CN116564826A - 一种bga封装器件的外部包封解剖方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种BGA封装器件的外部包封解剖方法,包括:步骤1、对待解剖器件进行X射线检查,获得待解剖器件的内部结构信息;以所述待解剖器件的内部结构信息为参照,执行以下步骤2‑5的操作;步骤2、去除待解剖器件的散热盖板;步骤3、对去除盖板后的器件上的导热胶进行清除;步骤4、利用加热解焊的方法,从清除导热胶后的器件中,将基板剥离;步骤5、利用滴酸腐蚀的方法,对芯片上的填充底胶进行去除,以暴露芯片上的凸点,得到裸芯片,至此所述待解剖器件解剖完成;本发明实现解剖过程的精确控制,有效保证了芯片的开封质量,避免引入外来损伤,进而确保对器件的封装及工艺质量的准确评价,操作过程简单,适用范围广。

Description

一种BGA封装器件的外部包封解剖方法
技术领域
本发明属于BGA封装器件的外部包封解剖技术领域,特别涉及一种BGA封装器件的外部包封解剖方法。
背景技术
倒装焊BGA封装器件,具有结构复杂、管脚及I/O数量多的特点;如附图1所示,所述倒装焊BGA封装器件包括散热盖板1、芯片2及多层基板3,散热盖板1与基板3之间设置有粘接胶4,散热盖板1与芯片2之间设置导热胶5,芯片2与基板3之间设置有填充底胶6;为提升对BGA封装器件的分析及可靠性试验能力,例如在BGA封装器件的失效分析及破坏性物理分析(DPA)中,通常需要对BGA封装器件的外部包封进行解剖。
目前,传统的解剖方法包括机械研磨开封方法和化学腐蚀开封方法;现有的解剖方法无法精确控制且开封效果依赖于人工经验,开封后可能对芯片引入外来损伤或使器件过度开封,导致对器件的封装及工艺质量无法进行准确评价。
发明内容
针对现有技术中存在的技术问题,本发明提供了一种BGA封装器件的外部包封解剖方法,以解决现有的解剖方法无法精确控制且开封效果依赖于人工经验,开封后可能对芯片引入外来损伤或使器件过度开封,导致对器件的封装及工艺质量无法进行准确评价的技术问题。
为达到上述目的,本发明采用的技术方案为:
本发明提供了一种BGA封装器件的外部包封解剖方法,包括:
步骤1、对待解剖器件进行X射线检查,获得待解剖器件的内部结构信息;以所述待解剖器件的内部结构信息为参照,执行以下步骤2-5的操作;
步骤2、去除所述待解剖器件的散热盖板,得到去除盖板后的器件;
步骤3、对所述去除盖板后的器件上的导热胶进行清除,得到清除导热胶后的器件;
步骤4、利用加热解焊的方法,从所述清除导热胶后的器件中,将基板剥离,得到芯片;
步骤5、利用滴酸腐蚀的方法,对所述芯片上的填充底胶进行去除,以暴露芯片上的凸点,得到裸芯片,至此所述待解剖器件解剖完成。
进一步的,步骤1中,对待解剖器件进行X射线检查,获得待解剖器件的内部结构信息的过程,具体如下:
对待解剖器件分别进行顶视方向和侧视方向对X射线检查,得到待解剖器件在顶视方向上的X光照片及侧视方向上的X光照片;对待解剖器件在顶视方向上的X光照片及侧视方向上的X光照片进行信息读取,得到待解剖器件的内部结构信息。
进一步的,步骤2中,去除所述待解剖器件的散热盖板,得到去除盖板后的器件的过程,具体如下:
利用单面保安刀片切入散热盖板与基板之间的缝隙中,对粘接胶进行切割,直至散热盖板四周的粘接胶与散热盖板分离;
从散热盖板的某一角与基板的缝隙处,利用尖嘴钳钳住散热盖板,对散热盖板进行分离;
对散热盖板的四个角轮流进行上述的分离操作,直至散热盖板与基板完全分离,得到得到去除盖板后的器件。
进一步的,步骤3中,对所述去除盖板后的器件上的导热胶进行清除,得到清除导热胶后的器件的过程,具体如下:
利用单面保安刀片的刀刃紧贴芯片的背面,对去除盖板后的器件上的导热胶进行铲除,直至将导热胶完全清除,得到清除导热胶后的器件。
进一步的,步骤4中,利用加热解焊的方法,从所述清除导热胶后的器件中,将基板剥离,得到芯片的过程,具体如下:
将清除导热胶后的器件朝下置于解焊台上进行加热,加热预设时间后,采用手术刀对芯片四周外溢的填充底胶进行清除,直至将芯片四周外溢的填充底胶完全清除;
采用镊子夹住芯片,同时利用手术刀切入芯片的下方将芯片撬起,以使芯片与基板分离,得到芯片。
进一步的,所述解焊台的加热温度为260℃,加热预设时间为30s。
进一步的,步骤5中,利用滴酸腐蚀的方法,对所述芯片上的填充底胶进行去除,以暴露芯片上的凸点,得到裸芯片的过程,具体如下:
底胶去除:将芯片加热至预设温度,之后在芯片的表面滴加浓硫酸;等待第一预设时间后,将芯片置于丙酮溶液中;再等待第二预设时间后,将芯片移出进行清洗;
表面检查:检查芯片表面是否有填充底胶残留;
若芯片表面有填充底胶残留,则重复上述底胶去除操作,直至芯片表面的填充底胶去除干净,得到裸芯片。
进一步的,所述第一预设时间为1-2s,所述第二预设时间为5-10s。
进一步的,将芯片移出进行清洗的过程,具体如下:
将芯片移至无水乙醇中进行清洗5-10s。
进一步的,采用显微镜检查芯片表面是否有填充底胶残留。
与现有技术相比,本发明的有益效果为:
本发明提供了一种BGA封装器件的外部包封解剖方法,通过X射线检查获得待解剖器件的内部结构信息,以待解剖器件的内部结构信息为参照,首先将待解剖器件的散热盖板及导热胶去除,接着利用加热解焊的方法,去除基板和导热胶,之后通过化学滴酸腐蚀的方法去除芯片表面的填充底胶,使芯片完全暴露,避免对芯片焊点点过度打磨,实现解剖过程的精确控制,有效保证了芯片的开封质量,避免引入外来损伤,进而确保对器件的封装及工艺质量的准确评价,满足对密封、陶瓷封装和塑料封装的器件进行解剖开封,操作过程简单,适用范围广。
进一步的,通过滴酸去胶、表面检查再滴酸去胶的填充底胶进行重复去除过程,实现精确控制腐蚀过程,保证了开封质量,避免自动过量腐蚀芯片焊点甚至腐蚀键合点。
附图说明
图1为本发明中的倒装焊BGA封装器件的结构示意图;
图2为实施例所述的BGA封装器件的外部包封解剖方法的流程图;
图3为实施例中待解剖器件在顶视方向上的X光照片。
其中,1散热盖板,2芯片,3基板,4粘接胶,5导热胶,6填充底胶。
具体实施方式
为了使本发明所解决的技术问题,技术方案及有益效果更加清楚明白,以下具体实施例,对本发明进行进一步的详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
本发明提供了一种BGA封装器件的外部包封解剖方法,包括以下步骤:
步骤1、对待解剖器件进行X射线检查,获得待解剖器件的内部结构信息;以所述待解剖器件的内部结构信息为参照,执行以下步骤2-5的操作。
步骤2、去除所述待解剖器件的散热盖板1,得到去除盖板后的器件。
步骤3、对所述去除盖板后的器件上的导热胶5进行清除,得到清除导热胶后的器件。
步骤4、利用加热解焊的方法,从所述清除导热胶后的器件中,将基板3剥离,得到芯片2。
步骤5、利用滴酸腐蚀的方法,对所述芯片2上的填充底胶6进行去除,以暴露芯片上的凸点,得到裸芯片,至此所述待解剖器件解剖完成。
解剖原理:
本发明中,通过X射线检查获得待解剖器件的内部结构信息,以待解剖器件的内部结构信息为参照;解剖时,首先将待解剖器件的散热盖板及导热胶去除,接着利用加热解焊的方法,去除基板和导热胶,之后通过化学滴酸腐蚀的方法去除芯片表面的填充底胶,使芯片完全暴露,避免对芯片焊点点过度打磨,实现解剖过程的控制,有效保证了芯片的开封质量,避免引入外来损伤。
本发明所述的BGA封装器件的外部包封解剖方法,能够实现根据倒封装BGA器件的结构特点,针对各封装组件材料的化学和物理特性,通过X射线检查确定器件内部结构,采用物理方法将散热盖板和导热胶去除,加热解焊去除填充底胶和基板,通过化学滴酸腐蚀去除芯片填充底胶的手段,使芯片完全暴露,从而过程可以实现精准控制,避免引入外来损伤。
实施例
以下以某典型的倒装焊BGA封装器件的外部包封解剖过程为例。
如附图2所示,本实施例提供了一种BGA封装器件的外部包封解剖方法,具体包括以下步骤:
步骤1、对待解剖器件进行X射线检查,获得待解剖器件的内部结构信息;以所述待解剖器件的内部结构信息为参照,执行以下步骤2-5的操作;具体的,对待解剖器件分别进行顶视方向和侧视方向对X射线检查,得到待解剖器件在顶视方向上的X光照片及侧视方向上的X光照片,如附图3所示;对待解剖器件在顶视方向上的X光照片及侧视方向上的X光照片进行信息读取,得到待解剖器件的内部结构信息。
本实施例中,通过对待解剖器件进行顶视方法和侧视方向对X射线检查,得到器件两个方向清晰的X光照片;其中,通过顶视方向对X射线检查,能够获取到器件的芯片焊点版图;通过侧视方向对X射线检查,能够确定器件在垂直方向上结构和基板材料的厚度。
步骤2、去除所述待解剖器件的散热盖板1,得到去除盖板后的器件;其中,去除散热盖板1的过程,具体如下:
利用单面保安刀片切入散热盖板1与基板3之间的缝隙中,对粘接胶4进行切割,直至散热盖板1四周的粘接胶4与散热盖板1分离;
从散热盖板1的某一角与基板3的缝隙处,利用尖嘴钳钳住散热盖板1,对散热盖板1进行分离;
对散热盖板1的四个角轮流进行上述的分离操作,直至散热盖板1与基板3完全分离,得到得到去除盖板后的器件。
步骤3、对所述去除盖板后的器件上的导热胶5进行清除,得到清除导热胶后的器件;其中,导热胶5的清除过程,具体如下:
利用单面保安刀片对去除盖板后的器件上的导热胶5进行铲除,直至将导热胶5完全清除,得到清除导热胶后的器件;其中,对导热胶5进行铲除的过程中,将所述单面保安刀片的刀刃紧贴芯片2的背面进行铲除。
步骤4、利用加热解焊的方法,从所述清除导热胶后的器件中,将基板3剥离,得到芯片2。
具体的,将清除导热胶后的器件朝下置于解焊台上进行加热,加热预设时间后,采用手术刀对芯片2四周外溢的填充底胶6进行清除,直至将芯片2四周外溢的填充底胶6完全清除;其中,所述解焊台的加热温度为260℃,加热预设时间为30s;之后,采用镊子夹住芯片2,同时利用手术刀切入芯片2的下方将芯片2撬起,以使芯片2与基板3分离,得到芯片2。
步骤5、利用滴酸腐蚀的方法,对所述芯片2上的填充底胶6进行去除,以暴露芯片上的凸点,得到裸芯片,至此所述待解剖器件解剖完成。
其中,滴酸腐蚀的方法,具体如下:
底胶去除:将芯片2加热至95℃,之后在芯片2的表面滴加1-2滴浓硫酸;等待第一预设时间后,将芯片2置于丙酮溶液中;再等待第二预设时间后,将芯片2从丙酮溶液中移出,并置于无水乙醇中进行清洗5-10s,将镶嵌块取出芯片朝上放置于通风处干燥;其中,第一预设时间为1-2s,所述第二预设时间为5-10s。
表面检查:采用显微镜检查芯片2表面是否有填充底胶6残留;具体的,将干燥后的镶嵌块放置于显微镜载物台上检查,观察芯片表面是否有填充底胶残留。
重复除胶:若芯片2表面有填充底胶6残留,则重复上述底胶去除操作,直至芯片表面的填充底胶去除干净,得到裸芯片;若芯片2表面无填充底胶6残留,芯片表面干净,形貌清晰,开封结束。
本实施例中,通过X射线检查确定器件内部结构,采用物理方法将散热盖板和导热胶去除,利用加热解焊去除填充底胶和基板,通过化学滴酸腐蚀去除芯片填充底胶,使芯片完全暴露,从而实现解剖过程的精准控制,避免引入外来损伤。
本发明所述的BGA封装器件的外部包封解剖方法,能够满足对不同类型的倒装焊芯片封装器件的解剖,例如:密封封装、陶瓷封装或塑料封装;区别于传统的开封方法仅针对塑料型的倒装焊芯片封装器件;由于芯片的焊点为微米级,相比于传统的打磨样品处理方法,通过化学滴酸腐蚀去除芯片填充底胶,使芯片完全暴露,从而实现开封过程的精准控制;通过滴酸和显微镜检查再重复滴酸的过程,可以精确控制腐蚀过程,保证了开封质量,避免自动过量腐蚀芯片焊点甚至腐蚀键合点,进而确保对器件的封装及工艺质量的准确评价。
上述实施例仅仅是能够实现本发明技术方案的实施方式之一,本发明所要求保护的范围并不仅仅受本实施例的限制,还包括在本发明所公开的技术范围内,任何熟悉本技术领域的技术人员所容易想到的变化、替换及其他实施方式。

Claims (10)

1.一种BGA封装器件的外部包封解剖方法,其特征在于,包括:
步骤1、对待解剖器件进行X射线检查,获得待解剖器件的内部结构信息;以所述待解剖器件的内部结构信息为参照,执行以下步骤2-5的操作;
步骤2、去除所述待解剖器件的散热盖板,得到去除盖板后的器件;
步骤3、对所述去除盖板后的器件上的导热胶进行清除,得到清除导热胶后的器件;
步骤4、利用加热解焊的方法,从所述清除导热胶后的器件中,将基板剥离,得到芯片;
步骤5、利用滴酸腐蚀的方法,对所述芯片上的填充底胶进行去除,以暴露芯片上的凸点,得到裸芯片,至此所述待解剖器件解剖完成。
2.根据权利要求1所述的一种BGA封装器件的外部包封解剖方法,其特征在于,步骤1中,对待解剖器件进行X射线检查,获得待解剖器件的内部结构信息的过程,具体如下:
对待解剖器件分别进行顶视方向和侧视方向对X射线检查,得到待解剖器件在顶视方向上的X光照片及侧视方向上的X光照片;对待解剖器件在顶视方向上的X光照片及侧视方向上的X光照片进行信息读取,得到待解剖器件的内部结构信息。
3.根据权利要求1所述的一种BGA封装器件的外部包封解剖方法,其特征在于,步骤2中,去除所述待解剖器件的散热盖板,得到去除盖板后的器件的过程,具体如下:
利用单面保安刀片切入散热盖板与基板之间的缝隙中,对粘接胶进行切割,直至散热盖板四周的粘接胶与散热盖板分离;
从散热盖板的某一角与基板的缝隙处,利用尖嘴钳钳住散热盖板,对散热盖板进行分离;
对散热盖板的四个角轮流进行上述的分离操作,直至散热盖板与基板完全分离,得到得到去除盖板后的器件。
4.根据权利要求1所述的一种BGA封装器件的外部包封解剖方法,其特征在于,步骤3中,对所述去除盖板后的器件上的导热胶进行清除,得到清除导热胶后的器件的过程,具体如下:
利用单面保安刀片的刀刃紧贴芯片的背面,对去除盖板后的器件上的导热胶进行铲除,直至将导热胶完全清除,得到清除导热胶后的器件。
5.根据权利要求1所述的一种BGA封装器件的外部包封解剖方法,其特征在于,步骤4中,利用加热解焊的方法,从所述清除导热胶后的器件中,将基板剥离,得到芯片的过程,具体如下:
将清除导热胶后的器件朝下置于解焊台上进行加热,加热预设时间后,采用手术刀对芯片四周外溢的填充底胶进行清除,直至将芯片四周外溢的填充底胶完全清除;
采用镊子夹住芯片,同时利用手术刀切入芯片的下方将芯片撬起,以使芯片与基板分离,得到芯片。
6.根据权利要求5所述的一种BGA封装器件的外部包封解剖方法,其特征在于,所述解焊台的加热温度为260℃,加热预设时间为30s。
7.根据权利要求1所述的一种BGA封装器件的外部包封解剖方法,其特征在于,步骤5中,利用滴酸腐蚀的方法,对所述芯片上的填充底胶进行去除,以暴露芯片上的凸点,得到裸芯片的过程,具体如下:
底胶去除:将芯片加热至预设温度,之后在芯片的表面滴加浓硫酸;等待第一预设时间后,将芯片置于丙酮溶液中;再等待第二预设时间后,将芯片移出进行清洗;
表面检查:检查芯片表面是否有填充底胶残留;
若芯片表面有填充底胶残留,则重复上述底胶去除操作,直至芯片表面的填充底胶去除干净,得到裸芯片。
8.根据权利要求7所述的一种BGA封装器件的外部包封解剖方法,其特征在于,所述第一预设时间为1-2s,所述第二预设时间为5-10s。
9.根据权利要求7所述的一种BGA封装器件的外部包封解剖方法,其特征在于,将芯片移出进行清洗的过程,具体如下:
将芯片移至无水乙醇中进行清洗5-10s。
10.根据权利要求7所述的一种BGA封装器件的外部包封解剖方法,其特征在于,采用显微镜检查芯片表面是否有填充底胶残留。
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