CN116547634A - 存储器装置的电源管理 - Google Patents

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CN116547634A CN202180080994.0A CN202180080994A CN116547634A CN 116547634 A CN116547634 A CN 116547634A CN 202180080994 A CN202180080994 A CN 202180080994A CN 116547634 A CN116547634 A CN 116547634A
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崔伯圭
F·巴德瑞尔
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Abstract

本公开描述用于存储器装置的电源管理的方法、系统及装置。一种设备可包含存储器裸片，所述存储器裸片包含电源管理电路。所述电源管理电路可基于由所述存储器裸片接收的电源电压来提供用于操作所述设备的一组存储器裸片的电压。可将所述电压分配给所述设备中的所述存储器裸片组。

Description

存储器装置的电源管理
交叉参考
本专利申请案主张由金斯利(Kinsley)等人在2020年12月2日提交的标题为“存储器装置的电源管理(POWER MANAGEMENT FOR A MEMORY DEVICE)”的第17/110,197号美国专利申请案的优先权；所述美国专利申请案被转让给其受让人且以引用的方式明确并入本文中。
技术领域
下文大体上涉及用于存储器的一或多个系统，且更具体来说，涉及存储器装置的电源管理。
背景技术
存储器装置广泛用于将信息存储在各种电子装置(例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似者)中。通过将存储器装置内的存储器单元编程到各种状态来存储信息。举例来说，二进制存储器单元可被编程为两个支持的状态中的一者，通常由逻辑1或逻辑0表示。在一些实例中，单个存储器单元可支持两种以上状态，其中的任一者可被存储。为了存取经存储信息，组件可读取或感测存储器装置中的至少一个经存储状态。为了存储信息，组件可在存储器装置中写入或编程状态。
存在各种类型的存储器装置及存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、自选择存储器、硫族化物存储器技术及其它。存储器单元可为易失性或非易失性的。非易失性存储器(例如，FeRAM)即使在不存在外部电源的情况下也可维持其经存储逻辑状态达延长时间段。易失性存储器装置(例如，DRAM)可在与外部电源断开连接时丢失其经存储状态。
附图说明
图1说明根据如本文中所公开的实例的支持存储器装置的电源管理的系统的实例。
图2说明根据如本文中所公开的实例的支持存储器装置的电源管理的存储器装置的实例。
图2说明根据如本文中所公开的实例的支持电源管理的存储器装置的实例。
图3说明根据如本文中所公开的实例的支持电源管理的存储器装置的实例。
图5展示根据如本文中所公开的实例的支持存储器装置的电源管理的存储器装置的框图。
图6展示说明根据如本文中所公开的实例的支持存储器装置的电源管理的方法或若干方法的流程图。
具体实施方式
存储器装置可包含多个存储器裸片，所述多个存储器裸片包含用于存储信息的存储器阵列。存储器裸片可使用不同的电压电平来操作。例如，存储器裸片可使用第一电压电平来操作存储器阵列，使用第二电压电平来操作输入/输出(I/O)电路系统，及使用第三电压电平来操作存储器裸片的其它组件。为了提供不同的电压电平，每一存储器裸片可包含用于每一电压电平的电源管理电路，例如电源管理集成电路(PMIC)。例如，每一存储器裸片可包含提供第一电压电平的第一电源管理电路、提供第二电压电平的第二电源管理电路及提供第三电压电平的第三电源管理电路。但是在每一存储器裸片上包含多个电源管理电路可为低效的，且可能占据存储器裸片上的过多空间，以及其它缺点。
根据本文中所描述的技术，存储器装置中的存储器裸片的子集(“提供方存储器裸片”)可经配置以向其它存储器裸片提供不同的电压。因为提供方存储器裸片向其它存储器裸片(“接收方存储器裸片”)供应电压，所以其它存储器裸片可省略电源管理电路，否则将包含所述电源管理电路以产生经供应电压。因此，本文中所描述的技术可允许尺寸较小的接收方存储器裸片或更多的裸片面积用于存储器单元且存储容量更大，以及其它优点。
首先在如关于图1所描述的系统的上下文中描述本公开的特征。接着在如关于图2到4所描述的存储器装置的上下文中描述本公开的特征。通过与如关于图5及6描述的存储器装置电源管理相关的设备图及流程图来进一步说明并参考所述设备图及流程图来描述本公开的特征。
图1说明根据如本文中所公开的实例的支持存储器装置的电源管理的系统100的实例。系统100可包含主机装置105、存储器装置110以及将主机装置105与存储器装置110耦合的多个通道115。系统100可包含一或多个存储器装置110，但可在单个存储器装置(例如，存储器装置110)的上下文中描述一或多个存储器装置110的方面。
系统100可包含电子装置的部分，所述电子装置例如计算装置、移动计算装置、无线装置、图形处理装置、交通工具或其它系统。举例来说，系统100可说明计算机、膝上型计算机、平板计算机、智能电话、蜂窝电话、可穿戴装置、因特网连接的装置、交通工具控制器或类似者的方面。存储器装置110可为系统的组件，其可操作以存储用于系统100的一或多个其它组件的数据。
系统100的至少部分可为主机装置105的实例。主机装置105可为装置内的处理器或其它电路系统的实例，其使用存储器来例如在计算装置、移动计算装置、无线装置、图形处理装置、计算机、膝上型计算机、平板计算机、智能电话、蜂窝电话、可穿戴装置、因特网连接的装置、交通工具控制器、单片系统(SoC)或某种其它固定或便携式电子装置以及其它实例内执行过程。在一些实例中，主机装置105可指代实施外部存储器控制器120的功能的硬件、固件、软件或其组合。在一些实例中，外部存储器控制器120可被称为主机或主机装置105。
存储器装置110可为独立装置或组件，其可操作以提供可由系统100使用或参考的物理存储器地址/空间。在一些实例中，存储器装置110可经配置以与一或多种不同类型的主机装置一起工作。主机装置105与存储器装置110之间的信令可操作以支持以下中的一或多者：用以调制信号的调制方案，用于传达信号的各种引脚配置，用于主机装置105及存储器装置110的物理封装的各种形状因子，主机装置105与存储器装置110之间的时钟信令及同步，时序约定或其它因子。
存储器装置110可操作以存储用于主机装置105的组件的数据。在一些实例中，存储器装置110可充当主机装置105的从属型装置(例如，响应于并执行由主机装置105通过外部存储器控制器120提供的命令)。此类命令可包含用于写入操作的写入命令、用于读取操作的读取命令、用于刷新操作的刷新命令或其它命令中的一或多者。
主机装置105可包含外部存储器控制器120、处理器125、基本输入/输出系统(BIOS)组件130或其它组件(例如一或多个外围组件或一或多个输入/输出控制器)中的一或多者。主机装置105的组件可使用总线135彼此耦合。
处理器125可操作以提供对系统100的至少部分或主机装置105的至少部分的控制或其它功能性。处理器125可为通用处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或这些组件的组合。在此类实例中，处理器125可为中央处理单元(CPU)、图形处理单元(GPU)、通用GPU(GPGPU)或SoC以及其它实例的实例。在一些实例中，外部存储器控制器120可由处理器125实施或可为处理器125的部分。
BIOS组件130可为包含作为固件操作的BIOS的软件组件，其可初始化并运行系统100或主机装置105的各种硬件组件。BIOS组件130还可管理处理器125与系统100或主机装置105的各个组件之间的数据流。BIOS组件130可包含存储在ROM、快闪存储器或其它非易失性存储器中的一或多者中的程序或软件。
存储器装置110可包含装置存储器控制器155及一或多个存储器裸片160(例如，存储器芯片)，以支持用于数据存储的期望容量或指定容量。每一存储器裸片160可包含本地存储器控制器165(例如，本地存储器控制器165-a、本地存储器控制器165-b、本地存储器控制器165-N)及存储器阵列170(例如，存储器阵列170-a、存储器阵列170-b、存储器阵列170-N)。存储器阵列170可为存储器单元的集合(例如，一或多个网格、一或多个存储体、一或多个片块(tile)、一或多个段)，其中每一存储器单元可操作以存储至少一个数据位。包含两个或更多个存储器裸片的存储器装置110可被称为多裸片存储器或多裸片封装或多芯片存储器或多芯片封装。
存储器裸片160可为存储器单元的二维(2D)阵列的实例，或者可为存储器单元的三维(3D)阵列的实例。2D存储器裸片160可包含单个存储器阵列170。3D存储器裸片160可包含两个或更多个存储器阵列170，所述存储器阵列170可堆叠在彼此的顶部上或彼此相邻地定位(例如，相对于衬底)。在一些实例中，3D存储器裸片160中的存储器阵列170可被称为层面、层级、层或裸片。3D存储器裸片160可包含任何数量的经堆叠存储器阵列170(例如，两个高、三个高、四个高、五个高、六个高、七个高、八个高)。在一些3D存储器裸片160中，不同层面可共享至少一个共同存取线使得一些层面可共享字线、数字线或板线中的一或多者。
装置存储器控制器155可包含可操作以控制存储器装置110的操作的电路、逻辑或组件。装置存储器控制器155可包含使存储器装置110能够执行各种操作的硬件、固件或指令，且可操作以接收、传输或执行与存储器装置110的组件相关的命令、数据或控制信息。装置存储器控制器155可操作以与外部存储器控制器120、一或多个存储器裸片160或处理器125中的一或多者通信。在一些实例中，装置存储器控制器155可结合存储器裸片160的本地存储器控制器165来控制本文中所描述的存储器装置110的操作。
本地存储器控制器165(例如，在存储器裸片160本地)可包含可操作以控制存储器裸片160的操作的电路、逻辑或组件。在一些实例中，本地存储器控制器165可操作以与装置存储器控制器155通信(例如，接收或传输数据或命令或两者)。在一些实例中，存储器装置110可能不包含装置存储器控制器155及本地存储器控制器165，或外部存储器控制器120可执行本文中所描述的各种功能。因而，本地存储器控制器165可操作以与装置存储器控制器155，与其它本地存储器控制器165，或直接与外部存储器控制器120，或处理器125或其组合进行通信。可包含在装置存储器控制器155或本地存储器控制器165或两者中的组件的实例可包含用于接收信号的接收器(例如，从外部存储器控制器120)、用于传输信号的发射器(例如，到外部存储器控制器120)、用于解码或解调制经接收信号的解码器、用于编码或调制要被传输的信号的编码器，或可操作用于支持装置存储器控制器155或本地存储器控制器165或两者的所描述操作的各种其它电路或控制器。
外部存储器控制器120可操作以实现在系统100或主机装置105的组件(例如，处理器125)与存储器装置110之间的信息、数据或命令中的一或多者的通信。外部存储器控制器120可转换或转译在主机装置105及存储器装置110的组件之间交换的通信。在一些实例中，外部存储器控制器120或系统100或主机装置105的其它组件，或本文中所描述的其功能可通过处理器125来实施。举例来说，外部存储器控制器120可为由处理器125或系统100或主机装置105的其它组件实施的硬件、固件或软件或其某一组合。尽管外部存储器控制器120被描绘为在存储器装置110外部，但在一些实例中，外部存储器控制器120或本文中所描述的其功能可通过存储器装置110的一或多个组件(例如，装置存储器控制器155、本地存储器控制器165)来实施，反之亦然。
主机装置105的组件可使用一或多个通道115与存储器装置110交换信息。通道115可操作以支持外部存储器控制器120与存储器装置110之间的通信。每一通道115可为在主机装置105与存储器装置之间携载信息的传输媒体的实例。每一通道115可在与系统100的组件相关联的端子之间包含一或多个信号路径或传输媒体(例如，导体)。信号路径可为可操作以携载信号的导电路径的实例。举例来说，通道115可包含第一端子，其包含在主机装置105处的一或多个引脚或垫以及在存储器装置110处的一或多个引脚或垫。引脚可为系统100的装置的导电输入或输出点的实例，且引脚可操作以充当通道的部分。
通道115(以及相关联信号路径及端子)可专用于传达一或多种类型的信息。举例来说，通道115可包含一或多个命令及地址(CA)通道186、一或多个时钟信号(CK)通道188、一或多个数据(DQ)通道190、一或多个其它通道192或其组合。在一些实例中，可使用单倍数据速率(SDR)信令或双倍数据速率(DDR)信令来通过通道115传达信令。在SDR信令中，可针对每一时钟循环(例如，在时钟信号的上升或下降边缘上)配准信号的一个调制符号(例如，信号电平)。在DDR信令中，可针对每一时钟循环(例如，在时钟信号的上升边缘及下降边缘两者上)配准信号的两个调制符号(例如，信号电平)。
包含在存储器装置110中的存储器裸片160可使用不同的电压电平来操作(“操作电压”)。例如，存储器裸片160可使用第一电压电平来操作(若干)存储器阵列170，使用第二电压电平来操作本地存储器控制器165，及使用第三电压来操作I/O电路系统，以及其它电压。在其它实例中，一或多个电压电平可用于操作(若干)存储器阵列170，或一或多个电压电平可用于操作本地存储器控制器165，或一或多个电压电平可用于操作I/O电路系统，或其任何组合。每一存储器裸片160可包含为所述存储器裸片160提供(若干)操作电压的一或多个电源管理电路。因此，每一存储器裸片160可包含一组电源管理电路。但是在每一存储器裸片160上包含一组电源管理电路可能消耗存储器裸片160上的空间，而导致存储器裸片160归因于针对给定裸片面积具有较少的存储器单元而具有增大的尺寸或减小的存储容量，以及其它缺点。
根据本文中所描述的技术，一组存储器裸片160(“提供方存储器裸片”)可包含电源管理电路，所述电源管理电路经配置以向其它存储器裸片160(“接收方存储器裸片”)供应操作电压，使得其它存储器裸片160可具有较少的电源管理电路、较小的电源管理电路或没有电源管理电路。因此，可减小接收方存储器裸片160的尺寸(例如，通过省略先前由电源管理电路系统占用的存储器裸片的段)或者可增加接收方存储器裸片160的容量(例如，通过使用先前由存储器单元的电源管理电路占用的存储器裸片的段)，以及其它优点。在一些情况下，如果另一提供方存储器裸片向提供方存储器裸片供应操作电压，那么后者提供方存储器裸片也可被认为是接收方存储器裸片。
图2说明根据如本文中所公开的实例的支持电源管理的存储器装置200的实例。存储器装置200可为如关于图1所描述的系统100或存储器装置110的实例。但是，本文中所描述的技术不限于本文中所描述的装置，且可由具有多个存储器裸片的任何装置来实施。在一些实例中，存储器装置200可被称为存储器模块，且可被包含在如关于图1所描述的存储器系统100或存储器装置110，或另一类型的装置中。例如，存储器装置200可为双列直插式存储器模块(DIMM)。
存储器装置200可被划分成电源区段205，电源区段205可定义由提供方存储器裸片210的子集(例如，其中的一或多者)供电的接收方存储器裸片210的分组。例如，电源区段205-a中的存储器裸片210-a可使用由提供方存储器裸片210-a-5提供的操作电压(例如，VA)来执行各种操作或为各种组件供电。且电源区段205-b中的存储器裸片210-b可使用由提供方存储器裸片210-b-5提供的操作电压(例如，VB)来各种操作或为各种组件供电。在一些情况下，操作电压VA及VB可具有相同的电压电平或不同的电压电平(例如，电压VA及VB可具有相同的振幅或不同的振幅)。出于区分的目的，在图2到4中，用阴影表示提供方存储器裸片。
使用提供方存储器裸片210的子集向电源区段205中的存储器裸片210供应操作电压可允许接收方存储器裸片210具有较少的电源管理电路(PMC)、较小的电源管理电路或没有电源管理电路，这转而可相对于使用其它电源管理方案的装置中的存储器裸片减小存储器裸片210的尺寸及/或增加存储器裸片210的容量。另外，使用提供方存储器裸片210的不同子集为不同的电源区段205供电可将一个电源区段205中的电源问题与其它电源区段205隔离(例如，电源区段205-b可被屏蔽以避免电源区段205-a中的电源问题)，这可改进系统性能。此外，电源区段的使用可实现局部电源管理，如下文更详细描述。在一些情况下，电源管理电路可被称为电源管理集成电路(PMIC)。
由提供方存储器裸片210提供的操作电压可基于由所述提供方存储器裸片210接收的电源电压(例如，VSupply)。例如，提供方存储器裸片210-a-5可基于来自导线215的电源电压VSupply产生用于电源区段205-a中的存储器裸片(例如，存储器裸片210-a-1到210-a-8)的操作电压VA。且提供方存储器裸片210-b-5可基于来自导线215的电源电压VSupply产生用于电源区段205-b中的存储器裸片(例如，存储器裸片210-b-1到存储器裸片210-b-8)的操作电压VB。在一些情况下，操作电压VA及VB可具有相同的电压电平及/或可低于由导线215供应的电压VSupply。
操作电压的产生可由提供方存储器裸片210上的电源管理电路220执行。例如，电源管理电路220-a可产生操作电压VA，所述操作电压VA可用于操作提供方存储器裸片210-a-5以及电源区段205-a中的其它存储器裸片。且电源管理电路220-b可产生操作电压VB，所述操作电压VB可用于操作提供方存储器裸片210-b-5以及电源区段205-b中的其它存储器裸片。产生操作电压可包含将经接收电压(例如，VSupply)从一个电平改变(例如，降低)到另一电平及/或调节(例如，平滑化、维持在阈值的范围内)经接收电压。例如，电源管理电路220可使用x伏(V)的电源电压来产生具有减小的波动的y V的操作电压。因此，电源管理电路220可基于高于操作电压的电源电压来产生操作电压。换句话说，电源管理电路220可通过将原始输入电压转换为期望电平来产生操作电压。
每一提供方存储器裸片210可与经配置以传送电压VSupply的导线215(或“供电轨”)耦合。如所述，电压VSupply可高于存储器裸片的操作电压；然而，在一些实例中，电压VSupply可低于操作电压或与操作电压相同。在一些实例中，可从主电源管理电路225向导线215供应电流，所述主电源管理电路225可调节电压(例如，来自电源，例如电池)，所述电压对于提供方存储器裸片210来说太高而无法处置。因此，主电源管理电路225可在将经调节电压输出到提供方存储器裸片210之前降低及/或平滑化来自电源的电压。替代地，可直接从电源向导线215供应电流(假设存储器裸片210经配置以处置未调节的电压)。在一些情况下，主电源管理电路225-c可安置在存储器装置200上或可在存储器装置200外部。此外，导线215可定位在存储器装置200的卡边缘处(例如，导线215可定位在存储器裸片210安置在其上的衬底的边缘的阈值距离内)。
由电源管理电路220产生的操作电压可由所述提供方存储器裸片210使用，以及被输出或供应给相关电源区段205中的接收方存储器裸片210。因此，电源区段205中的存储器裸片210可使用由所述电源区段中的提供方存储器裸片210产生的操作电压来操作。操作电压的使用可包含将所述操作电压施加到存储器裸片210的一或多个组件(例如，以激活、取消激活、驱动、偏置及/或供电给所述一或多个组件)。尽管展示每一电源区段205具有单个提供方存储器裸片210，但在一些情况下，电源区段205可包含额外的电源管理电路(例如，在相同的提供方存储器裸片210上或在额外的提供方存储器裸片上)，其向所述电源区段205中的存储器裸片210供应额外的操作电压。
尽管接收方存储器裸片被展示为与提供方存储器裸片210耦合，但在一些情况下，接收方存储器裸片210可进一步与每一提供方存储器裸片210中的电源管理电路220耦合。例如，每一接收存储器裸片210可与端接在电源管理电路220处的一或多个永久或可激活的导电路径耦合。因此，每一接收方存储器裸片210可经配置以从电源区段205中的一或多个提供方存储器裸片210接收操作电压。
如所述，将存储器裸片210划分成由相应的提供方存储器裸片210供电的电源区段205可允许本地及独立的电源管理，这可改进系统性能。例如，电源区段205-a可与电源区段205-b中的电源问题(例如，电涌)隔离，反之亦然。另外，可基于每一电源区段205的特性来管理所述电源区段205，这可节省电力。例如，当电源区段205-a中的存储器裸片210达到阈值活动电平时，提供方存储器裸片210-a-5可通过停止向存储器裸片210-a供应操作电压VA来断电电源区段205-a。因此，提供方电源存储器裸片210可彼此独立地运作。
尽管接收方存储器裸片210被展示为没有电源管理电路，但在一些情况下，接收方存储器裸片210可包含一或多个电源管理电路，所述电路进一步将从(若干)提供方存储器裸片210接收的(若干)操作电压细化为更精确的值，或者基于从(若干)提供方存储器裸片210接收的(若干)操作电压产生中间操作电压。另外，本文中所描述的技术可针对存储器装置200的不同配置来实施，且因此不限于所说明的配置。
图3说明根据如本文中所公开的实例的支持电源管理的存储器装置300的实例。存储器装置300可为如关于图1所描述的系统100或存储器装置110，或如关于图2所描述的存储器装置200的实例。但是，本文中所描述的技术不限于本文中所描述的装置，且可由具有多个存储器裸片的任何装置来实施。在一些实例中，存储器装置300可被称为存储器模块(例如，存储器装置300可为DIMM)，且可被包含在如关于图1所描述的存储器系统100或存储器装置110、或如关于图2所描述的存储器装置200或另一类型的装置中。
存储器装置300可包含电源区段305，所述电源区段305可为电源区段205的实例。因此，电源区段305可定义由一组共享的提供方存储器裸片310供电的存储器裸片310的分组。使用一组提供方存储器裸片310向区段中的存储器裸片310供应操作电压可允许接收方存储器裸片310具有较少的电源管理电路、较小的电源管理电路或没有电源管理电路，这转而可相对于使用其它电源管理方案的装置中的存储器裸片减小存储器裸片310的尺寸及/或增加存储器裸片310的容量。
存储器装置300可包含主电源管理电路325，所述主电源管理电路325可产生经由导线315供应给电源管理电路320的电压(例如，VSupply)。替代地，电压VSupply可源自除主电源管理电路325之外的组件，例如电池。不管电压VSupply的来源如何，导线315可经配置以将电压VSupply传送到电源管理电路320(例如，导线315可经配置以在电压VSupply传送电流)。电源管理电路320可与导线315耦合，且可经配置以经由将电源管理电路320与导线315耦合的一或多个永久或可激活的导电路径接收电压VSupply。因此，可在每一提供方存储器裸片310上的每一电源管理电路320处接收电压VSupply。
电源管理电路320可基于电压VSupply产生用于电源区段305的不同的操作电压。例如，提供方存储器裸片310-a上的电源管理电路320-a可产生操作电压VA，所述操作电压VA用于操作提供方存储器裸片310-a并被分配给电源区段305中的其它存储器裸片310。类似地，提供方存储器裸片310-b上的电源管理电路320-b可产生操作电压VB，所述操作电压VB用于操作提供方存储器裸片310-b并被分配给电源区段305中的其它存储器裸片310。且提供方存储器裸片310-c上的电源管理电路320-c可产生操作电压VC，所述操作电压VC用于操作提供方存储器裸片310-c并被分配给电源区段305中的其它存储器裸片310。存储器裸片310可使用不同的操作电压来执行不同的功能，例如操作存储器阵列、I/O电路系统、控制器及在存储器裸片310上或与之耦合的其它组件。
因此，电源区段305中的存储器裸片310可分别使用由提供方存储器裸片310-a、310-b及310-c上的电源管理电路320产生的操作电压VA、VB及VC来操作。因为操作电压由存储器裸片310的子集上的电源管理电路320产生，所以电源区段305中的其它存储器裸片可省略否则将被包含以产生那些操作电压的电源管理电路。因此，相对于其它电源管理技术，存储器裸片310的尺寸可较小及/或存储器裸片310的容量可较大。
为了促进在存储器裸片310之间传递操作电压，存储器装置300可包含永久或可激活的导电路径的网络，所述路径将提供方存储器裸片310上的电源管理电路320与电源区段305中的其它存储器裸片310耦合。例如，电源管理电路320-a可经由一或多个相应的导电路径与存储器裸片310-b到310-f中的每一者耦合。导电路径可包含一系列导电迹线、无源组件及/或可激活组件，所述组件经共同配置以将电流从一个端接装置(例如，电源管理电路320)传送到另一端接装置(例如，存储器裸片310)。
关于图2讨论的扩展语言及免责声明也可应用于图3。另外，关于图3描述的技术的方面可与关于图2描述的技术的方面结合使用。
图4说明根据如本文中所公开的实例的支持电源管理的存储器装置400的实例。存储器装置400可为如关于图1所描述的系统100或存储器装置110、如关于图2所描述的存储器装置200或如关于图3所描述的存储器装置300的实例。但是，本文中所描述的技术不限于本文中所描述的装置，且可由具有多个存储器裸片的任何装置来实施。在一些实例中，存储器装置400可被称为存储器模块(例如，存储器装置400可为DIMM)，且可被包含在如关于图1所描述的存储器系统100或存储器装置110、如关于图2所描述的存储器装置200、如关于图3所描述的存储器装置300或另一类型的装置中。
不同于存储器装置300中的电源管理电路320，电源管理电路420中只有一个可使用电压VSupply作为产生操作电压的基础。例如，只有电源管理电路420-a可使用VSupply作为输入电压用于产生操作电压VA。其它电源管理电路420可使用来自其它电源管理电路420的操作电压作为输入电压用于产生额外的操作电压。此技术可允许电源管理电路420中的至少一些(例如，电源管理电路420-b及电源管理电路420-c)与电源管理电路320相比在尺寸上更小或更简单。另外，因为由电源管理电路420-b及420-c调节的输入电压(例如，VA、VB)低于电压VSupply，所以电源管理电路420-b及420-c可比关于图3描述的其对应体耗散更少的热量。
类似于存储器装置300，存储器装置400可包含主电源管理电路425，所述主电源管理电路425经由导线415提供电压VSupply。然而，主电源管理电路425可仅向电源管理电路420-a提供电压VSupply(与向电源管理电路420中的每一者提供电压VSupply相反)。电源管理电路420-a可从电压VSupply产生操作电压VA，并将操作电压VA分配给电源区段405中的其它存储器裸片410。电源管理电路420-a还可向电源管理电路420-b提供操作电压VA，所述电源管理电路420-b可使用操作电压VA来产生操作电压VB。电源管理电路420-b可将操作电压VB分配给电源区段405中的其它存储器裸片410及电源管理电路420-c，所述电源管理电路420-c可使用操作电压VB来产生操作电压VC。电源管理电路420-c可将操作电压VC分配给其它存储器裸片410。因此，操作电压VA、VB及VC可分布在整个电源区段405。在一些实例中，操作电压VA、VB及VC可具有不同的振幅或量值。例如，VA可为比VB高的电压，VB转而可为比VC高的电压。
尽管展示为源自主电源管理电路425，但电压VSupply可源自除主电源管理电路425以外的组件，例如电池。不管电压VSupply的来源如何，导线415可经配置以将电压VSupply传送到电源管理电路420-a(例如，导线415可经配置以在电压VSupply传送电流)。电源管理电路420-a可与导线415耦合，且可经配置以经由将电源管理电路420-a与导线415耦合的永久或可激活的导电路径接收电压VSupply。然而，其它电源管理电路(例如，电源管理电路420-b及电源管理电路420-c)可与导线415隔离(并因此与主电源管理电路425隔离)。
关于图2描述的扩展语言及免责声明也可应用于图4。另外，关于图4描述的技术的方面可与关于图2及3描述的技术的方面结合使用。
图5展示根据如本文中所公开的实例的支持存储器装置的电源管理的存储器装置505的框图500。存储器装置505可为如关于图1到4所描述的存储器装置的方面的实例。存储器装置505可包含第一电源管理电路510及第二电源管理电路515。这些模块中的每一者可直接地或间接地彼此通信(例如，经由一或多个总线)。第一电源管理电路510及第二电源管理电路515可为PMIC的实例。
第一电源管理电路510可在存储器裸片上且可接收第一电压。在一些实例中，第一电源管理电路510可基于第一电压向与电源管理电路耦合的一组存储器裸片提供第二电压。在一些实例中，第一电源管理电路510可基于由第二存储器裸片提供的第三电压来操作存储器裸片。
在一些实例中，第一电源管理电路510可确定存储器裸片组的活动电平满足阈值。在一些实例中，第一电源管理电路510可基于活动电平满足阈值而暂停向存储器裸片组提供第二电压。
第二电源管理电路515可在第二存储器裸片上且可基于第一电压提供第三电压，其中第三电压被提供给与第二存储器裸片上的第二电源管理电路耦合的第二组存储器裸片。在一些实例中，第二电源管理电路515可独立于电源管理电路操作第二电源管理电路。在一些实例中，第二电源管理电路515可向与第二电源管理电路耦合的一组存储器裸片提供第三电压。在一些实例中，第二电源管理电路515可基于由存储器裸片提供的第二电压来操作第二存储器裸片。在一些实例中，第二电源管理电路515可接收第一电压，其中第三电压基于第一电压。在一些实例中，第二电源管理电路515可从电源管理电路接收第二电压，其中第三电压基于第二电压。
图6展示说明根据如本文中所描述的实例的支持存储器装置的电源管理的方法或若干方法600的流程图。方法600的操作可由如本文中所描述的存储器装置或其组件实施。举例来说，方法600的操作可由如关于图5所描述的存储器装置来执行。在一些实例中，存储器装置可执行一组指令以控制存储器装置的功能元件来执行所描述功能。另外或替代地，存储器装置可使用专用硬件来执行所描述功能的方面。
在605，方法可包含在存储器裸片上的电源管理电路处接收第一电压。605的操作可根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，可由如关于图5所描述的第一电源管理电路来执行605的操作的方面。
在610，方法可包含由电源管理电路基于第一电压向与电源管理电路耦合的一组存储器裸片提供第二电压。610的操作可根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，可由如关于图5所描述的第一电源管理电路来执行610的操作的方面。
在一些实例中，如本文中所描述的设备可执行方法或若干方法，例如方法600。设备可包含用于在存储器裸片上的电源管理电路处接收第一电压并由电源管理电路基于第一电压向与电源管理电路耦合的一组存储器裸片提供第二电压的特征、构件或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)。
本文中所描述的方法600及设备的一些实例可进一步包含用于由第二存储器裸片上的第二电源管理电路基于第一电压提供第三电压的操作、特征、构件或指令，其中第三电压可提供给与第二存储器裸片上的第二电源管理电路耦合的第二组存储器裸片。
本文中所描述的方法600及设备的一些实例可进一步包含用于独立于电源管理电路操作第二电源管理电路的操作、特征、构件或指令。
本文中所描述的方法600及设备的一些实例可进一步包含用于由第二存储器裸片上的第二电源管理电路向与第二电源管理电路耦合的一组存储器裸片提供第三电压的操作、特征、构件或指令。
本文中所描述的方法600及设备的一些实例可进一步包含用于基于由第二存储器裸片提供的第三电压操作存储器裸片以及基于由存储器裸片提供的第二电压操作第二存储器裸片的操作、特征、构件或指令。
本文中所描述的方法600及设备的一些实例可进一步包含用于在第二电源管理电路处接收第一电压的操作、特征、构件或指令，其中第三电压可基于第一电压。
本文中所描述的方法600及设备的一些实例可进一步包含用于从电源管理电路接收第二电压的操作、特征、构件或指令，其中第三电压可基于第二电压。
本文中所描述的方法600及设备的一些实例可进一步包含用于确定存储器裸片组的活动电平满足阈值，以及基于活动电平满足阈值而暂停向存储器裸片组提供第二电压的操作、特征、构件或指令。
应注意，本文中所描述的方法描述可能实施方案，且可重新布置或以其它方式修改操作及步骤，且其它实施方案是可能的。此外，可组合来自所述方法中的两者或更多者的部分。
描述一种设备。所述设备可包含：一组存储器裸片；第一电源管理电路，其经配置以提供由所述设备使用以提供用于操作所述存储器裸片组的一或多个电压的第一电压；及第二电源管理电路，其在所述存储器裸片组的存储器裸片上且与所述第一电源管理电路耦合，所述第二电源管理电路经配置以基于所述第一电压提供用于操作所述存储器裸片组的第二电压。
所述设备的一些实例可包含第二组存储器裸片；及第三电源管理电路，其在所述第二组存储器裸片的第二存储器裸片上且与所述第一电源管理电路耦合，所述第三电源管理电路经配置以基于所述第一电压提供用于操作所述第二组存储器裸片的第三电压。
在一些实例中，第三电源管理电路可与所述存储器裸片组隔离，且第二电源管理电路可与所述第二组存储器裸片隔离。
所述设备的一些实例可包含在所述存储器裸片组的第二存储器裸片上的第三电源管理电路，所述第三电源管理电路经配置以提供用于操作所述存储器裸片组的第三电压。
在一些实例中，所述第三电源管理电路可经配置以基于所述第一电压来提供所述第三电压。在一些实例中，所述第三电源管理电路可经配置以基于所述第二电压来提供所述第三电压。
所述设备的一些实例可包含在所述存储器裸片上的所述第二电源管理电路与所述存储器裸片组中的一或多个其它存储器裸片之间的一组可激活导电路径。在一些实例中，所述存储器裸片组中的每一存储器裸片可经配置以从所述存储器裸片接收所述第二电压。
所述设备的一些实例可包含第二组存储器裸片，所述第二组存储器裸片被配置为由包含在所述第二组存储器裸片中的第二存储器裸片上的第三电源管理电路供电，其中所述第二电源管理电路及所述第三电源管理电路可经配置以独立地操作。
在一些实例中，所述第一电源管理电路可在第二存储器裸片上。所述设备的一些实例可包括包含所述存储器裸片组的第一电源区段，及包含第二组存储器裸片的第二电源区段。
描述一种设备。所述设备可包含一组存储器裸片、与所述存储器裸片组耦合的存储器裸片、及与所述存储器裸片组耦合的控制器，所述控制器可操作以使所述设备：在所述存储器裸片上的电源管理电路处接收第一电压；及由所述电源管理电路基于所述第一电压向与所述电源管理电路耦合的所述存储器裸片组提供第二电压。
一些实例可进一步包含由第二存储器裸片上的第二电源管理电路基于第一电压提供第三电压，其中所述第三电压可提供给与所述第二存储器裸片上的所述第二电源管理电路耦合的第二组存储器裸片。
一些实例可进一步包含独立于所述电源管理电路操作所述第二电源管理电路。一些实例可进一步包含由第二存储器裸片上的第二电源管理电路向与所述第二电源管理电路耦合的所述存储器裸片组提供第三电压。
一些实例可进一步包含基于由所述第二存储器裸片提供的所述第三电压操作所述存储器裸片，及基于由所述存储器裸片提供的所述第二电压操作所述第二存储器裸片。一些实例可进一步包含在所述第二电源管理电路处接收所述第一电压，其中所述第三电压可基于所述第一电压。
本文中所描述的信息及信号可使用多种不同的科技及技术中的任何者来表示。例如，可贯穿上文描述引用的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号及芯片可由电压、电流、电磁波、磁场或磁性粒子、光场或光学粒子或其任何组合来表示。一些附图可将信号说明为单个信号；但是，所述信号可表示信号总线，其中所述总线可具有各种位宽度。
术语“电子连通”、“导电接触”、“经连接”及“经耦合”可指支持组件之间的信号流的组件之间的关系。如果组件之间存在可在任何时间支持组件之间的信号流的任何导电路径，那么组件被视为彼此电子连通(或彼此导电接触或连接或耦合)。在任何给定时间，彼此电子连通(或彼此导电接触或连接或耦合)的组件之间的导电路径可基于包含所连接组件的装置的操作而为开路或闭路。所连接组件之间的导电路径可为组件之间的直接导电路径，或所连接组件之间的导电路径可为可包含中间组件(例如开关、晶体管或其它组件)的间接导电路径。在一些实例中，可在一段时间内例如使用一或多个中间组件(例如开关或晶体管)来中断所连接组件之间的信号流。
术语“耦合”指代从组件之间的开路关系(其中信号当前无法通过导电路径在组件之间传达)转变为组件之间的闭路关系(其中信号能够通过导电路径在组件之间传达)的条件。当组件，例如控制器将其它组件耦合在一起时，组件启动允许信号通过先前不允许信号流动的导电路径在其它组件之间流动的变化。
术语“隔离”指代其中信号当前无法在组件之间流动的组件之间的关系。如果组件之间存在开路，那么它们彼此隔离。举例来说，当定位于两个组件之间的开关断开时，由所述开关分离的所述组件彼此隔离。当控制器隔离两个组件时，控制器引起阻止信号使用先前允许信号流动的导电路径在组件之间流动的变化。
本文中所讨论的装置，包含存储器阵列，可形成于半导体衬底(例如硅、锗、硅锗合金、砷化镓、氮化镓等)上。在一些实例中，衬底是半导体晶片。在其它实例中，衬底可为绝缘体上硅(SOI)衬底，例如玻璃上硅(SOG)或蓝宝石上硅(SOP)，或另一衬底上的半导体材料的外延层。衬底或衬底的子区的导电性可通过使用各种化学物种(包含但不限于磷、硼或砷)进行掺杂来控制。掺杂可在衬底的初始形成或生长期间通过离子植入或通过任何其它掺杂方法来执行。
本文中所讨论的开关组件或晶体管可表示场效晶体管(FET)且包括三端子装置，所述三端子装置包含源极、漏极及栅极。端子可通过导电材料(例如，金属)连接到其它电子元件。源极及漏极可为导电的且可包括重掺杂的(例如，退化的)半导体区域。源极及漏极可通过轻掺杂的半导体区域或沟道分离。如果沟道是n型(即，多数载子是电子)，那么FET可被称为n型FET。如果沟道是p型(即，多数载子是空穴)，那么FET可被称为p型FET。沟道可由绝缘栅极氧化物封盖。可通过将电压施加到栅极而控制沟道导电性。举例来说，分别将正电压或负电压施加到n型FET或p型FET可导致沟道变得导电。当将大于或等于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，晶体管可被“接通”或“激活”。当将小于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，晶体管可被“断开”或“取消激活”。
本文中所阐述的描述结合附图描述实例配置且不表示可实施或在权利要求书的范围内的所有实例。本文中所使用的术语“示范性”表示“充当实例、例子或说明”且非“优选”或“优于其它实例”。详细描述包含具体细节以提供对所描述技术的理解。然而，可在没有这些具体细节的情况下实践这些技术。在一些例子中，以框图形式展示众所周知的结构及装置以避免使所描述实例的概念模糊不清。
在附图中，类似组件或特征可具有相同的参考标签。此外，可通过在参考标签后加破折号及在类似组件间区分的第二标签来区分相同类型的各别组件。如果仅在说明书中使用第一参考标签，那么描述适用于具有相同第一参考标签的类似组件中的任一者，而与第二参考标签无关。
可在硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合中实施本文中所描述的功能。如果在由处理器执行的软件中实施，那么可将功能作为一或多个指令或代码存储在计算机可读媒体上或通过计算机可读媒体传输。其它实例及实施方案在本公开及所附权利要求书的范围内。举例来说，由于软件的性质，本文中所描述的功能可使用由处理器执行的软件、硬件、固件、硬连线或这些内容的任何者的组合实施。实施功能的特征还可在物理上定位在各种位置处，包含经分布使得在不同物理位置处实施功能的部分。
例如，结合本文中的公开所描述的各种说明性块及模块可利用经设计以执行本文中所描述的功能的通用处理器、DSP、ASIC、FPGA或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或其任何组合来实施或执行。通用处理器可为微处理器，但在替代方案中，所述处理器可为任何处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器也可被实施为计算装置的组合(例如，DSP与微处理器的组合、多个微处理器、结合DSP核心的一或多个微处理器或任何其它此配置)。
如本文中，包含在权利要求书中所使用，如用于物品列表(例如，以短语例如“至少一者”或“一或多者”开头的物品列表)中的“或”指示包含性列表，使得例如A、B或C中的至少一者的列表表示A或B或C或AB或AC或BC或ABC(即，A和B和C)。此外，如本文中所使用，短语“基于”不应被解释为对一组封闭条件的引用。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，被描述为“基于条件A”的示范性步骤可基于条件A及条件B两者。换句话说，如本文中所使用，短语“基于”应以与短语“至少部分基于”相同的方式来解释。
计算机可读媒体包含非暂时性计算机存储媒体及通信媒体两者，所述通信媒体包含促进将计算机程序从一个地方传递到另一地方的任何媒体。非暂时性存储媒体可为可由通用或专用计算机存取的任何可用媒体。作为实例而非限制，非暂时性计算机可读媒体可包括RAM、ROM、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、光盘(CD)ROM或其它光盘存储装置、磁盘存储装置或其它磁性存储装置、或可用于以指令或数据结构的形式携载或存储期望程序代码构件且可由通用或专用计算机或通用或专用处理器存取的任何其它非暂时性媒体。而且，任何连接适当地被称为计算机可读媒体。例如，如果使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字用户线(DSL)或无线技术(例如红外线、无线电及微波)从网站、服务器或其它远程源传输软件，那么媒体的定义中包含同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字用户线(DSL)或无线技术(例如红外线、无线电及微波)。如本文中所使用，磁盘及光盘包含CD、激光光盘、光盘、数字多功能光盘(DVD)、软盘及蓝光光盘，其中磁盘通常以磁性方式重现数据，而光盘用激光以光学方式重现数据。上述的组合也包含在计算机可读媒体的范围内。
提供本文中的描述以使所属领域的技术人员能够制成或使用本公开。所属领域的技术人员将明白对本公开的各种修改，且在不脱离本公开的范围的情况下，本文中所定义的一般原理可应用于其它变动。因此，本公开不限于本文中所描述的实例及设计，而是应符合与本文中所揭示的原理及新颖特征一致的最广范围。

Claims (25)

1.一种设备，其包括：
一组存储器裸片；
第一电源管理电路，其经配置以提供由所述设备使用以提供用于操作所述存储器裸片组的一或多个电压的第一电压；及
第二电源管理电路，其在所述存储器裸片组的存储器裸片上且与所述第一电源管理电路耦合，所述第二电源管理电路经配置以至少部分基于所述第一电压提供用于操作所述存储器裸片组的第二电压。
2.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：
第二组存储器裸片；及
第三电源管理电路，其在所述第二组存储器裸片的第二存储器裸片上且与所述第一电源管理电路耦合，所述第三电源管理电路经配置以至少部分基于所述第一电压提供用于操作所述第二组存储器裸片的第三电压。
3.根据权利要求2所述的设备，其中所述第三电源管理电路与所述存储器裸片组隔离，且所述第二电源管理电路与所述第二组存储器裸片隔离。
4.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：
第三电源管理电路，其在所述存储器裸片组的第二存储器裸片上，所述第三电源管理电路经配置以提供用于操作所述存储器裸片组的第三电压。
5.根据权利要求4所述的设备，其中所述第三电源管理电路经配置以至少部分基于所述第一电压来提供所述第三电压。
6.根据权利要求4所述的设备，其中所述第三电源管理电路经配置以至少部分基于所述第二电压来提供所述第三电压。
7.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：
多个可激活导电路径，其在所述存储器裸片上的所述第二电源管理电路与所述存储器裸片组的一或多个其它存储器裸片之间。
8.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储器裸片组中的每一存储器裸片经配置以从所述存储器裸片接收所述第二电压。
9.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储器裸片组被配置为由所述存储器裸片上的所述第二电源管理电路供电，所述设备进一步包括：第二组存储器裸片，其经配置以由包含在所述第二组存储器裸片中的第二存储器裸片上的第三电源管理电路供电，其中所述第二电源管理电路及所述第三电源管理电路经配置以独立地操作。
10.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一电源管理电路在第二存储器裸片上。
11.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：
第一电源区段，其包括所述存储器裸片组；及
第二电源区段，其包括第二组存储器裸片。
12.一种方法，其包括：
在存储器裸片上的电源管理电路处接收第一电压；及
由所述电源管理电路至少部分基于所述第一电压向与所述电源管理电路耦合的一组存储器裸片提供第二电压。
13.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括：
由第二存储器裸片上的第二电源管理电路至少部分基于所述第一电压提供第三电压，其中所述第三电压被提供给与所述第二存储器裸片上的所述第二电源管理电路耦合的第二组存储器裸片。
14.根据权利要求13所述的方法，其进一步包括：
独立于所述电源管理电路操作所述第二电源管理电路。
15.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括：
由第二存储器裸片上的第二电源管理电路向与所述第二电源管理电路耦合的一组存储器裸片提供第三电压。
16.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括：
至少部分基于由所述第二存储器裸片提供的所述第三电压来操作所述存储器裸片；及
至少部分基于由所述存储器裸片提供的所述第二电压来操作所述第二存储器裸片。
17.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括：
在所述第二电源管理电路处接收所述第一电压，其中所述第三电压至少部分基于所述第一电压。
18.根据权利要求15所述的方法，其中所述第二存储器裸片上的所述第二电源管理电路与所述存储器裸片上的所述电源管理电路耦合，所述方法进一步包括：
从所述电源管理电路接收所述第二电压，其中所述第三电压至少部分基于所述第二电压。
19.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括：
确定所述存储器裸片组的活动电平满足阈值；及
至少部分基于所述活动电平满足所述阈值，而暂停向所述存储器裸片组提供所述第二电压。
20.一种设备，其包括：
一组存储器裸片，
存储器裸片，其与所述存储器裸片组耦合，及
控制器，其与所述存储器裸片耦合，所述控制器可操作以使所述设备：
在所述存储器裸片上的电源管理电路处接收第一电压；及
由所述电源管理电路至少部分基于所述第一电压向与所述电源管理电路耦合的所述存储器裸片组提供第二电压。
21.根据权利要求20所述的设备，其中所述控制器进一步可操作以使所述设备：
由第二存储器裸片上的第二电源管理电路至少部分基于所述第一电压提供第三电压，其中所述第三电压被提供给与所述第二存储器裸片上的所述第二电源管理电路耦合的第二组存储器裸片。
22.根据权利要求21所述的设备，其中所述控制器进一步可操作以使所述设备：
独立于所述电源管理电路操作所述第二电源管理电路。
23.根据权利要求20所述的设备，其中所述控制器进一步可操作以使所述设备：
由第二存储器裸片上的第二电源管理电路向与所述第二电源管理电路耦合的所述存储器裸片组提供第三电压。
24.根据权利要求23所述的设备，其中所述控制器进一步可操作以使所述设备：
至少部分基于由所述第二存储器裸片提供的所述第三电压来操作所述存储器裸片；及
至少部分基于由所述存储器裸片提供的所述第二电压来操作所述第二存储器裸片。
25.根据权利要求23所述的设备，其中所述控制器进一步可操作以使所述设备：
在所述第二电源管理电路处接收所述第一电压，其中所述第三电压至少部分基于所述第一电压。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117193506A (zh) * 2022-05-31 2023-12-08 哲库科技(上海)有限公司 存储器、片上系统、终端设备及供电控制方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6434044B1 (en) * 2001-02-16 2002-08-13 Sandisk Corporation Method and system for generation and distribution of supply voltages in memory systems
US20150003181A1 (en) * 2013-06-26 2015-01-01 Guido Droege Power management in multi-die assemblies
US20170069601A1 (en) * 2015-09-09 2017-03-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory device with separated capacitors
CN108228526A (zh) * 2016-12-12 2018-06-29 三星电子株式会社 电源隔离电路以及多电源域多电源隔离系统
CN111180000A (zh) * 2018-11-09 2020-05-19 美光科技公司 用于存储器裸片电力管理的感测和调谐

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8599636B2 (en) * 2011-12-02 2013-12-03 Corsair Memory, Inc. Boosting memory module performance
CN103365392B (zh) * 2012-03-26 2016-06-08 辽宁华鼎科技股份有限公司 内存管理系统
KR101961324B1 (ko) 2012-05-09 2019-03-22 삼성전자주식회사 메모리 장치 및 메모리 장치의 파워 관리 방법
US9647453B2 (en) * 2013-08-02 2017-05-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Dual supply memory
KR20180074138A (ko) 2016-12-23 2018-07-03 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작 방법
US11709624B2 (en) * 2018-02-15 2023-07-25 Xilinx, Inc. System-on-chip having multiple circuits and memory controller in separate and independent power domains
US10665288B2 (en) * 2018-02-26 2020-05-26 Micron Technology, Inc. Memory devices configured to provide external regulated voltages
US10942657B2 (en) * 2018-03-12 2021-03-09 Micron Technology, Inc. Power management integrated circuit (PMIC) master/slave functionality
US20190317911A1 (en) * 2018-04-17 2019-10-17 Qualcomm Incorporated General purpose input output triggered interface message
US10936049B2 (en) * 2019-04-26 2021-03-02 Intel Corporation PMIC/PMIC interface for distributed memory management implementations
EP3796128B1 (en) * 2019-09-23 2023-08-30 NXP USA, Inc. Power mode transition management for power supply

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6434044B1 (en) * 2001-02-16 2002-08-13 Sandisk Corporation Method and system for generation and distribution of supply voltages in memory systems
US20150003181A1 (en) * 2013-06-26 2015-01-01 Guido Droege Power management in multi-die assemblies
CN105264743A (zh) * 2013-06-26 2016-01-20 英特尔公司 多管芯组装件中的功率管理
US20170069601A1 (en) * 2015-09-09 2017-03-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory device with separated capacitors
CN108228526A (zh) * 2016-12-12 2018-06-29 三星电子株式会社 电源隔离电路以及多电源域多电源隔离系统
CN111180000A (zh) * 2018-11-09 2020-05-19 美光科技公司 用于存储器裸片电力管理的感测和调谐

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