CN116497461A - 腐蚀法制备低粗糙度锗的方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种腐蚀法制备低粗糙度锗的方法，属于半导体技术领域，所述的腐蚀法制备低粗糙度锗的方法，包括以下步骤：将锗片浸入腐蚀液中进行腐蚀，干燥，得到低粗糙度锗；所述腐蚀液包括第一过氧化氢溶液和氢氧化钠溶液；所述第一过氧化氢溶液与氢氧化钠溶液的体积比为(0.2～0.3)：1；腐蚀过程中持续加入第二过氧化氢溶液。本申请通过将锗片浸入到含过氧化氢和氢氧化钠的水溶液中进行腐蚀，能够有效的降低锗片的粗糙度，腐蚀后锗片表面光泽度高、粗糙度低，在腐蚀的过程中持续加入第二过氧化氢溶液，使腐蚀液中过氧化氢浓度保持稳定，提高腐蚀效率，同时，过氧化氢分解产生氧气导致氧分压的提高，进一步提高腐蚀效果，降低粗糙度。
Description
技术领域
本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种腐蚀法制备低粗糙度锗的方法。
背景技术
化学腐蚀在半导体制造中应用广泛，其中化学抛光在衬底制造中最为普遍。锗衬底在进行外延生长时，粗糙度是衬底表面的重要参数之一，如果粗糙度不佳，锗在外延生长后会可能会在表面出现雾状缺陷或者出现0.1-0.2um级的小颗粒团聚，严重影响外延片表面质量，所以如何降低粗糙度是锗衬底生产中的重要问题。
在晶片受到腐蚀时，表面粗糙度的高低取决于腐蚀液的腐蚀效果以及腐蚀速率，而腐蚀效果以及腐蚀速率取决于溶液配比，温度，时间、腐蚀条件等多个因素，在生产中，CMP抛光的成品粗糙度受到前道化学抛光的出品粗糙度的影响。
CN107354513A公开了一种高效稳定的锗单晶片腐蚀工艺，其特征在于：将锗单晶片浸入由氢氧化铵、过氧化氢、氢氟酸和去离子水配制而成的腐蚀液中进行腐蚀，腐蚀时间为为3min20s～3min40s，腐蚀温度保持在50℃～53℃；所述腐蚀液中氢氧化铵、过氧化氢、氢氟酸、去离子水的体积比为NH4OH：H2O2：HF：DIW＝1：2：3：5；其通过采用氢氧化铵、过氧化氢、氢氟酸和去离子水配制而成的腐蚀液对锗单晶片进行腐蚀，HF属于有毒有害物质，对操作人员具有一定的伤害性，NH4OH碱性较弱，在较高的腐蚀温度下，解度低，需要降低腐蚀温度，导致化学反应速率较慢，粗糙度达不到效果。
CN113718257A公开了一种锗锭的腐蚀方法，其在40～45℃下，以硝酸：氢氟酸：水为腐蚀液对锗片进行腐蚀，其腐蚀体系呈酸性，HF属于有毒有害物质，对操作人员具有一定的伤害性，酸性体系对锗片进行腐蚀，粗糙度达不到效果。
因此，如何提供一种降低锗粗糙度的腐蚀方法成为了本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
本申请的目的在于克服现有技术存在的不足之处而提供一种腐蚀法制备低粗糙度锗的方法，能够有效的降低锗片的粗糙度，腐蚀后锗片粗糙度低。
为实现上述目的，本申请采取的技术方案为：
一种腐蚀法制备低粗糙度锗的方法，包括以下步骤：
将锗片浸入腐蚀液中进行腐蚀，干燥，得到低粗糙度锗；
所述腐蚀液包括第一过氧化氢溶液和氢氧化钠溶液；所述第一过氧化氢溶液与氢氧化钠溶液的体积比为(0.2～0.3)：1；
腐蚀过程中持续加入第二过氧化氢溶液。
作为本申请的优选实施方案，所述第一过氧化氢溶液与氢氧化钠溶液的体积比为0.25：1。
作为本申请的优选实施方案，所述第一过氧化氢溶液的质量分数为25～35％。
作为本申请的优选实施方案，所述氢氧化钠溶液的质量分数为40～48％。
作为本申请的优选实施方案，所述第二过氧化氢溶液的质量分数为25～35％。
作为本申请的优选实施方案，所述第二过氧化氢溶液的加入量为720～780mL/min。
作为本申请的优选实施方案，所述腐蚀的温度为78～82℃。
作为本申请的优选实施方案，所述腐蚀的时间为20～25min。
作为本申请的优选实施方案，所述腐蚀过程中搅拌腐蚀液，搅拌的速率为15～30rpm。
作为本申请的优选实施方案，所述第一过氧化氢溶液的质量分数为30％；和/或
所述氢氧化钠溶液的质量分数为45％；和/或
所述第二过氧化氢溶液的质量分数为30％；和/或
所述第二过氧化氢的加入量为750mL/min；和/或
所述腐蚀的温度为80℃；和/或
所述搅拌的速率为20rpm。
本申请的有益效果在于：(1)本申请通过将锗片浸入到含过氧化氢和氢氧化钠的水溶液中进行腐蚀，能够有效的降低锗片的粗糙度，腐蚀后锗片表面光泽度高、粗糙度低。(2)本申请在腐蚀的过程中持续加入第二过氧化氢溶液，使腐蚀液中过氧化氢浓度保持稳定，提高腐蚀效率，同时，过氧化氢分解产生氧气导致氧分压的提高，进一步提高腐蚀效果，降低粗糙度。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请中，以开放式描述的技术特征中，包括所列举特征组成的封闭式技术方案，也包括包含所列举特征的开放式技术方案。
本申请中，涉及到数值区间，如无特别说明，上述数值区间内视为连续，且包括该范围的最小值及最大值，以及这种最小值与最大值之间的每一个值。进一步地，当范围是指整数时，包括该范围的最小值与最大值之间的每一个整数。此外，当提供多个范围描述特征或特性时，可以合并该范围。换言之，除非另有指明，否则本文中所公开之所有范围应理解为包括其中所归入的任何及所有的子范围。
本申请所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。
本申请实施例提供了一种腐蚀法制备低粗糙度锗的方法，包括以下步骤：
将锗片浸入腐蚀液中进行腐蚀，干燥，得到低粗糙度锗；
腐蚀液包括第一过氧化氢溶液和氢氧化钠溶液；第一过氧化氢溶液与氢氧化钠溶液的体积比为(0.2～0.3)：1；
腐蚀过程中持续加入第二过氧化氢溶液。
本申请通过将锗片浸入到含过氧化氢和氢氧化钠的水溶液中进行腐蚀，能够有效的降低锗片的粗糙度，腐蚀后锗片表面光泽度高、粗糙度低，腐蚀后的锗片粗糙度低于41nm。
其中，在腐蚀过程中主要发生以下反应：
Ge+H2O2→GeO+H2O；
GeO+H2O2→GeO2+H2O；
GeO2+H2O→H2GeO3；
H2GeO3+2NaOH→Na2GeO3+2H2O。
其中，第一过氧化氢溶液与氢氧化钠溶液的体积比为(0.2～0.3)：1，例如可以是0.2：1、0.22：1、0.24：1、0.25：1、0.26：1、0.28：1、0.3：1，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
申请人探究了腐蚀药剂对腐蚀效果的影响，申请人在腐蚀过程中，首先是采用了硝酸溶液与过氧化氢溶液的组合(即采用硝酸溶液替换氢氧化钠溶液)，发现，若采用硝酸，整个体系呈酸性，且硝酸溶液与过氧化氢溶液均具有氧化性，导致氧化性过强，进而导致锗片被氧化，导致锗表面出现较多的锗氧化物沉淀；进一步的发现，采用了HF溶液和过氧化氢溶液的组合(即采用HF溶液替换氢氧化钠溶液)，发现，整个体系呈酸性，反应速率难以控制，且HF属于有毒有害物质，对操作人员具有一定的伤害性，因此，排除了采用酸液和氢氧化钠溶液的组合，可见，为了得到低粗糙度的锗，不能使用酸替换氢氧化钠溶液。
申请人在碱液中进行选取，申请人采用了过氧化氢溶液与氢氧化钠溶液的组合，发现效果较佳，能够有效的降低锗片的粗糙度，腐蚀后锗片表面光泽度高、粗糙度低；申请人还采用了氨水和过氧化氢溶液的组合，发现，在腐蚀过程中，氨水在较高的腐蚀温度下，氨水的溶解度低，使用氨水需要降低腐蚀温度，且氨水的碱液较弱，化学反应速率较慢，生产效率低，且粗糙度也达不到效果。
本申请的申请人进一步探究了第一过氧化氢溶液与氢氧化钠溶液的体积比对腐蚀后锗片的粗糙度的影响，发现，将第一过氧化氢溶液与氢氧化钠溶液的体积比控制在(0.2～0.3)：1之间时，能够有效的发生上述的反应，反应过程可控，能够有效的降低锗片的粗糙度，若氢氧化钠溶液过多(即体积比小于0.2:1)，会出现氢氧化钠水合物沉淀，若过氧化氢溶液过多(即体积比大于0.3:1)，会导致出现氧化物沉淀，从而若第一过氧化氢溶液与氢氧化钠溶液的体积比不在本申请的范围内时，会生成不利于腐蚀进程的物质，影响腐蚀效果，进而导致腐蚀效果显著下降。
需要说明的是，本申请的腐蚀在常规的腐蚀槽中进行，关于腐蚀液的添加量，本申请不做特别限定，只要腐蚀液能够浸没锗片即可，本领域技术人员知晓如何控制腐蚀液的添加量，示例性的，腐蚀液的添加量为锗片质量的6～10倍。
本申请创造性的在腐蚀的过程中持续加入第二过氧化氢溶液，使腐蚀液中过氧化氢浓度保持稳定，提高腐蚀效率，同时，过氧化氢分解产生氧气导致氧分压的提高，进一步提高腐蚀效果，降低粗糙度。
需要说明的是，腐蚀时，通过常规的定量加液器即可实现第二过氧化氢溶液的持续加入。
在其中一个实施方式中，所述第一过氧化氢溶液与氢氧化钠溶液的体积比为0.25：1。特别是在此体积比下，粗糙度最低。
在其中一个实施方式中，所述第一过氧化氢溶液的质量分数为25～35％，例如可以是25％、26％、27％、28％、29％、30％、31％、32％、33％、34％、35％，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
在其中一个实施方式中，所述氢氧化钠溶液的质量分数为40～48％，例如可以是40％、41％、42％、43％、44％、45％、46％、47％、48％、49％、50％，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
在其中一个实施方式中，所述第二过氧化氢溶液的质量分数为25～35％，例如可以是25％、26％、27％、28％、29％、30％、31％、32％、33％、34％、35％，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
在其中一个实施方式中，所述第二过氧化氢溶液的加入量为720～780mL/min，例如可以是720mL/min、730mL/min、740mL/min、750mL/min、760mL/min、770mL/min、780mL/min，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
在其中一个实施方式中，所述腐蚀的温度为78～82℃，例如可以是78℃、79℃、80℃、81℃、82℃，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
本申请的申请人发现，腐蚀温度对腐蚀效果也具有较大影响，通过将温度控制在78～82℃下，能够提高腐蚀效果，若温度低于78℃，会降低氢氧化钠的溶解度，导致产生白色的NAOH·xH2O沉淀，降低反应速率，影响腐蚀效果，且温度过低，过氧化氢的分解速率降低，导致氧分压不足，若温度过高，会使过氧化氢分解过快，过氧化氢来不及到达锗片便面就开始分解，因此，本申请需要严格的控制腐蚀温度。
示例性的，腐蚀时，通过将腐蚀槽置于恒温水浴中即可控制腐蚀的温度。
在其中一个实施方式中，所述腐蚀的时间为20～25min，例如可以是20min、21min、22min、23min、24min、25min，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
在其中一个实施方式中，所述腐蚀过程中搅拌腐蚀液，搅拌的速率为15～30rpm，例如可以是15rpm、20rpm、25rpm、30rpm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
在腐蚀过程中，进行搅拌，能够有效的提高锗片表面产物扩散，提高反应速率，同时保证锗片不会因为受过大压力而产生裂纹或破碎。
示例性的，腐蚀时，通过在腐蚀槽安装搅拌装置，即可实现搅拌的效果。
在其中一个实施方式中，所述第一过氧化氢溶液的质量分数为30％；和/或
所述氢氧化钠溶液的质量分数为45％；和/或
所述第二过氧化氢溶液的质量分数为30％；和/或
所述第二过氧化氢的加入量为750mL/min；和/或
所述腐蚀的温度为80℃；和/或
所述搅拌的速率为20rpm。
提供了以下实施例以促进对本申请的理解。提供这些实施例不是为了限制权利要求的范围。
实施例1
一种腐蚀法制备低粗糙度锗的方法，包括以下步骤：
(1)将质量分数为45％的氢氧化钠溶液与质量分数为30％的过氧化氢溶液按照体积比1:0.2配制成腐蚀液；
(2)将单晶锗片置于腐蚀槽中，加入腐蚀液，腐蚀液的质量为单晶锗片质量的10倍；
(3)将腐蚀槽置于恒温水浴槽中，控制腐蚀槽内温度为78℃，在78℃下开始腐蚀，腐蚀过程中，通过HD-200自动定量加液器以750mL/min的流速持续加入质量分数为30％的过氧化氢溶液，并以30rpm转速搅拌腐蚀液，腐蚀30min；
(4)甩干，得到低粗糙度锗片。
实施例2
一种腐蚀法制备低粗糙度锗的方法，包括以下步骤：
(1)将质量分数为45％的氢氧化钠溶液与质量分数为30％的过氧化氢溶液按照体积比1:0.25配制成腐蚀液；
(2)将单晶锗片置于腐蚀槽中，加入腐蚀液，腐蚀液的质量为单晶锗片质量的10倍；
(3)将腐蚀槽置于恒温水浴槽中，控制腐蚀槽内温度为80℃，在80℃下开始腐蚀，腐蚀过程中，通过HD-200自动定量加液器以780mL/min的流速持续加入质量分数为30％的过氧化氢溶液，并以30rpm转速搅拌腐蚀液，腐蚀25min；
(4)甩干，得到低粗糙度锗片。
实施例3
一种腐蚀法制备低粗糙度锗的方法，包括以下步骤：
(1)将质量分数为45％的氢氧化钠溶液与质量分数为30％的过氧化氢溶液按照体积比1:0.3配制成腐蚀液；
(2)将单晶锗片置于腐蚀槽中，加入腐蚀液，腐蚀液的质量为单晶锗片质量的10倍；
(3)将腐蚀槽置于恒温水浴槽中，控制腐蚀槽内温度为82℃，在82℃下开始腐蚀，腐蚀过程中，通过HD-200自动定量加液器以720mL/min的流速持续加入质量分数为30％的过氧化氢溶液，并以20rpm转速搅拌腐蚀液，腐蚀20min；
(4)甩干，得到低粗糙度锗片。
实施例4
一种腐蚀法制备低粗糙度锗的方法，包括以下步骤：
(1)将质量分数为25％的氢氧化钠溶液与质量分数为48％的过氧化氢溶液按照体积比1:0.25配制成腐蚀液；
(2)将单晶锗片置于腐蚀槽中，加入腐蚀液，腐蚀液的质量为单晶锗片质量的10倍；
(3)将腐蚀槽置于恒温水浴槽中，控制腐蚀槽内温度为80℃，在80℃下开始腐蚀，腐蚀过程中，通过HD-200自动定量加液器以780mL/min的流速持续加入质量分数为25％的过氧化氢溶液，并以30rpm转速搅拌腐蚀液，腐蚀25min；
(4)甩干，得到低粗糙度锗片。
实施例5
一种腐蚀法制备低粗糙度锗的方法，包括以下步骤：
(1)将质量分数为35％的氢氧化钠溶液与质量分数为40％的过氧化氢溶液按照体积比1:0.25配制成腐蚀液；
(2)将单晶锗片置于腐蚀槽中，加入腐蚀液，腐蚀液的质量为单晶锗片质量的10倍；
(3)将腐蚀槽置于恒温水浴槽中，控制腐蚀槽内温度为80℃，在80℃下开始腐蚀，腐蚀过程中，通过HD-200自动定量加液器以780mL/min的流速持续加入质量分数为35％的过氧化氢溶液，并以30rpm转速搅拌腐蚀液，腐蚀25min；
(4)甩干，得到低粗糙度锗片。
对比例1
对比例1与实施例2不同之处在于，对比例1不持续加入过氧化氢溶液，其他都相同。
一种腐蚀法制备低粗糙度锗的方法，包括以下步骤：
(1)将质量分数为45％的氢氧化钠溶液与质量分数为30％的过氧化氢溶液按照体积比1:0.25配制成腐蚀液；
(2)将单晶锗片置于腐蚀槽中，加入腐蚀液，腐蚀液的质量为单晶锗片质量的10倍；
(3)将腐蚀槽置于恒温水浴槽中，控制腐蚀槽内温度为80℃，在80℃下开始腐蚀，腐蚀过程中，以30rpm转速搅拌腐蚀液，腐蚀25min；
(4)甩干，得到低粗糙度锗片。
对比例2
对比例2与实施例2不同之处在于，对比例2腐蚀过程中不搅拌，其他都相同。
一种腐蚀法制备低粗糙度锗的方法，包括以下步骤：
(1)将质量分数为45％的氢氧化钠溶液与质量分数为30％的过氧化氢溶液按照体积比1:0.25配制成腐蚀液；
(2)将单晶锗片置于腐蚀槽中，加入腐蚀液，腐蚀液的质量为单晶锗片质量的10倍；
(3)将腐蚀槽置于恒温水浴槽中，控制腐蚀槽内温度为80℃，在80℃下开始腐蚀，腐蚀过程中，通过HD-200自动定量加液器以780mL/min的流速持续加入质量分数为30％的过氧化氢溶液，腐蚀25min；
(4)甩干，得到低粗糙度锗片。
对比例3
对比例3与实施例2不同之处在于，对比例3采用45％硝酸溶液替换45％氢氧化钠溶液，其他都相同。
一种腐蚀法制备低粗糙度锗的方法，包括以下步骤：
(1)将质量分数为45％的硝酸溶液与质量分数为30％的过氧化氢溶液按照体积比1:0.25配制成腐蚀液；
(2)将单晶锗片置于腐蚀槽中，加入腐蚀液，腐蚀液的质量为单晶锗片质量的10倍；
(3)将腐蚀槽置于恒温水浴槽中，控制腐蚀槽内温度为80℃，在80℃下开始腐蚀，腐蚀过程中，通过HD-200自动定量加液器以780mL/min的流速持续加入质量分数为30％的过氧化氢溶液，并以30rpm转速搅拌腐蚀液，腐蚀25min；
(4)甩干，得到低粗糙度锗片。
对比例4
对比例4与实施例2不同之处在于，对比例4采用30％氨水溶液替换45％氢氧化钠溶液，其他都相同。
一种腐蚀法制备低粗糙度锗的方法，包括以下步骤：
(1)将质量分数为30％的氨水溶液与质量分数为30％的过氧化氢溶液按照体积比1:0.25配制成腐蚀液；
(2)将单晶锗片置于腐蚀槽中，加入腐蚀液，腐蚀液的质量为单晶锗片质量的10倍；
(3)将腐蚀槽置于恒温水浴槽中，控制腐蚀槽内温度为80℃，在80℃下开始腐蚀，腐蚀过程中，通过HD-200自动定量加液器以780mL/min的流速持续加入质量分数为30％的过氧化氢溶液，并以30rpm转速搅拌腐蚀液，腐蚀25min；
(4)甩干，得到低粗糙度锗片。
对比例5
对比例5与实施例2不同之处在于，对比例5的氢氧化钠溶液和过氧化氢溶液的浓度不同于实施例2，其他都相同。
一种腐蚀法制备低粗糙度锗的方法，包括以下步骤：
(1)将质量分数为20％的氢氧化钠溶液与质量分数为50％的过氧化氢溶液按照体积比1:0.25配制成腐蚀液；
(2)将单晶锗片置于腐蚀槽中，加入腐蚀液，腐蚀液的质量为单晶锗片质量的10倍；
(3)将腐蚀槽置于恒温水浴槽中，控制腐蚀槽内温度为80℃，在80℃下开始腐蚀，腐蚀过程中，通过HD-200自动定量加液器以780mL/min的流速持续加入质量分数为30％的过氧化氢溶液，并以30rpm转速搅拌腐蚀液，腐蚀25min；
(4)甩干，得到低粗糙度锗片。
测试例
选取同一批粗糙度相同的单晶锗片，分为14组，每组5片，分别用实施例1～5、对比例1～5的方法进行腐蚀，测试腐蚀前后的粗糙度，测试结果如表1所示。
表1
从实施例1～5的对比中可看出，本发明所述的腐蚀方法能够有效的降低锗片的粗糙度，从而制备得到低粗糙度的锗片，腐蚀后的锗片粗糙度低于41nm。
对比实施例2与对比例1可知，在腐蚀过程中，若不持续加入过氧化氢溶液，将导致对于锗片的粗糙度降低效果不佳，在本发明腐蚀过程中，需要持续加入过氧化氢溶液。
对比实施例2与对比例2可知，在腐蚀过程中，若不搅拌，会导致对于锗片的粗糙度降低效果不佳。
对比实施例2与对比例3可知，若采用硝酸溶液这类强酸强氧化类物质，整个体系呈酸性，且硝酸溶液与过氧化氢溶液均具有氧化性，导致氧化性过强，进而导致锗片被氧化，导致锗表面出现较多的锗氧化物沉淀，反而导致粗糙度提高。
对比实施例2与对比例4可知，若采用其他的碱类，例如氨水替换氢氧化钠溶液，也会导致对于锗片的粗糙度降低效果不佳。
对比实施例2与对比例5可知，若氢氧化钠溶液和过氧化氢溶液的浓度不同于不在本发明的范围内，也会导致对于锗片的粗糙度降低效果不佳。
最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本申请的技术方案而非对本申请保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本申请作了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本申请的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本申请技术方案的实质和范围。
Claims (10)
1.一种腐蚀法制备低粗糙度锗的方法，其特征在于，包括以下步骤：
将锗片浸入腐蚀液中进行腐蚀，干燥，得到低粗糙度锗；
所述腐蚀液包括第一过氧化氢溶液和氢氧化钠溶液；所述第一过氧化氢溶液与氢氧化钠溶液的体积比为(0.2～0.3)：1；
腐蚀过程中持续加入第二过氧化氢溶液。
2.根据权利要求1所述的腐蚀法制备低粗糙度锗的方法，其特征在于，所述第一过氧化氢溶液与氢氧化钠溶液的体积比为0.25：1。
3.根据权利要求1所述的腐蚀法制备低粗糙度锗的方法，其特征在于，所述第一过氧化氢溶液的质量分数为25～35％。
4.根据权利要求1所述的腐蚀法制备低粗糙度锗的方法，其特征在于，所述氢氧化钠溶液的质量分数为40～48％。
5.根据权利要求1所述的腐蚀法制备低粗糙度锗的方法，其特征在于，所述第二过氧化氢溶液的质量分数为25～35％。
6.根据权利要求5所述的腐蚀法制备低粗糙度锗的方法，其特征在于，所述第二过氧化氢溶液的加入量为720～780mL/min。
7.根据权利要求1所述的腐蚀法制备低粗糙度锗的方法，其特征在于，所述腐蚀的温度为78～82℃。
8.根据权利要求1所述的腐蚀法制备低粗糙度锗的方法，其特征在于，所述腐蚀的时间为20～25min。
9.根据权利要求1所述的腐蚀法制备低粗糙度锗的方法，其特征在于，所述腐蚀过程中搅拌腐蚀液，搅拌的速率为15～30rpm。
10.根据权利要求1～9任一所述的腐蚀法制备低粗糙度锗的方法，其特征在于，所述第一过氧化氢溶液的质量分数为30％；和/或
所述氢氧化钠溶液的质量分数为45％；和/或
所述第二过氧化氢溶液的质量分数为30％；和/或
所述第二过氧化氢的加入量为750mL/min；和/或
所述腐蚀的温度为80℃；和/或
所述搅拌的速率为20rpm。
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