CN116482079A - 基于激光诱导击穿光谱的检测方法及系统 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了基于激光诱导击穿光谱的检测方法及系统，该方法包括：以初始激光能量击打待检测样品，确定待检测样品的等离子体实际温度；根据等离子体实际温度和等离子体目标温度，将初始激光能量调整为目标激光能量；以目标激光能量多次击打待检测样品，获得待检测样品的多个光谱。该方法通过调整激光能量，使得待检测样品的等离子体温度保持一致，在无需增加设备成本、无需对样品进行复杂处理的基础上，降低基体效应的影响，提升检测结果的准确性。
Description
技术领域
本申请涉及检测技术领域，尤其涉及基于激光诱导击穿光谱的检测方法以及系统。
背景技术
成分检测技术是指对待检测样品的各个组成成分进行定性检测和定量检测的技术。利用成分检测技术，可以了解样品的组成成分，以便对样品进行进一步分析。例如，成分检测技术可以包括激光诱导击穿光谱。
激光诱导击穿光谱利用脉冲激光聚焦于待检测样品表面形成等离子体，通过采集等离子体的光辐射，获得样品中不同元素的特征波长和强度，从而实现对样品的定性与定量检测。然而，在样品检测的过程中，样品的物理化学特性可能影响等离子体的特性，从而影响样品的检测结果，该现象也可以称为基体效应。
业界通常采用数据补偿的方式降低基体效应对检测结果的影响。例如，可以利用等离子体图像信号补偿光谱信号，或者利用光谱标准化、分子谱线补偿的方法修正、补偿基体效应的影响。然而，由于基体效应具有高复杂性和强非线性，数据补偿的方式难以获得理想的效果，无法得到准确的检测结果。
发明内容
本申请提供了基于激光诱导击穿光谱的检测方法，该方法无需增加额外的设备和运行成本，可以降低基体效应的影响，从而提升检测结果的准确性。本申请还提供了上述方法对应的系统。
第一方面，本申请提供了基于激光诱导击穿光谱的检测方法。所述方法包括：
以初始激光能量击打待检测样品，确定所述待检测样品的等离子体实际温度；
根据所述等离子体实际温度和等离子体目标温度，将所述初始激光能量调整为目标激光能量；
以所述目标激光能量多次击打所述待检测样品，获得所述待检测样品的多个光谱。
在一些可能的实现方式中，所述根据所述等离子体实际温度和等离子体目标温度，将所述初始激光能量调整为目标激光能量，包括：
根据所述等离子体实际温度和等离子体目标温度，确定所述等离子体实际温度与所述等离子体目标温度的温度差；
若所述温度差满足预设条件，所述目标激光能量为所述初始激光能量；
若所述温度差不满足所述预设条件，基于所述温度差，将所述初始激光能量调整为目标激光能量。
在一些可能的实现方式中，所述若所述温度差不满足所述预设条件，基于所述温度差，将所述初始激光能量调整为目标激光能量，包括：
基于所述温度差，将所述初始激光能量调整为第一激光能量；
以所述第一激光能量击打所述待检测样品，确定所述待检测样品的等离子体第一实际温度；
根据所述等离子第一实际温度和所述等离子体目标温度，确定所述等离子第一实际温度和所述等离子体目标温度的第一温度差；
若所述第一温度差满足所述预设条件，所述目标激光能量为所述第一激光能量；
若所述第一温度差不满足所述预设条件，基于所述第一温度差，将所述第一激光能量调整为目标激光能量。
在一些可能的实现方式中，所述预设条件包括所述温度差的绝对值小于温度允许偏差。
在一些可能的实现方式中，所述基于所述温度差，将所述初始激光能量调整为目标激光能量，包括：
基于所述温度差和调整系数，确定激光能量的调整值，所述目标激光能量为所述初始激光能量与所述激光能量的调整值之和。
在一些可能的实现方式中，所述以初始激光能量击打待检测样品，确定所述待检测样品的等离子体实际温度，包括：
以初始激光能量击打待检测样品，采集所述待检测样品的初始光谱；
根据所述初始光谱，确定所述待检测样品的等离子体实际温度。
在一些可能的实现方式中，所述根据所述初始光谱，确定所述待检测样品的等离子体实际温度的方式包括：玻尔兹曼平面法、双线比值法和萨哈-玻尔兹曼平面法。
在一些可能的实现方式中，所述待检测样品包括第一样品和第二样品，所述第一样品的目标激光能量为第一目标激光能量，所述方法还包括：
以所述第一目标激光能量作为所述第二样品的初始激光能量，以对所述第二样品进行检测。
在一些可能的实现方式中，基于所述待检测样品的多个光谱，对所述待检测样品进行定标。
第二方面，本申请提供了基于激光诱导击穿光谱的检测系统。所述系统包括：脉冲激光器、处理器和光谱仪；
所述脉冲激光器，用于以初始激光能量击打待检测样品；
所述处理器，用于确定所述待检测样品的等离子体实际温度；
所述处理器，还用于根据所述等离子体实际温度和等离子体目标温度，将所述初始激光能量调整为目标激光能量；
所述脉冲激光器，还用于以所述目标激光能量多次击打所述待检测样品；
所述光谱仪，用于获得所述待检测样品的多个光谱。
在一些可能的实现方式中，所述处理器具体用于：
根据所述等离子体实际温度和等离子体目标温度，确定所述等离子体实际温度与所述等离子体目标温度的温度差；
若所述温度差满足预设条件，所述目标激光能量为所述初始激光能量；
若所述温度差不满足所述预设条件，基于所述温度差，将所述初始激光能量调整为目标激光能量。
在一些可能的实现方式中，所述处理器具体用于：基于所述温度差，将所述初始激光能量调整为第一激光能量；
所述脉冲激光器还用于以所述第一激光能量击打所述待检测样品；
所述处理器具体用于：确定所述待检测样品的等离子体第一实际温度；根据所述等离子第一实际温度和所述等离子体目标温度，确定所述等离子第一实际温度和所述等离子体目标温度的第一温度差；若所述第一温度差满足所述预设条件，所述目标激光能量为所述第一激光能量；若所述第一温度差不满足所述预设条件，基于所述第一温度差，将所述第一激光能量调整为目标激光能量。
在一些可能的实现方式中，所述预设条件包括所述温度差的绝对值小于温度允许偏差。
在一些可能的实现方式中，所述处理器具体用于：
基于所述温度差和调整系数，确定激光能量的调整值，所述目标激光能量为所述初始激光能量与所述激光能量的调整值之和。
在一些可能的实现方式中，所述光谱仪还用于采集所述待检测样品的初始光谱；
所述处理器具体用于根据所述初始光谱，确定所述待检测样品的等离子体实际温度。
在一些可能的实现方式中，所述根据所述初始光谱，确定所述待检测样品的等离子体实际温度的方式包括：玻尔兹曼平面法、双线比值法和萨哈-玻尔兹曼平面法。
在一些可能的实现方式中，所述待检测样品包括第一样品和第二样品，所述第一样品的目标激光能量为第一目标激光能量，所述脉冲激光器还用于：以所述第一目标激光能量作为所述第二样品的初始激光能量。
在一些可能的实现方式中，所述系统还包括：
定标装置，用于基于所述待检测样品的多个光谱，对所述待检测样品进行定标。
本申请在上述各方面提供的实现方式的基础上，还可以进行进一步组合以提供更多实现方式。
基于上述内容描述，可知本申请的技术方案具有如下有益效果：
具体地，该方法首先以初始激光能量击打待检测样品，确定待检测样品的等离子体实际温度，接着根据等离子体实际温度和等离子体目标温度，将初始激光能量调整为目标激光能量，然后以目标激光能量多次击打待检测样品，获得待检测样品的多个光谱。该方法通过调整激光能量，使得待检测样品的等离子体温度保持一致，在无需增加设备成本、无需对样品进行复杂处理的基础上，降低基体效应的影响，提升检测结果的准确性。
附图说明
结合附图并参考以下具体实施方式，本申请各实施例的上述和其他特征、优点及方面将变得更加明显。贯穿附图中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的元素。应当理解附图是示意性的，原件和元素不一定按照比例绘制。
图1为本申请实施例提供的基于激光诱导击穿光谱的检测方法的流程示意图；
图2为本申请实施例提供的等离子体平均实际温度变化图；
图3为本申请实施例提供的谱线强度与元素浓度的线性关系示意图。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本申请的实施例。虽然附图中显示了本申请的某些实施例，然而应当理解的是，本申请可以通过各种形式来实现，而且不应该被解释为限于这里阐述的实施例，相反提供这些实施例是为了更加透彻和完整地理解本申请。应当理解的是，本申请的附图及实施例仅用于示例性作用，并非用于限制本申请的保护范围。
本文使用的术语“包括”及其变形是开放性包括，即“包括但不限于”。术语“基于”是“至少部分地基于”。术语“一个实施例”表示“至少一个实施例”；术语“另一实施例”表示“至少一个另外的实施例”；术语“一些实施例”表示“至少一些实施例”。其他术语的相关定义将在下文描述中给出。
需要注意，本申请中提及的“第一”、“第二”等概念仅用于对不同的装置、模块或单元进行区分，并非用于限定这些装置、模块或单元所执行的功能的顺序或者相互依存关系。
需要注意，本申请中提及的“一个”、“多个”的修饰是示意性而非限制性的，本领域技术人员应当理解，除非在上下文另有明确指出，否则应该理解为“一个或多个”。
为了便于理解本申请的技术方案，下面对本申请中具体的应用场景进行说明。
激光诱导击穿光谱(laser-induced breakdown spectroscopy，LIBS)，也可以称为激光诱导等离子体光谱，是指通过聚焦镜将脉冲激光聚焦于待检测样品表面，使得聚焦后的激光烧灼样品表面，以形成激光诱导等离子体，接着通过光谱仪采集等离子体的光辐射，从而获得样品中不同元素的特征波长和强度(即特征谱线强度)，实现对待检测样品中元素组成的定性和定量检测与分析。
LIBS具有全元素分析、制样简单、安全、快速、便于实现原位在线测量的优势，在冶金、能源、化工、地质、环境等多个领域具有广泛的应用能力。然而，在，利用LIBS进行样品检测的过程中，基体效应的存在会影响检测准确性。
基体效应，是指由于样品的物理化学特性影响等离子体本身的特性(例如温度、电子密度等)，从而影响样品中元素的特征谱线强度，导致特征谱线强度与元素浓度之间的关系偏离理论上的线性关系，从而降低LIBS的检测准确性。
例如，当检测煤炭中的含碳量时，即使两种煤炭的含碳量完全一致，但若两种煤炭中其他元素(例如钙、硅、铝)的含量不同，会导致等离子体的温度、电子密度等具有显著差异，从而导致两种煤炭产生的碳元素的特征谱线强度不同，影响煤炭含碳量检测的准确程度。
针对上述问题，业界通常采用样品预处理和数据补偿的方式降低基体效应的影响。其中，样品预处理包括将样品气化为细颗粒、将样品涂抹于基板等方式。数据补偿包括采用等离子体图像信号补偿光谱信号，采用光谱标准化、分子谱线补偿、多变量回归等方式。
然而，样品预处理的方法制样过程复杂，无法快速、实时进行样品检测。由于基体效应具有高复杂性和强非线性，数据补偿的方法也难以获得理想的效果。
基于此，本申请实施例提供了基于激光诱导击穿光谱的检测方法。具体地，该方法首先以初始激光能量击打待检测样品，确定待检测样品的等离子体实际温度，接着根据等离子体实际温度和等离子体目标温度，将初始激光能量调整为目标激光能量，然后以目标激光能量多次击打待检测样品，获得待检测样品的多个光谱。该方法通过调整激光能量，使得待检测样品的等离子体温度保持一致，在无需增加设备成本、无需对样品进行复杂处理的基础上，降低基体效应的影响，提升检测结果的准确性。
接下来，结合附图对本申请实施例提供的基于激光诱导击穿光谱的检测方法进行详细说明。
参见图1所示的基于激光诱导击穿光谱的检测方法的流程示意图，该方法具体包括如下步骤：
S101：以初始激光能量击打待检测样品，确定待检测样品的等离子体实际温度。
其中，初始激光能量可以由检测人员预先设定。例如，检测人员可以根据待检测样品的类型，结合检测经验，设定初始激光能量。在本申请实施例中，不对初始激光能量的大小做出限定。
具体地，以初始激光能量击打待检测样品，采集待检测样品的初始光谱，根据初始光谱，确定待检测样品的等离子体实际温度。
其中，当以初始激光能量击打待检测样品后，由于激光聚焦后能量密度较高，可以将待检测样品激发形成等离子体，从而可以采集获得待检测样品的光谱(也可以称为初始光谱)，接着根据该光谱，计算确定待检测样品的等离子体的实际温度。
进一步地，可以通过玻尔兹曼平面法、双线比值法、萨哈-玻尔兹曼平面法的方式确定待检测样品的等离子体实际温度。在本申请实施例中，对于确定等离子体实际温度的方式不做限制。
S102：根据等离子体实际温度和等离子体目标温度，将初始激光能量调整为目标激光能量。
其中，等离子体目标温度可以由检测人员预先设定。例如，检测人员可以根据待检测样品的类型，结合检测经验，设定等离子体目标温度。在一些可能的实现方式中，等离子体目标温度可以为5000K至15000K。在本申请实施例中，不对初始激光能量的大小做出限定。
具体地，根据等离子体实际温度和等离子体目标温度，确定等离子体实际温度与等离子体目标温度的温度差。若温度差满足预设条件，目标激光能量为初始激光能量；若温度差不满足预设条件，基于温度差，将初始激光能量调整为目标激光能量。
可以理解的是，等离子体实际温度与等离子体目标温度的温度差表示当前初始激光能量下，等离子体实际温度与目标温度之间的差距。因此，当温度差满足预设条件时，表明初始激光能量可以满足要求，此时目标激光能量可以为初始激光能量。当温度差不满足预设条件时，表明初始激光能量无法满足要求，此时，可以根据温度差的大小调整激光能量。
在一些可能的实现方式中，预设条件可以包括温度差的绝对值小于温度允许偏差。例如，若等离子体目标温度为T0，等离子体实际温度为T1，温度允许偏差为e，则预设条件可以表示为|T0-T1|<e。其中，温度允许偏差可以由检测人员预先设定。例如，检测人员可以根据待检测样品的类型，结合检测经验，设定温度允许偏差。在一些可能的实现方式中，温度允许偏差可以小于500K。在本申请实施例中，不对温度允许偏差的大小做出限定。
在一些可能的实现方式中，可以基于温度差和调整系数，确定激光能量的调整值，目标激光能量为初始激光能量与激光能量的调整值之和。
例如，若初始激光能量为E0，目标激光能量为E1，调整系数为k，则目标激光能量可以表示为E1＝E0+k(T0-T1)。其中，调整系数可以由检测人员预先设定。例如，检测人员可以根据待检测样品的类型，结合检测经验，设定调整系数。在一些可能的实现方式中，调整系数可以为10-5至105之间。在本申请实施例中，不对调整系数的大小做出限定。
进一步地，若温度差不满足预设条件，基于温度差，将初始激光能量调整为第一激光能量，以第一激光能量击打待检测样品，确定待检测样品的等离子体第一实际温度，根据等离子第一实际温度和等离子体目标温度，确定等离子第一实际温度和等离子体目标温度的第一温度差。若第一温度差满足预设条件，目标激光能量为第一激光能量；若第一温度差不满足预设条件，基于第一温度差，将第一激光能量调整为目标激光能量。
可以理解的是，若温度差不满足预设条件时，需要对初始激光能量进行调整。首先，将初始激光能量调整为第一激光能量，然后以第一激光能量击打待检测样品，确定此时的温度差(即第一温度差)。若此时的温度差仍然不满足预设条件，可以对第一激光能量进行再次调整。
进一步地，若对第一激光能量进行再次调整后，仍然不满足预设条件，可以对调整后的第一激光能量进行进一步调整，而后重复进行击打待检测样品、确定等离子体实际温度、确定温度差的步骤，直到温度差满足预设条件为止。
S103：以目标激光能量多次击打待检测样品，获得待检测样品的多个光谱。
可以理解的是，以目标激光能量多次击打待检测样品后，多个等离子体实际温度与等离子体目标温度接近，从而直接降低基体效应的影响。
进一步地，当待检测样品包括第一样品和第二样品，第一样品的目标激光能量为第一目标激光能量时，以第一目标激光能量作为第二样品的初始激光能量，以对第二样品进行检测。
也就是说，当有多个待检测样品时，在确定第一个样品的目标激光能量后，可以将第一个样品的目标激光能量作为第二个样品的初始激光能量，以减少对于第二个样品的激光能量进行调整的次数，从而提升整体检测效率。
进一步地，还可以基于待检测样品的多个光谱，对待检测样品进行定标。例如，可以根据待检测样品的多个光谱，建立单变量定标模型、多变量定标模型或者免定标模型，开展定标与预测。
下面，将结合具体实例，对本申请实施例中提供的基于激光诱导击穿光谱的检测方法的实施效果进行说明。
在具体实例中，待检测样品为11中黄铜合金样品，具体信息如表1所示。
表1
在具体实例中，设定等离子体目标温度为10000K，温度允许偏差为500K，初始激光能量为60mJ，对每个待检测样品的击打次数为50。
对于第一个样品，以初始激光能量60mJ击打后，采集其初始光谱，根据其初始光谱中四条铜特征谱线(453.07nm、515.32nm、570.03nm、578.21nm)，利用玻尔兹曼平面法，确定出等离子体实际温度为8457K。
此时，等离子体实际温度与等离子体目标温度的温度差为1543K，大于温度允许偏差，不满足预设条件。因此，对初始激光能量进行调整。
具体地，设定调整系数为0.01，调整后的第一激光能量为75.43mJ。以第一激光能量再次击打第一个样品，此时的等离子体第一实际温度为9433K，第一温度差为567K，仍然不满足预设条件。因此，对第一激光能量再次进行调整，调整后的第一激光能量(也可以称为第二激光能量)为81.1mJ。
以第二激光能量再次击打第一个样品，此时的等离子体第二实际温度为9846K，第二温度差为154K，满足预设条件。因此，第一个样品对应的目标激光能量为第二激光能量。
以该目标激光能量击打第一个样品50次，获得第一个样品的50幅光谱。
接着，对第二个样品进行检测。以第一个样品对应的目标激光能量(即81.1mJ)作为第二个样品的初始激光能量，类似地，获得第二个样品的50幅光谱。
按照上述步骤检测全部11个黄铜合金样品，获得11个黄铜合金样品的光谱。
如图2所示的等离子体平均实际温度变化图。可以看出，采用传统的固定激光能量为80mJ的方法对样品进行检测，其11个等离子体实际温度的变化范围由9629K至11968K，变化幅度达到2339K，而采用本申请实施例中提供的方法对样品进行检测，其11个等离子体实际温度接近一致，变化范围由9819K至10359K，变化幅度仅为540K，与传统方法相比，有了明显下降。
进一步地，各个样品的等离子体实际温度趋于一致，能够提升各个样品光谱的谱线强度与元素浓度的线性关系，从而提升检测结果的准确性。
参见图2所示的谱线强度与元素浓度的线性关系示意图，可以看出，采用本申请实施例中提供的方式对样品进行检测，谱线强度与元素浓度的拟合效果更好。
该方法首先以初始激光能量击打待检测样品，确定待检测样品的等离子体实际温度，接着根据等离子体实际温度和等离子体目标温度，将初始激光能量调整为目标激光能量，然后以目标激光能量多次击打待检测样品，获得待检测样品的多个光谱。该方法通过调整激光能量，使得待检测样品的等离子体温度保持一致，在无需增加设备成本、无需对样品进行复杂处理的基础上，降低基体效应的影响，提升检测结果的准确性。
基于本申请实施例提供的上述方法，本申请实施例还提供了与上述方法对应的基于激光诱导击穿光谱的检测系统。该系统包括：脉冲激光器、处理器和光谱仪。
其中，脉冲激光器，用于以初始激光能量击打待检测样品；
处理器，用于确定待检测样品的等离子体实际温度；
处理器，还用于根据等离子体实际温度和等离子体目标温度，将初始激光能量调整为目标激光能量；
脉冲激光器，还用于以目标激光能量多次击打待检测样品；
光谱仪，用于获得待检测样品的多个光谱。
在一些可能的实现方式中，处理器具体用于：
根据等离子体实际温度和等离子体目标温度，确定等离子体实际温度与所述等离子体目标温度的温度差；
若温度差满足预设条件，目标激光能量为初始激光能量；
若温度差不满足所述预设条件，基于温度差，将初始激光能量调整为目标激光能量。
在一些可能的实现方式中，处理器具体用于：基于温度差，将初始激光能量调整为第一激光能量；
脉冲激光器，还用于以第一激光能量击打待检测样品；
处理器具体用于：确定待检测样品的等离子体第一实际温度；根据等离子第一实际温度和等离子体目标温度，确定等离子第一实际温度和等离子体目标温度的第一温度差；若第一温度差满足预设条件，目标激光能量为第一激光能量；若第一温度差不满足预设条件，基于第一温度差，将第一激光能量调整为目标激光能量。
在一些可能的实现方式中，预设条件包括所述温度差的绝对值小于温度允许偏差。
在一些可能的实现方式中，处理器具体用于：
基于温度差和调整系数，确定激光能量的调整值，目标激光能量为初始激光能量与激光能量的调整值之和。
在一些可能的实现方式中，光谱仪还用于采集待检测样品的初始光谱；
处理器具体用于根据初始光谱，确定待检测样品的等离子体实际温度。
在一些可能的实现方式中，根据初始光谱，确定待检测样品的等离子体实际温度的方式包括：玻尔兹曼平面法、双线比值法和萨哈-玻尔兹曼平面法。
在一些可能的实现方式中，待检测样品包括第一样品和第二样品，第一样品的目标激光能量为第一目标激光能量，脉冲激光器还用于：以第一目标激光能量作为第二样品的初始激光能量。
在一些可能的实现方式中，该系统还包括：
定标装置，用于基于待检测样品的多个光谱，对待检测样品进行定标。
尽管已经采用特定于结构特征和/或方法逻辑动作的语言描述了本主题，但是应当理解所附权利要求书中所限定的主题未必局限于上面描述的特定特征或动作。相反，上面所描述的特定特征和动作仅仅是实现权利要求书的示例形式。
虽然在上面论述中包含了若干具体实现细节，但是这些不应当被解释为对本申请的范围的限制。在单独的实施例的上下文中描述的某些特征还可以组合地实现在单个实施例中。相反地，在单个实施例的上下文中描述的各种特征也可以单独地或以任何合适的子组合的方式实现在多个实施例中。
以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的公开范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离上述公开构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。
Claims (10)
1.基于激光诱导击穿光谱的检测方法，其特征在于，所述方法包括：
以初始激光能量击打待检测样品，确定所述待检测样品的等离子体实际温度；
根据所述等离子体实际温度和等离子体目标温度，将所述初始激光能量调整为目标激光能量；
以所述目标激光能量多次击打所述待检测样品，获得所述待检测样品的多个光谱。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述等离子体实际温度和等离子体目标温度，将所述初始激光能量调整为目标激光能量，包括：
根据所述等离子体实际温度和等离子体目标温度，确定所述等离子体实际温度与所述等离子体目标温度的温度差；
若所述温度差满足预设条件，所述目标激光能量为所述初始激光能量；
若所述温度差不满足所述预设条件，基于所述温度差，将所述初始激光能量调整为目标激光能量。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述若所述温度差不满足所述预设条件，基于所述温度差，将所述初始激光能量调整为目标激光能量，包括：
基于所述温度差，将所述初始激光能量调整为第一激光能量；
以所述第一激光能量击打所述待检测样品，确定所述待检测样品的等离子体第一实际温度；
根据所述等离子第一实际温度和所述等离子体目标温度，确定所述等离子第一实际温度和所述等离子体目标温度的第一温度差；
若所述第一温度差满足所述预设条件，所述目标激光能量为所述第一激光能量；
若所述第一温度差不满足所述预设条件，基于所述第一温度差，将所述第一激光能量调整为目标激光能量。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预设条件包括所述温度差的绝对值小于温度允许偏差。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述温度差，将所述初始激光能量调整为目标激光能量，包括：
基于所述温度差和调整系数，确定激光能量的调整值，所述目标激光能量为所述初始激光能量与所述激光能量的调整值之和。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述以初始激光能量击打待检测样品，确定所述待检测样品的等离子体实际温度，包括：
以初始激光能量击打待检测样品，采集所述待检测样品的初始光谱；
根据所述初始光谱，确定所述待检测样品的等离子体实际温度。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述根据所述初始光谱，确定所述待检测样品的等离子体实际温度的方式包括：玻尔兹曼平面法、双线比值法和萨哈-玻尔兹曼平面法。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待检测样品包括第一样品和第二样品，所述第一样品的目标激光能量为第一目标激光能量，所述方法还包括：
以所述第一目标激光能量作为所述第二样品的初始激光能量，以对所述第二样品进行检测。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
基于所述待检测样品的多个光谱，对所述待检测样品进行定标。
10.基于激光诱导击穿光谱的检测系统，其特征在于，所述系统包括：脉冲激光器、处理器和光谱仪；
所述脉冲激光器，用于以初始激光能量击打待检测样品；
所述处理器，用于确定所述待检测样品的等离子体实际温度；
所述处理器，还用于根据所述等离子体实际温度和等离子体目标温度，将所述初始激光能量调整为目标激光能量；
所述脉冲激光器，还用于以所述目标激光能量多次击打所述待检测样品；
所述光谱仪，用于获得所述待检测样品的多个光谱。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310347785.9A CN116482079A (zh) | 2023-04-03 | 2023-04-03 | 基于激光诱导击穿光谱的检测方法及系统 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310347785.9A CN116482079A (zh) | 2023-04-03 | 2023-04-03 | 基于激光诱导击穿光谱的检测方法及系统 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116482079A true CN116482079A (zh) | 2023-07-25 |
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ID=87222366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310347785.9A Pending CN116482079A (zh) | 2023-04-03 | 2023-04-03 | 基于激光诱导击穿光谱的检测方法及系统 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116482079A (zh) |
-
2023
- 2023-04-03 CN CN202310347785.9A patent/CN116482079A/zh active Pending
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