CN116623287A - Cvd成膜装置和cvd成膜方法 - Google Patents

Cvd成膜装置和cvd成膜方法 Download PDF

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曹建伟
朱亮
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Abstract

本发明公开了一种CVD成膜装置和CVD成膜方法，所述CVD成膜装置包括壳体、进气管道、承载台、多个第一加热装置和第二加热装置，所述壳体具有腔室以及与所述腔室连通的进气口和排气口，所述承载台可转动地与所述壳体连接，所述承载台设于所述进气管道远离所述进气口的一侧，所述承载台上具有用于放置衬底的承载面，所述进气管道的另一端朝向所述承载面设置，多个所述第一加热装置沿所述进气管道的延伸方向间隔布置，任意相邻两个所述第一加热装置中，远离所述进气口的所述第一加热装置的加热功率大于靠近所述进气口的所述第一加热装置的加热功率，所述第二加热装置设于所述腔室内以用于加热所述衬底。本发明实施例的CVD成膜装置具有成膜质量高等优点。

Description

CVD成膜装置和CVD成膜方法
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种CVD成膜装置和CVD成膜方法。
背景技术
用于制备碳化硅薄膜材料的CVD设备是一种集真空、高温等技术为一体的高科技装备。具体地，将衬底置于常压或负压的反应室中，在工艺过程中一边加热衬底，一边将工艺气体通过进气通道从反应室的上部供给至反应室，工艺气体进入反应室内在衬底的表面发生的热反应，以使衬底的表面形成外延单晶膜。
相关技术中，由于工艺气体进入进气通道时的温度已经达到了其反应温度，导致工艺气体易在反应室上方的进气通道内生成碳化硅结晶，掉落在衬底表面而影响成膜质量。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
为此，本发明的实施例提出一种成膜质量高的CVD成膜装置；
本发明的实施例提出一种成膜质量高的CVD成膜方法。
本发明实施例的CVD成膜装置包括壳体、进气管道、承载台、多个第一加热装置和第二加热装置，所述壳体具有腔室以及与所述腔室连通的进气口和排气口；所述进气管道设于所述腔室内，所述进气管道的一端与所述进气口连通；所述承载台设于所述腔室内，所述承载台可转动地与所述壳体连接，所述承载台设于所述进气管道远离所述进气口的一侧，所述承载台上具有用于放置衬底的承载面，所述进气管道的另一端朝向所述承载面设置；
多个所述第一加热装置沿所述进气管道的延伸方向间隔布置，任意相邻两个所述第一加热装置中，远离所述进气口的所述第一加热装置的加热功率大于靠近所述进气口的所述第一加热装置的加热功率；所述第二加热装置设于所述腔室内以用于加热所述衬底。
在一些实施例中，所述进气管道为文丘里管。
在一些实施例中，本发明实施例的CVD成膜装置还包括第一隔热件，所述第一隔热件设于所述壳体和所述第一加热装置之间，所述第一隔热件环绕所述第一加热装置布置。
在一些实施例中，本发明实施例的CVD成膜装置还包括第一支撑筒，所述第一支撑筒与所述壳体连接，所述第一隔热件设于所述第一支撑筒内，所述第一隔热件与所述第一支撑筒连接；
所述进气管道与所述第一隔热件连接，所述进气管道与所述第一隔热件之间限定出加热空间，所述第一加热装置设于所述加热空间内。
在一些实施例中，所述壳体内设有第一挡止部，所述第一支撑筒上设有第二挡止部，所述第二挡止部沿所述进气管道的延伸方向止抵于所述第一挡止部；和/或
所述第一隔热件上设有第三挡止部，所述进气管道上设有第四挡止部，所述第四挡止部沿所述进气管道的延伸方向止抵于所述第三挡止部。
在一些实施例中，本发明实施例的CVD成膜装置还包括连接筒、第二支撑筒和磁性液体，，所述连接筒可转动地与所述壳体相连，所述承载台与所述连接筒连接，所述承载台与所述连接筒之间限定出容纳腔；所述第二支撑筒的至少一部分设于所述容纳腔内，所述第二支撑筒与所述壳体相对静止，所述第二支撑筒和所述连接筒之间限定出密封腔；所述磁性液体设于所述密封腔内；其中，所述第二加热装置设于所述容纳腔内，且所述第二加热装置与所述第二支撑筒连接。
在一些实施例中，本发明实施例的CVD成膜装置还包括第一极靴、第二极靴和第一永磁体，所述第一极靴和所述第二极靴中的每一者设在所述密封腔内且套设在所述第二支撑筒上，所述第一极靴在所述连接筒的径向上与所述连接筒间隔开以形成第一密封间隙，所述第二极靴在所述连接筒的径向上与所述连接筒间隔开以形成第二密封间隙，所述第一密封间隙和所述第二密封间隙中的每一者内填充有磁性液体；
所述第一永磁体设在所述密封腔，所述第一永磁体在所述第二支撑筒的轴向上位于所述第一极靴和所述第二极靴之间。
在一些实施例中，本发明实施例的CVD成膜装置还包括支撑件和第二隔热件，所述支撑件设于所述容纳腔内，所述支撑件与所述第二支撑筒连接；
所述第二隔热件设于所述容纳腔内，所述第二隔热件设于所述第二加热装置和所述支撑件之间，所述第二隔热件与所述支撑件相连。
本发明实施例的CVD成膜方法，采用上述任一实施例中所述的CVD成膜装置实施，所述CVD成膜方法包括：
衬底放置在所述承载面上；
利用所述第二加热装置对所述衬底进行加热；
通过所述进气口向所述腔室内通工艺气体；
利用多个第一加热装置对所述进气管道进行加热，使得所述进气管道内工艺气体的温度沿远离所述进气口的方向逐渐增加，且所述进气管道的邻近所述进气口一端的温度低于所述工艺气体的反应温度。
在一些实施例中，所述进气管道的邻近所述进气口一端的温度为350℃-450℃；所述进气管道的远离所述进气口一端的温度为1450℃-1550℃。
本发明实施例的CVD成膜装置在工作过程中，工艺气体从进气口进入进气管道内，在进气管道内被第一加热装置进行加热，由于多个第一加热装置沿从上至下的方向加热功率逐渐增大，将进气管道靠近进气口的位置处的加热温度设置较小，将进气管道远离进气口的位置处的加热温度设置较大，从而使得第一加热装置可以对进气管道内的工艺气体进行梯级加热，使得进气管道的上部分对工艺气体进行预加热，进气管道的下部分将工艺气体加热至反应温度，可以防止工艺气体在进气管道内过早达到反应温度，产生碳化硅结晶而掉落在衬底上，影响衬底的成膜质量，使得本发明实施例的CVD成膜装置成膜质量高。
因此，本发明实施例的成膜装置具有成膜质量高等优点。
附图说明
图1是本发明实施例的CVD成膜装置的剖视图。
图2是图1中局部结构放大图。
附图标记：
壳体1；腔室101；进气口102；排气口103；取片口104；
进气管道2；第四挡止部201；
承载台3；承载面301；
第一加热装置4；
第二加热装置5；
第一隔热件6；第三挡止部601；
第一支撑筒7；
加热空间8；
连接筒9；
容纳腔10；
第二支撑筒11；
支撑件12；
第二隔热件13；
第三隔热件14；
反射片15；
升降杆16；
安装板17；
顶针18；
均流板19；均流孔1901
密封腔20。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
下面参照附图来详细描述本申请的技术方案。
如图1至图2所示，本发明实施例的CVD成膜装置包括壳体1、进气管道2、承载台3、多个第一加热装置4和第二加热装置5。壳体1具有腔室101以及与腔室101连通的进气口102和排气口103，进气管道2设于腔室101内，进气管道2的一端与进气口102连通。承载台3设于腔室101内，承载台3可转动地与壳体1连接，承载台3设于进气管道2远离进气口102的一侧，承载台3上具有用于放置衬底的承载面301，进气管道2的另一端朝向承载面301设置。
多个第一加热装置4沿进气管道2的延伸方向间隔布置，任意相邻两个第一加热装置4中，远离进气口102的第一加热装置4的加热功率大于靠近进气口102的第一加热装置4的加热功率，第二加热装置5设于腔室101内以用于加热衬底。
如图1所示，进气口102位于壳体1的上端，排气口103位于壳体1的下端，进气管道2沿上下方向布置，第一加热装置4的数量可以为两个、三个或者更多个，多个第一加热装置4沿从上至下的方向间隔布置且加热功率逐渐增大。承载台3的承载面301位于进气管道2出口的正下方，第二加热装置5位于承载面301的下方，衬底放置在承载面301上，承载台3高速旋转以带动衬底高速旋转，第二加热装置5对放置在承载面301上的衬底进行加热。
本发明实施例的CVD成膜装置在工作过程中，工艺气体从进气口102进入进气管道2内，在进气管道2内被第一加热装置4进行加热，由于多个第一加热装置4沿从上至下的方向加热功率逐渐增大，从而使得第一加热装置4可以对进气管道2内的工艺气体进行梯级加热。例如，从上至下第一加热装置4对进气管道2内工艺气体的温度可以从400℃-1500℃呈梯级增加。
本领域技术人员可以理解的是，工艺气体的反应温度在1500℃左右，也就是说，将进气管道2靠近进气口102的位置处的加热温度设置较小，将进气管道2远离进气口102的位置处的加热温度设置较大，使得进气管道2的上部分对工艺气体进行预加热，进气管道2的下部分将工艺气体加热至反应温度，可以防止工艺气体在进气管道2内过早达到反应温度，产生碳化硅结晶而掉落在衬底上，影响衬底的成膜质量，使得本发明实施例的CVD成膜装置成膜质量高。
因此，本发明实施例的成膜装置具有成膜质量高等优点。
可选地，如图1所示，本发明实施例的CVD成膜装置还包括均流板19，均流板19上具有多个间隔布置的均流孔1901，均流板19设于进气口102与进气管道2之间。工艺气体进入进气管道2之前通过均流板19均流，使得工艺气体可以混合的较均匀，有利于工艺气体在衬底上成膜效果。
在一些实施例中，进气管道2为文丘里管。
可以理解的是，文丘里管的原理是把气流由粗变细，以加快气体流速，使气体在文丘里管出口的外圈形成一个低压区。通过将进气管道2设置成文丘里管，无需增加其他的加压设备，就可以提高工艺气体在进气管道2内的流动速率，从而有利于提高工艺气体在衬底上的成膜效率，使得进气管道2结构简单，节省成本。
可选地，第一加热装置4为加热带，加热带环绕进气管道2的外周一圈设置并与进气管道2相连，通过将第一加热装置4设置为加热带，有利于进气管道2内温度分布的均匀性，从而有利于提高对工艺气体加热的均匀性。
在一些实施例中，本发明实施例的CVD成膜装置还包括第一隔热件6，第一隔热件6设于壳体1和第一加热装置4之间，第一隔热件6环绕第一加热装置4布置。
例如，如图1所示，通过将第一隔热件6环绕第一加热装置4布置，一方面可以减少第一加热装置4产生的热量向外辐射而造成能量浪费，另一方面有利于保持进气管道2内的温度的稳定性，防止进气管道2内的温度产生波动而影响对工艺气体的加热效果。
在一些实施例中，本发明实施例的CVD成膜装置还包括第一支撑筒7，第一支撑筒7与壳体1连接，第一隔热件6设于第一支撑筒7内，第一隔热件6与第一支撑筒7连接。进气管道2与第一隔热件6连接，进气管道2与第一隔热件6之间限定出加热空间8，第一加热装置4设于加热空间8内。
例如，如图1所示，第一支撑筒7与壳体1的内壁相连，第一隔热件6为圆柱形，第一支撑筒7套设在第一隔热件6上并与第一隔热件6相连，通过设置第一支撑筒7，使得第一隔热件6安装方便。
可选地，壳体1内设有第一挡止部(图中未示出)，第一支撑筒7上设有第二挡止部(图中未示出)，第二挡止部沿进气管道2的延伸方向止抵于第一挡止部。
例如，第一挡止部设在壳体1的内壁上，并沿第一支撑筒7的径向向靠近第一支撑筒7的方向延伸，第二挡止部设在第一支撑筒7的外壁上，并沿所述第一支撑筒7的径向向靠近壳体1的方向延伸，第二挡止部沿从上至下的方向止抵在第一挡止部上，从而完成的第一支撑筒7的安装，从而使得第一支撑筒7安装方便。
可选地，第一隔热件6上设有第三挡止部601，进气管道2上设有第四挡止部201，第四挡止部201沿进气管道2的延伸方向止抵于第三挡止部601。
例如，如图1所示，第一隔热件6的上端面形成第三挡止部601，第四挡止部201沿进气管道2的径向向靠近第一隔热件6的方向凸出设置，第四挡止部201沿从上至下方向搭接在第三挡止部601上，从而完成了进气管道2的安装，从而使得进气管道2安装方便。
在一些实施例中，本发明实施例的CVD成膜装置还包括连接筒9、第二支撑筒11和磁性液体。连接筒9可转动地与壳体1相连，承载台3与连接筒9连接，承载台3与连接筒9之间限定出容纳腔10，第二支撑筒11的至少一部分设于容纳腔10内。第二支撑筒11与壳体1相对静止，第二支撑筒11和连接筒9之间限定出密封腔20，磁性液体设于密封腔20内，其中，第二加热装置5设于容纳腔10内，且第二加热装置5与第二支撑筒11连接。
例如，如图1和图2所示，连接筒9沿上下方向布置，连接筒9与壳体1之间设有滚动轴承，连接筒9绕其轴线可转动地与壳体1相连，连接筒9套设在第二支撑筒11上，第二加热装置5与第二支撑筒11相连以对衬底进行加热。连接筒9和第一支撑筒7之间的密封腔20内通过设置磁性液体进行密封，有利于提高连接筒9与第二支撑筒11之间的密封性。本发明实施例的CVD成膜装置还包括驱动电机，在驱动电机和连接筒9之间设置带轮组件来驱动连接筒9转动，连接筒9转动带动承载台3转动，承载台3带动衬底转动，流向衬底表面的工艺气体被高速旋转的衬底带动进一步混合，使得工艺气体可以在衬底的表面均匀地发生热反应，进一步有利于提高衬底生成外延薄膜的质量。
在一些实施例中，本发明实施例的CVD成膜装置还包括第一极靴(图中未示出)、第二极靴(图中未示出)和第一永磁体(图中未示出)。第一极靴和第二极靴中的每一者设在密封腔20内且套设在第二支撑筒11上，第一极靴在连接筒9的径向上与连接筒9间隔开以形成第一密封间隙，第二极靴在连接筒9的径向上与连接筒9间隔开以形成第二密封间隙，第一密封间隙和第二密封间隙中的每一者内填充有磁性液体。第一永磁体设在密封腔20内，第一永磁体在第二支撑筒11的轴向上位于第一极靴和第二极靴之间。
例如，第一极靴和第二极靴中的每一者位于密封腔20内，第一极靴位于第二极靴的上方。第一极靴的内周面与第二支撑筒11的外周面相连，第一极靴的外周面与连接筒9的内周面之间形成第一密封间隙，第二极靴的内周面与第二筒体的外周面相连，第二极靴的外周面与连接筒9的内周面孩之间形成第二密封间隙，第一密封间隙和第二密封间隙内均填充有磁性液体。第一永磁体在上下方向上位于第一极靴和第二极靴中间，以使第一永磁体、第一极靴、磁性液体、第二支撑筒11和第二极靴形成磁回路，磁性液体在磁场的作用下吸附在第一密封间隙和第二密封间隙内，并与第二支撑筒11相接触以实现密封作用。
在一些实施例中，本发明实施例的CVD成膜装置还包括支撑件12和第二隔热件13，支撑件12设于容纳腔10内，支撑件12与第二支撑筒11连接，第二隔热件13设于容纳腔10内，第二隔热件13设于第二加热装置5和支撑件12之间，第二隔热件13与支撑件12相连。
例如，如图1和图2所示，本发明实施例的CVD成膜装置还包括安装板17，安装板17固定安装在第二支撑筒11的上端面上，支撑件12为支撑柱，支撑柱的数量为多个，多个支撑柱间隔布置在安装板17上，第二隔热件13设置在支撑柱的上端，第二加热装置5位于第二隔热件13的上方，防止第二加热装置5产生的热量向下辐射而损失，从而影响对衬底的加热温度。
可选地，本发明实施例的CVD成膜装置还包括第三隔热件15，所述第三隔热件15安装在所述壳体1内并环绕所述承载台3设置，所述第三隔热件15与所述承载台3之间间隔布置，以使所述第三隔热件15与所述承载台3之间限定出排气通道，排气口103与排气通道连通。
可选地，本发明实施例的CVD成膜装置还包括反射片15，反射片15位于容纳腔10内并与支撑件12相连，反射片15位于承载面301和第二加热装置5之间，反射片15能够将第二加热装置5产生的热量反射至衬底上。
例如，反射片15为镀了碳化硅的石墨片，通过在承载面301和第二加热装置5之间设置反射片15，有利于提高对衬底的加热效果。
可选地，本发明实施例的CVD成膜装置还包括升降杆16和顶针18，升降杆16沿上下方向可移动地与支撑件12相连，顶针18与升降杆16相连，第二隔热件13上具有供顶针18穿过的第一避让孔，第二加热装置5上具有供顶针18穿过的第二避让孔，反射片15上具有供顶针18穿过的第三避让孔，承载面上具有供顶针穿过的第四避让孔。当衬底成膜结束后，通过移动升降杆16使顶针18将衬底顶起，方便通过壳体1上的取片口104将衬底取出，从而进行下一个衬底的成膜工艺。
本发明实施例的CVD成膜方法，采用上述任一实施例中CVD成膜装置实施，CVD成膜方法包括：
衬底放置在承载面301上；
利用第二加热装置5对衬底进行加热；
通过进气口102向腔室101内通工艺气体；
利用多个第一加热装置4对进气管道2进行加热，使得进气管道2内工艺气体的温度沿远离进气口102的方向逐渐增加，且进气管道2的邻近进气口102一端的温度低于工艺气体的反应温度。
因此，本发明实施例的CVD成膜方法具有成膜质量高等优点。
在一些实施例中，进气管道2的邻近进气口102一端的温度为350℃-450℃，进气管道2的远离进气口102一端的温度为1450-1550℃。
例如，进气管道2的邻近进气口102一端的温度为400℃，进气管道2的远离进气口102一端的温度为1500℃。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接或彼此可通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本发明中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管已经示出和描述了上述实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域普通技术人员对上述实施例进行的变化、修改、替换和变型均在本发明的保护范围内。

Claims (10)

1.一种CVD成膜装置，其特征在于，包括：
壳体(1)，所述壳体(1)具有腔室(101)以及与所述腔室(101)连通的进气口(102)和排气口(103)；
进气管道(2)，所述进气管道(2)设于所述腔室(101)内，所述进气管道(2)的一端与所述进气口(102)连通；
承载台(3)，所述承载台(3)设于所述腔室(101)内，所述承载台(3)可转动地与所述壳体(1)连接，所述承载台(3)设于所述进气管道(2)远离所述进气口(102)的一侧，所述承载台(3)上具有用于放置衬底的承载面(301)，所述进气管道(2)的另一端朝向所述承载面(301)设置；
多个第一加热装置(4)，多个所述第一加热装置(4)沿所述进气管道(2)的延伸方向间隔布置，任意相邻两个所述第一加热装置(4)中，远离所述进气口(102)的所述第一加热装置(4)的加热功率大于靠近所述进气口(102)的所述第一加热装置(4)的加热功率；和
第二加热装置(5)，所述第二加热装置(5)设于所述腔室(101)内以用于加热所述衬底。
2.根据权利要求1所述的CVD成膜装置，其特征在于，所述进气管道(2)为文丘里管。
3.根据权利要求1所述的CVD成膜装置，其特征在于，还包括第一隔热件(6)，所述第一隔热件(6)设于所述壳体(1)和所述第一加热装置(4)之间，所述第一隔热件(6)环绕所述第一加热装置(4)布置。
4.根据权利要求3所述的CVD成膜装置，其特征在于，还包括第一支撑筒(7)，所述第一支撑筒(7)与所述壳体(1)连接，所述第一隔热件(6)设于所述第一支撑筒(7)内，所述第一隔热件(6)与所述第一支撑筒(7)连接；
所述进气管道(2)与所述第一隔热件(6)连接，所述进气管道(2)与所述第一隔热件(6)之间限定出加热空间(8)，所述第一加热装置(4)设于所述加热空间(8)内。
5.根据权利要求4所述的CVD成膜装置，其特征在于，所述壳体(1)内设有第一挡止部，所述第一支撑筒(7)上设有第二挡止部，所述第二挡止部沿所述进气管道(2)的延伸方向止抵于所述第一挡止部；和/或
所述第一隔热件(6)上设有第三挡止部(601)，所述进气管道(2)上设有第四挡止部(201)，所述第四挡止部(201)沿所述进气管道(2)的延伸方向止抵于所述第三挡止部(601)。
6.根据权利要求1所述的CVD成膜装置，其特征在于，还包括：
连接筒(9)，所述连接筒(9)可转动地与所述壳体(1)相连，所述承载台(3)与所述连接筒(9)连接，所述承载台(3)与所述连接筒(9)之间限定出容纳腔(10)；和
第二支撑筒(11)，所述第二支撑筒(11)的至少一部分设于所述容纳腔(10)内，所述第二支撑筒(11)与所述壳体(1)相对静止，所述第二支撑筒(11)和所述连接筒(9)之间限定出密封腔(20)；和
磁性液体，所述磁性液体设于所述密封腔(20)内；
其中，所述第二加热装置(5)设于所述容纳腔(10)内，且所述第二加热装置(5)与所述第二支撑筒(11)连接。
7.根据权利要求6所述的CVD成膜装置，其特征在于，还包括：
第一极靴和第二极靴，所述第一极靴和所述第二极靴中的每一者设在所述密封腔(20)内且套设在所述第二支撑筒(11)上，所述第一极靴在所述连接筒(9)的径向上与所述连接筒(9)间隔开以形成第一密封间隙，所述第二极靴在所述连接筒(9)的径向上与所述连接筒(9)间隔开以形成第二密封间隙，所述第一密封间隙和所述第二密封间隙中的每一者内填充有磁性液体；
第一永磁体，所述第一永磁体设在所述密封腔(20)，所述第一永磁体在所述第二支撑筒(11)的轴向上位于所述第一极靴和所述第二极靴之间。
8.根据权利要求6所述的CVD成膜装置，其特征在于，还包括：
支撑件(12)，所述支撑件(12)设于所述容纳腔(10)内，所述支撑件(12)与所述第二支撑筒(11)连接；和
第二隔热件(13)，所述第二隔热件(13)设于所述容纳腔(10)内，所述第二隔热件(13)设于所述第二加热装置(5)和所述支撑件(12)之间，所述第二隔热件(13)与所述支撑件(12)相连。
9.一种CVD成膜方法，其特征在于，采用权利要求1-8中任一项所述的CVD成膜装置实施，所述CVD成膜方法包括：
衬底放置在所述承载面(301)上；
利用所述第二加热装置(5)对所述衬底进行加热；
通过所述进气口(102)向所述腔室(101)内通工艺气体；
利用多个第一加热装置(4)对所述进气管道(2)进行加热，使得所述进气管道(2)内工艺气体的温度沿远离所述进气口(102)的方向逐渐增加，且所述进气管道(2)的邻近所述进气口(102)一端的温度低于所述工艺气体的反应温度。
10.根据权利要求9所述的CVD成膜方法，其特征在于，所述进气管道(2)的邻近所述进气口(102)一端的温度为350℃-450℃；
所述进气管道(2)的远离所述进气口(102)一端的温度为1450℃-1550℃。
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