CN116583948A - 高频模块以及通信装置 - Google Patents

Abstract

高频模块(1A)具备：模块基板(80)，其具有彼此相向的主面(80a及80b)；第一基材(10)，该第一基材(10)的至少一部分由第一半导体材料构成；以及第二基材(20)，该第二基材(20)的至少一部分由热导率比第一半导体材料的热导率高的第二半导体材料构成，在该第二基材(20)形成有功率放大电路(21)，其中，第一基材(10)和第二基材(20)配置于主面(80a)，第二基材(20)配置于模块基板(80)与第一基材(10)之间，且与第一基材(10)接合，且经由电极(23)而与主面(80a)连接，第一基材(10)和第二基材(20)中的一方经由电极(24)而与主面(80a)连接，在俯视模块基板(80)的情况下，电极(23)的面积比电极(24)的面积大。

Description

高频模块以及通信装置

技术领域

本发明涉及一种高频模块以及通信装置。

背景技术

在便携式电话等移动通信设备中，特别是伴随着多频段化的进展，构成高频前端电路的电路元件的配置结构变得复杂化。

在专利文献1中公开了具备配置于封装基板上的功率放大器和控制器的高频模块。在专利文献1的高频模块中，通过将功率放大器与控制器层叠配置来实现了高频模块的小型化。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利申请公开第2017/0338847号说明书

发明内容

发明要解决的问题

然而，在专利文献1所公开的高频模块中，需要使功率放大器的发热经由模块基板(封装基板)来散热，但是有时难以确保充分的散热性。

因此，本发明提供一种提高了散热性的高频模块以及通信装置。

用于解决问题的方案

本发明的一个方式所涉及的高频模块具备：模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；第一基材，该第一基材的至少一部分由第一半导体材料构成；以及第二基材，该第二基材的至少一部分由热导率比第一半导体材料的热导率高的第二半导体材料构成，在该第二基材形成有功率放大电路，其中，第一基材和第二基材配置于第一主面，第二基材配置于模块基板与第一基材之间，且与第一基材接合，且经由第一金属构件而与第一主面连接，第一基材和第二基材中的一方经由第二金属构件而与第一主面连接，在俯视模块基板的情况下，第一金属构件的面积比第二金属构件的面积大。

发明的效果

根据本发明，能够提供一种提高了散热性的高频模块以及通信装置。

附图说明

图1是实施方式所涉及的高频模块以及通信装置的电路结构图。

图2是实施例所涉及的高频模块的平面结构概要图。

图3是实施例所涉及的高频模块的截面结构概要图。

图4是实施例所涉及的半导体IC的截面结构图。

图5是实施例所涉及的第二基材的截面结构图。

图6是实施例所涉及的功率放大电路的电路结构图。

图7是实施例所涉及的半导体IC的平面结构概要图。

图8A是变形例1所涉及的半导体IC的平面结构概要图。

图8B是变形例2所涉及的半导体IC的平面结构概要图。

图9是变形例3所涉及的功率放大电路的电路结构图。

图10是变形例3所涉及的半导体IC的平面结构概要图。

图11是变形例4所涉及的半导体IC的平面结构概要图。

具体实施方式

下面，详细地说明本发明的实施方式。此外，以下说明的实施方式均用于示出总括性或具体的例子。以下的实施方式所示的数值、形状、材料、结构要素、结构要素的配置及连接方式等是一个例子，其主旨并不在于限定本发明。关于以下的实施例中的结构要素中的、独立权利要求中未记载的结构要素，设为任意的结构要素来进行说明。另外，附图所示的结构要素的大小或大小之比未必严格。在各图中，对实质上相同的结构标注相同的附图标记，有时省略或简化重复的说明。

另外，在下面，平行和垂直等表示要素间的关系性的用语、矩形状等表示要素的形状的用语、以及数值范围表示还包括实质上等同的范围、例如百分之几左右的差异，而不是仅表示严格的含义。

另外，在以下的实施方式中，“A配置于基板的第一主面”不仅表示A直接安装在第一主面上，还表示A配置于以基板隔开的第一主面侧的空间和第二主面侧的空间中的第一主面侧的空间。也就是说，包括A经由其它电路元件、电极等而安装在第一主面上。

另外，在以下的实施方式中，“A与B连接”不仅是指A与B接触，还能够定义为包括A与B经由导体电极、导体端子、布线或其它电路部件等而电连接。另外，“连接于A与B之间”表示在A与B之间同A及B双方连接。

另外，在以下的实施方式中，“A与B接合”是指A与B机械性(物理性)地粘接的状态，特别是能够定义为包括A所具有的一面与B所具有的一面粘接。

在以下的各图中，x轴和y轴是在与模块基板的主面平行的平面上相互正交的轴。另外，z轴是与模块基板的主面垂直的轴，其正方向表示上方向，其负方向表示下方向。

另外，在本公开的模块结构中，“俯视”表示将物体从z轴正侧向xy平面正投影来观察。“部件配置于基板的主面”除了包括部件以与基板的主面接触的状态配置在主面上以外，还包括部件不与主面接触地配置于主面的上方、以及以部件的一部分从主面侧埋入到基板内的方式配置。

另外，在下面，在安装于基板的A、B及C中，“在俯视基板(或基板的主面)时，C配置于A与B之间”表示在俯视基板时将A内的任意的点与B内的任意的点连结的多个线段中的至少1个线段通过C的区域。另外，俯视基板表示将基板以及安装于基板的电路元件正投影到与基板的主面平行的平面来进行观察。

另外，在下面，“发送路径”是指由供高频发送信号传播的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或该电极直接连接的端子等构成的传输线路。另外，“接收路径”是指由供高频接收信号传播的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或该电极直接连接的端子等构成的传输线路。

(实施方式)

[1.高频模块1以及通信装置5的电路结构]

图1是实施方式所涉及的高频模块1以及通信装置5的电路结构图。如该图所示，通信装置5具备高频模块1、天线2、RF信号处理电路(RFIC)3、以及基带信号处理电路(BBIC)4。

RFIC 3是对利用天线2发送接收的高频信号进行处理的RF信号处理电路。具体地说，RFIC 3对经由高频模块1的接收路径输入的接收信号通过下变频等进行信号处理，将该信号处理后生成的接收信号输出到BBIC 4。另外，RFIC 3对从BBIC 4输入的发送信号通过上变频等进行信号处理，将该信号处理后生成的发送信号输出到高频模块1的发送路径。

BBIC 4是使用比在高频模块1中传输的高频信号的频率低的中间频带来进行信号处理的电路。由BBIC 4处理后的信号例如用作图像信号以显示图像，或者用作声音信号以经由扬声器进行通话。

另外，RFIC 3还具有基于使用的通信频段(频带)来控制高频模块1所具有的开关52、53及54的连接的作为控制部的功能。具体地说，RFIC 3根据控制信号(未图示)来对高频模块1所具有的开关52～54的连接进行切换。具体地说，RFIC 3将用于控制开关52～54的数字控制信号输出到PA控制电路11。PA控制电路11根据从RFIC 3输入的数字控制信号，来向开关52～54输出数字控制信号，由此控制开关52～54的连接与非连接。

另外，RFIC 3还具有控制高频模块1所具有的功率放大电路21的增益、向功率放大电路21提供的电源电压Vcc和偏置电压Vbias的作为控制部的功能。具体地说，RFIC 3将数字控制信号输出到高频模块1的控制信号端子110。PA控制电路11根据经由控制信号端子110输入的数字控制信号，来向功率放大电路21输出控制信号、电源电压Vcc或偏置电压Vbias，由此调整功率放大电路21的增益。此外，从RFIC 3接收用于控制功率放大电路21的增益的数字控制信号的控制信号端子与从RFIC 3接收用于控制向功率放大电路21提供的电源电压Vcc和偏置电压Vbias的数字控制信号的控制信号端子也可以不同。此外，控制部也可以设置于RFIC 3的外部，例如也可以设置于BBIC 4。

天线2与高频模块1的天线连接端子100连接，对从高频模块1输出的高频信号进行辐射，另外，接收来自外部的高频信号并输出到高频模块1。

此外，在本实施方式所涉及的通信装置5中，天线2和BBIC 4不是必需的结构要素。

接着，说明高频模块1的详细结构。

如图1所示，高频模块1具备天线连接端子100、功率放大电路21、PA控制电路11、低噪声放大电路31、双工器(duplexer)61及62、匹配电路42、43、44及45、开关52、53及54、双信器(diplexer)73、控制信号端子110、发送输入端子120、以及接收输出端子130。

天线连接端子100是输入输出端子的一例，是与天线2连接的天线公共端子。

功率放大电路21是对从发送输入端子120输入的第一通信频段和第二通信频段的高频信号进行放大的放大电路。第二基材20中包括功率放大电路21。第二基材20例如至少一部分由GaAs构成。功率放大电路21例如包括异质结双极型晶体管(HBT：HeterojunctionBipolar Transistor)。

低噪声放大电路31是低噪声地对第一通信频段和第二通信频段的高频信号进行放大并输出到接收输出端子130的放大电路。

PA控制电路11是根据经由控制信号端子110输入的数字控制信号等来调整功率放大电路21的增益的控制电路的一例。第一基材10中包括PA控制电路11，PA控制电路11例如由CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor：互补金属氧化物半导体)构成。具体地说，PA控制电路11是通过SOI(Silicon On Insulator：绝缘体上硅)工艺形成的。由此，能够廉价地制造PA控制电路11。此外，第一基材10例如至少一部分由Si构成。

双工器61由发送滤波器61T和接收滤波器61R构成。双工器62由发送滤波器62T和接收滤波器62R构成。

发送滤波器61T经由开关52和匹配电路42来与功率放大电路21的输出端子连接，使第一通信频段的发送信号通过。发送滤波器61T配置于将发送输入端子120与天线连接端子100连结的发送路径。另外，发送滤波器62T经由开关52和匹配电路42来与功率放大电路21的输出端子连接，使第二通信频段的发送信号通过。发送滤波器62T连接于将发送输入端子120与天线连接端子100连结的发送路径。

接收滤波器61R连接于将接收输出端子130与天线连接端子100连结的接收路径，使第一通信频段的接收信号通过。另外，接收滤波器62R连接于将接收输出端子130与天线连接端子100连结的接收路径，使第二通信频段的接收信号通过。

此外，双工器61及62各自也可以是以时分双工(TDD：Time Division Duplex)方式进行传输的1个滤波器。在该情况下，在上述1个滤波器的前级和后级中的至少一方配置用于切换发送与接收的开关。

开关52具有公共端子和2个选择端子。开关52的公共端子经由匹配电路42来与功率放大电路21的输出端子连接。开关52的一个选择端子与发送滤波器61T连接，开关52的另一个选择端子与发送滤波器62T连接。在该连接结构下，开关52在功率放大电路21与发送滤波器61T的连接以及功率放大电路21与发送滤波器62T的连接之间进行切换。开关52例如由SPDT(Single Pole Double Throw：单刀双掷)型的开关电路构成。

开关53具有公共端子和2个选择端子。开关53的公共端子经由匹配电路43而与低噪声放大电路31的输入端子连接。开关53的一个选择端子与接收滤波器61R连接，开关53的另一个选择端子与接收滤波器62R连接。在该连接结构下，开关53对低噪声放大电路31与接收滤波器61R的连接及非连接进行切换，并对低噪声放大电路31与接收滤波器62R的连接及非连接进行切换。开关53例如由SPDT型的开关电路构成。

开关54是天线开关的一例，经由双信器73而与天线连接端子100连接，对(1)天线连接端子100与双工器61的连接及非连接、以及(2)天线连接端子100与双工器62的连接及非连接进行切换。

匹配电路42连接于功率放大电路21与发送滤波器61T及62T之间，用于取得功率放大电路21与发送滤波器61T的阻抗匹配、以及功率放大电路21与发送滤波器62T的阻抗匹配。

匹配电路43连接于低噪声放大电路31与接收滤波器61R及62R之间，用于取得低噪声放大电路31与接收滤波器61R的阻抗匹配、以及低噪声放大电路31与接收滤波器62R的阻抗匹配。

匹配电路44配置于将开关54与双工器61连结的路径，用于取得天线2及开关54与双工器61的阻抗匹配。匹配电路45配置于将开关54与双工器62连结的路径，用于取得天线2及开关54与双工器62的阻抗匹配。

双信器73是多工器的一例，由滤波器73L及73H构成。滤波器73L是以包含第一通信频段和第二通信频段的第一频带组的频率范围为通带的滤波器，滤波器73H是以频率与第一频带组的频率不同的其它频带组的频率范围为通带的滤波器。滤波器73L的一个端子与滤波器73H的一个端子共同连接于天线连接端子100。滤波器73L及73H各自例如是由片状的电感器和电容器中的至少一方构成的LC滤波器。

此外，在本实施方式所涉及的高频模块1中，只要具有图1示出的电路部件中的功率放大电路21即可。

另外，低噪声放大电路31和开关52～54也可以形成于1个半导体IC(IntegratedCircuit：集成电路)。上述半导体IC例如由CMOS构成。具体地说，通过SOI工艺形成。由此，能够廉价地制造半导体IC。此外，半导体IC也可以由GaAs、SiGe以及GaN中的至少任一个构成。由此，能够输出具有高质量的放大性能和噪声性能的高频信号。

在此，在具有上述电路结构的高频模块中，需要对功率放大电路的发热进行散热，但是难以确保充分的散热性。

与此相对地，以下说明能够确保充分的散热性的高频模块1的结构。

[2.实施例所涉及的高频模块1A的电路元件配置结构]

图2是实施例所涉及的高频模块1A的平面结构概要图。另外，图3是实施例所涉及的高频模块1A的截面结构概要图，具体地说，是图2的III-III线处的截面图。此外，在图2的(a)中，示出了从z轴正方向侧观察模块基板80的彼此相向的主面80a及80b中的主面80a的情况下的电路部件的配置图。另一方面，在图2的(b)中，示出了从z轴正方向侧观察主面80b的情况下的对电路部件的配置进行了透视而得到的图。另外，在图2中，为了容易地理解各电路部件的配置关系，对各电路部件标注表示其功能的标识，但是在实际的高频模块1A中未标注该标识。

实施例所涉及的高频模块1A具体地示出了构成实施方式所涉及的高频模块1的各电路元件的配置结构。

如图2和图3所示，本实施例所涉及的高频模块1A除了具有图1示出的电路结构以外，还具有模块基板80、树脂构件81及82、外部连接端子150、金属屏蔽层85、以及半导体IC70。

半导体IC 70中包括图1示出的功率放大电路21和PA控制电路11。

模块基板80具有彼此相向的主面80a和主面80b，是用于安装构成高频模块1A的电路部件的基板。作为模块基板80，例如使用具有多个电介质层的层叠构造的低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramics：LTCC)基板、高温共烧陶瓷(High TemperatureCo-fired Ceramics：HTCC)基板、部件内置基板、具有重布线层(Redistribution Layer：RDL)的基板、或者印刷基板等。

此外，在本实施例中，主面80a相当于第一主面，主面80b相当于第二主面。

此外，如图2的(b)所示，也可以在主面80b上形成天线连接端子100、控制信号端子110、发送输入端子120以及接收输出端子130。

树脂构件81配置于主面80a，覆盖了构成高频模块1A的电路部件的一部分和主面80a。树脂构件82配置于主面80b，覆盖了构成高频模块1A的电路部件的一部分和主面80b。树脂构件81及82具有确保构成高频模块1A的电路部件的机械强度和耐湿性等可靠性的功能。此外，树脂构件81及82不是本实施方式所涉及的高频模块1所必需的结构要素。

金属屏蔽层85形成于树脂构件81的表面，并被设定为地电位。金属屏蔽层85例如是通过溅射法形成的金属薄膜，是铜、包含铜的合金、或者包含铜的层叠体。

如图2和图3所示，在本实施例所涉及的高频模块1A中，半导体IC 70、双工器61及62、匹配电路42、43、44及45配置于主面80a。另一方面，低噪声放大电路31和开关52～54配置于主面80b。

此外，虽然在图2中未图示，但是用于连接图1中示出的各电路部件的布线形成于模块基板80的内部、主面80a及80b。另外，上述布线也可以是两端与主面80a、80b以及构成高频模块1A的电路部件中的任一个接合的接合线，另外，也可以是形成于构成高频模块1A的电路部件的表面的端子、电极或布线。

另外，在本实施例所涉及的高频模块1A中，在主面80b上配置有多个外部连接端子150。高频模块1A与配置于高频模块1A的z轴负方向侧的外部基板经由多个外部连接端子150进行电信号的交换。另外，多个外部连接端子150中的几个外部连接端子被设定为外部基板的地电位。在主面80a及80b中的与外部基板相向的主面80b上不配置难以进行低矮化的电路部件，而配置有易于进行低矮化的低噪声放大电路31和开关52～54。

此外，外部连接端子150也可以如图2和图3所示那样是沿z轴方向贯通树脂构件82的柱状电极，另外，外部连接端子150也可以是形成于主面80b上的凸块电极。在该情况下，也可以没有主面80b上的树脂构件82。

另外，在本实施例所涉及的高频模块1A中，半导体IC 70必须配置于主面80a及80b中的某一个主面，而其它电路部件可以配置于主面80a及80b中的任意主面。

另外，虽然在图2和图3中未图示，但是双信器73可以表面安装于主面80a及80b中的任意主面，另外也可以内置于模块基板80。

半导体IC 70包括第一基材10和第二基材20。

第一基材10的至少一部分由第一半导体材料构成。作为第一半导体材料的一例，能够列举单质半导体，特别是能够列举硅(Si)或氮化镓(GaN)。也就是说，在本实施例中，第一基材10的至少一部分由Si或GaN构成。此外，第一半导体材料不限定于硅或氮化镓。例如，作为第一半导体材料，能够使用包含砷化镓、砷化铝(AlAs)、砷化铟(InAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)、锑化铟(InSb)、氮化镓、氮化铟(InN)、氮化铝(AlN)、硅、锗(Ge)、碳化硅(SiC)以及氧化镓(III)(Ga₂O₃)中的任一个的材料、或者由这些材料中的多个材料形成的多元混晶材料，且不限定于它们。此外，在本实施例中，在第一基材10形成有PA控制电路11。

第二基材20的至少一部分由热导率比第一半导体材料的热导率高的第二半导体材料构成，在第二基材20形成有功率放大电路21。作为第二半导体材料的一例，能够列举化合物半导体，特别是能够列举砷化镓(GaAs)或硅锗(SiGe)。也就是说，在本实施例中，第二基材20的至少一部分由GaAs或SiGe构成，在第二基材20形成有功率放大电路21。此外，第二半导体材料不限定于砷化镓或硅锗。例如，作为第二半导体材料，能够使用包含砷化镓、砷化铝、砷化铟、磷化铟、磷化镓、锑化铟、氮化镓、氮化铟、氮化铝、硅锗、碳化硅、氧化镓(III)以及镓铋(GaBi)中的任一个的材料、或者由这些材料中的多个材料形成的多元混晶材料，且不限定于它们。

如图3所示，第二基材20配置于模块基板80与第一基材10之间，且与第一基材10接合，且经由电极23(第一金属构件)而与主面80a连接。

下面，详细地说明半导体IC 70。如上所述，半导体IC 70包括第一基材10和第二基材20。

图4是实施例所涉及的半导体IC 70的截面结构图。另外，图5是实施例所涉及的第二基材20的截面结构图。

如图4所示，第一基材10与第二基材20在z轴方向(主面80a的垂直方向)上层叠。

第一基材10例如具备Si基板12、绝缘层13、Si层14、布线层15以及SiN层17，SiN层17、布线层15、Si层14、绝缘层13以及Si基板12从主面80a起按此顺序层叠。

Si基板12例如由硅单晶构成。

Si层14例如是由硅形成的层，是形成有构成PA控制电路11的电路元件的层。

布线层15例如是在由氧化硅形成的层的内部形成有用于将来自PA控制电路11的控制信号传递到第二基材20和模块基板80的通路布线16的层。

SiN层17例如是由氮化硅形成的保护层，是用于确保第一基材10的耐湿性等可靠性的层。

第一基材10经由从第一基材10朝向主面80a延伸的电极24(第二金属构件)而与主面80a连接。电极24例如由柱状导体24a和凸块电极24b构成，柱状导体24a的一端与形成于SiN层17的电极18接合，另一端与凸块电极24b接合。凸块电极24b与形成于主面80a的电极连接。

据此，第一基材10的PA控制电路11能够与模块基板80直接交换高频信号和数字信号，因此能够降低信号的传输损耗。

此外，第一基材10只要具备Si基板12即可，也可以没有其它各层。另外，第一基材10中也可以包括开关53及54。

另外，如图4所示，第一基材10具有彼此相向的主面10a及10b。此外，主面10b也可以与金属屏蔽层85接触。

据此，能够将第二基材20的功率放大电路21所产生的热经由第一基材10和金属屏蔽层85来向外部散热。因此，高频模块1A的散热性提高。

另外，在第一基材10的主面10a上配置有树脂构件71。另外，树脂构件71覆盖了第二基材20。

接着，如图5所示，第二基材20例如具备GaAs基材层20n和外延层20d。

GaAs基材层20n例如是由砷化镓形成的单晶基板。

外延层20d例如是在GaAs基材层20n上外延生长了GaAs而成的层。

功率放大电路21例如形成于外延层20d上。

GaAs基材层20n与第一基材10的SiN层17接合。也就是说，第二基材20与第一基材10接合。

第二基材20经由从第二基材20朝向主面80a延伸的电极23(第一金属构件)而与主面80a连接。电极23例如由柱状导体23a和凸块电极23b构成，柱状导体23a的一端与形成于第二基材20的主面的电极22接合，另一端与凸块电极23b接合。凸块电极23b与形成于主面80a的电极连接。

据此，第二基材20的功率放大电路21与模块基板80能够直接交换信号，因此能够降低信号的传输损耗。

另外，第二基材20的功率放大电路21也可以从第一基材10的PA控制电路11经由通路布线16来接收数字控制信号和直流信号等。

图6是实施例所涉及的功率放大电路21的电路结构图。如该图所示，功率放大电路21具备放大晶体管210、电容器213及214、偏置电路215、集电极端子212、发射极端子211、输入端子230以及输出端子220。

放大晶体管210例如具有集电极、发射极以及基极，是发射极接地型的双极型晶体管，是将输入到基极的高频电流放大来从集电极输出的放大元件。此外，放大晶体管210也可以是具有漏极(与集电极对应)、源极(与发射极对应)以及栅极(与基极对应)的场效应型的晶体管。

电容器214是DC隔断用的电容元件，具有防止由于从偏置电路215施加于基极的直流偏置电压而导致直流电流泄漏到输入端子230的功能。

电容器213是DC隔断用的电容元件，具有去除叠加有直流偏置电压的高频放大信号的直流成分的功能，去除了直流成分的该高频放大信号从输出端子220输出。

偏置电路215与放大晶体管210的基极连接，具有通过向该基极施加偏置电压来优化放大晶体管210的动作点的功能。

发射极端子211与电极23(第一金属构件)连接，且与地连接。

根据功率放大电路21的上述电路结构，从输入端子230输入的高频信号RFin成为从放大晶体管210的基极向发射极流通的基极电流Ib。由放大晶体管210将基极电流Ib放大而成为集电极电流Icc，与该集电极电流Icc对应的高频信号RFout从输出端子220输出。此时，从发射极端子211向地流通基极电流Ib与集电极电流Icc合计而得到的大电流。因此，为了提高功率放大电路21的散热性，需要提高从必须作为放大晶体管210的散热部发挥功能的发射极端子211的散热性。

图7是实施例所涉及的半导体IC 70的平面结构概要图。此外，在图7中，示出了从z轴正方向侧观察模块基板80的彼此相向的主面80a及80b中的主面80a的情况下的对第一基材10、第二基材20、PA控制电路11、电极23～26的配置进行了透视而得到的图。此外，图4是图7的IV-IV线处的截面图。

电极26是第二金属构件的一例，将第二基材20与主面80a连接。电极26例如是功率放大电路21的输入端子230或输出端子220，是供高频信号流通的信号电极。

电极23是第一金属构件的一例，将第二基材20与主面80a连接。电极23例如是与功率放大电路21的发射极端子211连接的地电极。

电极24是第二金属构件的一例，将第一基材10与主面80a连接。电极24例如是PA控制电路11的输入端子或输出端子，或者是地电极。

电极25是第三金属构件的一例，将第一基材10与主面80a连接。电极25例如是形成于第一基材10的电子部件的地电极。

在此，在俯视模块基板80的情况下，电极23的面积比电极26的面积大。另外，电极23的面积比电极24的面积大。

根据上述结构，能够促进功率放大电路21所产生的热向热导率比第二基材20的热导率高的第一基材10传热。与此同时，功率放大电路21所产生的热经由散热面积大的电极23来从第二基材20向模块基板80散热。由此，能够高效地对功率放大电路21所产生的热进行散热。并且，第一基材10与第二基材20在主面80a的垂直方向上层叠，因此能够使高频模块1A小型化且提高散热性。

另外，如图7所示，在俯视模块基板80的情况下电极23具有长条形状。据此，例如，与离散地配置多个如电极26那样的具有圆形状的电极来确保大面积的情况相比，能够提高电极23的电极密度，因此能够有效利用第二基材20上的区域。

此外，长条形状是指在一个方向上长的形状，长条方向是指该一个方向。更具体地说，长条形状是指相比于与一个方向交叉的另一个方向上的长度、该一个方向上的长度更长的形状。

另外，在俯视模块基板80的情况下，电极25的面积比电极26的面积大。另外，电极25的面积比电极24的面积大。

根据上述结构，传递到第一基材10的功率放大电路21的热经由散热面积大的电极25来向模块基板80散热。由此，能够更高效地对功率放大电路21所产生的热进行散热。

另外，如图7所示，在俯视模块基板80的情况下电极25具有长条形状。据此，例如，与离散地配置多个如电极24那样的具有圆形状的电极来确保大面积的情况相比，能够提高电极25的电极密度，因此能够有效利用第一基材10上的区域。

另外，虽然在图7中未示出，但是也可以是，在俯视模块基板80的情况下，放大晶体管210与电极23重叠。

据此，能够缩短将放大晶体管210与电极23连结的散热路径，因此能够提高该散热路径的导热性，能够提高散热性。

另外，如图5所示，功率放大电路21的放大晶体管210例如具有集电极层21C、基极层21B以及发射极层21E。集电极层21C、基极层21B以及发射极层21E在外延层20d上按此顺序层叠。也就是说，在放大晶体管中，集电极层21C、基极层21B以及发射极层21E从第一基材10侧起按此顺序层叠。

另外，如图4所示，第二基材20也可以比第一基材10薄。换言之，第二基材20的厚度方向(z轴方向)上的厚度也可以比第一基材10的厚度方向(z轴方向)上的厚度小。

据此，热导率低的第二基材20相对薄，热导率高的第一基材10相对厚，因此能够促进从第二基材20向第一基材10的热传导，散热性提高。

另外，在实施例所涉及的高频模块1A中，也可以是，半导体IC 75中包括低噪声放大电路31、开关52～54。

据此，能够使高频模块1A小型化。

另外，在实施例1所涉及的高频模块1A中，在俯视模块基板80的情况下，低噪声放大电路31与第一基材10及第二基材20不重叠。

据此，除了功率放大电路21与低噪声放大电路31隔着模块基板80而分配到两面以外，还能够将功率放大电路21与低噪声放大电路31的距离确保得大。因此，能够提高发送接收间的隔离度。

[3.变形例1及2所涉及的半导体IC的电极配置结构]

接着，说明电极23及25的配置结构。

图8A是变形例1所涉及的半导体IC 70A的平面结构概要图。此外，在图8A中，示出了从z轴正方向侧观察模块基板80的彼此相向的主面80a及80b中的主面80a的情况下的对第一基材10A、第二基材20A、电极23～25的配置进行了透视而得到的图。变形例1所涉及的半导体IC 70A与实施例所涉及的半导体IC 70相比，仅电极23及25的配置结构不同。下面，关于本变形例所涉及的半导体IC 70A，省略与实施例所涉及的半导体IC 70相同的结构的说明，以不同的结构为中心进行说明。

电极23是第一金属构件的一例，将第二基材20A与主面80a连接。

电极25是第三金属构件的一例，将第一基材10A与主面80a连接。

在此，如图8A所示，在俯视模块基板80的情况下，第二基材20A包含于第一基材10A，第一基材10A具有中央区域C和位于该中央区域C的外周的外周区域P。电极23在第二基材20A与外周区域P重叠的区域被配置为电极23的长条方向与第一基材10A的外边中的最接近电极23的外边L2平行。另外，电极25在外周区域P被配置为电极25的长条方向与第一基材10A的外边中的最接近电极25的外边L1平行。

此外，在本实施方式中，“在规定的俯视下A包含于B”是指在将物体在规定的平面的垂直方向上投影的情况下，A的整个投影区域与B的投影区域重叠。

在将半导体IC 70A安装到模块基板80的制造工序中，当电极23、24及25的面积不同时，与该电极接合的焊料的量不同，因此电极面积越大，则这些电极与主面80a的距离越大。因此，当电极面积大的电极23及25配置于半导体IC 70A的中央区域C时，在模块基板80上将无法稳定配置半导体IC 70A。

与此相对地，根据电极23及25的上述配置结构，电极23及25配置于外周区域P，且沿着最接近的外边配置，因此在将半导体IC 70A安装到模块基板80的制造工序中，能够将半导体IC 70A稳定配置到模块基板80上。

此外，电极23及25最接近的外边不限于外边L2及L1的组合。电极23及25最接近的外边也可以是彼此相向的外边L2及L4的组合或L1及L3的组合。

图8B是变形例2所涉及的半导体IC 70B的平面结构概要图。此外，在图8B中，示出了从z轴正方向侧观察模块基板80的彼此相向的主面80a及80b中的主面80a的情况下的对第一基材10B、第二基材20B、电极23～25的配置进行了透视而得到的图。变形例2所涉及的半导体IC 70B与实施例所涉及的半导体IC 70相比，仅电极23及25的配置结构不同。下面，关于本变形例所涉及的半导体IC 70B，省略与实施例所涉及的半导体IC 70相同的结构的说明，以不同的结构为中心进行说明。

电极23是第一金属构件的一例，将第二基材20B与主面80a连接。

电极25是第三金属构件的一例，将第一基材10B与主面80a连接。

在此，如图8B所示，在俯视模块基板80的情况下，第二基材20B包含于第一基材10B，第一基材10B具有中央区域C和位于该中央区域C的外周的外周区域P。电极23在第二基材20B与外周区域P重叠的区域被配置为电极23的长条方向与第一基材10B的外边中的最接近电极23的外边L3平行。另外，电极25在外周区域P被配置为电极25的长条方向与第一基材10A的外边中的最接近电极25的外边L3平行。

在本变形例所涉及的半导体IC 70B中，与变形例1所涉及的半导体IC70A不同，电极23及25沿着相同的外边L3配置。即使为该结构，由于电极23及25配置于外周区域P、且沿着最接近的外边配置，因此在将半导体IC 70B安装到模块基板80的制造工序中，也能够将半导体IC 70B稳定配置到模块基板80上。

此外，在变形例1和变形例2中，说明了电极23及25具有长条形状的情况下的电极配置，但是在仅电极23为长条形状、电极25为与电极24相同大小的圆形状的情况下，也可以是以下的配置结构。

即，在俯视模块基板80的情况下，第二基材20包含于第一基材10，第一基材10具有中央区域C和位于该中央区域C的外周的外周区域P，电极23材在第二基材20与外周区域P重叠的区域被配置为电极23的长条方向与第一基材10的外边中的最接近电极23的外边平行。

即使为该结构，由于电极23配置于外周区域P、且沿着最接近的外边配置，因此在将半导体IC 70安装到模块基板80的制造工序中，也能够将半导体IC 70稳定配置到模块基板80上。

[4.变形例3及4所涉及的半导体IC的电极配置结构]

此外，功率放大电路21也可以具有彼此级联连接的多个放大晶体管。

图9是变形例3所涉及的功率放大电路21M的电路结构图。本变形例所涉及的功率放大电路21M为包括彼此级联连接的2级放大晶体管的结构。如图9所示，功率放大电路21M具有功率放大器21P和功率放大器21D。

功率放大器21P具备放大晶体管210P、电容器214P及213P、偏置电路215P、集电极端子212P、发射极端子211P、端子225以及输出端子220。

放大晶体管210P是配置于多个放大晶体管的最后级(功率级)的第一放大晶体管，例如具有集电极、发射极以及基极，是发射极接地型的双极型晶体管，将输入到基极的高频电流放大来从集电极输出。此外，放大晶体管210P也可以是具有漏极(与集电极对应)、源极(与发射极对应)以及栅极(与基极对应)的场效应型的晶体管。

功率放大器21D具备放大晶体管210D、电容器214D及213D、偏置电路215D、集电极端子212D、发射极端子211D、输入端子230以及端子225。

放大晶体管210D是配置于比配置于最后级的放大晶体管210P靠前级(驱动级)的级的第二放大晶体管，例如具有集电极、发射极以及基极，是发射极接地型的双极型晶体管，将输入到基极的高频电流放大来从集电极输出。此外，放大晶体管210D也可以是具有漏极(与集电极对应)、源极(与发射极对应)以及栅极(与基极对应)的场效应型的晶体管。

电容器214P及214D具有与电容器214同样的功能。电容器213P及213D具有与电容器213同样的功能。偏置电路215P及215D分别与放大晶体管210P及210D的基极连接，具有与偏置电路215同样的功能。

发射极端子211P与电极23P(第一金属构件)连接且与地连接。另外，发射极端子211D与电极23D(第二金属构件)连接且与地连接。

根据本变形例所涉及的功率放大电路21M的上述电路结构，从输入端子230输入的高频信号RFin成为从放大晶体管210D的基极向发射极流通的基极电流Ib1。由放大晶体管210D将基极电流Ib1放大而成为集电极电流Icc1，与该集电极电流Icc1对应的高频信号从端子225输出。并且，由放大晶体管210D放大后的高频信号成为经由端子225而从放大晶体管210P的基极向发射极流通的基极电流Ib2。由放大晶体管210P将基极电流Ib2放大而成为集电极电流Icc2，与该集电极电流Icc2对应的高频信号从输出端子220输出。此时，从发射极端子211P向地流通基极电流Ib2与集电极电流Icc2合计而得到的大电流。因此，为了提高功率放大电路21M的散热性，需要提高从必须作为放大晶体管210P的散热部发挥功能的发射极端子211P的散热性。

图10是变形例3所涉及的半导体IC 70C的平面结构概要图。此外，在图10中，示出了从z轴正方向侧观察模块基板80的彼此相向的主面80a及80b中的主面80a的情况下的对第一基材10C、第二基材20C、PA控制电路11、电极23D、23P、24及25的配置进行了透视而得到的图。

电极23D是第二金属构件的一例，将第二基材20C与主面80a连接。电极23D例如是与功率放大电路21M的发射极端子211D连接的地电极。

电极23P是第一金属构件的一例，将第二基材20C与主面80a连接。电极23P例如是与功率放大电路21M的发射极端子211P连接的地电极。

电极24是第二金属构件的一例，将第一基材10C与主面80a连接。电极24例如是PA控制电路11的输入端子或输出端子，或者是地电极。

电极25是第三金属构件的一例，将第一基材10C与主面80a连接。电极25例如是形成于第一基材10C的电子部件的地电极。

在此，在俯视模块基板80的情况下，电极23P的面积比电极24的面积大。另外，电极23P的面积比电极23D的面积大。

根据上述结构，能够促进功率放大电路21M所产生的热向热导率比第二基材20C的热导率高的第一基材10C传热。与此同时，能够促进功率放大电路21M所产生的热经由散热面积大的电极23P来从第二基材20C向模块基板80散热。由此，能够高效地对功率放大电路21M所产生的热进行散热。并且，第一基材10C与第二基材20C在主面80a的垂直方向上层叠，因此能够使高频模块小型化且提高散热性。

另外，如图10所示，在俯视模块基板80的情况下，电极23P具有长条形状。据此，例如，与离散地配置多个如电极24那样的具有圆形状的电极来确保大面积的情况相比，能够提高电极23P的电极密度，因此能够有效利用第二基材20C上的区域。

另外，如图10所示，也可以是，在俯视模块基板80的情况下，放大晶体管210P与电极23P重叠，放大晶体管210D与电极23D重叠。

据此，能够缩短将放大晶体管210P与电极23P连结的散热路径，能够缩短将放大晶体管210D与电极23D连结的散热路径，因此能够提高这些散热路径的导热性，能够提高散热性。

图11是变形例4所涉及的半导体IC 70D的平面结构概要图。本变形例所涉及的半导体IC 70D与变形例3所涉及的半导体IC 70C相比，在以下方面不同：第二基材20由2个分离配置的第三基材20D及第四基材20P构成。下面，关于本变形例所涉及的半导体IC 70D，以与变形例3所涉及的半导体IC 70C不同的结构为中心进行说明。

半导体IC 70D包括第三基材20D和第四基材20P。第一基材10D与第三基材20D在z轴方向(主面80a的垂直方向)上层叠。另外，第一基材10D与第四基材20P在z轴方向(主面80a的垂直方向)上层叠。

第三基材20D的至少一部分由热导率比第一半导体材料的热导率高的第二半导体材料构成，在第三基材20D形成有功率放大器21D。第四基材20P的至少一部分由热导率比第一半导体材料的热导率高的第二半导体材料构成，在第四基材20P形成有功率放大器21P。

第三基材20D配置于模块基板80与第一基材10D之间，且与第一基材10D接合，且经由电极23D(第二金属构件)而与主面80a连接。

第四基材20P配置于模块基板80与第一基材10D之间，且与第一基材10D接合，且经由电极23P(第一金属构件)而与主面80a连接。

根据上述结构，能够促进功率放大电路所产生的热向热导率比第三基材20D的热导率高的第一基材10D传热。与此同时，能够促进功率放大电路所产生的热经由散热面积大的电极23P来从第三基材20D向模块基板80散热。由此，能够高效地对功率放大电路所产生的热进行散热。并且，第二基材20由分离配置的第三基材20D和第四基材20P构成，因此不会使功率放大器21D及21P中的一方所产生的热传到功率放大器21D及21P中的另一方，而能够向模块基板80散热，因此散热效率提高。

[5.效果等]

以上，实施例所涉及的高频模块1A具备：模块基板80，其具有彼此相向的主面80a及80b；第一基材10，该第一基材10的至少一部分由第一半导体材料构成；以及第二基材20，该第二基材20的至少一部分由热导率比第一半导体材料的热导率高的第二半导体材料构成，在该第二基材20形成有功率放大电路21，其中，第一基材10和第二基材20配置于主面80a，第二基材20配置于模块基板80与第一基材10之间，且与第一基材10接合，且经由电极23而与主面80a连接，第一基材10和第二基材20中的一方经由电极24而与主面80a连接，在俯视模块基板80的情况下，电极23的面积比电极24的面积大。

另外，实施例所涉及的高频模块1A具备：模块基板80，其具有彼此相向的主面80a及80b；第一基材10，该第一基材10的至少一部分由硅或氮化镓构成；以及第二基材20，该第二基材20的至少一部分由砷化镓或硅锗构成，在该第二基材20形成有功率放大电路21，其中，第一基材10和第二基材20配置于主面80a，第二基材20配置于模块基板80与第一基材10之间，且与第一基材10接合，且经由电极23而与主面80a连接，第一基材10和第二基材20中的一方经由电极24而与主面80a连接，在俯视模块基板80的情况下，电极23的面积比电极24的面积大。

据此，能够促进功率放大电路21所产生的热向热导率比第二基材20的热导率高的第一基材10传热。与此同时，功率放大电路21所产生的热经由散热面积大的电极23来从第二基材20向模块基板80散热。由此，能够高效地对功率放大电路21所产生的热进行散热。并且，第一基材10与第二基材20在主面80a的垂直方向上层叠，因此能够使高频模块1A小型化且提高散热性。

另外，在高频模块1A中，也可以是，在俯视模块基板80的情况下，电极23具有长条形状。

据此，例如，与离散地配置多个如电极24那样的具有圆形状的电极来确保大面积的情况相比，能够提高电极23的电极密度，因此能够有效利用第二基材20上的区域。

另外，在变形例1所涉及的半导体IC 70A中，也可以是，在俯视模块基板80的情况下，第二基材20A包含于第一基材10A，第一基材10A具有中央区域C和外周区域P，电极23在第二基材20A与外周区域P重叠的区域被配置为电极23的长条方向与第一基材10A的外边中的最接近电极的外边L2平行。

据此，电极23配置于外周区域P，且沿着最接近的外边L2配置，因此在将半导体IC70A安装到模块基板80的制造工序中，能够将半导体IC 70A稳定配置到模块基板80上。

另外，在高频模块1A中，也可以是，第一基材10经由电极25而与主面80a连接，在俯视模块基板80的情况下，电极25的面积比电极24的面积大。

据此，传递到第一基材10的功率放大电路21的热经由散热面积大的电极25来向模块基板80散热。由此，能够更高效地对功率放大电路21所产生的热进行散热。

另外，在高频模块1A中，也可以是，在俯视模块基板80的情况下，电极23及25具有长条形状。

据此，例如，与离散地配置多个如电极24那样的具有圆形状的电极来确保大面积的情况相比，能够提高电极23及25的电极密度，因此能够有效利用第二基材20上的区域。

另外，在变形例1所涉及的半导体IC 70A或变形例1所涉及的半导体IC 70B中，也可以是，在俯视模块基板80的情况下，第二基材20A(或20B)包含于第一基材10A(或10B)，第一基材10A(或10B)具有中央区域C和外周区域P，电极23在第二基材20A(或20B)与外周区域P重叠的区域被配置为电极23的长条方向与第一基材10A(或10B)的外边中的最接近电极23的外边L2(或L3)平行，电极25在外周区域P被配置为电极25的长条方向与第一基材10A(或10B)的外边中的最接近电极25的外边L1(或L3)平行。

据此，由于电极23及25配置于外周区域P，且沿着最接近的外边配置，因此在将半导体IC 70A(或70B)安装到模块基板80的制造工序中，能够将半导体IC 70A(或70B)稳定配置到模块基板80上。

另外，在高频模块1A中，也可以是，功率放大电路21包括放大晶体管210，放大晶体管210与电极23连接。

据此，放大晶体管210所产生的热经由散热面积大的电极23来从第二基材20向模块基板80散热，因此能够高效地对功率放大电路21所产生的热进行散热。

另外，在高频模块1A中，也可以是，在俯视模块基板80的情况下，放大晶体管210与电极23重叠。

据此，能够缩短将放大晶体管210与电极23连结的散热路径，因此能够提高该散热路径的导热性，能够提高散热性。

另外，在高频模块1A中，也可以是，放大晶体管210具有集电极层21C、基极层21B以及发射极层21E，且从第一基材10侧起按集电极层21C、基极层21B、发射极层21E的顺序层叠。

另外，在变形例3所涉及的高频模块中，也可以是，功率放大电路21M包括彼此级联连接的多个放大晶体管，该多个放大晶体管具有配置于最后级的放大晶体管210P、以及配置于比放大晶体管210P靠前级的级的放大晶体管210D，电极23与放大晶体管210P连接。

据此，能够促进功率放大电路21M所产生的热向热导率比第二基材20C的热导率高的第一基材10C传热。与此同时，能够促进功率放大电路21M所产生的热经由散热面积大的电极23P来从第二基材20C向模块基板80散热。由此，能够高效地对功率放大电路21M所产生的热进行散热。

另外，在变形例3所涉及的高频模块中，也可以是，电极25材与放大晶体管210D连接。

另外，在变形例3所涉及的高频模块中，也可以是，在俯视模块基板80的情况下，放大晶体管210P与电极23重叠，放大晶体管210D与电极25重叠。

据此，能够缩短将放大晶体管210P与电极23P连结的散热路径，并能够缩短将放大晶体管210D与电极23D连结的散热路径，因此能够提高这些散热路径的导热性，能够提高散热性。

另外，在变形例4所涉及的半导体IC 70D中，也可以是，第二基材由相互分离配置的第三基材20D和第四基材20P构成，第三基材20D中包括放大晶体管210D，第四基材20P中包括放大晶体管210P。

据此，第二基材20由分离配置的第三基材20D和第四基材20P构成，因此不会使功率放大器21D及21P中的一方所产生的热传到功率放大器21D及21P中的另一方，而能够向模块基板80散热，因此散热效率提高。

另外，在高频模块1A中，也可以是，第一基材10包括对功率放大电路21进行控制的PA控制电路11。

据此，能够缩短将功率放大电路21与PA控制电路11连接的控制布线。

另外，高频模块1A也可以还具备配置于主面80b的多个外部连接端子150。

另外，高频模块1A也可以还具备配置于主面80b的低噪声放大电路31，在俯视模块基板80的情况下，第一基材10及第二基材20与低噪声放大电路31不重叠。

据此，除了功率放大电路21与低噪声放大电路31隔着模块基板80而分配于两面以外，还能够将功率放大电路21与低噪声放大电路31的距离确保得大。因此，能够提高发送接收间的隔离度。

另外，通信装置5具备：RFIC 3，其对利用天线2发送接收的高频信号进行处理；以及高频模块1，其在天线2与RFIC 3之间传输高频信号。

据此，能够提供提高了散热性的通信装置5。

(其它实施方式等)

以上，列举了实施方式、实施例以及变形例来说明了本发明的实施方式所涉及的高频模块以及通信装置，但是本发明所涉及的高频模块以及通信装置不限定于上述实施方式、实施例以及变形例。将上述实施方式、实施例以及变形例中的任意的结构要素进行组合来实现的其它的实施方式、对上述实施方式、实施例以及变形例施加本领域技术人员在不脱离本发明的宗旨的范围内想到的各种变形来得到的变形例、内置有上述高频模块和通信装置的各种设备也包括在本发明中。

例如，在上述实施方式、实施例以及变形例所涉及的高频模块以及通信装置中，也可以在附图所公开的将各电路元件和信号路径连接的路径之间插入其它电路元件和布线等。

产业上的可利用性

本发明作为支持多频段的配置于前端部的高频模块，能够广泛利用于便携式电话等通信设备。

附图标记说明

1、1A：高频模块；2：天线；3：RF信号处理电路(RFIC)；4：基带信号处理电路(BBIC)；5：通信装置；10、10A、10B、10C、10D：第一基材；10a、10b、80a、80b：主面；11：PA控制电路；12：Si基板；13：绝缘层；14：Si层；15：布线层；16：通路布线；17：SiN层；18、22、23、23D、23P、24、25、26：电极；20、20A、20B、20C：第二基材；20d：外延层；20D：第三基材；20n：GaAs基材层；20P：第四基材；21、21M：功率放大电路；21B：基极层；21C：集电极层；21D、21P：功率放大器；21E：发射极层；23a、24a：柱状导体；23b、24b：凸块电极；31：低噪声放大电路；42、43、44、45：匹配电路；52、53、54：开关；61、62：双工器；61R、62R：接收滤波器；61T、62T：发送滤波器；70、70A、70B、70C、70D、75：半导体IC；71、81、82：树脂构件；73：双信器；73H、73L：滤波器；80：模块基板；85：金属屏蔽层；100：天线连接端子；110：控制信号端子；120：发送输入端子；130：接收输出端子；150：外部连接端子；210、210D、210P：放大晶体管；211、211D、211P：发射极端子；212、212D、212P：集电极端子；213、213D、213P、214、214D、214P：电容器；215、215D、215P：偏置电路；220：输出端子；225：端子；230：输入端子。

Claims (18)

1.一种高频模块，具备：

模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；

第一基材，该第一基材的至少一部分由第一半导体材料构成；以及

第二基材，该第二基材的至少一部分由热导率比所述第一半导体材料的热导率高的第二半导体材料构成，在该第二基材形成有功率放大电路，

其中，所述第一基材和所述第二基材配置于所述第一主面，

所述第二基材配置于所述模块基板与所述第一基材之间，且与所述第一基材接合，且经由第一金属构件而与所述第一主面连接，

所述第一基材和所述第二基材中的一方经由第二金属构件而与所述第一主面连接，

在俯视所述模块基板的情况下，所述第一金属构件的面积比所述第二金属构件的面积大。

2.一种高频模块，具备：

模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；

第一基材，该第一基材的至少一部分由硅或氮化镓构成；以及

第二基材，该第二基材的至少一部分由砷化镓或硅锗构成，在该第二基材形成有功率放大电路，

其中，所述第一基材和所述第二基材配置于所述第一主面，

所述第二基材配置于所述模块基板与所述第一基材之间，且与所述第一基材接合，且经由第一金属构件而与所述第一主面连接，

所述第一基材和所述第二基材中的一方经由第二金属构件而与所述第一主面连接，

在俯视所述模块基板的情况下，所述第一金属构件的面积比所述第二金属构件的面积大。

3.根据权利要求1或2所述的高频模块，其中，

在俯视所述模块基板的情况下，所述第一金属构件具有长条形状。

4.根据权利要求3所述的高频模块，其中，

在俯视所述模块基板的情况下，

所述第二基材包含于所述第一基材，所述第一基材具有中央区域和位于该中央区域的外周的外周区域，

所述第一金属构件在所述第二基材与所述外周区域重叠的区域被配置为所述第一金属构件的长条方向与所述第一基材的外边中的最接近所述第一金属构件的外边平行。

5.根据权利要求1～3中的任一项所述的高频模块，其中，

所述第一基材经由第三金属构件而与所述第一主面连接，

在俯视所述模块基板的情况下，所述第三金属构件的面积比所述第二金属构件的面积大。

6.根据权利要求5所述的高频模块，其中，

在俯视所述模块基板的情况下，

所述第一金属构件和所述第三金属构件具有长条形状。

7.根据权利要求6所述的高频模块，其中，

在俯视所述模块基板的情况下，

所述第二基材包含于所述第一基材，所述第一基材具有中央区域和位于该中央区域的外周的外周区域，

所述第一金属构件在所述第二基材与所述外周区域重叠的区域被配置为所述第一金属构件的长条方向与所述第一基材的外边中的最接近所述第一金属构件的外边平行，

所述第三金属构件在所述外周区域被配置为所述第三金属构件的长条方向与所述第一基材的外边中的最接近所述第三金属构件的外边平行。

8.根据权利要求1～7中的任一项所述的高频模块，其中，

所述功率放大电路包括放大晶体管，

所述放大晶体管与所述第一金属构件连接。

9.根据权利要求8所述的高频模块，其中，

在俯视所述模块基板的情况下，所述放大晶体管与所述第一金属构件重叠。

10.根据权利要求8或9所述的高频模块，其中，

所述放大晶体管具有集电极层、基极层以及发射极层，

所述集电极层、所述基极层以及所述发射极层从所述第一基材侧起按所述集电极层、所述基极层、所述发射极层这一顺序层叠。

11.根据权利要求1～7中的任一项所述的高频模块，其中，

所述功率放大电路包括彼此级联连接的多个放大晶体管，

所述多个放大晶体管具有：

配置于所述多个放大晶体管的最后级的第一放大晶体管；以及

配置于比所述第一放大晶体管靠前级的级的第二放大晶体管，

所述第一金属构件与所述第一放大晶体管连接。

12.根据权利要求11所述的高频模块，其中，

所述第二金属构件与所述第二放大晶体管连接。

13.根据权利要求12所述的高频模块，其中，

在俯视所述模块基板的情况下，所述第一放大晶体管与所述第一金属构件重叠，所述第二放大晶体管与所述第二金属构件重叠。

14.根据权利要求11～13中的任一项所述的高频模块，其中，

所述第二基材由相互分离配置的第三基材和第四基材构成，

所述第四基材中包括所述第一放大晶体管，

所述第三基材中包括所述第二放大晶体管。

15.根据权利要求1～14中的任一项所述的高频模块，其中，

所述第一基材包括对所述功率放大电路进行控制的控制电路。

16.根据权利要求1～15中的任一项所述的高频模块，其中，

还具备配置于所述第二主面的多个外部连接端子。

17.根据权利要求1～16中的任一项所述的高频模块，其中，

还具备配置于所述第二主面的低噪声放大电路，

在俯视所述模块基板的情况下，所述第一基材及所述第二基材与所述低噪声放大电路不重叠。

18.一种通信装置，具备：

射频信号处理电路即RF信号处理电路，其对利用天线发送的高频信号进行处理；以及

根据权利要求1～17中的任一项所述的高频模块，其在所述天线与所述RF信号处理电路之间传输所述高频信号。