CN116417523A - 一种ibc太阳能电池及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种IBC太阳能电池，包括半导体基底，在半导体基底的第一表面的部分区域上具有第一掺杂层，在半导体基底的内部具有第二掺杂区，第二掺杂区靠近未被第一掺杂层覆盖的第一表面；在第一掺杂层背离半导体基底的一侧表面依次设置有第一膜层和第二膜层，且第一膜层以及第二膜层从第一掺杂层的表面延伸至其侧面，并继续延且伸覆盖未覆盖第一掺杂层的半导体基底的第一表面；第一掺杂层与第二掺杂区的导电类型相反；第一膜层为非掺杂的钝化层，第二膜层为含有掺杂元素的介质层。本申请还提供一种IBC太阳能电池的制备方法。本申请提供的IBC太阳能电池，在第二膜层下方设置第一膜层，可以提高钝化效果，保证电连接的可靠性。

Description

一种IBC太阳能电池及其制备方法
技术领域
本申请涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种IBC太阳能电池及其制备方法。
背景技术
目前现有的太阳电池结构中，背接触太阳电池(IBC)由于正面没有电极遮挡，因此光电转换效率会更高。背接触电池的背面不同的区域上设置有p型区域和第一导电类型区域，然后在其上分别设置正极和负极。并且这种正面无遮挡的电池不仅转换效率高，而且看上去更美观，同时，全背电极的组件更易于装配。IBC电池是目前实现高效晶体硅电池的技术方向之一。
但由于IBC电池结构较为复杂，制备方法也较为复杂，因此成本较高。
发明内容
针对上述问题，本申请提出了一种IBC太阳能电池及其制备方法。
本申请提供一种IBC太阳能电池包括半导体基底，在所述半导体基底的第一表面的部分区域上具有第一掺杂层，在半导体基底的内部具有第二掺杂区，所述第二掺杂区靠近未被第一掺杂层覆盖的第一表面；
在所述第一掺杂层背离所述半导体基底的一侧表面具有第二膜层，且所述第二膜层从所述第一掺杂层的表面延伸至其侧面，并继续延伸覆盖未被第一掺杂层覆盖的半导体基底的第一表面；
所述第一掺杂层与所述第二掺杂区的导电类型相反；
所述第二膜层为含有掺杂元素的介质层。
进一步地，所述第一掺杂层靠近所述半导体基底的一侧表面的宽度小于等于所述第一掺杂层远离所述半导体基底的一侧表面的宽度。
进一步地，所述第一掺杂层靠近所述第二掺杂区的侧面垂直于所述半导体基底。
进一步地，所述第一掺杂层靠近所述第二掺杂区的侧面为底切结构。
进一步地，所述底切结构选自向所述第一掺杂层内凹陷的弧形状结构、向所述第一掺杂层内凹陷的阶梯状结构、与所述未覆盖所述第一掺杂层的半导体基底的第一表面呈锐角的斜面结构中的一种或多种。
进一步地，位于所述第一掺杂层靠近所述第二掺杂区的侧面处的第二膜层与该侧面共形。
进一步地，所述第二膜层中的掺杂元素与所述第二掺杂区中的掺杂元素相同。
进一步地，还包括第一膜层，所述第一膜层与所述第二膜层层叠，且所述第一膜层位于所述第二膜层与所述第一掺杂层以及半导体基底第一表面之间。
进一步地，所述第一膜层与所述第二膜层共形；
所述第一膜层为非掺杂的钝化层。
进一步地，还包括第一电极和第二电极，所述第一电极穿过所述第二膜层或层叠设置的第二膜层和第一膜层与所述第一掺杂层接触，所述第二电极穿过所述第二膜层或层叠设置的第二膜层和第一膜层与所述第二掺杂区接触。
进一步地，所述第二掺杂区延伸至底切结构的下方。
本申请提供一种IBC太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：
提供半导体基底；
在所述半导体基底的第一表面形成第一掺杂层；
将所述第一掺杂层进行图形化，从而保留部分第一掺杂层；
在所述第一掺杂层背离所述半导体基底的一侧表面，形成覆盖所述第一掺杂层以及所述半导体基底未覆盖第一掺杂层的第一表面的第二膜层；
对位于所述半导体基底未覆盖第一掺杂层上的第二膜层进行加热，使得第二膜层中的掺杂元素至少部分进入所述半导体基底内，从而在所述半导体基体内靠近所述第二膜层的一侧内形成第二掺杂区；
所述第一掺杂层与所述第二掺杂区的导电类型相反；
所述第二膜层为含有掺杂元素的介质层。
进一步地，在所述第一掺杂层背离所述半导体基底的一侧表面上形成辅助层，然后将部分辅助层以及第一掺杂层刻蚀掉，从而完成图形化，只留下部分第一掺杂层。
进一步地，通过加热，所述第二膜层中的掺杂元素进入所述半导体基底中，所述加热峰值温度为800～1100℃，加热时间为30～120min；
加热前所述第二膜层中的掺杂元素的峰值掺杂浓度为1×1019～1×1021atoms/cm3。
进一步地，所述第二掺杂区的掺杂元素的峰值掺杂浓度为5×1018～1×1021atoms/cm3，所述第二掺杂区的厚度为0.1～5μm。
进一步地，在所述第一掺杂层图形化过程中，通过湿法蚀刻工艺、干法蚀刻工艺或激光烧蚀工艺在所述第一掺杂层靠近所述第二掺杂区的侧面形成底切结构。
进一步地，在形成第二膜层之前，在所述第一掺杂层背离所述半导体基底的一侧表面形成覆盖所述第一掺杂层以及未覆盖所述第一掺杂层的半导体基底第一表面的第一膜层，然后在第一膜层背离所述第一掺杂层以及半导体基底的一侧表面形成第二膜层。
进一步地，所述IBC太阳能电池为前述的IBC太阳能电池。
本申请提供的IBC太阳能电池，在所述第二膜层下方设置第一膜层(即未掺杂钝化层)，可以提高钝化效果，保证电连接的可靠性。在第一掺杂层的侧面形成底切结构，且使得第一膜层和第二膜层与所述底切结构共形，可以增加爬电距离，降低漏电。所述第二掺杂区可以延伸至底切结构的下方，所述底切结构可以在保证电可靠的基础上，增加背面的利用率。
附图说明
附图用于更好地理解本申请，不构成对本申请的不当限定。其中：
图1为本申请提供的IBC太阳能电池的结构示意图。
图2为本申请提供的IBC太阳能电池的结构示意图。
图3为本申请提供的IBC太阳能电池的结构示意图。
图4为本申请提供的IBC太阳能电池的结构示意图。
图5为本申请提供的IBC太阳能电池的结构示意图。
图6a-图6f为本申请提供的IBC太阳能电池的制备流程图。
附图标记说明
1-半导体基底，2-界面钝化层，3-第一掺杂层，4-第一膜层，5-第二膜层，6-第一电极，7-第二电极，8-第二掺杂区。
具体实施方式
以下对本申请的示范性实施例做出说明，其中包括本申请实施例的各种细节以助于理解，应当将它们认为仅仅是示范性的。因此，本领域普通技术人员应当认识到，可以对这里描述的实施例做出各种改变和修改，而不会背离本申请的范围和精神。同样，为了清楚和简明，以下的描述中省略了对公知功能和结构的描述。在本申请中上下位置依据光线入射方向而定，光线入射处为上。
本申请提供一种IBC太阳能电池，包括半导体基底1，在所述半导体基底1的第一表面划分为第一区域和第二区域，在所述第一区域，所述半导体基底1的第一表面上依次设置有界面钝化层2和第一掺杂层3。在所述第一掺杂层3背离所述半导体基底1的一侧表面设置有第二膜层5(如图4所示)或依次层叠设置的第一膜层4和第二膜层5(如图2所示)，且所述第二膜层5或层叠在一起的第一膜层4和第二膜层5从所述第一掺杂层3的表面延伸至其侧面，并继续延且伸覆盖未覆盖第一掺杂层3的半导体基底1的第一表面；
在所述第二区域中，所述半导体基底1在其靠近所述第一膜层4的一侧内设置有第二掺杂区8，所述第一掺杂层3与所述第二掺杂区8的导电类型相反。
所述半导体基底1可以为p型或者n型均可。当第一掺杂层3为p型时，则第二掺杂区8为n型。反之，当第一掺杂层3为n型时，则第二掺杂区8为p型，以硅为例，p型的导电掺杂剂一般为IIIA族元素，譬如镓Ga，或者硼B。n型的掺杂剂一般为VA元素，譬如磷P元素。
所述IBC太阳能电池还包括第一电极6和第二电极7，所述第一电极6穿过所述第二膜层5或依次穿过第二膜层5以及第一膜层4与所述第一掺杂层3接触，所述第二电极7穿过所述第二膜层5或依次穿过第二膜层5以及第一膜层4与所述第二掺杂区8接触。
所述第一电极6以及第二电极7可以为金、银或铝。
导电类型可以使用ECV等的测试，也可以使用pn笔测试得到。
掺杂浓度可以通过ECV方法测试。
所述第一掺杂层、第二掺杂区内的掺杂元素可以通过STEM表征出来。
在本申请中，所述半导体基底1可以为硅基底或锗基底。
在本申请中，所述第一掺杂层3可以为含有掺杂剂的非晶硅层、微晶硅层、多晶硅层、纳米硅或者以上的一种或多种混合物，优选为含有掺杂剂的非晶硅层，因为非晶硅的制备温度更低，相对来说工艺时间也会更节省。
在本申请中，所述界面钝化层2可以为氧化物层、氮化物层、碳化物层、氢化非晶硅层中的一种或多种，所述氧化物层包括：氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、HfO2、Ga2O3、Ta2O5、Nb2O5中的一种或多种的混合物，所述氮化物层包括：氮化硅、氮化铝、TiN、TiCN中的一种或多种，所述碳化物包括：SiC、SiCN等。
具体地，所述界面钝化层2可以为隧穿氧化层，其厚度为0.5-5nm，例如可以为0.5nm、1nm、1.5nm、2nm、2.5nm、3nm、3.5nm、4nm、4.5nm或5nm。
在本申请中，所述第一膜层4为非掺杂的钝化层，其可以由氧化铝或氧化硅等绝缘材料形成，其中，选用氧化铝时其厚度为1-20nm，例如可以为1nm、5nm、10nm、15nm、20nm等。选用氧化硅时其厚度为1nm以下，例如可以为1nm、0.8nm、0.6nm等。此外，第一膜层4不可用氮化硅，由于氮化硅具有正的固定电荷，所以只能钝化n型面，对于p型的钝化效果较差，而氧化铝和氧化硅对于p型和n型半导体均有较好的钝化效果。
在本申请中，所述第二膜层5为含有掺杂元素的介质层，其可以氮化硅层，所述氮化硅层含有掺杂元素，且所述第二膜层5中的掺杂元素与所述第二掺杂区8中的掺杂元素相同。
具体地，所述第一掺杂层3的厚度为30-200nm，优选50-150nm。例如可以为30nm、40nm、50nm、60nm、70nm、80nm、90nm、100nm、110nm、120nm、130nm、140nm、150nm、160nm、170nm、180nm、190nm或200nm。
具体地，所述第二掺杂区8的厚度为0.1～5.0μm。例如可以为0.1μm、0.5μm、1.0μm、1.5μm、2.0μm、2.5μm、3.0μm、3.5μm、4.0μm、4.5μm或5.0μm。所述第二掺杂区8的宽度为50-500μm，例如可以为50μm、100μm、150μm、200μm、250μm、300μm、350μm、400μm、450μm或500μm。
在本申请中，所述第一掺杂层3靠近所述半导体基底1的一侧表面的宽度小于等于所述第一掺杂层3远离所述半导体基底1的一侧表面的宽度。
如图1所示，当所述第一掺杂层3靠近所述半导体基底1的一侧表面的宽度等于所述第一掺杂层3远离所述半导体基底1的一侧表面的宽度时，所述第一掺杂层3靠近所述第二掺杂区8的侧面垂直于所述半导体基底1。
如图2-图5所示，当所述第一掺杂层3靠近所述半导体基底1的一侧表面的宽度小于所述第一掺杂层3远离所述半导体基底1的一侧表面的宽度时，所述第一掺杂层3靠近所述第二掺杂区8的侧面为底切结构，所述底切结构可以为向所述第一掺杂层内凹陷的弧形状结构(如图5)、与所述未覆盖所述第一掺杂层3的半导体基底1的第一表面呈锐角的斜面结构(如图2和图3所示)、或向所述第一掺杂层内凹陷的阶梯状结构中的一种，优选为向所述第一掺杂层内凹陷的凹弧形状结构。
在本申请中，位于所述第一掺杂层3靠近所述第二掺杂区8的侧面处的第二膜层5或层叠在一起的第一膜层4和第二膜层5与该侧面共形。由于在第一掺杂层3的侧面具有底切结构，且使得第二膜层5或层叠在一起的第一膜层4和第二膜层5与所述底切结构共形，从而可以增加第一电极6和第二电极7之间的爬电距离，降低漏电。
在本申请中，所述第二掺杂区8的宽度小于等于第二区域的宽度。
如图2所示，当所述第二掺杂区8的宽度小于第二区域的宽度，所述第二掺杂区8可与底切结构无交叠部分。如此设置，第二掺杂区8的形成是便捷的，只需要利用激光等进行局部垂直照射既可以实现。
如图3所示，当所述第二掺杂区8的宽度等于第二区域的宽度时，所述第二掺杂区8延伸至底切结构的下方，所述底切结构可以在保证电可靠的基础上，增加第二掺杂区8的面积和背面的利用率，从而提高载流子分离和收集能力。
在本申请中，在所述半导体基底1背离所述界面钝化层2的一侧表面还依次设置有正面钝化层和减反射膜，所述正面钝化层可以为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅、非晶硅中的一种或多种组成。
本申请提供一种IBC太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：
步骤一：提供半导体基底1。
步骤二：在所述半导体基底1的一侧表面的第一区域以及第二区域形成第一掺杂层3。
步骤三：将所述第一掺杂层3进行图形化，从而保留第一区域的第一掺杂层3。
步骤四：在所述第一掺杂层3背离所述半导体基底1的一侧表面形成覆盖所述第一掺杂层3以及所述半导体基底1未覆盖第一掺杂层3的表面的第二膜层5。
步骤五：对位于所述半导体基底1未覆盖第一掺杂层3区域上的第二膜层5进行加热，使得第二膜层5中的掺杂元素至少部分进入所述半导体基底1内，从而在所述半导体基体内靠近所述第二膜层5的一侧内形成第二掺杂区8。
所述第一掺杂层3与所述第二掺杂区8的导电类型相反。
在步骤二中，使用LPCVD在所述半导体基底1的一侧表面形成界面钝化层2，使用温度为400-700℃，在所述界面钝化层2背离所述半导体基底1的一侧表面形成半导体膜层，界面钝化层26的厚度为0.5-5nm，例如可以为0.5nm、1nm、1.5nm、2nm、2.5nm、3nm、3.5nm、4nm、4.5nm或5nm。所述半导体膜层的厚度为70-200nm，例如可以为70nm、80nm、90nm、100nm、110nm、120nm、130nm、140nm、150nm、160nm、170nm、180nm、190nm或200nm。
所述半导体膜层可以是非晶硅层。所述非晶硅层也可以替换为各类半导体层，例如，微晶硅、多晶硅、纳米硅或者以上的一种或多种混合物。
所述半导体膜层可以是使用原位掺杂的半导体膜层。比如直接LPCVD法沉积非晶过程中加入乙硼烷或者磷烷之类的，沉积后即有掺杂，形成第一掺杂层3。
所述半导体膜层也可以是本征导电类型，然后进行非原位掺杂而形成第一掺杂层3。比如先沉积生成本征的半导体膜层，然后经过外部掺杂，掺杂成为第一掺杂层3。
具体地，使用非晶硅层或微晶硅层作为半导体膜层，然后直接使用POCl3热磷扩散的方法，将磷元素掺杂进入非晶硅层中。并且在这一过程中，由于温度加热的原因，非晶硅层或微晶硅层可以进一步晶化形成多晶硅层，这样可以提高半导体膜层的电导率；加热退火还可以使得界面钝化层2(例如隧穿氧化层)更有利于进行载流子选择性和传输性；加热退火还可以使得掺杂元素进入界面钝化层2和半导体基底1中，从而减少传输电阻。
掺杂过程还可以是磷元素掺杂或者含磷材料涂布或者磷原子的注入，使用方法可以包括，热沉积方式、磷浆涂布(印刷涂布等方法)、含磷氧化硅的沉积等。
在步骤三中，在所述第一掺杂层3背离所述半导体基底1的一侧表面上形成辅助层，然后将第二区域上方的辅助层以及第一掺杂层3刻蚀掉，从而完成图形化，只留下第一区域的第一掺杂层3。
在所述第一掺杂层3图形化过程中，通过湿法蚀刻工艺、干法蚀刻工艺或激光烧蚀工艺在所述第一掺杂层3靠近所述第二掺杂区的侧面形成底切结构。
具体地，所述辅助层可以为氧化硅、氮化硅等介质膜。优选地，可以使用前述磷掺杂时形成的氧化硅膜作为辅助层。然后将辅助层进行图形化，例如，使用刻蚀浆料印刷图形去除第一区域之外的辅助层、第一掺杂层3以及界面钝化层2，或者使用短脉冲激光去除第一区域以外的辅助层、第一掺杂层3以及界面钝化层2。可选的，去除第一区域以外的辅助层、第一掺杂层3以及界面钝化层2之后，还包括去除第一区域以外的半导体基底1的一部分，以在第二区域形成凹陷，即在半导体基底1的第二区域和第一区域之间形成阶梯形状(未图示)。该凹陷的深度可以是1-10μm。
优选方案中使用碱溶液去除位于第一区域之外的第一掺杂层3和界面钝化层2，并使用同一所述碱溶液使得所述第二区域中的半导体基底1表面上形成绒面结构。使用碱液在第一区域完成图形化第一掺杂层3，也同时完成了第二区域的绒面制备。使得IBC制备流程过程大大简化，可以免去目前常用的单面制绒的工艺。
现有技术中的单面制绒有两种方法：方法1、先将硅片双面抛光，然后单面制备辅助层，然后去制绒，制绒完成后去除辅助层。
方法2、先将硅片双面抛光，然后单面制备辅助层，然后单面抛光，然后去除辅助层。
现有的两种单面制绒方法都比较复杂，并且在电池制备工艺的最开始就要完成单面制绒工序。需要起码四个工序才能完成。并且，绒面在后续的正常制备电池过程中可能还会被损坏，降低电池的绒面减反射效果。
在一个具体实施方式中，在第一掺杂层3上形成图案化的辅助层(未示出)覆盖第一区域，再使用湿法蚀刻工艺去除位于该辅助层之外的第一掺杂层3和界面钝化层2，在此过程中，由于第一区域的表面有辅助层的覆盖，因此，蚀刻液从侧面和第一掺杂层3反应，且越靠近该辅助层，蚀刻速率越小，由此即形成了底切结构。
在步骤四中，使用ALD(原子层沉积)或者PECVD方法等化学气相沉积方法在所述第一掺杂层3背离所述半导体基底1的一侧表面形成覆盖所述第一掺杂层3以及第二区域的第二膜层5。
所述第二膜层5可以是氮化硅层，此氮化硅层中含有导电掺杂元素，该导电掺杂元素可以为IIIA掺杂元素或VA族掺杂元素。所述第二膜层5中的导电掺杂元素的掺杂浓度可以为1×1019-1×1021atoms/cm3，例如可以为1×1019atoms/cm3、1×1020atoms/cm3或1×1021atoms/cm3。
在另一个具体实施方式中，在形成第二膜层5之前，先在使用ALD(原子层沉积)或者PECVD方法等化学气相沉积方法在所述第一掺杂层3背离所述半导体基底1的一侧表面形成覆盖所述第一掺杂层3以及第二区域的第一膜层4，然后在第一膜层4背离所述第一掺杂层以及半导体基底的一侧表面形成第二膜层5。
具体地，所述第一膜层4还可以使用热生长方法形成，例如在一定温度下，通入氧气或者笑气(一氧化二氮)的方式直接生长而成氧化硅层，也可以使用HNO3等化学方法直接制备在所述第一掺杂层3以及第二区域中的半导体层基底的表面。
当第一膜层4为氧化铝和氧化硅的叠层时，也可以通过先制备氧化铝，然后加热退火，使得硅和氧化铝的界面形成一层极薄的氧化硅层(如前所述，此氧化硅≤1nm)。
在所述第二膜层5下方设置第一膜层4，可以提高钝化效果，保证电连接的可靠性。例如，本实施例中的第二膜层5可以优选为含硼的氮化硅层，其具有正的固定电荷Qf，其对于n型区(即第一掺杂层3)具有良好的场钝化作用，但对于p型区(即第二掺杂区8)则没有好的场钝化作用。因此，增加一层中间层，例如氧化铝层或者氧化硅层时，即可以使得不论第一掺杂层3(例如n型)还是第二掺杂区8(例如p型)均有良好的钝化作用。
另外，氮化硅层的表面缺陷密度Dit也较高，不如氧化铝层或者氧化硅层的化学钝化效果好。但是氮化硅层有大量的氢，氮化硅层设置在外层时，氢也还是可以通过里面的几层可以进入到半导体基底1内，提高基底的体钝化效果，不会减弱氮化硅的作用。
并且，第一膜层4选择为氧化铝层时，氧化铝层和硅材质的基底1或第一掺杂层3之间会形成一层很薄的氧化硅，这层氧化硅即具有良好的化学钝化作用。
在步骤五中，通过加热，所述第二膜层5中的掺杂元素进入所述半导体基底1中，所述加热温度为800-1100℃，加热时间为2min-20min。
加热后所述第二膜层5中的掺杂浓度主要变化在被加热的局部位置，其他位置处的掺杂浓度基本不变。针对较厚的第二膜层5，其整体的平均掺杂浓度也变化不大，只是小幅降低。
所述第二掺杂区8中的掺杂元素的峰值掺杂浓度为5×1018～1×1021atoms/cm3。例如可以为5×1018atoms/cm3、6×1018atoms/cm3、7×1018atoms/cm3、8×1018atoms/cm3、9×1018atoms/cm3、1×1019atoms/cm3、2×1019atoms/cm3、3×1019atoms/cm3、4×1019atoms/cm3、5×1019atoms/cm3、6×1019atoms/cm3、7×1019atoms/cm3、8×1019atoms/cm3、9×1019atoms/cm3、1×1020atoms/cm3、2×1020atoms/cm3、3×1020atoms/cm3、4×1020atoms/cm3、5×1020atoms/cm3、6×1020atoms/cm3、7×1020atoms/cm3、8×1020atoms/cm3、9×1020atoms/cm3或1×1021atoms/cm3。
具体地，使用局部加热的方法，使得第二膜层5中的导电掺杂元素部分或者全部进入所述半导体基底1中，在所述半导体基底1中形成第二掺杂区8，也即额外掺杂层。
当导电掺杂元素为硼时，则为硼掺杂层。优选的硅基底的内设置的额外掺杂层的厚度为0.1～5μm。所述额外掺杂层中的硼峰值掺杂浓度为5×1018-5×1020atoms/cm3。
当导电掺杂元素为磷时，所述额外掺杂层中的磷峰值掺杂浓度为2×1019-1×1021atoms/cm3。
局部加热的方法，优选为激光辐照。激光辐照工艺简单，对其他区域的热损伤较少。
本申请所述的方法还包括如下步骤：
步骤六：在所述半导体基底1背离所述界面钝化层2的一侧表面形成正面钝化层。
步骤七：第一电极6以及第二电极7的形成：
形成电极的方法包括多种，可以直接使用烧穿型浆料涂覆在第二膜层5上，然后经过热处理使得电极浆料穿过第二膜层5以及第一膜层4与第一掺杂层3以及第二掺杂区8形成接触。也可以先在第二膜层5以及第一膜层4上开孔，然后使用电极浆料、激光转印法、电镀、化学镀、光诱导电镀等方法，或者蒸发、溅射等物理气相沉积等方法形成电极。显然地，也可以使用以上方法中的一种或者多种方法的结合来形成电极。
显然地，也可以使用以上方法中的一种或者多种方法的结合来形成电极。例如，使用PVD种子层配合印刷电极的方法，亦或是丝网印刷电极浆料配合电镀方法，或是激光转印方法和丝网印刷烧结方法的结合等。
本申请提供一种IBC太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：
步骤一：提供半导体基底1。
步骤二：在所述半导体基底1的一侧表面的第一区域以及第二区域形成第一掺杂层3，参见图6a。
具体地，使用LPCVD在所述半导体基底1的一侧表面形成界面钝化层2，使用温度为400-700℃，在所述界面钝化层2背离所述半导体基底1的一侧表面形成半导体膜层，界面钝化层26的厚度为0.5-5nm，例如可以为0.5nm、1nm、1.5nm、2nm、2.5nm、3nm、3.5nm、4nm、4.5nm或5nm。所述半导体膜层的厚度为70-200nm，例如可以为70nm、80nm、90nm、100nm、110nm、120nm、130nm、140nm、150nm、160nm、170nm、180nm、190nm或200nm。
所述半导体膜层可以是非晶硅层。所述非晶硅层也可以替换为各类半导体层，例如，微晶硅、多晶硅、纳米硅或者以上的一种或多种混合物。
所述半导体膜层可以是使用原位掺杂的半导体膜层。比如直接LPCVD法沉积非晶过程中加入乙硼烷或者磷烷之类的，沉积后即有掺杂，形成第一掺杂层3。
所述半导体膜层也可以是本征导电类型，然后进行非原位掺杂而形成第一掺杂层3。比如先沉积生成本征的半导体膜层，然后经过外部掺杂，掺杂成为第一掺杂层3。
具体地，使用非晶硅层或微晶硅层作为半导体膜层，然后直接使用POCl3热磷扩散的方法，将磷元素掺杂进入非晶硅层中。并且在这一过程中，由于温度加热的原因，非晶硅层或微晶硅层可以进一步晶化形成多晶硅层，这样可以提高半导体膜层的电导率；加热退火还可以使得界面钝化层2(例如隧穿氧化层)更有利于进行载流子选择性和传输性；加热退火还可以使得掺杂元素进入界面钝化层2和半导体基底1中，从而减少传输电阻。
掺杂过程还可以是磷元素掺杂或者含磷材料涂布或者磷原子的注入，使用方法可以包括，热沉积方式、磷浆涂布(印刷涂布等方法)、含磷氧化硅的沉积等。
步骤三：将所述第一掺杂层3进行图形化，从而保留第一区域的第一掺杂层3，参见图6b。
具体地，在所述第一掺杂层3背离所述半导体基底1的一侧表面上形成辅助层，然后将第二区域上方的辅助层以及第一掺杂层3刻蚀掉，从而完成图形化，只留下第一区域的第一掺杂层3。可选的，去除第一区域以外的辅助层、第一掺杂层3以及界面钝化层2之后，还包括去除第一区域以外的半导体基底1的一部分，以在第二区域形成凹陷，即在半导体基底1的第二区域和第一区域之间形成阶梯形状(未图示)。该凹陷的深度可以是1-10μm。
具体地，所述辅助层可以为氧化硅、氮化硅等介质膜。优选地，可以使用前述磷掺杂时形成的氧化硅膜作为辅助层。然后将辅助层进行图形化，例如，使用刻蚀浆料印刷图形去除第一区域之外的辅助层、第一掺杂层3以及界面钝化层2，或者使用短脉冲激光去除第一区域以外的辅助层、第一掺杂层3以及界面钝化层2。
优选方案中使用碱溶液去除位于第一区域之外的第一掺杂层3和界面钝化层2，并使用同一所述碱溶液使得所述第二区域中的半导体基底1表面上形成绒面结构。使用碱液在第一区域完成图形化第一掺杂层3，也同时完成了第二区域的绒面制备。使得IBC制备流程过程大大简化，可以免去目前常用的单面制绒的工艺。
现有技术中的单面制绒有两种方法：方法1、先将硅片双面抛光，然后单面制备辅助层，然后去制绒，制绒完成后去除辅助层。
方法2、先将硅片双面抛光，然后单面制备辅助层，然后单面抛光，然后去除辅助层。
现有的两种单面制绒方法都比较复杂，并且在电池制备工艺的最开始就要完成单面制绒工序。需要起码四个工序才能完成。并且，绒面在后续的正常制备电池过程中可能还会被损坏，降低电池的绒面减反射效果。
在一个具体实施方式中，在第一掺杂层3上形成图案化的辅助层(未示出)覆盖第一区域，再使用湿法蚀刻工艺去除位于该辅助层之外的第一掺杂层3和界面钝化层2，在此过程中，由于第一区域的表面有辅助层的覆盖，因此，蚀刻液从侧面和第一掺杂层3反应，且越靠近该辅助层，蚀刻速率越小，由此即形成了底切结构。此外，底切结构还可以通过激光的斜向烧蚀或者干法蚀刻工艺形成。在第二区域被部分刻蚀时，即第二区域为凹陷结构时，该底切结构可以包括第二区域的侧壁，由于底切结构位置处的不同层的材质不同，底切结构的底切面可以是不规则的(未图示)。
步骤四：在所述第一掺杂层3背离所述半导体基底1的一侧表面形成覆盖所述第一掺杂层3以及所述半导体基底1未覆盖第一掺杂层3的表面的第二膜层5，参见图6d。
具体地，使用ALD(原子层沉积)或者PECVD方法等化学气相沉积方法在所述第一掺杂层3背离所述半导体基底1的一侧表面形成覆盖所述第一掺杂层3以及第二区域的第二膜层5。
所述第二膜层5可以是氮化硅层，此氮化硅层中含有导电掺杂元素，该导电掺杂元素可以为IIIA掺杂元素或VA族掺杂元素。所述第二膜层5中的导电掺杂元素的掺杂浓度可以为1×1019-1×1021atoms/cm3，例如可以为1×1019atoms/cm3、1×1020atoms/cm3或1×1021atoms/cm3。
在另一个具体实施方式中，在形成第二膜层5之前，先在使用ALD(原子层沉积)或者PECVD方法等化学气相沉积方法在所述第一掺杂层3背离所述半导体基底1的一侧表面形成覆盖所述第一掺杂层3以及第二区域的第一膜层4(参见图6c)，然后在第一膜层4背离所述第一掺杂层以及半导体基底的一侧表面形成第二膜层5。
具体地，所述第一膜层4还可以使用热生长方法形成，例如在一定温度下，通入氧气或者笑气(一氧化二氮)的方式直接生长而成氧化硅层，也可以使用HNO3等化学方法直接制备在所述第一掺杂层3以及第二区域中的半导体层基底的表面。
当第一膜层4为氧化铝和氧化硅的叠层时，也可以通过先制备氧化铝，然后加热退火，使得硅和氧化铝的界面形成一层极薄的氧化硅层(如前所述，此氧化硅≤1nm)。
在所述第二膜层5下方设置第一膜层4，可以提高钝化效果，保证电连接的可靠性。例如，本实施例中的第二膜层5可以优选为含硼的氮化硅层，其具有正的固定电荷Qf，其对于n型区(即第一掺杂层3)具有良好的场钝化作用，但对于p型区(即第二掺杂区8)则没有好的场钝化作用。因此，增加一层中间层，例如氧化铝层或者氧化硅层时，即可以使得不论第一掺杂层3(例如n型)还是第二掺杂区8(例如p型)均有良好的钝化作用。
另外，氮化硅层的表面缺陷密度Dit也较高，不如氧化铝层或者氧化硅层的化学钝化效果好。但是氮化硅层有大量的氢，氮化硅层设置在外层时，氢也还是可以通过里面的几层可以进入到半导体基底1内，提高基底的体钝化效果，不会减弱氮化硅的作用。
并且，第一膜层4选择为氧化铝层时，氧化铝层和硅材质的基底1或第一掺杂层3之间会形成一层很薄的氧化硅，这层氧化硅即具有良好的化学钝化作用。
步骤五：对位于所述半导体基底1未覆盖第一掺杂层3区域上的第二膜层5进行加热，使得第二膜层5中的掺杂元素至少部分进入所述半导体基底1内，从而在所述半导体基体内靠近所述第一膜层4的一侧内形成第二掺杂区8，参见图6e。
所述第一掺杂层3与所述第二掺杂区8的导电类型相反。
具体地，通过加热，所述第二膜层5中的掺杂元素进入所述半导体基底1中，所述加热温度为800-1100℃，加热时间为2min-20min。
加热后所述第二膜层5中的掺杂浓度主要变化在被加热的局部位置，其他位置处的掺杂浓度基本不变。针对较厚的第二膜层5，其整体的平均掺杂浓度也变化不大，只是小幅降低。
所述第二掺杂区8中的掺杂元素的峰值掺杂浓度为5×1018～1×1021atoms/cm3。例如可以为5×1018atoms/cm3、6×1018atoms/cm3、7×1018atoms/cm3、8×1018atoms/cm3、9×1018atoms/cm3、1×1019atoms/cm3、2×1019atoms/cm3、3×1019atoms/cm3、4×1019atoms/cm3、5×1019atoms/cm3、6×1019atoms/cm3、7×1019atoms/cm3、8×1019atoms/cm3、9×1019atoms/cm3、1×1020atoms/cm3、2×1020atoms/cm3、3×1020atoms/cm3、4×1020atoms/cm3、5×1020atoms/cm3、6×1020atoms/cm3、7×1020atoms/cm3、8×1020atoms/cm3、9×1020atoms/cm3或1×1021atoms/cm3。
具体地，使用局部加热的方法，使得第二膜层5中的导电掺杂元素部分或者全部进入所述半导体基底1中，在所述半导体基底1中形成第二掺杂区8，也即额外掺杂层。
当导电掺杂元素为硼时，则为硼掺杂层。优选的硅基底的内设置的额外掺杂层的厚度为0.1～5μm。所述额外掺杂层中的硼峰值掺杂浓度为5×1018-5×1020atoms/cm3。
当导电掺杂元素为磷时，所述额外掺杂层中的磷峰值掺杂浓度为2×1019-1×1021atoms/cm3。
局部加热的方法，优选为激光辐照。激光辐照工艺简单，对其他区域的热损伤较少。
步骤六：在所述半导体基底1背离所述界面钝化层2的一侧表面形成正面钝化层。
步骤七：第一电极6以及第二电极7的形成，参见图6f。
形成电极的方法包括多种，可以直接使用烧穿型浆料涂覆在第二膜层5上，然后经过热处理使得电极浆料穿过第二膜层5以及第一膜层4与第一掺杂层3以及第二掺杂区8形成接触。也可以先在第二膜层5以及第一膜层4上开孔，然后使用电极浆料、激光转印法、电镀、化学镀、光诱导电镀等方法，或者蒸发、溅射等物理气相沉积等方法形成电极。显然地，也可以使用以上方法中的一种或者多种方法的结合来形成电极。
显然地，也可以使用以上方法中的一种或者多种方法的结合来形成电极。例如，使用PVD种子层配合印刷电极的方法，亦或是丝网印刷电极浆料配合电镀方法，或是激光转印方法和丝网印刷烧结方法的结合等。
实施例
下述实施例中所使用的实验方法如无特殊要求，均为常规方法。
下述实施例中所使用的材料、试剂等，如无特殊说明，均可从商业途径得到。
实施例1
本实施例的IBC太阳能电池如图1所示，其制备方法如下：
步骤一：提供半导体基底1。
具体地，以p型硅片为例，该硅片厚度在200μm，且具有电阻率20ohm·cm；将硅片进行清洗，从而获得半导体基底1。
步骤二：在所述半导体基底1的一侧表面的第一区域以及第二区域形成第一掺杂层3。
具体地，使用LPCVD在所述半导体基底1的一侧表面形成氧化硅层(即为界面钝化层2)，使用温度为700℃，所述氧化硅层的厚度为0.5nm。
在所述氧化硅层背离所述半导体基底1的一侧表面沉积本征非晶硅层(即为半导体膜层)，且所述本征非晶硅层的厚度为70nm。然后使用POCl3热磷扩散的方法，将磷元素掺杂进入非晶硅层中，并且在这一过程中，由于温度加热的原因，本征非晶硅层可以进一步晶化形成多晶硅层，最终形成掺磷多晶硅层(即第一掺杂层3)。
步骤三：将所述第一掺杂层3进行图形化，从而保留第一区域的第一掺杂层3。
具体地，在所述第一掺杂层3背离所述半导体基底1的一侧表面上形成辅助层，然后采用短脉冲激光垂直照射第二区域上方，将第二区域上方的辅助层、第一掺杂层3以及界面钝化层2刻蚀掉，只留下第一区域的第一掺杂层3以及界面钝化层2，从而完成图形化。
步骤四：在所述第一掺杂层3背离所述半导体基底1的一侧表面形成覆盖所述第一掺杂层3以及所述半导体基底1未覆盖第一掺杂层3的表面的第一膜层4。
具体地，使用ALD(原子层沉积)方法，通入氧气或者笑气(一氧化二氮)的方式，在所述第一掺杂层3背离所述半导体基底1的一侧表面生长覆盖所述第一掺杂层3以及第二区域的氧化硅层(即第一膜层4)，其厚度为10nm。
步骤五：在所述第一膜层4背离所述第一掺杂层3的一侧表面形成含有硼元素的氮化硅层(即第二膜层5)；
所述第二膜层5中的硼元素的掺杂浓度可以为1×1021atoms/cm3。
步骤六：对所述半导体基底1未覆盖第一掺杂层3区域上的第二膜层5采用激光辐照局部加热，使得第二膜层5中的掺杂元素硼至少部分穿过第一膜层4进入所述半导体基底1内，从而在所述半导体基体内靠近所述第一膜层4的一侧内形成第二掺杂区8。
所述加热温度为800℃，加热时间为120min；所述第二掺杂区8的硼峰值掺杂浓度为5×1018atoms/cm3。
所述第二掺杂区8的厚度为0.1μm，宽度为100μm。
当导电掺杂元素为磷时，所述额外掺杂层中的磷峰值掺杂浓度为2×1019-1×1021atoms/cm3。
步骤七：在所述半导体基底1背离所述界面钝化层2的一侧表面形成厚度为0.5nm的氧化硅层(即正面钝化层)。
步骤八：第一电极6以及第二电极7的形成：
使用烧穿型银浆料涂覆在第二膜层5上，然后经过热处理使得烧穿型银浆料穿过第二膜层5以及第一膜层4与第一掺杂层3以及第二掺杂区8形成接触，形成第一银电极和第二银电极。
所述IBC太阳能电池的性能如表1所示。
实施例2
本实施例的IBC太阳能电池如图2所示，其制备方法如下(图6a-图6f)：
步骤一：提供半导体基底1。
具体地，以p型硅片为例，该硅片厚度在165μm，且具有电阻率10ohm·cm；将硅片进行清洗，从而获得半导体基底1。
步骤二：在所述半导体基底1的一侧表面的第一区域以及第二区域形成第一掺杂层3。
具体地，使用LPCVD在所述半导体基底1的一侧表面形成氧化硅层(即为界面钝化层2)，使用温度为700℃，所述氧化硅层的厚度为0.5nm。
在所述氧化硅层背离所述半导体基底1的一侧表面沉积本征非晶硅层(即为半导体膜层)，且所述本征非晶硅层的厚度为70nm。然后使用POCl3热磷扩散的方法，将磷元素掺杂进入非晶硅层中，并且在这一过程中，由于温度加热的原因，本征非晶硅层可以进一步晶化形成多晶硅层，最终形成掺磷多晶硅层(即第一掺杂层3)。
步骤三：将所述第一掺杂层3进行图形化，从而保留第一区域的第一掺杂层3。
具体地，在所述第一掺杂层3背离所述半导体基底1的一侧表面上形成辅助层，然后采用短脉冲激光倾斜照射第二区域上方的辅助层(所述短脉冲激光的照射方向与所述第二区域上方的辅助层呈60°)，所述短脉冲激光将第二区域上方的辅助层、第一掺杂层3以及界面钝化层2刻蚀掉，只留下第一区域的第一掺杂层3以及界面钝化层2，并且所述第一辅助层靠近所述第二区域的侧面形成底切结构(该侧面与第二区域的所述半导体基底1呈60°)，从而完成图形化。
步骤四：在所述第一掺杂层3背离所述半导体基底1的一侧表面形成覆盖所述第一掺杂层3以及所述半导体基底1未覆盖第一掺杂层3的表面的第一膜层4；
具体地，使用ALD(原子层沉积)方法，通入氧气或者笑气(一氧化二氮)的方式，在所述第一掺杂层3背离所述半导体基底1的一侧表面生长覆盖所述第一掺杂层3以及第二区域的氧化硅层(即第一膜层4)，其厚度为30nm。
所述第一膜层4在所述第一掺杂层3的底切结构处于其共形。
步骤五：在所述第一膜层4背离所述第一掺杂层3的一侧表面形成含有硼元素的氮化硅层(即第二膜层5)。
所述第二膜层5中的硼元素的掺杂浓度可以为1×1021atoms/cm3。
步骤六：对所述半导体基底1未覆盖第一掺杂层3区域上的第二膜层5采用激光辐照对第二区域局部加热，使得第二膜层5中的掺杂元素硼至少部分穿过第一膜层4进入所述半导体基底1内，从而在所述半导体基体内靠近所述第一膜层4的一侧内形成第二掺杂区8；激光辐照的角度此处与基底1的一侧表面垂直即可，此时，无需考虑对底切结构位置处的辐照。
所述加热温度为1200℃，加热时间为30min。
所述第二掺杂区8的硼峰值掺杂浓度为5×1019atoms/cm3。
所述第二掺杂区8的厚度为0.1μm。
所述第二掺杂区的宽度为100μm。
当导电掺杂元素为磷时，所述额外掺杂层中的磷峰值掺杂浓度为2×1019-1×1021atoms/cm3。
步骤七：在所述半导体基底1背离所述界面钝化层2的一侧表面形成厚度为0.5nm的氧化硅层(即正面钝化层)。
步骤八：第一电极6以及第二电极7的形成：
使用烧穿型银浆料涂覆在第二膜层5上，然后经过热处理使得烧穿型银浆料穿过第二膜层5以及第一膜层4与第一掺杂层3以及第二掺杂区8形成接触，形成第一银电极和第二银电极。
所述IBC太阳能电池的性能如表1所示。
实施例3
本实施例的IBC太阳能电池如图3所示，实施例3与实施例2的不同之处在于第二掺杂区8的宽度，即步骤六不同，实施例3中的步骤六为：对所述半导体基底1未覆盖第一掺杂层3区域上的第二膜层5采用激光辐照对第二区域局部加热，使得第二膜层5中的掺杂元素硼至少部分穿过第一膜层4进入所述半导体基底1内，从而在所述半导体基体内靠近所述第一膜层4的一侧内形成第二掺杂区8；激光辐照倾斜的照射至第二区域，即该激光辐照与基底1的一侧表面呈一锐角的夹角。所述第二掺杂区的宽度为500μm。所述IBC太阳能电池的性能如表1所示。
所述IBC太阳能电池的性能如表1所示。
实施例4
实施例4的IBC太阳能电池如图4所示，本实施例4的IBC太阳能电池与实施例2的不同之处在于，本实施例4中没有第一膜层4。其IBC太阳能电池的性能如表1所示。
实施例5
实施例5的IBC太阳能电池与实施例1的不同之处在于，实施例5中没有第一膜层4。其IBC太阳能电池的性能如表1所示。
表1
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小结：由表1的实施例1与实施例5的对比可知，未掺杂的第一膜层设置于第二膜层之下，比单层的第二膜层具有更好的钝化效果，以此进一步提高电池的能力转换效率。并且，通过实施例1与实施例2以及实施例4与实施例5的对比可知，在第一掺杂层的侧面形成底切结构，且使得第一膜层和/或第二膜层与所述底切结构共形，可以增加爬电距离，降低漏电，提高电池的能量转换效率以及填充因子。进一步的，通过实施例2和实施例3的对比可知，第二掺杂区延伸至底切结构底部(即第二掺杂区的面积较大)，其表面的利用率更大，进而光电转换效率更高。
尽管以上结合对本申请的实施方案进行了描述，但本申请并不局限于上述的具体实施方案和应用领域，上述的具体实施方案仅仅是示意性的、指导性的，而不是限制性的。本领域的普通技术人员在本说明书的启示下和在不脱离本申请权利要求所保护的范围的情况下，还可以做出很多种的形式，这些均属于本申请保护之列。

Claims (18)

1.一种IBC太阳能电池，其特征在于，包括半导体基底，在所述半导体基底的第一表面的部分区域上具有第一掺杂层，在半导体基底的内部具有第二掺杂区，所述第二掺杂区靠近未被第一掺杂层覆盖的第一表面；
在所述第一掺杂层背离所述半导体基底的一侧表面具有第二膜层，且所述第二膜层从所述第一掺杂层的表面延伸至其侧面，并继续延伸覆盖未被第一掺杂层覆盖的半导体基底的第一表面；
所述第一掺杂层与所述第二掺杂区的导电类型相反；
所述第二膜层为含有掺杂元素的介质层。
2.根据权利要求1所述的IBC太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂层靠近所述半导体基底的一侧表面的宽度小于等于所述第一掺杂层远离所述半导体基底的一侧表面的宽度。
3.根据权利要求2所述的IBC太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂层靠近所述第二掺杂区的侧面垂直于所述半导体基底。
4.根据权利要求2所述的IBC太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂层靠近所述第二掺杂区的侧面为底切结构。
5.根据权利要求4所述的IBC太阳能电池，其特征在于，所述底切结构选自向所述第一掺杂层内凹陷的弧形状结构、向所述第一掺杂层内凹陷的阶梯状结构、与所述未覆盖所述第一掺杂层的半导体基底的第一表面呈锐角的斜面结构中的一种或多种。
6.根据权利要求1-5任一项所述的IBC太阳能电池，其特征在于，位于所述第一掺杂层靠近所述第二掺杂区的侧面处的第二膜层与该侧面共形。
7.根据权利要求1-5任一项所述的IBC太阳能电池，其特征在于，所述第二膜层中的掺杂元素与所述第二掺杂区中的掺杂元素相同。
8.根据权利要求1-7任一项所述的IBC太阳能电池，其特征在于，还包括第一膜层，所述第一膜层与所述第二膜层层叠，且所述第一膜层位于所述第二膜层与所述第一掺杂层以及半导体基底第一表面之间。
9.根据权利要求8所述的IBC太阳能电池，其特征在于，所述第一膜层与所述第二膜层共形；
所述第一膜层为非掺杂的钝化层。
10.根据权利要求1-9任一项所述的IBC太阳能电池，其特征在于，还包括第一电极和第二电极，所述第一电极穿过所述第二膜层或层叠设置的第二膜层和第一膜层与所述第一掺杂层接触，所述第二电极穿过所述第二膜层或层叠设置的第二膜层和第一膜层与所述第二掺杂区接触。
11.根据权利要求1-10任一项所述的IBC太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂区延伸至底切结构的下方。
12.一种IBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供半导体基底；
在所述半导体基底的第一表面形成第一掺杂层；
将所述第一掺杂层进行图形化，从而保留部分第一掺杂层；
在所述第一掺杂层背离所述半导体基底的一侧表面，形成覆盖所述第一掺杂层以及所述半导体基底未覆盖第一掺杂层的第一表面的第二膜层；
对位于所述半导体基底未覆盖第一掺杂层上的第二膜层进行加热，使得第二膜层中的掺杂元素至少部分进入所述半导体基底内，从而在所述半导体基体内靠近所述第二膜层的一侧内形成第二掺杂区；
所述第一掺杂层与所述第二掺杂区的导电类型相反；
所述第二膜层为含有掺杂元素的介质层。
13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，在所述第一掺杂层背离所述半导体基底的一侧表面上形成辅助层，然后将部分辅助层以及第一掺杂层刻蚀掉，从而完成图形化，只留下部分第一掺杂层。
14.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，通过加热，所述第二膜层中的掺杂元素进入所述半导体基底中，所述加热峰值温度为800～1100℃，加热时间为30～120min；
加热前所述第二膜层中的掺杂元素的峰值掺杂浓度为1×1019～1×1021atoms/cm3。
15.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述第二掺杂区的掺杂元素的峰值掺杂浓度为5×1018～1×1021atoms/cm3，所述第二掺杂区的厚度为0.1～5μm。
16.根据权利要求12-15任一项所述的制备方法，其特征在于，在所述第一掺杂层图形化过程中，通过湿法蚀刻工艺、干法蚀刻工艺或激光烧蚀工艺在所述第一掺杂层靠近所述第二掺杂区的侧面形成底切结构。
17.根据权利要求12-15任一项所述的制备方法，其特征在于，在形成第二膜层之前，在所述第一掺杂层背离所述半导体基底的一侧表面形成覆盖所述第一掺杂层以及未覆盖所述第一掺杂层的半导体基底第一表面的第一膜层，然后在第一膜层背离所述第一掺杂层以及半导体基底的一侧表面形成第二膜层。
18.根据权利要求12-17任一项所述的制备方法，其特征在于，所述IBC太阳能电池为权利要求1-11任一项所述的IBC太阳能电池。
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