CN116634794A - 显示面板和显示装置 - Google Patents

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CN116634794A CN202310787250.3A CN202310787250A CN116634794A CN 116634794 A CN116634794 A CN 116634794A CN 202310787250 A CN202310787250 A CN 202310787250A CN 116634794 A CN116634794 A CN 116634794A
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邱丽霞
孙海雁
王丹
吴海东
吴桐
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BOE Technology Group Co Ltd
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Abstract

本公开提供一种显示面板和显示装置，属于显示技术领域。该显示面板包括依次层叠设置的驱动背板、像素电极层、发光功能层和公共电极层；所述发光功能层具有公共材料层，所述公共材料层覆盖多个所述发光元件之间的间隙；至少一层所述公共材料层具有空穴传输型含氮化合物，所述空穴传输型含氮化合物成膜后具有较高的横向电阻。该显示面板可以降低发光元件之间的串扰。

Description

显示面板和显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
OLED(有机电致发光二极管)、QLED(量子点发光二极管)等自发光显示技术具有色域广、响应速度快、视角宽、可折叠等优势，在越来越多的显示产品中得到应用。在一些显示产品中，不同子像素之间存在公共材料层，这使得不同子像素之间容易出现串扰。
需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种显示面板和显示装置，降低发光元件之间的串扰。
根据本公开的一个方面，提供一种显示面板，包括依次层叠设置的驱动背板、像素电极层、发光功能层和公共电极层；所述发光功能层具有公共材料层，所述公共材料层覆盖多个发光元件之间的间隙；至少一层所述公共材料层具有空穴传输型含氮化合物，所述空穴传输型含氮化合物的结构式如化学式1所示：
其中，L1、L2、L3各自独立的选自：单键、取代或者未取代的亚苯基、取代或者未取代的亚联苯基、取代或者未取代的亚萘基、取代或者未取代的亚菲基、取代或者未取代的亚三亚苯基、取代或者未取代的9,9’-二甲基亚芴基，取代或者未取代的9,9’-二苯基亚芴基、取代或者未取代的亚螺芴基、取代或者未取代的亚咔唑基；
Ar1～Ar3各自独立的选自：取代或者未取代的成环碳原子数为6～50的芳基、取代或者未取代的成环碳原子数为5～40的杂芳基、-N(Ar4Ar5)；所述Ar4、Ar5各自独立的选自：取代或者未取代的成环碳原子数为6～50的芳基、取代或者未取代的成环碳原子数为5～40的杂芳基；其中，所述Ar1～Ar3中的至少一者具有苯并五元环片段或者并二噻吩片段；
所述L1、L2、L3、Ar1、Ar2、Ar3、Ar4或者Ar5上具有取代基时，所述取代基选自氘、卤素、碳原子数为1～10的取代或者未取代的烷基、碳原子数为5～10的取代或者未取代的环烷基、碳原子数为6～30的取代或者未取代的芳基、碳原子数为5～30的取代或者未取代的杂芳基。
根据本公开的一种实施方式，Ar1～Ar3中的至少一者具有如下化学式2或者化学式3所示的基团：
其中，*表示与L1、L2、L3或者N连接；
L4、L5各自独立的选自：单键、取代或者未取代的亚苯基、取代或者未取代的亚联苯基、取代或者未取代的亚萘基、取代或者未取代的亚菲基、取代或者未取代的亚三亚苯基、取代或者未取代的9,9’-二甲基亚芴基，取代或者未取代的9,9’-二苯基亚芴基、取代或者未取代的亚螺芴基、取代或者未取代的亚咔唑基；
X选自N(R2)、C(R3R4)、O、S、Si(R3R4)；m为0、1或者2；
R1选自：氘、卤素、碳原子数为1～10的取代或者未取代的烷基、碳原子数为5～10的取代或者未取代的环烷基、碳原子数为6～30的取代或者未取代的芳基、碳原子数为5～30的取代或者未取代的杂芳基；
R2～R4各自独立的选自碳原子数为1～10的取代或者未取代的烷基、碳原子数为5～10的取代或者未取代的环烷基、碳原子数为6～30的取代或者未取代的芳基、碳原子数为5～30的取代或者未取代的杂芳基；
当R1的数量为两个时，两个R1还可以相互连接成芳香环或者脂肪环；
R3和R4还可以相互连接成芳香环或者脂肪环。
根据本公开的一种实施方式，所述L1、L2和L3各自独立的选自单键、亚苯基、亚联苯基、亚三联苯基、亚萘基、亚三亚苯基；
所述Ar1～Ar5各自独立的选自9,9’-二甲基亚芴基、螺芴基、苯并噻吩基、N-苯基咔唑基、苯基、联苯基、9-苯基-1,2,3,4-四氢咔唑基、苯基取代的噻吩并[3,2-b]噻吩基、噻吩并[3,2-b]噻吩基、萘基、9,9’-二苯基亚芴基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基；且Ar1～Ar3中的至少一个含有苯基取代的噻吩并[3,2-b]噻吩基或者噻吩并[3,2-b]噻吩基。
根据本公开的一种实施方式，所述空穴传输型含氮化合物选自如下化合物所组成的组：
化合物19化合物20化合物21。
根据本公开的一种实施方式，所述发光功能层包括空穴注入材料层；所述空穴注入材料层覆盖多个所述发光元件之间的间隙且具有所述空穴传输型含氮化合物。
根据本公开的一种实施方式，所述空穴注入材料层的材料由所述空穴传输型含氮化合物和P型掺杂剂组成，所述P型掺杂剂的质量含量不超过3％。
根据本公开的一种实施方式，所述空穴注入材料层的材料由所述空穴传输型含氮化合物和P型掺杂剂组成，所述P型掺杂剂的质量含量在0.5％～1.5％之间。
根据本公开的一种实施方式，所述发光功能层包括P型电荷产生材料层，所述P型电荷产生材料层覆盖多个所述发光元件之间的间隙且具有所述空穴传输型含氮化合物。
根据本公开的一种实施方式，所述P型电荷产生材料层的材料由所述空穴传输型含氮化合物和P型掺杂剂组成，所述P型掺杂剂的质量含量不小于10％。
根据本公开的一种实施方式，所述P型电荷产生材料层的材料由所述空穴传输型含氮化合物和P型掺杂剂组成，所述P型掺杂剂的质量含量在10％～15％之间。
根据本公开的一种实施方式，所述发光功能层包括N型电荷产生材料层，所述N型电荷产生材料层覆盖多个所述发光元件之间的间隙；所述N型电荷产生材料层的材料由电子传输型化合物和N型掺杂剂组成；所述电子传输型化合物含有菲咯啉片段或磷氧片段。
根据本公开的一种实施方式，所述显示面板在所述发光元件之间设置有隔断结构；至少一层所述公共材料层在所述隔断结构处不连续设置。
根据本公开的一种实施方式，所述显示面板在所述像素电极层和所述发光功能层之间设置有像素定义层，所述隔断结构设置于所述像素定义层。
根据本公开的一种实施方式，所述发光元件包括红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件；
所述红色发光元件和所述绿色发光元件之间设置有所述隔断结构。
根据本公开的一种实施方式，所述发光功能层包括覆盖多个所述发光元件之间的间隙的空穴注入材料层；所述空穴注入材料层在所述隔断结构处不连续设置。
根据本公开的一种实施方式，所述发光功能层包括覆盖多个所述发光元件之间的间隙的电荷产生材料层，所述电荷产生材料层在所述隔断结构处不连续设置。
根据本公开的一种实施方式，所述显示面板还包括设置于所述公共电极层远离所述驱动背板一侧的辅助电极层，所述辅助电极层与所述公共电极层电连接且与所述发光元件不交叠。
根据本公开的一种实施方式，所述显示面板在所述公共电极层和所述辅助电极层之间设置有有机覆盖层；所述有机覆盖层具有暴露所述公共电极层的连接过孔，所述辅助电极层通过所述连接过孔与所述公共电极层电连接。
根据本公开的另一方面，还提供一种显示装置，包括上述的显示面板。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本公开一种实施方式中，显示面板的结构示意图。
图2为本公开一种实施方式中，像素层的局部结构示意图。
图3为本公开一种实施方式中，像素层的局部结构示意图。
图4为本公开一种实施方式中，显示面板的局部结构示意图。
图5为本公开一种实施方式中，像素层的局部结构示意图。
图6为本公开一种实施方式中，发光元件的结构示意图。
图7为本公开一种实施方式中，发光元件的结构示意图。
图8为本公开一种实施方式中，发光元件的结构示意图。
图9为本公开一种实施方式中，发光元件的结构示意图。
图10为本公开一种实施方式中，像素层的局部结构示意图。
图11为本公开一种实施方式中，空穴注入材料层中的P型掺杂剂的质量含量与空穴注入材料层的横向电流之间的关系图。
图12为本公开一种实施方式中，像素定义层设置隔断结构的结构示意图。
图13为本公开一种实施方式中，隔断结构隔断公共材料层的结构示意图。
图14为本公开一种实施方式中，像素定义层设置隔断结构的结构示意图。
图15为本公开一种实施方式中，隔断结构隔断公共材料层的结构示意图。
图16为本公开一种实施方式中，像素层设置辅助电极层的结构示意图。
附图标记说明：
AA、显示区；AE、阳极；BB、外围区；BEBL、蓝色发光元件的电子阻挡层；BEML、蓝色发光元件有机发光层；B、蓝色发光元件；BP、衬底基板；Buff、无机缓冲层；CE、阴极；CFL、彩膜层；CGL、电荷产生层；CGLX、电荷产生材料层；CML、有机覆盖层；CNT、连接过孔；COML、公共电极层；COMLX、辅助电极层；CVD1、第一无机封装层；CVD2、第二无机封装层；DBP、驱动背板；DH、行方向；DRL、驱动层；DV、列方形；DX、第一方向；DY、第二方向；EBL、电子阻挡层；EFL、发光功能层；EFU、发光功能单元；EIL、电子注入层；EILX、电子注入材料层；ELS、发光堆叠结构；EML、有机发光层；ETL、电子传输层；ETLX、电子传输材料层；GEBL、绿色发光元件的电子阻挡层；GEML、绿色发光元件的有机发光层；GI、栅极绝缘层；G、绿色发光元件；GT、栅极层；HBL、空穴阻挡层；HBLX、空穴阻挡材料层；HIL、空穴注入层；HILX、空穴注入材料层；HTL、空穴传输层；HTLX、空穴传输材料层；IJP、有机封装层；ILD、层间电介质层；NCGL、N型电荷产生层；NCGLX、N型电荷产生材料层；PCGL、P型电荷产生层；PCGLX、P型电荷产生材料层；PDL、像素定义层；PE、像素电极；PEL、像素电极层；PIXL、像素层；PLN、平坦化层；PNL、显示面板；PTS、隔断结构；QDL、量子点层；REBL、红色发光元件的电子阻挡层；REML、红色发光元件的有机发光层；R、红色发光元件；SCL、半导体层；SD、源漏金属层；TFE、薄膜封装层；TFT、薄膜晶体管；TSL、触控功能层；LD、发光元件。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。
虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”、“第二”和“第三”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。
本公开实施方式提供一种显示面板PNL，参见图1，该显示面板PNL包括显示区AA和位于显示区AA至少一侧的外围区BB，例如外围区BB围绕显示区AA。在显示区AA中，显示面板PNL设置有用于显示的子像素；在外围区BB中，显示面板PNL可以不设置用于显示的子像素，或者所设置的子像素并不用于显示画面。
在本公开实施方式中，显示面板PNL中的子像素为薄膜型自发光的发光元件LD，例如为OLED、PLED、QLED等。进一步的，位于显示区AA的发光元件LD包括多种不同颜色的发光元件LD。举例而言，在图2和图3的示例中，发光元件LD包括用于发出红光的红色发光元件R、用于发出绿光的蓝色发光元件B和用于发出绿光的绿色发光元件G。可以理解的是，在本公开的其他实施方式中，显示区AA中的发光元件LD也可以仅一种颜色的发光元件LD，或者也可以具有其他颜色的发光元件LD(例如用于发出黄光的黄色发光元件、用于发出青光的青色发光元件、用于发出白光的白色发光元件等)。
在本公开的一种实施方式中，参见图4，显示面板PNL可以包括依次层叠设置的驱动背板DBP和像素层PIXL，像素层PIXL中设置有发光元件LD且驱动背板DBP用于驱动像素层PIXL中的发光元件LD。其中，驱动背板DBP可以采用有源驱动的方式来驱动各个发光元件LD，也可以采用无源驱动的方式来驱动各个发光元件LD。
在本公开的一种实施方式中，参见图4，驱动背板DBP包括衬底基板BP和设于衬底基板BP一侧的驱动层DRL；像素层PIXL设于驱动层DRL远离衬底基板BP的一侧。驱动层DRL设置有用于驱动发光元件LD的像素驱动电路；各个发光元件LD可以在像素驱动电路的驱动下发光以显示画面。进一步的，显示面板PNL还包括位于像素层PIXL远离驱动背板DBP一侧的薄膜封装层TFE，薄膜封装层TFE可以对像素层PIXL进行封装保护。
可选的，衬底基板BP可以为无机材料的衬底基板，也可以为有机材料的衬底基板；当然的，也可以为无机材料的衬底基板和有机材料的衬底基板层叠而成的复合基板。举例而言，在本公开的一些实施方式中，衬底基板BP的材料可以为钠钙玻璃、石英玻璃、蓝宝石玻璃等玻璃材料。在本公开的另外一些实施方式中，衬底基板BP的材料可以为聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇、聚乙烯基苯酚、聚醚砜、聚酰亚胺、聚酰胺、聚缩醛、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯或其组合。在本公开的另一些实施方式中，衬底基板BP也可以为柔性衬底基板，例如衬底基板BP的材料可以包括聚酰亚胺。
可选的，在驱动层DRL中，任意一个像素驱动电路可以包括有薄膜晶体管TFT和存储电容。进一步地，薄膜晶体管TFT可以选自顶栅型薄膜晶体管、底栅型薄膜晶体管或者双栅型薄膜晶体管；薄膜晶体管的有源层的材料可以为非晶硅半导体材料、低温多晶硅半导体材料、金属氧化物半导体材料、有机半导体材料、碳纳米管半导体材料或者其他类型的半导体材料；薄膜晶体管可以为N型薄膜晶体管或者P型薄膜晶体管。
可以理解的是，像素驱动电路中的各个晶体管中，任意两个晶体管之间的类型可以相同或者不相同。示例性地，在一些实施方式中，在一个像素驱动电路中，部分晶体管可以为N型晶体管且部分晶体管可以为P型晶体管。再示例性地，在另一些实施方式中，在一个像素驱动电路中，部分晶体管的有源层的材料可以为低温多晶硅半导体材料，且部分晶体管的有源层的材料可以为金属氧化物半导体材料。在本公开的一些实施方式中，薄膜晶体管为低温多晶硅晶体管。在本公开的另外一些实施方式中，部分薄膜晶体管为低温多晶硅晶体管，部分薄膜晶体管为金属氧化物晶体管。
可选地，驱动层DRL可以包括层叠于衬底基板BP和像素层PIXL之间的半导体层SCL、栅极绝缘层GI、栅极层GT、层间电介质层ILD、源漏金属层SD、平坦化层PLN等。各个薄膜晶体管和存储电容可以由半导体层SCL、栅极绝缘层GI、栅极层GT、层间电介质层ILD、源漏金属层SD等膜层形成。其中，各个膜层的位置关系可以根据薄膜晶体管的膜层结构确定。进一步地，半导体层SCL可以用于形成晶体管的沟道区，在必要时也可以通过导体化而形成部分走线或者导电结构。栅极层可以用于形成扫描走线、复位控制走线、发光控制走线等栅极层走线中的一种或者多种，也可以用于形成晶体管的栅极，还可以用于形成存储电容的部分或者全部电极板。源漏金属层可以用于形成数据走线、驱动电源电压走线等源漏金属层走线，也可以用于形成存储电容的部分电极板。当然的，在本公开的其他实施方式中，驱动层DRL还可以根据需要而包括其他膜层，例如还可以包括位于半导体层SCL和衬底基板BP之间的遮光层等。根据需要，上述半导体层SCL、栅极层GT、源漏金属层SD等膜层中的任意一种还可以为多层，例如驱动层DRL中可以包括不同的两层半导体层SCL，或者包括两层或者三层源漏金属层SD，或者包括两层或者三层的栅极层GT；相应的，驱动层DRL中的绝缘性膜层(例如栅极绝缘层GI、层间电介质层ILD、平坦化层PLN等)可以适应性的增加或者减少，或者根据需要增设新的绝缘性膜层。
可选地，驱动层DRL还可以包括有钝化层，钝化层可以设于源漏金属层SD远离衬底基板BP的表面，以便保护源漏金属层SD。
作为一种示例，参见图4，驱动层DRL可以包括依次层叠设置的无机缓冲层Buff、半导体层SCL、栅极绝缘层GI、栅极层GT、层间电介质层ILD、源漏金属层SD和平坦化层PLN，如此所形成的薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管。
可以理解的是，上述对驱动背板DBP的示例仅仅为本公开实施方式的驱动背板DBP的一种可能方式。在本公开的其他实施方式中，驱动背板DBP还可以为其他结构，例如驱动背板DBP也可以为无源驱动玻璃基板、硅基驱动基板等。
参见图4和图5，像素层PIXL中的发光元件LD为薄膜型发光元件，其可以包括层叠设置的两个电极以及夹设于两个电极之间的发光功能单元EFU。举例而言，参见图4，像素层PIXL可以包括依次层叠设置的像素电极层PEL、发光功能层EFL和公共电极层COML。其中，像素电极层PEL在显示面板的显示区具有多个像素电极PE；发光功能层EFL与像素电极PE连接的部分作为发光元件LD的发光功能单元EFU，公共电极层COML作为公共电极与各个发光元件LD的发光功能单元EFU电连接。
进一步的，像素层PIXL还可以包括位于像素电极层PEL和发光功能层EFL之间的像素定义层PDL。像素定义层PDL具有与多个像素电极PE一一对应设置的多个贯通的像素开口，任意一个像素开口暴露对应的像素电极的至少部分区域。例如，像素定义层PDL覆盖像素电极PE的边缘且暴露像素电极PE的至少部分内部区域，以使得像素定义层PDL可以有效的定义像素电极PE的实际有效区域(直接与发光功能单元EFU连接的区域)，进而定义发光元件LD的发光区域和发光面积。发光功能层EFL至少覆盖被像素定义层PDL所暴露的像素电极PE。公共电极层COML在显示区可以覆盖发光功能层EFL。像素电极PE和公共电极层COML向发光功能层EFL提供电子、空穴等载流子，以使得发光功能层EFL发光。发光功能层EFL位于像素电极PE和公共电极层COML之间的部分，可以作为发光功能单元EFU。像素电极PE、公共电极层COML、发光功能单元EFU形成发光元件LD。其中，像素电极PE和公共电极层COML中的一者作为发光元件LD的阳极，且另一者作为发光元件LD的阴极。
在一种示例中，像素电极PE作为发光元件LD的阳极，且公共电极层COML作为发光元件LD的阴极。
可以理解的是，发光元件的类型不同，发光功能单元EFU的材料和膜层不同。
举例而言，参见图6，当发光元件为OLED时，发光功能单元EFU可以包括有机发光层EML，以及可以包括有空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子阻挡层EBL、空穴阻挡层HBL、电子传输层ETL和电子注入层EIL中的一种或者多种。进一步的，有机发光层EML可以包括发光层主体材料和发光层客体材料，该发光层客体材料可以为荧光掺杂剂或者磷光掺杂剂，尤其是可以为热激活延迟荧光材料。参见图7，当该OLED采用堆叠结构时，发光功能层EFL中还可以设置有电荷产生层CGL。
再举例而言，参见图8，当发光元件为QLED时，发光功能单元EFU可以包括量子点层QDL，以及可以包括空穴注入层HIL、电子传输层ETL、电子阻挡层EBL、空穴阻挡层HBL、电子传输层ETL和电子注入层EIL中的一种或者多种。进一步的，量子点层QDL可以具有量子点颗粒，量子点颗粒之间可以通过表面修饰基团相互连接。参见图9，当该QLED采用堆叠结构时，发光功能单元EFU中还可以设置有电荷产生层CGL。
在本公开实施方式中，参见图6～图9，发光功能单元EFU可以包括一层发光堆叠结构ELS，也可以包括层叠的多层发光堆叠结构ELS。当发光功能单元EFU包括多层发光堆叠结构ELS时，相邻两层发光堆叠结构ELS之间可以设置有电荷产生层CGL。其中，每一层发光堆叠结构ELS均设置有一层或者多层发光层，该发光层可以为有机发光层EML或者量子点层QDL中的任意一者。
在图6和图8的示例中，发光功能单元EFU具有一层发光堆叠结构ELS。参见图6和图8，该发光元件LD包括依次层叠设置的阳极AE、发光堆叠结构ELS、阴极CE；其中，发光堆叠结构ELS包括依次层叠设置的空穴调节层、发光层(例如有机发光层EML或者量子点层QDL)、电子调节层；空穴调节层位于发光层靠近阳极AE的一侧，且电子调节层位于发光层靠近阴极CE的一侧。阳极AE用于通过空穴调节层向发光层注入空穴，阴极CE用于通过电子调节层向发光层注入电子。空穴调节层和电子调节层分别用于调节注入发光层的空穴和电子的注入效率和注入速度，以及对注入的电子和空穴的能级进行调节，提高空穴注入和电子注入的平衡性，进而改善发光功能单元EFU的性能，例如提高发光元件LD的发光效率、提高发光元件LD的器件寿命、降低发光元件LD的电源电压等中的一者或者多者。
空穴调节层可以包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子阻挡层EBL等膜层中的一层或者多层，其中，空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子阻挡层EBL等沿从阳极AE至发光层的方向依次堆叠设置。可以理解的是，在一些示例中，空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子阻挡层EBL等膜层中的一者或者多者可以设置为多层层叠结构，例如空穴传输层HTL可以包括层叠设置的第一种空穴传输层和第二种空穴传输层等。
电子调节层可以包括电子注入层EIL、电子传输层ETL、空穴阻挡层HBL等膜层中的一层或者多层，其中，电子注入层EIL、电子传输层ETL、空穴阻挡层HBL等沿从阴极CE至发光层的方向依次堆叠设置。可以理解的是，在一些示例中，电子注入层EIL、电子传输层ETL、空穴阻挡层HBL等膜层中的一者或者多者可以设置为多层层叠结构，例如电子传输层ETL可以包括层叠设置的第一种电子传输层和第二种电子传输层等。
在图7和图9的示例中，发光功能单元EFU具有多层层叠的发光堆叠结构ELS(图7和图9中示例了两层发光堆叠结构ELS)。参见图7和图9，该发光元件LD包括依次层叠设置的阳极AE、多层层叠的发光堆叠结构ELS和阴极CE。其中，任意一层发光堆叠结构ELS包括依次层叠设置的空穴调节层、发光层(例如有机发光层EML或者量子点层QDL)、电子调节层，空穴调节层位于发光层靠近阳极AE的一侧，且电子调节层位于发光层靠近阴极CE的一侧。
可选的，发光功能单元EFU还可以包括位于相邻两层发光堆叠结构ELS之间的电荷产生层CGL，以提高向相邻的两个发光堆叠结构ELS注入电子和空穴的效率。举例而言，电荷产生层CGL包括层叠设置于相邻两层发光堆叠结构ELS之间的N型电荷产生层NCGL和P型电荷产生层PCGL；其中，N型电荷产生层NCGL与其中一个发光堆叠结构ELS的电子调节层相邻设置，用于向该发光堆叠结构ELS的电子调节层注入电子；P型电荷产生层PCGL与另一个发光堆叠结构ELS的空穴调节层相邻设置，用于向该发光堆叠结构ELS的空穴调节层注入空穴。换言之，P型电荷产生层PCGL设于N型电荷产生层NCGL远离阳极AE的一侧。当然的，可以理解的是，在其他示例中，电荷产生层CGL还可以包括其他结构。
可以理解的是，在本公开的一些其他实施方式中，发光堆叠结构ELS的电子调节层可以被省略，或者还具有电子注入层EIL、电子传输层ETL和空穴阻挡层HBL之外的其他结构。
可以理解的是，在本公开的一些其他实施方式中，发光堆叠结构ELS的空穴调节层可以被省略，或者还具有空穴注入层HIL、空穴传输层HTL和电子阻挡层EBL之外的其他结构。
可以理解的是，当发光堆叠结构ELS中设置有多层发光层时，多层发光层的颜色可以相同或者不同，多层发光层的种类可以相同或者不同。举例而言，某一个发光堆叠结构ELS中设置有两层发光层，该两层发光层可以分别为层叠设置的红色有机发光层EML和绿色有机发光层EML。再举例而言，某一个发光堆叠结构ELS中设置有两层发光层，该两层发光层可以分别为层叠设置的红色有机发光层EML和红色量子点层QDL。
可以理解的是，对于任意一个发光堆叠结构ELS，其可以设置有发光层(例如量子点层QDL或者有机发光层EML)，以及设置有空穴注入层HIL、电子传输层ETL、电子阻挡层EBL、空穴阻挡层HBL、电子传输层ETL和电子注入层EIL中的一种或者多种，或者根据需要添加其他膜层。当然的，发光堆叠结构ELS中，也可以省略空穴注入层HIL、电子传输层ETL、电子阻挡层EBL、空穴阻挡层HBL、电子传输层ETL和电子注入层EIL中的一种或者多种。对于同一发光元件LD的两个发光堆叠结构ELS，两个发光堆叠结构ELS的膜层结构可以相同或者不同。
举例而言，在图10的示例中，显示面板PNL上设置有红色发光元件R、绿色发光元件G和蓝色发光元件B等三种不同颜色的发光元件LD；每个发光元件LD的发光功能单元EFU均包括层叠设置的发光堆叠结构ELS、电荷产生层CGL和发光堆叠结构ELS。在该示例中，靠近阳极AE的发光堆叠结构ELS包括依次层叠设置的空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子阻挡层EBL(例如红色发光元件的电子阻挡层REBL、绿色发光元件的电子阻挡层GEBL或者蓝色发光元件的电子阻挡层BEBL)、有机发光层EML(例如红色发光元件的有机发光层REML、绿色发光元件的有机发光层GEML或者蓝色发光元件有机发光层BEML)、空穴阻挡层HBL；换言之，该发光堆叠结构ELS中省略了电子传输层和电子注入层。在该示例中，靠近阴极CE的发光堆叠结构ELS包括依次层叠设置的空穴传输层HTL、电子阻挡层EBL(例如红色发光元件的电子阻挡层REBL、绿色发光元件的电子阻挡层GEBL或者蓝色发光元件的电子阻挡层BEBL)、有机发光层EML(例如红色发光元件的有机发光层REML、绿色发光元件的有机发光层GEML或者蓝色发光元件有机发光层BEML)、空穴阻挡层HBL、电子传输层ETL和空穴注入层HIL；换言之，该发光堆叠结构ELS中省略了空穴注入层。
参见图4，薄膜封装层TFE可以设于像素层PIXL远离衬底基板BP的表面，其可以包括交替层叠设置的无机封装层和有机封装层。无机封装层可以有效的阻隔外界的水分和氧气，避免水氧入侵像素层PIXL而导致像素层PIXL中的材料老化。可选地，无机封装层的边缘可以位于外围区。有机封装层位于相邻的两层无机封装层之间，以便实现平坦化和减弱无机封装层之间的应力。其中，有机封装层的边缘可以位于显示区的边缘和无机封装层的边缘之间。示例性地，薄膜封装层TFE包括依次层叠于像素层PIXL远离衬底基板BP一侧的第一无机封装层CVD1、有机封装层IJP和第二无机封装层CVD2。当然的，在本公开的其他实施方式中，显示面板也可以不设置薄膜封装层，而是采用其他方式对像素层进行封装和保护。
在本公开的一些实施方式中，参见图4，显示面板PNL还可以包括触控功能层TSL，触控功能层TSL可以设置于薄膜封装层TFE远离驱动背板DBP的一侧，以使得该显示面板PNL具有触控功能。
在本公开的一些实施方式中，参见图4，显示面板PNL还可以包括彩膜层CFL，彩膜层CFL可以设置于薄膜封装层TFE远离驱动背板DBP的一侧，以降低对环境光线的反射，提高显示质量。
在本公开实施方式中，由于工艺原因，例如采用开放式掩膜工艺时，发光功能层EFL中可以存在公共材料层，该公共材料层可以覆盖多个发光元件LD之间的间隙，这使得相邻发光元件LD之间通过公共材料层相连。举例而言，公共材料层可以覆盖显示区AA而同时应用于各个发光功能单元EFU，该公共材料层在各个发光功能单元EFU中的部分作为该发光功能单元EFU的结构膜层(例如空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子阻挡层EBL、N型电荷产生层NCGL、P型电荷产生层PCGL、空穴阻挡层HBL、电子传输层ETL和电子注入层EIL等中的一者)。
举例而言，在图10的示例中，发光功能层EFL设置有空穴注入材料层HILX、空穴传输材料层HTLX、空穴阻挡材料层HBLX、N型电荷产生材料层NCGLX、P型电荷产生材料层PCGLX、电子传输材料层ETLX、电子注入材料层EILX等。该空穴注入材料层HILX覆盖多个发光元件之间的间隙，例如覆盖显示区AA；空穴注入材料层HILX位于各个发光功能单元EFU的部分，作为该发光功能单元EFU的空穴注入层HIL；该空穴注入材料层HILX为该发光功能层EFL的一个公共材料层。该空穴传输材料层HTLX覆盖多个发光元件之间的间隙，例如覆盖显示区AA；空穴传输材料层HTLX位于各个发光功能单元EFU的部分，作为该发光功能单元EFU的空穴传输层HTL；该空穴传输材料层HTLX为该发光功能层EFL的一个公共材料层。该空穴阻挡材料层HBLX覆盖多个发光元件之间的间隙，例如覆盖显示区AA；空穴阻挡材料层HBLX位于各个发光功能单元EFU的部分，作为该发光功能单元EFU的空穴阻挡层HBL；该空穴阻挡材料层HBLX为该发光功能层EFL的一个公共材料层。该N型电荷产生材料层NCGLX覆盖多个发光元件之间的间隙，例如覆盖显示区AA；N型电荷产生材料层NCGLX位于各个发光功能单元EFU的部分，作为该发光功能单元EFU的N型电荷产生层NCGL；该N型电荷产生材料层NCGLX为该发光功能层EFL的一个公共材料层。该P型电荷产生材料层PCGLX覆盖多个发光元件之间的间隙，例如覆盖显示区AA；P型电荷产生材料层PCGLX位于各个发光功能单元EFU的部分，作为该发光功能单元EFU的P型电荷产生层PCGL；该P型电荷产生材料层PCGLX为该发光功能层EFL的一个公共材料层。该电子传输材料层ETLX覆盖多个发光元件之间的间隙，例如覆盖显示区AA；电子传输材料层ETLX位于各个发光功能单元EFU的部分，作为该发光功能单元EFU的电子传输层ETL；该电子传输材料层ETLX为该发光功能层EFL的一个公共材料层。该电子注入材料层EILX覆盖多个发光元件之间的间隙，例如覆盖显示区AA；电子注入材料层EILX位于各个发光功能单元EFU的部分，作为该发光功能单元EFU的电子注入层EIL；该电子注入材料层EILX为该发光功能层EFL的一个公共材料层。
可以理解的是，图10中所示例的公共材料层仅仅为本公开实施方式的公共材料层的示例；在本公开的其他实施方式中，可以设置有其他公共材料层，或者可以省略图10中所示例的至少部分公共材料层。
然而，当一个发光元件LD上加载驱动电流而发光时，该驱动电流可能会沿着公共材料层横向漏电至另一个发光元件LD上而导致另一个发光元件LD发光，这导致相邻发光元件LD之间发生串扰。尤其是，当绿色发光元件G发光时，会使得相邻的红色发光元件R发光。绿色发光元件G发光灰阶越低，被串扰的红色发光元件R的发光灰阶与绿色发光元件G的发光灰阶越接近，这导致串扰越严重。
发明人对该串扰进行解析时发现，相关技术中，发光功能层EFL中部分公共材料层的横向电阻比较小，这会导致横向漏电比较严重。尤其是，发光功能层EFL的至少部分具有空穴传输型材料的公共材料层的横向电阻比较小，会产生较大的横向电流。举例而言，在一些相关技术中，空穴注入层和空穴传输层采用相同的空穴传输型材料，这些空穴传输型材料的横向电阻都比较小；不仅如此，空穴注入层中还会掺杂P型掺杂剂，导致空穴注入层的横向电流增大数百倍。
为此，在本公开的一些实施方式中，发光功能层EFL的至少一层公共材料层可以具有空穴传输型含氮化合物，该空穴传输型含氮化合物的结构式如化学式1所示：
其中，L1、L2、L3各自独立的选自：单键、取代或者未取代的亚苯基、取代或者未取代的亚联苯基、取代或者未取代的亚萘基、取代或者未取代的亚菲基、取代或者未取代的亚三亚苯基、取代或者未取代的9,9’-二甲基亚芴基，取代或者未取代的9,9’-二苯基亚芴基、取代或者未取代的亚螺芴基、取代或者未取代的亚咔唑基；
Ar1～Ar3各自独立的选自：取代或者未取代的成环碳原子数为6～50的芳基、取代或者未取代的成环碳原子数为5～40的杂芳基、-N(Ar4Ar5)；所述Ar4、Ar5各自独立的选自：取代或者未取代的成环碳原子数为6～50的芳基、取代或者未取代的成环碳原子数为5～40的杂芳基；其中，所述Ar1～Ar3中的至少一者具有苯并五元环片段或者并二噻吩片段；
所述L1、L2、L3、Ar1、Ar2、Ar3、Ar4或者Ar5上具有取代基时，所述取代基选自氘、卤素、碳原子数为1～10的取代或者未取代的烷基、碳原子数为5～10的取代或者未取代的环烷基、碳原子数为6～30的取代或者未取代的芳基、碳原子数为5～30的取代或者未取代的杂芳基。
在该实施方式中，至少一个公共材料层采用空穴传输型含氮化合物，例如空穴注入材料层HILX或者空穴传输材料层HTLX等采用空穴传输型含氮化合物。该空穴传输型含氮化合物具有苯并五元环片段或并二噻吩片段，该片段使得空穴传输型含氮化合物具有大位阻且具有大的横向电阻，进而使得采用该空穴传输型含氮化合物的公共材料层的横向漏电减小，减弱或者消除相邻发光元件LD之间的串扰。
在本公开的一种实施方式中，所述L1、L2和L3各自独立的选自单键、取代或者未取代的亚苯基、取代或者未取代的亚联苯基、取代或者未取代的亚三联苯基、取代或者未取代的亚萘基、取代或者未取代的亚三亚苯基。
在本公开的一种实施方式中，当L1、L2和L3上具有取代基时，该取代基选自氘、氟、甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、环芴基、环己基、金刚烷基、苯基、萘基、二联苯基、咔唑基、苯并噻吩基、苯并呋喃基。
在一种示例中，所述L1、L2和L3各自独立的选自单键、亚苯基、亚联苯基、亚三联苯基、亚萘基、亚三亚苯基。
在本公开的一种实施方式中，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4或者Ar5上具有取代基时，所述取代基选自氘、氟、甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、环芴基、环己基、金刚烷基、苯基、萘基、二联苯基、咔唑基、苯并噻吩基、苯并呋喃基。
在本公开的一种实施方式中，Ar1～Ar3中的至少一者具有如下化学式2或者化学式3所示的基团：
其中，*表示与L1、L2、L3或者N连接；
L4、L5各自独立的选自：单键、取代或者未取代的亚苯基、取代或者未取代的亚联苯基、取代或者未取代的亚萘基、取代或者未取代的亚菲基、取代或者未取代的亚三亚苯基、取代或者未取代的9,9’-二甲基亚芴基，取代或者未取代的9,9’-二苯基亚芴基、取代或者未取代的亚螺芴基、取代或者未取代的亚咔唑基；
X选自N(R2)、C(R3R4)、O、S、Si(R3R4)；m为0、1或者2；
R1选自：氘、卤素、碳原子数为1～10的取代或者未取代的烷基、碳原子数为5～10的取代或者未取代的环烷基、碳原子数为6～30的取代或者未取代的芳基、碳原子数为5～30的取代或者未取代的杂芳基；
R2～R4各自独立的选自碳原子数为1～10的取代或者未取代的烷基、碳原子数为5～10的取代或者未取代的环烷基、碳原子数为6～30的取代或者未取代的芳基、碳原子数为5～30的取代或者未取代的杂芳基；
当R1的数量为两个且分别连接于相邻的两个碳原子上时，两个R1还可以相互连接成芳香环或者脂肪环；
R3和R4还可以相互连接成芳香环或者脂肪环。可以理解的是，R3和R4可以各自独立的连接于C或者Si上而不相互连接成环，也可以相互连接形成芳香环或者脂肪环。
在一种示例中，当L4、L5上具有取代基时，该取代基选自氘、氟、甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、环芴基、环己基、金刚烷基、苯基、萘基、二联苯基、咔唑基、苯并噻吩基、苯并呋喃基。
在一种示例中，L4、L5各自独立的选自单键、亚苯基、亚联苯基、亚三联苯基、亚萘基、亚三亚苯基。
在一种示例中，R1选自氘、氟、甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、环芴基、环己基、金刚烷基、苯基、萘基、二联苯基、咔唑基、苯并噻吩基、苯并呋喃基。
在一种示例中，R2～R4各自独立的选自甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、环芴基、环己基、金刚烷基、苯基、萘基、二联苯基、咔唑基、苯并噻吩基、苯并呋喃基。
在本公开的一种实施方式中，所述Ar1～Ar5各自独立的选自9,9’-二甲基亚芴基、螺芴基、苯并噻吩基、N-苯基咔唑基、苯基、联苯基、9-苯基-1,2,3,4-四氢咔唑基、苯基取代的噻吩并[3,2-b]噻吩基、噻吩并[3,2-b]噻吩基、萘基、9,9’-二苯基亚芴基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基；且Ar1～Ar3中的至少一个含有苯基取代的噻吩并[3,2-b]噻吩基或者噻吩并[3,2-b]噻吩基。
在本公开的一种实施方式中，所述空穴传输型含氮化合物选自如下化合物所组成的组：
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/>
在本公开实施方式中，还对部分空穴传输型含氮化合物进行了性能测试。在该测试中，采用的对照化合物为常见的空穴传输型化合物NPB。将测试化合物和对照化合物均掺杂3％的P型掺杂剂，然后在10V的测试电压下测量横向电流。测试结果以NPB的横向电流作为基准，其他各个测试化合物的横向电流进行归一化处理。测试结果请参见表1：
表1
/>
通过表1的测试数据可以看出，本公开实施方式提供的空穴传输型含氮化合物可以有效的减小横向电流。因此，当该空穴传输型含氮化合物应用于发光功能层EFL的公共材料层时，可以避免公共材料层的横向电流太大而引起不同发光元件LD之间的串扰。
在本公开的一些实施方式中，L1、L2和L3均为单键，以使得空穴传输型含氮化合物具有大的空间位阻，降低空穴传输型含氮化合物成膜后的横向电流。
在本公开的一些实施方式中，Ar1、Ar2、Ar3中的至少一者为9,9’-二甲基芴基、9,9’-二苯基芴基或者螺芴基，且该含芴基团与空穴传输型含氮化合物的中心氮原子之间通过单键连接；Ar1、Ar2、Ar3中的至少一者为取代或者未取代的噻吩并[3,2-b]噻吩基，或者为取代或者未取代的苯并噻吩基；其中，或者为取代或者未取代的苯并噻吩基通过单键与空穴传输型含氮化合物的中心氮原子连接，取代或者未取代的噻吩并[3,2-b]噻吩基可以通过单键或者亚苯基与空穴传输型含氮化合物的中心氮原子连接。
可以理解的是，在本公开实施方式的发光功能层EFL中，可以存在多个具有空穴传输型材料的公共材料层。本公开实施方式提供的空穴传输型含氮化合物，可以仅存在于这些公共材料层中的一层，也可以存在于多层；本公开实施方式并不必然要求，该发光功能层EFL中的所有空穴传输型材料均采用空穴传输型含氮化合物。
在本公开的一种实施方式中，所述发光功能层EFL包括空穴注入材料层HILX，该空穴注入材料层HILX覆盖多个发光元件之间的间隙，例如覆盖显示区AA。如此，该空穴注入材料层HILX为发光功能层EFL的一种公共材料层。该空穴注入材料层HILX在各个发光功能单元EFU的部分可以作为该发光功能单元EFU的空穴注入层HIL。在该实施方式中，可以使得空穴注入材料层HILX具有上述的空穴传输型含氮化合物，进而降低空穴注入材料层HILX的横向电阻。
在该实施方式的一些示例中，空穴注入材料层HILX中还可以具有P型掺杂剂，以增强空穴注入层HIL的空穴注入能力。其中，P型掺杂剂在空穴注入材料层HILX中的质量含量不超过3％，以避免P型掺杂剂的含量太多而导致空穴注入材料层HILX的横向电流过大。进一步的，P型掺杂剂在空穴注入材料层HILX中的质量含量为0.5％～1.5％，例如为1％。
在该实施方式的一些示例中，空穴注入材料层HILX的材料可以由空穴传输型含氮化合物和P型掺杂剂组成；所述P型掺杂剂的质量含量在0.5％～1.5％之间。如此，相较于相关技术，空穴注入材料层HILX的横向电流可以大幅减小，使得发光元件LD之间的串扰大幅减弱或者被消除。
该实施方式还提供了空穴注入材料层HILX具有不同掺杂量(质量含量)的P型掺杂剂时，该空穴注入材料层HILX的横向电流大小的测试结果。参见图11，当空穴注入材料层HILX中的P型掺杂剂的质量含量不超过3％时，空穴注入材料层HILX的横向电流有所减小。P型掺杂剂的质量含量越小，则该空穴注入材料层HILX的横向电流越小。这样，该实施方式的空穴注入材料层HILX一方面通过采用空穴传输型含氮化合物，另一方面降低P型掺杂剂的质量含量，可以大幅降低空穴注入材料层HILX的横向电流；这可以在提高空穴注入效率和降低串扰之间实现平衡。
在本公开的一种实施方式中，参见图10，所述发光功能层EFL包括空穴传输材料层HTLX，该空穴传输材料层HTLX覆盖多个发光元件之间的间隙，例如覆盖显示区AA。如此，该空穴传输材料层HTLX为发光功能层EFL的一个公共材料层；该空穴传输材料层HTLX在各个发光功能单元EFU的部分可以作为该发光功能单元EFU的空穴传输层HTL。在该实施方式中，可以使得空穴传输材料层HTLX具有上述的空穴传输型含氮化合物，进而降低空穴传输材料层HTLX的横向电阻。
例如，在一示例中，空穴传输材料层HTLX的材料为上述的空穴传输型含氮化合物。再例如，在另一种示例中，空穴传输材料层HTLX包括多种不同且相互混合材料，其中至少一种材料为上述的空穴传输型含氮化合物。
在本公开的一种实施方式中，参见图10，至少部分发光元件LD包括层叠设置的多层发光堆叠结构ELS，此时发光功能层EFL可以具有作为公共材料层的P型电荷产生材料层PCGLX和作为公共材料层的N型电荷产生材料层NCGLX。其中，P型电荷产生材料层PCGLX可以覆盖多个发光元件LD以及发光元件LD之间的间隙，例如P型电荷产生材料层PCGLX可以覆盖显示区AA；其在各个发光元件LD的部分可以作为该发光元件LD的P型电荷产生层PCGL。N型电荷产生材料层NCGLX可以覆盖多个发光元件LD以及发光元件LD之间的间隙，例如可以覆盖显示区AA；其在各个发光元件LD的部分可以作为该发光元件LD的N型电荷产生层NCGL。
在该实施方式的一种示例中，P型电荷产生材料层PCGLX可以具有上述的空穴传输型含氮化合物。这可以减小P型电荷产生材料层PCGLX的横向电流，减弱或者消除发光元件LD之间的串扰。
可选的，P型电荷产生材料层PCGLX中还掺杂有P型掺杂剂，以提高P型电荷产生层PCGL产生空穴的能力。进一步的，所述P型电荷产生材料层PCGLX的材料由所述空穴传输型含氮化合物和P型掺杂剂组成，所述P型掺杂剂的质量含量不小于10％。举例而言，所述P型电荷产生层PCGL的材料由所述空穴传输型含氮化合物和P型掺杂剂组成，所述P型掺杂剂的质量含量在10％～15％之间。如此，既可以使得P型电荷产生材料层PCGLX具有较大的空穴产生能力，又可以避免P型电荷产生材料层PCGLX具有过大的横向电流，在提高发光效率和降低串扰之间实现平衡。
在一种示例中，P型电荷产生材料层PCGLX中的空穴传输型材料和空穴注入材料层HILX中的空穴传输型材料相同；P型电荷产生材料层PCGLX中的P型掺杂剂和空穴注入材料层HILX中的P型掺杂剂相同；区别仅在于，P型电荷产生材料层PCGLX中的P型掺杂剂的质量含量更大。
在本公开的一种实施方式中，所述N型电荷产生材料层NCGLX的材料由电子传输型化合物和N型掺杂剂组成；所述电子传输型化合物含有菲咯啉片段或磷氧片段。在该示例中，电子传输型化合物具有菲咯啉片段或磷氧片段，这使得该电子传输型化合物具有较大的横向电阻，利于减小N型电荷产生材料层NCGLX的横向电流。如此，可以进一步降低公共材料层的横向电流，减小发光元件LD之间的串扰。
可选的，N型掺杂剂可以为第一主族的金属材料，例如可以为锂。
可以理解的是，在本公开的另外一些实施方式中，即便发光元件LD包括多层发光堆叠结构ELS，发光功能层EFL也可以不设置作为公共材料层的P型电荷产生材料层PCGLX和N型电荷产生材料层NCGLX；例如，部分发光元件LD中可以不设置P型电荷产生层PCGL和N型电荷产生层NCGL。
可以理解的是，当显示面板PNL的一部分发光元件LD具有多层发光堆叠结构ELS且另一部分发光元件LD具有单层发光堆叠结构ELS时，具有单层发光堆叠结构ELS的发光元件LD可以设置电荷产生层CGL，也可以不设置电荷产生层CGL。
在本公开的一种实施方式中，电子传输层ETL可以包括电子传输型材料，例如可以包含具有吖嗪片段的电子传输型材料，尤其是可以为具有三嗪片段的电子传输型材料。进一步的，电子传输层ETL中还可以掺杂有掺杂剂，例如电子传输层ETL中还可以掺杂有Liq(羟基喹啉锂)。
在一种示例中，电子传输层ETL中的电子传输型材料，可以与N型电荷产生层NCGL中的电子传输型材料不同。
在本公开的一种实施方式中，空穴阻挡层HBL可以包括电子传输型材料，例如可以包含具有吖嗪片段的电子传输型材料，尤其是可以为具有三嗪片段的电子传输型材料。
在本公开的一些实施方式中，参见图12～图15，所述显示面板PNL在所述发光元件LD之间设置有隔断结构PTS；至少一层所述公共材料层EFLX在所述隔断结构PTS处不连续设置。尤其是，隔断结构PTS使得空穴注入材料层HILX、空穴传输材料层HTLX、P型电荷产生材料层PCGLX和N型电荷产生材料层NCGLX中的至少一者不连续。进一步的，隔断结构PTS可以使得公共材料层错层设置，即公共材料层在隔断结构PTS处的不同部分可以处于不同的高度。如此，该隔断结构PTS可以减小相邻两个发光元件LD之间的横向电流通道的宽度，进而减小相邻两个发光元件LD之间的横向电流。
在一些示例中，参见图12和图13，隔断结构PTS可以为凸起结构，例如可以为顶部(远离驱动背板DBP的部分)比底部(靠近驱动背板DBP的部分)具有更大尺寸的凸起结构。公共材料层位于凸起结构之上的部分与位于凸起结构之外的部分错层，进而导致该公共材料层EFLX不连续。例如，该凸起结构可以为截面呈梯形或者T形的凸起。
在一些示例中，参见图14和图15，该隔断结构PTS可以为凹槽结构，例如可以为凹槽开口小于凹槽槽底的凹槽结构。公共材料层在凹槽结构外的部分与位于凹槽槽底的部分错层，进而导致公共材料层EFLX不连续。例如，该凹槽结构可以具有截面呈梯形或者T形的凹槽。
在一些示例中，隔断结构PTS的不同部分之间的段差T1，不小于最靠近像素电极PE的发光层与像素电极PE之间的段差，例如隔断结构PTS的不同部分之间的段差大于0.5微米。这可以保证发光功能层EFL的公共材料层，尤其是空穴注入材料层HILX在隔断结构PTS处错层设置而被隔断。在本公开实施方式中，隔断结构PTS的不同部分之间的段差指的是，隔断结构PTS的最高处(最远离衬底基板BP的位置)与隔断结构PTS的最低处(最靠近衬底基板BP的位置)之间的高度差(在显示面板PNL的法线方向上的尺寸)。例如，当隔断结构PTS为凸起结构时，该段差T1是指凸起结构的基底表面与凸起结构的顶面之间的高度差。再例如，当隔断结构PTS为凹槽结构时，该段差T1是指凹槽结构的凹槽槽口所在表面与凹槽槽底之间的高度差。
可选的，所述显示面板PNL在所述像素电极层PEL和发光功能层EFL之间设置有像素定义层PDL，所述隔断结构PTS设置于所述像素定义层PDL。如此，可以在制备像素定义层PDL时，同时制备出隔断结构PTS，进而减少制程数量和掩膜数量，降低显示面板PNL的制备成本。
举例而言，可以先形成覆盖像素电极层PEL的像素定义材料层，然后对该像素定义材料层进行图案化以形成像素定义层PDL。其中，该像素定义层PDL具有暴露像素电极至少部分区域的像素开口，以及具有作为隔断结构PTS的凹槽结构；或者，该像素定义层PDL具有暴露像素电极至少部分区域的像素开口，以及具有作为隔断结构PTS的凸起结构。可选的，在对像素定义材料层进行图案化时，可以采用灰阶掩膜工艺，进而实现像素开口和隔断结构PTS的同步制备。
在本公开的一些实施方式中，参见图2和图3，在红色发光元件R和绿色发光元件G之间设置隔断结构PTS。如此，可以使得从绿色发光元件G流至红色发光元件R的横向电流更小，进一步减小或者消除红色发光元件R和绿色发光元件G之间的串扰。例如，参见图2和图3，在相邻的红色发光元件R和绿色发光元件G之间均设置有隔断结构PTS。进一步的，隔断结构PTS可以呈长条形延伸，以便在减小隔断结构PTS的面积的情况下达成最大的隔断长度，尽量压缩红色发光元件R和绿色发光元件G之间的横向电流的电流通道尺寸。
在本公开的一些实施方式中，当相邻两个发光元件LD之间设置有隔断结构PTS时，该隔断结构PTS呈条形；该相邻两个发光元件LD的排列方形DV，与该隔断结构PTS的延伸方向(长度方向)垂直。如此，可以使得该隔断结构PTS对横向电流的隔断效果最大化。
举例而言，在图2的示例中，显示面板PNL上的子像素的排列方式为SRGB。在该示例中，发光元件LD排列出第一子像素列和第二子像素列；第一子像素列仅包括沿列方形DV依次设置的多个蓝色发光元件B；第二子像素列包括沿列方形DV交替设置的红色发光元件R和绿色发光元件G。当在相邻的红色发光元件R和绿色发光元件G之间设置隔断结构PTS时，该隔断结构PTS呈条形且沿行方向DH延伸。
进一步的，红色发光元件R和绿色发光元件G在行方向DH上的正投影，可以位于相邻的隔断结构PTS在行方向DH上的正投影内；这使得红色发光元件R和相邻的绿色发光元件G之间的横向电流的最短路径被隔断结构PTS完全隔断，一方面可以更大程度的压缩红色发光元件R和绿色发光元件G之间的横向电流的电流通道宽度，另一方面使得横向电流的电流路径大幅延长，进而使得红色发光元件R和绿色发光元件G之间的横向电流更进一步减弱。
再举例而言，在图3的示例中，显示面板PNL上的子像素的排列方式为钻石排布。在该示例中，各个发光元件LD可以排列成多个第一子像素组，每个第一子像素组包括沿第一方向DX依次排列设置的多个发光元件LD。其中，第一子像素组包括并排且交替设置的第一类第一子像素组和第二类第一子像素组；第一类第一子像素组包括沿第一方向DX依次交替设置的红色发光元件R和绿色发光元件G，第二类第一子像素组包括沿第一方向DX依次交替设置的蓝色发光元件B和绿色发光元件G。各个发光元件LD还可以排列成多个第二子像素组，每个第二子像素组包括沿第二方向DY依次排列设置的多个发光元件LD。其中，第二子像素组包括并排且交替设置的第一类第二子像素组和第二类第二子像素组；第一类第二子像素组包括沿第二方向DY依次交替设置的红色发光元件R和绿色发光元件G，第二类第二子像素组包括沿第二方向DY依次交替设置的蓝色发光元件B和绿色发光元件G。在该示例中，第一方向DX和第二方向DY均与列方形DV、行方向DH不平行，且第一方向DX和第二方向DY相交设置。
在图3的示例中，在相邻的红色发光元件R和绿色发光元件G之间设置有隔断结构PTS。例如，在第一类第一子像素组的红色发光元件R和绿色发光元件G之间设置隔断结构PTS，该隔断结构PTS呈条形且延伸方向与第一方向DX垂直；在第一类第二子像素组的红色发光元件R和绿色发光元件G之间设置隔断结构PTS，该隔断结构PTS呈条形且延伸方向与第二方向DY垂直。
在本公开的一些实施方式中，参见图16，所述显示面板PNL还包括设置于所述公共电极层COML远离所述驱动背板DBP一侧的辅助电极层COMLX，所述辅助电极层COMLX与所述公共电极层COML电连接且与所述发光元件LD不交叠。如此，该辅助电极层COMLX既可以避免对发光元件LD的遮挡，不会导致显示面板PNL的亮度降低；又可以与公共电极层COML并联，降低公共电极层COML的阻抗，提高公共电压的均一性，且利于降低显示面板PNL的功耗。在一种示例中，辅助电极层COMLX的材料可以为金属或者合金。可选的，辅助电极层COMLX可以呈网格状，且使得各个发光元件LD位于辅助电极层COMLX的网格开口中。当然的，辅助电极层COMLX也可以呈其他形状，例如呈直条形或者弯曲曲线。
在本公开的一种实施方式中，参见图16，所述显示面板PNL在所述公共电极层COML和所述辅助电极层COMLX之间设置有有机覆盖层CML；所述有机覆盖层CML具有暴露所述公共电极层COML的连接过孔，所述辅助电极层COMLX通过所述连接过孔与所述公共电极层COML电连接。进一步的，有机覆盖层CML可以包括阻抗降低层和出光辅助层等中的至少一者。其中，阻抗降低层可以为含氟的有机材料层，可以降低公共电极层COML的阻抗。出光辅助层可以具有适宜的折射率，以利于发光功能单元EFU所发出的光线的出射。
可选的，参见图2和图3，连接过孔CNT位于发光元件LD之间的间隙中，且与隔断结构PTS不重叠。例如，在红色发光元件R和蓝色发光元件B之间设置连接过孔CNT，或者在绿色发光元件G和蓝色发光元件B之间设置连接过孔CNT，或者在相邻两个蓝色发光元件B之间设置连接过孔CNT。
当然的，在另外一些实施方式中，也可以通过精密金属掩膜版来蒸镀形成图案化的降低阻抗层。
本公开实施方式还提供一种显示装置，该显示装置包括上述显示面板实施方式所描述的任意一种显示面板。该显示装置可以为智能手机屏幕、智能手表屏幕或者其他类型的显示装置。由于该显示装置具有上述显示面板实施方式所描述的任意一种显示面板，因此具有相同的有益效果，本公开在此不再赘述。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。

Claims (19)

1.一种显示面板，包括依次层叠设置的驱动背板、像素电极层、发光功能层和公共电极层；所述发光功能层具有公共材料层，所述公共材料层覆盖多个所述发光元件之间的间隙；至少一层所述公共材料层具有空穴传输型含氮化合物，所述空穴传输型含氮化合物的结构式如化学式1所示：
其中，L1、L2、L3各自独立的选自：单键、取代或者未取代的亚苯基、取代或者未取代的亚联苯基、取代或者未取代的亚萘基、取代或者未取代的亚菲基、取代或者未取代的亚三亚苯基、取代或者未取代的9,9’-二甲基亚芴基，取代或者未取代的9,9’-二苯基亚芴基、取代或者未取代的亚螺芴基、取代或者未取代的亚咔唑基；
Ar1～Ar3各自独立的选自：取代或者未取代的成环碳原子数为6～50的芳基、取代或者未取代的成环碳原子数为5～40的杂芳基、-N(Ar4Ar5)；所述Ar4、Ar5各自独立的选自：取代或者未取代的成环碳原子数为6～50的芳基、取代或者未取代的成环碳原子数为5～40的杂芳基；其中，所述Ar1～Ar3中的至少一者具有苯并五元环片段或者并二噻吩片段；
所述L1、L2、L3、Ar1、Ar2、Ar3、Ar4或者Ar5上具有取代基时，所述取代基选自氘、卤素、碳原子数为1～10的取代或者未取代的烷基、碳原子数为5～10的取代或者未取代的环烷基、碳原子数为6～30的取代或者未取代的芳基、碳原子数为5～30的取代或者未取代的杂芳基。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，Ar1～Ar3中的至少一者具有如下化学式2或者化学式3所示的基团：
其中，*表示与L1、L2、L3或者N连接；
L4、L5各自独立的选自：单键、取代或者未取代的亚苯基、取代或者未取代的亚联苯基、取代或者未取代的亚萘基、取代或者未取代的亚菲基、取代或者未取代的亚三亚苯基、取代或者未取代的9,9’-二甲基亚芴基，取代或者未取代的9,9’-二苯基亚芴基、取代或者未取代的亚螺芴基、取代或者未取代的亚咔唑基；
X选自N(R2)、C(R3R4)、O、S、Si(R3R4)；m为0、1或者2；
R1选自：氘、卤素、碳原子数为1～10的取代或者未取代的烷基、碳原子数为5～10的取代或者未取代的环烷基、碳原子数为6～30的取代或者未取代的芳基、碳原子数为5～30的取代或者未取代的杂芳基；
R2～R4各自独立的选自碳原子数为1～10的取代或者未取代的烷基、碳原子数为5～10的取代或者未取代的环烷基、碳原子数为6～30的取代或者未取代的芳基、碳原子数为5～30的取代或者未取代的杂芳基；
当R1的数量为两个时，两个R1还可以相互连接成芳香环或者脂肪环；
R3和R4还可以相互连接成芳香环或者脂肪环。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述L1、L2和L3各自独立的选自单键、亚苯基、亚联苯基、亚三联苯基、亚萘基、亚三亚苯基；
所述Ar1～Ar5各自独立的选自9,9’-二甲基亚芴基、螺芴基、苯并噻吩基、N-苯基咔唑基、苯基、联苯基、9-苯基-1,2,3,4-四氢咔唑基、苯基取代的噻吩并[3,2-b]噻吩基、噻吩并[3,2-b]噻吩基、萘基、9,9’-二苯基亚芴基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基；且Ar1～Ar3中的至少一个含有苯基取代的噻吩并[3,2-b]噻吩基或者噻吩并[3,2-b]噻吩基。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述空穴传输型含氮化合物选自如下化合物所组成的组：
5.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述发光功能层包括空穴注入材料层；所述空穴注入材料层覆盖多个所述发光元件之间的间隙，且所述空穴注入材料层具有所述空穴传输型含氮化合物。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其中，所述空穴注入材料层的材料由所述空穴传输型含氮化合物和P型掺杂剂组成，所述P型掺杂剂的质量含量不超过3％。
7.根据权利要求5所述的显示面板，其中，所述空穴注入材料层的材料由所述空穴传输型含氮化合物和P型掺杂剂组成，所述P型掺杂剂的质量含量在0.5％～1.5％之间。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述发光功能层包括P型电荷产生材料层；所述P型电荷产生材料层覆盖多个所述发光元件之间的间隙，且具有所述空穴传输型含氮化合物。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其中，所述P型电荷产生材料层的材料由所述空穴传输型含氮化合物和P型掺杂剂组成，所述P型掺杂剂的质量含量不小于10％。
10.根据权利要求8所述的显示面板，其中，所述P型电荷产生材料层的材料由所述空穴传输型含氮化合物和P型掺杂剂组成，所述P型掺杂剂的质量含量在10％～15％之间。
11.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述发光功能层包括N型电荷产生材料层，所述N型电荷产生材料层覆盖多个所述发光元件之间的间隙；所述N型电荷产生材料层的材料由电子传输型化合物和N型掺杂剂组成；所述电子传输型化合物含有菲咯啉片段或磷氧片段。
12.根据权利要求1～11任意一项所述的显示面板，其中，所述显示面板在所述发光元件之间设置有隔断结构；至少一层所述公共材料层在所述隔断结构处不连续设置。
13.根据权利要求12所述的显示面板，其中，所述显示面板在所述像素电极层和所述发光功能层之间设置有像素定义层，所述隔断结构设置于所述像素定义层。
14.根据权利要求12所述的显示面板，其中，所述发光元件包括红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件；
所述红色发光元件和所述绿色发光元件之间设置有所述隔断结构。
15.根据权利要求12所述的显示面板，其中，所述发光功能层包括覆盖多个所述发光元件之间的间隙的空穴注入材料层；所述空穴注入材料层在所述隔断结构处不连续设置。
16.根据权利要求12所述的显示面板，其中，所述发光功能层包括覆盖多个所述发光元件之间的间隙的电荷产生材料层，所述电荷产生材料层在所述隔断结构处不连续设置。
17.根据权利要求1～11任意一项所述的显示面板，其中，所述显示面板还包括设置于所述公共电极层远离所述驱动背板一侧的辅助电极层，所述辅助电极层与所述公共电极层电连接且与所述发光元件不交叠。
18.根据权利要求17所述的显示面板，其中，所述显示面板在所述公共电极层和所述辅助电极层之间设置有有机覆盖层；所述有机覆盖层具有暴露所述公共电极层的连接过孔，所述辅助电极层通过所述连接过孔与所述公共电极层电连接。
19.一种显示装置，包括权利要求1～18任意一项所述的显示面板。
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