CN116575003A - 一种蒸镀源和蒸镀装置 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种蒸镀源和蒸镀装置，所述蒸镀源包括坩埚本体和内压板，所述坩埚本体设有朝向待蒸镀基板表面的出口；所述内压板可移动地设置在所述坩埚本体内以与所述坩埚本体形成容置腔，所述内压板开设有蒸镀孔。上述蒸镀源在真空蒸镀过程中，蒸镀材料蒸镀时会在坩埚本体内产生一定的内压，由于内压板可移动地设置在坩埚本体内，通过内压板相对于坩埚本体的移动可以调整坩埚本体内的容置腔大小，从而可以平衡蒸镀时产生的内压，使容置腔内的内压维持在稳定的范围，继而使得蒸镀源具有稳定的蒸发速率，从而提高蒸镀形成的膜层厚度的均一性，提高OLED的显示效果和产品良率。

Description

一种蒸镀源和蒸镀装置

技术领域

本申请属于显示装置制备技术领域，尤其涉及一种蒸镀源和蒸镀装置。

背景技术

真空蒸镀是生产OLED(Organic Light Emitting Diode，有机电致发光二极管)过程中必不可少的工艺环节，真空蒸镀工艺的优劣在很大程度上决定了OLED的显示效果优劣和产品的良率。例如，在真空蒸镀过程中，，由于坩埚内温度不均匀和/或随着蒸镀的进行时长不同，坩埚内蒸镀材料的蒸发速率不同，致使蒸镀形成的膜层厚度均一性较差，对OLED的显示效果和产品良率的影响较大。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本申请旨在至少能够在一定程度上解决随着蒸镀的进行时长不同，坩埚内蒸镀材料的蒸发速率不同，致使蒸镀形成的膜层厚度均一性较差，对OLED的显示效果和产品良率的影响较大的技术问题。为此，本申请提供了一种蒸镀源和蒸镀装置。

本申请实施例提供的一种蒸镀源，所述蒸镀源包括：

坩埚本体，所述坩埚本体设有朝向待蒸镀基板表面的出口；和，

内压板，所述内压板可移动地设置在所述坩埚本体内以与所述坩埚本体形成容置腔，所述内压板开设有蒸镀孔。

在一些实施方式中，所述蒸镀源还包括：

升降装置，所述升降装置用于使所述坩埚本体与所述内压板相对升降，以调整所述内压板相对于所述坩埚本体的高度。

在一些实施方式中，所述蒸镀源还包括：

盖板，所述盖板盖设在所述出口上，所述盖板上开设有喷嘴；和，

蒸发通道，所述蒸发通道可伸缩地连通在所述喷嘴与所述蒸镀孔之间。

在一些实施方式中，所述内压板开设有多个所述蒸镀孔，多个所述蒸镀孔阵列排布在所述内压板上，每个所述蒸镀孔的面积由所述内压板的中间区域向所述内压板的周边区域逐步增大。

在一些实施方式中，所述蒸镀源为线型蒸镀源，所述线型蒸镀源包括长度方向和宽度方向，多个所述蒸镀孔沿所述长度方向呈一字型地排布在所述内压板上，每个所述蒸镀孔的面积由所述内压板的中间向所述内压板的两端逐步增大。

在一些实施方式中，位于外侧的所述蒸镀孔的面积是相邻的位于内侧的所述蒸镀孔的面积的1倍～10倍。

在一些实施方式中，所述内压板包括第一压板和与所述第一压板叠设的第二压板，所述第一压板上开设有所述蒸镀孔，所述第二压板开设有多个通孔，多个所述通孔阵列排布在所述第二压板上。

在一些实施方式中，位于外侧的所述蒸镀孔相对应的所述通孔的总面积是相邻的且位于内侧的所述蒸镀孔相对应的所述通孔的总面积的1倍～10倍。

在一些实施方式中，所述蒸发通道的伸缩方式为多层折叠伸缩。

在一些实施方式中，所述蒸镀源还包括：

壳体，所述壳体套设在所述坩埚本体的外部，所述壳体内设有用于对所述坩埚本体加热的加热装置。

在一些实施方式中，所述盖板与所述壳体固定连接，所述内压板与所述壳体和/或所述盖板固定连接，所述升降装置设置在所述坩埚本体的底部，用于驱动所述坩埚本体相对于所述内压板升降。

在一些实施方式中，所述升降装置设置在所述坩埚本体的底部与所述壳体的底部之间；或，所述升降装置包括与所述坩埚本体的底部连接的连接端和与所述连接端相对的调节端，所述调节端贯穿所述壳体的底部位于所述壳体的外侧。

在一些实施方式中，所述蒸镀源还包括：支架，所述支架支撑在所述壳体上。

在一些实施方式中，所述升降装置设置在所述坩埚本体上或设置在所述盖板上，且所述升降装置与所述内压板连接，所述升降装置用于驱动所述内压板相对于所述坩埚本体升降。

本申请实施例还提供了一种蒸镀装置，所述蒸镀装置包括上述的蒸镀源。

本申请实施例至少具有如下有益效果：

上述蒸镀源在真空蒸镀过程中，蒸镀材料蒸镀时会在坩埚本体内产生一定的内压，由于内压板可移动地设置在坩埚本体内，通过内压板相对于坩埚本体的移动可以调整坩埚本体内的容置腔大小，从而可以平衡蒸镀时产生的内压，使容置腔内的内压维持在稳定的范围，继而使得蒸镀源具有稳定的蒸发速率，从而提高蒸镀形成的膜层厚度的均一性，提高OLED的显示效果和产品良率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出了本申请实施例中蒸镀源的俯视图；

图2示出了图1中的蒸镀源的A-A向剖视图；

图3示出了图2中的蒸镀源随蒸镀时间改变的状态图；

图4示出了图1中的蒸镀源中的内压板的俯视图；

图5示出了图4中的内压板中的第二压板的俯视图；

图6示出了另一实施例中的蒸镀源中的内压板的俯视图；

图7示出了图6中的内压板中的第二压板的俯视图；

图8示出了本申请另一实施例中蒸镀源的俯视图；

图9示出了图8中的蒸镀源的B-B向剖视图；

图10示出了图9中的蒸镀源随蒸镀时间改变的状态图；

图11示出了本申请又一实施例中的蒸镀源随蒸镀时间改变的状态图。

附图标记：

100、坩埚本体；110、蒸镀材料；200、内压板；210、第一压板；211、蒸镀孔；2111、第一蒸镀孔；2112、第二蒸镀孔；2113、第三蒸镀孔；2114、第四蒸镀孔；220、第二压板；221、通孔；300、升降装置；400、盖板；410、喷嘴；500、蒸发通道；510、第一蒸发通道；520、第二蒸发通道；530、第三蒸发通道；540、第四蒸发通道；600、壳体；700、支架；L1、第一蒸镀孔直径；L2、第二蒸镀孔直径；L3、第三蒸镀孔直径；L4、第四蒸镀孔直径。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。

OLED作为崛起的新一代显示技术，具备传统LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)不具备的诸多优点，被广泛应用到手机、VR(Virtual Reality,虚拟现实)、手表、可穿戴式产品等终端设备上。真空蒸镀是生产OLED过程中必不可少的工艺环节，真空蒸镀是指在真空条件下，通过加热使蒸镀材料110蒸发成为气态分子后，沿着特定轨道沉积在基板上，形成膜层。真空蒸镀作为一个系统工程，诸多因素对真空蒸镀具有明显的影响，基板的旋转速率、材料的蒸发速率、蒸发时间、温度、压力等因素影对成膜质量和厚度具有明显影响，也就是说真空蒸镀工艺的优劣在很大程度上决定了OLED的显示效果优劣和产品的良率。例如，在真空蒸镀过程中，由于坩埚内温度不均匀和/或随着蒸镀的进行时长不同，蒸镀材料110的蒸发速率不同，致使蒸镀形成的膜层厚度均一性较差，对OLED的显示效果和产品良率的影响较大。

随着市场端对更大尺寸OLED显示器的需求的日益增加，更高世代线的面板生产线被建立起来。更高世代线(如10.5代线)具有更大的尺寸，必然需要更大尺寸的坩埚以满足量产需要。在更大尺寸的坩埚中，温度不均现象更为明显，也就导致坩埚内各处蒸镀材料110的蒸发速率差异更明显，这种现象对于OLED显示器量产极为不利。

在相关技术中，一种方式是重新设计坩埚内部结构，例如采用调整喷嘴410结构和分布的方式以改善坩埚内温度不均匀的问题，虽然可以在一定程度上弥补坩埚的固有缺陷，如温度分布不均导致的材料分布不均的问题，但是无法从根本上解决蒸镀材料110由多变少过程中的蒸发速率的变化，治标不治本，缺乏灵活性和可调性。另一中方式是采用加热丝模块化设计，在坩埚不同位置设置多组加热丝，通过分级调节，对坩埚内不同位置采用不同程度的加热，以调整蒸镀材料110的蒸发速度，但是在蒸镀材料110较少时需要通过提高加热温度来实现平衡内压，会导致蒸镀材料110受到较高的加热温度，存在蒸镀材料110变质的风险。

本申请通过研究发现，随着蒸镀的进行，蒸镀材料110蒸发速率的改变与蒸镀源内的压力有关，基于此，本申请实施例提出了一种蒸镀源，如图1至图11所示，所述蒸镀源包括坩埚本体100和内压板200。其中，所述坩埚本体100设有朝向待蒸镀基板表面的出口；所述内压板200可移动地设置在所述坩埚本体100内以与所述坩埚本体100形成容置腔，所述内压板200开设有蒸镀孔211。

本申请实施例提出的蒸镀源在真空蒸镀过程中，蒸镀材料110蒸镀时会在坩埚本体100内产生一定的内压，由于内压板200可移动地设置在坩埚本体100内，通过内压板200相对于坩埚本体100的移动可以调整坩埚本体100内的容置腔大小，从而可以动态平衡蒸镀时产生的内压，使容置腔内的内压维持在稳定的范围，继而使得蒸镀源具有稳定的蒸发速率，从而提高蒸镀形成的膜层厚度的均一性，提高OLED的显示效果和产品良率。同时，本申请实施例提出的蒸发源，能够保证蒸镀过程中的内压稳定性进而膜厚均匀性，并且不需要额外增加热输入及改变坩埚的外形尺寸。

在一些实施例中，可以通过调整内压板200相对于坩埚本体100的高度和/或蒸镀孔211的面积以调控蒸镀材料110的蒸发速率和/或蒸镀材料110的通量。如图3所示，随着蒸镀材料110的蒸发，气态的蒸镀材料110会通过蒸镀孔211向带蒸镀基板表面移动，同时由内压板200和坩埚本体100形成的容置腔是相对封闭的，在容置腔内形成一定的内压，容置腔中内压的大小与容置腔的容积有关，当内压增大时，在内压等因素下使内压板200相对于坩埚本体100上升以增加容置腔的容积，同时使内压降低，直至内压大小与容置腔的容积达到平衡；若内压增大时，在内压板200自身重力等因素下使内压板200相对于坩埚本体100下降以减小容置腔的容积，同时使内压增大，直至内压大小与容置腔的容积达到平衡。在这些实施例中，影响蒸发速度的主要因素包括容置腔的内压大小，影响内压大小的因素有容置腔的容积、蒸镀孔211的面积大小、加热温度等因素，因此，一方面可以采用调整容置腔的容积的方式来调整内压大小的方式，也就是说可以通过调整内压板200相对于坩埚本体100的高度以调整容置腔的容积，进而调整容置腔的内压和蒸镀速率；另一方面，可以根据蒸镀材料110的温度分布对应调整内压板200上蒸镀孔211的面积大小，例如，使蒸镀材料110温度较高的区域对应的内压板200上蒸镀孔211的面积相对较小，使蒸镀材料110温度较低的区域对应的内压板200上蒸镀孔211的面积相对较大，从而通过蒸镀孔211的面积大小控制不同温度区域的蒸镀材料110的通量，也就是说通过调整蒸镀孔211的面积以平衡蒸镀材料110不同区域由于温度不同导致的蒸镀速率。

在一些实施例中，可以通过调整内压板200自身重量以实现内压板200的重量与内压的动态平衡。即在本申请实施例的蒸发源中，可以在将加热温度控制在安全的范围的前提下，通过控制内压板200的重量以实现平衡内压的目的，使内压板200的重量与预设的内压相对应，在蒸镀过程中，通过内压的作用使内压板200悬空在坩埚本体100内，并且随着内压的变化，内压板200可以在自身重力的作用下调整相对于坩埚本体100的高度，使内压板200重力与内压重新达到平衡，实现内压板200相对于坩埚本体100的高度与内压的动态平衡，也就是说实现了容置腔容积与内压的动态平衡。

本申请的蒸镀源，可以随着蒸镀的进程根据剩余蒸镀材料110的多少实时调整容置腔的容积，以实现动态平衡内压的目的，灵活性和可调性程度较高，并且在蒸镀材料110较少时可以采用无需提高加热温度的方式平衡内压，以避免蒸镀材料110变质，提高了蒸镀材料110的利用率。

作为一种可选实施方式，如图2和图3、图9和图10所示，所述蒸镀源还包括升降装置300，所述升降装置300用于使所述坩埚本体100与所述内压板200相对升降，以调整所述内压板200相对于所述坩埚本体100的高度。

在一些实施例中，通过升降装置300使坩埚本体100与所述内压板200相对升降，以调整所述内压板200相对于所述坩埚本体100的高度，从而达到主动调整容置腔容积的目的，实现对容置腔内压的主动控制，进而主动控制蒸镀材料110的蒸发速度。

在一些实施例中，如图2和图3所示，升降装置300可以用于驱动内压板200升降，即通过内压板200相对于坩埚本体100移动，从而调整内压板200相对于坩埚本体100的高度，即实现调整内压板200与坩埚本体100形成的容置腔的容积大小的目的。

在一些实施例中，如图9和图10所示，升降装置300可以用于驱动坩埚本体100升降，从而使坩埚本体100相对于内压板200移动，从而调整内压板200相对于坩埚本体100的高度，即实现调整内压板200与坩埚本体100形成的容置腔的容积大小的目的。

作为一种可选实施方式，如图2和图3、图9和图10所示，所述蒸镀源还包括盖板400和蒸发通道500。其中，所述盖板400盖设在所述出口上，所述盖板400上开设有喷嘴410；所述蒸发通道500可伸缩地连通在所述喷嘴410与所述蒸镀孔211之间。

在一些实施例中，如图1所示，蒸发源的矩形盖板400上设有多个喷嘴410，喷嘴410可以沿长度方向呈等间距地排布在矩形盖板400上。可选的，喷嘴410沿坩埚长度方向上对称地排布在盖板400上。

在一些实施例中，如图8所示，蒸发源的圆形盖板400上设有多个喷嘴410，喷嘴410可以均匀分布在圆形盖板400上。

在上述实施例中，通过使喷嘴410均匀地分布在盖板400上，在确保各个喷嘴410通量稳定的情况下，可以提高待蒸镀基板上形成膜层的厚度均一性，提高形成膜层厚度的精度。

在一些实施例中，如图2和图9所示，通过在蒸镀孔211与喷嘴410之间构建可伸缩地蒸发通道500，可以使气态蒸镀材料110通过蒸发通道500从蒸镀孔211定向移动至喷嘴410处，从而使喷嘴410处的气态蒸镀材料110的通量稳定，从而提高蒸镀膜层厚度均一性的目的。

在一些实施例中，如图2和图3、图9和图10所示，通过在蒸镀孔211与喷嘴410之间构建可伸缩地蒸发通道500，可以使气态蒸镀材料110通过蒸发通道500从蒸镀孔211定向移动至喷嘴410处，进一步可以通过控制与蒸发通道500连通的各个蒸镀孔211的面积大小以控制各个喷嘴410的蒸镀材料110通量，使各个喷嘴410的蒸镀材料110通量的均一性提高，进而使蒸镀材料110更均匀地分布待蒸镀基板表面，最终达到提高蒸镀膜层厚度均一性的目的。

作为一种可选实施方式，如图3和图10所示，所述蒸发通道500的伸缩方式为多层折叠伸缩。

在一些实施例中，如图3和图10所示，蒸发通道500的伸缩方式可以采用多层折叠伸缩，在升降装置300的作用下可以在坩埚本体100的高度方向上伸缩。蒸发通道500可以采用金属材料制备而成，例如采用金属材料制备多个可以依次套叠的中空管，在展开时各个中空管依次首尾连接，在内部形成供气态蒸镀材料110通过的通道；在折叠时各个中空套管依次套叠，在内部仍然可以形成供气态蒸镀材料110通过的通道。

作为一种可选实施方式，如图3和图4所示，所述内压板200开设有多个所述蒸镀孔211，多个所述蒸镀孔211阵列排布在所述内压板200上，每个所述蒸镀孔211的面积由所述内压板200的中间区域向所述内压板200的周边区域逐步增大。

在一些实施例中，蒸镀源的中加热丝可以均匀分布在坩埚本体100的四周，咋坩埚本体100的内部，尤其是坩埚本体100的尺寸较大时，坩埚本体100内蒸镀材料110不同区域存在温度差异，由于温度聚集效应，坩埚本体100中间区域具有最高的温度，并且温度由中间区域向周边区域逐步降低，随着温度的不同，蒸镀材料110的蒸发速率也不同，争取材料中间区域的蒸发速率由中间区域向周边区域逐步降低。为了平衡蒸镀材料110各个区域的通量，可以使每个所述蒸镀孔211的面积由所述内压板200的中间区域向所述内压板200的周边区域逐步增大；即在温度较高、蒸发速率较大的区域，对应的蒸镀孔211的面积较小，也就是说使蒸发面积较小；在温度较低、蒸发速率较小的区域，对应的蒸镀孔211的面积较大，也就是说使蒸发面积较大；从而使不同蒸发速率的区域对应有不同的蒸发面积，进而使蒸镀材料110的通量趋于相同。

作为一种可选实施方式，如图2和图3所示，所述蒸镀源为线型蒸镀源，所述线型蒸镀源包括长度方向和宽度方向，多个所述蒸镀孔211沿所述长度方向呈一字型地排布在所述内压板200上，每个所述蒸镀孔211的面积由所述内压板200的中间向所述内压板200的两端逐步增大。

在一些实施例中，线型蒸镀源在长度方向的尺寸较大，例如，坩埚本体100在长度方向的长度可以为500mm～3000mm，蒸镀时温度差异主要存在于长度方向；线型蒸镀源在宽度方向的尺寸较小，蒸镀时温度差异在宽度方向较小，因此在线型蒸镀源中可以将在宽度方向上的温度差异忽略不计。在这些实施例中，通过使每个所述蒸镀孔211的面积由所述内压板200的中间向所述内压板200的两端逐步增大，与容置腔内蒸镀材料110的蒸发速率由中间向两端逐步降低相匹配，从而使蒸镀源中与各个蒸镀孔211通过蒸发通道500连通的各个喷嘴410的通量更为接近，以达到提升蒸镀形成的膜层厚度均一性的目的。

在一些实施例中，如图2和图9所示，蒸镀源中喷嘴410即对应的蒸发通道500、蒸镀孔211的数量和尺寸可以根据坩埚本体100的尺寸确定，在图2所示的实施例中，坩埚本体100上设有7个喷嘴410。在其他实施例中，可以根据坩埚本体100的尺寸对喷嘴410的数量和设置间距进行适应性调整。

作为一种可选实施方式，如图2和图3所示，位于外侧的所述蒸镀孔211的面积是相邻的位于内侧的所述蒸镀孔211的面积的1倍～10倍。

在一些实施例中，如图2所示，位于坩埚本体100中心点处的蒸发通道500记为第一蒸发通道510，从坩埚本体100中心向两端分布的蒸发通道500依次记为第二蒸发通道520、第三蒸发通道530、第四蒸发通道540。如图4所示，位于内压板200中心点处的蒸镀孔211记为第一蒸镀孔2111，相应地，从内压板200的中心向两端分布的蒸镀孔211道依次记为第二蒸镀孔2112、第三蒸镀孔2113、第四蒸镀孔2114，在这些实施例中，各蒸镀孔211的轮廓可以是圆形的。则第一蒸发通道510与第一蒸镀孔2111的连接宽度可以看作是第一蒸镀孔直径L1，相应地，第二蒸发通道520与第二蒸镀孔2112的连接宽度可以看作是第二蒸镀孔直径L2，第三蒸发通道530与第三蒸镀孔2113的连接宽度可以看作是第三蒸镀孔直径L3，第四蒸发通道540与第四蒸镀孔2114的连接宽度可以看作是第四蒸镀孔直径L4，依次类推。由于各蒸镀孔211分别与盖板400上的喷嘴410相对应，故而各蒸镀孔211直径的最大值为相邻两个喷嘴410之间的距离，可选地，各蒸镀孔211直径的关系可以记为Ln＝M*L(n-1)，其中，M的取值范围可以是1～10。相应地，在一些实施例中，如图2所示，由于蒸镀孔211的直径由内压板200的中心相两端逐步增大，则各蒸镀孔211面积的关系可以记为Sn＝N*S(n-1)，N的取值范围可以是1～10。

作为一种可选实施方式，如图4和图5所示，所述内压板200包括第一压板210和与所述第一压板210叠设的第二压板220，所述第一压板210上开设有所述蒸镀孔211，所述第二压板220开设有多个通孔221，多个所述通孔221阵列排布在所述第二压板220上。

在一些实施例中，内压板200上的蒸镀孔211可以并非是完全贯通的，如图4和图5所示，内压板200可以包括第一压板210和第二压板220，通过在所述第一压板210上开设有所述蒸镀孔211，所述第二压板220开设有多个通孔221，使第二压板220上的多个通孔221与蒸镀孔211相对应，从而使蒸镀孔211具有连续区和位于连续区之间的通孔221。通过通孔221的数量可以调整各个蒸镀孔211的面积和气态蒸镀材料110的分布，提高蒸镀材料110分布的均匀性。

在一些实施例中，如图4和图5所示，通孔221的形状可以是圆形、椭圆形、多边形中的任意一种或几种的组合。通孔221的排列方式可以为各行相互对齐或者各行交叉排列，也可以是任意三个通孔221的中心之间的连线组成直线或任意三角形。本领域技术人员可以根据蒸发速度的需要和通孔221总面积需要进行适应性调整。

作为一种可选实施方式，如图4和图5所示，位于外侧的所述蒸镀孔211相对应的所述通孔221的总面积是相邻的且位于内侧的所述蒸镀孔211相对应的所述通孔221的总面积的1倍～10倍。

在一些实施例中，如图4和图5所示，各蒸镀孔211对应的通孔221总面积的关系可以记为S总n＝P*S总(n-1)，P的取值范围可以是1～10。

作为一种可选实施方式，如图8至图11所示，所述蒸镀源还包括壳体600，所述壳体600套设在所述坩埚本体100的外部，所述壳体600内设有用于对所述坩埚本体100加热的加热装置。

在一些实施例中，如图8至图11所示，通过在坩埚本体100的外侧套设有壳体600，以在壳体600内设可以设置加热装置，用于对坩埚本体100进行加热，从而使坩埚本体100内的蒸镀材料110可以受热蒸发。可选地，加热装置的加热丝可以均匀分布在坩埚本体100的外侧。

作为一种可选实施方式，如图8至图11所示，所述盖板400与所述壳体600固定连接，所述内压板200与所述壳体600和/或所述盖板400固定连接，所述升降装置300设置在所述坩埚本体100的底部，用于驱动所述坩埚本体100相对于所述内压板200升降。

在一些实施例中，如图8至图11所示，通过使盖板400可以固定连接，使内压板200与壳体600或盖板400固定连接，从而在通过坩埚本体100底部的升降装置300驱动坩埚相对于壳体600升降时，可以使坩埚本体100相对于内压板200升降，从而实现调整内压板200与坩埚本体100的相对高度，以达到调整容置腔容积的目的，使容置腔的容积与内压动态平衡。

在这些实施例中，不仅能够通过坩埚本体100相对于内压板200升降可以实时调整容置腔的容积以达到调控内压的目的，还可以通过坩埚本体100相对于内压板200升降使坩埚本体100内蒸镀材料110与内压板200/盖板400/喷嘴410保持一定的距离，即蒸镀材料110由坩埚本体100内蒸发向待蒸镀基板移动的距离始终保持在一定的距离，可以确保在大批量蒸镀工艺中，蒸镀形成的膜层厚度和质量保持稳定，不会随坩埚本体100内蒸镀材料110的减少发生改变，提高对形成的膜层厚度控制的精确度。

作为一种可选实施方式，所述升降装置300设置在所述坩埚本体100的底部与所述壳体600的底部之间。

在一些实施例中，升降装置300置于坩埚本体100的底部与所述壳体600的底部之间，通过升降装置300的伸缩，可以实现坩埚本体100相对于壳体600的升降，进而使坩埚本体100相对于内压板200升降。

作为另一种可选实施方式，如图8至图11所示，所述升降装置300包括与所述坩埚本体100的底部连接的连接端和与所述连接端相对的调节端，所述调节端贯穿所述壳体600的底部位于所述壳体600的外侧。

在一些实施例中，如图8和图9所示，升降装置300的调节端贯穿壳体600的底部位于壳体600的外侧，可以通过调节端调节升降装置300相对于壳体600升降，进而可以带动坩埚本体100相对于壳体600升降，实现坩埚本体100相对于内压板200升降。在这些实施例中，升降装置300可以使具有一定长度的平端螺钉，该平端螺钉与壳体600螺纹连接，从而在平端螺钉位于壳体600外侧的部分进行旋转，既可以实现对坩埚本体100升降的调节。

在其他实施例中，升降装置300可以采用其他精确度更好的装置，本领域技术人员可以根据设计需要进行适应性选择，在此不再赘述。

在一些实施例中，如图8和图9所示，可以在坩埚本体100的外部套设有紧贴坩埚本体100外壁的壳体600，在坩埚本体100的底部外侧连接有具有一定长度的平端螺丝；可以根据坩埚本体100内蒸镀材料110的消耗速度、蒸发速度等因素推断出每蒸镀固定厚度时消耗约多高的蒸镀材料110，随着蒸镀过程的进行，消耗一定厚度的蒸镀材料110后，根据容置腔的内压或蒸镀材料110与内压板200的距离，控制底端的螺丝旋进，达到内部坩埚本体100上升，从而调控容置腔中的内压大小和蒸镀材料110与内压板200的距离。

在一些实施例中，不同种类的蒸镀材料110的蒸发速率不同，可以提前进行实验验证，得到蒸镀速率与坩埚本体100内蒸镀材料110厚度变化的关系，从而根据蒸镀速率与坩埚本体100内蒸镀材料110厚度变化关系得到坩埚本体100升降调节的速率。例如，每蒸镀形成1000nm的膜层厚度，坩埚本体100内蒸镀材料110厚度下降10mm，则坩埚本体100每次蒸镀完形成膜层厚度为x nm时，需将坩埚本体100向上调节的距离为(10x/1000)mm。

在一些实施例中，如图11所示，坩埚本体100具有一定的长度，为了使升降装置300对坩埚本体100的升降调节更为稳定，可以在坩埚本体100的底部设有多组调节装置。

作为一种可选实施方式，如图8至图11所示，所述蒸镀源还包括支架700，所述支架700支撑在所述壳体600上。

在一些实施例中，蒸镀源设有支架700以支撑壳体600，可以确保蒸镀源在通过升降装置300驱动坩埚本体100升降时，壳体600保持平稳。

作为一种可选实施方式，如图2所示，所述升降装置300设置在所述坩埚本体100上或设置在所述盖板400上，且所述升降装置300与所述内压板200连接，所述升降装置300用于驱动所述内压板200相对于所述坩埚本体100升降。

在一些实施例中，如图2所示，升降装置300可以设置在坩埚本体100的侧壁上，通过使升降装置300与内压板200连接，可以驱动内压板200相对于坩埚本体100升降，以达到调整内压板200相对于坩埚本体100高度的目的。

基于同样的发明构思，本申请实施例还提出了一种蒸镀装置，所述蒸镀装置包括上述的蒸镀源。

因本发明提供的蒸镀装置包括了上述技术方案的蒸镀源，因此本发明提供的蒸镀装置具备上述蒸镀源的全部有益效果，在此不做赘述。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

需要说明的是，本申请实施例中所有方向性指示仅用于解释在某一特定姿态下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定”等应做广义理解，例如，“固定”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

另外，在本申请中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本申请要求的保护范围之内。

尽管已经示出和描述了本申请的实施方式，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本申请的原理和宗旨的情况下可以对这些实施方式进行多种变化、修改、替换和变型，本申请的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (15)

1.一种蒸镀源，其特征在于，所述蒸镀源包括：

坩埚本体，所述坩埚本体设有朝向待蒸镀基板表面的出口；和，

内压板，所述内压板可移动地设置在所述坩埚本体内以与所述坩埚本体形成容置腔，所述内压板开设有蒸镀孔。

2.如权利要求1所述的蒸镀源，其特征在于，所述蒸镀源还包括：

升降装置，所述升降装置用于使所述坩埚本体与所述内压板相对升降，以调整所述内压板相对于所述坩埚本体的高度。

3.如权利要求2所述的蒸镀源，其特征在于，所述蒸镀源还包括：

盖板，所述盖板盖设在所述出口上，所述盖板上开设有喷嘴；和，

蒸发通道，所述蒸发通道可伸缩地连通在所述喷嘴与所述蒸镀孔之间。

4.如权利要求3所述的蒸镀源，其特征在于，所述内压板开设有多个所述蒸镀孔，多个所述蒸镀孔阵列排布在所述内压板上，每个所述蒸镀孔的面积由所述内压板的中间区域向所述内压板的周边区域逐步增大。

5.如权利要求4所述的蒸镀源，其特征在于，所述蒸镀源为线型蒸镀源，所述线型蒸镀源包括长度方向和宽度方向，多个所述蒸镀孔沿所述长度方向呈一字型地排布在所述内压板上，每个所述蒸镀孔的面积由所述内压板的中间向所述内压板的两端逐步增大。

6.如权利要求4所述的蒸镀源，其特征在于，位于外侧的所述蒸镀孔的面积是相邻的位于内侧的所述蒸镀孔的面积的1倍～10倍。

7.如权利要求4所述的蒸镀源，其特征在于，所述内压板包括第一压板和与所述第一压板叠设的第二压板，所述第一压板上开设有所述蒸镀孔，所述第二压板开设有多个通孔，多个所述通孔阵列排布在所述第二压板上。

8.如权利要求7所述的蒸镀源，其特征在于，位于外侧的所述蒸镀孔相对应的所述通孔的总面积是相邻的且位于内侧的所述蒸镀孔相对应的所述通孔的总面积的1倍～10倍。

9.如权利要求3所述的蒸镀源，其特征在于，所述蒸发通道的伸缩方式为多层折叠伸缩。

10.如权利要求3所述的蒸镀源，其特征在于，所述蒸镀源还包括：

壳体，所述壳体套设在所述坩埚本体的外部，所述壳体内设有用于对所述坩埚本体加热的加热装置。

11.如权利要求10所述的蒸镀源，其特征在于，所述盖板与所述壳体固定连接，所述内压板与所述壳体和/或所述盖板固定连接，所述升降装置设置在所述坩埚本体的底部，用于驱动所述坩埚本体相对于所述内压板升降。

12.如权利要求11所述的蒸镀源，其特征在于，所述升降装置设置在所述坩埚本体的底部与所述壳体的底部之间；或，所述升降装置包括与所述坩埚本体的底部连接的连接端和与所述连接端相对的调节端，所述调节端贯穿所述壳体的底部位于所述壳体的外侧。

13.如权利要求12所述的蒸镀源，其特征在于，所述蒸镀源还包括：

支架，所述支架支撑在所述壳体上。

14.如权利要求10所述的蒸镀源，其特征在于，所述升降装置设置在所述坩埚本体上或设置在所述盖板上，且所述升降装置与所述内压板连接，所述升降装置用于驱动所述内压板相对于所述坩埚本体升降。

15.一种蒸镀装置，其特征在于，所述蒸镀装置包括如权利要求1至14任意一项所述的蒸镀源。