CN116435191A - 一种深孔金属化转接板的制备方法 - Google Patents
一种深孔金属化转接板的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116435191A CN116435191A CN202310180044.6A CN202310180044A CN116435191A CN 116435191 A CN116435191 A CN 116435191A CN 202310180044 A CN202310180044 A CN 202310180044A CN 116435191 A CN116435191 A CN 116435191A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- deep hole
- metal
- seed layer
- metallization
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 64
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 19
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 13
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 13
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 13
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 10
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 claims description 5
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 claims description 4
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 claims description 4
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims description 3
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 238000005553 drilling Methods 0.000 claims description 3
- PAZHGORSDKKUPI-UHFFFAOYSA-N lithium metasilicate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-][Si]([O-])=O PAZHGORSDKKUPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052912 lithium silicate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 3
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 claims description 3
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000678 plasma activation Methods 0.000 claims description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000009849 vacuum degassing Methods 0.000 claims description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 3
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100110010 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) asd-4 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/486—Via connections through the substrate with or without pins
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Abstract
本发明公开了一种深孔金属化转接板的制备方法，包括：在基板上加工通孔；采用磁控溅射的方法，形成连续全覆盖基板上下表面的第一种子层；采用化学镀的方法，形成连续全覆盖通孔内壁的第二种子层；采用电镀的方法，使电镀金属填充于通孔内部；去除位于基板上下表面的第一种子层以及上述步骤中在基板上下表面形成的多余电镀金属；对上一步所得样品进行金属图形化及多重布线，得到深孔金属化转接板。本发明制备方法作用温度低，成本低，更适用于大规模批量生产。
Description
技术领域
本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种深孔金属化转接板的制备方法。
背景技术
随着集成电路小型化的发展，二维集成技术已无法满足未来应用需求，正逐步转向三维集成技术。三维集成转接板技术是实现垂直互连解决三维集成的最佳选择。随着互连密度需求的提高，孔径减小和深径比提高，对深孔金属化要求越来越高。现有传统的加工手段磁控溅射仅能实现孔径≥100μm，深径比≤3:1的金属孔填实，大于3:1后，由于尖端屏蔽效应，容易出现中空，导致寄生效应显著。主流的高深径比三维集成转接板技术采用高能PVD溅射种子层，可以实现表面与孔内金属全覆盖，设备价值高、一次仅能加工1片大晶圆，产能有限，成本高，不利于大批量规模化生产。
发明内容
本发明的目的在于克服上述缺陷，提供一种深孔金属化转接板的制备方法，解决了现有深孔金属化转接板由于设备限制导致的成本高、产能不足等技术问题，本发明制备方法作用温度低，成本低，更适用于大规模批量生产。
为实现上述发明目的，本发明提供如下技术方案：
一种深孔金属化转接板的制备方法，包括：
S1在基板上加工通孔；
S2采用磁控溅射的方法，形成连续全覆盖基板上下表面的第一种子层；
S3采用化学镀的方法，形成连续全覆盖通孔内壁的第二种子层；
S4采用电镀的方法，使电镀金属填充于通孔内部；
S5去除位于基板上下表面的第一种子层以及步骤S4中在基板上下表面形成的多余电镀金属；
S6对步骤S5所得样品进行金属图形化及多重布线，得到深孔金属化转接板。
进一步的，步骤S1中，基板包括玻璃基板或陶瓷基板；
玻璃基板所用材料包括石英玻璃、硼硅玻璃或锂硅玻璃；
陶瓷基板所用材料包括95瓷氧化铝、96瓷氧化铝、99瓷氧化铝、氮化铝、软磁铁氧体或石英陶瓷。
进一步的，步骤S1中，加工通孔的方法为高能脉冲激光刻蚀或机械钻孔。
进一步的，步骤S2中，第一种子层的厚度为10nm～2μm；
步骤S3中，第二种子层的厚度为10nm～10μm。
进一步的，步骤S2中，第一种子层的材料包括钛、钛钨、镍铬、铝等常用的附着层；
步骤S3中，第二种子层的材料包括镍、铜等常用化学镀金属；
步骤S4中，电镀金属为铜。
进一步的，步骤S3中，首先利用化学敏化的方法在通孔内壁形成金属粘附层，再采用化学镀的方法形成连续的第二种子层。
进一步的，步骤S4中，电镀的方式为正向脉冲、直流或双向脉冲，电镀的条件为0.1ASD～4ASD。
进一步的，步骤S4中，填充于通孔内部的电镀金属为金属柱结构；
步骤S5中，采用机械磨抛的方法去除位于基板上下表面的第一种子层以及步骤S4中在基板上下表面形成的多余电镀金属，使金属柱结构的上下两端面与基板的上下表面齐平。
进一步的，机械磨抛后表面的粗糙度＜10nm，TTV＜3μm。
进一步的，步骤S2进行之前，对基板进行等离子活化；
步骤S3和S4进行之前，分别对样品进行清洗和真空脱泡处理。
本发明与现有技术相比具有如下至少一种有益效果：
(1)本发明创造性的提出一种深孔金属化转接板的制备方法，采用常规磁控溅射和化学镀的方式制备金属种子层，比现有高能PVD溅射批产能力强，作用温度低，成本低，更适用于大规模批量生产；
(2)本发明制备方法具有较强的通用性，不仅可以实现陶瓷通孔的金属化，还适用于玻璃、硅、蓝宝石等其他基板材料的深孔金属化；
(3)本发明工艺技术路线简单，在不用反应离子刻蚀、高能PVD等高值设备的条件下，采用常规成熟的磁控溅射设备即可实现金属化，能够实现全国产化且自主可控。
附图说明
图1为本发明一种深孔金属化转接板的制备方法的流程图；
图2为本发明一种深孔金属化转接板的制备方法中各阶段的示意图。
具体实施方式
下面通过对本发明进行详细说明，本发明的特点和优点将随着这些说明而变得更为清楚、明确。
在这里专用的词“示例性”意为“用作例子、实施例或说明性”。这里作为“示例性”所说明的任何实施例不必解释为优于或好于其它实施例。尽管在附图中示出了实施例的各种方面，但是除非特别指出，不必按比例绘制附图。
本发明提供一种深孔金属化转接板的制备方法，具体为一种低成本深孔金属化陶瓷/玻璃转接板的制备方法，以陶瓷/玻璃材料作为基板材料，采用激光刻蚀或湿法腐蚀的方法打孔，在通孔转接板基础上采用二步金属种子层方法，即首先进行等离子表面活化，然后通过磁控溅射镀膜，实现表面金属连续全覆盖(此时孔内壁有部分金属)，然后进行真空湿法活化、利用化学镀反应原理实现孔内侧壁金属种子层连续全覆盖，同时实现表面与孔内侧壁金属种子层连续全覆盖。最后通过脉冲电镀填实。本发明采用了二步金属种子层的制备方法，降低了表面电阻与侧壁电阻的比值，提升孔内电镀效率，降低气孔率。本发明具有大批量、自动化程度高、成本低等方面的优点，特别适用于制备垂直互连用转接板，可为后续三维集成堆叠技术提供重要技术支撑。
如图1和图2，本发明的具体步骤如下：
(1)以陶瓷或玻璃材料作为基板材料，采用高能脉冲激光刻蚀或机械钻孔的方法打孔，清洗后备用，陶瓷转接板可以是95瓷氧化铝、96瓷氧化铝、99瓷氧化铝、氮化铝、软磁铁氧体、石英陶瓷；玻璃转接板的材料包括石英玻璃、硼硅玻璃、锂硅玻璃等；
(2)通常，深孔金属化采用高能溅射PVD的方法，但是加工温度高，且每次只能加工一张晶圆，产能较低，成本较高。本发明采用二步金属化法，首先在通孔转接板上下两面进行等离子清洗活化，随后进行双面磁控溅射第一种子层，使得表面连续覆盖，第一金属层厚度10nm～2μm，成本低，适用于大规模生产，但孔内侧壁无法连续覆盖；
(3)本发明为了解决常规磁控溅射无法实现深孔侧壁金属连续覆盖的问题，将步骤(2)样品进行清洗，然后进行真空脱泡处理，真空脱泡处理的目的是脱除清洗过程中清洗溶剂在通孔中形成的气泡。随后进行化学敏化一层金属粘附层，敏化剂可用钯活化、镍活化等，最后进行化学镀实现深孔内壁种子层连续全覆盖，该层为第二种子层；基板表面包括通孔边缘均被第一种子层覆盖，同时，内孔侧壁也形成了一部分覆盖，第一种子层和第二种子层连续导通。
(4)将步骤(3)样品进行清洗去除金属离子，并脱泡处理，随后安装夹具，放入深孔电镀槽内；
(5)将步骤(4)样品采用正向脉冲/直流/双向脉冲等方式进行电镀，电镀条件为0.1ASD～4ASD；该电镀条件有利于深孔金属生长，抑制表面金属生长；
(6)将步骤(5)样品进行机械磨抛去除表面生长的多余金属，使铜柱与基板在同一平面上，抛光粗糙度＜10nm，TTV＜3μm；
(7)根据设计的图形结构，将步骤(6)样品进行常规的真空镀膜，并采用涂胶-烤胶-曝光-显影-刻蚀工艺实现金属图形化；
(8)将步骤(7)样品进行多层重布线，具体流程：涂胶-烤胶-曝光-显影-刻蚀-孔内金属填充-CMP化学机械抛光-真空镀金属膜，重复多次，即得到多重布线转接板。
综上所述，本发明采用常规磁控溅射和化学镀的方式制备金属种子层，工艺温度不超过100℃，比现有高能PVD溅射批产能力强，作用温度低，成本低，更适用于大规模批量生产。
本发明制备方法适用性强，不仅可以实现陶瓷通孔的金属化，还适用于玻璃、硅、蓝宝石等其他基板材料的深孔金属化，具有通用性。
本发明工艺技术路线简单，在不用反应离子刻蚀、高能PVD等高值设备的条件下，采用常规成熟的磁控溅射设备即可实现金属化，能够实现全国产化且自主可控。
实施例1：
本实施例中，深孔金属化转接板的制备方法如下：
(1)以99氧化铝陶瓷作为基板材料，采用高能脉冲激光的方法打孔，清洗后备用；
(2)在通孔转接板上下两面进行等离子清洗活化，随后进行双面磁控溅射第一种子层镍铬，使得表面连续覆盖，第一金属层厚度为1μm；
(3)将步骤(2)样品进行水清洗，然后进行真空脱泡处理，随后进行化学敏化一层金属粘附层，敏化剂为ZS-885敏化剂，最后进行化学镀，化学镀的条件为30℃温度下，均匀流动，所用试剂为化学沉铜ZS-600，实现深孔内壁种子层连续全覆盖，该层厚度为1.5μm-2μm。
(4)将步骤(3)样品进行清洗去除金属离子，并脱泡处理，随后安装夹具，放入深孔电镀槽内；
(5)将步骤(4)样品采用直流方式进行电镀，电镀条件为2ASD；
(6)将步骤(5)样品进行机械磨抛去除电镀生长的多余面铜，使铜柱与基板在同一平面上，抛光粗糙度＜10nm，TTV＜3μm；
(7)根据设计的图形结构，将步骤(6)样品进行常规的真空镀膜，并采用涂胶-烤胶-曝光-显影-刻蚀工艺实现金属图形化；
(8)将步骤(7)样品进行多层重布线，具体流程：涂胶-烤胶-曝光-显影-刻蚀-孔内金属填充-CMP化学机械抛光-真空镀金属膜，重复多次，即得到多重布线转接板。
实施例2：
本实施例中，深孔金属化转接板的制备方法如下：
(1)以石英玻璃作为基板材料，采用高能脉冲激光刻蚀的方法打孔，清洗后备用；
(2)在通孔转接板上下两面进行等离子清洗活化，随后进行双面磁控溅射第一种子层钛钨，使得表面连续覆盖，第一金属层厚度为2μm；
(3)将步骤(2)样品进行水清洗，然后进行真空脱泡处理，随后进行化学敏化一层金属粘附层，敏化剂为ZS-885敏化剂，最后进行化学镀，化学镀的条件为30℃温度下，均匀流动，所用试剂为化学沉铜ZS-600，实现深孔内壁种子层连续全覆盖，该层厚度为1.6μm-2.2μm。
(4)将步骤(3)样品进行清洗去除金属离子，并脱泡处理，随后安装夹具，放入深孔电镀槽内；
(5)将步骤(4)样品采用直流方式进行电镀，电镀条件为1.5ASD；
(6)将步骤(5)样品进行机械磨抛去除电镀生长的多余面铜，使铜柱与基板在同一平面上，抛光粗糙度＜10nm，TTV＜3μm；
(7)根据设计的图形结构，将步骤(6)样品进行常规的真空镀膜，并采用涂胶-烤胶-曝光-显影-刻蚀工艺实现金属图形化；
(8)将步骤(7)样品进行多层重布线，具体流程：涂胶-烤胶-曝光-显影-刻蚀-孔内金属填充-CMP化学机械抛光-真空镀金属膜，重复多次，即得到多重布线转接板。
对实施例1和2，以及常规高能PVD溅射方法制成的深孔金属化转接板进行切片分析、电镀完后表面金属厚度和翘曲度测试，测试结果如表1。
表1测试结果表
数据结果表明，磁控溅射+化学镀二步金属种子层制备方法，比传统的高能PVD方法在产能、翘曲度、深孔电镀气孔率方面更优。磁控溅射的方法，能够在镜面抛光的基板材料表面实现较好的附着力，但由于微孔处有较强的尖端放电效应的屏蔽影响，无法实现深孔侧壁的金属化，仅靠近表面的孔壁有金属，金属离子无法进入深孔内部，基板中间处几乎没有金属覆盖，导致金属化不连续，无法实现电镀。化学镀虽然溶液浸润性较强，可实现深孔内壁金属全覆盖，且内壁因激光或机械法打孔，侧壁较粗糙，附着力好，然而化学镀的前提是需要将材料进行粗化处理，提升金属附着力，但针对镜面抛光的基板化学镀后表面附着力极差，表面金属与孔内金属极易剥离不连续，无法实现电镀。本发明针对常规PVD高能溅射的方法进行双面金属化的过程中容易出现金属屏蔽现象导致金属不连续，且一次只能加工数片样品，产能低的缺陷，采用二步金属化的方式实现深孔+表面金属的连续全覆盖，确保深孔电镀的可靠性。另外，电镀填实后表面金属厚度为需要去除的金属厚度，该部分厚度越大，去除越困难，本发明与传统方法相比，有效降低了该部分金属的厚度，有利于降低成本，简化工艺。
以上结合具体实施方式和范例性实例对本发明进行了详细说明，不过这些说明并不能理解为对本发明的限制。本领域技术人员理解，在不偏离本发明精神和范围的情况下，可以对本发明技术方案及其实施方式进行多种等价替换、修饰或改进，这些均落入本发明的范围内。本发明的保护范围以所附权利要求为准。
本发明说明书中未作详细描述的内容属本领域技术人员的公知技术。
Claims (10)
1.一种深孔金属化转接板的制备方法，其特征在于，包括：
S1在基板上加工通孔；
S2采用磁控溅射的方法，形成连续全覆盖基板上下表面的第一种子层；
S3采用化学镀的方法，形成连续全覆盖通孔内壁的第二种子层；
S4采用电镀的方法，使电镀金属填充于通孔内部；
S5去除位于基板上下表面的第一种子层以及步骤S4中在基板上下表面形成的多余电镀金属；
S6对步骤S5所得样品进行金属图形化及多重布线，得到深孔金属化转接板。
2.根据权利要求1所述的一种深孔金属化转接板的制备方法，其特征在于，步骤S1中，基板包括玻璃基板或陶瓷基板；
玻璃基板所用材料包括石英玻璃、硼硅玻璃或锂硅玻璃；
陶瓷基板所用材料包括95瓷氧化铝、96瓷氧化铝、99瓷氧化铝、氮化铝、软磁铁氧体或石英陶瓷。
3.根据权利要求1所述的一种深孔金属化转接板的制备方法，其特征在于，步骤S1中，加工通孔的方法为高能脉冲激光刻蚀或机械钻孔。
4.根据权利要求1所述的一种深孔金属化转接板的制备方法，其特征在于，步骤S2中，第一种子层的厚度为10nm～2μm；
步骤S3中，第二种子层的厚度为10nm～10μm。
5.根据权利要求1所述的一种深孔金属化转接板的制备方法，其特征在于，步骤S2中，第一种子层的材料包括钛、钛钨、镍铬或铝中的一种以上；
步骤S3中，第二种子层的材料包括镍或铜中的一种以上；
步骤S4中，电镀金属为铜。
6.根据权利要求1所述的一种深孔金属化转接板的制备方法，其特征在于，步骤S3中，首先利用化学敏化的方法在通孔内壁形成金属粘附层，再采用化学镀的方法形成连续的第二种子层。
7.根据权利要求1所述的一种深孔金属化转接板的制备方法，其特征在于，步骤S4中，电镀的方式为正向脉冲、直流或双向脉冲，电镀的条件为0.1ASD～4ASD。
8.根据权利要求1所述的一种深孔金属化转接板的制备方法，其特征在于，步骤S4中，填充于通孔内部的电镀金属为金属柱结构；
步骤S5中，采用机械磨抛的方法去除位于基板上下表面的第一种子层以及步骤S4中在基板上下表面形成的多余电镀金属，使金属柱结构的上下两端面与基板的上下表面齐平。
9.根据权利要求8所述的一种深孔金属化转接板的制备方法，其特征在于，机械磨抛后表面的粗糙度＜10nm，TTV＜3μm。
10.根据权利要求1所述的一种深孔金属化转接板的制备方法，其特征在于，步骤S2进行之前，对基板进行等离子活化；
步骤S3和S4进行之前，分别对样品进行清洗和真空脱泡处理。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310180044.6A CN116435191A (zh) | 2023-03-01 | 2023-03-01 | 一种深孔金属化转接板的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310180044.6A CN116435191A (zh) | 2023-03-01 | 2023-03-01 | 一种深孔金属化转接板的制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116435191A true CN116435191A (zh) | 2023-07-14 |
Family
ID=87086210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310180044.6A Pending CN116435191A (zh) | 2023-03-01 | 2023-03-01 | 一种深孔金属化转接板的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116435191A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN118175758A (zh) * | 2024-04-24 | 2024-06-11 | 盛青永致半导体设备(苏州)有限公司 | 具有通孔的线路板的制备方法 |
-
2023
- 2023-03-01 CN CN202310180044.6A patent/CN116435191A/zh active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN118175758A (zh) * | 2024-04-24 | 2024-06-11 | 盛青永致半导体设备(苏州)有限公司 | 具有通孔的线路板的制备方法 |
| CN118175758B (zh) * | 2024-04-24 | 2024-08-23 | 盛青永致半导体设备(苏州)有限公司 | 具有通孔的线路板的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4978639A (en) | Method for the simultaneous formation of via-holes and wraparound plating on semiconductor chips | |
| US5055425A (en) | Stacked solid via formation in integrated circuit systems | |
| CN1516895A (zh) | 用于铜互连的阻挡层增强工艺 | |
| US9123703B2 (en) | Systems and methods for producing flat surfaces in interconnect structures | |
| TWI441956B (zh) | 電沉積組合物及使用該組合物塗覆半導體基材之方法 | |
| CN116435191A (zh) | 一种深孔金属化转接板的制备方法 | |
| US20090098731A1 (en) | Methods for Forming a Through Via | |
| CN106252276B (zh) | 基于tsv技术开关矩阵射频单元的制造方法 | |
| CN115767927A (zh) | 一种基于半加成工艺的精细线路板及其制备方法、表面处理方法和应用 | |
| RU2676240C1 (ru) | Способ формирования плат микроструктурных устройств со сквозными металлизированными отверстиями на монокристаллических кремниевых подложках | |
| US20230107096A1 (en) | Through glass via with a metal wall | |
| CN112802821B (zh) | 一种双面多层布线的铝基转接板及其制备方法 | |
| JPH04209555A (ja) | 電子ボードの多層ネットワークの金属層を相互接続する方法 | |
| JP2000294923A (ja) | セラミック基板への金属充填方法および金属充填セラミック基板 | |
| CN114695133B (zh) | 一种带通孔金刚石集成三维芯片的制备方法 | |
| CN114921821B (zh) | 一种通孔填孔的电镀装置及tgv/tcv孔金属化方法 | |
| US7351608B1 (en) | Method of precisely aligning components in flexible integrated circuit module | |
| JP2011174140A (ja) | 成膜方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
| KR100916771B1 (ko) | 관통형전극의 형성방법 | |
| CN113747664B (zh) | 一种印制线路板及其制作方法 | |
| JP7525612B2 (ja) | 回路基板およびその製造方法 | |
| CN106057732B (zh) | 基于tsv技术和ltcc技术的开关矩阵的制造方法 | |
| WO2010133550A1 (en) | Method for coating a semiconductor substrate by electrodeposition | |
| CN118173436A (zh) | 一种高深宽比硅通孔电子电镀原位表征芯片及制备方法 | |
| KR20240075302A (ko) | 비아가 형성된 글라스 기판의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |