CN116512109B - 一种晶片抛光研磨设备及其研磨工艺 - Google Patents

一种晶片抛光研磨设备及其研磨工艺 Download PDF

Info

Publication number
CN116512109B
CN116512109B CN202310172328.0A CN202310172328A CN116512109B CN 116512109 B CN116512109 B CN 116512109B CN 202310172328 A CN202310172328 A CN 202310172328A CN 116512109 B CN116512109 B CN 116512109B
Authority
CN
China
Prior art keywords
grinding
wafer
electric control
plate
polishing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202310172328.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN116512109A (zh
Inventor
郑勇
魏永利
石方元
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Anhui Mingzheng Electronic Equipment Co ltd
Original Assignee
Anhui Mingzheng Electronic Equipment Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Anhui Mingzheng Electronic Equipment Co ltd filed Critical Anhui Mingzheng Electronic Equipment Co ltd
Priority to CN202310172328.0A priority Critical patent/CN116512109B/zh
Publication of CN116512109A publication Critical patent/CN116512109A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN116512109B publication Critical patent/CN116512109B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/10—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27—Work carriers
    • B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B47/00—Drives or gearings; Equipment therefor
    • B24B47/10—Drives or gearings; Equipment therefor for rotating or reciprocating working-spindles carrying grinding wheels or workpieces
    • B24B47/12—Drives or gearings; Equipment therefor for rotating or reciprocating working-spindles carrying grinding wheels or workpieces by mechanical gearing or electric power
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B47/00—Drives or gearings; Equipment therefor
    • B24B47/22—Equipment for exact control of the position of the grinding tool or work at the start of the grinding operation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/10—Greenhouse gas [GHG] capture, material saving, heat recovery or other energy efficient measures, e.g. motor control, characterised by manufacturing processes, e.g. for rolling metal or metal working

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

本发明公开了一种晶片抛光研磨设备及其研磨工艺，属于抛光研磨设备技术领域，包括加工台，加工台上设有一个用于固定待加工晶片的固定机构，加工台上还设有一L型支撑台，L型支撑台上设有液压驱动杠，液压驱动杠的输出端连接有安装板，安装板上设有用于对待加工晶片进行抛光研磨的研磨机构，加工台上还设有用于控制研磨设备上各种电性零件的控制总成；本发明设有可调打磨机构可根据打磨需要调整打磨块的位置与角度，从而可对晶片的边角进行打磨，使设备可同时对晶片的表面以及边角进行抛光研磨作业。

Description

一种晶片抛光研磨设备及其研磨工艺
技术领域
本发明属于抛光研磨设备技术领域，具体涉及一种晶片抛光研磨设备及其研磨工艺。
背景技术
晶片是LED最主要的原物料之一，是LED的发光部件，LED最核心的部分，晶片的好坏将直接决定LED的性能。晶片是由是由Ⅲ和Ⅴ族复合半导体物质构成。晶片抛光研磨时晶片加工中的重要环节，其作用是去除晶片表面刀痕，修整厚度偏差，改善平坦度，得到均匀一致的表面损伤层。
现有晶片研磨机大多是将晶片放在固定槽内，将研磨盘与晶片接触并施加一点的压力，通过研磨盘与晶片的转动摩擦，来完成晶片的抛光研磨。但是由于晶片在加工时，可能会存在晶片的体积大小不同，而固定槽的大小一般都是固定的，因此在加工时易出现存在固定槽与晶片不相匹配的情况；另外在研磨时，为了润滑以及冷却作用，一般都会加入研磨液，但是加入的研磨液只能通过研磨盘的最外侧向研磨盘中心发散，这样容易导致研磨液无法进入到研磨盘中心，导致研磨液不能均匀的涂抹到研磨盘各处，从而导致抛光研磨时出现问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶片抛光研磨设备及其研磨工艺，用以解决上述背景技术中所面临的问题。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现：
一种晶片抛光研磨设备，包括加工台，所述加工台上设有一个用于固定待加工晶片的固定机构，所述加工台上还设有一L型支撑台，所述L型支撑台上设有液压驱动杠，所述液压驱动杠的输出端连接有安装板，所述安装板上设有用于对待加工晶片进行抛光研磨的研磨机构，所述加工台上还设有用于控制研磨设备上各种电性零件的控制总成。
通过上述技术方案，本发明提供一种晶片抛光研磨设备，由于晶片的大小不一，在打磨时需要采用不同特定大小的模具进行固定，从而不利于加工，而设置有固定机构，可对不同体型大小的晶片进行固定，从而利于后期抛光研磨作业，而设置的研磨机构可对固定后的晶片的表面以及边角进行打磨作业，从而方便打磨，可提高加工的进度。
进一步地，所述固定机构包括设置在加工台上的支撑轴，所述支撑轴的顶部连接有圆盘，所述圆盘上环形阵列有四个滑槽，所述滑槽内滑动连接有滑块，所述滑块的顶部均设有一支撑块，所述支撑块上设有弧形压板，其中一组相互对立的滑块底部连接有一安装块，两个所述安装块之间连接有两个第一电控气缸，所述支撑轴上设有第一齿轮，所述第一齿轮上啮合有第二齿轮，所述第二齿轮通过设置在加工台上的第一驱动电机驱动，所述圆盘的下方还设有连接板，所述连接板的中间位置设有设有通孔，所述支撑轴贯穿通孔，所述连接板的四个角上均转动连接有一L型连接杆，所述L型连接杆的末端与滑块的底部转动连接。
通过上述技术方案，两个第一电控气缸同时伸缩，会带动与其相互连接的两个滑块在各自的滑槽内来回移动，而滑块通过L型连接杆与连接板连接，当此两个滑块在滑槽内移动时，会带动连接板绕支撑轴转动，在L型连接杆的配合下，也会带动另外两个滑块在滑槽内来回移动，通过改变四个弧形压板之间的距离，从而实现对不同体积大小的晶片进行固定。
进一步地，所述弧形压板的内壁上设有橡胶板，所述橡胶板上设有若干个防滑纹路。
通过上述技术方案，由于不同体积大小的晶片其半径不同，通过设置可发生形变的橡胶板，可使弧形压板更好的贴合各种晶片，从而增加固定时的牢固性，而设置的防滑纹路可增加晶片与弧形压板之间的摩擦力，从而进一步的保证固定时的牢固性能。
进一步地，所述研磨机构包括圆台型固定板，所述圆台型固定板通过加强筋与安装板连接，所述圆台型固定板的底部转动设有研磨盘，所述安装板上还设有第二驱动电机，所述第二驱动电机的输出端设有转动轴，所述转动轴贯穿圆台型固定板与研磨盘连接，所述圆台型固定板上圆周阵列有四个斜槽，所述转动轴的四周还阵列有水管，所述水管的一端与设置在安装板上的水箱连接，所述水管的另一端引向斜槽内，且水管的末端连接有伸缩软管。
通过上述技术方案，第二驱动电机会带动研磨盘进行转动，从而对晶片进行打磨，而圆台型固定板上设有的斜槽与水管进行配合，可进打磨液送入到研磨盘与晶片接触处，来保证研磨的正常运行。
进一步地，所述斜槽内的一侧设有开槽，所述开槽内设有第二电控气缸，所述第二电控气缸的输出端设有夹板，所述夹板与伸缩软管连接，所述斜槽的底部设有弧形槽，所述弧形槽内设有若干个第一导流孔，所述斜槽远离伸缩软管的一侧设有第一电控伸缩杆，所述第一电控伸缩杆的外壁设有密封膜，且所述第一电控伸缩杆的弧度与弧形槽的弧度相匹配，所述斜槽上还设有一透明玻璃盖。
通过上述技术方案，为了使打磨液能均匀的流入到研磨盘上各处，设有第一导流孔，在作业时，通过第二电控气缸的伸缩，来带动伸缩软管缓慢在斜槽内伸缩，从而将打磨液依次送入到研磨盘上各处，来保证研磨液的投放均匀，另外由于晶片体积大小不同，其所需要的研磨盘体积大小也不相同，在打磨时，为了避免打磨液的浪费，设有第一电控伸缩杆，通过第一电控伸缩杆的伸缩，从而堵住底部的第一导流孔，使第一导流孔的数量可根据晶片体积的大小进行调节，来避免研磨液的浪费。
进一步地，所述研磨盘上阵列有若干第二导流孔，所述研磨盘的底部还开设有一安装槽，所述安装槽内设有可调打磨机构。
通过上述技术方案，第二导流孔便于研磨液流入到研磨盘与晶片之间，来保证研磨时的正常作用，而可调打磨机构，则可对晶片的边角进行打磨，在不使用时收纳在安装槽内，使装置可同时对晶片表面已经边角进行打磨，从而提升加工进度。
进一步地，所述可调打磨机构包括与安装槽侧壁连接的第三电控气缸，所述第三电控气缸的输出端设有固定块，所述固定块上设有第一连板，所述第一连板上活动连接有第二连板，所述第二连板的末端设有第二电控伸缩杆，所述第二电控伸缩杆的末端设有打磨块，所述固定块上位于第一连板的上方还设有第四电控气缸，所述第四电控气缸的输出端活动连接有第三连板，所述第三连板的末端与第二连板活动连接。
通过上述技术方案，第三电控气缸可根据晶片的体积大小来调整打磨块的位置，而第二连板与第一连板活动连接，在不使用时可转入到安装槽内，使用时可转出，通过第四电控气缸伸缩与第三连板的配合，并结合第二电控伸缩杆的配合，从而可改变打磨块的角度，通过对打磨块位置以及角度的调节改变，使可调打磨机构能根据需要对晶片的边角进行打磨。
一种晶片抛光研磨工艺，所述工艺包括以下步骤：
步骤一、将待研磨的晶片固定在固定机构上，通过控制第一电控气缸的伸缩，来带动四个滑块在滑槽内来回移动，改变四个弧形压板的距离，对晶片进行挤压固定；
步骤二、根据研磨需要以及晶片体积大小，调整研磨盘上可调打磨机构的位置以及角度，通过驱动第三电控气缸、第四电控气缸以及第二电控伸缩杆的伸缩，将打磨块调整到所需位置角度；
步骤三、驱动液压驱动杠将研磨盘贴合在待研磨晶片表面，并根据需要施加一定压力；
步骤四、同时启动第二驱动电机、第一驱动电机，使晶片与研磨盘做相对运动，进行抛光研磨作业；
步骤五、均匀涂抹研磨液，驱动第二电控气缸缓慢伸缩，带动伸缩软管伸缩，将研磨液依次送入到各个第一导流孔内，经过第二导流孔后流入到研磨盘底部各处，使研磨液均匀的涂抹在晶片各处。
本发明的有益效果：
本发明设有固定机构，通过第一电控气缸的伸缩，在连接板与L型连接杆的配合，可带动四个弧形压板沿着各自的滑槽来回移动，从而根据晶片的体积大小改变弧形压板之间的距离，来对不同体积大小的晶片进行固定。
本发明设有用于引流研磨液的斜槽，通过斜槽内第二电控气缸的伸缩，来带动伸缩软管缓慢在斜槽内伸缩，从而将打磨液通过各个导流孔送入到研磨盘上各处，来保证研磨液的投放均匀。
本发明设有可调打磨机构可根据打磨需要调整打磨块的位置与角度，从而可对晶片的边角进行打磨，使设备可同时对晶片的表面以及边角进行抛光研磨作业。
当然，实施本发明的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明的整体结构示意图；
图2为本发明中固定机构的结构示意图；
图3为本发明中圆盘底部的部分结构示意图；
图4为本发明中研磨机构的结构示意图；
图5为本发明中斜槽内的结构示意图；
图6为本发明中研磨盘的结构示意图；
图7为本发明中可调打磨机构的结构示意图。
图中附图说明：
1、加工台；2、固定机构；3、L型支撑台；4、液压驱动杠；5、安装板；6、研磨机构；7、控制总成；201、支撑轴；202、圆盘；203、滑槽；204、滑块；205、支撑块；206、弧形压板；207、安装块；208、第一电控气缸；209、连接板；210、通孔；211、L型连接杆；212、第一齿轮；213、第二齿轮；214、第一驱动电机；215、橡胶板；216、防滑纹路；601、圆台型固定板；602、加强筋；603、研磨盘；604、第二驱动电机；605、转动轴；606、斜槽；607、水管；608、伸缩软管；609、开槽；610、第二电控气缸；611、夹板；612、弧形槽；613、第一导流孔；614、第一电控伸缩杆；615、密封膜；616、第二导流孔；617、安装槽；618、可调打磨机构；6181、第三电控气缸；6182、固定块；6183、第一连板；6184、第二连板；6185、第二电控伸缩杆；6186、打磨块；6187、第四电控气缸；6188、第三连板；619、水箱。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
一种晶片抛光研磨设备，如图1所示，包括加工台1，加工台1上设有一个用于固定待加工晶片的固定机构2，加工台1上还设有一L型支撑台3，L型支撑台3上设有液压驱动杠4，液压驱动杠4的输出端连接有安装板5，安装板5上设有用于对待加工晶片进行抛光研磨的研磨机构6，加工台1上还设有用于控制研磨设备上各种电性零件的控制总成7。控制总成7来控制本设备上的各种电性零件，比如液压驱动杠4、驱动电机、电控气缸等，从而利于操作人员操作，固定机构2用来固定不同体积大小的晶片，液压驱动杠4用来控制研磨机构6的位置，并提供一定的压力，使研磨机构6上的研磨盘603能很好的与晶片贴合，从而利于抛光研磨作业。
如图2、图3所示，固定机构2包括设置在加工台1上的支撑轴201，支撑轴201的顶部连接有圆盘202，圆盘202上环形阵列有四个滑槽203，滑槽203内滑动连接有滑块204，滑块204的顶部均设有一支撑块205，支撑块205上设有弧形压板206，弧形压板206的内壁上设有橡胶板215，橡胶板215上设有若干个防滑纹路216；其中一组相互对立的滑块204底部连接有一安装块207，两个安装块207之间连接有两个第一电控气缸208，支撑轴201上设有第一齿轮212，第一齿轮212上啮合有第二齿轮213，第二齿轮213通过设置在加工台1上的第一驱动电机214驱动；圆盘202的下方还设有连接板209，连接板209的中间位置设有设有通孔210，支撑轴201贯穿通孔210，连接板209的四个角上均转动连接有一L型连接杆211，L型连接杆211的末端与滑块204的底部转动连接。第一电控气缸208伸缩时，会带动与其首尾连接的两个滑块204在其滑槽203内移动，而滑块204通过L型连接杆211与连接板209连接，这两个滑块204在滑动时，会带动连接板209绕支撑轴201转动，在L型连接杆211的配合下，也会带动另外两个滑块204在滑槽203内来回移动，这样通过第一电控气缸208的伸缩即可改变四个弧形压板206之间的距离，从而可根据不同体积大小的晶片进行调节，来对晶片进行固定，而第一驱动电机214又会带动第二齿轮213转动，在于第一齿轮212的啮合下，从而带动支撑轴201转动，来带动晶片转动，进行抛光打磨作业。而由于不同体积大小的晶片其半径不同，通过设置可发生形变的橡胶板215，可使弧形压板206更好的贴合在各种晶片的外壁上，从而增加固定时的牢固性，而设置的防滑纹路216可增加晶片与弧形压板206之间的摩擦力，从而进一步的保证固定时的牢固性能。
如图1、图4、图5所示，研磨机构6包括圆台型固定板601，圆台型固定板601通过加强筋602与安装板5连接，圆台型固定板601的底部转动设有研磨盘603，安装板5上还设有第二驱动电机604，第二驱动电机604的输出端设有转动轴605，转动轴605贯穿圆台型固定板601与研磨盘603连接，圆台型固定板601上圆周阵列有四个斜槽606，转动轴605的四周还阵列有水管607，水管607的一端与设置在安装板5上的水箱619连接，水管607的另一端引向斜槽606内，且水管607的末端连接有伸缩软管608；斜槽606内的一侧设有开槽609，开槽609内设有第二电控气缸610，第二电控气缸610的输出端设有夹板611，夹板611与伸缩软管608连接，斜槽606的底部设有弧形槽612，弧形槽612内设有若干个第一导流孔613，斜槽606远离伸缩软管608的一侧设有第一电控伸缩杆614，第一电控伸缩杆614的外壁设有密封膜615，密封膜615保证了第一电控伸缩杆614可以很好的堵住第一导流孔613，且第一电控伸缩杆614的弧度与弧形槽612的弧度相匹配，斜槽606上还设有一透明玻璃盖。第二驱动电机604在转动轴605的作用下带动研磨盘603转动，对晶片的表面进行抛光研磨，而水箱619内的水通过水管607引入斜槽606，可将水箱619内的打磨液通过斜槽606送入到研磨盘603与晶片接触处，来进行冷却润滑，保证研磨正常运行。而为了使研磨液均匀流入到研磨盘603上，设有第二电控气缸610，通过第二电控气缸610的伸缩，带动伸缩软管608伸缩沿着斜槽606伸缩，从而将研磨液依次经过各个第一导流孔613流入到研磨盘603上各处，保证研磨时研磨液的均匀分布。而第一电控伸缩杆614的伸缩，可以与弧形槽612匹配，从而堵住部分第一导流孔613，使第一导流孔613的数量根据晶片的体积大小进行调节开放，避免研磨液的浪费,斜槽606上设置的透明玻璃盖则避免的研磨液的洒出。
如图6、图7所示，研磨盘603上阵列有若干第二导流孔616，研磨盘603的底部还开设有一安装槽617，安装槽617内设有可调打磨机构618，可调打磨机构618包括与安装槽617侧壁连接的第三电控气缸6181，第三电控气缸6181的输出端设有固定块6182，固定块6182上设有第一连板6183，第一连板6183上活动连接有第二连板6184，第二连板6184的末端设有第二电控伸缩杆6185，第二电控伸缩杆6185的末端设有打磨块6186，固定块6182上位于第一连板6183的上方还设有第四电控气缸6187，第四电控气缸6187的输出端活动连接有第三连板6188，第三连板6188的末端与第二连板6184活动连接。第二导流孔616便于研磨液流入到研磨盘603底部各处，这样研磨盘603在于晶片接触时研磨液能够均匀的涂抹到各处，而安装槽617内的可调打磨机构618在不使用时可转入到安装槽617内，使用时可转出对晶片的边角进行打磨，通过第三电控气缸6181的伸缩可根据晶片的体积大小改变打磨块6186的位置，而在第四电控气缸6187与第三连板6188的配合下，有可改变打磨块6186的转动角度，这样可通过在位置以及角度上对打磨块6186进行调整，来根据需要对晶片的边角进行打磨。
使用时，将待研磨晶片放入到支撑块205上，根据晶片的体积大小，驱动第一电控气缸208伸缩，在L型连接杆211与连接板209的配合下，带动四个滑块204在各自的滑槽203内来回移动，从而改变四个弧形压板206的距离，对晶片进行挤压固定；然后将打磨块6186从安装槽617内转出，根据晶片的体积大小，驱动第三电控气缸6181伸缩调整好打磨块6186的位置，根据需要抛光的边角角度，驱动第四电控气缸6187以及第二电控伸缩杆6185的伸缩，将打磨块6186调整到所需角度；然后驱动液压驱动杠4将研磨盘603贴合在待研磨晶片表面，并根据需要施加一定压力；启动第二驱动电机604转动，带动研磨盘603转动，同时启动第一驱动电机214转动，带动晶片转动，使晶片与研磨盘603做相对运动，进行抛光研磨；在作业时，水箱619内的研磨液通过水管607流入斜槽606内，斜槽606内的第二电控气缸610缓慢伸缩，带动伸缩软管608缓慢伸缩，从而将研磨液依次送入到各个第一导流孔613内，经过第二导流孔616后流入到研磨盘603底部各处，使研磨液在抛光作用时能够均匀的涂抹在晶片各处。
综上，一种晶片抛光研磨工艺，其研磨工艺主要包括以下步骤：
步骤一、将待研磨的晶片固定在固定机构2上，通过控制第一电控气缸208的伸缩，来带动四个滑块204在滑槽203内来回移动，改变四个弧形压板206的距离，对晶片进行挤压固定；
步骤二、根据研磨需要以及晶片体积大小，调整研磨盘603上可调打磨机构618的位置以及角度，通过驱动第三电控气缸6181、第四电控气缸6187以及第二电控伸缩杆6185的伸缩，将打磨块6186调整到所需位置角度；
步骤三、驱动液压驱动杠4将研磨盘603贴合在待研磨晶片表面，并根据需要施加一定压力；
步骤四、同时启动第二驱动电机604、第一驱动电机214，使晶片与研磨盘603做相对运动，进行抛光研磨作业；
步骤五、均匀涂抹研磨液，驱动第二电控气缸610缓慢伸缩，带动伸缩软管608伸缩，将研磨液依次送入到各个第一导流孔613内，经过第二导流孔616后流入到研磨盘603底部各处，使研磨液均匀的涂抹在晶片各处。
以上内容仅仅是对本发明的构思所作的举例和说明，所属本技术领域的技术人员对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，只要不偏离发明的构思或者超越本权利要求书所定义的范围，均应属于本发明的保护范围。

Claims (5)

1.一种晶片抛光研磨设备，包括加工台(1)，其特征在于，所述加工台(1)上设有一个用于固定待加工晶片的固定机构(2)，所述加工台(1)上还设有一L型支撑台(3)，所述L型支撑台(3)上设有液压驱动杠(4)，所述液压驱动杠(4)的输出端连接有安装板(5)，所述安装板(5)上设有用于对待加工晶片进行抛光研磨的研磨机构(6)，所述加工台(1)上还设有用于控制研磨设备的电性零件的控制总成(7)；
所述研磨机构(6)包括圆台型固定板(601)，所述圆台型固定板(601)通过加强筋(602)与安装板(5)连接，所述圆台型固定板(601)的底部转动设有研磨盘(603)，所述安装板(5)上还设有第二驱动电机(604)，所述第二驱动电机(604)的输出端设有转动轴(605)，所述转动轴(605)贯穿圆台型固定板(601)与研磨盘(603)连接，所述圆台型固定板(601)上圆周阵列有四个斜槽(606)，所述转动轴(605)的四周还阵列有水管(607)，所述水管(607)的一端与设置在安装板(5)上的水箱(619)连接，所述水管(607)的另一端引向斜槽(606)内，且水管(607)的末端连接有伸缩软管(608)；
所述斜槽(606)内的一侧设有开槽(609)，所述开槽(609)内设有第二电控气缸(610)，所述第二电控气缸(610)的输出端设有夹板(611)，所述夹板(611)与伸缩软管(608)连接，所述斜槽(606)的底部设有弧形槽(612)，所述弧形槽(612)内设有若干个第一导流孔(613)，所述斜槽(606)远离伸缩软管(608)的一侧设有第一电控伸缩杆(614)，所述第一电控伸缩杆(614)的外壁设有密封膜(615)，且所述第一电控伸缩杆(614)的弧度与弧形槽(612)的弧度相匹配，所述斜槽(606)上还设有一透明玻璃盖；
所述研磨盘(603)上阵列有若干第二导流孔(616)，所述研磨盘(603)的底部还开设有一安装槽(617)，所述安装槽(617)内设有可调打磨机构(618)；
所述可调打磨机构(618)包括与安装槽(617)侧壁连接的第三电控气缸(6181)，所述第三电控气缸(6181)的输出端设有固定块(6182)，所述固定块(6182)上设有第一连板(6183)，所述第一连板(6183)上活动连接有第二连板(6184)，所述第二连板(6184)的末端设有第二电控伸缩杆(6185)，所述第二电控伸缩杆(6185)的末端设有打磨块(6186)，所述固定块(6182)上位于第一连板(6183)的上方还设有第四电控气缸(6187)，所述第四电控气缸(6187)的输出端活动连接有第三连板(6188)，所述第三连板(6188)的末端与第二连板(6184)活动连接。
2.根据权利要求1所述的一种晶片抛光研磨设备，其特征在于，所述固定机构(2)包括设置在加工台(1)上的支撑轴(201)，所述支撑轴(201)的顶部连接有圆盘(202)，所述圆盘(202)上环形阵列有四个滑槽(203)，所述滑槽(203)内滑动连接有滑块(204)，所述滑块(204)的顶部均设有一支撑块(205)，所述支撑块(205)上设有弧形压板(206)，其中一组相互对立的滑块(204)底部连接有一安装块(207)，两个所述安装块(207)之间连接有两个第一电控气缸(208)，所述支撑轴(201)上设有第一齿轮(212)，所述第一齿轮(212)上啮合有第二齿轮(213)，所述第二齿轮(213)通过设置在加工台(1)上的第一驱动电机(214)驱动。
3.根据权利要求2所述的一种晶片抛光研磨设备，其特征在于，所述圆盘(202)的下方还设有连接板(209)，所述连接板(209)的中间位置设有通孔(210)，所述支撑轴(201)贯穿通孔(210)，所述连接板(209)的四个角上均转动连接有一L型连接杆(211)，所述L型连接杆(211)的末端与滑块(204)的底部转动连接。
4.根据权利要求2所述的一种晶片抛光研磨设备，其特征在于，所述弧形压板(206)的内壁上设有橡胶板(215)，所述橡胶板(215)上设有若干个防滑纹路(216)。
5.一种晶片抛光研磨工艺，包括如权利要求1-4任一项所述的晶片抛光研磨设备，其特征在于，所述工艺包括以下步骤：
步骤一、将待研磨的晶片固定在固定机构(2)上，通过控制第一电控气缸(208)的伸缩，来带动四个滑块(204)在滑槽(203)内来回移动，改变四个弧形压板(206)的距离，对晶片进行挤压固定；
步骤二、根据研磨需要以及晶片体积大小，调整研磨盘(603)上可调打磨机构(618)的位置以及角度，通过驱动第三电控气缸(6181)、第四电控气缸(6187)以及第二电控伸缩杆(6185)的伸缩，将打磨块(6186)调整到所需位置角度；
步骤三、驱动液压驱动杠(4)将研磨盘(603)贴合在待研磨晶片表面，并根据需要施加一定压力；
步骤四、同时启动第二驱动电机(604)、第一驱动电机(214)，使晶片与研磨盘(603)做相对运动，进行抛光研磨作业；
步骤五、均匀涂抹研磨液，驱动第二电控气缸(610)缓慢伸缩，带动伸缩软管(608)伸缩，将研磨液依次送入到各个第一导流孔(613)内，经过第二导流孔(616)后流入到研磨盘(603)底部各处，使研磨液均匀的涂抹在晶片各处。
CN202310172328.0A 2023-02-23 2023-02-23 一种晶片抛光研磨设备及其研磨工艺 Active CN116512109B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310172328.0A CN116512109B (zh) 2023-02-23 2023-02-23 一种晶片抛光研磨设备及其研磨工艺

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310172328.0A CN116512109B (zh) 2023-02-23 2023-02-23 一种晶片抛光研磨设备及其研磨工艺

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN116512109A CN116512109A (zh) 2023-08-01
CN116512109B true CN116512109B (zh) 2024-02-13

Family

ID=87407135

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310172328.0A Active CN116512109B (zh) 2023-02-23 2023-02-23 一种晶片抛光研磨设备及其研磨工艺

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN116512109B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117088619B (zh) * 2023-10-20 2023-12-19 山西东玉玻璃股份有限公司 玻璃器皿口部蚀刻开口设备

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000263426A (ja) * 1999-03-15 2000-09-26 Seiko Epson Corp 被加工物の平面研磨装置及びこれに利用されるキャリア
JP2009184054A (ja) * 2008-02-05 2009-08-20 Seiko Instruments Inc 研磨パッド研削用リング及びウエハ研磨装置
CN209319541U (zh) * 2018-12-27 2019-08-30 衢州晶哲电子材料有限公司 一种研磨机
CN111136574A (zh) * 2019-12-31 2020-05-12 淮安信息职业技术学院 一种双面研磨抛光机
CN210595815U (zh) * 2019-08-06 2020-05-22 湖北暖冬阳石墨烯科技有限公司 一种电热膜板的开放式生产设备
CN215394553U (zh) * 2021-06-29 2022-01-04 厦门陆远科技有限公司 一种晶圆片研磨装置
CN216327403U (zh) * 2021-12-01 2022-04-19 南阳超联铸造有限公司 一种大型端盖表面抛光用夹持装置
CN115256215A (zh) * 2022-08-01 2022-11-01 珠海东锦石英科技有限公司 一种具有双电机的晶片研磨机

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000263426A (ja) * 1999-03-15 2000-09-26 Seiko Epson Corp 被加工物の平面研磨装置及びこれに利用されるキャリア
JP2009184054A (ja) * 2008-02-05 2009-08-20 Seiko Instruments Inc 研磨パッド研削用リング及びウエハ研磨装置
CN209319541U (zh) * 2018-12-27 2019-08-30 衢州晶哲电子材料有限公司 一种研磨机
CN210595815U (zh) * 2019-08-06 2020-05-22 湖北暖冬阳石墨烯科技有限公司 一种电热膜板的开放式生产设备
CN111136574A (zh) * 2019-12-31 2020-05-12 淮安信息职业技术学院 一种双面研磨抛光机
CN215394553U (zh) * 2021-06-29 2022-01-04 厦门陆远科技有限公司 一种晶圆片研磨装置
CN216327403U (zh) * 2021-12-01 2022-04-19 南阳超联铸造有限公司 一种大型端盖表面抛光用夹持装置
CN115256215A (zh) * 2022-08-01 2022-11-01 珠海东锦石英科技有限公司 一种具有双电机的晶片研磨机

Also Published As

Publication number Publication date
CN116512109A (zh) 2023-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN116512109B (zh) 一种晶片抛光研磨设备及其研磨工艺
CN108656260B (zh) 一种复合木板自动化涂胶设备
CN110434698B (zh) 一种合成橡胶件、加工机械和加工方法
CN210938454U (zh) 用于抛光的真空玻璃修复装置
CN110774346A (zh) 一种线缆外的pvc保护管的生产裁切装置
CN211305929U (zh) 一种钢管抛光设备
CN108857751B (zh) 一种石材打磨机
CN210232531U (zh) 一种轴承内圈滚子沟槽打磨装置
CN106179865A (zh) 一种覆膜涂装工艺及装置
CN110435281B (zh) 一种新型布料复合机
CN213498412U (zh) 一种适用于各种型号镜头打磨的打磨设备
CN109176243A (zh) 一种采矿用机械加工模具处理装置
CN214817390U (zh) 一种用于金属加工的立体装置
CN213004563U (zh) 一种金属工件表面抛光设备
CN111993766A (zh) 一种pe管表面印刷装置及其印刷方法
CN112934578A (zh) 一种液压传动系统液压配件成型精加工工艺
CN218904841U (zh) 一种新能源配件生产用抛光装置
CN215825034U (zh) 一种便于调节的模具打磨装置
CN212705873U (zh) 一种沟槽管件打磨装置
CN217344749U (zh) 一种平面磨床
CN116512106B (zh) 一种便于固定的水轮机叶片法兰珩磨装置
CN116690219B (zh) 一种金属管切割磨边加工装置
CN215825027U (zh) 一种金属铭牌生产用表面打磨装置
CN114871787B (zh) 一种凸轮轴生产用滚齿装置及凸轮轴生产线
CN219403670U (zh) 一种球体表面打磨装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant