CN116364594A - 基板处理装置及控制方法 - Google Patents

基板处理装置及控制方法 Download PDF

Info

Publication number
CN116364594A
CN116364594A CN202211695806.8A CN202211695806A CN116364594A CN 116364594 A CN116364594 A CN 116364594A CN 202211695806 A CN202211695806 A CN 202211695806A CN 116364594 A CN116364594 A CN 116364594A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
temperature
module
nozzle
liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202211695806.8A
Other languages
English (en)
Inventor
佐藤航平
高桥广毅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ebara Corp
Original Assignee
Ebara Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ebara Corp filed Critical Ebara Corp
Publication of CN116364594A publication Critical patent/CN116364594A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
    • B05C11/1002—Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves
    • B05C11/1015—Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves responsive to a conditions of ambient medium or target, e.g. humidity, temperature ; responsive to position or movement of the coating head relative to the target
    • B05C11/1021—Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves responsive to a conditions of ambient medium or target, e.g. humidity, temperature ; responsive to position or movement of the coating head relative to the target responsive to presence or shape of target
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B05C5/02—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
    • B05C5/0225—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work characterised by flow controlling means, e.g. valves, located proximate the outlet
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B13/00—Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67219—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one polishing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67225—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one lithography chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
    • B05C11/08—Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
    • B05C11/1002—Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves
    • B05C11/1007—Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves responsive to condition of liquid or other fluent material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
    • B05C11/1002—Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves
    • B05C11/1015—Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves responsive to a conditions of ambient medium or target, e.g. humidity, temperature ; responsive to position or movement of the coating head relative to the target
    • B05C11/1018—Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves responsive to a conditions of ambient medium or target, e.g. humidity, temperature ; responsive to position or movement of the coating head relative to the target responsive to distance of target
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C13/00—Means for manipulating or holding work, e.g. for separate articles
    • B05C13/02—Means for manipulating or holding work, e.g. for separate articles for particular articles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

本发明提供一种基板处理装置及控制方法，基板处理装置具备：第一模块，该第一模块在基板处理工序中使用；第二模块，该第二模块在该第一模块之后的基板处理工序中使用；喷嘴，该喷嘴设置于该第二模块，并用于供给对象处理液；温度检测器，该温度检测器对该喷嘴的内部的处理液的温度或该喷嘴的温度进行检测；基板检测传感器，该基板检测传感器用于对基板的位置进行检测；以及控制器，该控制器根据由该温度检测器检测出的处理液的温度和该基板的位置，对基板输送到该第二模块之前实施的该对象处理液从该喷嘴的排出进行控制。

Description

基板处理装置及控制方法
技术领域
本技术涉及基板处理装置及控制方法。
背景技术
在半导体元件的制造工序中，在基板(例如晶片)上形成物性不同的各种膜，通过对这些膜进行各种加工而形成微细的配线。例如，在镶嵌工艺中，在膜形成配线槽，在该配线槽埋入铜(Cu)等金属，进一步通过化学机械研磨(chemical Mechanical Polishing：CMP)去除多余的金属，由此形成金属配线。由于在进行了CMP处理后的基板的表面残留有研磨剂的成分、研磨屑，因此需要通过基板处理装置所包含的清洗模块将它们去除。清洗模块例如构成为，一边向旋转运动的基板的表面供给药液，一边利用辊状或笔状的海绵构件对基板的表面进行摩擦清洗，最后用纯水等冲洗液漂洗药液。
日本特开2002-43267号公报及日本特开2010-74191号公报所记载的基板清洗装置主要应用于形成由铜等形成的多层配线的配线工序(BEOL)。近年来，由于逻辑元件的高速化、存储元件的低成本化的必要性，在形成开关电路的晶体管工序(FEOL)中也扩大了CMP的应用。与BEOL相比，FEOL所形成的膜厚、配线宽度、配线间空间更微小，因此对于颗粒状污染、分子状污染及金属元素污染的去除性能的改善是必须的。作为实现其的手段，期望利用通过药液的加热来促进化学作用的清洗方法。例如国际公开第2021/117485号所记载的基板清洗装置在使水平地保持于保持构件的基板旋转来清洗基板的基板清洗装置中，一边确保基板面内的温度均匀性一边向基板的上表面及下表面供给加热后的处理液。然而，在该国际公开第2021/117485号中，采用利用外部加热器101等直接加热基板的机构，不需要设置用于准确地在使用点掌握使用点(例如喷嘴)处的供给液的温度的机构。因此，申请人发现，在不设置直接加热基板的机构的装置的情况下、或考虑到最近的工艺技术所要求的控制幅度时，为了抑制该处理效果(例如清洗效果或研磨效果)由于基板的处理的时间点而产生偏差，需要进一步改善技术。
另外，在由多块基板构成的批次的基板处理中，在从喷嘴排出加热后的药液而清洗基板时，喷嘴移动到清洗位置而开始新的清洗处理(参照国际公开第2021/117485号、图11等)，在进行基板的处理之前的期间，清洗液不从喷嘴排出。当在多个基板处理中设想在不同批次的每个批次中在基板的处理开始之前的待机时间发生偏差的情况，另外，考虑到在处理开始之前供给到第一块基板的处理液的温度降低的情况时，若例如仅考虑第一块处理性能(例如清洗性能或研磨性能)，则在基于更严格的工艺要求进行观察时，可知进一步改善不同批次的第一块基板的处理性能更好这样的课题。
发明内容
本技术是鉴于上述课题而完成的，期望提供一种在连续地处理多个基板的基础上进一步改善的基板处理装置及控制方法。
一个实施方式的基板处理装置具备：第一模块，该第一模块在基板处理工序中使用；第二模块，该第二模块在所述第一模块之后的基板处理工序中使用；喷嘴，该喷嘴设置于所述第二模块，并用于供给对象处理液；温度检测器，该温度检测器对所述喷嘴的内部的处理液的温度或所述喷嘴的温度进行检测；基板检测传感器，该基板检测传感器用于对基板的位置进行检测；以及控制器，该控制器根据由所述温度检测器检测出的处理液的温度和所述基板的位置，对基板被输送到所述第二模块之前实施的所述对象处理液从所述喷嘴的排出进行控制。需要说明的是，对象处理液是指成为温度控制的对象的处理液。
一个实施方式的基板处理方法是基板处理装置中的控制方法，该基板处理装置具备：第一模块，该第一模块在基板处理工序中使用；第二模块，该第二模块在所述第一模块之后的基板处理工序中使用；喷嘴，该喷嘴设置于所述第二模块，并用于供给对象处理液；温度检测器，该温度检测器对所述喷嘴的内部的处理液的温度或所述喷嘴的温度进行检测；以及基板检测传感器，该基板检测传感器用于检测基板的位置，
所述控制方法具有如下步骤：控制器根据由所述温度检测器检测出的处理液的温度和所述基板的位置，对基板输送到所述第二模块之前的所述对象处理液从所述喷嘴的排出进行控制。
附图说明
图1是示出本实施方式的基板处理装置的概略的整体结构的俯视图。
图2是示出第一清洗模块的一个方式的立体图。
图3是示出第二清洗模块的一个方式的立体图。
图4是示出图2或图3的清洗液喷嘴(315、316、47)或冲洗液喷嘴(317、318、46)的一例的示意图。
图5是示出控制器30的概略结构的一例的框图。
图6是示出分配中的喷嘴附近的处理液温度与分配重新开始后的时间的关系的一例的曲线图。
图7是示出基板处理中的第一清洗模块中的虚拟分配的处理例的流程图。
图8是示出基板处理中的第一清洗模块中的虚拟分配的处理的具体例的流程图。
图9是图8的处理的情况下的各信号的时序图的一例。
图10是示出本发明的一个实施方式中的研磨模块的示意图。
图11是示出基板处理中的研磨模块中的虚拟分配的处理例的流程图。
图12A是示出在时刻0检测温度T为25℃时打开电磁阀的情况之后的温度的随时间变化的一例的曲线图。
图12B是示出在时刻0检测温度T为30℃时打开电磁阀的情况之后的温度的随时间变化的一例的曲线图。
图12C是示出在时刻0检测温度T为45℃时打开电磁阀的情况之后的温度的随时间变化的一例的曲线图。
图13是示出关于药液A在时刻0检测温度T为30℃时打开电磁阀的情况之后的温度的随时间变化的一例的曲线图。
图14是在存储装置410中构建的数据库的表的一例。
图15是存储在存储装置410中的表的一例。
图16是示出基板处理中的第二模块中的虚拟分配的另一处理例的流程图。
图17是示出图2至图3的清洗液喷嘴(315、316、47)或冲洗液喷嘴(317、318、46)的变形例的示意图。
符号说明
1 基板处理装置
10 壳体
12 装载口
14a～14d研磨模块
16 第一清洗模块
18 第二清洗模块
2 研磨部
20 干燥模块
22 第一输送机器人
24 基板输送模块
26 第二输送机器人
28 第三输送机器人
30 控制器
301 辊
301a 保持部
301b 肩部
307 海绵构件
310 海绵构件旋转机构
311 海绵构件旋转机构
315 清洗液喷嘴
317 冲洗液喷嘴
320 导轨
321 升降机构
40～40h基板检测传感器
401 喷嘴
402 热电偶
404 电磁阀
405 供给配管
406 供给模块
407 加热器
408 隔膜泵
409 数据库服务器
41 基板保持旋转机构
410 存储装置
411 热敏相机
42 海绵构件
44 臂
45 卡盘
46 冲洗液喷嘴
47 清洗液喷嘴
48 马达
50 回旋轴
51 清洗件移动机构
具体实施方式
以下，参照附图对各实施方式进行说明。但是，有时省略必要以上的详细说明。例如，有时会省略已经众所周知的事项的详细说明、对实质上相同的结构的重复说明。这是为了避免以下的说明不必要地冗长，使本领域技术人员容易理解。
本技术的第一方式的基板处理装置具备：第一模块，该第一模块在基板处理工序中使用；第二模块，该第二模块在所述第一模块之后的基板处理工序中使用；喷嘴，该喷嘴设置于所述第二模块，并用于供给对象处理液；温度检测器，该温度检测器对所述喷嘴的内部的处理液的温度或所述喷嘴的温度进行检测；基板检测传感器，该基板检测传感器用于对基板的位置进行检测；以及控制器，该控制器根据由所述温度检测器检测出的处理液的温度和所述基板的位置，对基板输送到所述第二模块之前实施的所述对象处理液从所述喷嘴的排出进行控制。需要说明的是，对象处理液是指成为温度控制的对象的处理液。
根据该结构，能够提供一种能够至少解决上述课题的一部分的、在对多个基板进行连续处理的基础上进一步改善的基板处理装置。
根据第一方式的基板处理装置，在本技术的第二方式的基板处理装置中，在由所述基板检测传感器检测出基板位于所述第一模块的情况下，所述控制器根据由所述温度检测器检测出的温度，对基板输送到所述第二模块之前实施的所述对象处理液从所述喷嘴的排出进行控制。
根据第一或第二方式的基板处理装置，在本技术的第三方式的基板处理装置中，作为所述基板检测传感器，具有对所述第一模块中的基板的存在的有无进行检测的第一基板检测传感器，所述控制器以如下方式进行控制：在由所述第一基板检测传感器检测出基板的时间点由所述温度检测器检测出的温度小于目标设定温度的情况下，从所述喷嘴排出所述对象处理液。
根据第三方式的基板处理装置，在本技术的第四方式的基板处理装置中，作为所述基板检测传感器，具有设置于所述第二模块并对基板的存在的有无进行检测的第二基板检测传感器，所述控制器以如下方式进行控制：在由所述第一基板检测传感器检测出基板的时间点由所述温度检测器检测出的温度小于目标设定温度、并且未由所述第二基板检测传感器检测出所述基板的情况下，从所述喷嘴排出所述对象处理液。
根据第一或第二方式的基板处理装置，在本技术的第五方式的基板处理装置中，所述控制器以如下方式进行控制：在由所述温度检测器检测出的温度比目标设定温度低且比低于所述目标设定温度的下限设定温度高的情况下，在基板不存在于所述第一模块的时间点从所述喷嘴排出所述处理液，所述控制器以如下方式进行控制：在由所述温度检测器检测出的温度比所述下限设定温度低的情况下，在所述第一模块中的处理工序结束之前的设定时间点，从所述喷嘴排出所述对象处理液。
根据第五方式的基板处理装置，在本技术的第六方式的基板处理装置中，所述第一模块是研磨模块，所述处理工序结束之前的设定时间点是主研磨工序结束的时间点。
根据第一至第六方式中任一方式的基板处理装置，在本技术的第七方式的基板处理装置中，在由所述第一基板检测传感器检测出基板且由所述温度检测器检测出的温度小于目标设定温度的情况下，当由所述第二基板检测传感器检测出基板时，所述控制器进行控制以进行通知。
根据第一或第二方式的基板处理装置，在本技术的第八方式的基板处理装置中，所述控制器以如下方式进行控制：根据由所述温度检测器检测出的温度来决定所述排出的实施时间点及持续时间，并按照该排出的实施时间点及持续时间从所述喷嘴排出所述对象处理液。
根据第八方式的基板处理装置，在本技术的第九方式的基板处理装置中，还具备存储装置，该存储装置按所述喷嘴内的处理液的温度或该喷嘴的温度，存储有所述处理液从该温度达到目标设定温度所需的分配持续时间，所述控制器以如下方式进行控制：在由所述基板检测传感器检测出基板位于所述第一模块的情况下，从所述存储装置取得与由所述温度检测器检测出的温度对应的分配持续时间，并从比所述第二模块中的基板处理开始预想时刻提前该分配持续时间以上的时刻起，从所述喷嘴排出对象处理液并持续该分配持续时间以上。
根据第九方式的基板处理装置，在本技术的第十方式的基板处理装置中，在所述存储装置中对于处理液的种类及所述喷嘴内的处理液的温度或该喷嘴的温度，除了所述处理液从该温度达到该目标设定温度所需的分配持续时间以外还关联地存储有目标设定温度，所述控制器从存储装置取得与在所述第一模块设置有基板的情况下由所述温度检测器检测出的温度及所述第二模块中的处理液的种类对应的分配持续时间作为所述分配持续时间。
根据第一至第十方式中任一方式的基板处理装置，在本技术的第十一方式的基板处理装置中，还具备：供给配管，该供给配管向所述喷嘴供给处理液；以及阀，该阀设置于所述供给配管，进行控制以从所述喷嘴排出所述处理液的情况是指进行控制以打开所述阀的情况。
本技术的第十二方式的基板处理方法是基板处理装置的控制方法，所述基板处理装置具备：第一模块，该第一模块在基板处理工序中使用；第二模块，该第二模块在所述第一模块之后的基板处理工序中使用；喷嘴，该喷嘴设置于所述第二模块，并用于供给对象处理液；温度检测器，该温度检测器对所述喷嘴的内部的处理液的温度或所述喷嘴的温度进行检测；以及基板检测传感器，该基板检测传感器用于检测基板的位置，所述基板处理方法具有如下步骤：控制器根据由所述温度检测器检测出的处理液的温度和所述基板的位置，对基板输送到所述第二模块之前的所述对象处理液从所述喷嘴的排出进行控制。
根据该结构，能够提供一种能够至少解决上述课题的一部分的、在对多个基板进行连续处理的基础上进一步改善的基板处理方法。
除了上述课题以外，以往，有时会为了提高处理液的温度而进行事先将处理液排出的事先分配，但由于该事先分配仅以在设定的每个时间设定的流量实施，因此存在无法以处理液成为目标设定温度的方式进行最佳的事先分配这样的问题。另外，有时即使在处理液达到目标设定温度之后也仍持续进行事先分配，存在有时过度进行事先分配而导致浪费地舍弃处理液的问题。与此相对，在本实施方式的一个方式中，实现分配的最佳化。
本实施方式的基板处理方法包括基板清洗工序，该基板清洗工序是在对半导体晶片等基板进行处理的基板处理装置中使用的基板处理方法的一个工序，一边向基板供给处理液一边使基板与海绵构件接触而进行清洗处理。该基板清洗工序不仅能够应用于半导体的存储元件、逻辑元件的制造工序，还能够应用于平板显示器的制造工序、CMOS、CCD等图像传感器的制造工序等。
在本实施方式中，作为基板处理装置的一例，以进行化学机械研磨(CMP)的研磨装置为例进行说明。
图1是示出基板处理装置的概略的整体结构的俯视图。如图1所示，基板处理装置1具备矩形状的壳体10和载置对多个半导体晶片等基板进行储存的基板盒的装载口12，装载口12与壳体10相邻配置。在壳体10的内部设置有对基板的主面进行研磨的研磨模块14a～14d、对研磨后的基板进行一次清洗的第一清洗模块16、对一次清洗后的基板进行精清洗的第二清洗模块18、使精清洗后的基板干燥的干燥模块20、以及对各设备的动作进行控制的控制器30。
研磨模块14a～14d沿着基板处理装置的长度方向排列，第一清洗模块16、第二清洗模块18、干燥模块20也沿着基板处理装置的长度方向排列。在由装载口12、研磨模块14a、干燥模块20包围的区域配置有第一输送机器人22，与研磨模块14a～14d的排列平行地配置有基板输送模块24。第一输送机器人22从装载口12接收研磨前的基板并交接给基板输送模块24，进一步从干燥模块20接收干燥后的基板并使其返回到装载口12。基板输送模块24输送从第一输送机器人22接受的基板，在与研磨模块14a～14d之间进行基板的交接。
在由第一清洗模块16、第二清洗模块18及基板输送模块24之间包围的区域配置有第二输送机器人26。第二输送机器人26从基板输送模块24接收研磨后的基板并交接给第一清洗模块16，从第一清洗模块16接收一次清洗后的基板并交接给第二清洗模块18。在第二清洗模块18与干燥模块20之间配置有第三输送机器人28。第三输送机器人28从第二清洗模块18接收精清洗后的基板并交接给干燥模块20。
基板处理装置1具备配置于壳体10的内部的控制器30。控制器30构成为控制基板处理装置1的各设备的动作。
在第一输送机器人22、研磨模块14a～14d、基板输送模块24、第二输送机器人26、第一清洗模块16、第二清洗模块18分别设置有用于检测基板的位置的基板检测传感器40～40h。基板检测传感器40～40h例如对基板的存在的有无进行检测。由此，控制器30通过取得来自这些基板检测传感器40～40h的信号，监视基板W存在于基板处理装置的何处。
基板检测传感器40～40h可以是检测接触的接触传感器，也可以是非接触地检测基板的有无的非接触传感器。基板检测传感器40～40h在非接触传感器的情况下，例如可以在对向基板照射光而反射的光进行检测且从光射出到检测出光为止的时间收敛于规定的时间内时检测为存在基板。
此外，基板检测传感器40～40h可以用将这些模块及机器人全部放入视野的一个图像传感器代替，也可以在用多个图像传感器监视基板的位置的情况下用多个图像传感器代替。
此外，在设为上述的各模块或机器人中的基板处理工序中使用的第一模块和第一模块之后的基板处理工序中使用的第二模块的情况下，有时将检测第一模块中的基板的存在的有无的基板检测传感器称为第一基板检测传感器，将检测第二模块中的基板的存在的有无的基板检测传感器称为第二基板检测传感器。
图2是示出第一清洗模块的一个方式的立体图。如图2所示，第一清洗模块16具备：辊301～304，该辊301～304以主面成为朝上(上表面)的方式水平地保持基板W并使其旋转；海绵构件307、308，该海绵构件307、308分别与基板W的上表面及下表面接触；海绵构件旋转机构310、311，该海绵构件旋转机构310、311使海绵构件307、308分别旋转；清洗液喷嘴315、316，该清洗液喷嘴315、316向基板W的上表面及下表面分别供给清洗液；冲洗液喷嘴317、318，该冲洗液喷嘴317、318向基板W的上表面及下表面分别供给冲洗液。此外，在另一个实施方式中，基板W也可以被垂直地保持。
辊301～304能够通过未图示的驱动机构(例如气缸)在相互接近及分离的方向上移动，分别成为保持部301a～304a和肩部(支承部)301b～304b这两级结构。肩部301b～304b的直径比保持部301a～304a的直径大，在肩部301b～304b之上形成有保持部301a～304a。基板W首先水平地载置于肩部301b～304b之上，接着通过辊301～304向基板W移动而保持于保持部301a～304a。辊301～304中的至少一个构成为通过未图示的旋转机构(例如主轴)而旋转，由此，基板W以被保持的状态旋转。
肩部301b～304b成为向下方倾斜的锥面，在被保持部301a～304a保持的期间，基板W被保持为与肩部301b～304b非接触。海绵构件旋转机构310安装于确定其上下方向的运动的导轨320，并且由升降机构321支承，通过该升降机构321在上下方向上移动。升降机构321例如是使用滚珠丝杠的马达驱动机构或气缸。海绵构件旋转机构311也同样地通过未图示的导轨及升降机构在上下方向上移动。
图3是示出第二清洗模块的一个方式的立体图。如图3所示，第二清洗模块18具备：基板保持旋转机构41，该基板保持旋转机构41以主面成为朝上(上表面)的方式水平地保持基板W并使其旋转；海绵构件42，该海绵构件42与基板W的上表面接触；臂44，该臂44保持海绵构件42；冲洗液喷嘴46，该冲洗液喷嘴46向基板W的上表面供给冲洗液；以及清洗液喷嘴47，该清洗液喷嘴47向基板W的上表面供给清洗液。基板保持旋转机构41具备保持基板W的周缘部的多个(在图3中为四个)卡盘45和与卡盘45连结的马达48。卡盘45例如是弹簧式的夹紧机构，水平地保持基板W，在该状态下，基板W通过马达48而绕其中心轴线旋转。此外，在另一个实施方式中，基板W也可以被垂直地保持。臂44配置于基板W的上方。在臂44的一端连结有海绵构件42，在臂44的另一端连结有回旋轴50。而且，在回旋轴50上连结有使臂44回旋的清洗件移动机构51。清洗件移动机构51通过使回旋轴50旋转规定的角度，使臂44在与基板W平行的平面内回旋。海绵构件42通过臂44的回旋而在基板W的半径方向上移动。而且，清洗件移动机构51通过使回旋轴50上下移动，能够以规定的压力将海绵构件42压靠于基板W的上表面。
图4是示出图2或图3的清洗液喷嘴(315、316、47)或冲洗液喷嘴(317、318、46)的一例的示意图。这些清洗液喷嘴(315、316、47)或冲洗液喷嘴(317、318、46)具备喷嘴401，通过从喷嘴401排出加热后的(或常温的)处理液(例如清洗液或冲洗液)，向基板供给加热后的(或常温的)处理液。在此，清洗液和冲洗液双方均可以被加热至比常温高的温度，也可以仅清洗液被加热至室温以上，冲洗液为常温。喷嘴401与清洗液(或冲洗液)供给配管405连接。
而且，这些清洗液喷嘴(315、316、47)或冲洗液喷嘴(317、318、46)在清洗液(或冲洗液)供给配管中具备电磁阀404作为可开闭控制的阀的一例。电磁阀404通过基于从控制器30发送的控制信号的开闭操作，控制向喷嘴401供给清洗液(或冲洗液)的时间点。
作为一例，在喷嘴401中，设置有对喷嘴内的液温进行测量的热电偶402作为对喷嘴的内部的处理液的温度或所述喷嘴的温度进行检测的温度检测部的一例。热电偶402与控制器30连接。因此，在喷嘴401内的清洗液(或冲洗液)低于目标设定温度T1的情况下，通过控制器30打开电磁阀404，当清洗液(或冲洗液)上升到目标设定温度T1时，通过执行关闭电磁阀404的分配，能够将液温在规定的温度范围内保持为恒定。
控制器30根据由作为温度检测器的一例的热电偶402检测出的温度(例如，检测喷嘴401的内部的处理液的温度或喷嘴401的温度)和基板的位置，对对象处理液从喷嘴401的排出进行控制(即对分配进行控制)。在一个实施方式中，控制器30构成为，生成确定了开始对象处理液从喷嘴401的排出、换言之排出的时间点的操作信号，并将其发送给与喷嘴401连通的阀、例如一个实施方式中的电磁阀404，利用该操作信号控制将该电磁阀404从关闭变为打开的时间点，由此，控制器30能够控制对象处理液的排出(分配开始时间点)。在此，对象处理液是成为温度控制的对象的处理液，例如从在比常温高的温度下保持的罐供给。在一个实施方式中，控制器30在喷嘴401内的清洗液(或冲洗液)超过或低于下限设定温度T2的情况下，以变更分配的时间点的方式生成操作信号。此外，下限设定温度T2能够任意设定(T2＜T1，设定例：T2＝T1的60％)。
在超过下限设定温度T2的情况下，判断为分配所花费的时间短，在从设置于第一模块的基板检测传感器取得基板从进行不久前的处理的第一模块(例如，当在第一清洗模块16中实施分配的情况下为研磨模块14a～14d中的任一个)消失的信息的时间点，通过控制器30打开电磁阀404来执行分配。
另一方面，在低于下限设定温度T2的情况下，判断为分配所花费的时间长，在从设置于第一模块的基板检测传感器取得基板输送到进行不久前的处理的第一模块的信息的时间点，通过控制器30打开电磁阀404来执行分配。因此，即使分配前的喷嘴401内的清洗液(或冲洗液)为任何温度，通过最佳地控制分配的时间点，也将向基板供给的液温保持为恒定。
除了上述基板检测以外，分配的时间点也能够参照研磨处理中的研磨步骤、清洗处理中的清洗步骤。
而且，这些清洗液喷嘴(315、316、47)或冲洗液喷嘴(317、318、46)具备一端与喷嘴401连通且从另一端供给处理液(例如清洗液、冲洗液)的供给配管405、设置于供给配管405的电磁阀404、以及设置于供给配管405的供给模块406。在此，热电偶402是对喷嘴401的内部的对象处理液(例如清洗液、冲洗液)的温度或喷嘴401的温度进行检测的温度检测器的一例。
供给模块406将对象处理液向喷嘴401排出。在此，供给模块406具备对处理液进行加热的加热器407(例如红外线灯加热器)、以及将通过加热器407的加热而得到的对象处理液向喷嘴401排出的隔膜泵408。此外，对象处理液不限于仅用加热器407进行加热，也可以将对象处理液贮存在罐中，将对象处理液从罐直接供给到喷嘴401。在该情况下，也可以不具备供给模块406而以罐内的升压后的压力向喷嘴401供给对象处理液，在设置有供给模块406的情况下供给模块406既可以具备加热器407(例如红外线灯加热器)也可以不具备。
控制器30经由配线与热电偶402连接，接收包含由热电偶402检测出的温度的信息的温度检测信号。控制器30例如与数据库服务器409连接，在数据库服务器409中设置有存储有数据库的存储装置410。此外，控制器30的位置不限于图1的场所，例如也可以设置于基板处理装置的上部等。控制器30是控制器(Controller)，例如可以通过由CPU(CentralProcessing Unit)或MPU(Micro Processing Unit)等以RAM为作业区域来执行存储于信息提供装置内部的存储装置的各种程序而实现。另外，控制器30是控制器，例如可以通过ASIC(Application Specific Integrated Circuit：专用集成电路)或FPGA(FieldProgrammable Gate Array：现场可编程门阵列)等集成电路来实现。图5是示出控制器30的概略结构的一例的框图。如图5所示，控制器30具有受理部101、运算部102以及输入输出部103，实现或执行以下说明的信息处理的功能、作用。受理部101也可以针对处理对象的基板受理表示基板处理装置的基板检测传感器取得的基板的位置的、且受理与规定的基板ID相关联的识别信息。而且，受理部101也可以受理从对分配中的喷嘴附近的处理液温度进行感测的温度检测器(热电偶402等)输出的温度数据(感测到的温度数据)。来自热电偶402的信号也可以在设为由编码器进行了AD转换的数据之后，由受理部101受理。运算部102与存储装置410连接。也可以相对于从存储装置410读取的处理液的种类及喷嘴内的处理液的温度或该喷嘴的温度，除了所述处理液从该温度达到该目标设定温度所需的分配持续时间以外还参照目标设定温度的数据，所述控制器30在参照温度数据和基板的位置数据的基础上，算出使与喷嘴连通的液体配管的开闭阀开闭的时间点。更具体而言，如后所述，当在第一模块设置有基板的情况下，也可以将与由温度检测器检测出的温度及第二模块中的处理液的种类对应的分配持续时间运算为分配持续时间，根据该运算结果的分配持续时间来取得分配开始时间点和分配结束时间点。而且，输入输出部103也可以基于由运算部102计算出的分配开始时间点和分配结束时间点，生成使与喷嘴连通的液体配管的开闭阀(例如电磁阀404)开闭的控制信号，并将其向开闭阀(例如电磁阀404)发送。在一个实施方式中，基于该信号来控制与喷嘴连通的开闭阀(例如电磁阀404)的开闭。另外，在一个实施方式中，也可以是，控制器30在由运算部102判定为不是开始分配的时间点的情况下，基于推定为清洗液的温度降低成为规定的阈值以下的将来的时期，输出成为应该开始虚拟分配的时间点的参考的参考信息，基于该参考信息，操作者通过手动将与喷嘴连通的液体配管的开闭阀(例如电磁阀404)设为开，开始虚拟分配。
图6是示出分配中的喷嘴附近的处理液温度与分配重新开始后的时间的关系的一例的曲线图。图6的曲线图分别表示从向喷嘴401的处理液供给停止到供给重新开始为止的时间经过1分钟后的曲线图、经过5分钟后的曲线图、经过45分钟后的曲线图。具体而言，是示出在停止60℃的温水供给后经过1、5、45分钟后再次供给60℃的温水时的液温(使用点)的随时间变化的结果的图。此时，对液温(使用点)达到目标温度50℃为止的数据进行解析。测定方法是使用了热成像相机的辐射热的测量。可以确认液温(使用点)从温水供给停止起在1分钟降低至约47℃，在5分钟降低至约32℃，在45分钟降低至约24℃(常温)。再次供给(分配)温水，结果液温上升至50℃。此时，47℃、32℃的供给液上升至50℃也未花费10秒。另一方面，下降至常温的供给液上升至50℃会花费约34秒，因此能够确认分配所需的时间根据测时间点刻的液温而较大地不同。即，从向喷嘴401的处理液供给停止到分配重新开始为止的时间越长，分配重新开始时的处理液的温度越降低，从分配重新开始后到处理液的温度达到目标温度(在此作为一例为50℃)为止的时间越长。
另一方面，根据本实施方式，控制器30根据由温度检测器(例如热电偶402)检测出的处理液的温度(也称为液温)和基板的位置，对基板输送到对象的模块之前实施的所述对象处理液从所述喷嘴的排出(也称为虚拟分配)进行控制。由此，例如对分配开始的时间点进行控制，因此不论检测温度取得时刻的液温如何都能够将按每个基板排出的处理液的温度保持为恒定。具体而言，例如，在由基板检测传感器检测出基板位于比对象的模块(也有时称为第二模块)靠前的基板处理工序中使用的模块(有时也称为第一模块)的情况下，根据由温度检测器(例如热电偶402)检测出的温度，对基板输送到对象的模块之前实施的所述对象处理液从所述喷嘴的排出(虚拟分配)进行控制。
如上所述，当存在从向喷嘴401的处理液供给停止起到供给重新开始为止的时间时，在该期间处理液的温度下降。考虑到此，在基板设置于第一模块的情况下至少由设置于第二模块的温度检测器检测出的温度低于目标设定温度这样的条件下，进行控制以从喷嘴排出处理液。由此，在第二模块开始基板的处理之前，一边预先向喷嘴供给对象处理液一边排出该处理液，由此使排出的处理液的温度逐渐上升，在第二模块对基板进行处理时，能够使向基板排出的处理液的温度收敛于规定的温度范围，因此能够抑制处理效果因基板而产生偏差。
<基板处理中的分配顺序(第一清洗模块)的第一处理例>
接着，对基板处理中的分配顺序(第一清洗模块)的第一处理例进行说明。如上所述，根据从向喷嘴401的处理液供给停止到供给重新开始为止的时间，从分配重新开始到处理液的温度达到目标设定温度T1为止的时间发生变动。与此相对，在本处理例中，持续进行来自喷嘴401的分配，直到由温度检测器检测出的检测温度达到目标设定温度T1。由此，最终能够使从喷嘴401排出的处理液的温度成为目标设定温度T1。
使用图7对图1至图4所示的实施方式的分配动作顺序进行说明。作为前提，分配动作仅在未对基板W进行处理的待机时间实施。因此，在基板W处于清洗处理中或清洗处理即将开始之前的情况下不实施。
图7是示出基板处理中的第一清洗模块中的虚拟分配的处理例的流程图。该分配动作顺序在基板W从装载口12输送到第一输送机器人22时开始，同时热电偶402(或后述的变形例的热敏相机411)开始喷嘴内的液温的监视。在基板W由研磨模块14a～14d中的任一个研磨模块(在两段研磨的情况下为第二段的研磨模块)的基板检测传感器40a～40d中的任一个基板检测传感器检测出时，控制器30读取热电偶402(或后述的变形例的热敏相机411)所监视的喷嘴401内的液温。如果该值为目标设定温度T1以上，则液温保持为高温，因此判断为能够对基板W进行适当的处理，不实施分配。作为此时的控制器30的动作，如果读取的喷嘴401内的液温为目标设定温度T1以上，则控制器30保持将电磁阀404关闭的状态。
另一方面，在液温为目标设定温度T1以下的情况下，控制器30从基板检测传感器40g、40f判断基板W是否存在于第一清洗模块16、第二输送机器人26。在基板W存在于第一清洗模块16、第二输送机器人26中的任一方或存在于这两方的情况下，视为基板W处于清洗处理中或清洗处理即将开始之前，控制器30发出液温降低警报之后，停止基板W的处理。
在基板W不存在于第一清洗模块、第二输送机器人中的任一个的情况下，控制器30将读取到的液温与下限设定温度T2进行比较。在超过下限设定温度T2的情况下，视为分配所花费的时间较短，控制器30在从基板检测传感器40取得基板W从研磨模块14a～14d中的、进行不久前的处理的研磨模块消失的信息的时间点，打开电磁阀404来执行分配。另一方面，在低于下限设定温度T2的情况下，视为分配所花费的时间较长，控制器30在该时刻打开电磁阀404来执行分配。之后，在保持打开电磁阀404的状态下持续分配，控制器30在成为目标设定温度T1以上的情况下关闭电磁阀404而结束分配动作顺序。
在此，目标设定温度T1、下限设定温度T2能够任意设定。另外，分配的时间点也能够参照研磨处理中的研磨步骤、清洗处理中的清洗步骤。以下，针对每个步骤对图7的各步骤进行说明。
(步骤S110)首先，控制器30判定是否在研磨部2中检测出基板。当在研磨部2中未检测出基板的情况下，处理进入步骤S240。
(步骤S120)当在步骤S110中判定为在研磨模块14a中检测出基板的情况下，控制器30取得由作为温度检测器的一例的热电偶402检测出的温度(以下称为检测温度T)。在此，作为一例，该检测温度是喷嘴内部的处理液的温度。
(步骤S130)在步骤S120之后，控制器30判定检测温度T是否为目标设定温度T1以上。在检测温度T为目标设定温度T1以上的情况下，处理进入步骤S240。
(步骤S140)当在步骤S130中检测温度T不是目标设定温度T1以上的情况下，判定是否在第二输送机器人26或第一清洗模块16中检测出基板。
(步骤S150)当在步骤S140中在第二输送机器人26或第一清洗模块16中检测出基板的情况下，控制器30发出液温降低警报。这是因为已经没有输送到第二输送机器人26或第一清洗模块16而用于使处理液上升的时间的延缓。这样，在由设置于第一模块(例如研磨模块14a)的第一基板检测传感器(例如基板检测传感器40a)检测出基板且由温度检测器检测出的温度小于目标设定温度的情况下，当由设置于第二模块(例如第一清洗模块16)的第二基板检测传感器(例如基板检测传感器40g)检测出基板时，控制器30进行控制以进行通知。
(步骤S160)接着步骤S150，控制器30使基板处理停止。
(步骤S170)当在步骤S140中在第二输送机器人26及第一清洗模块16这两者中均未检测出基板的情况下，判定检测温度T是否为下限设定温度T2以上。
(步骤S180)当在步骤S170中检测温度T为下限设定温度T2以上的情况下，控制器30判定在研磨部2中是否没有基板。当在研磨部中存在基板的情况下，控制器30直接待机。
(步骤S200)当在步骤S180中判定为在研磨部2中没有基板的情况下，视为基板开始朝向第一清洗模块16移动，控制器30打开电磁阀404。由此，重新开始从喷嘴401排出处理液。
另外，当在步骤S170中检测温度T小于下限设定温度T2的情况下，控制器30使电磁阀404打开。这是因为，检测温度过度下降，处理液的温度达到目标温度需要比较长的时间，因此不等待基板开始从研磨部2朝向第一清洗模块16移动的情况，而重新开始从喷嘴401排出处理液。
(步骤S210)接着步骤S200，控制器30再次取得由作为温度检测器的一例的热电偶402检测出的检测温度T。
(步骤S220)接着步骤S210，控制器30判定在步骤S210中取得的检测温度T是否为目标设定温度T1以上。在检测温度T不是目标设定温度T1以上的情况下，处理返回到步骤S210。
(步骤S230)当在步骤S220中检测温度T为目标设定温度T1以上的情况下，控制器30关闭电磁阀404。然后，处理进入步骤S240。
(步骤S240)控制器30判定是否存在液温检测结束的指示。在没有液温检测结束的指示的情况下，处理返回到步骤S110，反复进行步骤S110以后的处理。另一方面，在存在液温检测结束的指示的情况下，本流程图的处理结束。
此外，在图7的流程图中，例示了基板处理中的第一清洗模块中的处理例，但第二清洗模块也能够通过同样的处理来实现。在利用第二清洗模块实现的情况下，变更为在步骤S110中判定是否在“第一清洗模块”中检测出基板，在步骤S140中判定是否在“第二清洗模块”中检测出基板，在步骤S180中判定在“第一清洗模块”中是否没有基板即可。
这样，在用对象的模块实现与图7的流程图相同的处理的情况下，变更为在步骤S110中判定是否在“在对象的模块的不久前进行基板处理的模块”中检测出基板，在步骤S140中判定是否在“对象的模块”中检测出基板，在步骤S180中判定在“在对象的模块的不久前进行基板处理的模块”中是否没有基板即可。
本实施方式的基板处理装置具备在基板处理工序中使用的第一模块、在该第一模块之后的基板处理工序中使用的第二模块、以及设置于该第二模块并用于供给对象处理液的喷嘴。在此，例如在第一模块是研磨部2的情况下，第二模块例如是第一清洗模块16。
如上所述，控制器30以如下方式进行控制：在设为在第一模块设置有基板的情况而由第一基板检测传感器(例如，基板检测传感器40a)检测出基板的时间点由温度检测器(例如热电偶402)检测出的温度小于目标设定温度的情况下，从喷嘴401排出对象处理液。由此，预先从喷嘴401排出对象处理液，因此能够使向基板供给时的处理液的温度上升。
另外，在具有设置于第二模块且对基板的存在的有无进行检测的第二基板检测传感器作为基板检测传感器的情况下，控制器30例如以如下方式进行控制：在由第一基板检测传感器检测出基板的时间点由所述温度检测器检测出的温度小于目标设定温度且未由第二基板检测传感器检测出基板的情况下，从喷嘴排出所述处理液。
＜实施例＞
接着，在图8中示出实施例。图8是示出基板处理中的第一清洗模块中的虚拟分配的处理的具体例的流程图。在图8中，图7中的目标设定温度作为一例而设定为50℃，下限设定温度作为一例而设定为30℃。在图8中，关于这一点以外，图8的步骤S310～S370的处理与图7的步骤S110～S170的处理相同，图8的步骤S380、S400～S440的处理与图7的步骤S180、S200～S240的处理相同，因此省略其详细的处理的说明。设定为，在30℃≤T＜50℃的情况下，以基板从研磨模块消失为触发开始分配，在T＜30℃的情况下，以研磨模块的主研磨结束为触发开始分配。
具体而言，在图8中与图7不同，当在步骤S370中检测温度T小于作为下限设定温度T2的一例的30℃的情况下(步骤S370“否”)，不是立即打开电磁阀404，而是在步骤S390中控制器30判定主研磨步骤是否结束，在主研磨步骤结束的情况下，控制器30打开电磁阀404。
图9是图8的处理的情况下的各信号的时序图的一例。如图9所示，示出了表示研磨模块14a中的基板的有无的基板信号、研磨主步骤信号、表示第二输送机器人26中的基板的有无的基板信号、表示第一清洗模块16中的基板的有无的基板信号、在检测温度下分为三个的三个阀信号。研磨主步骤信号是表示研磨主步骤的接通断开的信号，例如在执行研磨模块14a的研磨主步骤时成为高电平，除此以外成为低电平。如图9所示，若对30℃≤T＜50℃的情况和T＜30℃的情况下的阀信号进行比较，则能够使分配结束时的时间点大致一致，能够使向基板W供给的液温恒定。
当基板输送到研磨模块14a时，表示研磨模块14a中的基板的有无的基板信号在时刻t1成为高电平，在时刻t2开始研磨主步骤，研磨主步骤信号成为高电平。在时刻t3，在研磨主步骤结束时，在检测温度T小于30℃的情况下，阀信号成为高电平，阀打开。在检测温度T成为50℃之前阀信号保持打开的状态，在该例子中，作为一例，在时刻t5，检测温度T达到50℃，阀信号成为低电平，阀关闭。
另一方面，在时刻t3，在研磨主步骤结束时，在检测温度T为30℃以上且小于50℃的情况下，阀信号不会成为高电平。之后，当在时刻t4从研磨模块去除基板而研磨模块14a的基板信号成为低电平的情况下，阀信号成为高电平，当第二输送机器人26保持基板时，第二输送机器人26的基板信号成为高电平。在检测温度T成为50℃之前阀信号保持打开的状态，在该例子中，作为一例，在时刻t5，检测温度T达到50℃，阀信号成为低电平，阀关闭。
当在时刻t6从第二输送机器人26向第一清洗模块输送基板时，第二输送机器人的基板信号成为低电平，并且第一清洗模块16的基板信号成为高电平。之后，利用第一清洗模块16进行基板的清洗。
在基板清洗后，当在时刻t6从第一清洗模块16去除基板时，第一清洗模块的基板信号成为低电平。
这样，一个方式的控制器30以如下方式进行控制：在由温度检测器检测出的温度比目标设定温度低且比低于所述目标设定温度的下限设定温度高的情况下，在基板不存在于第一模块的时间点从喷嘴排出对象处理液，在由温度检测器检测出的温度比下限设定温度低的情况下，在第一模块中的“处理工序结束之前的设定时间点”，从喷嘴排出对象处理液。在此，在上述的例子中，第一模块是研磨模块14a，“处理工序结束之前的设定时间点”是主研磨步骤(主研磨工序)结束的时间点。
根据本实施方式，能够监视喷嘴401的内部的处理液的温度。另外，通过在最佳的时间点分配温度降低了的处理液，能够将从喷嘴401排出的处理液的温度维持在以目标设定温度为基准的规定的范围内。因此，提供一种每个基板的处理液的温度的均匀性较好的基板处理装置及基板处理方法，可获得对颗粒状污染、分子状污染及金属元素污染稳定的去除效果。另外，控制器30通过根据由温度检测器检测出的温度使分配的时间点最佳化，能够抑制处理液、药液的浪费的排出。
此外，上述的各处理不仅可以应用于清洗模块的处理液，也可以应用于研磨模块中的处理液(例如研磨液或喷雾器的液体)。作为其一例，以下对研磨模块中的研磨液的情况下的处理例进行说明。
图10是示出本发明的一个实施方式中的研磨模块的示意图。由于研磨模块14a～14d的结构相同而代表性地对研磨模块14d进行说明。如图10所示，研磨模块14d具备：研磨头(基板保持装置)101，该研磨头(基板保持装置)101对作为基板的一例的晶片W进行保持并使其旋转；研磨台103，该研磨台103对研磨垫102进行支承；研磨液供给喷嘴105，该研磨液供给喷嘴105向研磨垫102供给研磨液(也称为磨液)。
研磨头101构成为能够在其下表面通过真空吸引保持晶片W。研磨头101及研磨台103如箭头所示那样向相同的方向旋转，在该状态下，研磨头101将晶片W压靠于研磨垫102的研磨面102a。从研磨液供给喷嘴105向研磨垫102上供给研磨液，晶片W在研磨液的存在下通过与研磨垫102的滑动接触而被研磨。研磨液供给喷嘴105的结构作为一例，与图4所示的结构相同。但是，处理液为研磨液(磨液)这一点与图4的情况不同。
研磨头101构成为能够通过头臂116的回旋而在交接位置与研磨台103的上方位置之间移动。研磨头101在交接位置处从输送机器人22接受晶片W，在下表面保持晶片W，与晶片W一起向研磨台103的上方位置移动，压靠于研磨台3上的研磨垫102。
图11是示出基板处理中的研磨模块中的虚拟分配的处理例的流程图。以下，按每个步骤对图11的各步骤进行说明。
(步骤S710)首先，控制器30判定是否在第一输送机器人22中检测出基板。当在第一输送机器人22中未检测出基板的情况下，处理进入步骤S840。
(步骤S720)当在步骤S710中判定为在第一输送机器人22中检测出基板的情况下，控制器30取得由研磨液供给喷嘴105的热电偶检测出的温度即检测温度T。在此，作为一例，该检测温度是喷嘴内部的处理液的温度。
(步骤S730)在步骤S720之后，控制器30判定检测温度T是否为目标设定温度T1以上。在检测温度T为目标设定温度T1以上的情况下，处理进入步骤S840。
(步骤S740)当在步骤S730中检测温度T不是目标设定温度T1以上的情况下，判定是否在研磨模块14a中检测出基板。
(步骤S750)当在步骤S740中由研磨模块14a检测出基板的情况下，控制器30发出液温降低警报。这是因为，已经没有输送到研磨模块14a而用于使处理液上升的时间的延缓。这样，在由设置于第一模块(在本例中为第一输送机器人22)的第一基板检测传感器(例如基板检测传感器40)检测出基板且由温度检测器检测出的温度小于目标设定温度的情况下，当由设置于第二模块(该例中为研磨模块14a)的第二基板检测传感器(例如基板检测传感器40a)检测出基板时，控制器30进行控制以进行通知。
(步骤S760)接着步骤S750，控制器30使基板处理停止。
(步骤S800)当在步骤S740中在研磨模块14a中未检测出基板的情况下，视为基板开始朝向研磨模块14a移动，控制器30使研磨液供给喷嘴105的电磁阀打开。由此，重新开始从研磨液供给喷嘴105排出研磨液。
(步骤S810)接着步骤S800，控制器30再次取得由研磨液供给喷嘴105的热电偶检测出的检测温度T。
(步骤S820)接着步骤S810，控制器30判定在步骤S810中取得的检测温度T是否为目标设定温度T1以上。在检测温度T不是目标设定温度T1以上的情况下，处理返回到步骤S810。
(步骤S830)当在步骤S820中检测温度T为目标设定温度T1以上的情况下，控制器30关闭研磨液供给喷嘴105的电磁阀。然后，处理进入到步骤S840。
(步骤S840)控制器30判定是否存在液温检测结束的指示。在没有液温检测结束的指示的情况下，处理返回到步骤S710，反复进行步骤S710以后的处理。另一方面，在存在液温检测结束的指示的情况下，本流程图的处理结束。
以上，本实施方式的基板处理装置具备：第一模块，该第一模块在基板处理工序中使用；第二模块，该第二模块在所述第一模块之后的基板处理工序中使用；喷嘴，该喷嘴设置于所述第二模块，并用于供给对象处理液；温度检测器，该温度检测器对喷嘴的内部的处理液的温度或喷嘴的温度进行检测；基板检测传感器，该基板检测传感器对基板的位置进行检测；以及控制器，该控制器在由基板检测传感器检测出基板位于第一模块的情况下，根据由该温度检测器检测出的温度，对所述对象处理液从喷嘴的排出进行控制。
根据该结构，在第二模块开始处理以前，能够一边预先向喷嘴供给对象处理液一边排出该处理处理液，能够提高在第二模块进行处理时排出的处理液的温度而收敛于规定的温度范围，因此能够提高每个基板的处理性能的均匀性。
<基板处理中的分配顺序(第一清洗模块)的第二处理例>
接着，对基板处理中的分配顺序(第一清洗模块)的第二处理例进行说明。图12A是示出在时刻0检测温度T为25℃时打开电磁阀的情况之后的温度的随时间变化的一例的曲线图。图12B是示出在时刻0检测温度T为30℃时打开电磁阀的情况之后的温度的随时间变化的一例的曲线图。图12C是示出在时刻0检测温度T为45℃时打开电磁阀的情况之后的温度的随时间变化的一例的曲线图。在图12A～图12C中，纵轴是向基板供给的处理液的温度，横轴是从虚拟分配开始起的经过时间。在此，虚拟分配是指从向基板供给之前排出处理液的处理。对于实线，处理液为水，对于虚线，处理液为药液A，单点划线为药液B。分配的设定流量、配管长度、配管直径是预先决定的，在图12A～图12C的全部处理液中是共通的。根据时刻0的温度，达到作为目标设定温度的一例的50℃为止的时间不同，时刻0的温度越低则达到50℃为止的时间越长。
图13是示出在关于药液A在时刻0检测温度T为30℃时打开电磁阀的情况之后的温度的随时间变化的一例的曲线图。在图13中，关于药液A，从达到作为目标设定温度的一例的50℃为止的时间为6秒，因此处理液从检测温度T＝30℃达到目标设定温度50℃所需的分配持续时间为6秒。该时间成为在基板输送到对象的模块之前事先持续分配(虚拟分配)的时间(有时也称为虚拟分配持续时间)。
图14是在存储装置410中构建的数据库的表的一例。此外，在图14的例子中，作为一例，预先将目标设定温度决定为一个。在表TB1-W中存储有处理液为水的情况下的喷嘴内的处理液的温度(或该喷嘴的温度)、该处理液从该温度达到该目标设定温度所需的分配持续时间的组的记录。同样地，在表TB1-A中存储有处理液为药液A的情况下的、喷嘴内的处理液的温度或该喷嘴的温度、该处理液从该温度达到该目标设定温度所需的分配持续时间的组的记录。同样地，在表TB1-B中存储有处理液为药液B的情况下的、喷嘴内的处理液的温度或该喷嘴的温度、该处理液从该温度达到该目标设定温度所需的分配持续时间的组的记录。
这样，在存储装置410中，按所述喷嘴内的处理液的温度或该喷嘴的温度，存储有所述处理液从该温度达到目标设定温度所需的分配持续时间。
一个方式的控制器30以如下方式进行控制：根据由所述温度检测器检测出的温度(即处理液的温度)来决定虚拟分配的实施时间点及持续时间，并按照该虚拟分配的实施时间点及持续时间从喷嘴排出对象处理液。
具体而言，例如控制器30在由基板检测传感器检测出基板位于第一模块(例如研磨模块14a)的情况下，从存储装置410取得与由温度检测器(例如热电偶402)检测出的处理液的温度对应的“达到目标设定温度所需的虚拟分配持续时间”。并且，控制器30以如下方式进行控制：从比第二模块(例如第一清洗模块16)中的基板处理开始预想时刻提前该分配持续时间以上的时刻起，从喷嘴401排出所述处理液并持续该分配持续时间以上。由此，能够在第二模块(例如第一清洗模块16)中的基板处理开始时，从喷嘴401排出目标设定温度的处理液。
如图14所示，在一个方式的存储装置410中，对于处理液的种类(也称为液体种类)及所述喷嘴内的处理液的温度或该喷嘴的温度，除了所述处理液从该温度达到该目标设定温度所需的分配持续时间以外还关联地存储有目标设定温度。控制器30也可以从存储装置410读取在第一模块(例如研磨模块14a)设置有基板的情况下与由所述温度检测器检测出的温度及第二模块(例如第一清洗模块16)中的处理液的种类对应的分配持续时间作为分配持续时间。
同样地，目标设定温度、分配的设定流量、配管长度、配管直径也可以由用户选择(或设定)。此外，也可以代替配管长度及配管直径的组来选择配管内容积，只要能够确定在供给配管405中滞留的溶液的容积即可。在该情况下，关联地存储有与处理条件(在该处理条件中能够包含检测温度、目标设定温度、液体种类、分配的设定流量、配管长度)对应的分配持续时间。在该情况下，控制器30从数据库服务器409的存储装置410取得与处理条件(在该处理条件中能够包含检测温度、目标设定温度、液体种类、分配的设定流量、配管长度)对应的分配持续时间作为虚拟分配持续时间。由此，能够应用最佳的虚拟分配持续时间。
此时，向控制器30输入的输入信息是处理液的温度、目标设定温度(其中，只要决定为一个则不需要)、液体种类(其中，只要决定为一个则不需要)、分配的设定流量(其中，只要决定为一个则不需要)、配管长度(其中，只要决定为一个则不需要)、配管直径(其中，只要决定为一个则不需要)，输出信息是虚拟分配持续时间。控制器30以如下方式进行控制：从比第二模块(例如第一清洗模块16)中的基板处理开始预想时刻提前该虚拟分配持续时间以上的时刻起，从喷嘴401排出对象处理液并持续该虚拟分配持续时间以上(具体而言，例如打开电磁阀404)。
图15是存储在存储装置410中的表的一例。在图15的表TB2中存储有作为识别模块的信息的一例的模块名和该模块的标准处理时间的组的记录。例如，在研磨模块14a、第一清洗模块16、第二清洗模块18之间标准处理时间不同。控制器30例如参照存储装置410的表TB2按每个模块读取与该模块对应的标准处理时间，以该标准处理时间执行处理(例如研磨或清洗)的方式控制该模块。
图16是示出基板处理中的第二模块中的虚拟分配的另一处理例的流程图。在图16的处理中，例如控制器30在由(在第二模块之前的基板处理工序中使用的)第一模块开始基板处理的情况下，取得使用点(例如喷嘴401)处的温度。在所取得的检测温度T比目标设定温度Tp低的情况下，控制器30从存储装置410的数据库取得与处理条件(检测温度T/目标设定温度Tp/处理液体种类)对应的分配持续时间作为虚拟分配持续时间t。由此，能够取得最佳的虚拟分配持续时间。
之后，判断第二模块(实施温度控制的模块)中的基板处理开始为止的时间是否为虚拟分配持续时间t(秒)以上。此时，当在基板处理开始之前为虚拟分配持续时间t(秒)以下的情况下，视为赶不上处理液的温度上升至目标设定温度，控制器30发出液温降低警报并停止基板的处理。另一方面，当在基板处理开始之前为虚拟分配持续时间t(秒)以上的情况下，例如控制器30待机至第二模块中的处理开始的t秒前，在成为t秒前的时间点打开电磁阀404而开始虚拟分配。之后，控制器30例如在虚拟分配持续时间t(秒)后关闭电磁阀404并结束虚拟分配。
以下，按每个步骤对图16的各步骤进行说明。在此，如上所述，第二模块在第一模块之后的基板处理工序中使用。
(步骤S510)控制器30判定在第一模块中是否开始了基板的处理。具体而言，例如控制器30在设置于第一模块的基板检测传感器检测出基板的情况下视为开始了基板的处理。
(步骤S520)控制器30取得温度检测器(例如热电偶402)的检测温度T。
(步骤S530)控制器30判定检测温度T是否为目标设定温度Tp以上。如果检测温度T为目标设定温度Tp以上，则处理进入步骤S620。
(步骤S540)当在步骤S530中检测温度T不是目标设定温度Tp以上的情况下，控制器30参照存储装置410的数据库，取得虚拟分配持续时间t。
(步骤S550)在步骤S540之后，控制器30判定在第二模块中的基板处理开始之前是否为虚拟分配持续时间t(秒)以上。
(步骤S560)当在步骤S550中在第二模块中的基板处理开始之前不是虚拟分配持续时间t(秒)以上的情况下，控制器30发出液温降低警报。
(步骤S570)在步骤S550之后，控制器30停止基板的处理。然后，处理进入步骤S620。
(步骤S580)当在步骤S550中在第二模块中的基板处理开始之前为虚拟分配持续时间t(秒)以上的情况下，控制器30判定第二模块中的基板处理开始是否是虚拟分配持续时间t(秒)前。控制器30待机至第二模块中的基板处理开始成为虚拟分配持续时间t(秒)前。
(步骤S590)当在步骤S580中第二模块中的基板处理开始成为虚拟分配持续时间t(秒)前的情况下，控制器30打开电磁阀404。由此，开始虚拟分配。
(步骤S600)控制器30判定是否从打开电磁阀404(即虚拟分配开始)起经过了虚拟分配持续时间t(秒)。控制器30待机至从打开电磁阀404起经过虚拟分配持续时间t(秒)。
(步骤S610)当在步骤S600中打开电磁阀404起经过了虚拟分配持续时间t(秒)的情况下，控制器30使电磁阀404关闭。由此，虚拟分配结束。然后，处理进入步骤S620。
(步骤S620)控制器30判定是否存在液温检测结束的指示。在没有液温检测结束的指示的情况下，处理返回到步骤S510，反复进行步骤S510以后的处理。在存在液温检测结束的指示的情况下，结束本流程图的处理。
＜温度检测器的变形例＞
图17是示出图2至图3的清洗液喷嘴(315、316、47)或冲洗液喷嘴(317、318、46)的变形例的示意图。在图17中，作为温度检测器，将图4的热电偶402作为热敏相机411。图4的热电偶402对喷嘴的内部的处理液的温度进行了检测，但在此，热敏相机411对喷嘴401的内部的处理液的温度进行检测。
此外，热电偶402及热敏相机411也可以不检测喷嘴的内部的处理液的温度，而对喷嘴401的温度进行检测。在该情况下，控制器30也可以利用喷嘴401的温度与喷嘴401的内部的处理液的温度的相关关系，基于喷嘴401的温度，以喷嘴401的内部的处理液的温度收敛于以目标设定温度为基准的规定的范围的方式进行控制。
此外，本实施方式的各处理的技术不限于研磨装置，也能够应用于在对多个基板连续地进行单片处理时一边高精度地控制处理液的液温一边进行处理的湿式处理装置。更具体而言，在对基板进行镀敷处理的基板镀敷装置、基板的斜角研磨装置、基板的整面背面研磨装置、利用蚀刻液处理基板的湿式蚀刻装置、剥离基板的抗蚀剂的抗蚀剂剥离装置及进行基板的显影处理的显影装置中，也能够应用于处理液的供给时间点控制等。
此外，在方法的发明中，也可以利用计算机通过自动控制来实现全部的工序(步骤)。另外，也可以一边使计算机实施各工序，一边通过人手来实施工序间的进行控制。另外，还可以通过人手来实施所有工序中的至少一部分。
以上，本发明并不限定于上述实施方式，能够在实施阶段在不脱离其主旨的范围内对构成要素进行变形而具体化。另外，通过上述实施方式所公开的多个构成要素的适当组合，能够形成各种发明。例如，也可以从实施方式所示的全部构成要素中删除几个构成要素。而且，也可以适当组合不同的实施方式中的构成要素。

Claims (12)

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
第一模块，该第一模块在基板处理工序中使用；
第二模块，该第二模块在所述第一模块之后的基板处理工序中使用；
喷嘴，该喷嘴设置于所述第二模块，并用于供给对象处理液；
温度检测器，该温度检测器对所述喷嘴的内部的处理液的温度或所述喷嘴的温度进行检测；
基板检测传感器，该基板检测传感器用于对基板的位置进行检测；以及
控制器，该控制器根据由所述温度检测器检测出的处理液的温度和所述基板的位置，对基板输送到所述第二模块之前实施的所述对象处理液从所述喷嘴的排出进行控制。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在由所述基板检测传感器检测出基板位于所述第一模块的情况下，所述控制器根据由所述温度检测器检测出的温度，对基板输送到所述第二模块之前实施的所述对象处理液从所述喷嘴的排出进行控制。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
作为所述基板检测传感器，具有对所述第一模块中的基板的存在的有无进行检测的第一基板检测传感器，
所述控制器以如下方式进行控制：在由所述第一基板检测传感器检测出基板的时间点由所述温度检测器检测出的温度小于目标设定温度的情况下，从所述喷嘴排出所述对象处理液。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
作为所述基板检测传感器，具有设置于所述第二模块并对基板的存在的有无进行检测的第二基板检测传感器，
所述控制器以如下方式进行控制：在由所述第一基板检测传感器检测出基板的时间点由所述温度检测器检测出的温度小于目标设定温度、并且未由所述第二基板检测传感器检测出所述基板的情况下，从所述喷嘴排出所述对象处理液。
5.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制器以如下方式进行控制：在由所述温度检测器检测出的温度比目标设定温度低且比低于所述目标设定温度的下限设定温度高的情况下，在基板不存在于所述第一模块的时间点从所述喷嘴排出所述处理液，
所述控制器以如下方式进行控制：在由所述温度检测器检测出的温度比所述下限设定温度低的情况下，在所述第一模块中的处理工序结束之前的设定时间点，从所述喷嘴排出所述对象处理液。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第一模块是研磨模块，
所述处理工序结束之前的设定时间点是主研磨工序结束的时间点。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在由第一基板检测传感器检测出基板且由所述温度检测器检测出的温度小于目标设定温度的情况下，当由第二基板检测传感器检测出基板时，所述控制器进行控制以进行通知。
8.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制器以如下方式进行控制：根据由所述温度检测器检测出的温度来决定所述排出的实施时间点及持续时间，并按照该排出的实施时间点及持续时间从所述喷嘴排出所述对象处理液。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，
还具备存储装置，该存储装置按所述喷嘴内的处理液的温度或该喷嘴的温度，存储有所述处理液从该温度达到目标设定温度所需的分配持续时间，
所述控制器以如下方式进行控制：在由所述基板检测传感器检测出基板位于所述第一模块的情况下，从所述存储装置取得与由所述温度检测器检测出的温度对应的分配持续时间，并从比所述第二模块中的基板处理开始预想时刻提前该分配持续时间以上的时刻起，从所述喷嘴排出对象处理液并持续该分配持续时间以上。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述存储装置中对于处理液的种类及所述喷嘴内的处理液的温度或该喷嘴的温度，除了所述处理液从该温度达到该目标设定温度所需的分配持续时间以外还关联地存储有目标设定温度，
所述控制器从存储装置取得与在所述第一模块设置有基板的情况下由所述温度检测器检测出的温度及所述第二模块中的处理液的种类对应的分配持续时间作为所述分配持续时间。
11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，还具备：
供给配管，该供给配管向所述喷嘴供给处理液；以及
阀，该阀设置于所述供给配管，
进行控制以从所述喷嘴排出所述处理液的情况是指进行控制以打开所述阀的情况。
12.一种控制方法，所述控制方法是基板处理装置的控制方法，所述基板处理装置具备：第一模块，该第一模块在基板处理工序中使用；第二模块，该第二模块在所述第一模块之后的基板处理工序中使用；喷嘴，该喷嘴设置于所述第二模块，并用于供给对象处理液；温度检测器，该温度检测器对所述喷嘴的内部的处理液的温度或所述喷嘴的温度进行检测；以及基板检测传感器，该基板检测传感器用于检测基板的位置，其特征在于，
所述控制方法具有如下步骤：控制器根据由所述温度检测器检测出的处理液的温度和所述基板的位置，对基板输送到所述第二模块之前的所述对象处理液从所述喷嘴的排出进行控制。
CN202211695806.8A 2021-12-28 2022-12-28 基板处理装置及控制方法 Pending CN116364594A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021214690A JP2023098130A (ja) 2021-12-28 2021-12-28 基板処理装置及び基板処理方法
JP2021-214690 2021-12-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116364594A true CN116364594A (zh) 2023-06-30

Family

ID=86897212

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211695806.8A Pending CN116364594A (zh) 2021-12-28 2022-12-28 基板处理装置及控制方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20230207339A1 (zh)
JP (1) JP2023098130A (zh)
KR (1) KR20230100638A (zh)
CN (1) CN116364594A (zh)
TW (1) TW202326888A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117238754A (zh) * 2023-11-16 2023-12-15 迈为技术(珠海)有限公司 一种晶圆解键合清洗方法及喷液清洗设备

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6418555B2 (ja) * 2015-06-18 2018-11-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6942660B2 (ja) * 2018-03-09 2021-09-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法
KR20210134823A (ko) * 2019-03-29 2021-11-10 램 리써치 코포레이션 기판 프로세싱 시스템들을 위한 모델 기반 스케줄링
JP2022039827A (ja) * 2020-08-28 2022-03-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117238754A (zh) * 2023-11-16 2023-12-15 迈为技术(珠海)有限公司 一种晶圆解键合清洗方法及喷液清洗设备
CN117238754B (zh) * 2023-11-16 2024-04-12 迈为技术(珠海)有限公司 一种晶圆解键合清洗方法及喷液清洗设备

Also Published As

Publication number Publication date
US20230207339A1 (en) 2023-06-29
TW202326888A (zh) 2023-07-01
KR20230100638A (ko) 2023-07-05
JP2023098130A (ja) 2023-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1719161B1 (en) Polishing apparatus
US20090209175A1 (en) Polishing apparatus and substrate processing method
CN116364594A (zh) 基板处理装置及控制方法
CN107086190B (zh) 基板清洗装置和基板处理装置
KR102144158B1 (ko) 기판 처리 장치
TW200941570A (en) Polishing method and polishing apparatus
US20210039142A1 (en) Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method
US20240308021A1 (en) Chemical mechanical polishing method
US6595220B2 (en) Apparatus for conveying a workpiece
US10376929B2 (en) Apparatus and method for polishing a surface of a substrate
US20230023260A1 (en) Substrate cleaning system and substrate cleaning method
TW202037457A (zh) 熱交換器的清洗裝置、及研磨裝置
US9731322B2 (en) Plating apparatus, plating method and storage medium having plating program stored thereon
CN117157741A (zh) 具有整合基板对准台的干燥系统
JP2004010961A (ja) 基板処理装置
JP2007305884A (ja) 研磨方法
US20210280475A1 (en) Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
CN114649235A (zh) 基板处理方法和基板处理装置
US20210050232A1 (en) Wafer cleaning apparatus and operation method of the same
JP2007305883A (ja) 研磨方法
KR20040070602A (ko) 웨이퍼 이송 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication