CN116462647A - 有机发光层主体材料、有机电致发光二极管、显示面板 - Google Patents
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Abstract
本公开提供一种有机发光层主体材料、有机电致发光二极管、显示面板,属于显示领域。该有机发光层主体材料包括第一主体材料和第二主体材料;所述第一主体材料的结构式如化学式1所示,所述第二主体材料的结构式如化学式2所示。该有机发光层主体材料能够改善有机电致发光二极管的性能。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种有机发光层主体材料、有机电致发光二极管、显示面板。
背景技术
有机电致发光二极管(OLED)显示器因其自发光、低能耗、高分辨率、大色域、无需背光源和柔性可弯曲等优点,备受电子设备爱好者的青睐,成为了新一代主流平板显示器。
现有技术中,红光OLED为红色磷光OLED,其有机发光层为主体材料和磷光客体材料的组合。其中,主体材料一般选择空穴型主体材料和电子型主体材料的预混材料,空穴型主体材料和电子型主体材料可以形成激基复合物。在电致激发下,电子和空穴在主体材料上复合形成激子,激子从主体材料通过能量转移传递到磷光客体材料上,然后再通过磷光客体材料辐射跃迁发光。
图1为现有技术中红色磷光OLED的激子在有机发光层中的分布图。参见图1,在现有的红色磷光OLED的有机发光层中,电子为多子,激子复合区域在有机发光层靠近电子阻挡层一侧的10nm范围内。这容易导致三线态-三线态湮灭(TTA)和三线态-极化子猝灭(TPQ),导致效率下降和大电流密度下效率滚降严重。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于克服上述现有技术的不足,提供一种有机发光层主体材料、有机电致发光二极管、显示面板,改善有机电致发光二极管的性能。
根据本公开的第一个方面,提供一种有机发光层主体材料,包括第一主体材料和第二主体材料;所述第一主体材料的结构式如化学式1所示,所述第二主体材料的结构式如化学式2所示:
其中,D1、D2各自独立选自化学式III所示的基团:
环Ar为萘环;
X选自O、S、Se、C(O)、S(O2)、C(R9R10)、Si(R9R10)、NR9、PR9、P(O)R9、BR9中的任意一种;
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10各自独立的选自氘、卤素原子、腈基、硝基、羟基、羰基、酯基、酰亚胺基、酰胺基、经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的环烷基、经取代或未经取代的烷氧基、经取代或未经取代的芳氧基、经取代或未经取代的烷基硫基、经取代或未经取代的芳基硫基、经取代或未经取代的烷基磺酰基、经取代或未经取代的芳基磺酰基、经取代或未经取代的稀基、经取代或未经取代的甲硅烷基、经取代或未经取代的硼基、经取代或未经取代的胺基、经取代或未经取代的芳基膦基、经取代或未经取代的氧化磷基、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的杂环基,以及上述基团的氘代衍生物,且R1~R10可选择的与相邻基团键合以形成环;
L1和L2为连接基团,各自独立选自单键、取代或未取代的碳原子数1~30的烷基链、取代或未取代的碳原子数6~30的亚芳基、取代或未取代的碳原子数6~30的亚杂芳基,以及它们的氘代衍生物;
n1、n7和n8各自独立的选自0~4的整数;
n2、n3、n4、n5和n6各自独立的选自0~5的整数。
根据本公开的第二个方面,提供一种有机电致发光二极管,包括层叠设置的阳极、有机发光层和阴极;
所述有机发光层包括掺杂材料和权利要求1~10任意一项所述的有机发光层主体材料。
根据本公开的第三个方面,提供一种显示面板,包括上述的有机电致发光二极管。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本公开的实施例,并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中,激子复合区在有机发光层中的分布图。
图2为本公开一种实施方式中,有机电致发光二极管的结构示意图。
图3为本公开一种实施方式中,有机电致发光二极管的结构示意图。
图4为本公开一种实施方式中,显示面板的结构示意图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而,示例实施方式能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的实施方式;相反,提供这些实施方式使得本公开将全面和完整,并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构,因而将省略它们的详细描述。此外,附图仅为本公开的示意性图解,并非一定是按比例绘制。
用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等;用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等;用语“第一”、“第二”等仅作为标记使用,不是对其对象的数量限制。
本公开实施方式提供一种OLED(有机电致发光二极管),以及提供一种该OLED所采用的有机发光层主体材料。
参见图2和图3,该OLED包括依次层叠设置的阳极A、至少一层发光堆叠层SSL和阴极K。在图2的示例中,OLED仅包括一层发光堆叠层SSL;在图3的示例中,OLED包括两层发光堆叠层SSL。可以理解的是,OLED也可包括三层以上的依次层叠的发光堆叠层SSL。
参见图2和图3,任意一层发光堆叠层SSL包括依次层叠设置的空穴调节层HSL、有机发光层EML、电子调节层ESL,空穴调节层HSL位于有机发光层EML靠近阳极A的一侧,且电子调节层ESL位于有机发光层EML靠近阴极K的一侧。阳极A用于通过空穴调节层HSL向有机发光层EML注入空穴,阴极K用于通过电子调节层ESL向阴极K注入电子。有机发光层EML包括有机发光层主体材料和掺杂材料(亦称为客体材料)。电子和空穴可以在有机发光层主体材料复合形成激子,且该激子可以从有机发光层主体材料转移至掺杂材料,进而在掺杂材料辐射跃迁发光。空穴调节层HSL和电子调节层ESL分别用于调节注入有机发光层EML的空穴和电子的注入效率和注入速度,以及对注入的电子和空穴的能级进行调节,提高空穴注入和电子注入的平衡性,进而改善发光堆叠层SSL的性能,例如改善发光堆叠层SSL的发光效率、提高发光堆叠层SSL的寿命、降低发光堆叠层SSL的压降等中的一者或者多者。
参见图2和图3,空穴调节层HSL可以包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子阻挡层EBL等膜层中的一层或者多层。其中,空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子阻挡层EBL等沿从阳极A至有机发光层EML的方向依次堆叠设置。可以理解的是,在一些示例中,空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子阻挡层EBL等膜层中的一者或者多者可以设置为多层层叠结构,例如空穴传输层HTL可以包括层叠设置的第一种空穴传输层和第二种空穴传输层等。在一种示例中,空穴调节层HSL包括层叠设置的空穴注入层HIL、空穴传输层HTL和电子阻挡层EBL,空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子阻挡层EBL和有机发光层EML依次层叠。
参见图2和图3,电子调节层ESL可以包括电子注入层EIL、电子传输层ETL、空穴阻挡层HBL等膜层中的一层或者多层。其中,电子注入层EIL、电子传输层ETL、空穴阻挡层HBL等沿从阴极K至有机发光层EML的方向依次堆叠设置。可以理解的是,在一些示例中,电子注入层EIL、电子传输层ETL、空穴阻挡层HBL等膜层中的一者或者多者可以设置为多层层叠结构,例如电子传输层ETL可以包括层叠设置的第一种电子传输层和第二种电子传输层等。在一种示例中,电子调节层ESL可以仅包括电子传输层ETL。
在本公开的一种实施方式中,参见图3,当OLED包括多层发光堆叠层SSL时,相邻两层发光堆叠层SSL之间可以设置有电荷生成层CGL,以提高向相邻的两个发光堆叠层SSL注入电子和空穴的效率。举例而言,电荷生成层CGL包括层叠设置于相邻两层发光堆叠层SSL之间的N型电荷产生层和P型电荷产生层;其中,N型电荷产生层与其中一个发光堆叠层SSL的电子调节层ESL相邻设置,用于向该发光堆叠层SSL的电子调节层ESL注入电子;P型电荷产生层与另一个发光堆叠层SSL的空穴调节层HSL相邻设置,用于向该发光堆叠层SSL的空穴调节层HSL注入空穴。当然的,可以理解的是,在其他示例中,电荷生成层CGL还可以包括其他结构。
在一种示例中,N型电荷产生层与电子传输层ETL相邻设置,且材料基本相同。
在一种示例中,P型电荷产生层与空穴注入层HIL相邻设置,且材料基本相同
在本公开的一种实施方式中,有机发光层EML中的掺杂材料为磷光掺杂材料,如此,该OLED为磷光OLED。在一种示例中,该磷光掺杂材料为红色磷光掺杂材料。
在本公开实施方式的OLED中,有机发光层主体材料包括第一主体材料和第二主体材料;所述第一主体材料的结构式如化学式1所示,所述第二主体材料的结构式如化学式2所示:
其中,基团D1、基团D2各自独立选自化学式III所示的基团:
环Ar为萘环;
X选自O、S、Se、C(O)、S(O2)、C(R9R10)、Si(R9R10)、NR9、PR9、P(O)R9、BR9中的任意一种;
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10各自独立的选自氘、卤素原子、腈基、硝基、羟基、羰基、酯基、酰亚胺基、酰胺基、经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的环烷基、经取代或未经取代的烷氧基、经取代或未经取代的芳氧基、经取代或未经取代的烷基硫基、经取代或未经取代的芳基硫基、经取代或未经取代的烷基磺酰基、经取代或未经取代的芳基磺酰基、经取代或未经取代的稀基、经取代或未经取代的甲硅烷基、经取代或未经取代的硼基、经取代或未经取代的胺基、经取代或未经取代的芳基膦基、经取代或未经取代的氧化磷基、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的杂环基,以及上述基团的氘代衍生物,且R1~R10可选择的与相邻基团键合以形成环;
L1和L2为连接基团,各自独立选自单键、取代或未取代的碳原子数1~30的烷基链、取代或未取代的碳原子数6~30的亚芳基、取代或未取代的碳原子数6~30的亚杂芳基,以及它们的氘代衍生物;
n1、n7和n8各自独立的选自0~4的整数;
n2、n3、n4、n5和n6各自独立的选自0~5的整数。
在本公开实施方式中,第一主体材料呈双(三芳胺)结构,且基团D1为富电子的稠合芳环,这使得第一主体材料具有高空穴迁移率,能够提高注入有机发光层EML中的空穴的迁移速率,进而利于使得激子复合区域向阴极K一侧偏移。同时,第二主体材料的三嗪基团上连接有富电子的基团D2,这可以降低第二主体材料的缺电子特性,降低第二主体材料的电子迁移率。如此,第一主体材料的空穴迁移率和第二主体材料的电子迁移率之间的差异减小,利于有机发光层EML中电子和空穴的传输速率的平衡,使得激子复合区域向阴极K一侧偏移,即,使得激子复合区域向有机发光层EML的内部移动。如此,可以减少扩散至空穴调节层HSL(尤其是扩散至电子阻挡层EBL)的激子数量,利于提高OLED的器件效率。同时可以减少扩散至空穴调节层HSL(尤其是扩散至电子阻挡层EBL)的电子数量和激子数量,可以降低空穴调节层HSL的老化速度,改善效率滚降。
不仅如此,在本公开实施方式中,第一主体材料的基团D1和第二主体材料的基团D2均为富电子基团且结构相似,这使得第一主体材料和第二主体材料具有相似的T1值(三重态能级),与掺杂材料之间能够更好地进行能量传递,可以减少能量传递损失,进而提高OLED的发光效率。
进一步的,在本公开实施方式中,基团D1和基团D2均为包括至少四个稠合芳环的刚性富电子共轭结构,因此可以使得第一主体材料的T1电子云主要分布在基团D1,且使得第二主体材料的T1电子云主要分布在基团D2;由于基团D1和基团D2的结构相近,可以进一步使得该第一主体材料和第二主体材料的T1能级相近。
在本公开的一种实施方式中,基团D1和基团D2的母环结构相同。具体的,基团D1除了R7和R8以外的部分,与基团D2除了R7和R8以外的部分相同。
在一种示例中,基团D1和基团D2相同。
在本公开的一种实施方式中,所述第一主体材料与所述第二主体材料的质量比在0.25~4的范围内。通过调节第一主体材料和第二主体材料的质量比,可以对有机发光层主体材料的载流子传输特性进行调整,进而可以控制激子复合区域在有机发光层EML的位置。
在本公开的一种实施方式中,X选自O、S、N(Ph)、C(Ph2)、C(Me2)。如此,基团D1和基团D2选自富电子大共轭刚性基团,能够提高对第一主体材料和第二主体材料的特性的影响。
在本公开的一种实施方式中,R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10各自独立的选自氘、氟、腈基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、三氟甲基、苯基、萘基、联苯基、蒽基、菲基、芘基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基,或者相互连接以形成苯环。通过对R1~R10的选择,可以进一步调节第一主体材料和第二主体材料的电子云密度和特性,进而对有机发光层主体材料的特性进行影响。
在本公开的一种实施方式中,连接基团L1、连接基团L2各自独立的选自单键、亚苯基、亚二联苯基、亚联苯基、亚萘基、亚二苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚9,9-二甲基芴基、亚9,9-二苯基芴基。如此,可以使得第一主体材料和第二主体材料保持共轭特性,并借助连接基团L1或者连接基团L2对其HOMO能级、LUMO能级和立体构象进行调整,最终改善有机发光层主体材料的性能。进一步的,连接基团L1和连接基团L2各自独立的选自单键和亚苯基。如此,第二主体材料和第一主体材料可以采用较短的连接基团或者采用单键,来提高基团D1、基团D2与其他结构之间的空间位阻,进而对第一主体材料和第二主体材料的共轭程度、电子云分布等进行微调,达成对第一主体材料和第二主体材料的优化,进而改善有机发光层主体材料的性能。
在本公开的一种实施方式中,基团D1和基团D2各自独立的选自取代或者未取代的基团E,未取代的基团E选自如下基团所组成的组:
取代的基团E被至少一个R7或者R8所取代;当取代的基团E上具有两个以上的R7时,任意两个R7相同或者不同;当取代的基团E上具有两个以上的R8时,任意两个R8相同或者不同。
进一步的,基团D1和基团D2各自独立的选自如下基团所组成的组:
在本公开的一种实施方式中,所述第一主体材料选自如下化合物所组成的组:
在本公开的一种实施方式中,所述第二主体材料选自如下化合物所组成的组:
本公开实施方式还提供一种显示面板,该显示面板包括至少一个本公开实施方式提供的OLED。
在本公开的一种实施方式中,该显示面板包括多个本公开实施方式提供的OLED,且至少两个相邻的OLED的发光堆叠层SSL的至少部分膜层相互连接。例如,在空穴注入层HIL和空穴传输层HTL可以覆盖相邻两个OLED所在区域以及两个OLED之间的区域。此时,当一个OLED发光时,该OLED的电流可以通过位于两个OLED之间的发光堆叠层SSL的部分膜层流向另一个OLED,容易导致另一个OLED也发光,该现象被称为串扰。而在本公开实施方式中,第二主体材料上设置有基团D2,该基团D2具有富电子特性而可以使得第二主体材料的LUMO能级变浅,进而抬高OLED的启亮电压,进而改善串扰。
可选的,可以通过蒸镀工艺或者溶液工艺来制备该OLED的有机发光层EML。举例而言,在本公开的一种实施方式中,可以先获得由该第二主体材料和第一主体材料预混合而形成的有机发光层主体材料,然后将该有机发光层主体材料与掺杂材料进行共蒸镀来形成有机发光层EML。再举例而言,在本公开的另一种实施方式中,可以将第一主体材料、第二主体材料和掺杂材料一起进行共蒸镀来形成有机发光层EML。
在本公开的一种实施方式中,参见图4,显示面板包括依次层叠设置的衬底基板BP、驱动层DRL、像素层PIXL和薄膜封装层TFE。其中,像素层PIXL设置有作为子像素的发光元件LD,驱动层DRL设置有用于驱动子像素的像素驱动电路。薄膜封装层TFE可以对像素层PIXL进行封装保护。各个子像素可以在像素驱动电路的驱动下发光以显示画面。
可选的,衬底基板BP可以为无机材料的衬底基板,也可以为有机材料的衬底基板;当然的,也可以为无机材料的衬底基板和有机材料的衬底基板层叠而成的复合基板。举例而言,在本公开的一些实施方式中,衬底基板BP的材料可以为钠钙玻璃、石英玻璃、蓝宝石玻璃等玻璃材料。在本公开的另外一些实施方式中,衬底基板BP的材料可以为聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇、聚乙烯基苯酚、聚醚砜、聚酰亚胺、聚酰胺、聚缩醛、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯或其组合。在本公开的另一些实施方式中,衬底基板BP也可以为柔性衬底基板,例如衬底基板BP的材料可以包括聚酰亚胺。
可选的,在驱动层DRL中,任意一个像素驱动电路可以包括有薄膜晶体管和存储电容。进一步地,薄膜晶体管可以选自顶栅型薄膜晶体管、底栅型薄膜晶体管或者双栅型薄膜晶体管;薄膜晶体管的有源层的材料可以为非晶硅半导体材料、低温多晶硅半导体材料、金属氧化物半导体材料、有机半导体材料、碳纳米管半导体材料或者其他类型的半导体材料;薄膜晶体管可以为N型薄膜晶体管或者P型薄膜晶体管。
可以理解的是,像素驱动电路中的各个晶体管中,任意两个晶体管之间的类型可以相同或者不相同。示例性地,在一些实施方式中,在一个像素驱动电路中,部分晶体管可以为N型晶体管且部分晶体管可以为P型晶体管。再示例性地,在另一些实施方式中,在一个像素驱动电路中,部分晶体管的有源层的材料可以为低温多晶硅半导体材料,且部分晶体管的有源层的材料可以为金属氧化物半导体材料。在本公开的一些实施方式中,薄膜晶体管为低温多晶硅晶体管。在本公开的另外一些实施方式中,部分薄膜晶体管为低温多晶硅晶体管,部分薄膜晶体管为金属氧化物晶体管。
可选地,驱动层DRL可以包括层叠于衬底基板BP和像素层PIXL之间的半导体层SCL、栅极绝缘层GI、栅极层GT、层间电介质层ILD、源漏金属层SD、平坦化层PLN等。各个薄膜晶体管和存储电容可以由半导体层SCL、栅极绝缘层GI、栅极层GT、层间电介质层ILD、源漏金属层SD等膜层形成。其中,各个膜层的位置关系可以根据薄膜晶体管的膜层结构确定。进一步地,半导体层SCL可以用于形成晶体管的沟道区,在必要时也可以通过导体化而形成部分走线或者导电结构。栅极层可以用于形成扫描走线、复位控制走线、发光控制走线等栅极层走线中的一种或者多种,也可以用于形成晶体管的栅极,还可以用于形成存储电容的部分或者全部电极板。源漏金属层可以用于形成数据走线、驱动电源电压走线等源漏金属层走线,也可以用于形成存储电容的部分电极板。当然的,在本公开的其他实施方式中,驱动层DRL还可以根据需要而包括其他膜层,例如还可以包括位于半导体层SCL和衬底基板BP之间的遮光层等。根据需要,上述半导体层SCL、栅极层GT、源漏金属层SD等膜层中的任意一种还可以为多层,例如驱动层DRL中可以包括不同的两层半导体层SCL,或者包括两层或者三层源漏金属层SD,或者包括两层或者三层的栅极层GT;相应的,驱动层DRL中的绝缘性膜层(例如栅极绝缘层GI、层间电介质层ILD、平坦化层PLN等)可以适应性的增加或者减少,或者根据需要增设新的绝缘性膜层。
可选地,驱动层DRL还可以包括有钝化层,钝化层可以设于源漏金属层SD远离衬底基板BP的表面,以便保护源漏金属层SD。
作为一种示例,参见图4,驱动层DRL可以包括依次层叠设置的Buff、半导体层SCL、栅极绝缘层GI、栅极层GT、层间电介质层ILD、源漏金属层SD和平坦化层PLN,如此所形成的薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管。
像素层PIXL可以设置有与像素驱动电路对应电连接的发光元件,发光元件可以作为显示面板的子像素。在本公开实施方式中,至少一个发光元件LD为本公开实施方式所提供的有机电致发光二极管(OLED)。
在本公开的一些实施方式中,像素层PIXL可以设置于驱动层DRL远离衬底基板BP的一侧,其可以包括依次层叠设置的像素电极层ANDL、像素定义层PDL、发光堆叠层SSL和公共电极层COML。其中,像素电极层ANDL在显示面板的显示区具有多个像素电极;像素定义层PDL在显示区具有与多个像素电极一一对应设置的多个贯通的像素开口,任意一个像素开口暴露对应的像素电极的至少部分区域。发光堆叠层SSL至少覆盖被像素定义层PDL所暴露的像素电极。公共电极层COML在显示区可以覆盖发光堆叠层SSL。像素电极和公共电极层COML向发光堆叠层SSL提供电子、空穴等载流子,以使得发光堆叠层SSL发光。发光堆叠层SSL位于像素电极和公共电极层COML之间的部分,可以作为发光功能单元。像素电极、公共电极层COML、发光功能单元形成发光元件LD。
在一种示例中,像素电极可以作为OLED的阳极,且公共电极层可以作为OLED的阴极。
可选的,参见图4,薄膜封装层TFE可以设于像素层PIXL远离衬底基板BP的表面,可以包括交替层叠设置的无机封装层和有机封装层。无机封装层可以有效的阻隔外界的水分和氧气,避免水氧入侵像素层PIXL而导致像素层PIXL中的材料老化。可选地,无机封装层的边缘可以位于外围区。有机封装层位于相邻的两层无机封装层之间,以便实现平坦化和减弱无机封装层之间的应力。其中,有机封装层的边缘,可以位于显示区的边缘和无机封装层的边缘之间。示例性地,薄膜封装层TFE包括依次层叠于像素层PIXL远离衬底基板BP一侧的第一无机封装层CVDA、有机封装层IJP和第二无机封装层CVDB。当然的,在本公开的其他实施方式中,显示面板也可以不设置薄膜封装层,而是采用其他方式对像素层进行封装和保护。
在本公开的一种实施方式中,该显示面板还包括位于薄膜封装层TFE远离衬底基板BP一侧的触控功能层TSL,该触控功能层TSL可以使得该显示面板具有触控功能。
在本公开的一种实施方式中,该显示面板还可以包括位于触控功能层TSL远离衬底基板BP一侧的降低反射层CFL,该降低反射层CFL可以降低显示面板对环境光线的反射,提高该显示面板的显示效果。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后,将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化,这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的,本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。
Claims (12)
1.一种有机发光层主体材料,其特征在于,包括第一主体材料和第二主体材料;所述第一主体材料的结构式如化学式1所示,所述第二主体材料的结构式如化学式2所示:
其中,D1、D2各自独立选自化学式III所示的基团:
环Ar为萘环;
X选自O、S、Se、C(O)、S(O2)、C(R9R10)、Si(R9R10)、NR9、PR9、P(O)R9、BR9中的任意一种;
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10各自独立的选自氘、卤素原子、腈基、硝基、羟基、羰基、酯基、酰亚胺基、酰胺基、经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的环烷基、经取代或未经取代的烷氧基、经取代或未经取代的芳氧基、经取代或未经取代的烷基硫基、经取代或未经取代的芳基硫基、经取代或未经取代的烷基磺酰基、经取代或未经取代的芳基磺酰基、经取代或未经取代的稀基、经取代或未经取代的甲硅烷基、经取代或未经取代的硼基、经取代或未经取代的胺基、经取代或未经取代的芳基膦基、经取代或未经取代的氧化磷基、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的杂环基,以及上述基团的氘代衍生物,且R1~R10可选择的与相邻基团键合以形成环;
L1和L2为连接基团,各自独立选自单键、取代或未取代的碳原子数1~30的烷基链、取代或未取代的碳原子数6~30的亚芳基、取代或未取代的碳原子数6~30的亚杂芳基,以及它们的氘代衍生物;
n1、n7和n8各自独立的选自0~4的整数;
n2、n3、n4、n5和n6各自独立的选自0~5的整数。
2.根据权利要求1所述的有机发光层主体材料,其特征在于,所述第一主体材料与所述第二主体材料的质量比在0.25~4的范围内。
3.根据权利要求1所述的有机发光层主体材料,其特征在于,X选自O、S、N(Ph)、C(Ph2)、C(Me2)。
4.根据权利要求1所述的有机发光层主体材料,其特征在于,R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10各自独立的选自氘、氟、腈基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、三氟甲基、苯基、萘基、联苯基、蒽基、菲基、芘基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基,或者相互连接以形成苯环。
5.根据权利要求1所述的有机发光层主体材料,其特征在于,L1、L2各自独立的选自单键、亚苯基、亚二联苯基、亚联苯基、亚萘基、亚二苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚9,9-二甲基芴基、亚9,9-二苯基芴基。
6.根据权利要求1所述的有机发光层主体材料,其特征在于,D1、D2各自独立的选自取代或者未取代的基团E,未取代的基团E选自如下基团所组成的组:
取代的基团E,被至少一个R7或者R8所取代;当取代的基团E上具有两个以上的R7时,任意两个R7相同或者不同;当取代的基团E上具有两个以上的R8时,任意两个R8相同或者不同。
7.根据权利要求1所述的有机发光层主体材料,其特征在于,D1、D2各自独立的选自如下基团所组成的组:
8.根据权利要求1所述的有机发光层主体材料,其特征在于,D1和D2相同。
9.根据权利要求1所述的有机发光层主体材料,其特征在于,所述第一主体材料选自如下化合物所组成的组:
10.根据权利要求1所述的有机发光层主体材料,其特征在于,所述第二主体材料选自如下化合物所组成的组:
11.一种有机电致发光二极管,其特征在于,包括层叠设置的阳极、有机发光层和阴极;
所述有机发光层包括掺杂材料和权利要求1~10任意一项所述的有机发光层主体材料。
12.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求11所述的有机电致发光二极管。
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