CN116524865A - 像素电路 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及像素电路。该像素电路包括：发光元件；将驱动电流施加到发光元件的驱动晶体管；写入晶体管，接收写入栅信号和数据电压并且连接到驱动晶体管的第一电极；第一补偿晶体管，接收补偿栅信号并且连接到驱动晶体管的第二电极和第二补偿晶体管的第一电极；第二补偿晶体管，接收补偿栅信号并且连接到第一补偿晶体管的第二电极和驱动晶体管的控制电极；存储电容器，接收第一电源电压并且连接到驱动晶体管的控制电极；以及节点控制晶体管，接收写入栅信号并且连接到第一补偿晶体管的第二电极。

Description

像素电路
技术领域
本发明的实施例涉及显示装置中的像素电路。更具体地，本发明的实施例涉及包括驱动晶体管、写入晶体管、补偿晶体管和栅晶体管等的像素电路。
背景技术
通常，显示装置可以包括显示面板、驱动控制器、栅驱动器和数据驱动器。显示面板可以包括多条栅线、多条数据线以及电连接到栅线和数据线的多个像素。栅驱动器可以将栅信号提供到栅线。数据驱动器可以将数据电压提供到数据线。驱动控制器可以控制栅驱动器和数据驱动器。
总体而言，被包括在显示装置中的像素电路可以包括发光元件、存储电容器、驱动晶体管、写入晶体管、补偿晶体管和栅初始化晶体管等。在像素电路中，在像素电路中的晶体管是低温多晶硅(LTPS)晶体管的情况下，当显示装置被以低于预定驱动频率(例如，低于30Hz)驱动时，闪烁可能发生。换句话说，由于即使当晶体管关断时泄漏电流也流过晶体管，因此存储在存储电容器中的电压(即，驱动晶体管的控制电极的电压)可能因泄漏电流而变化，并且相应地，用户可能识别到亮度的改变。具体地，当像素电路包括像素电路顺序地执行栅初始化操作、数据写入操作和发光操作的结构(例如，驱动晶体管的控制电极、存储电容器的一个电极、栅初始化晶体管的一个电极和补偿晶体管的一个电极连接到预定节点)时，尽管补偿晶体管处于关断状态，但是泄漏电流可能流过补偿晶体管并且存储在存储电容器中的电压(即，驱动晶体管的控制电极的电压)可能变化。
发明内容
传统的像素电路可以通过将补偿晶体管配置为双晶体管来减少流过补偿晶体管的泄漏电流。然而，当显示装置以低于预定驱动频率操作时，存在减少泄漏电流的效果不显著的限制。
本发明的实施例提供了使由于泄漏电流而引起的驱动晶体管的控制电极的电压的改变最小化的像素电路。
本发明的实施例还提供了通过包括使由于泄漏电流而引起的驱动晶体管的控制电极的电压的改变最小化的像素电路来防止用户感知到闪烁的显示装置。
根据本发明的实施例，像素电路包括：发光元件；将驱动电流施加到发光元件的驱动晶体管；写入晶体管，包括接收写入栅信号的控制电极、连接到驱动晶体管的第一电极的第一电极和接收数据电压的第二电极；第一补偿晶体管，包括接收补偿栅信号的控制电极、连接到驱动晶体管的第二电极的第一电极和连接到第二补偿晶体管的第一电极的第二电极；第二补偿晶体管，包括接收补偿栅信号的控制电极、连接到第一补偿晶体管的第二电极的第一电极和连接到驱动晶体管的控制电极的第二电极；存储电容器，包括接收第一电源电压的第一电极和连接到驱动晶体管的控制电极的第二电极；以及节点控制晶体管，包括接收写入栅信号的控制电极、连接到第一补偿晶体管的第二电极的第一电极、以及第二电极。
在实施例中，第一初始化电压可以被施加到节点控制晶体管的第二电极。
在实施例中，像素电路可以进一步包括：栅初始化晶体管，包括接收初始化栅信号的控制电极、连接到驱动晶体管的控制电极的第一电极和接收第二初始化电压的第二电极，并且节点控制晶体管的第二电极可以连接到栅初始化晶体管的第一电极。
在实施例中，当栅初始化晶体管在执行栅初始化操作和数据写入操作的非发射时段中处于导通状态时，写入晶体管、第一补偿晶体管和第二补偿晶体管可以从关断状态导通到导通状态。
在实施例中，在执行栅初始化操作和数据写入操作的非发射时段的第一数据写入时段中，节点控制晶体管、第一补偿晶体管和第二补偿晶体管可以处于导通状态，并且在非发射时段的在第一数据写入时段之后的第二数据写入时段中，节点控制晶体管可以处于关断状态，并且第一补偿晶体管和第二补偿晶体管可以处于导通状态。
在实施例中，像素电路可以进一步包括：阳极初始化晶体管，包括接收偏置信号的控制电极、连接到发光元件的阳极电极的第一电极和接收第一初始化电压的第二电极；栅初始化晶体管，包括接收初始化栅信号的控制电极、连接到驱动晶体管的控制电极的第一电极和接收第二初始化电压的第二电极；第一发射晶体管，包括接收发射信号的控制电极、接收第一电源电压的第一电极和连接到驱动晶体管的第一电极的第二电极；第二发射晶体管，包括接收发射信号的控制电极、连接到驱动晶体管的第二电极的第一电极和连接到发光元件的阳极电极的第二电极；以及偏置晶体管，包括接收偏置信号的控制电极、接收偏置电压的第一电极和连接到驱动晶体管的第一电极的第二电极。
在实施例中，栅初始化晶体管可以被配置为双晶体管。
在实施例中，偏置信号的频率可以大于写入栅信号的频率。
根据实施例，像素电路可以包括：发光元件；将驱动电流施加到发光元件的驱动晶体管；阳极初始化晶体管，包括接收偏置信号的控制电极、连接到发光元件的阳极电极的第一电极和接收第一初始化电压的第二电极；第一补偿晶体管，包括接收补偿栅信号的控制电极、连接到驱动晶体管的第二电极的第一电极和连接到第二补偿晶体管的第一电极的第二电极；第二补偿晶体管，包括接收补偿栅信号的控制电极、连接到第一补偿晶体管的第二电极的第一电极和连接到驱动晶体管的控制电极的第二电极；存储电容器，包括接收第一电源电压的第一电极和连接到驱动晶体管的控制电极的第二电极；以及节点控制晶体管，包括接收偏置信号的控制电极、连接到驱动晶体管的控制电极的第一电极和连接到第一补偿晶体管的第二电极的第二电极。
在实施例中，在执行栅初始化操作和数据写入操作的非发射时段中，在执行栅初始化操作和数据写入操作之后，节点控制晶体管可以从关断状态导通到导通状态。
在实施例中，像素电路可以进一步包括：写入晶体管，包括接收写入栅信号的控制电极、连接到驱动晶体管的第一电极的第一电极和接收数据电压的第二电极；栅初始化晶体管，包括接收初始化栅信号的控制电极、连接到驱动晶体管的控制电极的第一电极和接收第二初始化电压的第二电极；第一发射晶体管，包括接收发射信号的控制电极、接收第一电源电压的第一电极和连接到驱动晶体管的第一电极的第二电极；第二发射晶体管，包括接收发射信号的控制电极、连接到驱动晶体管的第二电极的第一电极和连接到发光元件的阳极电极的第二电极；以及偏置晶体管，包括接收偏置信号的控制电极、接收偏置电压的第一电极和连接到驱动晶体管的第一电极的第二电极。
在实施例中，当栅初始化晶体管在执行栅初始化操作和数据写入操作的非发射时段中处于导通状态时，写入晶体管、第一补偿晶体管和第二补偿晶体管可以从关断状态导通到导通状态。
在实施例中，栅初始化晶体管可以被配置为双晶体管。
在实施例中，偏置信号的频率可以大于写入栅信号的频率。
根据实施例，像素电路可以包括：发光元件；将驱动电流施加到发光元件的驱动晶体管；写入晶体管，包括接收写入栅信号的控制电极、连接到驱动晶体管的第一电极的第一电极和接收数据电压的第二电极；第一补偿晶体管，包括接收写入栅信号的控制电极、连接到驱动晶体管的第二电极的第一电极和连接到第二补偿晶体管的第一电极的第二电极；第二补偿晶体管，包括接收补偿栅信号的控制电极、连接到第一补偿晶体管的第二电极的第一电极和连接到驱动晶体管的控制电极的第二电极；存储电容器，包括接收第一电源电压的第一电极和连接到驱动晶体管的控制电极的第二电极；以及节点控制电容器，包括接收第一电源电压的第一电极和连接到第一补偿晶体管的第二电极的第二电极。
在实施例中，存储电容器的电容可以大于节点控制电容器的电容。
在实施例中，在执行栅初始化操作和数据写入操作的非发射时段的第一数据写入时段中，第一补偿晶体管和第二补偿晶体管可以处于导通状态，并且在非发射时段的在第一数据写入时段之后的第二数据写入时段中，第一补偿晶体管可以处于关断状态并且第二补偿晶体管可以处于导通状态。
在实施例中，像素电路可以进一步包括：阳极初始化晶体管，包括接收偏置信号的控制电极、连接到发光元件的阳极电极的第一电极和接收第一初始化电压的第二电极；栅初始化晶体管，包括接收初始化栅信号的控制电极、连接到驱动晶体管的控制电极的第一电极和接收第二初始化电压的第二电极；第一发射晶体管，包括接收发射信号的控制电极、接收第一电源电压的第一电极和连接到驱动晶体管的第一电极的第二电极；第二发射晶体管，包括接收发射信号的控制电极、连接到驱动晶体管的第二电极的第一电极和连接到发光元件的阳极电极的第二电极；以及偏置晶体管，包括接收偏置信号的控制电极、接收偏置电压的第一电极和连接到驱动晶体管的第一电极的第二电极。
在实施例中，当栅初始化晶体管在执行栅初始化操作和数据写入操作的非发射时段中处于导通状态时，写入晶体管、第一补偿晶体管和第二补偿晶体管可以从关断状态导通到导通状态。
在实施例中，栅初始化晶体管可以被配置为双晶体管。
在本发明的实施例中，像素电路可以通过包括以下元件来降低在第一补偿晶体管与第二补偿晶体管之间的节点处的电压：发光元件；将驱动电流施加到发光元件的驱动晶体管；写入晶体管，包括接收写入栅信号的控制电极、连接到驱动晶体管的第一电极的第一电极和接收数据电压的第二电极；第一补偿晶体管，包括接收补偿栅信号的控制电极、连接到驱动晶体管的第二电极的第一电极和连接到第二补偿晶体管的第一电极的第二电极；第二补偿晶体管，包括接收补偿栅信号的控制电极、连接到第一补偿晶体管的第二电极的第一电极和连接到驱动晶体管的控制电极的第二电极；存储电容器，包括接收第一电源电压的第一电极和连接到驱动晶体管的控制电极的第二电极；以及节点控制晶体管，包括接收写入栅信号的控制电极、连接到第一补偿晶体管的第二电极的第一电极、以及第二电极。相应地，可以最小化由于泄漏电流而引起的驱动晶体管的控制电极的电压的改变。
在这样的实施例中，像素电路可以通过包括以下元件来降低在第一补偿晶体管与第二补偿晶体管之间的节点处的电压：发光元件；将驱动电流施加到发光元件的驱动晶体管；阳极初始化晶体管，包括接收偏置信号的控制电极、连接到发光元件的阳极电极的第一电极和接收第一初始化电压的第二电极；第一补偿晶体管，包括接收补偿栅信号的控制电极、连接到驱动晶体管的第二电极的第一电极和连接到第二补偿晶体管的第一电极的第二电极；第二补偿晶体管，包括接收补偿栅信号的控制电极、连接到第一补偿晶体管的第二电极的第一电极和连接到驱动晶体管的控制电极的第二电极；存储电容器，包括接收第一电源电压的第一电极和连接到驱动晶体管的控制电极的第二电极；以及节点控制晶体管，包括接收偏置信号的控制电极、连接到驱动晶体管的控制电极的第一电极和连接到第一补偿晶体管的第二电极的第二电极。相应地，可以最小化由于泄漏电流而引起的驱动晶体管的控制电极的电压的改变。
在这样的实施例中，像素电路可以通过包括以下元件来降低在第一补偿晶体管与第二补偿晶体管之间的节点处的电压：发光元件；将驱动电流施加到发光元件的驱动晶体管；写入晶体管，包括接收写入栅信号的控制电极、连接到驱动晶体管的第一电极的第一电极和接收数据电压的第二电极；第一补偿晶体管，包括接收写入栅信号的控制电极、连接到驱动晶体管的第二电极的第一电极和连接到第二补偿晶体管的第一电极的第二电极；第二补偿晶体管，包括接收补偿栅信号的控制电极、连接到第一补偿晶体管的第二电极的第一电极和连接到驱动晶体管的控制电极的第二电极；存储电容器，包括接收第一电源电压的第一电极和连接到驱动晶体管的控制电极的第二电极；以及节点控制电容器，包括接收第一电源电压的第一电极和连接到第一补偿晶体管的第二电极的第二电极。相应地，可以最小化由于泄漏电流而引起的驱动晶体管的控制电极的电压的改变。
在这样的实施例中，像素电路可以最小化由于泄漏电流而引起的驱动晶体管的控制电极的电压的改变，从而防止用户可感知到的闪烁。
附图说明
图1是图示根据本发明的实施例的显示装置的框图。
图2是图示根据本发明的实施例的像素电路的电路图。
图3是图示图2的像素电路被驱动的实施例的时序图。
图4是图示图2的像素电路在执行栅初始化操作和数据写入操作的非发射时段中被驱动的实施例的时序图。
图5是图示根据本发明的实施例的像素电路的电路图。
图6是图示根据本发明的实施例的像素电路的电路图。
图7是图示根据本发明的实施例的像素电路的电路图。
图8是图示根据本发明的实施例的像素电路的电路图。
图9是图示图8的像素电路在第一数据写入时段中操作的实施例的电路图。
图10是图示图8的像素电路在第二数据写入时段中操作的实施例的电路图。
图11是示出根据实施例的电子装置的框图。
图12是示出图11的电子装置被实现为智能电话的实施例的示意图。
具体实施方式
现在将在下文中参照附图更充分地描述本发明，在附图中示出了各种实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式来实施，并且不应被解释为限于在本文中阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本发明的范围。在全文中，相同的附图标记指代相同的元件。
将理解的是，当元件被称为在另一元件“上”时，它可以直接在另一元件上，或者居间元件可以存在于它们之间。比较而言，当元件被称为“直接”在另一元件“上”时，不存在居间元件。
将理解的是，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，下面讨论的“第一元件”、“部件”、“区域”、“层”或“部分”可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分而不脱离本文的教导。
本文中所使用的术语仅是为了描述特定实施例的目的，并且不旨在进行限制。如本文中所使用的，“一”、“该(所述)”和“至少一个”不表示数量的限制并且旨在包括单数和复数两者，除非上下文另外明确指示。例如，“元件”与“至少一个元件”具有相同的含义，除非上下文另外明确指示。“至少一个”不应被解释为限于“一”。“或”是指“和/或”。如本文中所使用的，术语“和/或”包括关联的所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。将进一步理解的是，当术语“包括”或“包含”及其变体在本说明书中使用时，指定所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一个或多个其他特征、区域、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。
此外，诸如“下”或“底”以及“上”或“顶”的相对术语在本文中可以用于描述如各图中所图示的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，除了各图中描绘的定向之外，相对术语旨在涵盖装置的不同定向。例如，如果在各图中的一幅图中的装置被翻转，则被描述为在其他元件“下”侧的元件将随之被定向在其他元件的“上”侧。因此，取决于图的特定定向，术语“下”可以涵盖“下”和“上”的定向两者。类似地，如果在各图中的一幅图中的装置被翻转，则被描述为在其他元件“下面”或“下方”的元件将随之被定向在其他元件“上面”。因此，术语“下面”或“下方”可以涵盖上面和下面的定向两者。
除非另外限定，否则本文中所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解的是，诸如那些在常用词典中限定的术语应当被解释为具有与其在相关技术和本公开的背景中的含义一致的含义，并且将不以理想化的或过于正式的意义来解释，除非在本文中明确地如此限定。
本文中描述的实施例不应被解释为限于如本文中所图示的区域的特定形状，而要包括由于例如制造而导致的形状的偏差。例如，图示或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙和/或非线性特征。此外，被图示的尖角可以是圆形的。因此，各图中图示的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在图示区域的精确形状，并且不旨在限制本权利要求的范围。
在下文中，将参照附图详细地描述本发明的实施例。
图1是图示根据本发明的实施例的显示装置1000的框图。
参照图1，显示装置1000的实施例可以包括显示面板100、驱动控制器200、栅驱动器300和数据驱动器400。在实施例中，驱动控制器200和数据驱动器400可以集成到单个芯片中。
显示面板100具有显示图像的显示区域AA以及与显示区域AA邻近的外围区域PA。在实施例中，栅驱动器300可以安装在显示面板100的外围区域PA上。
显示面板100可以包括多条栅线GL、多条数据线DL以及电连接到数据线DL和栅线GL的多个像素电路P。栅线GL可以在第一方向D1上延伸，并且数据线DL可以在与第一方向D1交叉的第二方向D2上延伸。
驱动控制器200可以从主处理器(例如，图形处理单元；GPU)接收输入图像数据IMG和输入控制信号CONT。在实施例中，例如，输入图像数据IMG可以包括红色图像数据、绿色图像数据和蓝色图像数据。在这样的实施例中，输入图像数据IMG可以进一步包括白色图像数据。在可替代的实施例中，例如，输入图像数据IMG可以包括品红色图像数据、黄色图像数据和青色图像数据。输入控制信号CONT可以包括主时钟信号和数据使能信号。输入控制信号CONT可以进一步包括垂直同步信号和水平同步信号。
驱动控制器200可以基于输入图像数据IMG和输入控制信号CONT生成第一控制信号CONT1、第二控制信号CONT2和输出图像数据OIMG。
驱动控制器200可以基于输入控制信号CONT生成用于控制栅驱动器300的操作的第一控制信号CONT1，并且将第一控制信号CONT1输出到栅驱动器300。第一控制信号CONT1可以包括垂直起始信号和栅时钟信号。
驱动控制器200可以基于输入控制信号CONT生成用于控制数据驱动器400的操作的第二控制信号CONT2，并且将第二控制信号CONT2输出到数据驱动器400。第二控制信号CONT2可以包括水平起始信号和负载信号。
驱动控制器200可以接收输入图像数据IMG和输入控制信号CONT，并且生成输出图像数据OIMG。驱动控制器200可以将输出图像数据OIMG输出到数据驱动器400。
栅驱动器300可以响应于从驱动控制器200输入的第一控制信号CONT1而生成用于驱动栅线GL的栅信号。栅驱动器300可以将栅信号输出到栅线GL。在实施例中，例如，栅驱动器300可以将栅信号顺序地输出到栅线GL。
数据驱动器400可以从驱动控制器200接收第二控制信号CONT2和输出图像数据OIMG。数据驱动器400可以将输出图像数据OIMG转换成具有模拟类型的数据电压。数据驱动器400可以将数据电压输出到数据线DL。
图2是图示根据本发明的实施例的像素电路P的电路图，图3是图示图2的像素电路P被驱动的实施例的时序图，并且图4是图示图2的像素电路P在执行栅初始化操作和数据写入操作的非发射时段中被驱动的实施例的时序图。在实施例中，如图3和图4中所示，有效电平可以是低电压电平，并且无效电平可以是高电压电平，但是不限于此。可替代地，取决于电路图中的晶体管的类型，有效电平可以是高电压电平并且无效电平可以是低电压电平。
参照图2，像素电路P的实施例可以包括发光元件EE、将驱动电流施加到发光元件EE的驱动晶体管T1、写入晶体管T2、第一补偿晶体管T3_1、第二补偿晶体管T3_2、存储电容器CST以及节点控制晶体管T9_1，写入晶体管T2包括接收写入栅信号GW的控制电极、连接到驱动晶体管T1的第一电极(即，第一节点N1)的第一电极和接收数据电压DATA的第二电极，第一补偿晶体管T3_1包括接收补偿栅信号GC的控制电极、连接到驱动晶体管T1的第二电极(即，第二节点N2)的第一电极和连接到第二补偿晶体管T3_2的第一电极(即，第三节点N3)的第二电极，第二补偿晶体管T3_2包括接收补偿栅信号GC的控制电极、连接到第一补偿晶体管T3_1的第二电极的第一电极和连接到驱动晶体管T1的控制电极(即，第四节点N4)的第二电极，存储电容器CST包括接收第一电源电压ELVDD的第一电极和连接到驱动晶体管T1的控制电极的第二电极，节点控制晶体管T9_1包括接收写入栅信号GW的控制电极、连接到第一补偿晶体管T3_1的第二电极的第一电极、以及第二电极。第一初始化电压Vaint可以被施加到节点控制晶体管T9_1的第二电极。像素电路P可以进一步包括阳极初始化晶体管T7、栅初始化晶体管T4、第一发射晶体管T5、第二发射晶体管T6以及偏置晶体管T8，阳极初始化晶体管T7包括接收偏置信号EB的控制电极、连接到发光元件EE的阳极电极的第一电极和接收第一初始化电压Vaint的第二电极，栅初始化晶体管T4包括接收初始化栅信号GI的控制电极、连接到驱动晶体管T1的控制电极的第一电极和接收第二初始化电压Vint的第二电极，第一发射晶体管T5包括接收发射信号EM的控制电极、接收第一电源电压ELVDD的第一电极和连接到驱动晶体管T1的第一电极的第二电极，第二发射晶体管T6包括接收发射信号EM的控制电极、连接到驱动晶体管T1的第二电极的第一电极和连接到发光元件EE的阳极电极的第二电极，偏置晶体管T8包括接收偏置信号EB的控制电极、接收偏置电压Vbias的第一电极和连接到驱动晶体管T1的第一电极的第二电极。发光元件EE可以包括连接到驱动晶体管T1的第二电极的阳极电极和接收第二电源电压ELVSS的阴极电极。驱动晶体管T1可以包括连接到存储电容器CST的第二电极的控制电极、连接到写入晶体管T2的第一电极的第一电极和连接到第一补偿晶体管T3_1的第一电极的第二电极。在实施例中，第一初始化电压Vaint可以小于第二初始化电压Vint。
参照图1至图3，显示面板100的实施例可以被用可变驱动频率驱动。在实施例中，例如，显示面板100可以被以最大120赫兹(Hz)驱动。
当显示面板100被以120Hz驱动时，写入栅信号GW和补偿栅信号GC可以在第一时段P1和第五时段P5中具有有效脉冲，并且可以执行数据写入操作。也就是说，当显示面板100被以120Hz驱动时，可以以120Hz执行数据写入操作。
当显示面板100被以120Hz驱动时，初始化栅信号GI可以在第一时段P1和第五时段P5中具有有效脉冲，并且可以执行栅初始化操作。也就是说，当显示面板100被以120Hz驱动时，可以以120Hz执行栅初始化操作。
偏置信号EB的频率可以大于写入栅信号GW的频率。当显示面板100被以120Hz驱动时，发射信号EM和偏置信号EB可以在所有时段P1、P2、...、P8中具有有效脉冲，并且可以执行发光操作和偏置操作。当显示面板100被以120Hz驱动时，可以以480Hz执行发光元件EE的发光操作和驱动晶体管T1的偏置操作。
显示装置1000可以包括执行栅初始化操作和数据写入操作的非发射时段和不执行栅初始化操作和数据写入操作的非发射时段。在实施例中，例如，当显示面板100被以120Hz驱动时，第一时段P1以及第五时段P5的非发射时段(在图3中，发射信号EM具有无效电平的时段)可以是执行栅初始化操作和数据写入操作的非发射时段，并且第二时段P2、第三时段P3、第四时段P4、第六时段P6、第七时段P7以及第八时段P8的非发射时段(在图3中，发射信号EM具有无效电平的时段)可以是不执行栅初始化操作和数据写入操作的非发射时段。
当不执行栅初始化操作和数据写入操作的非发射时段增加时(即，当驱动频率减小时)，执行数据写入操作的时段可以增加。当执行数据写入操作的时段增加时，泄漏电流对驱动晶体管T1的控制电极的电压的影响可能增加。当第三节点N3的电压大于第四节点N4的电压时，流向驱动晶体管T1的控制电极的泄漏电流可能增加。驱动晶体管T1的控制电极的电压可以通过流过补偿晶体管T3_1和T3_2的泄漏电流而改变，使得可以改变显示的图像的亮度。相应地，用户可能感知到闪烁。
参照图1至图4，可以在执行栅初始化操作和数据写入操作的非发射时段NEP的初始化时段IP中执行栅初始化操作。可以在执行栅初始化操作和数据写入操作的非发射时段NEP的数据写入时段DWP1和DWP2中执行数据写入操作。可以在执行栅初始化操作和数据写入操作的非发射时段NEP的偏置时段BP中执行偏置操作。
在执行栅初始化操作和数据写入操作的非发射时段NEP的初始化时段IP中，初始化栅信号GI可以具有有效电平，并且栅初始化晶体管T4可以处于导通状态(即，电流流过晶体管)。相应地，第二初始化电压Vint可以被施加到驱动晶体管T1的控制电极。当第二初始化电压Vint被施加到驱动晶体管T1的控制电极时，驱动晶体管T1的控制电极的电压可以被初始化(即，可以执行栅初始化操作)。
在实施例中，当栅初始化晶体管T4在执行栅初始化操作和数据写入操作的非发射时段NEP中处于导通状态时，写入晶体管T2、第一补偿晶体管T3_1和第二补偿晶体管T3_2可以导通(或从关断状态改变成导通状态)。在实施例中，例如，由于写入栅信号GW和补偿栅信号GC在初始化时段IP中具有有效电平，因此可以进一步确保用于将数据电压DATA写入存储电容器CST中的时间。
在执行栅初始化操作和数据写入操作的非发射时段NEP的第一数据写入时段DWP1中，节点控制晶体管T9_1、第一补偿晶体管T3_1和第二补偿晶体管T3_2可以处于导通状态。在执行栅初始化操作和数据写入操作的非发射时段NEP的在第一数据写入时段DWP1之后的第二数据写入时段DWP2中，节点控制晶体管T9_1可以处于关断状态(即，没有电流流过晶体管)，并且第一补偿晶体管T3_1和第二补偿晶体管T3_2可以处于导通状态。
在执行栅初始化操作和数据写入操作的非发射时段NEP的第一数据写入时段DWP1中，写入栅信号GW和补偿栅信号GC可以具有有效电平，并且写入晶体管T2、节点控制晶体管T9_1、第一补偿晶体管T3_1和第二补偿晶体管T3_2可以处于导通状态。相应地，在数据电压DATA中对驱动晶体管T1的阈值电压进行补偿的电压可以存储在存储电容器CST中(即，可以执行数据写入操作)。
在执行栅初始化操作和数据写入操作的非发射时段NEP的第二数据写入时段DWP2中，写入栅信号GW可以具有无效电平，并且补偿栅信号GC可以具有有效电平，写入晶体管T2和节点控制晶体管T9_1可以处于关断状态，并且第一补偿晶体管T3_1和第二补偿晶体管T3_2可以处于导通状态。相应地，可以进一步确保用于将数据电压DATA写入存储电容器CST中的时间。
在执行栅初始化操作和数据写入操作的非发射时段NEP的偏置时段BP和不执行栅初始化操作和数据写入操作的非发射时段的偏置时段中，偏置信号EB可以具有有效电平，并且偏置晶体管T8可以处于导通状态。相应地，偏置电压Vbias可以被施加到驱动晶体管T1的第一电极，并且驱动晶体管T1的滞后特性可以通过偏置电压Vbias被初始化(即，可以执行偏置操作)。
在实施例中，如图3和图4中所示，偏置信号EB可以在一个非发射时段中包括单个有效脉冲，但是不限于此。在可替代的实施例中，例如，偏置信号EB可以在一个非发射时段中包括两个或更多个有效脉冲。
在发射时段中，发射信号EM可以具有有效电平，并且第一发射晶体管T5和第二发射晶体管T6可以处于导通状态。相应地，第一电源电压ELVDD可以被施加到驱动晶体管T1的第一电极，由驱动晶体管T1生成的驱动电流可以被施加到发光元件EE，并且发光元件EE可以发光(即，可以执行发光操作)。
当补偿栅信号GC改变成导通电平时(即，当补偿栅信号GC从无效电平改变成有效电平时)，第三节点N3的电压可以由于反冲电压而增加。当写入栅信号GW具有有效电平时，节点控制晶体管T9_1可以导通，并且当节点控制晶体管T9_1导通时，第一初始化电压Vaint可以被施加到第三节点N3。第三节点N3的电压可以降低第一初始化电压Vaint。相应地，可以减少第三节点N3与第四节点N4之间的电压差，并且可以减少流过补偿晶体管T3_1和T3_2的泄漏电流。
图5是图示根据本发明的实施例的像素电路P的电路图。
除了栅初始化晶体管之外，图5中所示的像素电路P与图2的像素电路P基本相同。因此，相同的附图标记用于指代相同或相似的元件，并且将省略对其的任何重复的详细描述。
参照图5，在实施例中，栅初始化晶体管被配置为双晶体管(也就是说，由彼此串联连接的两个晶体管限定并且具有接收彼此相同的信号的栅电极)。这里，在实施例中，例如，栅初始化晶体管可以包括第一栅初始化晶体管T4_1以及第二栅初始化晶体管T4_2，第一栅初始化晶体管T4_1包括接收初始化栅信号GI的控制电极、连接到第二补偿晶体管T3_2的第二电极的第一电极和连接到第二栅初始化晶体管T4_2的第一电极的第二电极，第二栅初始化晶体管T4_2包括接收初始化栅信号GI的控制电极、连接到第一栅初始化晶体管T4_1的第二电极的第一电极和接收第二初始化电压Vint的第二电极。
图6是图示根据本发明的实施例的像素电路P的电路图。
除了节点控制晶体管T9_2之外，图6中所示的像素电路P与图2的像素电路P基本相同。因此，相同的附图标记用于指代相同或相似的元件，并且将省略对其的任何重复的详细描述。
参照图4和图6，在实施例中，像素电路P可以包括节点控制晶体管T9_2，节点控制晶体管T9_2包括接收写入栅信号GW的控制电极、连接到第一补偿晶体管T3_1的第二电极的第一电极和连接到栅初始化晶体管T4的第一电极的第二电极。
当栅初始化晶体管T4在执行栅初始化操作和数据写入操作的非发射时段NEP中处于导通状态时，写入晶体管T2、第一补偿晶体管T3_1和第二补偿晶体管T3_2可以导通(或从关断状态改变成导通状态)。在实施例中，例如，由于写入栅信号GW和补偿栅信号GC在初始化时段IP中具有有效电平，因此可以进一步确保用于将数据电压DATA写入存储电容器CST中的时间。
当写入栅信号GW和初始化栅信号GI具有有效电平时，栅初始化晶体管T4和节点控制晶体管T9_2可以导通，并且当栅初始化晶体管T4和节点控制晶体管T9_2导通时，第二初始化电压Vint可以被施加到第三节点N3。第三节点N3的电压可以降低第二初始化电压Vint。相应地，可以减少第三节点N3与第四节点N4之间的电压差，并且可以减少流过补偿晶体管T3_1和T3_2的泄漏电流。
在可替代的实施例中，写入栅信号GW和补偿栅信号GC可以在初始化时段IP中具有无效电平。在这样的实施例中，当写入栅信号GW在第一数据写入时段DWP1中具有有效电平时，节点控制晶体管T9_2可以导通，并且当节点控制晶体管T9_2导通时，其上执行初始化操作的第四节点N4的电压可以被施加到第三节点N3。第三节点N3的电压可以降低其上执行初始化操作的第四节点N4的电压。
图7是图示根据本发明的实施例的像素电路P的电路图。
除了节点控制晶体管T9_3之外，图7中所示的像素电路P与图2的像素电路P基本相同。因此，相同的附图标记用于指代相同或相似的元件，并且将省略对其的任何重复的详细描述。
参照图4和图7，在实施例中，像素电路P可以包括节点控制晶体管T9_3，节点控制晶体管T9_3包括接收偏置信号EB的控制电极、连接到驱动晶体管T1的控制电极的第一电极和连接到第一补偿晶体管T3_1的第二电极的第二电极。
当偏置信号EB具有有效电平时，节点控制晶体管T9_3可以导通，并且当节点控制晶体管T9_3导通时，可以连接第三节点N3和驱动晶体管T1的控制电极。也就是说，第三节点N3的电压可以减小直到第三节点N3的电压和驱动晶体管T1的控制电极(即，第四节点N4)的电压变得彼此相同。相应地，可以减少第三节点N3与第四节点N4之间的电压差，并且可以减少流过补偿晶体管T3_1和T3_2的泄漏电流。
图8是图示根据本发明的实施例的像素电路P的电路图，图9是图示图8的像素电路P在第一数据写入时段DWP1中操作的实施例的电路图，并且图10是图示图8的像素电路P在第二数据写入时段DWP2中操作的实施例的电路图。
除了第一补偿晶体管T3_3之外，并且除了增加了节点控制电容器CN3且省略了图2的节点控制晶体管T9_1之外，图8中所示的像素电路P与图2的像素电路P基本相同。因此，相同的附图标记用于指代相同或相似的元件，并且将省略对其的任何重复的详细描述。
参照图4和图8，在实施例中，像素电路P可以包括第一补偿晶体管T3_3以及节点控制电容器CN3，第一补偿晶体管T3_3包括接收写入栅信号GW的控制电极、连接到驱动晶体管T1的第二电极的第一电极和连接到第二补偿晶体管T3_2的第一电极的第二电极，节点控制电容器CN3包括接收第一电源电压ELVDD的第一电极和连接到第一补偿晶体管T3_3的第二电极的第二电极。存储电容器CST的电容可以大于节点控制电容器CN3的电容。
在执行栅初始化操作和数据写入操作的非发射时段NEP的第一数据写入时段DWP1中，写入栅信号GW和补偿栅信号GC可以具有有效电平，并且写入晶体管T2、第一补偿晶体管T3_3和第二补偿晶体管T3_2可以处于导通状态。相应地，电压可以存储在存储电容器CST和节点控制电容器CN3中。然而，在第一数据写入时段DWP1期间，在数据电压DATA中对驱动晶体管T1的阈值电压进行补偿的电压可能没有被充分地充入(例如，在存储电容器CST具有大电容的情况下)。
在执行栅初始化操作和数据写入操作的非发射时段NEP的第二数据写入时段DWP2中，写入栅信号GW可以具有无效电平，并且补偿栅信号GC可以具有有效电平，写入晶体管T2和第一补偿晶体管T3_3可以处于关断状态，并且第二补偿晶体管T3_2可以处于导通状态。在第二数据写入时段DWP2期间，由于在节点控制电容器CN3中充入的电压，从数据电压DATA补偿驱动晶体管T1的阈值电压的电压可以被充分地充入存储电容器CST中。
相应地，由于当第二数据写入时段DWP2结束时仅第二补偿晶体管T3_2可以关断(或从关断状态改变成导通状态)(第一补偿晶体管T3_3可能已经处于关断状态)，因此可以减少由于反冲电压而引起的第三节点N3的电压上升。相应地，可以减少第三节点N3与第四节点N4之间的电压差，并且可以减少流过补偿晶体管T3_2和T3_3的泄漏电流。
图11是示出根据实施例的电子装置的框图，并且图12是示出图11的电子装置被实现为智能电话的实施例的示意图。
参照图11和图12，电子装置2000的实施例可以包括处理器2010、存储器装置2020、储存装置2030、输入/输出(I/O)装置2040、电源2050和显示装置2060。在这样的实施例中，显示装置2060可以是图1的显示装置1000。在实施例中，电子装置2000可以进一步包括用于与视频卡、声卡、存储卡、通用串行总线(USB)装置、其他电子装置等进行通信的多个端口。在实施例中，如图12中所示，电子装置2000可以被实现为智能电话。然而，电子装置2000的实施例不限于此。在可替代的实施例中，例如，电子装置2000可以被实现为蜂窝电话、视频电话、智能平板、智能手表、平板个人计算机(PC)、汽车导航系统、计算机监视器、膝上型计算机、头戴式显示器(HMD)装置等。
处理器2010可以执行各种计算功能。处理器2010可以是微处理器、中央处理单元(CPU)、应用处理器(AP)等。处理器2010可以经由地址总线、控制总线、数据总线等耦接到其他部件。进一步，处理器2010可以耦接到诸如外围部件互连(PCI)总线的扩展总线。
存储器装置2020可以存储用于电子装置2000的操作的数据。在实施例中，例如，存储器装置2020可以包括诸如可擦除可编程只读存储器(EPROM)装置、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)装置、闪存装置、相变随机存取存储器(PRAM)装置、电阻随机存取存储器(RRAM)装置、纳米浮栅存储器(NFGM)装置、聚合物随机存取存储器(PoRAM)装置、磁性随机存取存储器(MRAM)装置、铁电随机存取存储器(FRAM)装置等的至少一种非易失性存储器装置和/或诸如动态随机存取存储器(DRAM)装置、静态随机存取存储器(SRAM)装置、移动DRAM装置等的至少一种易失性存储器装置。
储存装置2030可以包括固态驱动(SSD)装置、硬盘驱动(HDD)装置、CD-ROM装置等。
I/O装置2040可以包括诸如键盘、小键盘、鼠标装置、触摸板、触摸屏等的输入装置以及诸如打印机、扬声器等的输出装置。在一些实施例中，I/O装置2040可以包括显示装置2060。
电源2050可以为电子装置2000的操作提供电力。在实施例中，例如，电源2050可以是电源管理集成电路(PMIC)。
显示装置2060可以显示与电子装置2000的视觉信息相对应的图像。在实施例中，例如，显示装置2060可以是有机发光显示装置或量子点发光显示装置，但是不限于此。在实施例中，显示装置2060可以降低第一补偿晶体管与第二补偿晶体管之间的节点的电压，使得可以最小化由于泄漏电流而引起的驱动晶体管的控制电极的电压的改变。
本发明的实施例可以应用于包括显示装置的任何电子装置。在实施例中，例如，本发明可以应用于电视(TV)、数字TV、三维(3D)TV、移动电话、智能电话、平板计算机、虚拟现实(VR)装置、可穿戴电子装置、PC、家用电器、膝上型计算机、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、数码相机、音乐播放器、便携式游戏机、导航装置等。
本发明不应被解释为限于在本文中阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本发明的构思。
虽然已经参照本发明的实施例具体地示出和描述了本发明，但是本领域普通技术人员将理解的是，可以在形式和细节上对其进行各种改变，而不脱离由权利要求所限定的本发明的精神或范围。

Claims (20)

1.一种像素电路，包括：
发光元件；
将驱动电流施加到所述发光元件的驱动晶体管；
写入晶体管，包括接收写入栅信号的控制电极、连接到所述驱动晶体管的第一电极的第一电极和接收数据电压的第二电极；
第一补偿晶体管，包括接收补偿栅信号的控制电极、连接到所述驱动晶体管的第二电极的第一电极和连接到第二补偿晶体管的第一电极的第二电极；
所述第二补偿晶体管，包括接收所述补偿栅信号的控制电极、连接到所述第一补偿晶体管的所述第二电极的所述第一电极和连接到所述驱动晶体管的控制电极的第二电极；
存储电容器，包括接收第一电源电压的第一电极和连接到所述驱动晶体管的所述控制电极的第二电极；以及
节点控制晶体管，包括接收所述写入栅信号的控制电极、连接到所述第一补偿晶体管的所述第二电极的第一电极、以及第二电极。
2.根据权利要求1所述的像素电路，其中，第一初始化电压被施加到所述节点控制晶体管的所述第二电极。
3.根据权利要求1所述的像素电路，进一步包括：
栅初始化晶体管，包括接收初始化栅信号的控制电极、连接到所述驱动晶体管的所述控制电极的第一电极和接收第二初始化电压的第二电极，并且
其中，所述节点控制晶体管的所述第二电极连接到所述栅初始化晶体管的所述第一电极。
4.根据权利要求3所述的像素电路，其中，当所述栅初始化晶体管在执行栅初始化操作和数据写入操作的非发射时段中处于导通状态时，所述写入晶体管、所述第一补偿晶体管和所述第二补偿晶体管从关断状态导通到所述导通状态。
5.根据权利要求1或2所述的像素电路，其中，在执行栅初始化操作和数据写入操作的非发射时段的第一数据写入时段中，所述节点控制晶体管、所述第一补偿晶体管和所述第二补偿晶体管处于导通状态，并且
其中，在所述非发射时段的在所述第一数据写入时段之后的第二数据写入时段中，所述节点控制晶体管处于关断状态，并且所述第一补偿晶体管和所述第二补偿晶体管处于所述导通状态。
6.根据权利要求1所述的像素电路，进一步包括：
阳极初始化晶体管，包括接收偏置信号的控制电极、连接到所述发光元件的阳极电极的第一电极和接收第一初始化电压的第二电极；
栅初始化晶体管，包括接收初始化栅信号的控制电极、连接到所述驱动晶体管的所述控制电极的第一电极和接收第二初始化电压的第二电极；
第一发射晶体管，包括接收发射信号的控制电极、接收所述第一电源电压的第一电极和连接到所述驱动晶体管的所述第一电极的第二电极；
第二发射晶体管，包括接收所述发射信号的控制电极、连接到所述驱动晶体管的所述第二电极的第一电极和连接到所述发光元件的所述阳极电极的第二电极；以及
偏置晶体管，包括接收所述偏置信号的控制电极、接收偏置电压的第一电极和连接到所述驱动晶体管的所述第一电极的第二电极。
7.根据权利要求6所述的像素电路，其中，所述栅初始化晶体管被配置为双晶体管。
8.根据权利要求6所述的像素电路，其中，所述偏置信号的频率大于所述写入栅信号的频率。
9.一种像素电路，包括：
发光元件；
将驱动电流施加到所述发光元件的驱动晶体管；
阳极初始化晶体管，包括接收偏置信号的控制电极、连接到所述发光元件的阳极电极的第一电极和接收第一初始化电压的第二电极；
第一补偿晶体管，包括接收补偿栅信号的控制电极、连接到所述驱动晶体管的第二电极的第一电极和连接到第二补偿晶体管的第一电极的第二电极；
所述第二补偿晶体管，包括接收所述补偿栅信号的控制电极、连接到所述第一补偿晶体管的所述第二电极的所述第一电极和连接到所述驱动晶体管的控制电极的第二电极；
存储电容器，包括接收第一电源电压的第一电极和连接到所述驱动晶体管的所述控制电极的第二电极；以及
节点控制晶体管，包括接收所述偏置信号的控制电极、连接到所述驱动晶体管的所述控制电极的第一电极和连接到所述第一补偿晶体管的所述第二电极的第二电极。
10.根据权利要求9所述的像素电路，其中，在执行栅初始化操作和数据写入操作的非发射时段中，在执行所述栅初始化操作和所述数据写入操作之后，所述节点控制晶体管从关断状态导通到导通状态。
11.根据权利要求9所述的像素电路，进一步包括：
写入晶体管，包括接收写入栅信号的控制电极、连接到所述驱动晶体管的第一电极的第一电极和接收数据电压的第二电极；
栅初始化晶体管，包括接收初始化栅信号的控制电极、连接到所述驱动晶体管的所述控制电极的第一电极和接收第二初始化电压的第二电极；
第一发射晶体管，包括接收发射信号的控制电极、接收所述第一电源电压的第一电极和连接到所述驱动晶体管的所述第一电极的第二电极；
第二发射晶体管，包括接收所述发射信号的控制电极、连接到所述驱动晶体管的所述第二电极的第一电极和连接到所述发光元件的所述阳极电极的第二电极；以及
偏置晶体管，包括接收所述偏置信号的控制电极、接收偏置电压的第一电极和连接到所述驱动晶体管的所述第一电极的第二电极。
12.根据权利要求11所述的像素电路，其中，当所述栅初始化晶体管在执行栅初始化操作和数据写入操作的非发射时段中处于导通状态时，所述写入晶体管、所述第一补偿晶体管和所述第二补偿晶体管从关断状态导通到所述导通状态。
13.根据权利要求11或12所述的像素电路，其中，所述栅初始化晶体管被配置为双晶体管。
14.根据权利要求11或12所述的像素电路，其中，所述偏置信号的频率大于所述写入栅信号的频率。
15.一种像素电路，包括：
发光元件；
将驱动电流施加到所述发光元件的驱动晶体管；
写入晶体管，包括接收写入栅信号的控制电极、连接到所述驱动晶体管的第一电极的第一电极和接收数据电压的第二电极；
第一补偿晶体管，包括接收所述写入栅信号的控制电极、连接到所述驱动晶体管的第二电极的第一电极和连接到第二补偿晶体管的第一电极的第二电极；
所述第二补偿晶体管，包括接收补偿栅信号的控制电极、连接到所述第一补偿晶体管的所述第二电极的所述第一电极和连接到所述驱动晶体管的控制电极的第二电极；
存储电容器，包括接收第一电源电压的第一电极和连接到所述驱动晶体管的所述控制电极的第二电极；以及
节点控制电容器，包括接收所述第一电源电压的第一电极和连接到所述第一补偿晶体管的所述第二电极的第二电极。
16.根据权利要求15所述的像素电路，其中，所述存储电容器的电容大于所述节点控制电容器的电容。
17.根据权利要求15所述的像素电路，其中，在执行栅初始化操作和数据写入操作的非发射时段的第一数据写入时段中，所述第一补偿晶体管和所述第二补偿晶体管处于导通状态，并且
其中，在所述非发射时段的在所述第一数据写入时段之后的第二数据写入时段中，所述第一补偿晶体管处于关断状态并且所述第二补偿晶体管处于所述导通状态。
18.根据权利要求15所述的像素电路，进一步包括：
阳极初始化晶体管，包括接收偏置信号的控制电极、连接到所述发光元件的阳极电极的第一电极和接收第一初始化电压的第二电极；
栅初始化晶体管，包括接收初始化栅信号的控制电极、连接到所述驱动晶体管的所述控制电极的第一电极和接收第二初始化电压的第二电极；
第一发射晶体管，包括接收发射信号的控制电极、接收所述第一电源电压的第一电极和连接到所述驱动晶体管的所述第一电极的第二电极；
第二发射晶体管，包括接收所述发射信号的控制电极、连接到所述驱动晶体管的所述第二电极的第一电极和连接到所述发光元件的所述阳极电极的第二电极；以及
偏置晶体管，包括接收所述偏置信号的控制电极、接收偏置电压的第一电极和连接到所述驱动晶体管的所述第一电极的第二电极。
19.根据权利要求18所述的像素电路，其中，当所述栅初始化晶体管在执行栅初始化操作和数据写入操作的非发射时段中处于导通状态时，所述写入晶体管、所述第一补偿晶体管和所述第二补偿晶体管从关断状态导通到所述导通状态。
20.根据权利要求18或19所述的像素电路，其中，所述栅初始化晶体管被配置为双晶体管。
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