KR101089416B1 - 태양전지 및 그 제조방법 - Google Patents
태양전지 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101089416B1 KR101089416B1 KR1020100136460A KR20100136460A KR101089416B1 KR 101089416 B1 KR101089416 B1 KR 101089416B1 KR 1020100136460 A KR1020100136460 A KR 1020100136460A KR 20100136460 A KR20100136460 A KR 20100136460A KR 101089416 B1 KR101089416 B1 KR 101089416B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- film
- reflection film
- solar cell
- substrate
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 13
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 45
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 20
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 55
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 54
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 굴절률이 서로 다른 박막을 조합하여 표면 반사율을 최소화함과 함께 캐리어 재결합률을 저하시킬 수 있는 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 태양전지의 제조방법은 제 1 도전형의 결정질 실리콘 기판을 준비하는 단계와, 상기 기판 상부에 제 2 도전형의 반도체층을 형성하는 단계 및 상기 반도체층 상에 굴절률이 서로 다른 제 1 반사방지막 및 제 2 반사방지막을 순차적으로 적층하는 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 제 1 반사방지막은 <수소 및 질화된 비정질 실리콘층>(a-Si:H,N)으로 구성되고, 상기 제 2 반사방지막은 실리콘 질화막(SiNx)으로 구성되는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 굴절률이 서로 다른 박막을 조합하여 표면 반사율을 최소화함과 함께 캐리어 재결합률을 저하시킬 수 있는 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
태양전지는 태양광을 직접 전기로 변환시키는 태양광 발전의 핵심소자로서, 기본적으로 p-n 접합으로 이루어진 다이오드(diode)라 할 수 있다. 태양광이 태양전지에 의해 전기로 변환되는 과정을 살펴보면, 태양전지의 p-n 접합부에 태양광이 입사되면 전자-정공 쌍이 생성되고, 전기장에 의해 전자는 n층으로, 정공은 p층으로 이동하게 되어 p-n 접합부 사이에 광기전력이 발생되며, 이 때 태양전지의 양단에 부하나 시스템을 연결하면 전류가 흐르게 되어 전력을 생산할 수 있게 된다.
한편, 태양전지는 p-n 접합층인 광흡수층의 물질, 형태에 따라 다양하게 구분되는데 광흡수층으로는 대표적으로 실리콘(Si)을 들 수 있으며, 이와 같은 실리콘계 태양전지는 형태에 따라 실리콘 웨이퍼를 광흡수층으로 이용하는 기판형과, 실리콘을 박막 형태로 증착하여 광흡수층을 형성하는 박막형으로 구분된다.
실리콘계 태양전지 중 기판형의 구조를 살펴보면 다음과 같다. 도 1에 도시한 바와 같이 p형 반도체층(101) 상에 n형 반도체층(102)이 구비되며, 상기 n형 반도체층(102)의 상부 및 p형 반도체층의 하부에 각각 전면전극(105)과 후면전극(106)이 구비된다. 이 때, 상기 p형 반도체층(101) 및 n형 반도체층(102)은 하나의 기판에 구현되는 것으로서, 기판의 하부는 p형 반도체층(101), 기판의 상부는 n형 반도체층(102)이라 할 수 있으며, 일반적으로 p형 실리콘 기판이 준비된 상태에서 p형 실리콘 기판의 상층부에 n형 불순물 이온을 주입, 확산(diffusion)시켜 n형 반도체층(102)을 형성한다.
한편, 상기 n형 반도체층(102) 상에는 표면 반사를 최소화하기 위한 반사방지막(104)이 구비된다. 통상, 반사방지막(104)은 SiNx 재질의 단일층으로 형성되는데, 이와 같은 단일층 구조의 반사방지막을 적용하는 경우 표면 반사율이 기대치에 못 미치는 단점과 함께 반사방지막 내의 캐리어(carrier)가 n형 반도체층(102)으로 이동하여 재결합(recombination)되는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 굴절률이 서로 다른 박막을 조합하여 표면 반사율을 최소화함과 함께 캐리어 재결합률을 저하시킬 수 있는 태양전지 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 태양전지는 제 2 도전형의 반도체층을 구비하여 p-n 접합구조를 이루는 제 1 도전형의 결정질 실리콘 기판 및 상기 반도체층 상에 순차적으로 적층된 제 1 반사방지막 및 제 2 반사방지막을 포함하여 이루어지며, 상기 제 1 반사방지막은 <수소 및 질화된 비정질 실리콘층>(a-Si:H,N), 상기 제 2 반사방지막은 실리콘 질화막으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 태양전지의 제조방법은 제 1 도전형의 결정질 실리콘 기판을 준비하는 단계와, 상기 기판 상부에 제 2 도전형의 반도체층을 형성하는 단계 및 상기 반도체층 상에 굴절률이 서로 다른 제 1 반사방지막 및 제 2 반사방지막을 순차적으로 적층하는 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 제 1 반사방지막은 <수소 및 질화된 비정질 실리콘층>(a-Si:H,N)으로 구성되고, 상기 제 2 반사방지막은 실리콘 질화막(SiNx)으로 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 반사방지막의 굴절률은 2.1∼4.3, 상기 제 2 반사방지막의 굴절률은 1.9∼2.2일 수 있다.
또한, 상기 반도체층 상에 굴절률이 서로 다른 제 1 반사방지막 및 제 2 반사방지막을 순차적으로 적층하는 단계는, 챔버 내에 SiH4, H2 및 질소 함유 가스를 공급하여 반도체층 상에 <수소 및 질화된 비정질 실리콘층>(a-Si:H,N)으로 이루어지는 제 1 반사방지막을 형성하는 제 1 공정과, 챔버 내에 SiH4와 NH3 가스를 공급하여 상기 <수소 및 질화된 비정질 실리콘층>(a-Si:H,N) 상에 실리콘 질화막으로 이루어지는 제 2 반사방지막을 형성하는 제 2 공정을 포함하여 구성된다.
본 발명에 따른 태양전지 및 그 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.
굴절률이 서로 다른 복수의 박막을 순차적으로 적층하여 반사방지막 구조를 형성함으로써 표면 반사율을 최소화할 수 있으며, 외부 환경으로부터 태양전지를 효과적으로 보호할 수 있게 된다.
도 1은 종래 기술에 따른 태양전지의 단면도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 단면도.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 설명하기 위한 순서도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 단면도.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 설명하기 위한 순서도.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지 및 그 제조방법을 상세히 설명하기로 한다.
먼저, 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 구조를 살펴보면, 도 2에 도시한 바와 같이 제 1 도전형의 결정질 실리콘 기판(201)을 구비한다. 여기서, 상기 제 1 도전형은 p형 또는 n형일 수 있으며, 후술하는 제 2 도전형은 제 1 도전형의 반대이며, 이하의 설명에서는 제 1 도전형은 p형, 제 2 도전형은 n형인 것을 기준으로 한다.
상기 제 1 도전형의 기판(201) 상부에는 제 2 도전형의 반도체층(203) 즉, n형 반도체층(203)이 구비된다. 또한, 상기 n형 반도체층(203) 상에는 제 1 및 제 2 반사방지막(204)(205)이 순차적으로 적층된다. 이 때, 상기 제 1 반사방지막(204)의 굴절률은 상기 제 2 반사방지막(205)의 굴절률보다 크며, 제 1 반사방지막(204)은 2.1∼4.3, 제 2 반사방지막(205)은 1.9∼2.2의 굴절률을 갖는 것이 바람직하다. 상기 제 1 및 제 2 반사방지막(204)(205)의 두께는 상술한 굴절률을 갖도록 선택적으로 조절될 수 있다.
또한, 상기 제 1 반사방지막(204)은 <수소 및 질화된 비정질 실리콘층>(a-Si:H,N)으로 구성되며, 상기 제 2 반사방지막(205)은 실리콘 질화막(SiNx)으로 구성된다. 상기 <수소 및 질화된 비정질 실리콘층>은 투명한 재질 특성을 구비하여 빛의 투과효율을 극대화하는 역할을 하며, 수소화된 비정질 실리콘층(a-Si:H)에 질소(N)를 함유시켜 제조할 수 있다. 여기서, 수소화된 비정질 실리콘층(a-Si:H)은 4.0∼4.3의 굴절률 특성을 띠나 질소(N)가 함유되면 2.1∼4.3의 굴절률을 갖게 된다.
한편, 상기 제 1 및 제 2 반사방지막(204)(205)을 관통하는 형태로 전면전극(206)이 구비되며, 상기 제 1 및 제 2 반사방지막(204)(205)을 관통한 전면전극(206)은 상기 n형 반도체층(203)과 접촉하는 구조를 갖는다. 또한, 상기 기판(201)의 후면 상에는 후면전극(207)이 구비된다.
다음으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 살펴보기로 한다.
먼저, 도 3a에 도시한 바와 같이 제 1 도전형(예를 들어, p형)의 결정질 실리콘 기판(201)을 준비하고, 상기 p형 실리콘 기판(201)의 상부면에 요철(202)이 형성되도록 텍스쳐링(texturing) 공정을 진행한다. 상기 텍스쳐링 공정은 기판(201) 표면에서의 광흡수를 극대화하기 위한 것이며, 습식 식각 또는 반응성 이온 식각(reactive ion etching) 등의 건식 식각 방법을 이용하여 진행할 수 있다.
텍스쳐링 공정이 완료된 상태에서, 도 3b에 도시한 바와 같이 확산공정을 실시하여 n형 반도체층(203)을 형성한다. 구체적으로, 챔버 내에 상기 실리콘 기판(201)을 구비시키고 상기 챔버 내에 제 2 도전형 불순물 이온 즉, n형 불순물 이온을 포함하는 가스(예를 들어, POCl3)를 공급하여 인(P) 이온이 기판(201) 내부로 확산(diffusion)되도록 한다. 이에 따라, 기판(201) 둘레를 따라 일정 깊이로 n형 반도체층(203)이 형성된다.
기판(201) 전면 상에 n형 반도체층(203)이 형성된 상태에서, 상기 n형 반도체층(203) 상에 제 1 반사방지막(204) 및 제 2 반사방지막(205)을 순차적으로 형성한다. 전술한 바와 같이 상기 제 1 반사방지막(204)은 <수소 및 질화된 비정질 실리콘층>(a-Si:H,N)으로 구성되고, 상기 제 2 반사방지막(205)은 실리콘 질화막(SiNx)으로 구성된다.
먼저, 상기 제 1 반사방지막(204)의 형성 공정을 살펴보면, 상기 제 1 반사방지막(204)은 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition)를 이용하여 형성할 수 있다. 구체적으로, 챔버 내에 기판(201)을 장착한 후, 챔버 내에 SiH4와 H2 가스를 공급하여 상기 n형 반도체층(203) 상에 수소화된 비정질 실리콘층(a-Si:H)을 형성한다(도 3c 참조). 그런 다음, 챔버 내에 N2 또는 NH3 가스를 추가 공급함으로써 상기 수소화된 비정질 실리콘층(a-Si:H) 내에 질소(N)가 함유되도록 하여 <수소 및 질화된 비정질 실리콘층>(a-Si:H,N)을 완성한다(도 3d 참조). 상기 수소화된 비정질 실리콘층(a-Si:H)을 형성하는 방법으로, 챔버 내에 SiH4, H2 및 질소 함유 가스(N2 또는 NH3 등)를 동시에 공급하여 상기 n형 반도체층 상에 수소화된 비정질 실리콘층(a-Si:H)이 형성됨과 동시에 수소화된 비정질 실리콘층(a-Si:H) 내에 질소(N)가 함유되도록 하여 <수소 및 질화된 비정질 실리콘층>(a-Si:H,N)을 완성하는 방법을 이용할 수도 있다.
상기 제 1 반사방지막(204)을 구성하는 <수소 및 질화된 비정질 실리콘층>(a-Si:H,N)이 형성된 상태에서, SiH4와 NH3 가스를 챔버 내에 공급하여 상기 <수소 및 질화된 비정질 실리콘층>(a-Si:H,N) 상에 실리콘 질화막(SiNx)으로 구성되는 제 2 반사방지막(205)을 형성한다.
상기 제 1 및 제 2 반사방지막(204)(205)을 각각 구성하는 상기 <수소 및 질화된 비정질 실리콘층>(a-Si:H,N), 상기 실리콘 산화막(SiNx)의 형성 두께는 공정가스의 공급량 제어를 통해 조절할 수 있으며, 이 때의 각 박막의 형성두께는 굴절률을 고려하여 설계된다. 즉, 상기 제 1 반사방지막(204)은 2.1∼4.3, 상기 제 2 반사방지막(205)은 1.9∼2.2의 굴절률을 갖도록 형성두께가 조절되어야 한다.
상기 n형 반도체층(203) 상에 상기 제 1 및 제 2 반사방지막(204)(205)이 순차적으로 형성된 상태에서, 상기 기판(201) 전면의 제 2 반사방지막(205) 및 기판(201) 후면 상에 도전성 물질을 스크린 인쇄법 등을 통해 도포한 후, 소성 공정을 진행하면 도 3e에 도시한 바와 같이 전면전극(206)과 후면전극(207)이 형성되며, 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 제조방법은 완료된다.
201 : 기판 202 : 요철
203 : n형 반도체층 204 : 제 1 반사방지막
205 : 제 2 반사방지막 206 : 전면전극
207 : 후면전극
203 : n형 반도체층 204 : 제 1 반사방지막
205 : 제 2 반사방지막 206 : 전면전극
207 : 후면전극
Claims (5)
- 제 1 도전형의 결정질 실리콘 기판을 준비하는 단계;
상기 기판 상부에 제 2 도전형의 반도체층을 형성하는 단계; 및
상기 반도체층 상에 굴절률이 서로 다른 제 1 반사방지막 및 제 2 반사방지막을 순차적으로 적층하는 단계를 포함하여 이루어지며,
상기 제 1 반사방지막은 <수소 및 질화된 비정질 실리콘층>(a-Si:H,N)으로 구성되고, 상기 제 2 반사방지막은 실리콘 질화막(SiNx)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 반사방지막의 굴절률은 2.1∼4.3, 상기 제 2 반사방지막의 굴절률은 1.9∼2.2인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 반도체층 상에 굴절률이 서로 다른 제 1 반사방지막 및 제 2 반사방지막을 순차적으로 적층하는 단계는,
챔버 내에 SiH4, H2 및 질소 함유 가스를 공급하여 반도체층 상에 <수소 및 질화된 비정질 실리콘층>(a-Si:H,N)으로 이루어지는 제 1 반사방지막을 형성하는 제 1 공정과,
챔버 내에 SiH4와 NH3 가스를 공급하여 상기 <수소 및 질화된 비정질 실리콘층>(a-Si:H,N) 상에 실리콘 질화막으로 이루어지는 제 2 반사방지막을 형성하는 제 2 공정을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
- 제 2 도전형의 반도체층을 구비하여 p-n 접합구조를 이루는 제 1 도전형의 결정질 실리콘 기판; 및
상기 반도체층 상에 순차적으로 적층된 제 1 반사방지막 및 제 2 반사방지막을 포함하여 이루어지며,
상기 제 1 반사방지막은 <수소 및 질화된 비정질 실리콘층>(a-Si:H,N), 상기 제 2 반사방지막은 실리콘 질화막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지.
- 제 4 항에 있어서, 상기 제 1 반사방지막의 굴절률은 2.1∼4.3, 상기 제 2 반사방지막의 굴절률은 1.9∼2.2인 것을 특징으로 하는 태양전지.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100136460A KR101089416B1 (ko) | 2010-12-28 | 2010-12-28 | 태양전지 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100136460A KR101089416B1 (ko) | 2010-12-28 | 2010-12-28 | 태양전지 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR101089416B1 true KR101089416B1 (ko) | 2011-12-07 |
Family
ID=45505567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020100136460A KR101089416B1 (ko) | 2010-12-28 | 2010-12-28 | 태양전지 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101089416B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101363002B1 (ko) * | 2011-12-30 | 2014-02-18 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 플라즈마를 이용한 기판처리장치 및 기판처리방법 |
-
2010
- 2010-12-28 KR KR1020100136460A patent/KR101089416B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101363002B1 (ko) * | 2011-12-30 | 2014-02-18 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 플라즈마를 이용한 기판처리장치 및 기판처리방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20110071375A (ko) | 후면전계형 이종접합 태양전지 및 그 제조방법 | |
| JP2008021993A (ja) | 全背面接点構成を含む光起電力デバイス及び関連する方法 | |
| WO2011023701A2 (en) | Passivation layer for wafer based solar cells and method of manufacturing thereof | |
| KR20120129264A (ko) | 태양 전지 및 이의 제조방법 | |
| KR20110075200A (ko) | 후면전극형 태양전지의 제조방법 | |
| CN102468365A (zh) | 双面太阳能电池的制造方法 | |
| US20110114147A1 (en) | Method of manufacturing photovoltaic cells, photovoltaic cells produced thereby and uses thereof | |
| CA2780913A1 (en) | Method of manufacturing photovoltaic cells, photovoltaic cells produced thereby and uses thereof | |
| KR101138554B1 (ko) | 태양전지 및 그 제조방법 | |
| US20110114152A1 (en) | Method of manufacturing photovoltaic cells, photovoltaic cells produced thereby and uses thereof | |
| KR101484620B1 (ko) | 실리콘 태양전지 | |
| KR101089416B1 (ko) | 태양전지 및 그 제조방법 | |
| US20120255608A1 (en) | Back-surface-field type of heterojunction solar cell and a production method therefor | |
| KR101089485B1 (ko) | 태양전지 및 그 제조방법 | |
| KR101329855B1 (ko) | 양면수광형 태양전지의 제조방법 | |
| KR101115104B1 (ko) | 태양전지 및 그 제조방법 | |
| CN116404070B (zh) | 钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池及其制备方法 | |
| KR101145472B1 (ko) | 태양전지의 제조방법 | |
| KR101155192B1 (ko) | 태양전지의 제조방법 | |
| KR20130039896A (ko) | 박막 태양 전지 | |
| KR20100127105A (ko) | 태양전지의 제조방법 | |
| KR101644056B1 (ko) | 박막형 태양전지 및 그 제조방법 | |
| KR101069961B1 (ko) | 태양전지 제조방법 | |
| KR101335082B1 (ko) | 양면수광형 태양전지의 제조방법 | |
| KR20110018687A (ko) | 태양전지의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |