 구조 모식도이고,
도 2는 도 1의 A1-A2 단면을 따르는 첫 번째 단면 구조 모식도이고,
도 3은 도 1의 A1-A2 단면을 따르는 두 번째 단면 구조 모식도이고,
도 4는 도 1의 B1-B2 단면을 따르는 첫 번째 단면 구조 모식도이고,
도 5는 본 발명의 일 실시예에서 제공되는 태양전지의 제1 광폭부의 부분 구조 모식도이고,
도 6은 본 발명의 일 실시예에서 제공되는 태양전지의 제2 표면의 첫 번째 구조 모식도이고,
도 7은 본 발명의 일 실시예에서 제공되는 태양전지의 제2 광폭부의 부분 구조 모식도이고,
도 8은 본 발명의 일 실시예에서 제공되는 태양전지의 제1 표면의 두 번째 구조 모식도이고,
도 9는 본 발명의 일 실시예에서 제공되는 태양전지의 제3 광폭부의 부분 구조 모식도이고,
도 10은 본 발명의 일 실시예에서 제공되는 태양전지의 제2 표면의 두 번째 구조 모식도이고,
도 11은 본 발명의 일 실시예에서 제공되는 태양전지의 제4 광폭부의 부분 구조 모식도이고,
도 12는 본 발명의 일 실시예에서 제공되는 태양전지의 제1 표면의 세 번째 구조 모식도이고,
도 13은 본 발명의 일 실시예에서 제공되는 태양광 모듈의 제1 표면에 용접 리본이 형성된 구조 모식도이고,
도 14는 본 발명의 일 실시예에서 제공되는 태양광 모듈의 제2 표면에 용접 리본이 형성된 구조 모식도이고,
도 15는 본 발명의 일 실시예에서 제공되는 태양광 모듈의 제1 표면에 접착 포인트가 형성된 구조 모식도이고,
도 16은 본 발명의 일 실시예에서 제공되는 태양광 모듈의 구조 모식도이다.
배경기술로부터 알 수 있다시피, 현재 태양광 모듈의 수율은 좋지 않다.
본 발명의 실시예에서 제공되는 태양전지에서, 대향하는 제1 표면 및 제2 표면을 갖는 베이스를 설치하는 것을 통해, 제1 표면에 위치하는 제1 그리드 라인에는 제1 광폭부가 구비되고, 제2 표면에 위치하는 제2 그리드 라인에는 제2 광폭부가 구비되며, 제1 광폭부 및 제2 광폭부는 제1 그리드 라인과 용접 리본 사이의 용접 인장력 및 제2 그리드 라인과 용접 리본 사이의 용접 인장력을 증가함으로써, 제1 그리드 라인과 용접 리본 사이의 용접 효과 및 제2 그리드 라인과 용접 리본 사이의 용접 효과를 향상할 수 있다. 제1 광폭부의 사이즈는 제2 광폭부의 사이즈보다 크고, 제1 표면의 제1 광폭부의 사이즈와 제2 표면의 제2 광폭부의 사이즈를 개변하는 것을 통해, 제1 표면 상의 제1 광폭부의 사이즈가 비교적 작은 것을 보장함으로써, 제1 표면의 커버 면적을 비교적 작게 하고, 태양전지의 전지 효율을 향상한다. 제2 표면의 제2 광폭부는 적어도 베이스의 단부에 위치하고, 즉 제2 광폭부의 개수는 제1 광폭부의 개수보다 크거나 같으므로, 제2 광폭부의 개수를 증가하는 것을 통해 제2 표면의 용접 면적을 증가함으로써, 전지와 용접 리본 사이의 용접 인장력을 향상한다.
아래에서는 도면과 결부하여 본 발명의 각 실시예를 상세하게 설명할 것이다. 그러나, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자라면 이해할 수 있는 것은, 본 발명의 각 실시예에서 독자가 본 발명을 더 잘 이해하도록 많은 기술적 세부사항을 제공한다. 그러나, 이러한 기술적 세부사항 및 하기 각 실시예 기반의 다양한 변경 및 수정 없이도 본 발명이 보호하고자 하는 기술적 해결수단은 구현될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에서 제공되는 태양전지의 제1 표면의 첫 번째 구조 모식도이고; 도 2는 도 1의 A1-A2 단면을 따르는 첫 번째 단면 구조 모식도이며; 도 3은 도 1의 A1-A2 단면을 따르는 두 번째 단면 구조 모식도이고; 도 4는 도 1의 B1-B2 단면을 따르는 첫 번째 단면 구조 모식도이며; 도 5는 본 발명의 일 실시예에서 제공되는 태양전지의 제1 광폭부의 부분 구조 모식도이고; 도 6은 본 발명의 일 실시예에서 제공되는 태양전지의 제2 표면의 첫 번째 구조 모식도이며; 도 7은 본 발명의 일 실시예에서 제공되는 태양전지의 제2 광폭부의 부분 구조 모식도이고; 도 8은 본 발명의 일 실시예에서 제공되는 태양전지의 제1 표면의 두 번째 구조 모식도이며; 도 9는 본 발명의 일 실시예에서 제공되는 태양전지의 제3 광폭부의 부분 구조 모식도이고; 도 10은 본 발명의 일 실시예에서 제공되는 태양전지의 제2 표면의 두 번째 구조 모식도이며; 도 11은 본 발명의 일 실시예에서 제공되는 태양전지의 제4 광폭부의 부분 구조 모식도이고; 도 12는 본 발명의 일 실시예에서 제공되는 태양전지의 제1 표면의 세 번째 구조 모식도이다. 여기서, 제1 광폭부와 용접 리본 사이의 상대적 위치 관계를 나타내기 위해, 도 2 및 도 3에도 용접 리본이 도시된다. 제1 광폭부와 제2 광폭부의 영역을 나타내기 위해, 도 12에서 점선으로 둘러싸인 영역으로 제2 광폭부를 나타낸다.
이해할 수 있는 것은, 제2 표면의 제2 광폭부와 제2 그리드 라인 사이의 단면은 도 2 내지 도 4 중 제1 광폭부와 제1 그리드 라인 사이의 위치 관계를 참조할 수 있고, 여기에서는 제2 표면의 단면도를 도시하지 않으며, 단지 제1 표면 측의 단면도를 도시한다.
도 1 내지 도 12를 참조하면, 본 발명의 일부 실시예에 따르면, 본 발명의 실시예는 한 방면으로, 대향하는 제1 표면(11) 및 제2 표면(12)을 갖는 베이스(100); 각각 제1 방향(Y)을 따라 연장되고, 베이스(100)의 제1 표면(11)에 위치하는 이격 배치된 복수의 제1 그리드 라인(21); 및 각각 상기 제1 방향(Y)을 따라 연장되고, 베이스(100)의 제2 표면(12)에 위치하는 이격 배치된 복수의 제2 그리드 라인(22)을 포함하되, 여기서, 제1 방향(Y)을 따라, 복수의 제1 그리드 라인 중 적어도 하나로서 베이스(100) 단부에 위치하는 제1 그리드 라인(21)은 적어도 하나의 제1 광폭부(111)를 포함하고; 제1 방향(Y)을 따라, 복수의 제2 그리드 라인 중 적어도 하나로서 베이스 단부에 위치하는 제2 그리드 라인(22)은 적어도 하나의 제2 광폭부(211)를 포함하며, 제2 광폭부(211)의 사이즈는 제1 광폭부(111)의 사이즈보다 큰 태양전지를 제공한다.
태양전지는 기존의 TOPCON(Tunnel Oxide Passivated Contact, 터널링 산화층 부동태 접촉) 전지, PERC 전지(패시베이션 이미터 및 후면 전지, Passivated emitter and real cell) 및 이종접합 전지 중 어느 하나일 수 있다. 일부 실시예에서 태양전지는 게르마늄화 규소, 탄화 규소, 비소화 갈륨, 갈륨화 인듐, 페로브스카이트, 텔루르화 카드뮴, 구리 인듐 셀레늄 등의 재료를 포함하지만 이에 제한되지 않는 화합물 전지일 수도 있다.
태양전지는 순차적으로 적층되는 베이스 및 패시베이션층을 포함한다. 베이스(100)의 재료는 원소 반도체 재료일 수 있다. 구체적으로, 원소 반도체 재료는 실리콘 또는 실리콘과 같은 단일 원소로 구성될 수 있다. 여기서, 원소 반도체 재료는 단결정 상태, 다결정 상태, 비정질 상태 또는 미세 결정질(단결정 상태와 비정질 상태를 동시에 갖는 상태를 미정질 상태라고 함)일 수 있으며, 예를 들어 실리콘은 단결정 실리콘, 다결정 실리콘, 비정질 실리콘 또는 미세 결정질 실리콘 중 적어도 하나일 수 있다.
일부 실시예에서, 베이스(100)의 재료는 화합물 반도체 재료일 수도 있다. 일반적인 화합물 반도체 재료에는 게르마늄화 규소, 탄화 규소, 갈륨 비소, 인듐 갈륨화물, 페로브스카이트, 카드뮴 텔루르화물, 인듐 구리 셀레늄 등 재료가 포함되지만 이에 제한되지 않는다. 베이스(100)는 사파이어 베이스, 절연체상의 실리콘 베이스 또는 절연체상의 게르마늄 베이스일 수도 있다.
일부 실시예에서, 베이스(100)는 N형 반도체 베이스 또는 P형 반도체 베이스일 수 있다. N형 반도체 베이스는 인(P) 원소, 비스무트(Bi) 원소, 안티몬(Sb) 원소 또는 비소(As) 원소와 같은 V족 원소 중 어느 하나가 될 수 있는 N형 도핑 원소로 도핑되어 있다. P형 반도체 베이스 내에는 P형 원소가 도핑되어 있으며, P형 도핑 원소는 붕소(B) 원소, 알루미늄(Al) 원소, 갈륨(Ga) 원소 또는 갈륨(In) 원소 등 III족 원소 중 어느 하나일 수 있다.
일부 실시예에서, 태양전지는 베이스(100)의 제1 표면에 위치하는 패시베이션층(101)을 더 포함한다. 패시베이션층(101)의 재료는 산화규소, 질화규소, 산질화규소, 탄질산화규소, 산화티타늄, 산화하프늄 또는 알루미나 등의 재료 중 어느 하나 이상을 포함한다.
태양전지는 베이스(100)의 제1 표면(11)에 위치하는 이미터 전극 및 제1 패시베이션층, 베이스(100)의 제2 표면(12)에 위치하는 제2 패시베이션층을 포함하고, 제1 그리드 라인(21)은 제1 패시베이션층을 관통하여 이미터 전극과 전기적으로 접촉되며, 제2 그리드 라인(22)은 제2 패시베이션층의 두께를 관통하여 제2 표면(12)과 전기적으로 접촉된다. 패시베이션층(101)은 제1 패시베이션층 및 제2 패시베이션층을 포함한다.
일부 실시예에서, 태양전지가 TOPCON 전지일 경우, 태양전지는 적층되는 터널링 유전체층 및 도핑 도전층을 더 포함할 수 있고, 터널링 유전체층은 베이스(100)의 제2 표면(12)에 위치하며, 제2 그리드 라인(22)은 제2 패시베이션층을 관통하여 도핑 도전층과 전기적으로 접촉된다.
일부 실시예에서, 제1 그리드 라인(21) 및 제2 그리드 라인(22)은 모두 태양전지의 부그리드 라인이고, 부그리드 라인 관통형 슬러리로 소결되어 형성될 수 있다. 제1 그리드 라인(21) 및 제2 그리드 라인(22)을 형성하는 방법은, 실크 스크린 인쇄 공정을 사용하여 일부 패시베이션층 표면에 금속 슬러리를 인쇄하는 단계를 포함한다. 금속 슬러리는 은, 알루미늄, 구리, 주석, 금, 납 또는 니켈 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 금속 슬러리에 대한 소결 공정에 있어서, 일부 실시예에서는 금속 슬러리에 유리 등의 고부식성 성분이 있는 재료를 가지고 있으며, 이와 같이 소결 과정에서 부식성 성분이 패시베이션층을 부식시켜, 금속 슬러리가 패시베이션층(101)에 침투되어 베이스(100)와 전기적으로 접촉되도록 한다.
일부 실시예에서, 제1 방향(Y)을 따라, 제1 그리드 라인(21)은 베이스(100) 단부에 위치하는 두 개의 제1 전극(110) 및 두 개의 제1 전극(110) 사이에 위치하는 복수의 제2 전극(120)을 포함하고, 제1 전극(110)은 적어도 하나의 제1 광폭부(111)를 포함한다. 제1 전극(110)은 제1 광폭부(111) 양측에 위치하는 제1 서브 그리드 라인(112)을 더 포함한다. 제1 서브 그리드 라인(112)은 패시베이션층(101)을 관통하여 패시베이션층(101)에서 돌출된다.
일부 실시예에서, 도 2를 참조하면, 제1 광폭부(111)는 패시베이션층(101) 표면에 위치하되 패시베이션층(101)을 관통하지 않으며, 즉 제1 광폭부(111)의 재료 구성과 제1 서브 그리드 라인(112)의 재료 구성은 상이하다. 예를 들어, 제1 광폭부(111)는 메인 그리드 라인의 인쇄 슬러리로 제조되고, 제1 서브 그리드 라인(112)은 부그리드 라인의 인쇄 슬러리로 제조된다. 여기서, 부그리드 라인의 인쇄 슬러리 중 은의 함량이 비교적 높아, 패시베이션층을 관통한다. 메인 그리드 라인의 인쇄 슬러리 중 은의 함량은 비교적 낮고, 알루미늄의 함량은 비교적 높다.
일부 실시예에서, 제1 광폭부(111)의 제2 방향(X)을 따르는 제1 길이(L1)의 범위는 0.5 mm 내지 1.5 mm이다. 제1 길이(L1)의 범위는 0.5 mm 내지 0.8 mm, 0.58 mm 내지 1.39 mm, 0.6 mm 내지 1.5 mm, 0.9 mm 내지 1.48 mm, 0.5 mm 내지 1 mm, 0.6 mm 내지 1.3 mm 또는 0.69 mm 내지 0.8 mm일 수 있다. 제1 길이(L1)는 0.53 mm, 0.58 mm, 0.77 mm, 0.98 mm, 1.19 mm, 1.28 mm, 1.33 mm, 1.42 mm 또는 1.5 mm일 수 있다.
일부 실시예에서, 제1 광폭부(111)의 제1 방향(Y)을 따르는 제1 폭(W1)의 범위는 0.1 mm 내지 0.5 mm이다. 제1 폭(W1)은 0.1 mm 내지 0.16 mm, 0.16 mm 내지 0.28 mm, 0.28 mm 내지 0.41 mm, 0.41 mm 내지 0.5 mm, 0.14 mm 내지 0.45 mm, 0.16 mm 내지 0.28 mm또는 0.19 mm 내지 0.36 mm일 수 있다. 제1 폭(W1)은 0.12 mm, 0.18 mm, 0.21 mm, 0.33 mm, 0.35 mm, 0.42 mm, 0.46 mm 또는 0.5 mm일 수 있다.
일부 실시예에서, 제1 서브 그리드 라인(112)의 제1 방향을 따르는 제5 폭(W5)의 범위는 10 um 내지 45 um이다. 제5 폭(W5)은 11 um 내지 15 um, 15 um 내지 20 um, 20 um 내지 38 um, 38 um 내지 45 um, 10 um 내지 25 um, 18 um 내지 32 um 또는 14 um 내지 37 um일 수 있다. 제5 폭(W5)은 10.3 um, 16.8 um, 21.7 um, 33.6 um, 35.8 um, 41.1 um, 42.3 um 또는 45 um일 수 있다.
일부 실시예에서, 도 3을 참조하면, 제1 그리드 라인(21)은 일체 성형 구조이고, 즉 제1 전극(110)의 제1 광폭부(111) 및 제1 서브 그리드 라인(112)도 일체 성형 구조이며, 제1 광폭부(111) 및 제1 서브 그리드 라인(112)은 동일한 인쇄 슬러리로 동일한 제조 공정에서 제조될 수 있고, 제1 광폭부(111)와 제1 서브 그리드 라인(112)은 모두 패시베이션층(101)을 관통한다. 이와 같이, 전지 시트 단부에 위치하는 제1 그리드 라인(21)의 일부 영역의 폭이 비교적 크므로, 제1 전극(110)의 용접 응력을 완화하여, 용접 리본(40)과 전지 시트 사이에 양호한 접촉이 형성되도록 할 수 있다. 이 밖에, 제1 광폭부(111)는 캐리어의 수송 능력을 향상하여, 전지 시트가 비교적 많은 전류 수집을 위한 수송 면적을 갖도록 한다.
일부 실시예에서, 제1 방향을 따라, 제2 그리드 라인(22)은 이격 배치되는 제3 전극(210)과 두 개의 제3 전극(210) 사이마다 위치하는 복수의 제4 전극(220)을 포함하고, 제3 전극(210)은 적어도 하나의 제2 광폭부(211)를 포함한다. 제3 전극(210)은 제2 광폭부(211) 양측에 위치하는 제2 서브 그리드 라인(212)을 더 포함한다. 제2 서브 그리드 라인(212)은 패시베이션층(101)을 관통하여 패시베이션층(101)에서 돌출된다.
일부 실시예에서, 동일한 제2 표면(12) 내에서, 제3 전극(210)의 개수는 2 내지 20개이다. 제3 전극(210)의 개수는 제2 광폭부(211)의 개수이고, 제2 광폭부(211)의 개수는 제1 광폭부(111)의 개수보다 크거나 같다. 이와 같이, 제1 표면(11)의 커버 면적을 감소함으로써, 전지 시트의 전지 효율을 향상할 수 있다. 제2 광폭부(211)의 개수를 증가하는 것을 통해 제2 표면의 용접 면적을 증가함으로써, 전지와 용접 리본 사이의 용접 인장력을 향상한다.
일부 실시예에서, 제2 광폭부(211)의 제1 방향(Y)을 따르는 제2 폭(W2)의 범위는 0.2 mm 내지 1.0 mm이다. 제2 폭(W2)의 범위는 0.21 mm 내지 0.8 mm, 0.2 mm 내지 0.8 mm, 0.38 mm 내지 0.78 mm, 0.25 mm 내지 0.94 mm, 0.29 mm 내지 0.99 mm, 0.5 mm 내지 0.82 mm, 0.86 mm 내지 1.0 mm 또는 0.19 mm 내지 0.69 mm일 수 있다. 제2 폭(W2)은 0.21 mm, 0.38 mm, 0.41 mm, 0.53 mm, 0.65 mm, 0.78 mm, 0.89 mm 또는 0.98 mm일 수 있다.
일부 실시예에서, 제2 광폭부(211)의 제2 방향(X)을 따르는 제2 길이(L2)의 범위는 0.5 mm 내지 1.5 mm이다. 제2 길이(L2)의 범위는 0.5 mm 내지 0.8 mm, 0.54 mm 내지 1.39 mm, 0.6 mm 내지 1.5 mm, 0.9 mm 내지 1.48 mm, 0.5 mm 내지 1 mm, 0.6 mm 내지 1.3 mm 또는 0.56 mm 내지 0.8 mm일 수 있다. 제2 길이(L2)는 0.53 mm, 0.58 mm, 0.77 mm, 0.98 mm, 1.19 mm, 1.28 mm, 1.33 mm, 1.42 mm 또는 1.5 mm일 수 있다.
일부 실시예에서, 제2 광폭부(211)는 패시베이션층(101) 표면에 위치하되 패시베이션층(101)을 관통하지 않으며, 즉 제2 광폭부(211)의 재료 구성과 제2 서브 그리드 라인(212)의 재료 구성은 상이하다. 예를 들어, 제2 광폭부(211)는 메인 그리드 라인의 인쇄 슬러리로 제조되고, 제2 서브 그리드 라인은 부그리드 라인의 인쇄 슬러리로 제조된다.
일부 실시예에서, 제2 그리드 라인(22)은 일체 성형 구조이고, 즉 제3 전극(210)의 제2 광폭부(211) 및 제2 서브 그리드 라인(212)도 일체 성형 구조이며, 제2 광폭부(211) 및 제2 서브 그리드 라인(212)은 동일한 인쇄 슬러리로 동일한 제조 공정에서 제조될 수 있고, 제2 광폭부(211)와 제2 서브 그리드 라인(212)은 모두 패시베이션층(101)을 관통한다. 이와 같이, 전지 시트 단부에 위치하는 제2 그리드 라인(22)의 일부 영역의 폭이 비교적 크므로, 제3 전극(210)의 용접 응력을 완화하여, 용접 리본과 전지 시트 사이에 양호한 접촉이 형성되도록 할 수 있다. 이 밖에, 제2 광폭부(211)는 캐리어의 수송 능력을 향상하여, 전지 시트가 비교적 많은 전류 수집을 위한 수송 면적을 갖도록 한다.
일부 실시예에서, 제2 서브 그리드 라인(212)의 제6 폭(W6)의 범위는 14 um 내지 60 um이다. 제6 폭(W6)은 15 um 내지 20 um, 20 um 내지 28 um, 28 um 내지 35 um, 35 um 내지 49 um, 49 um 내지 52 um, 52 um 내지 60 um 또는 18 um 내지 39 um일 수 있다. 제6 폭(W6)은 14.3 um, 24.8 um, 35.7 um, 41.8 um, 47.8 um, 52.1 um, 59.6 um 또는 60 um일 수 있다.
도 8을 참조하면, 제2 전극(120)은 적어도 하나의 제3 광폭부(121)를 포함하고, 제3 광폭부(121)는 제1 방향(Y)을 따라 제1 광폭부(111)와 대향하며, 제3 광폭부(121)의 사이즈는 제1 광폭부(111)의 사이즈보다 작다. 제2 전극(120)은 제3 광폭부(121) 양측에 위치하는 제3 서브 그리드 라인(122)을 더 포함한다. 제3 서브 그리드 라인(122)은 패시베이션층(101)을 관통하여 패시베이션층(101)에서 돌출된다.
일부 실시예에서, 제3 광폭부(121)는 패시베이션층(101) 표면에 위치하되 패시베이션층(101)을 관통하지 않고, 즉 제3 광폭부(121)의 재료 구성과 제3 서브 그리드 라인(122)의 재료 구성은 상이하다. 예를 들어, 제3 광폭부(121)는 메인 그리드 라인의 인쇄 슬러리로 제조되고, 제3 서브 그리드 라인(122)은 부그리드 라인의 인쇄 슬러리로 제조된다.
일부 실시예에서, 도 9를 참조하면, 제3 광폭부(121)의 제2 방향(X)을 따르는 제3 길이(L3)의 범위는 0.5 mm 내지 1.5 mm이다. 제3 길이(L3)의 범위는 0.5 mm 내지 0.8 mm, 0.58 mm 내지 1.39 mm, 0.6 mm 내지 1.5 mm, 0.9 mm 내지 1.48 mm, 0.5 mm 내지 1 mm, 0.6 mm 내지 1.3 mm 또는 0.69 mm 내지 0.8 mm일 수 있다. 제3 길이(L3)는 0.53 mm, 0.58 mm, 0.77 mm, 0.98 mm, 1.19 mm, 1.28 mm, 1.33 mm, 1.42 mm 또는 1.5 mm일 수 있다.
일부 실시예에서, 제3 광폭부(121)의 제1 방향(Y)을 따르는 제3 폭(W3)의 범위는 0.02 mm 내지 0.2 mm이다. 제3 폭(W3)은 0.02 mm 내지 0.1 mm, 0.02 mm 내지 0.18 mm, 0.2 mm 내지 0.14 mm, 0.09 mm 내지 0.19 mm, 0.05 mm 내지 0.12 mm, 0.16 mm 내지 0.2 mm 또는 0.09 mm 내지 0.19 mm일 수 있다. 제3 폭(W3)은 0.02 mm, 0.08 mm, 0.11 mm, 0.13 mm, 0.15 mm, 0.18 mm, 0.19 mm 또는 0.2 mm일 수 있다.
일부 실시예에서, 제3 서브 그리드 라인(122)의 제1 방향을 따르는 제7 폭(W7)의 범위는 10 um 내지 45 um이다. 제7 폭(W7)은 11 um 내지 15 um, 15 um 내지 20 um, 20 um 내지 38 um, 38 um 내지 45 um, 10 um 내지 25 um, 18 um 내지 32 um 또는 14 um 내지 37 um일 수 있다. 제7 폭(W7)은 10.3 um, 16.8 um, 21.7 um, 33.6 um, 35.8 um, 41.1 um, 42.3 um 또는 45 um일 수 있다.
일부 실시예에서, 제1 그리드 라인(21)은 일체 성형 구조이고, 즉 제3 전극 (120)의 제3 광폭부(121) 및 제3 서브 그리드 라인(122)도 일체 성형 구조이며, 제3 광폭부(121) 및 제3 서브 그리드 라인(122)은 동일한 인쇄 슬러리로 동일한 제조 공정에서 제조될 수 있고, 제3 광폭부(121) 및 제3 서브 그리드 라인(122)은 모두 패시베이션층(101)을 관통한다. 제3 광폭부(121) 및 제3 서브 그리드 라인(122)은 캐리어의 수송 능력을 향상하여, 전지 시트가 비교적 많은 전류 수집을 위한 수송 면적을 갖도록 한다.
일부 실시예에서, 도 10을 참조하면, 제4 전극(220)은 적어도 하나의 제4 광폭부(221)를 포함하고, 제4 광폭부(221)는 제1 방향(Y)을 따라 제2 광폭부(211)와 대향하며, 제4 광폭부(221)의 사이즈는 제2 광폭부(211)의 사이즈보다 작다.
일부 실시예에서, 제4 광폭부의 사이즈는 제1 광폭부의 사이즈보다 작다. 제4 전극(220)은 제4 광폭부(221) 양측에 위치하는 제2 서브 그리드 라인(212)을 더 포함한다. 제2 서브 그리드 라인(212)은 패시베이션층(101)을 관통하여 패시베이션층(101)에서 돌출된다.
일부 실시예에서, 제4 광폭부(221)의 제1 방향(Y)을 따르는 제4 폭(W4)의 범위는 0.02 mm 내지 0.2 mm이다. 제4 폭(W4)은 0.02 mm 내지 0.1 mm, 0.02 mm 내지 0.18 mm, 0.2 mm 내지 0.14 mm, 0.09 mm 내지 0.19 mm, 0.05 mm 내지 0.12 mm, 0.16 mm 내지 0.2 mm 또는 0.09 mm 내지 0.19 mm일 수 있다. 제4 폭(W4)은 0.02 mm, 0.08 mm, 0.11 mm, 0.13 mm, 0.15 mm, 0.18 mm, 0.19 mm 또는 0.2 mm일 수 있다.
일부 실시예에서, 제4 광폭부(221)의 제2 방향(X)을 따르는 제4 길이(L4)의 범위는 0.5 mm 내지 1.5 mm이다. 제4 길이(L4)의 범위는 0.5 mm 내지 0.8 mm, 0.54 mm 내지 1.39 mm, 0.6 mm 내지 1.5 mm, 0.9 mm 내지 1.48 mm, 0.5 mm 내지 1 mm, 0.6 mm 내지 1.3 mm 또는 0.56 mm 내지 0.8 mm일 수 있다. 제4 길이(L4)는 0.53 mm, 0.58 mm, 0.77 mm, 0.98 mm, 1.19 mm, 1.28 mm, 1.33 mm, 1.42 mm 또는 1.5 mm일 수 있다.
일부 실시예에서, 제4 광폭부(221)는 패시베이션층(101) 표면에 위치하되 패시베이션층(101)을 관통하지 않고, 즉 제4 광폭부(221)의 재료 구성과 제4 서브 그리드 라인(222)의 재료 구성은 상이하다. 예를 들어, 제4 광폭부(221)는 메인 그리드 라인의 인쇄 슬러리로 제조되고, 제4 서브 그리드 라인은 부그리드 라인의 인쇄 슬러리로 제조된다.
일부 실시예에서, 제2 그리드 라인(22)은 일체 성형 구조이고, 즉 제4 전극(220)의 제4 광폭부(221) 및 제4 서브 그리드 라인(222)도 일체 성형 구조이며, 제4 광폭부(221) 및 제4 서브 그리드 라인(222)은 동일한 인쇄 슬러리로 동일한 제조 공정에서 제조될 수 있고, 제4 광폭부(221)와 제4 서브 그리드 라인(222)은 모두 패시베이션층(101)을 관통한다. 이와 같이, 전지 시트 단부에 위치하는 제2 그리드 라인(22)의 일부 영역의 폭이 비교적 크므로, 제4 전극（220）의 용접 응력을 완화하여, 용접 리본과 전지 시트 사이에 양호한 접촉을 형성할 수 있도록 한다. 이 밖에, 제4 광폭부(221)는 캐리어의 수송 능력을 향상하여, 전지 시트가 비교적 많은 전류 수집을 위한 수송 면적을 갖도록 한다.
일부 실시예에서, 태양전지는 슬라이스 전지이다. 일부 실시예에서, 슬라이스 전지는 반쪽 전지이고, 반쪽 전지는 하프 슬라이스 또는 2분할 전지로 이해할 수 있다. 다른 실시예에서, 슬라이스 전지는 3분할 전지, 4분할 전지 또는 8분할 전지 등일 수 있다.
실시예 0: 제1 광폭부 및 제2 광폭부를 설치하지 않고, 즉 각각의 그리드 라인은 모두 하나의 완전히 균등한 그리드 라인이다.
실시예 1: 제1 광폭부 및 제2 광폭부의 개수는 균등하고, 제1 표면에는 접착 포인트가 없으며, 제2 광폭부의 사이즈는 제1 광폭부의 사이즈보다 크고, 제1 광폭부의 제1 폭(W1)은 0.3 mm, 제1 광폭부의 제1 길이(L1)는 0.8 mm, 제2 광폭부의 제2 폭(W2)는 0.3 mm, 제2 광폭부의 제2 길이(L2)는 1.0 mm이며, 제1 광폭부의 개수는 2개이고, 제2 광폭부의 개수는 2개이다.
실시예 2: 제1 광폭부의 개수는 제2 광폭부의 개수보다 작고, 제1 표면에는 접착 포인트가 없으며, 제2 광폭부의 사이즈는 제1 광폭부의 사이즈보다 크고, 제1 광폭부의 제1 폭(W1)은 0.3 mm, 제1 광폭부의 제1 길이(L1)는 0.8 mm, 제2 광폭부의 제2 폭(W2)은 0.3 mm, 제2 광폭부의 제2 길이(L2)는 1.0 mm이며, 제1 광폭부의 개수는 2개이고, 제2 광폭부의 개수는 4개이다.
실시예 3: 제1 광폭부의 개수는 제2 광폭부의 개수보다 작고, 제1 표면에는 접착 포인트가 구비되며, 제2 광폭부의 사이즈는 제1 광폭부의 사이즈보다 크고, 제1 광폭부의 제1 폭(W1)은 0.3 mm, 제1 광폭부의 제1 길이(L1)는 0.8 mm, 제2 광폭부의 제2 폭(W2)은 0.3 mm, 제2 광폭부의 제2 길이(L2)는 1.0 mm이며, 접착 포인트의 개수는 4개이고, 제1 광폭부의 개수는 2개이며, 제2 광폭부의 개수는 4개이다.
실시예 4: 제1 광폭부의 개수와 제2 광폭부의 개수는 같고, 제1 표면에는 접착 포인트가 구비되며, 제2 광폭부의 사이즈는 제1 광폭부의 사이즈보다 크고, 제1 광폭부의 제1 폭(W1)은 0.3 mm, 제1 광폭부의 제1 길이(L1)는 0.8 mm, 제2 광폭부의 제2 폭(W2)은 0.3 mm, 제2 광폭부의 제2 길이(L2)는 1.0 mm이며, 제1 광폭부의 개수는 2개이고, 제2 광폭부의 개수는 2개이며, 접착 포인트의 개수는 4개이고, 제1 표면 및 제2 표면에는 제3 광폭부 및 제4 광폭부가 구비된다.
표 1을 통해 알 수 있다시피, 제2 광폭부 개수 및 사이즈의 설정은 용접 리본과 전지 시트 사이의 용접 인장력을 증가할 수 있다. 여기서, 각 실시예와 실시예 0의 용접 인장력의 비율을 통해, 제1 표면의 용접 리본과 전지 시트 사이에 접착 포인트를 설치할 경우, 용접 인장력이 비교적 우수한 것을 설명할 수 있다. 본 발명의 실시예에서 제공되는 태양전지에서, 대향하는 제1 표면 및 제2 표면을 갖는 베이스를 설치하는 것을 통해, 제1 표면에 위치하는 제1 그리드 라인에는 제1 광폭부가 구비되고, 제2 표면에 위치하는 제2 그리드 라인에는 제2 광폭부가 구비되며, 제1 광폭부 및 제2 광폭부는 제1 그리드 라인과 용접 리본 사이의 용접 인장력 및 제2 그리드 라인과 용접 리본 사이의 용접 인장력을 증가함으로써, 제1 그리드 라인과 용접 리본 사이의 용접 효과 및 제2 그리드 라인과 용접 리본 사이의 용접 효과를 향상할 수 있다. 제1 광폭부의 사이즈는 제2 광폭부의 사이즈보다 크고, 제1 표면의 제1 광폭부의 사이즈와 제2 표면의 제2 광폭부의 사이즈를 개변하는 것을 통해, 제1 표면 상의 제1 광폭부의 사이즈가 비교적 작은 것을 보장함으로써, 제1 표면의 커버 면적을 비교적 작게 하고, 태양전지의 전지 효율을 향상한다. 제2 표면의 제2 광폭부는 적어도 베이스의 단부에 위치하고, 즉 제2 광폭부의 개수는 제1 광폭부의 개수보다 크거나 같으므로, 제2 광폭부의 개수를 증가하는 것을 통해 제2 표면의 용접 면적을 증가함으로써, 전지와 용접 리본 사이의 용접 인장력을 향상한다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에서 제공되는 태양광 모듈의 제1 표면에 용접 리본이 형성된 구조 모식도이고; 도 14는 본 발명의 일 실시예에서 제공되는 태양광 모듈의 제2 표면에 용접 리본이 형성된 구조 모식도이며; 도 15는 본 발명의 일 실시예에서 제공되는 태양광 모듈의 제1 표면에 접착 포인트가 형성된 구조 모식도이고; 도 16은 본 발명의 일 실시예에서 제공되는 태양광 모듈의 구조 모식도이다.
본 발명의 일부 실시예에 따르면, 본 발명의 실시예는 다른 방면으로, 복수의 태양전지(50)가 용접 리본(40)을 통해 전기적으로 연결되어 형성되되, 용접 리본(40)은 각각의 제1 그리드 라인(21) 및/또는 각각의 제2 그리드 라인(22)과 전기적으로 연결되며, 임의의 하나의 용접 리본(40)은 제1 광폭부(111) 또는 제2 광폭부(211)와 전기적으로 접촉되는 전지 스트링; 전지 스트링의 표면을 커버하는 패키징층(51); 및 전지 스트링 표면에서 벗어난 패키징층(51)의 표면을 커버하는 커버 플레이트(52)를 포함하는 태양광 모듈을 더 제공한다.
구체적으로, 일부 실시예에서, 복수의 전지 스트링 사이는 용접 리본(40)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 도 16은 단지 태양전지(50) 사이의 위치 관계를 나타내고, 즉 태양전지(50)의 동일한 극성을 갖는 전극의 배치 방향이 같거나 각각의 전지 시트의 양극성을 갖는 전극이 같은 측을 향하여 배치됨으로써, 도전 테이프는 서로 인접하는 두 개의 전시 시트의 다른 측을 각각 연결한다. 일부 실시예에서, 태양전지(50)는 서로 다른 극성의 전극이 같은 측을 향할 수도 있고, 즉 인접한 복수의 전지 시트의 전극이 각각 제1 극성, 제2 극성, 제1 극성의 순서로 정렬되면, 도전 테이프는 같은 측의 인접한 두 개의 전지 시트를 연결한다.
일부 실시예에서, 태양전지(50) 사이에는 간격이 없고, 즉 태양전지(50) 사이는 서로 중첩된다.
일부 실시예에서, 용접 리본(40)의 횡단면은 도 11에 도시된 바와 같이 원형일 수 있고, 원형 용접 리본은 방향성 및 정렬 문제가 없으므로, 원형 용접 리본은 대량 생산이 용이하다. 일부 실시예에서, 용접 리본(40)의 횡단면은 삼각형 또는 다른 임의의 형상으로, 용접 리본과 보강 그리드 라인의 접촉 면적을 증가하여 용접 리본(40)과 보강 그리드 라인의 정렬 편차 문제를 감소할 수 있다.
일부 실시예에서, 용접 리본(40)의 사이즈는 160 내지 300 um이고, 하나의 전지 시트의 용접 리본 개수는 12 내지 30개이다. 용접 리본(40)의 사이즈는 160 내지 180 um, 180 내지 200 um, 200 내지 220 um, 220 내지 240 um, 240 내지 280 um, 280 내지 300 um이다.
일부 실시예에서, 동일한 용접 리본(40)과 제1 그리드 라인(21) 사이에는 M개의 제1 중첩 영역이 구비되고; N개의 접착 포인트(102)를 더 포함하되, 각각의 접착 포인트(102)는 제1 중첩 영역을 커버하고, 접착 포인트(102)는 또한 제1 광폭부(111)에 위치하며, N은 M보다 작고 제1 광폭부(111)의 개수보다 크거나 같고; 패키징층(51)은 접착 포인트(102)의 표면에 위치한다. 이와 같이, 접착 포인트(102)를 통해 용접 리본(40)의 위치를 확정하고, 용접 리본(40)과 제1 그리드 라인(21) 사이의 위치관계를 정확하게 확정하며, 후속적인 용접 처리 또는 적층 처리에서 용접 리본(40)과 전지 사이에 양호한 접촉을 형성하도록 하고 용접 인장력을 향상함으로써, 전지 효율을 극대화한다.
일부 실시예에서, 접착 포인트는 제1 중첩 영역을 완전히 커버하고, 접착 포인트의 사이즈는 제1 중첩 영역의 사이즈의 1.5 배보다 크거나 같으므로, 용접 리본을 전지 시트 표면에 견고하게 확정하여, 전지와 용접 리본 사이의 용접 인장력을 향상한다. 접착 포인트는 용접 리본이 후속적인 적층 처리 과정에서 편차 등 문제를 방지할 수도 있다.
일부 실시예에서, N은 제2 광폭부(211)의 개수보다 작거나 같다. N은 2≤N≤20을 만족한다.
일부 실시예에서, 패키징층(51)은 제2 그리드 라인(22)의 표면에 위치하고, 제2 표면(12)에 대응되는 용접 리본(40)과 패키징층(51) 사이는 직접 접촉되며, 제2 표면(12)에는 접착 포인트가 설치되지 않는다. 제2 표면에 접착 포인트를 설치하지 않고, 제2 광폭부의 개수 및 사이즈를 증가하는 것을 통해 전지 시트와 용접 리본 사이의 용접 인장력을 향상함으로써, 접착 단계를 피하여 공정의 난이도를 감소할 수 있다.
일부 실시예에서, 패키징층(51)은 제1 패키징층 및 제2 패키징층을 포함하되, 제1 패키징층은 태양전지 시트(50)의 앞면 또는 뒷면 중 하나를 커버하고, 제2 패키징층은 태양전지 시트(50)의 앞면 또는 뒷면 중 다른 하나를 커버하며, 구체적으로, 제1 패키징층 또는 제2 패키징층 중 적어도 하나는 폴리비닐부틸알데히드(Polyvinyl Butyral, 줄여서 PVB) 접착 필름, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체(EVA) 접착 필름, 폴리비닐옥텐공탄성체(POE) 접착 필름 또는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 접착 필름 등 유기 패키징 접착 필름일 수 있고, EPE(한 층의 EVA, 한 층의 POE, 한 층의 EVA의 공압출 접착 필름) 또는 EP(한 층의 EVA, 한 층의 POE의 공압출 접착 필름)일 수도 있다.
이해할 수 있는 것은, 제1 패키징층 및 제2 패키징층은 적층되기 전에 분계선을 갖고, 적층 처리 후에 태양광 모듈을 형성하면 제1 패키징층 및 제2 패키징층의 개념이 더 이상 없고, 제1 패키징층과 제2 패키징층이 전체적인 패키징층(51)을 형성한다.
일부 실시예에서, 커버 플레이트(52)는 유리 커버 플레이트, 플라스틱 커버 플레이트 등 광투과 기능을 갖는 커버 플레이트일 수 있다. 구체적으로, 패키징층(51)을 향하는 커버 플레이트(52)의 표면은 요철 표면으로써, 입사 광선의 이용률을 증가한다. 커버 플레이트(52)는 제1 커버 플레이트 및 제2 커버 플레이트를 포함하고, 제1 커버 플레이트는 제1 패키징층과 대향하며, 제2 커버 플레이트는 제2 패키징층과 대향한다.
본 발명의 일부 실시예에 따르면, 본 발명의 실시예는 또 다른 방면으로, 복수의 전지 시트 및 용접 리본을 제공하는 단계; 용접 리본과 전지 시트에 대해 용접 처리를 수행하여 용접 리본과 제1 그리드 라인 사이 및 용접 리본과 제2 그리드 라인 사이에 합금층이 형성되도록 하고, 용접 처리를 거친 전지 시트 및 용접 리본이 전지 스트링을 구성하는 단계; 전지 스트링의 표면을 커버하는 패키징층과, 전지 스트링에서 벗어난 패키징층의 표면을 커버하는 커버 플레이트를 제공하는 단계; 및 전지 스트링, 패키징층 및 커버 플레이트에 대해 적층 처리를 수행하는 단계를 포함하는 태양광 모듈의 제조 방법을 더 제공한다.
일부 실시예에서, 동일한 용접 리본과 제1 그리드 라인 사이에는 M개의 제1 중첩 영역이 구비되고; 용접 처리를 수행한 후, 전지 시트의 표면에 N개의 접착 포인트가 구비되도록 전지 시트의 제1 중첩 영역의 일부에 대해 디스펜싱 처리를 수행하는 단계를 더 포함하되, 각각의 접착 포인트는 제1 중첩 영역을 커버하며, 접착 포인트는 또한 제1 광폭부에 위치하고, N은 M보다 작고 제1 광폭부의 개수보다 크거나 같다.
본문에서 설명되는 다양한 실시예에서 사용되는 용어는 단지 특정 실시예를 설명하기 위한 것일 뿐, 한정하려는 것이 아니다. 설명되는 다양한 실시예 및 청구항에서 사용되는 단수 형태의 "일", "하나" 및 "상기"도 문맥 상에서 다른 의미를 명확하게 나타내지 않은 한, 복수의 형태를 포함하도록 의도된다. 또한, 본문에서 사용되는 용어 "및/또는"은 하나 또는 복수의 관련된 열거 항목을 포함하는 임의의 또는 모든 가능한 조합을 의미함을 이해할 것이다. 더 이해해야 할 것은, 용어 "포함", "함유", "구비", "갖는다"가 본 명세서에서 사용될 경우, 상기 특징, 정수, 단계, 조작, 소자 및/또는 모듈의 존재를 규정하였으나, 하나 이상의 다른 특징, 정수, 단계, 조작, 소자, 모듈 및/또는 이들의 조합을 추가하는 것을 배제하지 않는다.
이 밖에, 층, 막, 영역 또는 판 등 부재가 다른 부재 "상"에 위치한다고 할 경우, 이는 다른 부재에 "직접 위치"할 수 있고, 그 사이에 다른 부재가 존재할 수도 있다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 일부가 다른 부재에 "직접 위치"할 경우, 양자 사이에 다른 부재가 없음을 의미한다.
본 발명은 바람직한 실시예로 위와 같이 공개하였으나, 청구항을 한정하려는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자들은 본 발명의 사상을 벗어나지 않는 전제하에, 변경 또는 보정할 수 있으므로, 본 발명의 보호범위는 본 발명의 청구항이 정의하는 범위를 기준으로 한다. 또한, 본 발명의 명세서의 실시예 및 도시되는 도면은 단지 예시적인 설명으로, 본 발명의 청구항이 보호하고자 하는 전부 범위가 아니다.
본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자라면 이해할 수 있는 것은, 상기 각 실시형태는 본 발명의 구체적인 실시예를 구현하고, 실제 응용에서, 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않는 한, 형태 및 세부사항을 다양하게 변경할 수 있다. 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자들은, 본 발명의 정신 및 범위 내에서, 다양한 변경 및 보정을 할 수 있으므로, 본 발명의 보호 범위는 청구항에서 한정되는 범위를 기준으로 해야 한다.

Claims (15)

  1. 태양전지로서,
    대향하는 제1 표면 및 제2 표면을 갖는 베이스;
    각각 제1 방향을 따라 연장되고, 상기 베이스의 제1 표면에 위치하는 이격 배치된 복수의 제1 그리드 라인; 및
    각각 제1 방향을 따라 연장되고, 상기 베이스의 제2 표면에 위치하는 이격 배치된 복수의 제2 그리드 라인
    을 포함하되, 상기 제1 방향을 따라, 상기 복수의 제1 그리드 라인 중 적어도 하나로서 상기 베이스의 대향하는 두 변 중 적어도 하나에 가까운 제1 그리드 라인은 적어도 하나의 제1 광폭부를 포함하고; 상기 제1 방향을 따라, 상기 복수의 제2 그리드 라인 중 적어도 하나로서 상기 베이스의 대향하는 두 변에 가까운 제2 그리드 라인은 적어도 하나의 제2 광폭부를 포함하며, 각각의 상기 적어도 하나의 제2 광폭부는 각각의 상기 적어도 하나의 제1 광폭부보다 큰 것을 특징으로 하는 태양전지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 방향을 따라, 상기 제1 그리드 라인은 상기 베이스의 대향하는 두 변 중 적어도 하나에 가까운 두 개의 제1 전극 및 두 개의 제1 전극 사이에 위치하는 복수의 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 전극은 적어도 하나의 제1 광폭부를 포함하며; 상기 제2 전극은 적어도 하나의 제3 광폭부를 포함하고, 각각의 상기 적어도 하나의 제3 광폭부는 상기 제1 방향을 따라 각각의 상기 적어도 하나의 제1 광폭부와 대향되며, 각각의 상기 적어도 하나의 제3 광폭부는 각각의 상기 적어도 하나의 제1 광폭부보다 작은 것을 특징으로 하는 태양전지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 방향을 따라, 상기 제2 그리드 라인은 이격 배치되는 제3 전극 및 두 개의 상기 제3 전극 사이마다 위치하는 복수의 제4 전극을 포함하고, 상기 제3 전극은 적어도 하나의 제2 광폭부를 포함하며; 상기 제4 전극은 적어도 하나의 제4 광폭부를 포함하고, 각각의 상기 적어도 하나의 제4 광폭부는 상기 제1 방향을 따라 각각의 상기 적어도 하나의 제2 광폭부와 대향되며, 각각의 상기 적어도 하나의 제4 광폭부는 각각의 상기 적어도 하나의 제2 광폭부보다 작은 것을 특징으로 하는 태양전지.
  4. 제3항에 있어서,
    각각의 상기 적어도 하나의 제4 광폭부는 각각의 상기 적어도 하나의 제1 광폭부보다 작은 것을 특징으로 하는 태양전지.
  5. 제3항에 있어서,
    동일한 상기 제2 표면 내에서, 상기 제3 전극의 개수는 2 내지 20개인 것을 특징으로 하는 태양전지.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 방향을 따른 각각의 상기 적어도 하나의 제2 광폭부의 길이 범위는 0.2 mm 내지 1.0 mm인 것을 특징으로 하는 태양전지.
  7. 제1항에 있어서,
    패시베이션층을 더 포함하되, 상기 패시베이션층은 상기 베이스의 상기 제1 표면에 위치하고, 각각의 상기 적어도 하나의 제1 광폭부 및/또는 각각의 상기 적어도 하나의 제2 광폭부는 상기 패시베이션층에서 상기 베이스로부터 멀어지는 표면에 위치하되 상기 패시베이션층을 관통하지 않으며; 상기 제1 그리드 라인은 각각의 상기 적어도 하나의 제1 광폭부 양측에 각각 위치하는 제1 서브 그리드 라인을 더 포함하되, 상기 제1 서브 그리드 라인은 상기 패시베이션층을 관통하며 상기 베이스에서 멀어지는 방향을 따라 상기 패시베이션층에 돌출되는 것을 특징으로 하는 태양전지.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 그리드 라인은 일체 성형 구조이고; 상기 제2 그리드 라인은 일체 성형 구조인 것을 특징으로 하는 태양전지.
  9. 태양광 모듈로서,
    복수의 태양전지가 용접 리본을 통해 전기적으로 연결되어 형성되되, 상기 용접 리본은 각각의 제1 그리드 라인 및/또는 각각의 제2 그리드 라인과 전기적으로 연결되고, 임의의 상기 용접 리본은 각각의 상기 적어도 하나의 제1 광폭부 또는 제2 광폭부와 전기적으로 접촉되는 적어도 하나의 전지 스트링;
    상기 적어도 하나의 전지 스트링을 커버하는 적어도 하나의 패키징층; 및
    상기 적어도 하나의 패키징층을 커버하는 적어도 하나의 커버 플레이트
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양광 모듈.
  10. 제9항에 있어서,
    동일한 상기 용접 리본과 상기 제1 그리드 라인 사이에는 M개의 제1 중첩 영역이 구비되고; 각각의 상기 용접 리본 상에는 N개의 접착 포인트가 구비되되, 각각의 상기 접착 포인트는 적어도 모든 상기 제1 광폭부를 포함하는 상기 제1 중첩 영역을 커버하며, 상기 접착 포인트는 또한 각각의 상기 적어도 하나의 제1 광폭부에 위치하고, 상기 N은 M보다 작고 각각의 상기 적어도 하나의 제1 광폭부의 개수보다 크거나 같으며; 상기 패키징층은 상기 접착 포인트의 표면을 커버하는 것을 특징으로 하는 태양광 모듈.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 N은 각각의 상기 적어도 하나의 제2 광폭부의 개수보다 작거나 같은 것을 특징으로 하는 태양광 모듈.
  12. 제10항에 있어서,
    2≤N≤20인 것을 특징으로 하는 태양광 모듈.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 패키징층은 상기 제2 그리드 라인의 표면에 위치하고, 상기 제2 표면에 대응되는 상기 용접 리본과 상기 패키징층 사이는 직접 접촉되며, 상기 제2 표면에는 상기 접착 포인트가 설치되지 않는 것을 특징으로 하는 태양광 모듈.
  14. 태양광 모듈의 제조 방법으로서,
    복수의 전지 시트 및 용접 리본을 제공하는 단계;
    상기 용접 리본과 상기 전지 시트에 대해 용접 처리를 수행하여 상기 용접 리본과 상기 제1 그리드 라인 사이 및 상기 용접 리본과 상기 제2 그리드 라인 사이에 합금층이 형성되도록 하고, 상기 용접 처리를 거친 상기 전지 시트 및 상기 용접 리본이 적어도 하나의 전지 스트링을 구성하는 단계;
    상기 적어도 하나의 전지 스트링을 커버하는 적어도 하나의 패키징층과, 상기 적어도 하나의 패키징층을 커버하는 적어도 하나의 커버 플레이트를 제공하는 단계; 및
    상기 적어도 하나의 전지 스트링, 상기 적어도 하나의 패키징층 및 상기 적어도 하나의 커버 플레이트에 대해 적층 처리를 수행하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양광 모듈의 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    동일한 상기 용접 리본과 상기 제1 그리드 라인 사이에는 M개의 제1 중첩 영역이 구비되고; 용접 처리를 수행한 후, 상기 전지 시트의 제1 표면에 N개의 접착 포인트가 구비되도록 상기 전지 시트의 상기 제1 중첩 영역의 일부에 대해 디스펜싱 처리를 수행하는 단계를 더 포함하되, 각각의 상기 접착 포인트는 적어도 모든 상기 제1 광폭부를 포함하는 상기 제1 중첩 영역을 커버하고, 상기 접착 포인트는 또한 각각의 상기 적어도 하나의 제1 광폭부에 위치하며, 상기 N은 M보다 작고 상기 적어도 하나의 제1 광폭부의 개수보다 크거나 같은 것을 특징으로 하는 태양광 모듈의 제조 방법.
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