CN116399898B - 相变材料耐久性的测试方法、设备及系统 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及相变材料耐久性的测试方法、设备及系统，涉及相变材料测试技术领域，其方法包括：将待测材料放置于用于对待测材料进行检测的固液结合测试件内并执行预设的离心转动检测控制方案；根据预设的温度单周期调控方案循环控制预设于固液结合测试件上的温度调控半导体；获取待测材料温度检测信息；根据所预设的待测材料耐久度分析方法以对待测材料温度检测信息进行分析处理以形成待测材料耐久度信息。本申请具有提高相变材料耐久度的检测结果准确性的效果。
Description
技术领域
本申请涉及相变材料测试技术领域，尤其是涉及相变材料耐久性的测试方法、设备及系统。
背景技术
相变材料是指可以在固、液、气中三种或者两种状态进行转换并能提供潜热的物质，故一般可以将相变材料应用于蓄热、蓄冷以及用于能源的回收利用等场景。
随着固液相变的使用次数增加，相变材料会出现材料离析分层的劣化现象，其能量储存能力下降，导致相变材料失去作用。因此，在相变材料的研发过程中，需要对相变材料进行热物性以及耐久性检测。现有的测试过程大多使用温度循环箱将温度精确控制于某一区域，并通过温度的循环测试，从而对相变材料的耐久度进行检测。
但有如下缺陷：由于复合类的相变材料在液态下，不同组分容易产生离析，在重力作用下产生分层现象，而使用温度循环箱进行耐久性测试时，循环过程时间过长，测试速度慢，从而容易导致相变材料耐久度的检测结果准确性降低，还有改进的空间。
发明内容
为了提高相变材料耐久度的检测结果准确性，本申请提供相变材料耐久性的测试方法、设备及系统。
第一方面，本申请提供一种相变材料耐久性的测试方法，采用如下的技术方案：
一种相变材料耐久性的测试方法，包括：
将待测材料放置于用于对待测材料进行检测的固液结合测试件内并执行预设的离心转动检测控制方案；
根据预设的温度单周期调控方案循环控制预设于固液结合测试件上的温度调控半导体；
获取待测材料温度检测信息；
根据所预设的待测材料耐久度分析方法以对待测材料温度检测信息进行分析处理以形成待测材料耐久度信息。
通过采用上述技术方案，通过执行离心转动检测控制方案，使固液结合测试件带动待测材料进行转动并产生离心力提高对待测材料进行耐久性检测的速度，并通过对温度调控半导体进行控制，从而对待测材料的检测温度进行快速改变，进而提高检测速度，最终达到提高相变材料耐久度的检测结果准确性的目的。
可选的，温度单周期调控方案包括：
获取温度调控基准曲线信息；
根据温度调控基准曲线信息调取与温度调控基准曲线信息相对应的调控初始温度值、调控结束温度值、通电占空比信息及通电控制频率信息，并发送至温度调控半导体；
实时获取调控温度检测值；
根据调控温度检测值、预设的调控温度基准值与预设的调控温度修正信息的对应关系，分析获取与调控温度检测值及调控温度基准值相对应的调控温度修正信息，并将调控温度修正信息发送至温度调控半导体。
可选的，还包括位于将调控温度修正信息发送至温度调控半导体之后的步骤，具体如下：
根据调控初始温度值与调控结束温度值，分析计算调控初始温度值与调控结束温度值之间的差值并作为调控温度变化值；
判断调控温度变化值是否为正值；
若为是，则输出预设的辅助加热控制信息至预设于固液结合测试件上的辅助加热件；
若为否，则继续将调控温度修正信息发送至温度调控半导体。
可选的，还包括位于继续将调控温度修正信息发送至温度调控半导体之后的步骤，具体如下：
获取当前时间点；
根据所预设的温度预测方法以对当前时间点及温度调控基准曲线信息进行分析处理以形成基准时间温度预测值；
根据基准时间温度预测值与预设的预先降温控制信息的对应关系，分析获取与基准时间温度预测值相对应的预先降温控制信息，并将预先降温控制信息发送至预设于温度调控半导体上的散热风扇。
可选的，根据所预设的待测材料耐久度分析方法以对待测材料温度检测信息进行分析处理以形成待测材料耐久度信息包括：
判断是否执行完单个温度单周期调控方案；
若为是，则根据所预设的温度曲线确认方法以对调控温度检测值进行分析处理以形成调控温度检测曲线信息；
根据所预设的调控温度当前能量存储值分析方法以对调控温度检测曲线信息进行分析处理以形成调控温度当前能量存储值；
根据调控温度当前能量存储值与预设的劣化速率最终值的对应关系，分析获取与调控温度当前能量存储值相对应的劣化速率最终值，并将劣化速率最终值作为待测材料耐久度信息；
若为否，则继续执行温度单周期调控方案。
可选的，根据调控温度当前能量存储值与预设的劣化速率最终值的对应关系，分析获取与调控温度当前能量存储值相对应的劣化速率最终值包括：
判断是否为第一次获取调控温度当前能量存储值；
若为是，则将调控温度当前能量存储值作为调控温度初始能量存储值；
重新执行单个温度单周期调控方案；
若为否，则根据所预设的劣化比率值确认方法以对调控温度当前能量存储值进行分析处理以形成劣化比率值；
根据所预设的劣化速率值确认方法以对劣化比率值进行分析处理以形成劣化速率当前值，并将劣化速率当前值作为劣化速率最终值。
可选的，根据所预设的劣化速率值确认方法以对劣化比率值进行分析处理以形成劣化速率当前值包括：
判断劣化速率当前值是否小于预设的劣化速率基准值；
若为是，则继续输出劣化速率当前值；
若为否，则重新执行单个温度单周期调控方案。
可选的，还包括位于获取待测材料温度检测信息之后，且位于根据所预设的待测材料耐久度分析方法以对待测材料温度检测信息进行分析处理以形成待测材料耐久度信息之前的步骤，具体如下：
获取待测材料状态检测信息；
判断待测材料状态检测信息是否存在预设的离析状态信息；
若为是，则输出预设的离心转动增速调整信息并加入至离心转动检测控制方案中以形成新的离心转动检测控制方案；
若为否，则根据所预设的待测材料耐久度分析方法以对待测材料温度检测信息进行分析处理以形成待测材料耐久度信息。
第二方面，本申请提供一种相变材料耐久性的测试设备，采用如下的技术方案：
一种相变材料耐久性的测试设备，包括用于对待测材料进行检测的固液结合测试件、用于带动所述固液结合测试件进行转动的驱动组件及用于对待测材料温度进行调控的温度调控半导体，所述固液结合测试件包括导热固体及导热液体。
第三方面，本申请提供一种相变材料耐久性的测试系统，采用如下的技术方案：
一种相变材料耐久性的测试系统，包括：
获取模块，用于获取待测材料温度检测信息、温度调控基准曲线信息、调控温度检测值、当前时间点及待测材料状态检测信息；
存储器，用于存储如第一方面中任一项的相变材料耐久性的测试方法的程序；
处理器，存储器中的程序能够被处理器加载执行且实现如第一方面中任一项的相变材料耐久性的测试方法。
综上所述，本申请包括以下至少一种有益技术效果：
1.通过执行离心转动检测控制方案，使固液结合测试件带动待测材料进行转动并产生离心力提高对待测材料进行耐久性检测的速度，并通过对温度调控半导体进行控制，从而对待测材料的检测温度进行快速改变，进而提高检测速度，最终达到提高相变材料耐久度的检测结果准确性的目的；
2.通过对温度调控基准曲线信息进行获取，并将调取的温度调控基准曲线信息相对应的调控初始温度值、调控结束温度值、通电占空比信息及通电控制频率信息发送至温度调控半导体，从而使温度调控半导体对待测材料进行温度的调控，并通过对调控温度检测值进行实时获取，再通过调控温度检测值及调控温度基准值分析获取调控温度修正信息，并将调控温度修正信息发送至温度调控半导体，从而使温度调控半导体能够精准对待测材料进行温度调控，从而提高相变材料耐久度的检测结果准确性；
3.通过对调控初始温度值与调控结束温度值之间的差值进行分析计算，并将差值作为调控温度变化值，再对调控温度变化值是否为正值进行判断，当为正值时，输出预设的辅助加热控制信息至预设于固液结合测试件上的辅助加热件，从而加快对待测材料进行温度调控。
附图说明
图1是本申请实施例的相变材料耐久性的方法流程图。
图2是本申请实施例的温度单周期调控方案的方法流程图。
图3是本申请实施例的位于将调控温度修正信息发送至温度调控半导体之后的步骤的方法流程图。
图4是本申请实施例的位于继续将调控温度修正信息发送至温度调控半导体之后的步骤的方法流程图。
图5是本申请实施例的根据所预设的待测材料耐久度分析方法以对待测材料温度检测信息进行分析处理以形成待测材料耐久度信息的方法流程图。
图6是本申请实施例的测试温度变换曲线与时间之间的示意图。
图7是本申请实施例的根据调控温度当前能量存储值与预设的劣化速率最终值的对应关系，分析获取与调控温度当前能量存储值相对应的劣化速率最终值的方法流程图。
图8是本申请实施例的根据所预设的劣化速率值确认方法以对劣化比率值进行分析处理以形成劣化速率当前值的方法流程图。
图9是本申请实施例的位于获取待测材料温度检测信息之后，且位于根据所预设的待测材料耐久度分析方法以对待测材料温度检测信息进行分析处理以形成待测材料耐久度信息之前的步骤的方法流程图。
图10是本申请实施例的相变材料耐久性测试设备的结构示意图。
图11是本申请另一实施例的相变材料耐久性测试设备的结构示意图。
图12是本申请另一实施例的固液结合测试件的结构示意图。
图13是本申请另一实施例的相变材料耐久性测试设备的结构示意图。
图14是本申请另一实施例的相变材料耐久性测试设备的结构示意图。
附图标记说明：1、待测材料；2、固液结合测试件；3、驱动组件；4、温度调控半导体；5、蓄热容器；6、导热液体；7、测试块；8、放液槽；9、检测槽；10、测试箱；11、金属球；12、电热丝；13、散热片；14、散热风扇；15、驱动电机；16、离心仓；17、放置连杆。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图1-14及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
本申请实施例公开一种相变材料耐久性的测试方法。
参照图1，一种相变材料耐久性的测试方法包括：
步骤S100，将待测材料1放置于用于对待测材料1进行检测的固液结合测试件2内并执行预设的离心转动检测控制方案。
其中，待测材料1是指需要进行耐久性检测的相变材料，固液结合测试件2是指通过固液结合并用于对待测材料1进行耐久性检测的测试件，离心转动检测控制方案是指用于控制固液结合测试件2进行转动从而对待测材料1提供离心力的控制方案，离心转动检测控制方案从存储有离心转动检测控制方案的数据库中查询获取。
通过将待测材料1放置于固液结合测试件2内并执行离心转动检测控制方案，从而开始对待测材料1进行耐久性检测。
步骤S200，根据预设的温度单周期调控方案循环控制预设于固液结合测试件2上的温度调控半导体4。
其中，温度单周期调控方案是指用于调控待测材料1进行耐久性检测时单周期的测试温度的方案，温度单周期调控方案从存储有温度单周期调控方案的数据库中查询获取。
通过对温度单周期调控方案循环控制温度调控半导体4，从而在待测材料1进行耐久性检测时使温度调控半导体4对测试温度进行快速变化，进而提高检测速度，最终达到提高相变材料耐久度的检测结果准确性的目的。
步骤S300，获取待测材料1温度检测信息。
其中，待测材料1温度检测信息是指待测材料1的实时温度检测信息，待测材料1温度检测信息通过预设于固液结合测试件2上或者预设于待测材料1上的温度传感器进行检测获取。通过对待测材料1温度检测信息进行获取，从而方便后续对待测材料1温度检测信息进行使用。
步骤S400，根据所预设的待测材料1耐久度分析方法以对待测材料1温度检测信息进行分析处理以形成待测材料1耐久度信息。
其中，待测材料1耐久度分析方法是指用于对待测材料1的耐久度进行检测的分析方法，待测材料1耐久度分析方法从存储有待测材料1耐久度分析方法数据库中查询获取。待测材料1耐久度信息是指待测材料1耐久度的检测结果信息。
通过待测材料1耐久度分析方法对待测材料1温度检测信息进行分析处理，从而形成待测材料1耐久度信息，从而方便对提高准确性后的相变材料耐久度的检测结果进行获取。
在图1所示的步骤S200中，为了进一步确保温度单周期调控方案的合理性，因此需要对温度单周期调控方案作更进一步的单独分析计算，具体通过图2所示步骤进行详细说明。
参照图2，温度单周期调控方案包括如下步骤：
步骤S210，获取温度调控基准曲线信息。
其中，温度调控基准曲线信息是指待测材料1进行耐久性检测时的单周期内用于对测试温度进行调控的基准温度变换曲线信息，温度调控基准曲线信息通过操作者输入获取。
步骤S220，根据温度调控基准曲线信息调取与温度调控基准曲线信息相对应的调控初始温度值、调控结束温度值、通电占空比信息及通电控制频率信息，并发送至温度调控半导体4。
其中，调控初始温度值是指对测试温度进行调控时的初始温度值，调控初始温度值从存储有调控初始温度值的数据库中查询获取。调控结束温度值是指对测试温度进行调控时的结束温度值，调控结束温度值从存储有调控结束温度值的数据库中查询获取。通电占空比信息是指用于控制温度调控半导体4进行运行时对通电占空比进行调控的调控信息，通电占空比信息从存储有通电占空比信息的数据库中查询获取。通电控制频率信息是指用于控制温度调控半导体4进行运行时的通电频率进行调控的调控信息，通电控制频率信息从存储有通电控制频率信息的数据库中查询获取。
通过温度调控基准曲线信息对调控初始温度值、调控结束温度值、通电占空比信息及通电控制频率信息进行调取，并发送至温度调控半导体4，从而控制温度调控半导体4对将测试温度从调控初始温度值按照通电占空比信息及通电控制频率信息所对应的参数变化至调控结束温度值，方便后续对待测材料1的耐久度进行检测。
步骤S230，实时获取调控温度检测值。
其中，调控温度检测值是指对测试温度进行实时检测的检测值，调控温度检测值通过预设于固液结合测试件2上的温度传感器进行检测获取。
步骤S240，根据调控温度检测值、预设的调控温度基准值与预设的调控温度修正信息的对应关系，分析获取与调控温度检测值及调控温度基准值相对应的调控温度修正信息，并将调控温度修正信息发送至温度调控半导体4。
其中，调控温度基准值是指调控温度检测值所对应时间对测试温度进行调控的基准温度值，调控温度基准值通过温度调控基准曲线信息与调控温度检测值所对应时间进行调取后查询获取。调控温度修正信息是指用于对测试温度进行调控时进行温度修正的修正值，调控温度修正信息从存储有调控温度修正信息的数据库中查询获取。
通过调控温度检测值及调控温度基准值分析获取调控温度修正信息，并将调控温度修正信息发送至温度调控半导体4，从而控制温度调控半导体4对测试温度进行实时修正，从而保证在对待测材料1进行耐久性检测时的测试温度达到需求温度。
在图2所示的步骤S240中，为了进一步确保将调控温度修正信息发送至温度调控半导体4的合理性，因此需要对将调控温度修正信息发送至温度调控半导体4之后作更进一步的单独分析计算，具体通过图3所示步骤进行详细说明。
参照图3，位于将调控温度修正信息发送至温度调控半导体4之后的步骤包括如下步骤：
步骤S241，根据调控初始温度值与调控结束温度值，分析计算调控初始温度值与调控结束温度值之间的差值并作为调控温度变化值。
其中，调控温度变化值是指用于调控待测材料1进行耐久性检测时单周期测试温度的变化值。
通过调控初始温度值与调控结束温度值，对调控初始温度值与调控结束温度值之间的差值进行分析计算，再将调控初始温度值与调控结束温度值之间的差值作为调控温度变化值，方便后续对调控温度变化值进行使用。
步骤S242，判断调控温度变化值是否为正值。若为是，则执行步骤S243；若为否，则执行步骤S244。
其中，通过对调控温度变化值是否为正值进行判断，从而判断测试温度是处于需要进行加热的状态还是处于需要进行降温的状态。
步骤S243，输出预设的辅助加热控制信息至预设于固液结合测试件2上的辅助加热件。
其中，辅助加热控制信息是指用于控制辅助加热件进行辅助加热的控制信息，辅助加热控制信息从存储有辅助加热控制信息的数据库中查询获取。
当调控温度变化值为正值时，说明此时测试温度是处于需要进行加热的状态，故输出辅助加热控制信息至辅助加热件上，从而提高加热速度。
步骤S244，继续将调控温度修正信息发送至温度调控半导体4。
其中，当调控温度变化值为正值时，说明此时测试温度是处于需要进行降温的状态，故继续将调控温度修正信息发送至温度调控半导体4，从而继续控制温度调控半导体4对测试温度进行降温状态的调控。
在图3所示的步骤S244中，为了进一步确保继续将调控温度修正信息发送至温度调控半导体4的合理性，因此需要对继续将调控温度修正信息发送至温度调控半导体4之后作更进一步的单独分析计算，具体通过图4所示步骤进行详细说明。
参照图4，位于继续将调控温度修正信息发送至温度调控半导体4之后的步骤包括如下步骤：
步骤S2441，获取当前时间点。
其中，当前时间点是指将调控温度修正信息发送至温度调控半导体4时所对应的当前时间点。当前时间点通过对将调控温度修正信息发送至温度调控半导体4时的数据库进行查询获取。
步骤S2442，根据所预设的温度预测方法以对当前时间点及温度调控基准曲线信息进行分析处理以形成基准时间温度预测值。
其中，温度预测方法是指用于对基准时间后的温度进行预测的方法，温度预测方法从存储有温度预测方法的数据库中查询获取。基准时间温度预测值是指当前时间点经过基准时间后的温度预测值。
通过温度预测方法对当前时间点及温度调控基准曲线信息进行分析处理，从而形成基准时间温度预测值，方便后续对基准时间温度预测值进行使用。
步骤S2443，根据基准时间温度预测值与预设的预先降温控制信息的对应关系，分析获取与基准时间温度预测值相对应的预先降温控制信息，并将预先降温控制信息发送至预设于温度调控半导体4上的散热风扇14。
其中，预先降温控制信息是指用于进行控制散热风扇14运行从而进行预先降温处理的控制信息，预先降温控制信息从存储有预先降温控制信息的数据库中查询获取。
通过基准时间温度预测值分析获取预先降温控制信息，并将预先降温控制信息发送至散热风扇14，从而控制散热风扇14对温度调控半导体4进行预先降温处理，进而提高温度调控半导体4的工作效率。
在图1所示的步骤S400中，为了进一步确保待测材料1耐久度信息的合理性，因此需要对待测材料1耐久度信息作更进一步的单独分析计算，具体通过图5所示步骤进行详细说明。
参照图5与图6，根据所预设的待测材料1耐久度分析方法以对待测材料1温度检测信息进行分析处理以形成待测材料1耐久度信息包括如下步骤：
步骤S410，判断是否执行完单个温度单周期调控方案。若为是，则执行步骤S420；若为否，则执行步骤S450。
其中，通过对是否执行完单个温度单周期调控方案进行判断，从而判断是否完成待测材料1进行耐久性检测时单周期的测试。
步骤S420，根据所预设的温度曲线确认方法以对调控温度检测值进行分析处理以形成调控温度检测曲线信息。
其中，温度曲线确认方法是指待测材料1进行耐久性检测时对单周期内检测到的测试温度变换曲线进行确认的方法，温度曲线确认方法从存储有温度曲线确认方法的数据库中查询获取。调控温度检测曲线信息是指待测材料1进行耐久性检测时单周期内检测到的测试温度变换曲线信息。
当执行完单个温度单周期调控方案时，说明此时完成待测材料1进行耐久性检测时单周期的测试，故通过温度曲线确认方法对调控温度检测值进行分析处理，从而形成调控温度检测曲线信息，方便后续对调控温度检测曲线信息进行使用。
步骤S430，根据所预设的调控温度当前能量存储值分析方法以对调控温度检测曲线信息进行分析处理以形成调控温度当前能量存储值。
其中，调控温度当前能量存储值分析方法是指用于对测试温度进行调控之后对当前能量的存储值进行分析的方法，调控温度当前能量存储值分析方法从存储有调控温度当前能量存储值分析方法的数据库中查询获取。调控温度当前能量存储值是指对测试温度进行调控之后对当前能量的存储值。
通过调控温度当前能量存储值分析方法对调控温度检测曲线信息进行分析处理，从而形成调控温度当前能量存储值。
在相变材料的测试过程中，每个循环包括两个温变过程，即一个升温过程，一个降温过程，其调控温度检测曲线可以是升温过程，也可以是降温过程，在本实施例中，图6中的曲线为降温过程。
每段调控温度检测曲线记为 ，其中 />表示测试槽的温度变化曲线，/>表示相变材料初期时在 />下的温度曲线。/>，/>， />表示经过一段耐久性测试后，不同位置的温度传感器所检测并形成的调控温度检测曲线。
调控温度当前能量存储值分析方法包括将温度调控基准曲线信息对时间进行积分从而获得温度调控基准曲线的温时面积，记为，将调控温度检测曲线信息对时间进行积分从而获得调控温度检测曲线的温时面积，记为/>。
通过对温度调控基准曲线的温时面积与调控温度检测曲线的温时面积之间的差值进行分析计算并作为温时变化面积值，采用温时变化面积值计算公式，温时变化面积值计算公式如下： 。
A'为温时变化面积值；
T(t)为温度调控基准曲线的温度变化曲线；
Te为调控温度检测曲线的温时面积。
再将升温过程的温时变化面积值记为A' up(T)，降温过程的温时变化面积值记为，并采用单周期温时变化总面积值计算公式计算获取单周期温时变化总面积值，单周期温时变化总面积值计算公式如下：/>。将单周期温时变化总面积值作为调控温度当前能量存储值，方便后续对调控温度当前能量存储值进行使用。
在固液结合测试件2上沿重力方向可放置多个温度探头，此时调控温度当前能量存储值为多个单周期温时变化总面积值之和。在本实施例中，在固液结合测试件2上沿重力方向放置有三个温度探头。
步骤S440，根据调控温度当前能量存储值与预设的劣化速率最终值的对应关系，分析获取与调控温度当前能量存储值相对应的劣化速率最终值，并将劣化速率最终值作为待测材料1耐久度信息。
其中，劣化速率最终值是指待测材料1进行耐久性检测时的性能降低至不能复原状态的速率最终值，劣化速率最终值从存储有劣化速率最终值的数据库中查询获取。
通过调控温度当前能量存储值分析获取劣化速率最终值，并将劣化速率最终值作为待测材料1耐久度信息，从而提高获取的待测材料1耐久度信息的准确性。
步骤S450，继续执行温度单周期调控方案。
其中，当未执行完单个温度单周期调控方案时，说明此时未完成待测材料1进行耐久性检测时单周期的测试，故继续执行温度单周期调控方案。
在图5所示的步骤S440中，为了进一步确保劣化速率最终值的合理性，因此需要对劣化速率最终值作更进一步的单独分析计算，具体通过图7所示步骤进行详细说明。
参照图7，根据调控温度当前能量存储值与预设的劣化速率最终值的对应关系，分析获取与调控温度当前能量存储值相对应的劣化速率最终值包括如下步骤：
步骤S441，判断是否为第一次获取调控温度当前能量存储值。若为是，则执行步骤S442；若为否，则执行步骤S444。
其中，通过对是否为第一次获取调控温度当前能量存储值进行判断，从而判断当前是否第一次执行完成温度单周期调控方案。
步骤S442，将调控温度当前能量存储值作为调控温度初始能量存储值。
其中，调控温度初始能量存储值是指对测试温度进行调控之后第一次获取的当前能量的存储值。
当为第一次获取调控温度当前能量存储值时，说明此时为第一次执行完成温度单周期调控方案，进而说明此时获取的当前能量的存储值为待测材料1的初始能量值，故将调控温度当前能量存储值作为调控温度初始能量存储值。
步骤S443，重新执行单个温度单周期调控方案。
其中，通过重新执行单个温度单周期调控方案，从而继续对待测材料1进行耐久度检测。
步骤S444，根据所预设的劣化比率值确认方法以对调控温度当前能量存储值进行分析处理以形成劣化比率值。
其中，劣化比率值是指用于对待测材料1进行耐久度检测时待测材料1能量值发生劣化的比率值，劣化比率值确认方法是指用于对劣化比率值进行确认的方法，劣化比率值确认方法从存储有劣化比率值确认方法的数据库中查询获取。
通过劣化比率值确认方法对调控温度当前能量存储值进行分析处理，需要采用劣化比率计算公式。劣化比率计算公式如下： />，从而形成劣化比率值，从而方便后续对劣化比率值进行使用。
步骤S445，根据所预设的劣化速率值确认方法以对劣化比率值进行分析处理以形成劣化速率当前值，并将劣化速率当前值作为劣化速率最终值。
其中，劣化速率值当前值是指当前时间待测材料1能量值发生劣化的实际速率值，劣化速率值确认方法是指用于对劣化速率值当前值进行分析确认的方法，劣化速率值确认方法从存储有劣化速率值确认方法的数据库中查询获取。
通过劣化速率值确认方法对劣化比率值进行分析处理，通过对劣化比率进行一阶导数的计算，从而将 作为劣化速率当前值，并将劣化速率当前值作为劣化速率最终值，从而提高获取的劣化速率最终值的准确性。
在图7所示的步骤S445中，为了进一步确保劣化速率当前值的合理性，因此需要对劣化速率当前值作更进一步的单独分析计算，具体通过图8所示步骤进行详细说明。
参照图8，根据所预设的劣化速率值确认方法以对劣化比率值进行分析处理以形成劣化速率当前值包括如下步骤：
步骤S4451，判断劣化速率当前值是否小于预设的劣化速率基准值。若为是，则执行步骤S4452；若为否，则执行步骤S4453。
其中，劣化速率基准值是指当前时间待测材料1能量值发生劣化的基准速率值，劣化速率基准值从存储有劣化速率基准值的数据库中查询获取。
通过对劣化速率当前值是否小于预设的劣化速率基准值进行判断，从而判断当前时间待测材料1能量值是否不容易继续发生劣化。
步骤S4452，继续输出劣化速率当前值。
其中，当劣化速率当前值小于预设的劣化速率基准值时，说明此时当前时间待测材料1能量值不容易继续发生劣化，故继续输出劣化速率当前值，从而提高获取的劣化速率当前值的准确性。
步骤S4453，跳转执行步骤S443。
其中，当劣化速率当前值不小于预设的劣化速率基准值时，说明此时当前时间待测材料1能量值容易继续发生劣化，故跳转执行步骤S443。在本实施例中，劣化速率基准值为0.1。
在图1所示的步骤S300后步骤S400前，为了进一步确保待测材料1耐久度信息的合理性，因此需要对待测材料1耐久度信息作更进一步的单独分析计算，具体通过图9所示步骤进行详细说明。
参照图9，位于获取待测材料1温度检测信息之后，且位于根据所预设的待测材料1耐久度分析方法以对待测材料1温度检测信息进行分析处理以形成待测材料1耐久度信息之前的步骤包括如下步骤：
步骤S310，获取待测材料1状态检测信息。
其中，待测材料1状态检测信息是指当前时间待测材料1所处的状态检测信息，待测材料1状态检测信息通过预设于固液结合测试件2上的红外摄像仪进行观测获取。
步骤S320，判断待测材料1状态检测信息是否存在预设的离析状态信息。若为是，则执行步骤S330；若为否，则执行步骤S340。
其中，离析状态信息是指待测材料1发生离析现象的状态信息，离析状态信息从存储有离析状态信息的数据库中查询获取。
通过对待测材料1状态检测信息是否存在预设的离析状态信息进行判断，从而判断当前时间待测材料1是否发生离析分层的现象。
步骤S330，输出预设的离心转动增速调整信息并加入至离心转动检测控制方案中以形成新的离心转动检测控制方案。
其中，离心转动增速调整信息是指用于对控制固液结合测试件2进行转动速度的控制信息进行增速调整的调整信息，离心转动增速调整信息从存储有离心转动增速调整信息的数据库中查询获取。
当待测材料1状态检测信息存在预设的离析状态信息时，说明此时当前时间待测材料1发生离析分层的现象，故输出预设的离心转动增速调整信息并加入至离心转动检测控制方案中以形成新的离心转动检测控制方案，从而提高固液结合测试件2的转动速度，进而加速待测材料1进行离析分层，提高耐久性的测试效率。
步骤S340，跳转执行步骤S400。
其中，当待测材料1状态检测信息不存在预设的离析状态信息时，说明此时当前时间待测材料1未发生离析分层的现象，故跳转执行步骤S400。
参照图10，基于同一发明构思，本发明实施例提供一种相变材料耐久性的测试设备，包括固液结合测试件2、驱动组件3及温度调控半导体4，固液结合测试件2用于对待测材料1进行检测，固液结合测试件2包括导热固体及放置于导热固体内的导热液体6，通过导热固体加快热量的传导，且通过导热液体6对热量进行吸收或释放，从而在加热或制冷的过程中，使导热固体不容易发生过大的温度变化，且使导热固体的温度分布均匀。驱动组件3用于带动固液结合测试件2进行转动，从而对待测材料1提供离心力，加快待测材料1进行分层，提高耐久性的测试效率。温度调控半导体4在工作时，通过温度调控半导体4两端加入的电压正负的不同，温度调控半导体4靠近固液结合测试件2的一侧会进行制热或者制冷，此时温度调控半导体4远离固液结合测试件2的一侧进行制冷或者制热。温度调控半导体4共设置有两个，两个温度调控半导体4对称安装于蓄热容器5的两侧外侧壁上，从而提高对蓄热容器5的温度调控速度，方便对待测材料1进行耐久性的检测。
在本实施例中，导热固体为蓄热容器5，通过将导热液体6及待测材料1放置于蓄热容器5内，从而方便对待测材料1进行耐久性的检测。驱动组件3为转动盘，固液结合测试件2放置并固定于转动盘上，且固液结合测试件2共设置有两个，两个固液结合测试件2关于转动盘的圆心位置对称放置，从而提高转动盘带动固液结合测试件2进行转动时的稳定性。
参照图11，基于同一发明构思，一种相变材料耐久性的测试设备还有另一实施例，其不同之处在于，导热固体为测试块7，测试块7远离驱动组件3的一侧开设有供导热液体6放置的放液槽8及供待测材料1进行放置的检测槽9，检测槽9位于测试块7的中间位置，放液槽8等角度均匀分布于检测槽9的外圈。温度调控半导体4远离测试块7的一侧安装有散热片13，散热片13远离温度调控半导体4的一侧安装有散热风扇14，通过散热片13将温度调控半导体4上的热量进行传导，且增加与空气接触的面积，再通过散热风扇14加快散热片13的散热速度，从而提高温度调控半导体4的工作效率。由于温度调控半导体4在制冷时相对于其他传统制冷装置具有优势，但是温度调控半导体4在进行制热时效率不高，故在待测材料1上套设有加热丝，通过加热丝提高加热速度。且通过在温度调控半导体4与加热丝同时采用并联的方式与电源进行连接，且温度调控半导体4与电源之间连接的二极管的电流控制方向与加热丝与电源之间连接的二极管的电流控制方向相反，从而当温度调控半导体4得电工作时，加热丝不得电工作，当加热丝得电工作时，温度调控半导体4不得电工作。
参照图12，基于同一发明构思，一种相变材料耐久性的测试设备还有另一实施例，其不同之处在于，导热固体为预设有腔体的测试箱10，测试箱10内供导热液体6及金属球11进行放置，在测试时，通过将待测材料1放置于测试箱10的中间位置，从而方便待测材料1能够均匀受热。
参照图13，基于同一发明构思，一种相变材料耐久性的测试设备还有另一实施例，其不同之处在于，驱动组件3包括供固液结合测试件2放置并固定的放置连杆17及用于驱动放置连杆17进行转动的驱动电机15，放置连杆17沿长度方向的中间位于安装于驱动电机15的驱动轴上，固液结合测试件2位于放置连杆17远离地面的一侧，驱动电机15的驱动轴上安装有用于对放置连杆17及固液结合测试件2进行隔离的离心仓16，温度调控半导体4安装于离心仓16远离驱动电机15的一侧，且散热片13安装于温度调控半导体4远离离心仓16的一侧，散热风扇14安装于散热片13远离温度调控半导体4的一侧。通过离心仓16将固液结合测试件2进行隔离，从而当温度调控半导体4进行工作时，温度调控半导体4远离离心仓16一侧的工作状态不容易对固液结合测试件2产生影响，从而提高温度调控半导体4靠近离心仓16一侧的工作效率。示例来说，当温度调控半导体4靠近离心仓16一侧进行制热时，温度调控半导体4远离离心仓16一侧进行制冷，由于温度调控半导体4远离离心仓16一侧与温度调控半导体4靠近离心仓16一侧的距离较短，容易产生热量交叉，导致温度调控半导体4远离离心仓16一侧容易对温度调控半导体4靠近离心仓16一侧产生影响，此时通过离心仓16使温度调控半导体4靠近离心仓16一侧直接对离心仓16以及位于离心仓16内部的固液结合测试件2进行加热，而温度调控半导体4远离离心仓16一侧将热量散失于离心仓16外部的空气中，从而提高温度调控半导体4的工作效率。
在本实施例中，固液结合测试件2、散热片13及散热风扇14作为一组并设置有两组，两组分别关于离心仓16的竖直方向的中心轴线对称设置，从而提高对离心仓16进行加热或制冷。
参照图14，基于同一发明构思，一种相变材料耐久性的测试设备还有另一实施例，其不同之处在于，温度调控半导体4安装于驱动组件3上，且驱动组件3带动温度调控半导体4进行转动，固液结合测试件2共设置有两个，且两个固液结合测试件2分别安装于温度调控半导体4的两侧，从而在温度调控半导体4进行工作时，充分利用温度调控半导体4两侧分别进行制热或制冷状态的工作特性，使两个固液结合测试件2在同一时间内受到的测试温度相反，减少冷热量散失所产生的能量浪费，提升了电能的实用效率。
基于同一发明构思，本发明实施例提供一种相变材料耐久性的测试系统包括：
获取模块，用于获取待测材料1温度检测信息、温度调控基准曲线信息、调控温度检测值、当前时间点及待测材料1状态检测信息；
存储器，用于存储如图1至图5、图7至图9中任一项的相变材料耐久性的测试方法的程序；
处理器，存储器中的程序能够被处理器加载执行且实现如图1至图5、图7至图9中任一项的相变材料耐久性的测试方法。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，仅以上述各功能模块的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能模块完成，即将装置的内部结构划分成不同的功能模块，以完成以上描述的全部或者部分功能。上述描述的系统，装置和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
以上均为本申请的较佳实施例，并非依此限制本申请的保护范围，本说明书（包括摘要和附图）中公开的任一特征，除非特别叙述，均可被其他等效或者具有类似目的的替代特征加以替换。即，除非特别叙述，每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。
Claims (6)
1.一种相变材料耐久性的测试方法，其特征在于，包括：
将待测材料（1）放置于用于对待测材料（1）进行检测的固液结合测试件（2）内并执行预设的离心转动检测控制方案；
根据预设的温度单周期调控方案循环控制预设于固液结合测试件（2）上的温度调控半导体（4）；
获取待测材料（1）温度检测信息；
根据所预设的待测材料（1）耐久度分析方法以对待测材料（1）温度检测信息进行分析处理以形成待测材料（1）耐久度信息；
温度单周期调控方案包括：
获取温度调控基准曲线信息；
根据温度调控基准曲线信息调取与温度调控基准曲线信息相对应的调控初始温度值、调控结束温度值、通电占空比信息及通电控制频率信息，并发送至温度调控半导体（4）；
实时获取调控温度检测值；
根据调控温度检测值、预设的调控温度基准值与预设的调控温度修正信息的对应关系，分析获取与调控温度检测值及调控温度基准值相对应的调控温度修正信息，并将调控温度修正信息发送至温度调控半导体（4）；
根据所预设的待测材料（1）耐久度分析方法以对待测材料（1）温度检测信息进行分析处理以形成待测材料（1）耐久度信息包括：
判断是否执行完单个温度单周期调控方案；
若为是，则根据所预设的温度曲线确认方法以对调控温度检测值进行分析处理以形成调控温度检测曲线信息；
根据所预设的调控温度当前能量存储值分析方法以对调控温度检测曲线信息进行分析处理以形成调控温度当前能量存储值；
根据调控温度当前能量存储值与预设的劣化速率最终值的对应关系，分析获取与调控温度当前能量存储值相对应的劣化速率最终值，并将劣化速率最终值作为待测材料（1）耐久度信息；
若为否，则继续执行温度单周期调控方案；
根据调控温度当前能量存储值与预设的劣化速率最终值的对应关系，分析获取与调控温度当前能量存储值相对应的劣化速率最终值包括：
判断是否为第一次获取调控温度当前能量存储值；
若为是，则将调控温度当前能量存储值作为调控温度初始能量存储值；
重新执行单个温度单周期调控方案；
若为否，则根据所预设的劣化比率值确认方法以对调控温度当前能量存储值进行分析处理以形成劣化比率值；
根据所预设的劣化速率值确认方法以对劣化比率值进行分析处理以形成劣化速率当前值，并将劣化速率当前值作为劣化速率最终值；
根据所预设的劣化速率值确认方法以对劣化比率值进行分析处理以形成劣化速率当前值包括：
判断劣化速率当前值是否小于预设的劣化速率基准值；
若为是，则继续输出劣化速率当前值；
若为否，则重新执行单个温度单周期调控方案。
2.根据权利要求1所述的相变材料耐久性的测试方法，其特征在于，还包括位于将调控温度修正信息发送至温度调控半导体（4）之后的步骤，具体如下：
根据调控初始温度值与调控结束温度值，分析计算调控初始温度值与调控结束温度值之间的差值并作为调控温度变化值；
判断调控温度变化值是否为正值；
若为是，则输出预设的辅助加热控制信息至预设于固液结合测试件（2）上的辅助加热件；
若为否，则继续将调控温度修正信息发送至温度调控半导体（4）。
3.根据权利要求2所述的相变材料耐久性的测试方法，其特征在于，还包括位于继续将调控温度修正信息发送至温度调控半导体（4）之后的步骤，具体如下：
获取当前时间点；
根据所预设的温度预测方法以对当前时间点及温度调控基准曲线信息进行分析处理以形成基准时间温度预测值；
根据基准时间温度预测值与预设的预先降温控制信息的对应关系，分析获取与基准时间温度预测值相对应的预先降温控制信息，并将预先降温控制信息发送至预设于温度调控半导体（4）上的散热风扇（14）。
4.根据权利要求1所述的相变材料耐久性的测试方法，其特征在于，还包括位于获取待测材料（1）温度检测信息之后，且位于根据所预设的待测材料（1）耐久度分析方法以对待测材料（1）温度检测信息进行分析处理以形成待测材料（1）耐久度信息之前的步骤，具体如下：
获取待测材料（1）状态检测信息；
判断待测材料（1）状态检测信息是否存在预设的离析状态信息；
若为是，则输出预设的离心转动增速调整信息并加入至离心转动检测控制方案中以形成新的离心转动检测控制方案；
若为否，则根据所预设的待测材料（1）耐久度分析方法以对待测材料（1）温度检测信息进行分析处理以形成待测材料（1）耐久度信息。
5.一种相变材料耐久性的测试设备，采用权利要求1至4任意一项所述的相变材料耐久性的测试方法，其特征在于：包括用于对待测材料（1）进行检测的固液结合测试件（2）、用于带动所述固液结合测试件（2）进行转动的驱动组件（3）及用于对待测材料（1）温度进行调控的温度调控半导体（4），所述固液结合测试件（2）包括导热固体及导热液体（6）。
6.一种相变材料耐久性的测试系统，采用权利要求1至4任意一项所述的相变材料耐久性的测试方法，其特征在于，包括：
获取模块，用于获取待测材料（1）温度检测信息、温度调控基准曲线信息、调控温度检测值、当前时间点及待测材料（1）状态检测信息；
存储器，用于存储如权利要求1至4中任一项的相变材料耐久性的测试方法的程序；
处理器，存储器中的程序能够被处理器加载执行且实现如权利要求1至4中任一项的相变材料耐久性的测试方法。
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Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101183059A (zh) * | 2007-12-19 | 2008-05-21 | 浙江大学 | 一种多重环境时间的相似性氯盐侵蚀混凝土评估方法 |
| JP2012122861A (ja) * | 2010-12-08 | 2012-06-28 | Ricoh Co Ltd | 露点計測装置および気体特性測定装置 |
| JP2012122862A (ja) * | 2010-12-08 | 2012-06-28 | Ricoh Co Ltd | 露点計測装置および気体特性測定装置 |
| CN102636512A (zh) * | 2012-05-09 | 2012-08-15 | 中国建筑材料科学研究总院 | 一种相变储能材料自动化热循环实验装置及方法 |
| JP2017043755A (ja) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | 国立大学法人信州大学 | 有機相転移材料 |
| CN108195875A (zh) * | 2017-12-12 | 2018-06-22 | 中国科学院过程工程研究所 | 一种宽温区快速自动化测定相变材料冷热循环的系统及其测定方法 |
| CN108982301A (zh) * | 2018-07-05 | 2018-12-11 | 河海大学 | 一种水化硅酸钙凝胶氯离子扩散系数的测定装置及测定方法 |
| CN110595991A (zh) * | 2019-09-30 | 2019-12-20 | 天津和汇能源科技发展有限公司 | 一种相变材料耐久性循环测试装置及测试方法 |
| CN114716981A (zh) * | 2022-05-07 | 2022-07-08 | 中国科学院过程工程研究所 | 一种改性磷石膏基有机相变复合储热材料及其制备方法与应用 |
-
2023
- 2023-06-02 CN CN202310649860.7A patent/CN116399898B/zh active Active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101183059A (zh) * | 2007-12-19 | 2008-05-21 | 浙江大学 | 一种多重环境时间的相似性氯盐侵蚀混凝土评估方法 |
| JP2012122861A (ja) * | 2010-12-08 | 2012-06-28 | Ricoh Co Ltd | 露点計測装置および気体特性測定装置 |
| JP2012122862A (ja) * | 2010-12-08 | 2012-06-28 | Ricoh Co Ltd | 露点計測装置および気体特性測定装置 |
| CN102636512A (zh) * | 2012-05-09 | 2012-08-15 | 中国建筑材料科学研究总院 | 一种相变储能材料自动化热循环实验装置及方法 |
| JP2017043755A (ja) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | 国立大学法人信州大学 | 有機相転移材料 |
| CN108195875A (zh) * | 2017-12-12 | 2018-06-22 | 中国科学院过程工程研究所 | 一种宽温区快速自动化测定相变材料冷热循环的系统及其测定方法 |
| CN108982301A (zh) * | 2018-07-05 | 2018-12-11 | 河海大学 | 一种水化硅酸钙凝胶氯离子扩散系数的测定装置及测定方法 |
| CN110595991A (zh) * | 2019-09-30 | 2019-12-20 | 天津和汇能源科技发展有限公司 | 一种相变材料耐久性循环测试装置及测试方法 |
| CN114716981A (zh) * | 2022-05-07 | 2022-07-08 | 中国科学院过程工程研究所 | 一种改性磷石膏基有机相变复合储热材料及其制备方法与应用 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 非饱和黏土地层中相变能源桩热性能测试;崔宏志等;《清华大学学报（自然科学版）》;第62卷(第5期);881-890 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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