CN116632026A - 改善光串扰的显示面板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本公开提供了一种改善光串扰的显示面板及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该显示面板包括：基板、光阻挡结构和多个LED芯粒，所述多个LED芯粒间隔排布在所述基板上，相邻的所述LED芯粒之间设有所述光阻挡结构。本公开实施例能改善LED芯粒之间光串扰的问题，提升显示面板的显示效果。
Description
技术领域
本公开涉及光电子制造技术领域，特别涉及一种改善光串扰的显示面板及其制备方法。
背景技术
LED(英文：Light Emitting Diode，中文：发光二极管)显示面板具有色域广、发光效率高、响应速度快、工作温度范围宽等优点，被广泛地应用在高端显示、平板显示背光源和照明领域。
相关技术中，显示面板是通过若干LED芯粒阵列排布在基板上所形成的LED面板。
由于显示面板中LED芯粒的排布密度逐渐增大，LED芯粒之间的分布间距会逐渐缩小。LED芯粒之间相距较近且若未设置有效的隔断，LED芯粒之间的光会相互串扰，从而显示面板的显示质量产生影响，让显示面板的显示品质下降。
发明内容
本公开实施例提供了一种改善光串扰的显示面板及其制备方法，能改善LED芯粒之间光串扰的问题，提升显示面板的显示效果。所述技术方案如下：
一方面，本公开实施例提供了一种显示面板，所述显示面板包括：基板、光阻挡结构和多个LED芯粒，所述多个LED芯粒间隔排布在所述基板上，相邻的所述LED芯粒之间设有所述光阻挡结构。
可选地，所述LED芯粒具有出光面，所述出光面远离所述基板；所述光阻挡结构位于所述LED芯粒的侧壁，所述光阻挡结构位于所述LED芯粒的侧壁上靠近所述出光面的区域。
可选地，所述LED芯粒包括依次层叠的衬底、键合层和外延层，所述衬底远离所述基板；所述衬底的边缘区域具有环形槽，所述环形槽的深度不超过所述衬底的厚度，所述光阻挡结构位于所述环形槽的侧壁和所述环形槽的槽底上。
可选地，所述LED芯粒包括依次层叠的衬底、键合层和外延层，所述衬底远离所述基板；所述光阻挡结构至少位于在所述衬底的侧壁和所述键合层的侧壁上。
可选地，所述光阻挡结构与所述基板相连，且与所述多个LED芯粒位于所述基板的同一侧面，所述光阻挡结构呈网状，各所述LED芯粒位于所述光阻挡结构的不同网格中。
可选地，所述光阻挡结构包括不透光材料层或反射层。
可选地，所述不透光材料层为金属层，所述金属层包括依次层叠的第一Ti层、Al层、第二Ti层和Au层，所述第一Ti层的厚度为1nm至5nm，所述Al层的厚度为80nm至150nm，所述第二Ti层的厚度为30nm至100nm，所述Au层的厚度为150nm至250nm；或者，所述不透光材料层为环氧树脂材料层。
可选地，所述反射层包括交替层叠的氧化钛层和氧化硅层，所述氧化钛层的厚度为50nm至100nm，所述氧化硅层的厚度为50nm至100nm。
另一方面，本公开实施例还提供了一种显示面板的制备方法，所述制备方法包括：将多个LED芯粒固定在基板上，使所述多个LED芯粒间隔排布在所述基板上，相邻的所述LED芯粒之间设有光阻挡结构。
可选地，所述将多个芯粒固定在基板上包括：提供一晶圆，所述晶圆包括位于同一衬底上的多个所述LED芯粒；在所述衬底上远离所述LED芯粒的表面形成槽体，所述槽体位于相邻的两个所述LED芯粒之间；在所述槽体内形成光阻挡材料；从所述槽体处切割所述衬底，形成多个单颗LED芯粒，位于所述LED芯粒的侧壁上靠近出光面的区域的所述光阻挡材料构成光阻挡结构；将多个所述LED芯粒焊接固定排列在所述基板上。
本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
本公开实施例提供的显示面板包括间隔排布在基板上的多个LED芯粒，在相邻的LED芯粒之间还设置有光阻挡结构，光阻挡结构能阻挡光线透过，这样LED芯粒发出的光线从LED芯粒的四周出光时，通过相邻LED芯粒之间的光阻挡结构能对光遮挡，防止从LED芯粒出射的光线相互散射，改善了LED芯粒之间的光串扰问题，提升显示面板的图像显示的对比度和清晰度。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本公开实施例提供的一种显示面板的局部结构示意图；
图2是本公开实施例提供的一种显示面板的局部结构示意图；
图3是本公开实施例提供的一种显示面板的局部结构示意图；
图4是本公开实施例提供的一种显示面板的制备状态示意图；
图5是本公开实施例提供的一种显示面板的制备状态示意图。
图中个标记说明如下：
10、基板；
20、光阻挡结构；
30、LED芯粒；31、衬底；310、环形槽；311、槽体；32、键合层；33、外延层；331、p型GaP层；332、有源层；333、n型AlGaInP层；
40、绝缘层；
51、第一电极；52、第二电极；
60、蓝膜。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”、“第三”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“底”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则所述相对位置关系也可能相应地改变。
图1是本公开实施例提供的一种显示面板的局部结构示意图。如图1所示，该显示面板包括：基板10、光阻挡结构20和多个LED芯粒30，多个LED芯粒30间隔排布在基板10上，相邻的LED芯粒30之间设有光阻挡结构20。
本公开实施例提供的显示面板包括间隔排布在基板10上的多个LED芯粒30，在相邻的LED芯粒30之间还设置有光阻挡结构20，光阻挡结构20能阻挡光线透过，这样LED芯粒30发出的光线从LED芯粒30的四周出光时，通过相邻LED芯粒30之间的光阻挡结构20能对光遮挡，防止从LED芯粒30出射的光线相互散射，改善了LED芯粒30之间的光串扰问题，提升显示面板的图像显示的对比度和清晰度。
本公开实施例中，基板10可以是用于与外部电源连接，以向各LED芯粒30通电的电路板。
示例性地，基板10可以是印制电路板(Printed Circuit Board，简称PCB)。
示例性地，基板10可以是驱动背板，驱动背板包括衬底基板和多个驱动电路，多个驱动电路阵列排布于衬底基板上。驱动电路与对应的至少一个LED芯粒连接。这样，LED芯粒就可以在所连接的驱动电路的驱动下发光。
本公开实施例中，驱动背板可以为TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)基板，驱动背板上的每个驱动电路包括1个TFT，用于控制所连接的LED芯粒发光。
其中，驱动电路与LED芯粒的电极电连接。
示例性地，衬底基板的制作材料可以是玻璃、石英、塑料等。
可选地，光阻挡结构20为不透光材料结构。采用不透光的材料作为光阻挡结构20能遮挡LED芯粒30从四周出射的光线，以避免LED芯粒30之间出现光串扰的问题，提升显示面板的显示效果。
在本公开的第一种实现方式中，如图1所示，LED芯粒30具有出光面，出光面远离基板10，光阻挡结构20位于LED芯粒30的侧壁，光阻挡结构20位于LED芯粒30的侧壁上靠近出光面的区域。
通过将光阻挡结构20设置在LED芯粒30的侧壁上，让光阻挡结构20包覆LED芯粒30能有效阻挡LED芯粒30的侧向出光。同时，光阻挡结构20设置在LED芯粒30的侧壁上靠近出光面的区域，让光阻挡结构20在LED芯粒30出光的区域对光线进行更有效地阻挡，提升光阻挡结构20对LED芯粒30的侧向出光的遮挡效果。
可选地，如图1所示，LED芯粒30包括依次层叠衬底31、键合层32和外延层33，衬底31远离基板10。衬底31的边缘区域具有环形槽310，环形槽310的深度不超过衬底31的厚度，光阻挡结构20位于环形槽310的侧壁和环形槽310的槽底上。
通过沿衬底31的边缘设置环形槽310作为设置光阻挡结构20的承载台阶，使得光阻挡结构20搭接在环形槽310内，以更加稳固地固定在衬底31的边缘区域。
示例性地，衬底31可以是蓝宝石衬底31。
可选地，蓝宝石衬底31的厚度可以是60μm至80μm。作为一种示例，蓝宝石衬底31的厚度可以是70μm。
通过将蓝宝石衬底31的厚度设置在上述范围内，能有效增加LED芯粒30的出光量，从而增加LED芯粒30的亮度。同时，该厚度范围的蓝宝石衬底31更易散热，有利于提升LED芯粒30的可靠性。
可选地，环形槽310的槽深为40μm至50μm。环形槽310的槽深小于衬底31的厚度，这样环形槽310没有完全贯通衬底31，即环形槽310没有露出键合层32，防止刻穿蓝宝石衬底31而影响到外延结构，干扰LED芯粒的发光效果。
可选地，环形槽310的槽深与蓝宝石衬底31的厚度之比可以是0.5至0.83。这样能形成足够深的环形槽，使得光阻挡结构能充分覆盖衬底的边缘，以遮挡从衬底边缘侧向出射的光线。
并且，环形槽的深度超过衬底的厚度至一半，能有效削弱衬底的强度，方便从环形槽的所在位置对衬底进行切割分裂，形成多个单独的LED芯粒。
可选地，键合层32可以包括依次层叠的氧化铝层和氧化硅层，键合层32位于衬底31和外延层33之间。
本公开实施例中，如图1所示，外延层33可以包括依次层叠于键合层32上的p型GaP层331、有源层332和n型AlGaInP层333。
示例性地，p型GaP层331的厚度为5μm至8μm。
p型GaP层331的厚度，可以满足在p型GaP层331上进行p电极的制备的要求，并且厚度在此范围内的p型GaP层331整体的质量较好，可以保证p电极的稳定制备与连接，保证最终得到的红光发光二极管的发光效率。
可选地，有源层332设置为包括多个周期交替生长的AlGaInP阱层与AlGaInP垒层，AlGaInP阱层与AlGaInP垒层中Al的组分不同。
示例性地，有源层332的整体厚度可为150nm至200nm。
可选地，n型AlGaInP层333的厚度为1μm至2um。得到的发光二极管的质量较好。
本公开实施例中，如图1所示，LED芯粒30还可以包括绝缘层40、第一电极51和第二电极52。n型AlGaInP层333的表面具有露出p型GaP层331的凹槽，绝缘层40位于n型AlGaInP层333的表面、p型GaP层331和凹槽内。
如图1所示，绝缘层40具有分别露出p型GaP层331和n型AlGaInP层333的通孔，第一电极51和第二电极52均位于绝缘层40远离衬底31的表面。第一电极51通过通孔与p型GaP层331连接，第二电极52通过通孔与n型AlGaInP层333连接。
其中，第一电极51为p电极，p电极可以通过焊膏与基板10连接，以便于让第一电极51与外部电源连接。第二电极52为n电极，n电极可以通过焊膏与基板10连接，以便于让第二电极52与外部电源连接。
示例性地，p电极和n电极均包括依次层叠的Au层、Au层、GeNi层、Au层、Pt层和Au层，以保证电极的质量较好。
在本公开提供的其他实现方式中，电极的材料也可包括Cr、Au、Ge、Ni中的一种或多种，本公开对此不做限制。
示例性地，绝缘层40的材料为SixN。
绝缘层40的材料为SixN，具有良好的高介电常数与绝缘性，有效避免电极以及pn结出现漏电的可能，保证发光二极管的稳定使用，并有效降低漏电的可能性，提高发光二极管的可靠性。
可选地，绝缘层40的材料为SixN的前提下，绝缘层40的厚度可为300nm至500nm。
绝缘层40的厚度在以上范围内，可以更有效地避免pn结漏电以及p电极与n型AlGaInP层333产生接触的可能性，提高LED芯粒30的稳定性。
可选地，光阻挡结构20包括金属层或反射层。
在一种实现方式中，金属层包括依次层叠在衬底的表面上的第一Ti层、Al层、第二Ti层和Au层。
例如，金属层位于环形槽中时，金属层中的第一Ti层覆盖在环形槽的侧壁和环形槽的槽底上，Al层则覆盖在第一Ti层的表面上，第二Ti层覆盖在Al层的表面上，Au层覆盖在第二Ti层的表面上。
由于金属能良好地反射光线，且金属不透光，因此，将光阻挡结构20设置为金属层能有效阻挡LED芯粒30的侧向出光，且通过金属层反射光，能让更多的光从LED芯粒30的出光面出射，从而提升显示面板的亮度。
示例性地，第一Ti层的厚度为1nm至5nm。作为示例，第一Ti层的厚度为2nm。
示例性地，Al层的厚度为80nm至150nm。作为示例，Al层的厚度100nm。
示例性地，第二Ti层的厚度为30nm至100nm。作为示例，第二Ti层的厚度50nm。
示例性地，Au层的厚度为150nm至250nm。作为示例，Au层的厚度200nm。
在另一种实现方式中，反射层包括交替层叠的氧化钛层和氧化硅层。
反射层由交替层叠的多层氧化钛层和多层氧化硅层形成，使得反射层构成分布式布拉格反射镜(Distributed Bragg Reflection，简称DBR层)，DBR层能对光线进行良好的反射，有效阻挡LED芯粒30的侧向出光。
其中，且DBR层的周期数可以在20至50之间。例如，DBR层的周期数为32。
其中，DBR层中氧化硅层的厚度为50nm至100nm，氧化钛层的厚度为50nm至100nm。
在本公开的第二种实现方式中，图2是本公开实施例提供的一种显示面板的局部结构示意图。如图2所示，光阻挡结构20至少位于衬底31的侧壁和键合层32的侧壁上。
其中，光阻挡结构20为不透光材料层或反射层。
本公开实施例中，不透光材料层是指透光率在0至10％的膜层。
示例性地，光阻挡结构20为不透光材料层，且不透光材料层为不透光的环氧树脂材料层。
采用环氧树脂材料层作为光阻挡结构20能让从衬底31的侧面出射的光线被环氧树脂材料层吸收，使得光线只能从LED芯粒30的出光面出射，避免相邻的LED芯粒30出现光穿绕的问题。
上述实现方式中，LED芯粒30的具体结构参见图1示例的实施例部分，本公开实施例不做赘述。
相比于第一种实现方式，图2中示例的光阻挡结构20直接贴附在衬底31的侧面和键合层32的侧壁。这种设置光阻挡结构20的方式，让光阻挡结构20在LED芯粒30侧壁上的覆盖区域更大，以提升对LED芯粒30的侧向出光的阻挡效果，改善光串扰的问题。
其中，环氧树脂材料层可以通过涂覆的方式设在LED芯粒30的侧壁，因此，相比于在衬底31的表面刻蚀形成环形槽310，能大幅简化光阻挡结构20的制作流程，提升制备效率。
需要说明的是，光阻挡结构为反射层时，反射层的结构与前文所述的DBR层相同，本公开实施例不做赘述。
在本公开的第三种实现方式中，光阻挡结构20位于基板10上，且光阻挡结构20与多个LED芯粒30位于基板10的同一侧面。光阻挡结构20呈网状，各LED芯粒30位于光阻挡结构20的不同网格中。
图3是本公开实施例提供的一种显示面板的局部结构示意图。如图3所示，相邻的两个LED芯粒30之间设置有光阻挡结构20。
示例性地，网状的光阻挡结构20的网格与LED芯粒30一一对应。这样将LED芯粒30设置光阻挡结构20形成的网格中，能将相邻的LED芯粒30隔绝起来，以避免LED芯粒30的侧向出光相互干扰，改善LED芯粒30的光串扰问题。
可选地，光阻挡结构20包括不透光材料层或反射层。
示例性地，不透光材料层为金属层。光阻挡结构20可以是金属网状结构。由于金属能良好地反射光线，且金属不透光，因此，采用金属制作网状的光阻挡结构20，能对光线反射，让更多的光从LED芯粒30的出光面出射，从而提升显示面板的亮度。
可选地，网状的光阻挡结构20可以包括交替层叠的多层氧化钛层和多层氧化硅层。光阻挡结构20由交替层叠的多层氧化钛层和多层氧化硅层形成，使得光阻挡结构20构成DBR层，以对光线进行良好的反射，有效阻挡LED芯粒30的侧向出光。
可选地，网状的光阻挡结构20可以采用环氧树脂材料制作。
上述实现方式中，LED芯粒30的具体结构参见图1示例的实施例部分，本公开实施例不做赘述。
本公开实施例提供的一种显示面板的制备方法，该制备方法包括：将多个LED芯粒30固定在基板10上，使多个LED芯粒30间隔排布在基板10的上。
其中，相邻的LED芯粒30之间设有光阻挡结构20。
本公开实施例提供的显示面板制备方法制备的显示面板包括间隔排布在基板10上的多个LED芯粒30，在相邻的LED芯粒30之间还设置有光阻挡结构20，光阻挡结构20能阻挡光线透过，这样LED芯粒30发出的光线从LED芯粒30的四周出光时，通过相邻LED芯粒30之间的光阻挡结构20能对光遮挡，防止从LED芯粒30出射的光线相互散射，改善了LED芯粒30之间的光串扰问题，提升显示面板的图像显示的对比度和清晰度。
本公开实施例中，制备LED芯粒30的过程可以包括：
第一步，在GaAs衬底31上生长p型层。
其中，p型层可以是p型GaP层331，p型GaP层331表面掺杂浓度达到8×1020cm-3以上，在高掺杂下做p型欧姆接触层，在上表面进行粗化，并在粗化的表面以PVD法沉积Al2O3层和SiO2层的双层叠层结构，以形成键合层32。
其中，Al2O3层和SiO2层的厚度分别为0.5μm和3.5μm。
示例性地，p型GaP层331生长条件包括：生长温度670℃至680℃，厚度350nm至450nm，V/III为40-50，生长速率1.2nm/s-1.7nm/s，载流子浓度1～2e18。
上述实现方式中，对p型GaP层331的表面进行湿法粗化处理，可以减小p型GaP层331的表面处的漫反射，同时还可以提高p型GaP层331与键合层32之间的连接稳定性。
本公开实施例中，在形成键合层32后还包括：对GaAs片上远离键合层32的一面进行抛光减薄处理。
可以提高生长衬底31的表面平整度，以便于后续稳定键合。抛光的同时可以减薄GaAs片上的厚度，也可以便于GaAs片上的后续去除。
对GaAs片上抛光之后，可以在GaAs片上远离氧化硅膜层的一面贴上蓝膜60。蓝膜60起到支撑缓冲作用。
第二步，将沉积的键合层32表面进行抛光，使其平坦化。
第三步，将键合层32与蓝宝石衬底31进行键合。
其中，蓝宝石衬底31的厚度为70μm至100μm，通过湿法腐蚀去除GaAs衬底31。
第四步，p型层远离衬底31的表面形成有源层332和n型层。
其中，n型层为n型AlGaInP层333。有源层332包括多个周期交替生长的AlGaInP阱层与AlGaInP垒层，AlGaInP阱层与AlGaInP垒层中Al的组分不同。
示例性地，有源层332中AlGaInP阱层与AlGaInP垒层的生长条件包括：生长温度650℃至660℃，厚度20nm至22nm，V/III为40-50，生长速率1nm/s至2nm/s。能够得到质量较好的有源层332。
示例性地，n型AlGaInP层333的生长条件包括：生长温度670℃至680℃，厚度3μm至3.5μm，V/III为40-50，生长速率1.2nm/s至1.7nm/s，载流子浓度1～2e18。
第五步，在n型AlGaInP层333的表面刻蚀形成具有露出p型GaP层331的凹槽，并制作绝缘层40。
其中，绝缘层40位于n型AlGaInP层333的表面、p型GaP层331和凹槽内。绝缘层40具有分别露出p型GaP层331和n型AlGaInP层333的通孔。
第六步，在绝缘层40远离衬底31的表面上制作第一电极51和第二电极52。
其中，第一电极51通过通孔与p型GaP层331连接，第二电极52通过通孔与n型AlGaInP层333连接。
在执行上述制备方法后，还可以减薄衬底31并对发光二极管进行裂片处理。本公开对此不做限制。
需要说明的是，在本公开实施例中，采用VeecoK 465i or C4 or RB MOCVD(MetalOrganic Chemical Vapor Deposition，金属有机化合物化学气相沉淀)设备实现发光二极管外延层33的生长。采用高纯H2(氢气)或高纯N2(氮气)或高纯H2和高纯N2的混合气体作为载气，高纯NH3作为N源，三甲基镓(TMGa)及三乙基镓(TEGa)作为镓源，三甲基铟(TMIn)作为铟源，硅烷(SiH4)作为N-掺杂剂，三甲基铝(TMAl)作为铝源，二茂镁(CP2Mg)作为P-掺杂剂。
本公开实施例中，显示面板包括基板10及排列在基板10上的LED芯粒30。
在图1示意的实现方式中，将多个LED芯粒30固定在基板10上，使多个LED芯粒30间隔排布在基板10的上，可以包括：
首先，提供一晶圆。
其中，晶圆通过前文所述的制备LED芯粒的方法制备。
制备得到的晶圆还可以通过减薄机台配合上蜡工艺将蓝宝石衬底31减薄至60μm至80μm，以增加亮度并增加散热。
然后，图4是本公开实施例提供的一种显示面板的制备状态示意图。如图4所示，在衬底上远离LED芯粒的表面形成槽体，槽体位于相邻的两个LED芯粒之间。
具体可以包括：在蓝宝石衬底31位于两个LED芯粒30衔接的位置使用树酯刀片开设槽体311，槽体311的宽度为10μm至20μm，槽体311的深度为40μm至50μm。
接着，在槽体内形成光阻挡材料。
具体可以包括：将开出槽体311的多个LED芯粒30整体放入蒸镀机内蒸镀一层光阻挡结构20的制作材料。
然后，采用光刻和湿法腐蚀将槽体311之外区域的光阻挡结构20的制作材料去除，只保留槽体311的内壁上的光阻挡结构20的制作材料，以形成包覆在蓝宝石衬底31的侧壁上的光阻挡结构20。
在一种实现方式中，光阻挡结构20可以包括依次层叠在槽体的侧壁和槽体的槽底上的第一Ti层、Al层、第二Ti层和Au层。
例如，第一Ti层覆盖在槽体的侧壁和槽体的槽底上，Al层则覆盖在第一Ti层的表面上，第二Ti层覆盖在Al层的表面上，Au层覆盖在第二Ti层的表面上。
示例性地，第一Ti层的厚度为1nm至5nm。作为示例，第一Ti层的厚度为2nm。
示例性地，Al层的厚度为80nm至150nm。作为示例，Al层的厚度100nm。
示例性地，第二Ti层的厚度为30nm至100nm。作为示例，第二Ti层的厚度50nm。
示例性地，Au层的厚度为150nm至250nm。作为示例，Au层的厚度200nm。
在另一种实现方式中，光阻挡结构20为反射层，反射层可以包括交替层叠的多层氧化钛层和多层氧化硅层。反射层构成DBR层，能对光线进行良好的反射，有效阻挡LED芯粒30的侧向出光。
其中，且DBR层的周期数可以在20至50之间。例如，DBR层的周期数为32。
其中，DBR层中氧化硅层的厚度为50nm至100nm，氧化钛层的厚度为50nm至100nm。
接着，从槽体处切割衬底，形成多个单颗LED芯粒。
其中，各LED芯粒的光阻挡材料位于LED芯粒的侧壁上靠近出光面的区域。
具体可以包括：通过激光隐形切割与裂片技术沿槽体311对LED芯粒30进行分离形成单颗LEDLED芯粒30。
最后，将多个LED芯粒焊接固定排列在基板上。
具体可以包括：将LED芯粒30用sn焊膏焊接固定排列在基板10上，完成显示面板的制备。
通过大量的实验表明，当蓝宝石衬底31厚度为60μm至80μm，槽体311的宽度为10μm至20μm，槽体311的深度为40μm至50μm时，制备的LEDLED芯粒30出光效率高、散热效果好。并且既可以保证能在槽体311的内壁上均匀蒸镀光阻挡结构20的制备材料，又能够有效降低显示面板的像素级之间的光串扰，从而提升图像显示的对比度和清晰度。
在图2示意的实现方式中，蓝宝石衬底31厚度为60μm至80μm，蓝宝石衬底31的侧壁和键合层32的侧壁涂覆有环氧树脂材料层或者不透光材料层，以形成光阻挡结构20。
可选地，将多个LED芯粒30固定在基板10上，使多个LED芯粒30间隔排布在基板10的上，可以包括：
首先，通过减薄机台配合上蜡工艺将蓝宝石衬底31减薄到60μm至80μm，以增加亮度并增加散热。
然后，如图5所示，通过激光隐形切割与裂片技术将芯片层分割形成多个LED芯粒30，并将多个LED芯粒30的蓝宝石衬底31朝向蓝膜60，让多个LED芯粒30粘接在蓝膜60上。
接着，对粘接LED芯粒30的蓝膜60进行扩膜处理，扩膜倍率1～1.5倍。
然后，将蓝膜60及LED芯粒30整体置于旋涂机的旋涂腔体内，在各LED芯粒30的蓝宝石衬底31的侧壁和键合层32的侧壁涂覆一层环氧树脂材料层。
具体可以包括：使用plasma技术去除蓝宝石衬底31的表面上的环氧树脂材料，再高温烘烤固化。
这样从LED芯粒30出射的光在蓝宝石衬底31侧面被环氧树脂材料层吸收，只有蓝宝石衬底31的出光面出光，这样可有效降低光在相邻两颗LED芯粒30间的光串扰，从而提升图像显示的对比度和清晰度。
最后，通过倒膜、固晶，将各LED芯粒30用sn焊膏焊接固定排列在基板10上，完成显示面板的制备。
在图3示意的实现方式中，光阻挡结构20呈网状，各LED芯粒30位于光阻挡结构20的不同网格中。蓝宝石衬底31的厚度为60μm至80μm。
可选地，将多个LED芯粒30固定在基板10上，使多个LED芯粒30间隔排布在基板10的上，可以包括：
首先，通过减薄机台配合上蜡工艺将蓝宝石衬底31减薄到60μm至80μm，以增加亮度并增加散热。
然后，通过激光隐形切割与裂片技术将芯片层分割形成多个LED芯粒30。
接着，在基板10上形成网状的光阻挡结构20。
具体可以包括：在基板上形成掩膜板，采用蒸镀的方式通过掩膜板在基板的表面形成网状的膜层，以得到网状的光阻挡结构。
可选地，光阻挡结构20可以是金属网状结构。光阻挡结构20可以降低显示面板的LED芯粒30之间的光串扰，从而提升图像显示的对比度和清晰度。
需要说明的是，网状的光阻挡结构20也可以采用其他材料制备，本公开实施例不作限制。
最后，将各LED芯粒30用sn焊膏焊接固定排列在基板10上，让各LED芯粒30处于光阻挡结构20的网格中。
以上所述仅为本公开的可选实施例，并不用以限制本公开，凡在本公开的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：基板(10)、光阻挡结构(20)和多个LED芯粒(30)，所述多个LED芯粒(30)间隔排布在所述基板(10)上，相邻的所述LED芯粒(30)之间设有所述光阻挡结构(20)。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述LED芯粒(30)具有出光面，所述出光面远离所述基板(10)；
所述光阻挡结构(20)位于所述LED芯粒(30)的侧壁，所述光阻挡结构(20)位于所述LED芯粒(30)的侧壁上靠近所述出光面的区域。
3.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，所述LED芯粒(30)包括依次层叠的衬底(31)、键合层(32)和外延层(33)，所述衬底(31)远离所述基板(10)；
所述衬底(31)的边缘区域具有环形槽(310)，所述环形槽(310)的深度不超过所述衬底(31)的厚度，所述光阻挡结构(20)位于所述环形槽(310)的侧壁和所述环形槽(310)的槽底上。
4.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，所述LED芯粒包括依次层叠的衬底(31)、键合层(32)和外延层(33)，所述衬底(31)远离所述基板(10)；
所述光阻挡结构至少位于在所述衬底(31)的侧壁和所述键合层(32)的侧壁上。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述光阻挡结构(20)与所述基板(10)相连，且与所述多个LED芯粒(30)位于所述基板(10)的同一侧面，所述光阻挡结构(20)呈网状，各所述LED芯粒(30)位于所述光阻挡结构(20)的不同网格中。
6.根据权利要求1、2和5任一项所述的显示面板，其特征在于，所述光阻挡结构(20)包括不透光材料层或反射层。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述不透光材料层为金属层，所述金属层包括依次层叠的第一Ti层、Al层、第二Ti层和Au层，所述第一Ti层的厚度为1nm至5nm，所述Al层的厚度为80nm至150nm，所述第二Ti层的厚度为30nm至100nm，所述Au层的厚度为150nm至250nm；或者，
所述不透光材料层为环氧树脂材料层。
8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述反射层包括交替层叠的氧化钛层和氧化硅层，所述氧化钛层的厚度为50nm至100nm，所述氧化硅层的厚度为50nm至100nm。
9.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：将多个LED芯粒固定在基板上，使所述多个LED芯粒间隔排布在所述基板上，相邻的所述LED芯粒之间设有光阻挡结构。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述将多个芯粒固定在基板上包括：
提供一晶圆，所述晶圆包括位于同一衬底上的多个所述LED芯粒；
在所述衬底上远离所述LED芯粒的表面形成槽体，所述槽体位于相邻的两个所述LED芯粒之间；
在所述槽体内形成光阻挡材料；
从所述槽体处切割所述衬底，形成多个单颗LED芯粒，位于所述LED芯粒的侧壁上靠近出光面的区域的所述光阻挡材料构成光阻挡结构；
将多个所述LED芯粒焊接固定排列在所述基板上。
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