CN116614951B - 一种电路板生产控制系统和方法 - Google Patents

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Abstract

本说明书实施例提供一种电路板生产控制系统和方法，所述系统包括：交互模块、输送装置、蚀刻系统、废气回收装置和处理器；交互模块用于获取电路板数据并发送至所述处理器；输送装置用于输送电路板；输送装置包括上料部件、下料部件，上料部件、下料部件分别位于蚀刻系统两侧，并分别与蚀刻系统机械连接；蚀刻系统用于刻蚀电路板，蚀刻系统至少包括喷淋装置和监测装置；其中，监测装置至少包括喷淋压力监测装置和pH监测装置；废气回收装置用于回收蚀刻系统产生的废气；处理器分别与交互模块、输送装置、蚀刻系统、废气回收装置通信连接，处理器用于：确定蚀刻方案，确定pH波动信息，发出第一控制指令，以调整蚀刻液pH值。

Description

一种电路板生产控制系统和方法
技术领域
本说明书涉及电路板的制备技术领域，特别涉及一种电路板生产控制系统和方法。
背景技术
蚀刻是电路板制造中最重要的工艺之一，电路板蚀刻是从电路板上去除不需要的铜的过程。在电路板蚀刻加工中，需要通过喷淋系统，将蚀刻液(比如含有氨水的碱性蚀刻液)喷淋到电路板上，将表面特定位置的铜层去除，完成蚀刻；喷淋压力不同、蚀刻液浓度、pH变化，都会影响蚀刻效果，可能发生蚀刻不均匀的问题。
现有技术中，CN105517352A采用机械方法，把电路板上下翻转来克服蚀刻不均匀问题；CN112399723A中，通过设置多个具有不同蚀刻液参数的蚀刻工位，来改善蚀刻不均匀的问题；两种方法都存在流程繁琐、效率不高的问题。
因此，需要提供一种高效、准确改善蚀刻不均匀的电路板蚀刻方法。
发明内容
本说明书一个或多个实施例提供一种电路板生产控制系统，包括：交互模块、输送装置、蚀刻系统、废气回收装置和处理器；所述交互模块用于获取电路板数据并发送至所述处理器；所述输送装置用于输送电路板；所述输送装置包括上料部件、下料部件，所述上料部件、所述下料部件分别位于所述蚀刻系统两侧，并分别与所述蚀刻系统机械连接；所述蚀刻系统用于刻蚀所述电路板，所述蚀刻系统至少包括喷淋装置和监测装置；其中，所述监测装置至少包括喷淋压力监测装置和pH监测装置；所述废气回收装置用于回收所述蚀刻系统产生的废气；所述处理器分别与所述交互模块、所述输送装置、所述蚀刻系统、所述废气回收装置通信连接，所述处理器用于：基于所述电路板数据，确定蚀刻方案，所述蚀刻方案包括预设蚀刻时间、蚀刻液成分、蚀刻液初始pH值中至少一种；基于所述pH监测装置获取的pH监测数据确定pH波动信息；以及，响应于所述pH波动信息不满足第一预设条件，发出第一控制指令，以调整蚀刻液pH值。
本说明书一个或多个实施例提供一种电路板生产控制方法，所述方法包括：基于电路板数据，确定蚀刻方案，所述蚀刻方案包括预设蚀刻时间、蚀刻液成分、蚀刻液初始pH值中至少一种；基于所述pH监测装置获取的pH监测数据确定pH波动信息；以及，响应于所述pH波动信息不满足第一预设条件，发出第一控制指令，以调整蚀刻液pH值。
本说明书一个或多个实施例提供一种电路板生产控制装置，包括处理器，所述处理器用于执行电路板生产控制方法。
本说明书一个或多个实施例提供一种计算机可读存储介质，所述存储介质存储计算机指令，当计算机读取存储介质中的计算机指令后，计算机执行电路板生产控制方法。
附图说明
本说明书将以示例性实施例的方式进一步说明，这些示例性实施例将通过附图进行详细描述。这些实施例并非限制性的，在这些实施例中，相同的编号表示相同的结构，其中：
图1是根据本说明书一些实施例所示的电路板生产控制系统的示例性结示意图；
图2是根据本说明书一些实施例所示的电路板生产控制方法的示例性流程图；
图3是根据本说明书另一些实施例所示的调整蚀刻液pH值的示例性流程图；
图4是根据本说明书一些实施例所示的控制喷淋装置的喷淋压力的示例性示意图；
图5是根据本说明书一些实施例所示的调整喷淋装置的预设喷淋压力的示例性流程图。
具体实施方式
为了更清楚地说明本说明书实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本说明书的一些示例或实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图将本说明书应用于其它类似情景。除非从语言环境中显而易见或另做说明，图中相同标号代表相同结构或操作。
应当理解，本文使用的“系统”、“装置”、“单元”和/或“模块”是用于区分不同级别的不同组件、元件、部件、部分或装配的一种方法。然而，如果其他词语可实现相同的目的，则可通过其他表达来替换所述词语。
如本说明书和权利要求书中所示，除非上下文明确提示例外情形，“一”、“一个”、“一种”和/或“该”等词并非特指单数，也可包括复数。一般说来，术语“包括”与“包含”仅提示包括已明确标识的步骤和元素，而这些步骤和元素不构成一个排它性的罗列，方法或者设备也可能包含其它的步骤或元素。
本说明书中使用了流程图用来说明根据本说明书的实施例的系统所执行的操作。应当理解的是，前面或后面操作不一定按照顺序来精确地执行。相反，可以按照倒序或同时处理各个步骤。同时，也可以将其他操作添加到这些过程中，或从这些过程移除某一步或数步操作。
电路板的蚀刻效果会受到喷淋压力、蚀刻液浓度、蚀刻液pH变化、蚀刻时间等多种因素的影响，CN105517352A利用翻转装置，将电路板进行上下翻转，避免蚀刻液沉积，改善蚀刻不均匀问题；CN112399723A通过设置不同蚀刻液参数的蚀刻工位，提高生产良率，但这两种方式都仅针对影响蚀刻效果的部分因素进行改善，并未综合考量多种因素及其关联对蚀刻工艺进行改善，且非智能化操作，效率不高。
因此，本说明书一些实施例提供一种电路板生产控制系统，可以基于电路板数据，确定蚀刻方案；基于pH监测装置获取的pH监测数据确定pH波动信息；以及，响应于pH波动信息不满足第一预设条件，发出第一控制指令，以调整蚀刻液pH值。准确、高效确定蚀刻方案的同时，实时监测蚀刻过程中蚀刻液pH的状态，并及时有效地进行调控，防止蚀刻液pH值变化较大造成的蚀刻不均匀等问题，避免蚀刻不均匀等问题影响蚀刻效果、降低生产效率。
图1是根据本说明书一些实施例所示的电路板生产控制系统的示例性结示意图。
在一些实施例中，参见图1，电路板生产控制系统100可以包括交互模块110、输送装置120、蚀刻系统130、废气回收装置140和处理器150。
交互模块110可以指在用户、装置间进行交互的模块。例如，显示设备、输入装置、通信单元等。在一些实施例中，交互模块110可以用于在电路板生产控制系统100的不同部件之间进行信息交互。例如，交互模块110可以用于获取电路板数据并发送至处理器。关于电路板数据的更多内容可以参见图2及其相关描述，关于处理器的更多内容可以参见后述相关描述。
在一些实施例中，交互模块110可以包括显示设备、输入装置，用户可以通过显示设备、输入装置与电路板生产控制系统中各个组件产生交互。在一些实施例中，交互模块110可以包括通信单元。
在一些实施例中，交互模块110的实现交互的形式可以包括机械操作按钮、触屏点击交互等。
输送装置120可以指进行物料输送的相关装置。例如，传送带、滚轮组件等。在一些实施例中，输送装置120可以用于输送电路板。
在一些实施例中，输送装置120可以包括上料部件121、下料部件122。上料部件121、下料部件122分别位于蚀刻系统两侧，并分别与蚀刻系统机械连接。
上料部件121可以指将物料输送到作业装置的部件。在一些实施例中，上料部件121可以包括夹持机构(如机械手、上料悬臂等)、传送机构(如上料传送带等)、上料机构(如上料托盘等)等。在一些实施例中，上料部件121可以用于沿着一定路线将待蚀刻电路板输送到输送装置120。
下料部件122可以指将已加工工件输送离开作业装置的部件。在一些实施例中，下料部件122可以包括夹持机构(如机械手、下料悬臂等)、传送机构(如下料传送带等)、下料机构(如下料托盘等)等。在一些实施例中，下料部件122可以将蚀刻系统中完成蚀刻的电路板输出到对应位置。
在一些实施例中，输送装置的组成可以包括夹持机构、驱动装置、传动装置、承载件等。示例性的，电路板可以放置于承载件上，通过由驱动装置驱动的传动装置，沿传动路线输送到蚀刻系统。
蚀刻系统130可以指进行蚀刻工艺的系统。在一些实施例中，蚀刻系统130可以用于刻蚀电路板。
在一些实施例中，蚀刻系统130可以包括喷淋装置131和监测装置132。在一些实施例中，蚀刻系统还可以包括蚀刻液pH补偿装置133、蚀刻液存储装置134。
喷淋装置131可以指将蚀刻液喷淋至电路板的相关装置。在一些实施例中，喷淋装置可以包括喷淋头、压力控制机构、方向控制机构等。在一些实施例中，喷淋装置131可以用于将蚀刻液喷淋到电路板上进行蚀刻。
监测装置132可以指能够监测系统运行相关情况的装置。例如，温度传感器、压力传感器、pH检测仪等。在一些实施例中，监测装置132可以用于监测蚀刻系统的喷淋压力、蚀刻液pH值等。在一些实施例中，监测装置132可以包括喷淋压力监测装置1321和pH监测装置1322。
喷淋压力监测装置1321可以指能够监测喷淋装置的喷淋压力的装置。例如，压力传感器等。在一些实施例中，喷淋压力监测装置1321可以与喷淋装置131机械连接。在一些实施例中，喷淋压力监测装置1321可以将检测到的喷淋压力数据传输给处理器150。关于喷淋压力的更多内容可以参见图4及其相关描述。
pH监测装置1322可以指能够监测物料pH值的装置。例如，pH检测仪、酸碱度测量仪等。
蚀刻液pH补偿装置133可以指能够对蚀刻液pH进行调节的装置。例如，补充料存储装置、补充料输送装置等，关于补充料的更多内容可以参见图3及其相关描述。在一些实施例中，当蚀刻液pH不满足条件时，蚀刻液pH补偿装置133可以用于将补充料输送至蚀刻液存储装置134中，完成蚀刻液pH补偿操作。
蚀刻液存储装置134可以指用于存储蚀刻液的装置。例如，蚀刻液存储罐等。在一些实施例中，蚀刻液存储装置134与喷淋装置131机械连接，可以用于存储喷淋工艺所需的蚀刻液。
在一些实施例中，蚀刻系统130可以增设显示部件、按键部件等其它部件，其中，显示部件可以用于显示蚀刻系统的工作情况、当前喷淋压力、蚀刻液pH值等，按键部件可以用于对蚀刻系统的各部件进行控制和调节。
废气回收装置140可以指用于对废气进行回收的装置。例如，废气收集部件、废气处理部件等。在一些实施例中，蚀刻液中的某些气体(如氨气等)会挥发成为废气，废气回收装置140可以用于回收蚀刻系统130产生的废气。
在一些实施例中，废气回收装置140可以包括废气收集部件(如集气罩等)、废气传输部件(如管道等)、废气处理部件(如吸收塔等)等。废气回收装置140可以通过废气收集部件收集蚀刻工艺中产生的废气，通过废气传输部件传输至废气处理部件，处理得到氨气、一定浓度的氨水等。关于氨气、一定浓度的氨水的更多内容可以参见图3及其相关描述。在一些实施例中，废气回收装置140还可以包括温度传感器、压力传感器等监测装置。
处理器150可以用于处理从其他设备或系统组成部分中获得的数据和/或信息。处理器150可以基于这些数据、信息和/或处理结果执行程序指令，以执行一个或多个本说明书中描述的功能。例如，处理器150可以通过交互模块110获取电路板数据，基于电路板数据，确定蚀刻方案等。
在一些实施例中，处理器150可以包含一个或多个子处理设备(例如，单核处理设备或多核多芯处理设备)。仅作为示例，处理器150可以包括中央处理器(CPU)、专用集成电路(ASIC)等或以上任意组合。
在一些实施例中，处理器150分别与交互模块110、输送装置、蚀刻系统130、废气回收装置140通信连接。
在一些实施例中，处理器150可以用于基于电路板数据，确定蚀刻方案；基于pH监测装置获取的pH监测数据确定pH波动信息；以及，响应于pH波动信息不满足第一预设条件，发出第一控制指令，以调整蚀刻液pH值。关于电路板数据、蚀刻方案、pH监测数据、pH波动信息、第一预设条件、第一控制指令、蚀刻液pH值的更多内容可以参见图2和其相关描述。
通过本说明书的一些实施例所述的电路板生产控制系统，可以实现高效、智能的电路板蚀刻作业，实时监测并及时调控蚀刻过程中蚀刻液的状态，降低人工调控成本，有效避免因蚀刻液pH值变化较大造成的蚀刻不均匀等负面影响，确保蚀刻工艺的正常进行、电路板生产的正常运转。
图2是根据本说明书一些实施例所示的电路板生产控制方法的示例性流程图。如图2所示，流程200包括步骤210-步骤230。在一些实施例中，图2所示的流程200的一个或一个以上操作可以在图1所示的电路板生产控制系统100中实现。在一些实施例中，流程200可以由处理器执行。
步骤210，基于电路板数据，确定蚀刻方案，蚀刻方案包括预设蚀刻时间、蚀刻液成分、蚀刻液初始pH值中至少一种。
电路板数据可以指与电路板相关的参数。例如，电路板数据可以是电路板材料、电路板阻燃性能等。
在一些实施例中，电路板数据可以包括电路板大小、铜箔厚度、线路密度。
电路板大小可以指电路板的尺寸规格。
铜箔厚度可以指覆盖于电路板上的铜箔所形成的厚度。在一些实施例中，电路板的不同区域可以具备不同的铜箔厚度。
线路密度可以指表示电路板上的线路密集程度的参数。在一些实施例中，线路密度可以表示为电路板单位面积上的线路长度。
通过本说明书的一些实施例所述的电路板数据至少包括电路板大小、铜箔厚度、线路密度，可以通过多种参数对电路板进行表征，便于后续获取准确的蚀刻方案。
在一些实施例中，处理器可以通过多种方式获取电路板数据。例如，处理器可以通过交互模块获取电路板数据，仅作为示例的，处理器可以通过交互模块获取用户输入的电路板大小、通过交互模块获取蚀刻工艺之前的沉铜工艺、电镀工艺的相关记录以确定铜箔厚度等。又例如，处理器可以通过电路板生产控制系统内部或外部的存储设备中获取线路密度。
蚀刻方案可以指对电路板施行蚀刻工艺的具体方案。在一些实施例中，蚀刻方案可以包括预设蚀刻时间、蚀刻液成分和蚀刻液初始pH值。
预设蚀刻时间可以指预先设定的蚀刻时长，例如，某一电路板的预设蚀刻时间可以为20min。
蚀刻液可以指具有腐蚀性的液体。例如，氯化铜蚀刻液等。蚀刻液成分可以指蚀刻液的具体成分。例如，蚀刻液成分可以为CuCl2·2H2O成分130g/L，HCl成分150ml/L。
蚀刻液初始pH值可以指还未进行蚀刻时初始蚀刻液的pH值。例如，蚀刻液初始pH值可以是8.0。
在一些实施例中，蚀刻方案可以采用向量表示。例如，(20，(a，130，b，150)，8.0)可以表示蚀刻方案为预设蚀刻时间20min，蚀刻液成分为CuCl2·2H2O成分130g/L、HCl成分150ml/L，蚀刻液初始pH值为8.0。
在一些实施例中，蚀刻方案可以包括喷淋压力，关于喷淋压力的更多内容可以参见图3及其相关描述。
在一些实施例中，处理器可以基于电路板数据，通过多种方式确定蚀刻方案。例如，处理器可以通过用户输入确定蚀刻方案。
又例如，处理器可以基于电路板大小、铜箔厚度、线路密度构建电路板数据向量，通过检索向量数据库确定与电路板数据向量相似度大于第一预设阈值的电路板数据参考向量，将电路板数据参考向量对应的历史蚀刻方案作为蚀刻方案，第一预设阈值可以基于经验进行设置。电路板数据参考向量可以基于蚀刻效果较好的历史蚀刻方案对应的历史电路板大小、历史铜箔厚度、历史线路密度构建。相似度可以基于电路板数据向量与电路板数据参考向量之间的向量距离表示，向量距离越小，相似度越大。示例性的向量距离可以包括余弦距离、欧式距离等。
在一些实施例中，处理器可以基于电路板数据确定预设喷淋压力；基于预设喷淋压力，生成第三控制指令，以控制喷淋装置的喷淋压力。关于控制喷淋装置的喷淋压力的更多内容可以参见图3及其相关描述。
步骤220，基于pH监测装置获取的pH监测数据确定pH波动信息。
pH监测数据可以指监测蚀刻液pH获取的相关数据。例如，pH监测数据可以为实时获取的蚀刻液pH值、间隔一定时间连续获取的蚀刻液pH值序列、一定时间范围内蚀刻液的平均pH值等。
在一些实施例中，处理器可以基于pH监测装置直接获取pH监测数据。
pH波动信息可以指表征蚀刻液pH波动程度的相关参数。例如，pH波动范围、pH波动幅度等。pH波动幅度可以指一定时间范围内蚀刻液pH波动的幅值。在一些实施例中，pH波动幅度可以包括上升幅度、下降幅度，分别用正值、负值表示。
在一些实施例中，处理器可以基于pH监测装置获取的pH监测数据，通过多种方式确定pH波动信息。例如，处理器可以基于第一预设规则确定pH波动信息。第一预设规则可以指预先设定的用于确定pH波动信息的规则。第一预设规则可以基于经验确定。仅作为示例的，第一预设规则可以为将间隔一定时间连续获取的蚀刻液pH值序列中最大值与最小值的范围确定为pH波动范围，将蚀刻液pH值序列中高于蚀刻液初始pH值的最大值和蚀刻液初始pH值的差值与蚀刻液初始pH值的比值确定为波动幅度中的上升幅度，蚀刻液pH值序列中低于蚀刻液初始pH值的最小值和蚀刻液初始pH值的差值与蚀刻液初始pH值的比值百分比确定为波动幅度中的下降幅度。
步骤230，响应于pH波动信息不满足第一预设条件，发出第一控制指令，以调整蚀刻液pH值。
第一预设条件可以指预先设定的用于基于pH波动信息判定是否需要调整蚀刻液pH值的条件。第一预设条件可以基于经验确定。例如，第一预设条件可以是pH波动范围内的最小值大于7.5。又例如，第一预设条件可以是pH波动幅度中下降幅度大于-10％。
在一些实施例中，处理器可以基于确定的pH波动信息，判断pH波动信息是否满足第一预设条件。
第一控制指令可以指对系统部件进行控制以实现调整蚀刻液pH值意图的指令。例如，第一控制指令可以是控制喷淋系统发出提示，提醒用户进行蚀刻液pH值调整。
在一些实施例中，处理器可以通过多种方式生成第一控制指令。例如，处理器可以通过用户输入生成第一控制指令。又例如，处理器可以通过历史数据生成第一控制指令。示例性的，处理器可以通过系统内部存储装置获取多条历史第一控制指令，选择下发频率最高的历史第一控制指令作为第一控制指令。
在一些实施例中，处理器可以响应于pH波动信息不满足第一预设条件，自动下发第一控制指令，以调整蚀刻液pH值。
在一些实施例中，处理器可以基于pH监测数据，确定蚀刻液pH补偿方案，蚀刻液pH补偿方案至少包括未来补料时点和补充量；基于蚀刻液pH补偿方案，发出第二控制指令，以控制蚀刻液pH补偿装置将补充料输送至蚀刻液存储装置中。
通过本说明书的一些实施例所述的基于电路板数据，确定蚀刻方案，基于所述pH监测数据确定pH波动信息，响应于pH波动信息不满足第一预设条件，发出第一控制指令，以调整蚀刻液pH值，可以准确、高效确定蚀刻方案的同时，实时监测蚀刻过程中蚀刻液pH的状态，并及时有效地进行调控，防止蚀刻液pH值变化较大造成的蚀刻不均匀等问题，避免影响蚀刻效果、降低生产效率。
图3是根据本说明书另一些实施例所示的调整蚀刻液pH值的示例性流程图。在一些实施例中，流程300可以由处理器执行。
步骤310，基于pH监测数据，确定蚀刻液pH补偿方案。
蚀刻液pH补偿方案可以指对蚀刻液pH进行补偿的具体方案。在一些实施例中，蚀刻液pH补偿方案可以包括未来补料时点和补充量。
例如，蚀刻液pH补偿方案可以是在蚀刻液pH值小于第二预设阈值后，据当前时间2h后，补充氨气1m3。
未来补料时点可以指当前时间点之后执行补充操作的未来时间点。
补充量可以指执行补充操作时，对补充料具体补充的量。关于补充料的更多内容可以参见后述相关描述。
在一些实施例中，处理器可以基于pH监测数据，通过多种方式确定蚀刻液pH补偿方案。例如，处理器可以基于pH监测数据构建pH监测数据向量，通过检索向量数据库确定与pH监测数据向量相似度大于第三预设阈值的pH监测数据参考向量，将pH监测数据参考向量对应的历史蚀刻液pH补偿方案作为蚀刻液pH补偿方案，第三预设阈值可以基于经验进行设置。pH监测数据向量可以基于补充效果较好的历史蚀刻液pH补偿方案对应的历史pH监测数据构建。相似度可以基于电路板数据向量与电路板数据参考向量之间的向量距离表示，向量距离越小，相似度越大。示例性的向量距离可以包括余弦距离、欧式距离等。
在一些实施例中，处理器可以通过蚀刻模型对pH监测数据、至少一组预设补充量、补充料的pH值进行处理，确定未来补料时点和目标蚀刻液pH值；基于目标蚀刻液pH值确定补充量。
至少一组预设补充量可以指至少一组预先设定的补充量。在一些实施例中，至少一组预设补充量可以与未来补料时点对应，并以向量形式表示。例如，[1,2,1.5,2.2,2]可以表示5个未来补料时点对应的一组预设补充量。
在一些实施例中，处理器可以根据单位时间的喷淋量，结合历史生产数据，通过计算确定至少一组预设补充量。例如，计算预设补充量＝[当前蚀刻液容量-未来补料时点与当前的时间间隔*单位时间的喷淋量(平均值)-挥发量]*补料系数，其中，挥发量可以指蚀刻液的挥发量，在一些实施例中，挥发量可以是范围值，并根据历史生产数据中的历史挥发量确定。补料系数可以是预测能够使蚀刻液存储装置中的蚀刻液pH值满足要求的系数。补料系数可以根据历史生产经验确定。
目标蚀刻液pH值可以指蚀刻液存储装置中的蚀刻液需要达到的pH值。在一些实施例中，目标蚀刻液pH值可以为范围值。
蚀刻模型为确定目标蚀刻液pH值的模型。在一些实施例中，蚀刻模型可以为机器学习模型。例如，蚀刻模型可以为神经网络模型(Neural Network，NN)、深度神经网络(DeepNeural Networks，DNN)、卷积神经网络(Convolutional Neural Networks，CNN)、循环神经网络(RecurrentNeural Network，RNN)、长短期记忆网络模型(LSTM，Long Short-TermMemory)等或其任意组合。
在一些实施例中，蚀刻模型的输入可以包括pH监测数据、至少一组预设补充量和补充料的pH值，蚀刻模型的输出可以包括未来补料时点和目标蚀刻液pH值。关于pH监测数据的更多内容可参见图2及其相关描述。
在一些实施例中，蚀刻模型可以包括时点预测层和确定层。
在一些实施例中，处理器可以基于pH监测数据，通过时点预测层确定未来补料时点。处理器可以基于未来补料时点、至少一组预设补充量和补充料的pH值，通过确定层确定目标蚀刻液pH值。
时点预测层可以用于确定未来补料时点。在一些实施例中，时点预测层的输入可以包括pH监测数据，输出可以包括未来补料时点。在一些实施例中，时点预测层可以为LSTM模型。示例性的，当前时间点为2023年1月1日08:00，处理器可以输入pH监测数据[8.2,7.8,7.5,8.0,7.6]，输出未来补料时点[20,40,60,80,100]，表示分别距当前时间点20分钟、40分钟、60分钟、80分钟、100分钟后进行补料。
在一些实施例中，时点预测层的输入还可以包括pH波动幅度。
在一些实施例中，若pH波动幅度大于幅度阈值，可能是因为pH监测装置存在误差，或存在外界干扰因素等，处理器需及时保证蚀刻液pH值处于正常范围，对未来补料时点进行调整。关于pH波动幅度的更多内容可以参见图2及其相关描述。
通过本说明书的一些实施例所述的时点预测层的输入还包括pH波动幅度，可以在确定未来补料时点的过程中考虑pH波动幅度影响因素，便于及时对蚀刻液pH值做出调整。
确定层可以用于确定目标蚀刻液pH值。在一些实施例中，确定层的输入可以包括未来补料时点、至少一组预设补充量、补充料的pH值，确定层的输出可以包括目标蚀刻液pH值。在一些实施例中，确定层可以为NN模型。示例性的，确定层可以基于前述计算确定至少一组预设补充量[1,2,1.5,2.2,2]，补充料的pH值8.8，未来补料时点[20,40,60,80,100]，确定目标蚀刻液pH值8.0-8.5。
在一些实施例中，联合训练的第二训练样本可以包括样本pH监测数据、样本pH波动幅度、样本预设补充量、样本补充料的pH值，标签为样本目标蚀刻液pH值。第二训练样本可以基于历史数据获得。第二训练样本的标签可以基于历史数据中前述样本数据对应的历史实际目标蚀刻液pH值获得。
将样本pH监测数据、样本pH波动幅度输入时点预测层，得到时点预测层输出的未来补料时点；将未来补料时点作为训练样本数据，和样本预设补充量、样本补充料的pH值输入确定层，得到确定层输出的目标蚀刻液pH值。基于样本目标蚀刻液pH值和确定层输出的目标蚀刻液pH值构建损失函数，同步更新时点预测层和确定层的参数。通过参数更新，得到训练好的时点预测层和确定层。
在一些实施例中，当确定层输出的目标蚀刻液pH值满足用户需求时，处理器可以将目标蚀刻液pH值对应的预设补充量确定为补充量。
通过本说明书的一些实施例所述的包括时点预测层和确定层的蚀刻模型对pH监测数据、至少一组预设补充量、补充料的pH值进行处理，确定未来补料时点和目标蚀刻液pH值，进而确定补充量，可以同时考虑多种因素的影响，使未来补料时点、补充量的确定高效准确，避免人工确定的误差。此外，联合训练时点预测层和确定层有利于解决单独训练确定层时难以获得标签的问题，不仅可以减少需要的样本数量，还可以提高训练效率。
步骤320，基于蚀刻液pH补偿方案，发出第二控制指令，以控制蚀刻液pH补偿装置将补充料输送至蚀刻液存储装置中。
第二控制指令可以指对系统部件进行控制以实现输送补充料意图的指令。例如，第二控制指令可以是控制蚀刻液pH补偿装置将补充料输送至蚀刻液存储装置中。关于蚀刻液pH补偿装置和蚀刻液存储装置的更多内容可以参见图1及其相关描述。
在一些实施例中，处理器可以通过多种方式生成第二控制指令。例如，处理器可以通过用户输入生成第二控制指令。又例如，处理器可以基于确定的蚀刻液pH补偿方案中未来补料时点和补充量，生成在相应未来补料时点将相应补充量的补充料输送至蚀刻液存储装置中的第二控制指令。
补充料可以指用于补充蚀刻液pH值的物质，例如，氨气、一定浓度的氨水等。在一些实施例中，一定浓度的氨水可以为22％-28％浓度的高浓度氨水。在一些实施例中，一定浓度的氨水可以通过废气回收装置回收获取。
在一些实施例中，处理器可以基于蚀刻液pH补偿方案，自动向蚀刻液pH补偿装置、蚀刻液存储装置下发第二控制指令，以控制蚀刻液pH补偿装置将补充料输送至蚀刻液存储装置中。
通过本说明书的一些实施例所述的基于pH监测数据，确定蚀刻液pH补偿方案，发出第二控制指令，以控制所述蚀刻液pH补偿装置将补充料输送至所述蚀刻液存储装置中，可以确定准确的蚀刻液pH补偿方案，保证蚀刻加工的稳定性，避免因为蚀刻液pH值波动较大影响蚀刻均匀性；此外，通过将废气回收装置回收的高浓度氨水，作为补充料回收利用，可以提高原料利用效率，降低蚀刻加工成本。
图4是根据本说明书一些实施例所示的控制喷淋装置的喷淋压力的示例性示意图。
在一些实施例中，如图4所示，处理器可以基于电路板数据411确定预设喷淋压力412；基于预设喷淋压力412，生成第三控制指令413，以控制喷淋装置的喷淋压力414。
喷淋压力可以指喷淋装置进行喷淋工作时的压力。例如，喷淋压力可以为10kPa。在一些实施例中，喷淋装置系统可以具备多组喷淋装置，多组喷淋装置的喷淋压力可以采用向量表示。例如，某组喷淋装置具有5个喷淋头，其喷淋压力可以表示为[0.1,0.15,0.2,0.05,0.3]。
预设喷淋压力412可以指预先设定的喷淋压力。预设喷淋压力412可以采用向量表示。例如，某组具有5个喷淋头的喷淋装置的预设喷淋压力可以表示为[0.15,0.3,0.2,0.25,0.1]。
在一些实施例中，处理器可以基于电路板数据411，通过多种方式确定预设喷淋压力412。例如，处理器可以基于电路板大小、铜箔厚度、线路密度构建电路板数据向量，通过检索向量数据库确定与电路板数据向量相似度最大的历史电路板数据向量对应的历史喷淋压力作为预设喷淋压力412。关于相似度的更多内容可以参见图2及其相关描述，此处不再赘述。
在一些实施例中，处理器可以基于第一预设算法确定预设喷淋压力412。
第一预设算法可以指预先设定的用于确定预设喷淋压力的算法规则。第一预设算法可以根据经验确定。
在一些实施例中，第一预设算法可以是基于电路板位置、铜箔厚度、线路密度，将电路板划分为不同的电路板区域，不同的电路板区域的预设喷淋压力不同，预设喷淋压力可以用公式(1)计算得出：
P1＝(α×铜箔厚度-β×线路密度)×γ (1)
其中，P1表示电路板区域1的预设喷淋压力，α为人工预设的与铜箔厚度相关的系数，β为人工预设的与线路密度相关的系数，γ为人工预设的温度影响系数。在一些实施例中，α的取值范围可以为2.5～200，β的取值范围可以为12～18，γ的取值范围可以为0.95～1。
在一些实施例中，电路板温度一般与车间温度保持一致，车间温度可以被控制为恒温。
电路板位置可以指待划分区域位于电路板的位置。例如，待划分区域1的电路板位置可以为电路板中心位置、待划分区域2的电路板位置可以为电路板边缘位置等。
在一些实施例中，处理器可以基于多种方式获取电路板位置。例如，处理器可以通过电路板生产控制系统内部或外部的存储设备中获取电路板位置。又例如，处理器可以基于用户预设的确定电路板位置的规则确定电路板位置。示例性的，用户预设电路板中心位置为距电路板几何中心距离为0-10mm距离范围内的位置，电路板边缘位置为距电路板几何中心距离超过10mm距离范围的位置，处理器可以基于电路板几何中心确定电路板位置。关于铜箔厚度、线路密度的更多内容可以参见图2及其相关描述。
电路板区域可以指基于电路板位置、铜箔厚度、线路密度等至少一种参考因素对电路板进行划分后得到的区域。在一些实施例中，电路板可以被划分为多个不同数量、类型的区域，例如，处理器可以基于电路板位置、铜箔厚度、线路密度等将电路板划分为3个电路板区域A、2个电路板区域B、1个电路板区域C。
在一些实施例中，处理器可以通过多种方式进行电路板区域划分。例如，处理器可以基于获取的电路板位置、线路密度直接划分，划分为电路板中心线路密集区域、电路板中心非线路密集区域、电路板边缘线路密集区域、电路板边缘非线路密集区域等。
又例如，处理器可以基于区域划分模型对电路板图像、铜箔厚度进行处理，确定区域数据，基于区域数据进行电路板区域划分。关于铜箔厚度的更多内容可以参见图2及其相关描述。
电路板图像可以指与电路板相关的图像信息，例如，通过照相机、摄像头等图像设备获取的电路板正面图像、电路板背面图像等。
区域数据可以指对电路板进行区域划分的相关数据，例如，图像中各像素点对应的电路板区域、电路板区域数量等。在一些实施例中，区域数据可以以向量形式表示，例如，[((1，A)，(2，B)，…(n，C))，((A，3)，(B，1)，(C，2))]，其中((1，A)，(2，B)，…(n，C))表示像素点1-n分别对应的电路板区域，(A，3)，(B，1)，(C，2)表示各电路板区域的数量。关于区域数据的更多内容可以参见图5及其相关描述。
在一些实施例中，区域划分模型可以为确定区域数据的模型。在一些实施例中，区域划分模型可以为机器学习模型。例如，燃气报修模型可以为卷积神经网络(Convolutional Neural Networks，CNN)、循环神经网络(Recurrent Neural Network，RNN)等或其任意组合。
在一些实施例中，区域划分模型的输入可以包括电路板图像和铜箔厚度，区域划分模型的输出可以包括区域数据。
在一些实施例中，区域划分模型可以通过多个带有标签的第三训练样本训练得到。多个带有标签的第三训练样本可以被输入至初始区域划分模型，通过标签和区域划分模型的输出构建损失函数，并基于损失函数迭代更新初始区域划分模型的参数。当初始区域划分模型的损失函数满足预设条件时，模型训练完成，得到训练好的区域划分模型。其中，预设条件可以包括损失函数小于阈值、收敛，或者训练周期达到阈值等中的一种或多种。
在一些实施例中，第三训练样本可以包括样本电路板图像和样本铜箔厚。标签可以包括前述样本数据对应的样本区域数据。在一些实施例中，第三训练样本可以基于历史数据获得。第三训练样本的标签可以通过人工标注获得。
在一些实施例中，处理器可以基于区域划分模型确定的区域数据中各像素点对应的电路板区域、电路板区域数量进行区域划分。
在一些实施例中，进行区域划分后，同一类型的电路板区域在进行蚀刻时的蚀刻效率差异不超过第四预设阈值，第四预设阈值可以基于经验设定。例如，前述实施例中，电路板可以被划分为3个电路板区域A、2个电路板区域B、1个电路板区域C，电路板区域A、B、C的蚀刻效率各不相同，且3个电路板区域A之间的蚀刻效率差异不超过第四预设阈值。关于蚀刻效率的更多内容可以参见后述相关描述。
在一些实施例中，处理器可以基于划分后的电路板区域，基于第一预设算法中的公式(1)计算确定各电路板区域的预设喷淋压力。
在一些实施例中，处理器可以确定废气回收装置确定回收效率421，响应于回收效率421大于回收效率阈值422，基于第二预设算法调整预设喷淋压力412。
回收效率421可以指单位时间的回收量。例如，回收效率421可以为1L/min。在一些实施例中，处理器可以基于废气回收装置获取回收效率。
回收效率阈值422可以指预先设定的回收效率的阈值。例如，回收效率阈值422可以为2L/min。
第二预设算法可以指预先设定的用于调整预设喷淋压力的算法规则。第二预设算法可以根据经验确定。
在一些实施例中，第二预设算法可以是当回收效率421大于回收效率阈值422时，通过工时(2)计算得出的调整后的预设喷淋压力：
P1’＝(α×铜箔厚度-β×线路密度)×γ×(1-H) (2)
其中，P1’表示电路板区域1的调整后的预设喷淋压力，α、β、γ含义与公式(1)相同，H为根据回收效率421确定的预设喷淋压力缩小系数。在一些实施例中，H可以由用户根据经验预先设定，H的取值范围可以为0～5％。
在一些实施例中，处理器可以基于划分后的电路板区域，响应于回收效率421大于回收效率阈值422，基于第二预设算法中的公式(2)计算调整各电路板区域的预设喷淋压力。
通过本说明书的一些实施例所述的基于废气回收装置确定回收效率，响应于回收效率大于回收效率阈值，基于第二预设算法调整预设喷淋压力，可以考虑到回收效率对预设喷淋压力的影响，确定更准确的预设喷淋压力。此外，蚀刻过程产生的废气较多会一定程度上提高蚀刻成本，因此通过监测废气回收装置的回收效率，在废气量较大时，适当降低喷淋压力以减少废气产生速率，进而可以在一定程度上降低蚀刻成本。
通过本说明书的一些实施例所述的基于第一预设算法确定预设喷淋压力，处理器可以综合考虑影响预设喷淋压力的多种影响因素，对电路板不同区域确定合理可靠的喷淋压力，进而有针对性地对电路板不同区域进行蚀刻，以保证电路板不同区域蚀刻的均匀性，保证蚀刻质量，提高良品率。
第三控制指令413可以指对系统部件进行控制以实现控制喷淋装置的喷淋压力414意图的指令。例如，第三控制指令413可以是控制喷淋装置设定预设喷淋压力为喷淋压力。关于喷淋装置的更多内容可以参见图1及其相关描述。
在一些实施例中，处理器可以通过多种方式生成第三控制指令413。例如，处理器可以通过用户输入生成第三控制指令413。又例如，处理器可以基于确定的预设喷淋压力412，直接生成控制喷淋装置设定预设喷淋压力412为喷淋压力的第三控制指令413。
在一些实施例中，处理器可以基于预设喷淋压力412，自动向喷淋装置下发第三控制指令413，以控制喷淋装置的喷淋压力414。
在一些实施例中，处理器可以通过效率模型430对区域数据432-3、预设喷淋压力412、蚀刻液pH值435、铜箔厚度432-2进行处理，确定蚀刻效率432-1、预估蚀刻时间；响应于预估蚀刻时间与预设蚀刻时间的差值大于预设阈值，调整预设蚀刻时间为预估蚀刻时间。关于区域数据432-3、预设喷淋压力412、蚀刻液pH值435、铜箔厚度432-2、预设蚀刻时间的更多内容可以参见图2-图4相关描述。
蚀刻效率432-1可以指单位时间内的蚀刻量。例如，蚀刻效率432-1可以为5μm/min。在一些实施例中，因电路板划分后的区域的蚀刻效率各不相同，蚀刻效率可以为一个范围值或平均值。
预估蚀刻时间可以是蚀刻时间的预估值，例如，预估蚀刻时间可以是15min。
在一些实施例中，效率模型430为确定蚀刻效率432-1和预估蚀刻时间的模型。在一些实施例中，效率模型430可以为机器学习模型。例如，效率模型430可以为神经网络模型(Neural Network，NN)、深度神经网络(Deep Neural Networks，DNN)、卷积神经网络(Convolutional Neural Networks，CNN)、循环神经网络(Recurrent Neural Network，RNN)等或其任意组合。
在一些实施例中，效率模型430可以包括效率层431和时间层433。
在一些实施例中，处理器可以基于预设喷淋压力412、蚀刻液pH值435，通过效率层431确定蚀刻效率432-1。处理器可以基于蚀刻效率432-1、铜箔厚度432-2、区域数据432-3，通过时间层433确定预估蚀刻时间434。关于预设喷淋压力412、蚀刻液pH值435、铜箔厚度432-2的更多内容可参见图2、图4及其相关描述。
效率层431可以用于确定蚀刻效率432-1。在一些实施例中，效率层431的输入可以包括预设喷淋压力412、蚀刻液pH值435，输出可以包括蚀刻效率432-1。在一些实施例中，效率层431可以为RNN模型。示例性的，处理器可以输入预设喷淋压力[0.15,0.3,0.2,0.25,0.1]、蚀刻液pH值[8.2,7.8,7.5,8.0,7.6]，输出蚀刻效率8μm/min。
时间层433可以用于确定预估蚀刻时间434。在一些实施例中，时间层433的输入可以包括蚀刻效率432-1、铜箔厚度432-2、区域数据432-3，输出可以包括预估蚀刻时间434。在一些实施例中，时间层433可以为NN模型。示例性的，处理器可以输入蚀刻效率8μm/min、铜箔厚度35μm，区域数据[((1，A)，(2，B)，…(n，C))，((A，3)，(B，1)，(C，2))]，输出预估蚀刻时间为15min。
在一些实施例中，联合训练的第五训练样本可以包括样本预设喷淋压力、样本蚀刻液pH值、样本铜箔厚度、样本区域数据，标签为样本预估蚀刻时间。第五训练样本可以基于历史数据获得。第五训练样本的标签可以基于历史数据中前述样本数据对应的历史实际蚀刻时间获得。
将样本预设喷淋压力、样本蚀刻液pH值，得到效率层输出的蚀刻效率；将蚀刻效率作为训练样本数据，和样本铜箔厚度、样本区域数据输入时间层，得到时间层输出的预估蚀刻时间。基于样本预估蚀刻时间和时间层输出的预估蚀刻时间构建损失函数，同步更新效率层和时间层的参数。通过参数更新，得到训练好的效率层和时间层。
在一些实施例中，处理器可以响应于预估蚀刻时间434与预设蚀刻时间的差值大于预设阈值，将蚀刻方案中的预设蚀刻时间调整为获得的预估蚀刻时间434。预设阈值可以基于经验设定。
通过本说明书的一些实施例所述的通过效率模型对区域数据、预设喷淋压力、蚀刻液pH值、铜箔厚度进行处理，确定蚀刻效率、预估蚀刻时间；响应于预估蚀刻时间与预设蚀刻时间的差值大于预设阈值，调整预设蚀刻时间为预估蚀刻时间，可以快速、准确地预测出电路板不同区域的蚀刻效率，进而确定合理的蚀刻时间，在预设蚀刻时间不满足要求时，及时调整，以保证蚀刻加工质量，避免返工和产生不合格品。
在一些实施例中，处理器可以响应于蚀刻效率不满足第二预设条件，发出第四控制指令，以调整喷淋装置的预设喷淋压力。关于发出第四控制指令调整喷淋装置的预设喷淋压力的更多内容可以参见图5及其相关内容。
通过本说明书的一些实施例所述的基于电路板数据确定预设喷淋压力，生成第三控制指令，以控制喷淋装置的喷淋压力。可以综合考虑多种因素，快速、准确地确定准确的预设喷淋压力，确定合理的喷淋压力，保证电路板蚀刻加工的正常进行，避免人工确定的喷淋压力存在误差导致电路板生产良率的下降等不利情况。
图5是根据本说明书一些实施例所示的调整喷淋装置的预设喷淋压力的示例性流程图。
在一些实施例中，处理器可以响应于蚀刻效率432-1不满足第二预设条件511，发出第四控制指令512，以调整喷淋装置的预设喷淋压力。
第二预设条件511可以指预先设定的用于基于蚀刻效率432-1判定是否需要调整喷淋装置的预设喷淋压力的条件。第二预设条件511可以基于经验确定。例如，第二预设条件511可以是蚀刻效率大于5μm/min。
在一些实施例中，处理器可以基于确定的蚀刻效率432-1，判断蚀刻效率是432-1否满足第二预设条件511。
第四控制指令512可以指对系统部件进行控制以实现调整喷淋装置的预设喷淋压力意图的指令。例如，第四控制指令512可以是控制喷淋装置调整预设喷淋压力增加10kPa。关于喷淋装置的更多内容可以参见图1及其相关描述。
在一些实施例中，处理器可以通过多种方式生成第四控制指令512。例如，处理器可以通过用户输入生成第四控制指令512。又例如，处理器可以基于确定的调整后的预设喷淋压力，直接生成控制喷淋装置设定调整后的预设喷淋压力为预设喷淋压力的第四控制指令512。
在一些实施例中，当蚀刻效率432-1不满足第二预设条件511时，处理器可以基于调整后的预设喷淋压力，自动向喷淋装置下发第四控制指令512，以调整喷淋装置的预设喷淋压力。
在一些实施例中，当蚀刻效率432-1不满足第二预设条件511时，利用效率层431确定多组预设喷淋压力514的预测蚀刻效率515，确定预测蚀刻效率515满足第二预设条件511的预设喷淋压力为调整后的预设喷淋压力513。
在一些实施例中，效率层431可以用于确定预测蚀刻效率515。在一些实施例中，效率层431的输入可以包括多组预设喷淋压力514、目标蚀刻液pH值521，输出可以包括每组预设喷淋压力对应的预测蚀刻效率515。多组预设喷淋压力514可以基于电路板数据和蚀刻效率，通过检索向量数据库获取。具体获取方式可以参照图2中通过检索向量数据库确定蚀刻方案的方式，此处不再赘述。
示例性的，处理器可以输入预设喷淋压力组1[0.15,0.3,0.2,0.25,0.1]、预设喷淋压力组2[0.4,0.3,0.2,0.35,0.2]、预设喷淋压力组3[0.35,0.4,0.25,0.5,0.3]、目标蚀刻液pH值8.0，输出预设喷淋压力组1-3对应的预测蚀刻效率3μm/min、4μm/min、6μm/min。
关于效率层431的训练及效率层431的更多内容可以参见图4及其相关描述。
在一些实施例中，处理器可以利用效率层431确定多组预设喷淋压力514的预测蚀刻效率515，将预测蚀刻效率515满足第二预设条件511对应的预设喷淋压力确定为调整后的预设喷淋压力513。
在一些实施例中，预设喷淋压力的调整可以相关于预测回收效率532，调整预设喷淋压力可以包括：根据预设喷淋压力，确定预测回收效率532；响应于预测回收效率532大于回收效率阈值422，调整预设喷淋压力。
预测回收效率532可以指预测的废气回收效率。关于回收效率的更多内容可以参见图4及其相关描述。
在一些实施例中，预测回收效率532可以基于喷淋压力、蚀刻液的流速、喷淋装置开启数量、蚀刻液平均pH值、蚀刻液温度，通过检索向量数据库获取。具体获取方式可以参照图2中通过检索向量数据库确定蚀刻方案的方式，此处不再赘述。
喷淋压力、蚀刻液的流速、喷淋装置开启数量、蚀刻液平均PH值、蚀刻液温度可以通过交互模块根据用户输入、监测装置、电路板生产控制系统100内部或外部的存储设备中等多种方式获取。
在一些实施例中，处理器可以将预测回收效率532与回收效率阈值422进行对比，若预测回收效率532大于回收效率阈值422，则根据第二预设规则确定调整后的预设喷淋压力513。第二预设规则可以指预先设定的用于确定调整后的预设喷淋压力513的规则。第二预设规则可以基于经验确定。例如，第二预设规则可以为当预测回收效率532大于回收效率阈值422时，预测回收效率532与回收效率阈值422的差值每增加1L/min，则下调预设喷淋压力10kPa。
通过本说明书的一些实施例所述的将调整后的预设喷淋压力相关于预测回收效率，根据预设喷淋压力，确定预测回收效率；响应于预测回收效率大于回收效率阈值，调整预设喷淋压力，可以确定准确的预设喷淋压力调整值，同时在确定预设喷淋压力时考虑废气回收量，避免材料浪费过多影响蚀刻成本。
可以理解的是，对蚀刻液进行补偿后，蚀刻液的pH值会发生一定波动，可能会造成蚀刻加工的不均匀性，但若在补充蚀刻液时暂时停工，就会对蚀刻加工效率产生影响。通过本说明书的一些实施例所述的当蚀刻效率不满足第二预设条件时，利用效率层确定多组预设喷淋压力的预测蚀刻效率，确定预测蚀刻效率满足第二预设条件的预设喷淋压力为调整后的预设喷淋压力，可以及时对预设喷淋压力进行适当调整，保证蚀刻加工的稳定性。通过使用训练好的效率层作为压力模型，可以减少模型训练成本。
通过本说明书的一些实施例所述的响应于蚀刻效率不满足第二预设条件，发出第四控制指令，以调整喷淋装置的预设喷淋压力，可以及时准确的对预设喷淋压力进行调整，确保蚀刻工艺的正常进行，避免影响生产效率。
本说明书一个或多个实施例提供一种电路板生产控制装置，包括处理器，所述处理器用于执行电路板生产控制方法。
本说明书一个或多个实施例还提供了一种计算机可读存储介质，该存储介质存储计算机指令，当计算机读取存储介质中的计算机指令后，计算机执行如上述实施例中任一项所述电路板生产控制方法。
上文已对基本概念做了描述，显然，对于本领域技术人员来说，上述详细披露仅仅作为示例，而并不构成对本说明书的限定。虽然此处并没有明确说明，本领域技术人员可能会对本说明书进行各种修改、改进和修正。该类修改、改进和修正在本说明书中被建议，所以该类修改、改进、修正仍属于本说明书示范实施例的精神和范围。
同时，本说明书使用了特定词语来描述本说明书的实施例。如“一个实施例”、“一实施例”、和/或“一些实施例”意指与本说明书至少一个实施例相关的某一特征、结构或特点。因此，应强调并注意的是，本说明书中在不同位置两次或多次提及的“一实施例”或“一个实施例”或“一个替代性实施例”并不一定是指同一实施例。此外，本说明书的一个或多个实施例中的某些特征、结构或特点可以进行适当的组合。
此外，除非权利要求中明确说明，本说明书所述处理元素和序列的顺序、数字字母的使用、或其他名称的使用，并非用于限定本说明书流程和方法的顺序。尽管上述披露中通过各种示例讨论了一些目前认为有用的发明实施例，但应当理解的是，该类细节仅起到说明的目的，附加的权利要求并不仅限于披露的实施例，相反，权利要求旨在覆盖所有符合本说明书实施例实质和范围的修正和等价组合。例如，虽然以上所描述的系统组件可以通过硬件设备实现，但是也可以只通过软件的解决方案得以实现，如在现有的服务器或移动设备上安装所描述的系统。
同理，应当注意的是，为了简化本说明书披露的表述，从而帮助对一个或多个发明实施例的理解，前文对本说明书实施例的描述中，有时会将多种特征归并至一个实施例、附图或对其的描述中。但是，这种披露方法并不意味着本说明书对象所需要的特征比权利要求中提及的特征多。实际上，实施例的特征要少于上述披露的单个实施例的全部特征。
一些实施例中使用了描述成分、属性数量的数字，应当理解的是，此类用于实施例描述的数字，在一些示例中使用了修饰词“大约”、“近似”或“大体上”来修饰。除非另外说明，“大约”、“近似”或“大体上”表明所述数字允许有±20％的变化。相应地，在一些实施例中，说明书和权利要求中使用的数值参数均为近似值，该近似值根据个别实施例所需特点可以发生改变。在一些实施例中，数值参数应考虑规定的有效数位并采用一般位数保留的方法。尽管本说明书一些实施例中用于确认其范围广度的数值域和参数为近似值，在具体实施例中，此类数值的设定在可行范围内尽可能精确。
针对本说明书引用的每个专利、专利申请、专利申请公开物和其他材料，如文章、书籍、说明书、出版物、文档等，特此将其全部内容并入本说明书作为参考。与本说明书内容不一致或产生冲突的申请历史文件除外，对本说明书权利要求最广范围有限制的文件(当前或之后附加于本说明书中的)也除外。需要说明的是，如果本说明书附属材料中的描述、定义、和/或术语的使用与本说明书所述内容有不一致或冲突的地方，以本说明书的描述、定义和/或术语的使用为准。
最后，应当理解的是，本说明书中所述实施例仅用以说明本说明书实施例的原则。其他的变形也可能属于本说明书的范围。因此，作为示例而非限制，本说明书实施例的替代配置可视为与本说明书的教导一致。相应地，本说明书的实施例不仅限于本说明书明确介绍和描述的实施例。

Claims (4)

1.一种电路板生产控制系统，其特征在于，包括：交互模块、输送装置、蚀刻系统、废气回收装置和处理器；
所述交互模块用于获取电路板数据并发送至所述处理器；
所述输送装置用于输送电路板；所述输送装置包括上料部件、下料部件，所述上料部件、所述下料部件分别位于所述蚀刻系统两侧，并分别与所述蚀刻系统机械连接；
所述蚀刻系统用于刻蚀所述电路板，所述蚀刻系统至少包括蚀刻液pH补偿装置、蚀刻液存储装置、喷淋装置和监测装置；其中，所述监测装置至少包括喷淋压力监测装置和pH监测装置；所述喷淋压力监测装置与所述喷淋装置机械连接，所述喷淋压力监测装置用于获取所述喷淋装置的喷淋压力；
所述废气回收装置用于回收所述蚀刻系统产生的废气；
所述处理器分别与所述交互模块、所述输送装置、所述蚀刻系统、所述废气回收装置通信连接，所述处理器用于：
基于所述电路板数据，确定蚀刻方案，所述蚀刻方案包括预设蚀刻时间、蚀刻液成分、蚀刻液初始pH值中至少一种；
基于所述pH监测装置获取的pH监测数据确定pH波动信息；
以及，
响应于所述pH波动信息不满足第一预设条件，发出第一控制指令，以调整蚀刻液pH值；
基于所述pH监测数据，确定蚀刻液pH补偿方案，所述蚀刻液pH补偿方案至少包括未来补料时点和补充量；
基于所述蚀刻液pH补偿方案，发出第二控制指令，以控制所述蚀刻液pH补偿装置将补充料输送至所述蚀刻液存储装置中；
基于所述电路板数据确定预设喷淋压力；
基于所述预设喷淋压力，生成第三控制指令，以控制所述喷淋装置的所述喷淋压力；以及，
响应于蚀刻效率不满足第二预设条件，发出第四控制指令，以调整所述喷淋装置的所述预设喷淋压力。
2.一种电路板生产控制方法，其特征在于，所述方法通过如权利要求1所述的电路板生产控制系统的处理器实现，所述电路板生产控制系统包括交互模块、输送装置、蚀刻系统、废气回收装置和所述处理器，所述蚀刻系统包括刻液pH补偿装置、蚀刻液存储装置，喷淋装置和监测装置；其中，所述监测装置至少包括喷淋压力监测装置和pH监测装置；所述喷淋压力监测装置与所述喷淋装置机械连接，所述喷淋压力监测装置用于获取所述喷淋装置的喷淋压力，所述方法包括：
基于电路板数据，确定蚀刻方案，所述蚀刻方案包括预设蚀刻时间、蚀刻液成分、蚀刻液初始pH值中至少一种；
基于所述pH监测装置获取的pH监测数据确定pH波动信息；以及，
响应于所述pH波动信息不满足第一预设条件，发出第一控制指令，以调整蚀刻液pH值；
基于所述pH监测数据，确定蚀刻液pH补偿方案，所述蚀刻液pH补偿方案至少包括未来补料时点和补充量；
基于所述蚀刻液pH补偿方案，发出第二控制指令，以控制所述蚀刻液pH补偿装置将补充料输送至所述蚀刻液存储装置中；
基于所述电路板数据确定预设喷淋压力；
基于所述预设喷淋压力，生成第三控制指令，以控制所述喷淋装置的所述喷淋压力；以及，
响应于蚀刻效率不满足第二预设条件，发出第四控制指令，以调整所述喷淋装置的所述预设喷淋压力。
3.一种电路板生产控制装置，包括处理器，所述处理器用于执行权利要求2中所述的电路板生产控制方法。
4.一种计算机可读存储介质，所述存储介质存储计算机指令，当计算机读取存储介质中的计算机指令后，计算机执行如权利要求2所述的电路板生产控制方法。
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