CN116404070A - 钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及一种钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池及其制备方法，通过对初始叠层结构中掺杂膜层的掺杂源进行激活处理，使得掺杂源向多晶硅膜层中扩散，以得到掺杂叠层结构。一方面初始叠层结构包括交替设置的多晶硅膜层、掺杂膜层且初始叠层结构的底层、顶层均为多晶硅膜层，掺杂膜层中的掺杂源可以向两侧多晶硅膜层扩散，以减少掺杂源向基片方向扩散的掺杂量，并使得掺杂源的分布更均匀，降低接触电阻率；另一方面，该初始叠层结构的底层多晶硅膜层可以隔离掺杂膜层与隧穿层，防止隧穿层被激活处理后的掺杂源扩穿，以提高隧穿层的钝化效果。因此，可以平衡隧穿层和掺杂叠层结构的工艺效果，提高电池转换效率。

Description

钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池及其制备方法
技术领域
本申请涉及光伏技术领域，特别是涉及一种钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池及其制备方法。
背景技术
TOPCON（Tunnel Oxide Passivated Contact，隧穿氧化层钝化接触）电池在电池背面制备有一层隧穿氧化层和一层高掺杂多晶硅层，二者共同形成了钝化接触结构，为硅片的背面提供了良好的表面钝化。
然而，在量产过程中，隧穿氧化层和高掺杂多晶硅层的生长均匀性很难控制，使得难以平衡隧穿氧化层和高掺杂多晶硅层的工艺效果，降低了TOPCon电池的转换效率。
发明内容
本申请实施例提供一种钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池及其制备方法，能够提高太阳能电池的转换效率。
本申请第一方面提供一种钝化接触结构的制备方法，包括：
在基片的一面形成隧穿层；
在所述隧穿层背离所述基片的一侧形成初始叠层结构，所述初始叠层结构包括交替层叠的多晶硅膜层和掺杂膜层，所述初始叠层结构靠近所述隧穿层的底层、所述初始叠层结构背离所述隧穿层的顶层均为所述多晶硅膜层，所述掺杂膜层为掺杂有掺杂源的多晶硅材料层；
对所述掺杂膜层中的掺杂源进行激活处理，使得所述掺杂源向所述多晶硅膜层中扩散，以使得所述初始叠层结构转换成掺杂源分布更均匀的掺杂叠层结构。
在其中一个实施例中，对所述掺杂膜层中的掺杂源进行激活处理前，所述掺杂膜层中，靠近所述多晶硅膜层的区域中所述掺杂源的掺杂浓度小于背离所述多晶硅膜层的区域中所述掺杂源的掺杂浓度，且靠近所述多晶硅膜层的区域中所述掺杂源的掺杂浓度大于所述多晶硅膜层中所述掺杂源的掺杂浓度。
在其中一个实施例中，对所述掺杂膜层中的掺杂源进行激活处理前，所述掺杂膜层中所述掺杂源的掺杂浓度自所述掺杂膜层的中心面向远离所述中心面的两侧呈对称式分布，所述中心面与所述掺杂膜层背离所述基片的一侧之间的距离等于所述中心面与所述掺杂膜层靠近所述基片的一侧之间的距离。
在其中一个实施例中，所述掺杂膜层包括多层第一掺杂多晶硅层，所述多层第一掺杂多晶硅层沿背离所述隧穿层的方向层叠。
在其中一个实施例中，所述多层第一掺杂多晶硅层关于所述掺杂膜层的中心面对称设置，对称设置的每两层第一掺杂多晶硅层中的所述掺杂源关于所述中心面对称分布；所述中心面与所述掺杂膜层背离所述基片的一侧之间的距离等于所述中心面与所述掺杂膜层靠近所述基片的一侧之间的距离。
在其中一个实施例中，所述掺杂膜层的数量为多层，在多层所述掺杂膜层的掺杂浓度相同的情况下，相邻两层所述掺杂膜层之间的所述多晶硅膜层的厚度分别大于底层多晶硅膜层的厚度、顶层多晶硅膜层的厚度。
在其中一个实施例中，所述多晶硅膜层包括本征多晶硅层或第二掺杂多晶硅层，且所述第二掺杂多晶硅层中所述掺杂源的掺杂浓度小于所述掺杂膜层中所述掺杂源的掺杂浓度。
在其中一个实施例中，所述初始叠层结构的底层为所述第二掺杂多晶硅层，且所述底层中靠近所述隧穿层的区域中所述掺杂源的掺杂浓度小于背离所述隧穿层的区域中所述掺杂源的掺杂浓度。
在其中一个实施例中，所述初始叠层结构的底层为所述第二掺杂多晶硅层，且所述底层中的所述掺杂源的位置与所述底层的靠近所述隧穿层的底表面相间隔。
在其中一个实施例中，所述初始叠层结构的顶层为所述第二掺杂多晶硅层，且所述顶层中的所述掺杂源的位置与所述顶层的背离所述隧穿层的顶表面相间隔。
在其中一个实施例中，所述掺杂膜层的折射率大于所述多晶硅膜层的折射率。
在其中一个实施例中，所述掺杂膜层的折射率处于4.1~4.5的范围内，所述多晶硅膜层的折射率处于3.88~4.10的范围内。
在其中一个实施例中，所述掺杂叠层结构中所述掺杂源的掺杂浓度处于1E20~8E20toms/cm3的范围内，且所述掺杂叠层结构中任意两个区域中所述掺杂源的浓度差小于或等于2E20 toms/cm3。
本申请第二方面提供了一种钝化接触结构，所述钝化接触结构由如上所述的钝化接触结构的制备方法制备获得。
本申请第三方面提供了一种太阳能电池，包括：
基片；及
如上所述的钝化接触结构，位于所述基片的一面上。
在其中一个实施例中，太阳能电池还包括：
第一钝化层，位于所述钝化接触结构背离所述隧穿层的一侧。
在其中一个实施例中，所述基片包括相对设置的第一面、第二面，所述钝化接触结构位于所述第二面；所述太阳能电池还包括：
第二钝化层，位于所述基片的所述第一面。
本申请第四方面提供了一种太阳能电池的制备方法，包括：
提供基片；
基于如上所述的钝化接触结构的制备方法在所述基片的一面上形成所述的钝化接触结构。
在其中一个实施例中，还包括：
在所述钝化接触结构背离所述隧穿层的一侧形成第一钝化膜层。
在其中一个实施例中，所述基片包括相对设置的第一面、第二面，所述钝化接触结构位于所述第二面；所述太阳能电池还包括：
在所述基片的所述第一面形成第二钝化层。
本申请第五方面提供了一种光伏组件，包括电池串，所述电池串由多个如上所述的太阳能电池连接而成；或者所述电池串由多个如上所述的太阳能电池的制备方法制备获得的太阳能电池连接而成。
本申请第六方面提供了一种光伏系统，包括如上所述的光伏组件。
上述钝化接触结构的制备方法、太阳能电池的制备方法，一方面，由于激活处理前底层多晶硅膜层与相邻掺杂膜层之间的掺杂源的掺杂浓度差距，底层的多晶硅膜层可以起到隔离掺杂膜层与隧穿层的作用，防止隧穿层被激活处理后的掺杂源扩穿，可以提高隧穿层的钝化效果；另一方面，由于初始叠层结构包括交替设置的多晶硅膜层、掺杂膜层且初始叠层结构的底层、顶层均为多晶硅膜层，基于多晶硅膜层与相邻掺杂膜层之间的掺杂源的掺杂浓度差距，可以使掺杂膜层中的掺杂源向两侧多晶硅膜层扩散，既可以减少激活处理时掺杂源向基片方向扩散的掺杂量，又可以使得激活处理时掺杂源的分布更均匀，降低接触电阻率。因此，上述制备方法及制备获得的钝化接触结构、太阳能电池，光伏组件及光伏系统，可以平衡隧穿层和掺杂叠层结构的工艺效果，提高电池转换效率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为一实施例的钝化接触结构的制备方法的流程图之一；
图2为一实施例的钝化接触结构的结构框图之一；
图3为一实施例的钝化接触结构的结构框图之二；
图4为一实施例的钝化接触结构的结构框图之三；
图5为一实施例的初始叠层结构的结构框图之一；
图6为一实施例的初始叠层结构的结构框图之二；
图7为一实施例的初始叠层结构的结构框图之三；
图8为一实施例的初始叠层结构的结构框图之四；
图9为一实施例的初始叠层结构的结构框图之五；
图10为一实施例的钝化接触结构的制备方法的流程图之二；
图11为一实施例的钝化接触结构的结构框图之四；
图12为一实施例的太阳能电池的结构框图；
图13为一实施例中的钝化接触结构A1的ECV曲线图。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
可以理解，本申请所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件，但这些元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个元件与另一个元件区分，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中，“多层”的含义是至少两层，例如两层，三层等，除非另有明确具体的限定。
需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。
图1为一实施例的钝化接触结构的制备方法的流程图，参考图1，在本实施例中，钝化接触结构的制备方法包括步骤102-步骤106。
步骤102，在基片的一面形成隧穿层。
其中，基片具有相对的第一面和第二面，以TOPCON电池为例，基片的第一面和第二面均可以用于接收入射光线并产生光生载流子，第一面和第二面中的一面可以理解为正对太阳光线的表面，也称受光面；另一面可以理解为背对太阳光线的表面，也称背光面。可选地，基片可以是掺杂N型元素或者P型元素的硅片；N型元素例如可以磷、砷或者锑中的任意一种元素，P型元素例如可以是硼元素。
其中，隧穿层形成在基片的第一面和第二面中的一面，以与该面的悬挂键相结合，抑制太阳能电池表面的载流子复合，从而实现该面的界面钝化效果，提升太阳能电池的光电转换效率。可以理解，当钝化接触结构为背面钝化接触结构时，隧穿层形成在基片的背对太阳光线的表面上。可选地，隧穿层的材料可以为电介质材料，例如为氧化硅、氟化镁、氧化硅、非晶硅、多晶硅、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝或者氧化钛中的至少一种。
步骤104，在隧穿层背离基片的一侧形成初始叠层结构，初始叠层结构包括交替层叠的多晶硅膜层和掺杂膜层，初始叠层结构靠近隧穿层的底层、初始叠层结构背离隧穿层的顶层均为多晶硅膜层。掺杂膜层为掺杂有掺杂源的多晶硅材料层。
请参考图2，初始叠层结构包括交替层叠的多晶硅膜层和掺杂膜层（图2中，10为基片，20为隧穿层，30为初始叠层结构，310为多晶硅膜层，320为掺杂膜层），掺杂膜层为注入有掺杂源的重掺杂多晶硅材料（poly-Si）层，且掺杂膜层中掺杂源的掺杂浓度可以理解为大于或者远大于多晶硅膜层中掺杂源的掺杂浓度，由此掺杂膜层可以与多晶硅膜层等形成高低结结构，以向多晶硅膜层提供掺杂源。
其中，初始叠层结构靠近隧穿层的底层为形成在隧穿层背离基片的一侧的多晶硅膜层，基于底层多晶硅膜层与相邻掺杂膜层之间的掺杂源的掺杂浓度差距，底层的多晶硅膜层可以起到隔离掺杂膜层与隧穿层的作用，对后续激活处理时掺杂源向基片方向扩散起到良好的阻挡作用，以防止隧穿层被扩穿，从而可以提高隧穿层的钝化效果，明显提升成品电池片的开路电压。
其中，初始叠层结构背离隧穿层的顶层为多晶硅膜层，基于顶层多晶硅膜层与相邻掺杂膜层之间的掺杂源的掺杂浓度差距，可以使掺杂膜层中的掺杂源向顶层多晶硅膜层扩散，一方面可以减少激活处理时掺杂源向基片方向扩散的掺杂量，防止过多的掺杂源向基片内推进，另一方面激活处理时掺杂源的分布更均匀。
步骤106，对掺杂膜层中的掺杂源进行激活处理，使得掺杂源向多晶硅膜层中扩散，以使得初始叠层结构转换成掺杂源分布更均匀的掺杂叠层结构。
其中，激活处理可以是退火处理，例如在氮气氛围下对掺杂膜层进行退火处理，以激活掺杂膜层中的掺杂源。可以理解，退火处理的各项参数可以根据掺杂膜层、多晶硅膜层等的实际厚度、掺杂源的掺杂总量和掺杂浓度等进行调整设置，本实施例中不做进一步限定。
掺杂源被激活处理后，各掺杂膜层中的掺杂源将向掺杂膜层两侧的多晶硅膜层进行扩散，使得掺杂膜层两侧的多晶硅膜层中的掺杂源的掺杂浓度逐步与掺杂膜层中的掺杂源的掺杂浓度趋近于相等，从而使得掺杂源分布不均匀的初始叠层结构逐步转换成掺杂源分布均匀的掺杂叠层结构（如图3所示，图3中，10为基片，20为隧穿层，40为掺杂叠层结构）。相较于向单侧扩散，本实施例中掺杂源在经过激活处理后，分布更均匀，钝化接触结构更耐浆料腐蚀，且接触电阻率明显降低，开路电路明显提升。
在相关技术中，为了降低隧穿层被烧穿的风险，需要改善隧穿层生长的均匀性，防止局部隧穿层偏薄容易被烧穿，但是隧穿层厚度很薄，均匀性很难控制；而为了降低钝化接触结构接触电阻率，需要提升掺杂层的掺杂浓度，然而掺杂浓度的提升使得掺杂源更容易在退火时对隧穿层造成破坏，同时更重的掺杂会带来更严重的寄生吸收。因此，相关技术中的改善方式难以平衡隧穿氧化层和高掺杂多晶硅层的工艺效果，降低了太阳能电池的转换效率，产生不良的电池片。
而本实施例提供的钝化接触结构的制备方法，一方面，由于激活处理前底层多晶硅膜层与相邻掺杂膜层之间的掺杂源的掺杂浓度差距，底层的多晶硅膜层可以起到隔离掺杂膜层与隧穿层的作用，防止隧穿层被激活处理后的掺杂源扩穿，可以提高隧穿层的钝化效果；另一方面，由于初始叠层结构包括交替设置的多晶硅膜层、掺杂膜层且初始叠层结构的底层、顶层均为多晶硅膜层，基于多晶硅膜层与相邻掺杂膜层之间的掺杂源的掺杂浓度差距，可以使掺杂膜层中的掺杂源向两侧多晶硅膜层扩散，既可以减少激活处理时掺杂源向基片方向扩散的掺杂量，又可以使得激活处理时掺杂源的分布更均匀，降低接触电阻率。因此，本实施例的制备方法可以平衡隧穿层和掺杂叠层结构的工艺效果，提高太阳能电池的转换效率。
需要指出的是，如图4所示，激活处理后，基片与隧穿层接触的表面可能还存在一层掺杂型的晶体硅层（图4中，10为基片，110为掺杂型的晶体硅层，20为隧穿层，40为掺杂叠层结构），该掺杂型的晶体硅层是由初始叠层结构中掺杂源在激活、扩散时小部分穿过隧穿层进入硅片表面薄层形成的，基于本实施例中的多晶硅膜层的阻挡作用，该掺杂型的晶体硅层中的掺杂源的掺杂浓度远小于激活后的掺杂叠层结构中的掺杂源的掺杂浓度。可选地，该掺杂型的晶体硅层中掺杂原子的浓度呈拖尾状分布，一方面可以改善表面钝化效果，另一方面可以减小载流子传输电阻。
在其中一个实施例中，对掺杂膜层中的掺杂源进行激活处理前，掺杂膜层中，靠近多晶硅膜层的区域中掺杂源的掺杂浓度小于背离多晶硅膜层的区域中掺杂源的掺杂浓度，且靠近多晶硅膜层的区域中掺杂源的掺杂浓度大于多晶硅膜层中掺杂源的掺杂浓度。
一方面，由于靠近多晶硅膜层的区域中掺杂源的掺杂浓度小于背离多晶硅膜层的区域中掺杂源的掺杂浓度，因此，在激活处理时，背离多晶硅膜层的区域中掺杂源将分别向其两侧的靠近多晶硅膜层的区域扩散；另一方面，由于靠近多晶硅膜层的区域中掺杂源的掺杂浓度大于多晶硅膜层中掺杂源的掺杂浓度，因此，在激活处理时，掺杂膜层中两侧的靠近多晶硅膜层的区域中掺杂源将分别向多晶硅膜层扩散。因此，掺杂膜层整体的掺杂源始终自掺杂膜层的中心区域向中心区域的两侧区域及掺杂膜层两侧的多晶硅膜层扩散，进一步提高掺杂源分布的均匀性，降低接触电阻率。
可以理解，为了使得掺杂膜层中靠近多晶硅膜层的区域中掺杂源的掺杂浓度小于背离多晶硅膜层的区域中掺杂源的掺杂浓度，可以在掺杂膜层形成的过程对掺杂源在注入剂量、注入时间等方面进行控制，本实施例不做进一步限定。
在其中一个实施例中，在掺杂膜层的靠近多晶硅膜层的区域中掺杂源的掺杂浓度小于背离多晶硅膜层的区域中掺杂源的掺杂浓度的基础上，对掺杂膜层中的掺杂源进行激活处理前，掺杂膜层中掺杂源的掺杂浓度自掺杂膜层的中心面向远离中心面的两侧呈对称式分布，中心面与掺杂膜层背离基片的一侧之间的距离等于中心面与掺杂膜层靠近基片的一侧之间的距离。
其中，中心面与掺杂膜层背离基片的一侧之间的距离等于中心面与掺杂膜层靠近基片的一侧之间的距离，由此中心面可以理解为掺杂膜层的中心。
其中，对掺杂膜层中的掺杂源进行激活处理前，由于越靠近中心面掺杂源的掺杂浓度越高，且掺杂膜层中掺杂源的掺杂浓度自掺杂膜层的中心面向远离中心面的两侧呈对称式分布，因此，掺杂膜层整体的掺杂源的掺杂浓度自中心面向中心面的两侧对称式减小。进一步地，掺杂膜层整体的掺杂源的掺杂浓度可以自中心面向中心面的两侧对称式的梯度递减。
可以理解，掺杂叠层结构中的掺杂源的分布情况会受初始叠层结构中掺杂膜层掺杂源的掺杂浓度影响，在本实施例中，由于掺杂膜层整体的掺杂源的掺杂浓度自中心面向中心面的两侧对称式减小，因此，掺杂膜层整体的掺杂源自中心面向中心面的两侧对称式均匀扩散，使得激活处理后掺杂叠层结构中掺杂源的分布更加均匀。
在其中一个实施例中，在掺杂膜层的靠近多晶硅膜层的区域中掺杂源的掺杂浓度小于背离多晶硅膜层的区域中掺杂源的掺杂浓度的基础上，掺杂膜层可以包括多层第一掺杂多晶硅层，多层第一掺杂多晶硅层沿背离隧穿层的方向层叠。
其中，多层第一掺杂多晶硅层例如可以是两层、三层、四层……等，本实施例对层的数量、层的厚度不做进一步限定，只要满足整体掺杂叠层结构的整体厚度即可。可以理解，在掺杂膜层的靠近多晶硅膜层的区域中掺杂源的掺杂浓度小于背离多晶硅膜层的区域中掺杂源的掺杂浓度的基础上，位于掺杂膜层中部的第一掺杂多晶硅层的掺杂源的掺杂浓度大于位于掺杂膜层两侧区域的第一掺杂多晶硅层的掺杂源的掺杂浓度，多层第一掺杂多晶硅层存在掺杂源的掺杂浓度差，或者至少第一掺杂多晶硅层内部不同区域存在掺杂源的掺杂浓度差。
示例性地，当掺杂膜层包括偶数层第一掺杂多晶硅层，例如如图5所示，掺杂膜层包括两层第一掺杂多晶硅层时（图5中，30为初始叠层结构，310为多晶硅膜层，321为一第一掺杂多晶硅层，322为另一第一掺杂多晶硅层），该两层第一掺杂多晶硅层的掺杂源的掺杂浓度可以相同或不同，但各第一掺杂多晶硅层内部不同区域存在掺杂源的掺杂浓度差，以使得激活处理时两层第一掺杂多晶硅层中的掺杂源分别向两侧区域扩散。
示例性地，当掺杂膜层包括奇数层第一掺杂多晶硅层，例如如图6所示，掺杂膜层包括三层第一掺杂多晶硅层时，掺杂膜层中心区域处的第一掺杂多晶硅层的掺杂源的掺杂浓度大于两侧区域的掺杂源的掺杂浓度（图6中，30为初始叠层结构，310为多晶硅膜层，324为中心区域处的第一掺杂多晶硅层，323、325分别对应为两侧区域的一第一掺杂多晶硅层），两侧区域的两第一掺杂多晶硅层的掺杂源的掺杂浓度可以相同或者不同，以使得激活处理时三层第一掺杂多晶硅层中的掺杂源分别向两侧区域扩散。可以理解，两侧区域的两第一掺杂多晶硅层内部不同区域的掺杂源可以存在掺杂浓度差，也可以相等。
本实施例中多层第一掺杂多晶硅层的设置，可以更加灵活的调整各第一掺杂多晶硅层的掺杂源的掺杂位置和掺杂浓度，提高掺杂膜层中掺杂源分布的灵活性。
进一步可选地，在上一实施例的基础上，多层第一掺杂多晶硅层关于掺杂膜层的中心面对称设置，对称设置的每两层第一掺杂多晶硅层中的掺杂源关于中心面对称分布；中心面与掺杂膜层背离基片的一侧之间的距离等于中心面与掺杂膜层靠近基片的一侧之间的距离。
其中，多层第一掺杂多晶硅层关于掺杂膜层的中心面对称设置可以理解为多层第一掺杂多晶硅层的设置位置、厚度关于中心面对称；对称设置的每两层第一掺杂多晶硅层中的掺杂源关于中心面对称分布可以理解为该两层第一掺杂多晶硅层中的掺杂源的掺杂浓度相同且掺杂源的位置关于中心面对称。
对掺杂膜层中的掺杂源进行激活处理前，由于越靠近中心面的第一掺杂多晶硅层中的掺杂源的掺杂浓度越高，且对称设置的每两层第一掺杂多晶硅层中的掺杂源关于中心面对称分布，因此，多层第一掺杂多晶硅层中掺杂源的掺杂浓度自中心面的第一掺杂多晶硅层向中心面两侧的第一掺杂多晶硅层对称式减小，进一步地，可以是梯度递减。
可以理解，掺杂叠层结构中的掺杂源的分布情况会受初始叠层结构中掺杂膜层掺杂源的掺杂浓度影响，在本实施例中，由于多层第一掺杂多晶硅层中掺杂源的掺杂浓度自中心面的第一掺杂多晶硅层向中心面两侧的第一掺杂多晶硅层对称式减小，因此，掺杂膜层整体的掺杂源自中心面向中心面的两侧对称式均匀扩散，使得激活处理后掺杂叠层结构中掺杂源的分布更加均匀。
可以理解，在其他实施例中，掺杂膜层也可以包括一层第一掺杂多晶硅层，该层第一掺杂多晶硅层中掺杂源的掺杂浓度可以自该层的中心面向远离中心面的两侧呈对称式分布，中心面与递减背离基片的一侧之间的距离等于中心面与该层靠近基片的一侧之间的距离。相关介绍可以参考上述实施例中对称式分布的相关描述，在此不再赘述。
在其中一个实施例中，上述任一实施例中的掺杂膜层的数量可以为多层。
在掺杂膜层的数量为多个的情况下，多层掺杂膜层及多层多晶硅膜层的生长情况如下：在隧穿层背离基片的表面沉积一层多晶硅膜层，在多晶硅膜层背离隧穿层的表面形成掺杂膜层，并在掺杂膜层上形成多晶硅膜层，以此为一个周期，然后进行重复，多个生长周期后，初始叠层结构靠近隧穿层的底层、初始叠层结构背离隧穿层的顶层均为多晶硅膜层。
可以理解，本实施例中多晶硅膜层、掺杂膜层、多晶硅膜层周期的重复次数不做具体限定，根据实际需求进行调整设置。多层掺杂膜层的厚度可以相同或者不同。
可选地，在多个掺杂膜层的掺杂浓度相同的情况下，相邻两层掺杂膜层之间的多晶硅膜层的厚度分别大于底层多晶硅膜层的厚度、顶层多晶硅膜层的厚度。
相邻两个掺杂膜层之间的多晶硅膜层，由于其与相邻两层掺杂膜层之间的掺杂源的掺杂浓度差距，使得相邻两层掺杂膜层的掺杂源均向该多晶硅膜层扩散。因此，在多个掺杂膜层的掺杂浓度相同的情况下，设置相邻掺杂膜层之间的多晶硅膜层的厚度分别大于底层多晶硅膜层的厚度、顶层多晶硅膜层的厚度，有利于进一步提高掺杂源在各多晶硅膜层中分布的均匀性。
在其中一个实施例中，多晶硅膜层包括本征多晶硅层或第二掺杂多晶硅层，且第二掺杂多晶硅层中掺杂源的掺杂浓度小于掺杂膜层中掺杂源的掺杂浓度。在本实施例中，由于多晶硅膜层中掺杂源的掺杂浓度始终小于掺杂膜层中掺杂源的掺杂浓度，无论是本征多晶硅层还是第二掺杂多晶硅层，初始叠层结构均可以起到隔离掺杂膜层与隧穿层的作用，及减少激活处理时掺杂源向基片方向扩散的掺杂量；掺杂叠层结构均可以获得均匀分布的掺杂源，以提高太阳能电池的转换效率。
在多晶硅膜层包括本征多晶硅层时，本征多晶硅层中的掺杂源的掺杂浓度可以理解为趋近于0，本征多晶硅层中的掺杂源的掺杂浓度远小于掺杂膜层中掺杂源的掺杂浓度，此时，底层的本征多晶硅层在掺杂膜层与隧穿层之间具有更强的隔离阻挡作用，可以进一步减少激活处理时掺杂源向基片方向扩散的掺杂量；顶层的本征多晶硅层可以使得掺杂膜层中更多的掺杂源向顶层扩散；同时，在掺杂膜层的数量为多层的情况下，相邻掺杂膜层之间的本征多晶硅层的存在也使得掺杂膜层中的掺杂源在激活处理后在掺杂叠层结构中的分布更加均匀。可以理解，在其他实施例中，在掺杂膜层的数量为多层的情况下，也可以仅底层和顶层的多晶硅膜层为本征多晶硅层，相邻掺杂膜层之间的多晶硅膜层为第二掺杂多晶硅层。
在多晶硅膜层包括第二掺杂多晶硅层时，第二掺杂多晶硅层的掺杂源的掺杂浓度可以理解为远小于掺杂膜层中掺杂源的掺杂浓度，即掺杂膜层为重掺杂，第二掺杂多晶硅层为轻掺杂。此时，由于掺杂浓度较低，底层的第二掺杂多晶硅层在掺杂膜层与隧穿层之间具有较强的隔离阻挡作用，可以进一步减少激活处理时掺杂源向基片方向扩散的掺杂量；顶层的第二掺杂多晶硅层也可以使得掺杂膜层中的掺杂源向顶层扩散；同时，在掺杂膜层的数量为多层的情况下，相邻掺杂膜层之间的第二掺杂多晶硅层的存在也提高了掺杂膜层中掺杂源分布的均匀性。
在其中一个实施例中，初始叠层结构的底层为第二掺杂多晶硅层，且底层靠近隧穿层的区域中掺杂源的掺杂浓度小于背离隧穿层的区域中掺杂源的掺杂浓度。在本实施例中，底层为整体掺杂的第二掺杂多晶硅层，由于底层靠近隧穿层的区域中掺杂源的掺杂浓度小于背离隧穿层的区域中掺杂源的掺杂浓度，因此，底层的第二掺杂多晶硅层具有掺杂浓度梯度，掺杂浓度低的一侧有利于进一步增强底层在掺杂膜层与隧穿层之间隔离阻挡作用。
在其中一个实施例中，初始叠层结构的底层为第二掺杂多晶硅层，且底层中的掺杂源的位置与底层的靠近隧穿层的底表面相间隔。在本实施例中，底层为局部掺杂的第二掺杂多晶硅层，由于底层中的掺杂源的位置与底层的靠近隧穿层的底表面相间隔，因此，底层中的下表层掺杂浓度趋近于0，掺杂浓度趋近于0的下表层有利于进一步增强底层在掺杂膜层与隧穿层之间隔离阻挡作用。
可选地，如图7所示，底层中的掺杂源的位置可以位于底层中的中部区域，由此，底层中的上表层、下表层掺杂浓度趋近于0（图7中，30为初始叠层结构，310为多晶硅膜层，320为掺杂膜层，311为底层中部区域的掺杂源层），掺杂浓度趋近于0的上表层可以进一步提高相邻掺杂膜层中掺杂源向底层的扩散作用以提高扩散均匀性，掺杂浓度趋近于0的下表层可以进一步增强底层在掺杂膜层与隧穿层之间隔离阻挡作用。
可选地，如图8所示，底层中的掺杂源的位置可以位于底层中的顶部区域，由此，底层中的中部区域、下表层掺杂浓度趋近于0（图8中，30为初始叠层结构，310为多晶硅膜层，320为掺杂膜层，311为底层顶部区域的掺杂源层），由此掺杂浓度趋近于0的区域大于掺杂浓度非零的区域，可以进一步提高相邻掺杂膜层中掺杂源向底层的扩散作用以提高扩散均匀性，同时进一步增强底层在掺杂膜层与隧穿层之间隔离阻挡作用。
在其中一个实施例中，初始叠层结构的顶层为第二掺杂多晶硅层，且顶层中的掺杂源的位置与顶层的背离隧穿层的顶表面相间隔。在本实施例中，顶层为局部掺杂的第二掺杂多晶硅层，由于顶层中的掺杂源的位置与顶层的背离隧穿层的顶表面相间隔，因此，顶层中的上表层掺杂浓度趋近于0，趋近于0的上表层有利于使得掺杂膜层中更多的掺杂源向顶层扩散。进一步可选地，如图9所示，顶层中的掺杂源的位置可以位于顶层中的下表层（图9中，30为初始叠层结构，310为多晶硅膜层，320为掺杂膜层，312为顶层中掺杂的下表层），由此，掺杂浓度趋近于0的下表层均有利于使得掺杂膜层中更多的掺杂源向顶层扩散以提高扩散均匀性。
在其中一个实施例中，掺杂膜层的折射率大于多晶硅膜层的折射率。多晶硅膜层的折射率、掺杂膜层的折射率分别与多晶硅膜层、掺杂膜层中的掺杂源的掺杂浓度呈正相关，基于多晶硅膜层与掺杂膜层之间的折射率差距，进一步确保掺杂源在激活处理过程中自掺杂膜层向其两侧的多晶硅膜层扩散，以提高掺杂源在掺杂叠层结构中分布的均匀性。
可选地，掺杂膜层的折射率处于4.1~4.5的范围内，多晶硅膜层的折射率处于3.88~4.10的范围内，由此可以进一步确保初始叠层结构有效实现掺杂膜层与隧穿层之间隔离阻挡作用，同时在掺杂源被激活处理后，形成掺杂源分布更加均匀的掺杂叠层结构。其中各层的折射率可以通过椭偏仪测试获得，本实施例对此不做进一步限定。
在其中一个实施例中，掺杂叠层结构中掺杂源的掺杂浓度处于1E20~8E20toms/cm3的范围内，且掺杂叠层结构中任意两个区域中掺杂源的浓度差小于或等于2E20 toms/cm3。一方面，掺杂源的掺杂浓度处于1E20~8E20toms/cm3的范围，因此掺杂叠层结构具有较高的掺杂浓度；另一方面，掺杂叠层结构中任意两个区域中掺杂源的浓度差小于或等于2E20 toms/cm3，因此掺杂叠层结构内部的各处掺杂浓度相近，掺杂源分布均匀。由此，进一步说明本实施例通过上述实施例的制备方法制备获得的掺杂叠层结构具有较低背面接触电阻率，具有该钝化接触结构的太阳能电池具有更高的电池转换效率。
在其中一个实施例中，如图10所示，上述制备方法还可以包括：步骤108。
步骤108，在掺杂叠层结构背离隧穿层的一侧形成保护层。
其中，如图11所示，保护层（图11中，50为保护层）覆盖于掺杂叠层结构背离隧穿层的一侧，对掺杂叠层结构具有掩膜作用，可以保护掺杂叠层结构在后续的其他制程中不被破坏。保护层的材料为溶于酸但不溶于碱的材料，例如可以为氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等。
可以理解，上述实施例中的掺杂膜层、第一掺杂多晶硅层、第二掺杂多晶硅层等均可以是原位掺杂多晶硅层，也可以是非原位掺杂多晶硅层，只要掺杂源满足相应的扩散需求即可；上述实施例中基片、隧穿层、多晶硅膜层、掺杂膜层、保护层等的尺寸、厚度、掺杂类型及形成方式等均可以不受限，可以根据实际需求进行调整。以形成方式为例，上述实施例的隧穿层、多晶硅膜层、掺杂膜层可以采用等离子体增强化学气相沉积（Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition，PECVD）形成。PECVD工艺要求的基本温度低，可以避免高温损伤基片，并且PECVD工艺的成膜质量好，有利于提高掺杂叠层结构的品质。
可以理解，除了上述实施例涉及的相关步骤，根据实际需求还可以包括其他制备步骤，以获得相应的工艺效果。例如，在基片的一面形成隧穿层之前，还可以包括：对基片的表面进行制绒处理、形成介质层（如硼硅玻璃BSG/磷硅玻璃PSG）、硼/磷扩散处理（例如，当基片为N型硅片时，掺杂硼；当基片为P型硅片时，掺杂磷）、去除介质层及抛光处理等，以使得基片进一步满足工艺需求，提高工艺效果，本实施例对此不再进一步限定。例如，对基片的表面进行制绒处理，可以增强光线的陷光效果，提升太阳能电池的转换效率。例如，去除介质层可以阻隔漏电流。
本实施例还提供一种钝化接触结构，钝化接触结构由如上实施例中的钝化接触结构的制备方法制备获得，钝化接触结构的相关介绍可以参见上述实施例中的相关描述，在此不再赘述。
本实施例的钝化接触结构，由上述实施例的制备方法制备获得，钝化接触结构的隧穿层具有较高的钝化效果，钝化接触结构的掺杂叠层结构内部的掺杂源分布更均匀，因此，本实施例的钝化接触结构具有较低的接触电阻率，可以提高太阳能电池的转换效率。
本实施例还提供一种太阳能电池，包括：基片；及如上实施例中的钝化接触结构，位于基片的一面上。基片、钝化接触结构的相关介绍可以参见上述实施例中的相关描述，在此不再赘述。
本实施例的太阳能电池，包括基片及如上任一实施例的低接触电阻率的钝化接触结构，因此具有较高的电池转换效率。
在其中一个实施例中，如图12所示，太阳能电池还包括：第一钝化层60。
其中，第一钝化层60位于钝化接触结构背离隧穿层20的一侧，可以用于在基片10的背面起到表面钝化及减反射效果，提高太阳能电池背面对太阳光的吸收率。第一钝化层60的材料可以为氧化铝层、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的任意一种或至少两种；氧化硅层、氮氧化硅中的任意一种。
在其中一个实施例中，基片包括相对设置的第一面、第二面，钝化接触结构位于第二面；请继续参考图12，太阳能电池还包括：第二钝化层70。
其中，第二钝化层70位于掺杂导电层背离基片的一侧。第二钝化层70用于对基片10的正面的悬挂键进行较好的表面钝化作用，并且在基片的正面起到减反射效果。可选地，第二钝化层70的材料可以为氧化铝层，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的任意一种或至少两种；氧化硅层、氮氧化硅中的任意一种。
可以理解，上述实施例中的第一钝化层60、第二钝化层70分别可以根据实际需求设置为单层结构或者层叠的多层膜层结构，以实现相应的钝化、减反功能。
可以理解，上述实施例中仅示出了太阳能电池的部分结构，在其他实施例中，太阳能电池还包括其他相应的相关结构，例如，还包括在第一钝化层开膜区域形成的背面丝印电极，在第二钝化层开膜区域形成的正面丝印电极等，正面丝印电极可以包括形成于开膜区域且与基片形成欧姆接触的掺杂导电层、形成于掺杂导电层的电极层等，本实施对此不做进一步地一一介绍。
本申请实施例还提供一种太阳能电池的制备方法，包括：提供基片；基于如上任一实施例的钝化接触结构的制备方法在基片的一面上形成的钝化接触结构。提供基片的步骤、形成的钝化接触结构的步骤的相关介绍可以参见上述实施例中的相关描述，在此不再赘述。
本实施例的太阳能电池的制备方法，通过提供基片及基于如上任一实施例的钝化接触结构的制备方法在基片的一面上形成的钝化接触结构，可以制备获得低接触电阻率、高电池转换效率的太阳能电池。
在其中一个实施例中，太阳能电池的制备方法还包括：在钝化接触结构背离隧穿层的一侧形成第一钝化膜层。第一钝化膜的相关介绍请参考上述实施例的描述，在此不再赘述。
在其中一个实施例中，基片包括相对设置的第一面、第二面，钝化接触结构位于第二面；太阳能电池还包括：在基片的第一面形成第二钝化层。第二钝化膜的相关介绍请参考上述实施例的描述，在此不再赘述。
可以理解，上述的第一钝化层、第二钝化层的尺寸、厚度、及形成方式等均可以不受限，可以根据实际需求进行调整。
可以理解，除了上述实施例涉及的太阳能电池的制备方法的相关步骤，根据实际需求还可以包括其他现有的制备步骤，以获得相应的工艺效果，在此不再进一步限定。例如，还包括对第一钝化层、第二钝化层开膜的步骤，还包括在第一钝化层开膜区域形成背面丝印电极，在第二钝化层开膜区域形成正面丝印电极等的步骤，形成正面丝印电极的步骤可以包括形成于开膜区域且与基片形成欧姆接触的掺杂导电层、形成于掺杂导电层的电极层等步骤，还包括对前述成品烧结及光注入处理以钝化太阳电池中的缺陷，进一步增加转换效率的步骤等，本实施对此不做进一步地一一介绍。
以下以一个具体示例对上述实施例的钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池片及其制备方法进行进一步说明：
本实施例的制备方法包括：
步骤202，对原硅片进行制绒处理和硼扩散处理、去硅硼玻璃及抛光处理，以获得经预处理后的硅片。
步骤204，采用PECVD方式，在经预处理后的硅片的一面上形成隧穿氧化层，并在隧穿层背离基片的一侧依次形成层叠于隧穿层上的本征多晶硅层、一第一掺杂多晶硅层、本征多晶硅层（本实施例以图2中掺杂膜层包括一第一掺杂多晶硅层为例，请辅助参考图2所示的结构）。其中本征多晶硅层的折射率在3.88~4.10范围，掺杂膜层的折射率均在在4.1~4.5范围。
步骤206，对掺杂膜层的掺杂源进行退火处理，使得掺杂源向多晶硅膜层中扩散，以形成如图4所示的掺杂叠层结构，得到钝化接触结构A1（其中110为掺杂源通过隧穿氧化层扩散到硅基体内形成的区域，掺杂呈拖尾状分布；120为此时的硅基体部分）。
步骤208，在钝化接触结构A1背离隧穿层的一侧形成第一钝化膜层，在基片的第一面形成第二钝化层，并在第一钝化膜层形成背面丝印电极，在第二钝化膜层形成正面丝印电极，并进行烧结及光注入处理，得到210R尺寸的N-Topcon太阳能电池B1。
对比例的制备方法包括：
步骤302，对原硅片进行制绒处理和硼扩散处理、去硅硼玻璃及抛光处理，以获得经预处理后的硅片。
步骤304，在经预处理后的硅片的一面上形成隧穿层，并在隧穿层背离基片的一侧形成掺杂多晶硅层，得到钝化接触结构。
步骤306，在钝化接触结构A2背离隧穿层的一侧形成第一钝化膜层，在基片的第一面形成第二钝化层，并在第一钝化膜层形成背面丝印电极，在第二钝化膜层形成正面丝印电极，并进行烧结及光注入处理，得到210R尺寸的N-Topcon太阳能电池B2。
如图13所示，图13为钝化接触结构A1的ECV曲线图，掺杂叠层结构中掺杂源的掺杂浓度整体处于1E20~8E20toms/cm3的范围内，掺杂叠层结构中任意两个区域中掺杂源的浓度差小于2E20 toms/cm3，各处掺杂浓度趋于相等，ECV曲线趋于平行线；通过隧穿氧化层扩散到硅基体内的掺杂源的总量少。
该N-Topcon太阳能电池B1及对比例N-Topcon太阳能电池B2的电性能测试数据如表1所示，TLM测试接触电阻率数据如表2所示。其中，Eta为转换效率；Isc为短路电流；Uoc为开路电压；FF为填充因子； Rs/mohm 为串联电阻阻值；Rsh/ohm为并联电阻阻值；Irev2为反向电流。
表1：N-Topcon太阳能电池的电性能测试数据
Figure SMS_1
表2：TLM测试接触电阻率数据
Figure SMS_2
由上述测试数据可以看出，本实施例N-Topcon太阳能电池B1的Uoc、Isc、FF均得到提升，Rs和背面接触电阻率都有所降低；退火后的掺杂叠层结构的晶化效果更好，整体转换效率提升0.2%，而对比例N-Topcon太阳能电池B2的转换效率最高只提升0.05%。
本申请实施例还提供一种光伏组件，光伏组件包括电池串，电池串由上述任一实施例提供的太阳能电池或者多个采用上述任一实施例提供的太阳能电池的制备方法制备获得的太阳能电池连接而成。
光伏组件还包括封装层和盖板，封装层用于覆盖电池串的表面，盖板用于覆盖封装层远离电池串的表面。太阳能电池以整片或者多分片的形式电连接形成多个电池串，多个电池串以串联和/或并联的方式进行电连接。具体地，在一些实施例中，多个电池串之间可以通过导电带电连接。封装层覆盖太阳能电池的表面。示例地，封装层可以为乙烯-乙酸乙烯共聚物胶膜、聚乙烯辛烯共弹性体胶膜或者聚对苯二甲酸乙二醇酯胶膜等有机封装胶膜。盖板可以为玻璃盖板、塑料盖板等具有透光功能的盖板。
本申请实施例还提供一种光伏系统，包括上述任一实施例中的光伏组件。光伏系统可应用在光伏电站中，例如地面电站、屋顶电站、水面电站等，也可应用在利用太阳能进行发电的设备或者装置上，例如用户太阳能电源、太阳能路灯、太阳能汽车、太阳能建筑等。可以理解，光伏系统的应用场景不限于此，也即是说，光伏系统可应用在需要采用太阳能进行发电的所有领域中。以光伏发电系统网为例，光伏系统可包括光伏阵列、汇流箱和逆变器，光伏阵列可为多个光伏组件的阵列组合，例如，多个光伏组件可组成多个光伏阵列，光伏阵列连接汇流箱，汇流箱可对光伏阵列所产生的电流进行汇流，汇流后电流流经逆变器转换成市电电网要求的交流电之后接入市电网络以实现太阳能供电。
应该理解的是，虽然如上的各实施例所涉及的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，如上的各实施例所涉及的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。以上实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (20)

1.一种钝化接触结构的制备方法，其特征在于，包括：
在基片的一面形成隧穿层；
在所述隧穿层背离所述基片的一侧形成初始叠层结构，所述初始叠层结构包括交替层叠的多晶硅膜层和掺杂膜层，所述初始叠层结构靠近所述隧穿层的底层、所述初始叠层结构背离所述隧穿层的顶层均为所述多晶硅膜层，所述掺杂膜层为掺杂有掺杂源的多晶硅材料层；
对所述掺杂膜层中的掺杂源进行激活处理，使得所述掺杂源向所述多晶硅膜层中扩散，以使得所述初始叠层结构转换成掺杂源分布更均匀的掺杂叠层结构。
2.根据权利要求1所述的钝化接触结构的制备方法，其特征在于，对所述掺杂膜层中的掺杂源进行激活处理前，所述掺杂膜层中，靠近所述多晶硅膜层的区域中所述掺杂源的掺杂浓度小于背离所述多晶硅膜层的区域中所述掺杂源的掺杂浓度，且靠近所述多晶硅膜层的区域中所述掺杂源的掺杂浓度大于所述多晶硅膜层中所述掺杂源的掺杂浓度。
3.根据权利要求2所述的钝化接触结构的制备方法，其特征在于，对所述掺杂膜层中的掺杂源进行激活处理前，所述掺杂膜层中所述掺杂源的掺杂浓度自所述掺杂膜层的中心面向远离所述中心面的两侧呈对称式分布，所述中心面与所述掺杂膜层背离所述基片的一侧之间的距离等于所述中心面与所述掺杂膜层靠近所述基片的一侧之间的距离。
4.根据权利要求2所述的钝化接触结构的制备方法，其特征在于，所述掺杂膜层包括多层第一掺杂多晶硅层，所述多层第一掺杂多晶硅层沿背离所述隧穿层的方向层叠。
5.根据权利要求4所述的钝化接触结构的制备方法，其特征在于，所述多层第一掺杂多晶硅层关于所述掺杂膜层的中心面对称设置，对称设置的每两层第一掺杂多晶硅层中的所述掺杂源关于所述中心面对称分布；所述中心面与所述掺杂膜层背离所述基片的一侧之间的距离等于所述中心面与所述掺杂膜层靠近所述基片的一侧之间的距离。
6.根据权利要求2所述的钝化接触结构的制备方法，其特征在于，所述掺杂膜层的数量为多层，在多层所述掺杂膜层的掺杂浓度相同的情况下，相邻两层所述掺杂膜层之间的所述多晶硅膜层的厚度分别大于底层多晶硅膜层的厚度、顶层多晶硅膜层的厚度。
7.根据权利要求1所述的钝化接触结构的制备方法，其特征在于，所述多晶硅膜层包括本征多晶硅层或第二掺杂多晶硅层，且所述第二掺杂多晶硅层中所述掺杂源的掺杂浓度小于所述掺杂膜层中所述掺杂源的掺杂浓度。
8.根据权利要求7所述的钝化接触结构的制备方法，其特征在于，所述初始叠层结构的底层为所述第二掺杂多晶硅层，且所述底层中靠近所述隧穿层的区域中所述掺杂源的掺杂浓度小于背离所述隧穿层的区域中所述掺杂源的掺杂浓度。
9.根据权利要求7所述的钝化接触结构的制备方法，其特征在于，所述初始叠层结构的底层为所述第二掺杂多晶硅层，且所述底层中的所述掺杂源的位置与所述底层的靠近所述隧穿层的底表面相间隔。
10.根据权利要求7所述的钝化接触结构的制备方法，其特征在于，所述初始叠层结构的顶层为所述第二掺杂多晶硅层，且所述顶层中的所述掺杂源的位置与所述顶层的背离所述隧穿层的顶表面相间隔。
11.根据权利要求1-10任一项所述的钝化接触结构的制备方法，其特征在于，所述掺杂膜层的折射率大于所述多晶硅膜层的折射率。
12.根据权利要求11所述的钝化接触结构的制备方法，其特征在于，所述掺杂膜层的折射率处于4.1~4.5的范围内，所述多晶硅膜层的折射率处于3.88~4.10的范围内。
13.根据权利要求1-10任一项所述的钝化接触结构的制备方法，其特征在于，所述掺杂叠层结构中所述掺杂源的掺杂浓度处于1E20~8E20toms/cm3的范围内，且所述掺杂叠层结构中任意两个区域中所述掺杂源的浓度差小于或等于2E20 toms/cm3。
14.一种钝化接触结构，其特征在于，所述钝化接触结构由如权利要求1-13任一项所述的钝化接触结构的制备方法制备获得。
15.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
基片；及
如权利要求14所述的钝化接触结构，位于所述基片的一面上。
16.根据权利要求15所述的太阳能电池，其特征在于，还包括：
第一钝化层，位于所述钝化接触结构背离所述隧穿层的一侧。
17.根据权利要求15所述的太阳能电池，其特征在于，所述基片包括相对设置的第一面、第二面，所述钝化接触结构位于所述第二面；所述太阳能电池还包括：
第二钝化层，位于所述基片的所述第一面。
18.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
提供基片；
基于如权利要求1-13任一项所述的钝化接触结构的制备方法在所述基片的一面上形成所述的钝化接触结构。
19.一种光伏组件，其特征在于，包括电池串，所述电池串由多个如权利要求15-17任一项所述的太阳能电池连接而成；或者所述电池串由多个如权利要求18所述的太阳能电池的制备方法制备获得的太阳能电池连接而成。
20.一种光伏系统，其特征在于，包括如权利要求19所述的光伏组件。
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