CN116406189A - 具有修复结构的电致发光显示器及其制造方法 - Google Patents

具有修复结构的电致发光显示器及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本公开内容涉及一种具有修复结构的电致发光显示器及其制造方法。根据本公开内容的电致发光显示器包括：基板上的像素；设置在像素中的薄膜晶体管，薄膜晶体管包括半导体层、栅极电极和漏极电极；设置在像素中的发光二极管，发光二极管连接至漏极电极；以及与发光二极管交叠的修复元件。修复元件包括：与半导体层由相同材料形成在相同层处的修复图案；覆盖修复图案的栅极绝缘层上的修复电极；以及覆盖修复电极的中间绝缘层上的修复线，修复线连接至漏极电极。修复图案和修复电极与设置在中间绝缘层上的漏极电极交叠。

Description

具有修复结构的电致发光显示器及其制造方法
技术领域
本公开内容涉及具有修复结构的电致发光显示器及其制造方法。特别地，本公开内容涉及其中有缺陷的像素未被处理为暗(或黑色)像素而是与正常操作的相邻像素连接(或绕行)的具有修复结构的电致发光显示器。
背景技术
近来，已经开发了各种类型的显示器，例如阴极射线管(CRT)、液晶显示器(LCD)、等离子显示面板(PDP)和电致发光显示器。这些各种类型的显示器用于根据其独特的特性和用途来显示例如计算机、移动电话、银行存取款设备(ATM)和车辆导航系统的各种产品的图像数据。
特别地，作为自发光显示器的电致发光显示器具有优异的光学性能，例如视角和颜色实现度，使得其应用领域逐渐拓宽，并且作为图像显示设备受到关注。由于这些优点，电致发光显示器作为用于实现4K超高分辨率显示器高达8K分辨率显示器的最合适显示器而受到关注。随着分辨率的增加，像素的尺寸变得较小，并且像素占据的发射区域的尺寸也变得较小。当电致发光显示器的像素尺寸变小时，需要尽可能确保发射区域的尺寸。为此，采用顶部发射型结构。
此外，随着分辨率的增加，由于像素中的元件之间的电连接性或元件本身的缺陷，像素缺陷的发生频率增加。当像素有缺陷时，可以考虑进行暗点处理，或者可以考虑连接至相邻正常像素的修复方法。修复元件包括用于断开发光元件与有缺陷的驱动元件之间的连接的切割部分以及用于绕过有缺陷的驱动元件并连接至相邻的正常驱动元件的焊接部分。对于顶部发射型的超高分辨率电致发光显示器，为了确定确保用于放置修复元件的区域，可以减小发射区域。这是因为激光照射区域被配置为不与发射区域交叠，以使得在用于修复的激光照射处理期间不损坏设置在发射区域中的发光元件。
换言之，当修复元件设置为不与发射区域交叠时，在像素区域内需要用于修复元件的区域，使得在像素区域内发射区域会减小。因此，增加分辨率是有限的。因此，对于具有顶部发射型和超高分辨率结构的电致发光显示器，需要开发能够解决由修复元件引起的分辨率限制问题的新的修复结构。
发明内容
关于解决上述问题，本公开内容的目的在于提供其中修复元件与发射区域交叠以实现超高分辨率的电致发光显示器。本公开内容的另一目的在于提供具有修复结构的电致发光显示器，对于该修复结构，通过用具有低能量的激光照射半导体层来同时处理切割部分和焊接部分。
为了实现本公开内容的上述目的，根据本公开内容的电致发光显示器包括：基板上的像素；设置在像素中的薄膜晶体管，薄膜晶体管包括半导体层、栅极电极和漏极电极；设置在像素中的发光二极管，发光二极管连接至漏极电极；以及与发光二极管交叠的修复元件。修复元件包括：与半导体层由相同材料形成在相同层处的修复图案；覆盖修复图案的栅极绝缘层上的修复电极；以及覆盖修复电极的中间绝缘层上的修复线，修复线连接至漏极电极。修复图案和修复电极与设置在中间绝缘层上的漏极电极交叠。
在一个实施方式中，像素是有缺陷的，半导体层和修复图案被切断，并且设置在修复图案上的漏极电极和修复电极通过穿透中间绝缘层物理连接。
在一个实施方式中，修复电极和漏极电极通过熔化连接。
在一个实施方式中，发光二极管包括：包括不透明金属材料的阳极电极，阳极电极连接至薄膜晶体管的漏极电极；设置在阳极电极上的发射层；以及设置在发射层上的阴极电极，阴极电极包括透明导电材料。从发射层生成生的光发射至阴极电极。
在一个实施方式中，在修复电极与薄膜晶体管的漏极电极交叠的部分处，从发光二极管的发射层生成的光发射至阴极电极。
此外，根据本公开内容的实施方式的电致发光显示器包括：设置在基板上的第一像素和第二像素；设置在第一像素中的第一开关薄膜晶体管、连接至第一开关薄膜晶体管的第一驱动薄膜晶体管以及连接至第一驱动薄膜晶体管的第一发光元件；设置在第二像素中的第二开关薄膜晶体管、连接至第二开关薄膜晶体管的第二驱动薄膜晶体管以及连接至第二驱动薄膜晶体管的第二发光元件；以及与第一发光元件和第二发光元件交叠的修复元件。修复元件包括：与第二驱动薄膜晶体管的驱动漏极电极交叠的修复图案，该修复图案与第二开关薄膜晶体管的开关半导体层由相同的第一材料形成在相同的第一层处；覆盖开关半导体层和修复图案的栅极绝缘层上的、与修复图案交叠的修复电极，修复电极与第二开关薄膜晶体管的栅极电极由相同的第二材料形成在相同的第二层处；以及设置在覆盖修复电极的中间绝缘层上的修复线，修复线连接至修复电极和第一驱动薄膜晶体管的漏极电极。
在一个实施方式中，第一像素是正常的，并且第二像素是有缺陷的，第二开关薄膜晶体管的开关半导体层和修复图案被切断；并且修复电极穿透中间绝缘层以连接第二驱动薄膜晶体管的驱动漏极电极。
在一个实施方式中，修复电极和第二驱动薄膜晶体管的驱动漏极电极被熔化以彼此连接。
在一个实施方式中，第二发光元件包括：包括不透明金属材料的阳极电极，该阳极电极连接至第二驱动薄膜晶体管的漏极电极；设置在阳极电极上的发射层；以及设置在发射层上的阴极电极，阴极电极包括透明导电材料。从发射层生成的光发射至阴极电极。
在一个实施方式中，在修复电极与第二驱动薄膜晶体管的漏极电极交叠的部分处，从第二发光元件的发射层生成的光发射至阴极电极。
另外，一种用于制造电致发光显示器的方法包括：在基板上形成第一像素中的第一驱动元件、与第一像素相邻的第二像素中的第二驱动元件以及修复元件，修复元件连接至第一驱动元件、延伸至第二像素并与第二驱动元件交叠；形成设置在第一驱动元件上并连接至第一驱动元件的第一发光元件，以及设置在第二驱动元件上并且连接至第二驱动元件的第二发光元件；检查第一驱动元件和第二驱动元件是否有缺陷；以及进行修复处理，在修复处理中，禁用第二驱动元件，并且使第二发光元件经由修复元件连接至第一驱动元件，其中，第一驱动元件是正常的，并且第二驱动元件是有缺陷的。
在一个实施方式中，第一驱动元件包括：第一栅极电极、与第一栅极电极交叠的第一半导体层、连接至第一半导体层的一部分的第一源极电极和连接至第一半导体层的另一部分的第一漏极电极。第二驱动元件包括：第二栅极电极、与第二栅极电极交叠的第二半导体层、连接至第二半导体层的一部分的第二源极电极和连接至第二半导体层的另一部分的第二漏极电极。修复元件包括：与第二漏极电极交叠的修复图案，修复图案与第二半导体层由相同的第一材料形成在相同的第一层处；设置在覆盖第二半导体层和修复图案的栅极绝缘层上的修复电极，修复电极与第二栅极电极由相同的第二材料形成在相同的第二层处；以及设置在覆盖修复电极的中间绝缘层上的修复线，修复线连接至修复电极、延伸至第一像素并连接至第一漏极电极。
在一个实施方式中，修复处理包括：切割第二半导体层的一些部分，以及去除修复图案并将修复电极连接至第二漏极电极。
在一个实施方式中，通过如下进行修复处理：将激光照射在第二半导体层的一些部分上、照射在修复图案上以及照射在修复电极与第二漏极电极交叠的位置上，使得修复电极和第二漏极电极被熔化并且彼此连接。
在一个实施方式中，通过在从基板下方方向朝第二发光元件的方向上照射具有266nm波长的激光来进行修复处理。
在又一实施方式中，一种电致发光显示器包括：第一像素，该第一像素包括第一开关晶体管、第一驱动晶体管和第一发光元件；第二像素，该第二像素包括第二开关晶体管、第二驱动晶体管和第二发光元件；修复元件，该修复元件的至少一部分与第一像素和第二像素交叠；其中，第二开关晶体管包括半导体层，该半导体层包括第一部分以及与半导体层的第一部分电断开的第二部分；其中，修复元件包括：与第二驱动晶体管的漏极电极交叠的修复图案，修复图案与第二开关晶体管的半导体层由相同材料形成并且包括第一部分以及与修复图案的一部分电断开的第二部分；覆盖半导体层和修复图案的栅极绝缘层上的、与修复图案交叠的修复电极，修复电极与第二开关晶体管的栅极电极由相同材料形成并与第二驱动晶体管的漏极电极接合；以及设置在覆盖修复电极的中间绝缘层上的修复线，修复线电连接至修复电极和第一驱动晶体管的漏极电极；以及其中，第二像素的第二发光元件的阳极经由第二驱动晶体管的漏极电极、修复电极和修复线电连接至第一像素的第一驱动晶体管的漏极电极。第一像素可以为正常像素，并且第二像素可以为有缺陷的像素。修复电极和第二驱动晶体管的漏极电极被熔化以彼此接合。
根据本公开内容的电致发光显示器包括与发光元件的发射区域交叠的修复元件。因此，不存在由修复元件引起的分辨率约束问题，因此易于实现超高分辨率。此外，切割处理和焊接处理使用266nm波长的激光以低能量进行。即使修复元件被设置成与发光元件交叠，修复切割处理和焊接处理两者可以同时以低能量进行。因此，与修复元件交叠的发光元件不会被修复处理中生成的热能损坏。此外，本公开内容可以提供具有修复结构的超高分辨率电致发光显示器。
附图说明
附图被包括以提供对本公开内容的进一步理解并且被并入本申请中并构成本申请的一部分，附图示出了本公开内容的实施方式并且与说明书一起用于说明本公开内容的原理。在附图中：
图1是示出根据本公开内容的一个实施方式的电致发光显示器的示意性结构的平面图。
图2是示出根据本公开内容的一个实施方式的一个像素的结构的电路图。
图3是示出设置在根据本公开内容的一个实施方式的具有修复元件的电致发光显示器中的像素的结构的平面图。
图4是沿图3中的切割线I-I’的截面图，用于说明根据本公开内容的具有修复元件的电致发光显示器的结构。
图5是示出在根据本公开内容的一个实施方式的具有修复元件的电致发光显示器中进行焊接和切割处理之后的结构的平面图。
图6A是沿图5中的线II-II’的截面图，用于说明在根据本公开内容的一个实施方式的电致发光显示器中进行修复处理之前的切割部分和焊接部分的结构。
图6B是沿图5中的线II-II’的截面图，用于说明在根据本公开内容的一个实施方式的电致发光显示器中进行修复处理之后的切割部分和焊接部分的结构。
图7是沿图5中的线III-III’的截面图，用于说明在根据本公开内容的一个实施方式的具有修复元件的电致发光显示器中进行焊接处理和切割处理之后的焊接部分和切割部分的结构。
具体实施方式
通过以下参照附图描述的实施方式，将阐明本公开内容的优点和特征及其实现方法。然而，可以以不同的形式实施本公开内容，并且本公开内容不应当被理解为限于本文所陈述的实施方式。而是，提供这些示例实施方式使得本公开内容可以足够彻底和完整，以帮助本领域技术人员完全理解本公开内容的范围。此外，本公开内容的保护范围由权利要求书及其等同物限定
为了描述本公开内容的各种示例实施方式而在附图中示出的形状、尺寸、比率、角度、数量等仅以示例的方式给出。因此，本公开内容不限于所示的细节。除非另有说明，否则相似的附图标记在整个说明书中指代相似的元件。在以下描述中，在对相关的已知功能或配置的详细描述可能不必要地模糊本公开内容的重点的情况下，可以省略对这样的已知功能或配置的详细描述。
现在将详细参考本公开内容的示例性实施方式，其示例在附图中示出。在整个附图中，将尽可能使用相同的附图标记指代相同或相似的部分。在说明书中，应当注意，已经在其他附图中用于表示相似元件的相似附图标记被尽可能用于相似元件。在下面的描述中，当本领域技术人员已知的功能和配置与本公开内容的基本配置无关时，将省略其详细描述。说明书中描述的术语应当理解如下。
在使用本说明书中描述的“包括”、“具有”和“包含”的情况下，除非使用“仅”，否则也可以存在另外的部分。除非相反地指出，否则单数形式的术语可以包括复数形式。
在解释元件时，虽然没有明确的描述，但是该元件被解释为包括误差范围。
在描述位置关系时，例如，当位置顺序被描述为“在……上”、“在……上方”、“在……下方”和“在……旁边”时，除非使用“紧接”或“直接”，否则可以包括其间没有接触的情况。如果提到第一元件位于第二元件“上”，则这并不意味着在附图中第一元件实质上位于第二元件上方。所关注的对象的上部和下部可以根据该对象的取向而改变。因此，第一元件位于第二元件“上”的情况包括在附图中或在实际配置中第一元件位于第二元件“下方”的情况以及第一元件位于第二元件“上方”的情况。
在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为“在……之后”、“随后”、“接下来”和“在……之前”时，除非使用“紧接”或“直接”，否则可以包括不连续的情况。
将理解的是，尽管术语“第一”、“第二”等可以在本文中用来描述各种元件，但是这些元件不应该受这些术语限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一元件。例如，在没有脱离本公开内容的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。
在描述本公开内容的元件时，可以使用诸如第一、第二、A、B、(a)和(b)的术语。这些术语仅为了将元件与其他元件区分开，并且术语在元件的性质、顺序、序列或数量方面不受限制。当元件被描述为“链接”、“耦接”或“连接”至另一元件时，该元件可以被直接地链接、耦接或连接至另一元件或者间接地链接、耦接或连接至另一元件，除非另有说明。应当理解，其他元件可以“插入”在可以连接或耦接的每个元件之间。
应当理解，术语“至少一个”包括与任一项相关的所有组合。例如，“第一元件、第二元件和第三元件中的至少一个”可以包括选自第一元件、第二元件和第三元件中的两个或更多个元件的所有组合，以及第一元件、第二元件和第三元件中的每个元件。
本公开内容的各种实施方式的特征可以部分地或整体地彼此耦合或组合，并且可以彼此进行各种互操作并且在技术上被驱动，如本领域技术人员可以充分理解的。本公开内容的实施方式可以相互独立地实行，或者可以以相互依赖的关系一起实行。
在下文中，将参照附图详细描述根据本公开内容的显示装置的示例。在为每个附图的元件指定附图标记时，相同的部件可以尽可能地具有相同的附图标记，即使它们在不同附图中示出。
在下文中，我们将参照附图详细说明本公开内容。图1是示出根据本公开内容的电致发光显示器的示意结构的图。在图1中，X轴可以平行于扫描线的延伸方向，Y轴可以平行于数据线的延伸方向，并且Z轴可以表示显示器的厚度方向。
参照图1，电致发光显示器包括基板110、栅极(或扫描)驱动器200、数据焊盘部300、源极驱动IC(集成电路)410、柔性膜(或柔性电路膜)430、电路板450和时序控制器500。
基板110可以包括电绝缘材料或柔性材料。基板110可以由玻璃、金属或塑料制成，但不限于此。当电致发光显示器为柔性显示器时，基板110可以由诸如塑料的柔性材料制成。例如，基板110可以包括透明聚酰亚胺材料。
基板110可以包括显示区域AA和非显示区域NDA。作为用于呈现视频图像(例如，显示视频图像)的区域的显示区域AA可以被限定为基板110的大部分中间区域，但不限于此。在显示区域AA中，可以形成或设置多条扫描线(或栅极线)、多条数据线和多个像素。像素中的每一个可以包括多个子像素。子像素中的每一个分别包括扫描线和数据线。
作为不呈现(例如，不显示)视频图像的区域的非显示区域NDA可以与显示区域AA相邻设置。例如，非显示区域NDA可以被限定在基板110的围绕显示区域AA的全部或一部分的周缘区域处。在非显示区域NDA中，可以形成或设置栅极驱动器200和数据焊盘部300。
栅极驱动器200可以根据从时序控制器500接收的栅极控制信号向扫描线供应扫描(或栅极)信号。栅极驱动器200可以形成在基板110上的显示区域AA的任一外侧处的非显示区域NDA处，作为GIP(面板内栅极驱动器)型。在一个实施方式中，GIP型意味着栅极驱动器200直接形成在基板110上。
数据焊盘部300可以根据从时序控制器500接收的数据控制信号向数据线供应数据信号。数据焊盘部300可以被制成驱动芯片并且安装在柔性膜430上。此外，柔性膜430可以附接在基板110上的显示区域AA的任一外侧处的非显示区域NDA处，作为TAB(带式自动接合)型。
源极驱动IC 410可以从时序控制器500接收数字视频数据和源极控制信号。源极驱动IC 410可以根据源极控制信号将数字视频数据转换为模拟数据电压，然后将其供应至数据线。当源极驱动IC 410被制成芯片类型时，其可以被安装在柔性膜430上，作为COF(膜上芯片)型或COP(塑料上芯片)型。
柔性电路膜430可以包括将数据焊盘部300连接至源极驱动IC 410的多条第一连线以及将数据焊盘部300连接至电路板450的多条第二连线。可以使用各向异性导电膜将柔性电路膜430附接到数据焊盘部300上，使得数据焊盘部300可以连接至柔性电路膜430的第一连线。
电路板450可以附接至柔性电路膜430。电路板450可以包括实现为驱动芯片的多个电路。例如，电路板450可以是印刷电路板或柔性印刷电路板。
时序控制器500可以通过电路板450的线缆从外部系统板接收数字视频数据和时序信号。时序控制器500可以基于时序信号生成用于控制栅极驱动器200的操作时序的栅极控制信号以及用于控制源极驱动IC 410的源极控制信号。时序控制器500可以向栅极驱动器200供应栅极控制信号，并且向源极驱动IC 410供应源极控制信号。取决于产品类型，时序控制器500可以与源极驱动IC 410形成为一个芯片并且安装在基板110上。
图2是示出根据本公开内容的一个实施方式的一个像素的结构的电路图。图3是示出根据本公开内容的一个实施方式的具有修复元件的电致发光显示器中设置的像素的结构的平面图。图4是沿图3中的切割线I-I’的截面图，用于说明根据本公开内容的一个实施方式的具有修复元件的电致发光显示器的结构。
参照图2至图4，电致发光显示器包括多个像素P。电致发光显示器的每个像素可以由扫描线SL、数据线DL和驱动电流线VDD限定。发光显示器的每个像素可以包括开关薄膜晶体管ST、驱动薄膜晶体管DT、发光二极管OLE和存储电容Cst。驱动电流线VDD可以被供应有高电平电压以驱动发光二极管OLE。
例如，开关薄膜晶体管ST可以被设置在扫描线SL和数据线DL彼此交叉的部分处。开关薄膜晶体管ST可以包括开关栅极电极SG、开关源极电极SS和开关漏极电极SD。开关栅极电极SG可以连接至扫描线SL，或者作为扫描线SL的一部分，如图3所示。开关源极电极SS可以连接至数据线DL，并且开关漏极电极SD可以连接至驱动薄膜晶体管DT。通过向驱动薄膜晶体管DT供应数据信号，开关薄膜晶体管ST可以起到选择将被驱动的像素的作用。
驱动薄膜晶体管DT可以起到对通过开关薄膜晶体管ST选择的像素的发光二极管OLE进行驱动的作用。驱动薄膜晶体管DT可以包括驱动栅极电极DG、驱动源极电极DS和驱动漏极电极DD。驱动栅极电极DG可以连接至开关薄膜晶体管ST的开关漏极电极SD。例如，开关漏极电极SD可以经由穿透覆盖驱动栅极电极DG的栅极绝缘层GI的漏极接触孔DH连接至驱动栅极电极DG。驱动源极电极DS可以连接至驱动电流线VDD，并且驱动漏极电极DD可以连接至发光二极管OLE的阳极电极ANO。存储电容Cst可以被设置在驱动薄膜晶体管DT的驱动栅极电极DG与发光二极管OLE的阳极电极ANO之间。在图3和图4中，为了避免附图的复杂性，未示出存储电容Cst。
驱动薄膜晶体管DT可以被设置在驱动电流线VDD与发光二极管OLE之间。驱动薄膜晶体管DT可以根据与开关薄膜晶体管ST的开关漏极电极SD连接的驱动栅极电极DG的电压电平，来控制从驱动电流线VDD流向发光二极管OLE的电流的量。
图4示出薄膜晶体管ST和DT以顶栅极结构形成。在一个实施方式中，顶栅极电极是指栅极电极SG和DG形成在半导体层SA和DA上。例如，顶栅极结构是首先在基板110上形成半导体层SA和DA，然后在覆盖半导体层SA和DA的栅极绝缘层GI上形成栅极电极SG和DG。然而，不限于此。对于另一示例，根据本公开内容的电致发光显示器可以具有底栅极结构。底栅极结构是可以首先在基板上形成栅极电极，并且然后在覆盖栅极电极的栅极绝缘层上形成半导体层。
此外，对于图4所示的顶栅极结构的情况，可以在栅极电极SG和DG上沉积中间绝缘层ILD。数据线DL、源极电极SS和DS、漏极电极SD和DD以及驱动电流线VDD设置在中间绝缘层ILD上。此处，与开关源极电极SS不同，驱动薄膜晶体管DT的驱动源极电极DS可以与驱动栅极电极DG形成在相同层上。这是为了防止稍后将描述的与漏极电极SD和DD形成在相同层上的修复线RL与驱动漏极电极DD彼此直接接触。
发光二极管OLE可以包括阳极电极ANO、发射层EL和阴极电极CAT。发光二极管OLE可以根据由驱动薄膜晶体管DT控制的电流的量来发射光。在发光二极管OLE中，发光量由被驱动薄膜晶体管DT控制的电流控制，使得可以调节电致发光显示器的亮度。发光二极管OLE的阳极电极ANO与驱动薄膜晶体管DT的驱动漏极电极DD连接，并且阴极电极CAT与被供应低电位电压的低电力供应线VSS连接。换言之，发光二极管OLE可以由驱动薄膜晶体管DT所控制的高电平电压与低电平电压之间的电压差来驱动。
钝化层PAS被沉积在具有薄膜晶体管ST和DT的基板110的表面上。在一个实施方式中，钝化层PAS由例如硅氧化物或硅氮化物的无机材料制成。平坦化层PL沉积在钝化层PAS上。平坦化层PL可以是用于使其上形成有薄膜晶体管ST和DT的基板110的非均匀(或不平坦)表面平坦化的膜层。为了使不平坦的表面状况均匀，平坦化层PL可以由有机材料制成。钝化层PAS和平坦化层PL具有使驱动薄膜晶体管DT的驱动漏极电极DD的一些暴露的像素接触孔PH。
在平坦化层PL上形成阳极电极ANO。阳极电极ANO经由像素接触孔PH与驱动薄膜晶体管DT的驱动漏极电极DD连接。阳极电极ANO可以根据发光二极管OLE的发射类型而具有不同的结构。在将光发射至设置有基板110的方向的底部发射型的示例中，阳极电极ANO可以由透明导电材料制成。对于将光发射至与基板110相对的方向的顶部发射型的示例，阳极电极ANO可以由具有优异光反射率的金属材料制成。例如，阳极电极ANO可以由不透明金属材料制成，不透明金属材料包括银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)、金(Au)、镁(Mg)、钙(Ca)或钡(Ba)或它们的合金中的任一种。
在本公开内容的一个实施方式中，顶部发射型适用于实现超高分辨率。在顶部发射型中，阳极电极ANO在由数据线DL、驱动电流线VDD和扫描线SL限定的像素区域中具有最大区域。在这种情况下，薄膜晶体管ST和DT可以设置为在阳极电极ANO下方与阳极电极ANO交叠。此外，数据线DL、驱动电流线VDD和扫描线SL也可以部分地与阳极电极ANO交叠。在图3中，为了避免绘图的复杂性，阳极电极ANO被示为不与线交叠。
堤部BA形成在阳极电极ANO上。堤部BA可以覆盖阳极电极ANO的周缘区域，并且使阳极电极ANO的中间部分的大部分暴露。阳极电极ANO的由堤部BA暴露的区域可以限定为像素的发射区域。
在顶部发射型中，薄膜晶体管ST和DT可以被设置为与发射区域交叠。此外，数据线DL、驱动电流线VDD和扫描线SL的一些部分可以与发射区域交叠。
发射层EL被沉积在阳极电极ANO和堤部BA上。发射层EL可以在整个显示区域AA上被沉积为覆盖阳极电极ANO和堤部BA。对于实施方式，发射层EL可以包括用于组合和发射白光的竖直堆叠的两个或更多个发射层。例如，发射层EL可以包括用于组合第一颜色光和第二颜色光以发射白光的第一发射层和第二发射层。
对于另一实施方式，发射层EL可以包括蓝色发射层、绿色发射层和红色发射层中的任何一个，用于提供分配在像素处的彩色光。在这种情况下，发射层EL可以被设置为在由堤部BA限定的每个发射区域内被隔离。此外，发光二极管OLE还可以包括用于提高发射层EL的发射效率和/或发射时间的功能层。
阴极电极CAT在发射层EL上被沉积为与发射层EL表面接触。阴极电极CAT被沉积以覆盖基板110的整个表面并且与设置在所有像素处的发射层EL连接。对于顶部发射型，优选阴极电极CAT可以由例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)的透明导电材料制成。
根据本公开内容的一个实施方式的电致发光显示器还可以包括修复元件RP。修复元件RP可以是使任何有缺陷的像素像发光的正常功能像素一样操作而不使有缺陷的像素变暗的结构。
根据一个实施方式，修复元件RP可以包括修复线RL和修复电极RT以及修复图案RA。修复线RL可以设置在第一像素P1和与第一像素P1相邻的第二像素P2之间。修复电极RT可以包括与修复线RL的端部接触的第一端部以及与驱动漏极电极DD交叠的第二端部。
修复图案RA可以由与半导体层SA和DA相同材料形成在基板110上。修复图案RA可以形成为与修复电极RT的与驱动漏极电极DD交叠的部分交叠的岛状。栅极绝缘层GI可以被沉积在修复图案RA上。
与修复图案RA交叠的修复电极RT形成在栅极绝缘层GI上。修复电极RT可以与栅极电极SG和DG由相同材料形成在相同层上。修复电极RT可以从与修复图案RA交叠的部分朝修复线RL延伸。中间绝缘层ILD可以被沉积为覆盖修复电极RT。
修复线RL形成在中间绝缘层ILD上。修复线RL可以经由形成在中间绝缘层ILD处的修复接触孔RH连接至修复电极RT。例如，参照图3，设置在第一像素P1中的修复线RL可以延伸至第二像素P2。延伸至第二像素P2的修复线RL可以经由形成在第二像素P2中的修复接触孔RH连接至形成在第二像素P2中的修复电极RT。修复线RL可以与开关源极电极SS、漏极电极SD和DD、数据线DL和驱动电流线VDD由相同材料形成在相同层上。在此，驱动漏极电极DD形成为与修复图案RA和修复电极RT交叠。钝化层PAS被沉积在修复线RL上。
驱动漏极电极DD、修复图案RA和修复电极RT彼此交叠的部分可以限定为焊接部分WD。优选地，焊接部分WD可以被定位成相邻于开关薄膜晶体管ST的开关半导体层SA。此外，与焊接部分WD相邻的开关半导体层SA可以限定为切割部分CU。
上述修复元件RP可以指以下元件：当任一像素中出现缺陷时，该元件用于切断与分配在有缺陷的像素的阳极电极中的薄膜晶体管的连接，并且用于将有缺陷的像素连接至分配给相邻正常像素的驱动薄膜晶体管。在下文中，参照图5至图7，将描述当出现有缺陷的像素时通过连接至正常像素来解决缺陷的结构。
图5是示出在根据本公开内容的具有修复元件的电致发光显示器中进行焊接和切割处理之后的结构的平面图。图6A是沿图5中的线II-II’的截面图，用于说明在根据本公开内容的电致发光显示器中进行修复处理之前的切割部分和焊接部分的结构。图6B是沿图5中的线II-II’的截面图，用于说明在根据本公开内容的电致发光显示器中进行修复处理之后的切割部分和焊接部分的结构。图7是沿图5中的线II-II’的截面图，用于说明在根据本公开内容的具有修复元件的电致发光显示器中进行焊接处理和切割处理之后的焊接部分和切割部分的结构。
根据本公开内容的电致发光显示器包括以矩阵方式布置的多个像素P。例如，如图5所示，第一像素P1和第二像素P2可以彼此相邻设置。第一阳极电极ANO1可以设置在第一像素P1中，并且第二阳极电极ANO2可以设置在第二像素P2中。由于像素P1和P2中的每一个中包括的薄膜晶体管和线路的配置与上述相同，因此在以下描述中可以不重复对其的详细描述。
修复元件RP可以包括修复线RL、修复电极RT和修复图案RA。修复元件RP可以跨第一像素P1和第二像素P2设置。
修复线RL可以是从连接至第一阳极电极ANOl的驱动薄膜晶体管DT的第一驱动漏极电极DDl分支并延伸至第二像素P2的分段线。修复线RL可以平行于驱动电流线VDD和数据线DL设置。修复线RL的端部可以设置为与连接至设置在第二像素P2中的第二阳极电极ANO2的驱动薄膜晶体管DT的第二驱动漏极电极DD2相邻。
修复电极RT可以设置为使得第一端部连接至修复线RL的一个端部，并且第二端部与设置在第二像素P2中的第二驱动漏极电极DD2交叠。参照如图4所示的竖直结构，图4是示出进行修复处理之前的状态的截面图，中间绝缘层ILD插入在修复电极RT与第二驱动漏极电极DD2之间。
修复图案RA可以与半导体层SA和DA由相同材料形成在相同层处。修复图案RA可以在修复电极RT与第二驱动漏极电极DD2交叠的区域内形成为与修复电极RT交叠的岛状。参照如图4所示的竖直结构，图4是说明进行修复处理之前的状态的截面图，栅极绝缘层GI插入在修复图案RA与修复电极RT之间。
第一像素P1可以是正常像素，但第二像素P2可以是有缺陷的像素。由于开关薄膜晶体管ST或驱动薄膜晶体管DT中出现缺陷，有缺陷的像素可能处于不能正常驱动阳极电极ANO2的状态。在这种情况下，可以应用使有缺陷的第二像素P2变暗的修复方法。这是禁用作为驱动设置在第二像素P2中的第二阳极电极ANO2的元件的开关薄膜晶体管ST或驱动薄膜晶体管DT的方法。在这种情况下，薄膜晶体管ST或DT可以通过切割开关半导体层SA或驱动半导体层DA的最靠近基板110的一部分而被禁用。
本公开内容中提出的修复方法是连接相邻正常像素的驱动薄膜晶体管与有缺陷的像素的阳极电极的方法，而不是使有缺陷的像素变暗的方法。
如图5所示，将激光照射至设置在有缺陷的第二像素P2中的第二驱动漏极电极DD2、修复图案RA和修复电极RT彼此交叠的区域。因此，修复电极RT被焊接以物理和电连接至第二驱动漏极电极DD2。同时，切割设置在第二像素P2中的开关薄膜晶体管ST的开关半导体层SA。
因此，在发生缺陷的第二像素P2中，操作驱动薄膜晶体管DT以驱动第二阳极电极ANO2的开关薄膜晶体管ST被禁用。同时，第二阳极电极ANO2通过修复元件RP连接至设置在第一像素P1中的第一驱动漏极电极DD1。因此，第二像素P2与第一像素P1处于相同的操作状态。
根据本公开内容，通过经由修复元件RP连接至相邻的正常像素来驱动有缺陷的像素，而不是使有缺陷的像素变暗。因此，可以解决由于缺陷引起的图像质量劣化的问题。
特别地，在根据本公开内容的电致发光显示器中，当修复有缺陷的像素时，使用在266nm的波段中具有低能量的激光。由于根据本公开内容的电致发光显示器具有顶部发射型结构，因此用于修复的焊接部分WD和切割部分CU两者设置成与阳极电极ANO和发射区域交叠。使用这种结构，通过从基板110的下表面照射激光，当激光的能量太高时，例如，当使用适于焊接的1064nm波段的激光时，高能量可能会不利地影响发光二极管OLE。即使进行了修复处理，发光二极管OLE也可能被损坏甚至被损毁。
然而，根据本公开内容的电致发光显示器，其特征在于使用适于切割半导体层SA和DA的266nm的波段的激光。因此，当半导体层在切割部分CU中被切割时，金属修复电极RT和驱动漏极电极DD可以在焊接部分WD处用低能量激光连接。
当与修复电极RT交叠并设置在下方的修复图案RA被266nm的低能量激光切割时，吸收的能量熔化设置在上部的修复电极RT，使得修复电极RT可以物理和电连接至驱动漏极电极DD。即，切割处理和焊接处理可以使用相同激光在单个处理中执行，而不是作为使用不同激光的单独处理来执行。
此时，随着开关半导体层SA被切断，设置在其上的开关栅极电极SG和开关源极电极SS可以熔化并彼此连接。即使在这种情况下，开关薄膜晶体管ST也被禁用。
参照图6A，可以将具有266nm波长的低能量的激光照射至焊接部分WD和切割部分CU。将激光照射至设置在基板110上的开关半导体层SA和修复图案RA。因此，如图6B所示，开关半导体层SA在切割部分CU处通过热被熔化和切割。由于没有金属材料直接交叠在开关半导体层SA上，因此其他层不受影响。在一些情况下，开关栅极电极和开关源极电极可以设置在其上，但是即使开关栅极电极和开关源极电极被熔化并相互连接，半导体层也被切断并且连接被禁用。
此外，在图6B的焊接部分WD处，修复图案RA被激光的热能切割，并且热能被传递至设置在其上的修复电极RT。修复电极RT被传递的热能熔化并连接至交叠在其上的驱动漏极电极DD。
参照图7，可以在切割部分CU处切断开关半导体层SA，使得设置在有缺陷的第二像素P2中的发光二极管OLE与有缺陷的第二像素P2的开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT断开连接。此外，在焊接部分WD处，修复电极RT和第二驱动漏极电极DD2彼此连接。修复电极RT连接至修复线RL。如图5所示，由于修复线RL与作为正常像素的第一像素P1的第一驱动漏极电极DD1连接，因此第二阳极电极ANO2处于连接状态，以由第一驱动漏极电极DD1驱动。
一种用于制造电致发光显示器的方法包括以下步骤：在基板上形成第一驱动元件、第二驱动元件和修复元件；形成第一发光元件和第二发光元件；检查第一驱动元件和第二驱动元件是否有缺陷；以及进行修复处理。第一驱动元件形成在第一像素中。第二驱动元件形成在与第一像素相邻的第二像素中。修复元件连接至第一驱动元件、延伸至第二像素并与第二驱动元件交叠。第一发光元件设置在第一驱动元件上并且连接至第一驱动元件。第二发光元件设置在第二驱动元件上并且连接至第二驱动元件。在修复处理中，禁用第二驱动元件，并且使第二发光元件经由修复元件连接至第一驱动元件，其中，第一驱动元件是正常的，并且第二驱动元件是有缺陷的。
第一驱动元件包括：第一栅极电极、与第一栅极电极交叠的第一半导体层、连接至第一半导体层的一部分的第一源极电极和连接至第一半导体层的另一部分的第一漏极电极。
第二驱动元件包括：第二栅极电极、与第二栅极电极交叠的第二半导体层、连接至第二半导体层的一部分的第二源极电极和连接至第二半导体层的另一部分的第二漏极电极。
修复元件包括：与第二漏极电极交叠的修复图案，修复图案与第二半导体层由相同的第一材料形成在相同的第一层上；设置在覆盖第二半导体层和修复图案的栅极绝缘层上的修复电极，修复电极与第二栅极电极由相同的第二材料形成在相同的第二层上；以及设置在覆盖修复电极的中间绝缘层上的修复线，修复线连接至修复电极、延伸至第一像素并连接至第一漏极电极。
修复处理包括：切割第二半导体层的部分；以及去除修复图案的部分并将修复电极连接至第二漏极电极。
通过如下进行修复处理：将激光照射在第二半导体层的部分上、照射在修复图案上以及照射在修复电极与第二漏极电极交叠处，使得修复电极和第二漏极电极熔化并且彼此连接。
通过在从基板下方朝第二发光元件的方向上照射具有266nm波长的激光来进行修复处理。
在本公开内容的上述示例中所描述的特征、结构、效果等包括在本公开内容的至少一个示例中，并且不仅限于一个示例。此外，在至少一个示例中说明的特征、结构、效果等可以由本公开内容所属领域的技术人员关于其他示例以组合方式或修改方式而实现。因此，与这样的组合和变型有关的内容应当被解释为包括在本公开内容的范围内。
对于本领域技术人员而言将明显的是，在不脱离本公开内容的精神或范围的情况下，可以在本公开内容中做出各种修改和变型。因此，本公开内容旨在覆盖本公开内容的修改和变型，只要它们落入所附权利要求书及其等同物的范围内。可以根据以上详述的描述对实施方式做出这些和其他改变。通常，在所附权利要求书中，所使用的术语不应被解释为将权利要求限于说明书和权利要求书中公开的具体实施方式，而应被解释为包括所有可能的实施方式以及这样的权利要求所享有的等同物的全部范围。因此，权利要求不受公开内容的限制。

Claims (18)

1.一种电致发光显示器，包括：
基板上的像素；
设置在所述像素中的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括半导体层、栅极电极和漏极电极；
设置在所述像素中的发光二极管，所述发光二极管连接至所述漏极电极；以及
与所述发光二极管交叠的修复元件，
其中，所述修复元件包括：
与所述半导体层由相同材料形成在相同层上的修复图案；
覆盖所述修复图案的栅极绝缘层上的修复电极；以及
覆盖所述修复电极的中间绝缘层上的修复线，所述修复线连接至所述漏极电极，以及
其中，所述修复图案和所述修复电极与设置在所述中间绝缘层上的所述漏极电极交叠。
2.根据权利要求1所述的电致发光显示器，其中，所述像素是有缺陷的，
所述半导体层和所述修复图案被切断，并且
设置在所述修复图案上的所述漏极电极和所述修复电极通过穿透所述中间绝缘层物理连接。
3.根据权利要求2所述的电致发光显示器，其中，所述修复电极和所述漏极电极通过熔化连接。
4.根据权利要求1所述的电致发光显示器，其中，所述发光二极管包括：
包括不透明金属材料的阳极电极，所述阳极电极连接至所述薄膜晶体管的所述漏极电极；
设置在所述阳极电极上的发射层；以及
设置在所述发射层上的阴极电极，所述阴极电极包括透明导电材料，
其中，从所述发射层生成的光发射至所述阴极电极。
5.根据权利要求4所述的电致发光显示器，其中，在所述修复电极与所述薄膜晶体管的所述漏极电极交叠的部分处，从所述发光二极管的所述发射层生成的光发射至所述阴极电极。
6.一种电致发光显示器，包括：
设置在基板上的第一像素和第二像素；
设置在所述第一像素中的第一开关薄膜晶体管、连接至所述第一开关薄膜晶体管的第一驱动薄膜晶体管以及连接至所述第一驱动薄膜晶体管的第一发光元件；
设置在所述第二像素中的第二开关薄膜晶体管、连接至所述第二开关薄膜晶体管的第二驱动薄膜晶体管以及连接至所述第二驱动薄膜晶体管的第二发光元件；以及
与所述第一发光元件和所述第二发光元件交叠的修复元件，
其中，所述修复元件包括：
与所述第二驱动薄膜晶体管的驱动漏极电极交叠的修复图案，所述修复图案与所述第二开关薄膜晶体管的开关半导体层由相同的第一材料形成在相同的第一层上；
覆盖所述开关半导体层和所述修复图案的栅极绝缘层上的、与所述修复图案交叠的修复电极，所述修复电极与所述第二开关薄膜晶体管的栅极电极由相同的第二材料形成在相同的第二层上；以及
设置在覆盖所述修复电极的中间绝缘层上的修复线，所述修复线连接至所述修复电极和所述第一驱动薄膜晶体管的漏极电极。
7.根据权利要求6所述的电致发光显示器，其中，所述第一像素是正常的，并且所述第二像素是有缺陷的，
所述第二开关薄膜晶体管的所述开关半导体层和所述修复图案被切断；并且
所述修复电极穿透所述中间绝缘层以连接所述第二驱动薄膜晶体管的所述驱动漏极电极。
8.根据权利要求7所述的电致发光显示器，其中，所述修复电极和所述第二驱动薄膜晶体管的所述驱动漏极电极被熔化以彼此连接。
9.根据权利要求6所述的电致发光显示器，其中，所述第二发光元件包括：
包括不透明金属材料的阳极电极，所述阳极电极连接至所述第二驱动薄膜晶体管的所述驱动漏极电极；
设置在所述阳极电极上的发射层；以及
设置在所述发射层上的阴极电极，所述阴极电极包括透明导电材料，
其中，从所述发射层生成的光发射至所述阴极电极。
10.根据权利要求9所述的电致发光显示器，其中，在所述修复电极与所述第二驱动薄膜晶体管的所述驱动漏极电极交叠的部分处，从所述第二发光元件的所述发射层生成的光发射至所述阴极电极。
11.一种用于制造电致发光显示器的方法，所述方法包括：
在基板上形成第一像素中的第一驱动元件、与所述第一像素相邻的第二像素中的第二驱动元件以及修复元件，所述修复元件连接至所述第一驱动元件、延伸至所述第二像素并与所述第二驱动元件交叠；
形成设置在所述第一驱动元件上并且连接至所述第一驱动元件的第一发光元件，以及设置在所述第二驱动元件上并且连接至所述第二驱动元件的第二发光元件；
检查所述第一驱动元件和所述第二驱动元件是否有缺陷；以及
进行修复处理，在所述修复处理中，禁用所述第二驱动元件，并且使所述第二发光元件经由所述修复元件连接至所述第一驱动元件，其中，所述第一驱动元件是正常的，并且所述第二驱动元件是有缺陷的。
12.根据权利要求11所述的用于制造电致发光显示器的方法，
其中，所述第一驱动元件包括：第一栅极电极、与所述第一栅极电极交叠的第一半导体层、连接至所述第一半导体层的一部分的第一源极电极和连接至所述第一半导体层的另一部分的第一漏极电极，
其中，所述第二驱动元件包括：第二栅极电极、与所述第二栅极电极交叠的第二半导体层、连接至所述第二半导体层的一部分的第二源极电极和连接至所述第二半导体层的另一部分的第二漏极电极，以及
其中，所述修复元件包括：
与所述第二漏极电极交叠的修复图案，所述修复图案与所述第二半导体层由相同的第一材料形成在相同的第一层上；
设置在覆盖所述第二半导体层和所述修复图案的栅极绝缘层上的修复电极，所述修复电极与所述第二栅极电极由相同的第二材料形成在相同的第二层上；以及
设置在覆盖所述修复电极的中间绝缘层上的修复线，所述修复线连接至所述修复电极、延伸至所述第一像素并连接至所述第一漏极电极。
13.根据权利要求12所述的用于制造电致发光显示器的方法，其中，所述修复处理包括：
切割所述第二半导体层的部分，以及
去除所述修复图案的部分并将所述修复电极连接至所述第二漏极电极。
14.根据权利要求13所述的用于制造电致发光显示器的方法，其中，通过如下进行所述修复处理：将激光照射在所述第二半导体层的所述部分上、照射在所述修复图案上以及照射在所述修复电极与所述第二漏极电极交叠处，使得所述修复电极和所述第二漏极电极熔化并且彼此连接。
15.根据权利要求14所述的用于制造电致发光显示器的方法，其中，通过在从所述基板下方朝所述第二发光元件的方向上照射具有266nm波长的激光来进行所述修复处理。
16.一种电致发光显示器，包括：
第一像素，包括第一开关晶体管、第一驱动晶体管和第一发光元件；
第二像素，包括第二开关晶体管、第二驱动晶体管和第二发光元件；
修复元件，所述修复元件的至少一部分与所述第一像素和所述第二像素交叠；
其中，所述第二开关晶体管包括半导体层，所述半导体层包括第一部分以及与所述半导体层的所述第一部分电断开的第二部分；
其中，所述修复元件包括：
与所述第二驱动晶体管的漏极电极交叠的修复图案，所述修复图案与所述第二开关晶体管的所述半导体层由相同的材料形成并且包括第一部分以及与所述修复图案的所述第一部分电断开的第二部分；
覆盖所述半导体层和所述修复图案的栅极绝缘层上的、与所述修复图案交叠的修复电极，所述修复电极与所述第二开关晶体管的栅极电极由相同的材料形成并与所述第二驱动晶体管的所述漏极电极接合；以及
设置在覆盖所述修复电极的中间绝缘层上的修复线，所述修复线电连接至所述修复电极和所述第一驱动晶体管的漏极电极；以及
其中，所述第二像素的所述第二发光元件的阳极经由所述第二驱动晶体管的所述漏极电极、所述修复电极和所述修复线电连接至所述第一像素的所述第一驱动晶体管的所述漏极电极。
17.根据权利要求16所述的电致发光显示器，其中，所述第一像素为正常像素，并且所述第二像素为有缺陷的像素。
18.根据权利要求16所述的电致发光显示器，其中，所述修复电极和所述第二驱动晶体管的所述漏极电极被熔化以彼此接合。
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