CN116460766B - 真空调压方法、系统、吸附平台、pcb加工设备及介质 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种真空调压方法、系统、真空吸附平台、PCB加工设备及存储介质，所述方法包括：获取到真空设备中吸附腔的实际吸附气压；判断所述实际吸附气压与目标吸附气压的实际气压差值是否大于第一气压阈值；若所述实际气压差值大于所述第一气压阈值，基于所述实际气压差值，计算得到目标调节频率；按照所述目标调节频率，控制变频器调节所述真空设备的实际工作频率，以使所述实际吸附气压与所述目标吸附气压的实际气压差值小于所述第一气压阈值。
Description
技术领域
本发明涉及电路板制造技术领域，尤其涉及一种真空调压方法、系统、真空吸附平台、PCB加工设备及存储介质。
背景技术
真空吸附平台是一般是通过增大与PCB电路板板料之间的气压，来达到固定PCB电路板板料的效果。
现有的真空吸附平台一般直接用风机或真空泵，进行最大功率输出，以增大与被吸附物体之间的气压，达到吸附效果，但是在实际应用中，针对不同的应用场景，所需要的气压强度是不一样的，负压过大过小都会影响到吸附效果。
因此，现有的真空系统平台存在调节方式单一的问题。
发明内容
本发明实施例提供一种真空调压方法、系统、真空吸附平台、PCB加工设备及存储介质，以解决现有的真空系统平台存在吸附方式单一的问题。
一种真空调压方法，所述方法包括：
获取到真空设备中吸附腔的实际吸附气压；
判断所述实际吸附气压与目标吸附气压的实际气压差值是否大于第一气压阈值；
若所述实际气压差值大于所述第一气压阈值，基于所述实际气压差值，计算得到目标调节频率；
按照所述目标调节频率，控制变频器调节所述真空设备的实际工作频率，以使所述实际吸附气压与所述目标吸附气压的实际气压差值小于所述第一气压阈值。
上述方法，可选的，所述基于所述实际气压差值，计算得到目标调节频率，包括：
获取到过去一个调节周期内的频率调节量和气压调节量；
基于所述频率调节量和所述气压调节量，计算得到气压频率变化率；
基于所述气压频率变化率和所述实际气压差值，计算得到所述目标调节频率。
上述方法，可选的，所述基于所述气压频率变化率和所述实际气压差值，计算得到所述目标调节频率，包括：
基于所述实际气压差值和所述气压频率变化率，按照预设的比例系数计算得到频率增减量；
基于所述频率增减量和所述频率调节量，得到多个备选频率调节量；
分别按照所述备选频率调节量对所述实际吸附气压进行调节预测，得到预测吸附气压；
计算得到每个所述预测吸附气压差值与所述目标吸附气压的预测气压差值；
筛选出数值最小的所述预测气压差值对应的备选频率调节量作为目标调节频率。
上述方法，可选的，所述基于所述实际气压差值，计算得到目标调节频率，包括：
基于所述实际气压差值，得到对应的频率调节档位，所述频率调节档位对应的频率调节量即为所述目标调节频率。
上述方法，可选的，所述基于所述实际气压差值，计算得到目标调节频率，包括：
基于所述实际气压差值进行PID计算，得到所述目标调节频率。
上述方法，可选的，所述吸附腔至少包括第一吸附腔和第二吸附腔；
其中，所述获取到吸附腔的实际吸附气压，包括：
获取到所述第一吸附腔的第一吸附气压和所述第二吸附腔的第二吸附气压；
判断所述第一吸附气压和所述第二吸附气压的差值是否大于预设的第二气压阈值；
若所述第一吸附气压和所述第二吸附气压的差值大于预设的第二气压阈值，选择所述第一吸附气压和所述第二吸附气压中数值较大的气压作为所述实际吸附气压；
若所述第一吸附气压和所述第二吸附气压的差值小于预设的第二气压阈值，选择所述第一吸附气压和所述第二吸附气压中数值较小的气压作为所述实际吸附气压。
一种真空调压系统，所述系统包括：气压采集模块、处理器模块以及变频器模块，
所述气压采集模块，用于获取真空设备中吸附腔的实际吸附气压，并将所述实际吸附气压传输到所述处理器模块；
所述处理器模块，用于判断所述实际吸附气压与目标吸附气压的实际气压差值是否大于第一气压阈值；在所述实际气压差值大于所述第一气压阈值时，基于所述实际气压差值，计算得到目标调节频率，并将所述目标调节频率发送到变频器模块；
所述变频器模块，用于按照所述目标调节频率，调节所述真空设备的实际工作频率，以使所述实际吸附气压与所述目标吸附气压的实际气压差值小于所述第一气压阈值。
一种真空吸附平台，所述真空吸附平台包括上述所述的真空调压系统和变频器，所述真空调压系统工作时，结合变频器实现如上述一种真空调压方法。
一种PCB加工设备，所述PCB加工设备包括权利要求8所述的真空吸附平台。
一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序在被真空吸附平台中的处理器执行时实现如上述一种真空调压方法。
综上，本发明公开了一种真空调压方法、系统、真空吸附平台、PCB加工设备及存储介质，通过获取到吸附腔的实际吸附气压，然后判断实际吸附气压与目标吸附气压的实际气压差值是否大于第一气压阈值，在实际吸附气压与目标吸附气压的实际气压差值大于第一气压阈值的情况下，基于实际气压差值，计算得到目标调节频率，然后按照目标调节频率，控制变频器调节真空设备的实际工作频率，以使实际吸附气压与目标吸附气压的实际气压差值小于第一气压阈值。可见，本发明中在实际气压差值大于所述第一气压阈值时，可以通过控制变频器调节真空设备的实际工作频率，来达到调节吸附腔的实际吸附气压的目的，避免了真空系统平台调节方式单一的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例一公开的一种真空调压方法的流程示意图；
图2是本发明实施例一公开的一种真空调压方法的部分流程示意图；
图3是本发明实施例一公开的一种真空调压方法的部分流程示意图；
图4是本发明实施例一公开的一种真空调压方法的部分流程示意图；
图5是本发明实施例二公开的一种真空调压系统的结构示意图；
图6是本发明实施例四公开的一种真空吸附平台的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明公开了一种真空调压方法、系统、真空吸附平台、PCB加工设备及存储介质，通过获取到吸附腔的实际吸附气压，然后判断实际吸附气压与目标吸附气压的实际气压差值是否大于第一气压阈值，在实际吸附气压与目标吸附气压的实际气压差值大于第一气压阈值的情况下，基于实际气压差值，计算得到目标调节频率，然后按照目标调节频率，控制变频器调节真空设备的实际工作频率，以使实际吸附气压与目标吸附气压的实际气压差值小于第一气压阈值。可以理解的是，本发明中按照目标调节频率，控制变频器调节真空设备的实际工作频率，以此来增大或者减小吸附腔中的实际吸附气压，增加或者减小后的实际吸附气压与目标吸附气压的差值需要小于第一气压阈值，至此，完成对吸附腔的实际吸附气压的调节。可见，本发明中在实际气压差值大于第一气压阈值时，可以通过控制变频器调节真空设备的实际工作频率，来达到调节吸附腔的实际吸附气压的目的，避免了真空系统平台调节方式单一的问题。下面通过具体的实施例进行说明。
实施例一
如图1所示，为本发明实施例一公开的一种真空调压方法的流程示意图，具体如下所示：
S101：获取到真空设备中吸附腔的实际吸附气压。
在具体实现中，本实施例中可以在吸附腔中安装气压感应设备，如气压传感器，来测量吸附腔中的气压，以此获取到吸附腔的实际吸附气压。
另外，需要注意的是，本实施例中的真空设备的吸附腔可以存在一个或多个吸附腔，当真空设备只存在一个吸附腔时，将该吸附腔的吸附气压作为实际吸附气压，当真空设备存在两个或两个以上的吸附腔时，从这些吸附腔中的吸附气压中选择一个作为实际吸附气压，据此，根据得到的实际吸附气压执行真空调压方法的后续步骤。
S102：判断实际吸附气压与目标吸附气压的实际气压差值是否大于第一气压阈值。
如果实际吸附气压与目标吸附气压的实际气压差值大于第一气压阈值，执行步骤S103，即基于实际气压差值，计算得到目标调节频率，如果实际吸附气压与目标吸附气压的实际气压差值小于第一气压阈值，流程结束，也就是说，在实际吸附气压与目标吸附气压的实际气压差值小于第一气压阈值时，吸附腔的实际吸附气压可以达到预期的吸附效果，不需要再对吸附腔的实际吸附气压进行调节的。
在具体实现中，本实施例中的目标吸附气压可以根据需要吸附的物体的不同来设置不同的目标吸附气压。例如，在工业生产中，需要吸附的工业部件的形状和重量都是比较规则，因此，针对需要吸附的不同种类的工业部件时设置不同的目标吸附气压即可。根据设置的目标吸附气压和测试得到的吸附腔的实际吸附气压，得到实际吸附气压与目标吸附气压的实际气压差值，进而将实际气压差值与第一气压阈值进行对比，若实际气压差值大于第一气压阈值，执行步骤S103及后续步骤，若实际气压差值小于第一气压阈值，流程结束，即不再执行真空调压方法的后续步骤。
S103：基于实际气压差值，计算得到目标调节频率。
在具体实现中，本实施例中可以根据实际气压差值来确定一个目标调节频率，该目标调节频率的数值大小与实际气压差值的数值大小相关，如实际气压差值的数值越大，则计算得到的目标调节频率的数值也就越大。基于计算得到的目标调节频率执行真空调压方法的后续步骤。
S104：按照目标调节频率，控制变频器调节真空设备的实际工作频率，以使吸附腔的实际吸附气压与目标吸附气压的实际气压差值小于第一气压阈值。
基于计算得到的目标调节频率，控制变频器去调节真空设备的实际工作频率，以此来调节吸附腔的实际吸附气压。例如，吸附腔的实际吸附气压大于目标吸附气压时，按照目标调节频率控制变频器去降低真空设备的实际工作频率，以此降低吸附腔的实际吸附气压，使得吸附腔的实际吸附气压与目标吸附气压的实际气压差值小于第一气压阈值。再如，吸附腔的实际吸附气压大于目标吸附气压时，按照目标调节频率控制变频器去提高真空设备的实际工作频率，以此提高吸附腔的实际吸附气压，使得吸附腔的实际吸附气压与目标吸附气压的实际气压差值小于第一气压阈值。
综上，本发明实施例公开了一种真空调压方法、系统、装置、真空吸附设备及存储介质，通过获取到吸附腔的实际吸附气压，然后判断实际吸附气压与目标吸附气压的实际气压差值是否大于第一气压阈值，在实际吸附气压与目标吸附气压的实际气压差值大于第一气压阈值的情况下，基于实际气压差值，计算得到目标调节频率，然后按照目标调节频率，控制变频器调节真空设备的实际工作频率，以使实际吸附气压与目标吸附气压的实际气压差值小于第一气压阈值。可见，本发明中在实际气压差值大于第一气压阈值时，可以通过控制变频器调节真空设备的实际工作频率，来达到调节吸附腔的实际吸附气压的目的，避免了真空系统平台调节方式单一的问题。
基于图1的具体实现中，步骤S103具体可以通过以下步骤实现，如图2所示：
S201：获取到过去一个调节周期内的频率调节量和气压调节量。
其中，过去一个调节周期指是之前完成一次控制变频器调节真空设备的实际工作频率的周期。
频率调节量指的是真空设备在一个调节周期内调节之前的实际工作频率和调节之后的实际工作频率之间的频率差值；气压调节量指的是真空设备在一个调节周期内调节之前吸附腔的实际吸附气压和调节之后吸附腔的实际吸附气压之间的气压差值。
S202：基于频率调节量和气压调节量，计算得到气压频率变化率。
在具体实现中，本实施例中的气压频率变化率指的是真空设备每调节单位工作频率(如1Hz、2Hz工作频率)时，吸附腔的实际吸附气压的变化值，即气压调节量除以频率调节量，得到气压频率变化率，具体如下所示：
S203：基于气压频率变化率和实际气压差值，计算得到目标调节频率。
在具体实现中，本实施例中可以基于实际气压差值和所述气压频率变化率，按照预设的比例系数计算得到频率增减量，基于频率增减量和频率调节量，得到多个备选频率调节量，然后，分别按照备选频率调节量对实际吸附气压进行调节预测，得到预测吸附气压，计算得到每个预测吸附气压差值与目标吸附气压的预测气压差值，筛选出数值最小的预测气压差值对应的备选频率调节量作为目标调节频率。据此，可以得到目标调节频率。
综上，本实施例中以上一次真空调压得到气压频率变化值来计算出本次真空调压所需的目标调节频率，简单高效，可以极大地提高气压调节效率。
基于图2的具体实现中，步骤S203具体可以通过以下步骤实现，如图3所示：
S301：基于实际气压差值和气压频率变化率，按照预设的比例系数计算得到频率增减量。
其中，比例系数可以根据实际需要进行设定，例如5％或者10％等等。
在具体实现中，本实施例中可以先将实际气压差值乘以比例系数，然后再将实际气压差值与比例系数的积，除以气压频率变化率，以得到频率增减量。具体如下所示：
频率增加量＝实际气压差值×比例系数÷气压频率变化率
据此，根据计算得到的频率增减量执行真空调压方法的后续步骤。
S302：基于频率增减量和频率调节量，得到多个备选频率调节量。
在具体实现中，本实施例中可以将频率调节量作为第一个备选频率调节量，然后以频率调节量加上频率增减量作为第二个备选频率调节量，最后以频率调节量减去频率增减量作为第三个备选频率调节量，据此，可以得到所需的多个备选频率调节量。
例如，以频率增减量为4.5Hz，频率调节量为10Hz为例，其中，频率调节量为第一个备选频率调节量，即第一个备选频率调节量为10Hz；频率调节量加上频率调节量为第二个备选频率调节量，即第二个备选频率调节量为14.5Hz；频率调节量减去频率调节量为第三个备选频率调节量，即第三个备选频率调节量为5.5Hz。基于此，根据获取到的备选频率调节量，执行真空调压方法的后续步骤。
S303：分别按照备选频率调节量对实际吸附气压进行调节预测，得到预测吸附气压。
在具体实现中，本实施例中需要将备选频率调节量乘以气压频率变化率，然后加上实际吸附气压，就可以得到预测吸附气压。例如，以备选频率调节量为14.5Hz，实际吸附气压为30kPa，气压频率调节量为1kPa/Hz为例，预测吸附气压为：备选频率调节量×气压频率调节量+实际吸附气压＝预测吸附气压，即预测吸附气压为44.5kPa。据此，可以计算得到预测吸附气压。
S304：计算得到每个预测吸附气压与目标吸附气压的预测气压差值。
在具体实现中，本实施例中将每个预测吸附气压分别减去目标吸附气压，得到的绝对值数值即为预测气压差值。
S305：筛选出数值最小的预测气压差值对应的备选频率调节量作为目标调节频率。
在具体实现中，本实施例中从得到预测气压差值中，筛选出数值最小的预测气压差值对应的备选频率调节量作为目标调节频率即可。
需要注意的是，本实施例中上述基于气压频率变化率和实际气压差值，计算得到目标调节频率方法，也可以通过以下方式实现，通过以实际气压差值除以气压频率变化率，进而将得到的计算结果作为目标调节频率，因此，本实施例中对基于气压频率变化率和实际气压差值，计算得到目标调节频率方法不做具体限定。
综上，本实施例中基于频率增减量和频率调节量，得到多个备选频率调节量，为本实施例中真空调节提供了更多的可选调节频率，可以实现更全面的真空调压，以达到更好的吸附效果。
基于图1的具体实现中，步骤S103具体可以通过以下方法实现，具体如下所示：
基于实际气压差值，得到对应的频率调节档位，频率调节档位对应的频率调节量即为目标调节频率。
在具体实现中，本实施例中可以通过设置不同频率调节档位，来实现根据实际气压差值来获取到目标调节频率，其中，每个频率调节档位对应一个气压差值的范围，当获取到的实际气压差值落在对应的气压差值的范围内时，也就得到了对应的频率调节档位，然后触发该频率调节档位，得到目标调节频率，据此，可以获取到目标调节频率。
例如，以实际气压差值为6kPa为例，第一频率调节档位对应的气压差值的范围为2kPa到5kPa，第二频率调节档位对应的气压差范围为5kPa到8kPa，那么可以确定，实际气压差值落在了第二频率调节档位的气压差的范围里，也就是说第二频率调节档位对应的频率调节量即为目标调节频率。应当理解的是，本实施例中的频率调节档位包括但不限于第一频率调节档位以及第二频率调节档位，可以根据需要设置更多的频率调节档位，本实施例中对频率调节档位的数量不做限定。
综上，本实施例中可以直接根据实际气压差值获取到对应的频率调节档位，以此获取到频率调节档位对应的目标调节频率，无需要进行额外的计算，可以实现快速获取到目标调节频率。
基于图1的具体实现中，步骤S103具体可以通过以下方法实现，具体如下所示：
基于实际气压差值进行PID计算，得到目标调节频率。
在具体实现中，本实施例中可以将获取到的实际气压差值输入到PID计算公式中进行PID计算，进而计算得到目标调节频率。其中PID计算公式种参数根据实际需要进行设定。
需要注意的是，本实施例中在PID计算过程中，对PID控制器的参数进行限定，例如，根据目标调节频率对真空设备的实际工作频率进行调节后的工作频率，不得大于真空设备的最大工作频率，并且不得小于真空设备的最小工作频率。当真空设备调节后的工作频率小于最小工作频率时，以真空设备的最小工作频率作为调节后的工作频率，当真空设备调节后的工作频率大于最大工作频率时，以真空设备的最大工作频率作为调节后的工作频率。
综上，本实施例中通过PID计算方法，基于实际气压差值快速计算出所需的目标调节频率，方法简单，实用性更强。
基于图1的具体实现中，步骤S101具体可以通过以下步骤实现，具体如图4所示：
本实施例中的吸附腔至少包括第一吸附腔和第二吸附腔。
S401：获取到第一吸附腔的第一吸附气压和第二吸附腔的第二吸附气压。
在具体实现中，本实施例中可以通过分别在第一吸附腔和第二吸附腔中安装气压感应设备，如气压传感器，来测量得到第一吸附腔中的第一吸附气压和第二吸附腔中的第二吸附气压。根据获取到的第一吸附气压和第二吸附气压，来执行真空调压方法的后续步骤。
S402：判断第一吸附气压和第二吸附气压的差值是否大于预设的第二气压阈值。
如果第一吸附气压和第二吸附气压的差值大于预设的第二气压阈值，执行步骤S403，即选择第一吸附气压和第二吸附气压中数值较大的气压作为实际吸附气压，如果第一吸附气压和第二吸附气压的差值小于预设的第二气压阈值，执行步骤S404，即选择第一吸附气压和第二吸附气压中较小的气压作为实际吸附气压。
在具体实现中，本实施例中可以通过将第一吸附气压的气压值减去第二吸附气压的气压值，得到第一吸附气压和第二吸附气压的差值的绝对值，然后将第一吸附气压和第二吸附气压的差值与预设的第二气压阈值进行对比，在第一吸附气压和第二吸附气压的差值大于预设的第二气压阈值时，执行步骤S403及后续步骤，在第一吸附气压和第二吸附气压的差值小于预设的第二气压阈值时，执行步骤S404及后续步骤。
S403：选择第一吸附气压和第二吸附气压中数值较大的气压作为实际吸附气压。
在具体实现中，本实施例中可以将第一吸附气压的数值与第二吸附气压的数值进行对比，当第一吸附气压的数值小于第二吸附气压的数值时，确定第二吸附气压为实际吸附气压，当第一吸附气压的数值大于第二吸附气压的数值时，确定第一吸附气压为实际吸附气压。据此，根据得到的实际吸附气压执行真空调压方法的后续步骤。
S404：选择第一吸附气压和第二吸附气压中较小气压作为实际吸附气压。
在第一吸附气压和第二吸附气压的差值小于预设的第二气压阈值时，本实施例中选择第一吸附气压作为实际吸附气压。
需要注意的是，如果本实施例中的真空设备还存在第三吸附腔，计算这三个吸附腔中数值最大和数值最小的吸附气压的差值，如果数值最大的吸附气压和数值最小的吸附气压的差值大于预设的第二气压阈值，选择数值最大的吸附气压作为实际吸附气压，如果数值最大的吸附气压和数值最小的吸附气压的差值小于预设的第二气压阈值，选择数值最小的吸附气压作为实际吸附气压，也就是说，除了数值最小的吸附气压和数值最大的吸附气压之外的数值居中的吸附气压不参与确定实际吸附气压的步骤。据此，可以在真空设备具备多个吸附腔的情况下，得到实际吸附气压。
综上，本实施例中通过对比第一吸附气压和第二吸附气压的差值，来获取到吸附腔的实际吸附气压，当第一吸附气压和第二吸附气压的差值大于预设的第二气压阈值时，认为第一吸附腔或者第二吸附腔处于故障或者停用状态，因此，以数值较大的气压作为实际吸附气压。当第一吸附气压和第二吸附气压的差值小于预设的第二气压阈值时，认为两个吸附腔都在正常工作，选择气压数值较小的吸附气压作为目标吸附气压，这样可以使得调节后的两个吸附腔的实际吸附气压都接近目标吸附气压或者大于第一吸附气压，以此保证两个吸附腔的吸附效果。
应理解，上述实施例中各步骤的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本发明实施例的实施过程构成任何限定。
实施例二
如图5所示，为本申请实施例二公开的一种真空调压系统的结构示意图，该系统包括气压采集模块、处理器模块以及变频器模块，具体如下所示：
气压采集模块501，用于获取真空设备中吸附腔的实际吸附气压，并将实际吸附气压传输到处理器模块；
处理器模块502，用于判断实际吸附气压与目标吸附气压的实际气压差值是否大于第一气压阈值；在实际气压差值大于第一气压阈值时，基于实际气压差值，计算得到目标调节频率，并将目标调节频率发送到频率调节模块；
变频器模块503，用于按照目标调节频率，调节真空设备的实际工作频率，以使实际吸附气压与目标吸附气压的实际气压差值小于第一气压阈值。
关于真空调压系统的具体限定，可以参见上文中对于真空调压方法的有关限定，在此不再赘述。上述真空调压系统中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中，也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。
实施例三
本申请实施例三公开了一种真空吸附平台，其内部结构图可以如图6所示。该真空吸附平台包括上述实施例所述的真空调压系统和变频器。其中，该真空调压系统用于提供计算和控制能力。该真空调压系统控制变频器实现上述一种真空调压方法。
在一个实施例中，提供了一种真空吸附平台，包括真空调压系统和变频器，真空调压系统控制变频器实现以下步骤：
获取到吸附腔的实际吸附气压；
判断实际吸附气压与目标吸附气压的实际气压差值是否大于第一气压阈值；
若实际气压差值大于第一气压阈值，基于实际气压差值，计算得到目标调节频率；
按照目标调节频率，控制变频器调节真空设备的实际工作频率，以使实际吸附气压与目标吸附气压的实际气压差值小于第一气压阈值。
实施例四
本申请实施例四公开了一种PCB加工设备，该PCB加工设备包括本发明公开的一种真空吸附平台。其中，PCB加工设备在工作时，真空吸附平台实现如本发明公开的一种真空调压方法的任一实施例的各个步骤。
实施例五
本申请实施例五公开了一种计算机可读存储介质，当计算机可读存储介质中的计算机程序由真空吸附平台中的处理器执行时，使得真空吸附平台能够执行如本发明公开的一种真空调压方法的任一实施例的各个步骤。其中，所述计算程序可以是嵌入式程序，也可以是非嵌入式程序，所述计算机可读存储介质可以是非易失性，也可以是易失性。
在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被真空吸附平台中的处理器执行时实现以下步骤：
获取到吸附腔的实际吸附气压；
判断实际吸附气压与目标吸附气压的实际气压差值是否大于第一气压阈值；
若实际气压差值大于第一气压阈值，基于实际气压差值，计算得到目标调节频率；
按照目标调节频率，控制变频器调节真空设备的实际工作频率，以使实际吸附气压与目标吸附气压的实际气压差值小于第一气压阈值。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，该计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和/或易失性存储器。非易失性存储器可包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)或闪存。易失性存储器可包括随机存取存储器(RAM)或者外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，RAM以多种形式可得，诸如静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)、双数据率SDRAM(DDRSDRAM)、增强型SDRAM(ESDRAM)、同步链路(Synchlink)DRAM(SLDRAM)、存储器总线(Rambus)直接RAM(RDRAM)、直接存储器总线动态RAM(DRDRAM)、以及存储器总线动态RAM(RDRAM)等。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为了描述的方便和简洁，仅以上述各功能单元、模块的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能单元、模块完成，即将所述装置的内部结构划分成不同的功能单元或模块，以完成以上描述的全部或者部分功能。
以上所述实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种真空调压方法，其特征在于，所述方法包括：
获取到真空设备中吸附腔的实际吸附气压；
判断所述实际吸附气压与目标吸附气压的实际气压差值是否大于第一气压阈值；
若所述实际气压差值大于所述第一气压阈值，基于所述实际气压差值，计算得到目标调节频率；
按照所述目标调节频率，控制变频器调节所述真空设备的实际工作频率，以使所述实际吸附气压与所述目标吸附气压的实际气压差值小于所述第一气压阈值；
其中，所述基于所述实际气压差值，计算得到目标调节频率，包括：
获取过去一个调节周期内的历史频率调节量和历史气压调节量；所述历史气压调节量为在过去一个调节周期内，基于所述历史频率调节量对所述真空设备进行调节后所述吸附腔的吸附气压变化量；
基于所述历史频率调节量和所述历史气压调节量，计算得到气压频率变化率；
基于所述气压频率变化率和所述实际气压差值，计算得到所述目标调节频率；
其中，所述基于所述气压频率变化率和所述实际气压差值，计算得到所述目标调节频率，包括：
基于所述实际气压差值、所述气压频率变化率和预设的比例系数，按照频率增减量计算公式计算得到频率增减量；
对所述历史频率调节量增加所述频率增减量，以及对所述历史频率调节量减少所述频率增减量，得到多个备选频率调节量；
分别按照所述备选频率调节量对所述实际吸附气压进行调节预测，得到预测吸附气压；
计算得到每个所述预测吸附气压与所述目标吸附气压的预测气压差值；
筛选出数值最小的所述预测气压差值对应的备选频率调节量作为目标调节频率。
2.如权利要求1所述的真空调压方法，其特征在于，所述吸附腔至少包括第一吸附腔和第二吸附腔；
其中，所述获取到真空设备中吸附腔的实际吸附气压，包括：
获取到所述第一吸附腔的第一吸附气压和所述第二吸附腔的第二吸附气压；
判断所述第一吸附气压和所述第二吸附气压的差值是否大于预设的第二气压阈值；
若所述第一吸附气压和所述第二吸附气压的差值大于预设的第二气压阈值，选择所述第一吸附气压和所述第二吸附气压中数值较大的气压作为所述实际吸附气压；
若所述第一吸附气压和所述第二吸附气压的差值小于预设的第二气压阈值，选择所述第一吸附气压和所述第二吸附气压中数值较小的气压作为所述实际吸附气压。
3.一种真空调压系统，其特征在于，所述系统包括：气压采集模块、处理器模块以及变频器模块，
所述气压采集模块，用于获取到真空设备中吸附腔的实际吸附气压，并将所述实际吸附气压传输到所述处理器模块；
所述处理器模块，用于判断所述实际吸附气压与目标吸附气压的实际气压差值是否大于第一气压阈值；在所述实际气压差值大于所述第一气压阈值时，基于所述实际气压差值，计算得到目标调节频率，并将所述目标调节频率发送到变频器模块；
所述变频器模块，用于按照所述目标调节频率，调节所述真空设备的实际工作频率，以使所述实际吸附气压与所述目标吸附气压的实际气压差值小于所述第一气压阈值；
其中，所述处理器模块用于：
获取过去一个调节周期内的历史频率调节量和历史气压调节量；所述历史气压调节量为在过去一个调节周期内，基于所述历史频率调节量对所述真空设备进行调节后所述吸附腔的吸附气压变化量；
基于所述历史频率调节量和所述历史气压调节量，计算得到气压频率变化率；
基于所述气压频率变化率和所述实际气压差值，计算得到所述目标调节频率；
其中，所述处理器模块用于：
基于所述实际气压差值、所述气压频率变化率和预设的比例系数，按照频率增减量计算公式计算得到频率增减量；
对所述历史频率调节量增加所述频率增减量，以及对所述历史频率调节量减少所述频率增减量，得到多个备选频率调节量；
分别按照所述备选频率调节量对所述实际吸附气压进行调节预测，得到预测吸附气压；
计算得到每个所述预测吸附气压与所述目标吸附气压的预测气压差值；
筛选出数值最小的所述预测气压差值对应的备选频率调节量作为目标调节频率。
4.一种真空吸附平台，其特征在于，所述真空吸附平台包括如权利要求3所述的真空调压系统，所述真空调压系统工作时，结合所述真空调压系统中的变频器实现如权利要求1至2任一项所述真空调压方法。
5.一种PCB加工设备，其特征在于，所述PCB加工设备包括权利要求4所述的真空吸附平台。
6.一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被真空吸附平台中的处理器执行时实现如权利要求1至2任一项所述真空调压方法。
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