CN116344299A - 一种定向离子束刻蚀设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种定向离子束刻蚀设备，所述定向离子束刻蚀设备包括离子源、承载台及位于所述离子源与所述承载台之间且具有贯通槽的离子射线隔离罩，通过所述定向离子束刻蚀设备，可使得所述离子源提供的所述离子射线，通过所述贯通槽作用于待刻蚀的晶圆的表面，以对所述晶圆进行刻蚀，从而本发明无需使用光刻胶，即可以实现对所述晶圆的定向刻蚀，以满足制程工艺的开发，且可节省生产制程步骤和人力及物力的成本。

Description

一种定向离子束刻蚀设备
技术领域
本发明属于半导体制造领域，涉及一种定向离子束刻蚀设备。
背景技术
刻蚀(etching)是半导体制造工艺、微电子制造工艺以及微纳米级制造工艺中的一种相当重要的步骤，是与光刻相联系的图形化(pattern)处理的一种主要工艺。
刻蚀最简单最常用分类是：干法刻蚀(dry etching)和湿法刻蚀(wet etching)。其中，湿法刻蚀的优点是：选择性好、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低，缺点是：钻刻严重、对图形的控制性较差、不能用于小的特征尺寸、会产生大量的化学废液；干法刻蚀的优点是：各向异性好、选择比高、可控性，灵活性，重复性好、细线条操作安全、易实现自动化、无化学废液、处理过程未引入污染、洁净度高，缺点是：成本高、设备复杂。
参附图1，显示为现有技术中，在半导体制造中，离子轰击蚀刻机在刻蚀晶圆时的结构示意图，其中，由离子源10解离的气体的离子射线20对位于承载台30上的晶圆40的表面进行轰击，以达到刻蚀晶圆30的效果，但因离子源10是固定的，所以工艺过程中是对整片晶圆40一起进行刻蚀，如果要实现定向精准刻蚀，需要在晶圆40的表面形成具有特殊形貌的光刻胶50，即在形成具有图像化的光刻胶50后，通过光刻胶50形成对晶圆40的覆盖后，再通过离子射线20对晶圆40的表面进行轰击刻蚀。
然而，在微机电系统(MEMS，Micro-Electro-Mechanical System)等一些特殊器件设计中，有时只需对晶圆的很小的一部分区域进行刻蚀，因此，目前的操作方式大多为采用图形化的光刻胶进行覆盖式的刻蚀方式，这种光刻胶覆盖式的刻蚀方法，对于一些量产的产品类型来说，虽然只有部分区域需要刻蚀，但仍需要使用大量的光刻胶进行图形化的覆盖，不仅费用较高，也增加了工艺制程的步骤，使得整个工艺制程的生产成本较高。
因此，提供一种定向离子束刻蚀设备，实属必要。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种定向离子束刻蚀设备，用于解决现有技术中在干法刻蚀时，采用光刻胶覆盖法进行刻蚀所带来的费用及工艺复杂的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种定向离子束刻蚀设备，所述定向离子束刻蚀设备包括：
离子源，所述离子源提供离子射线；
承载台，所述承载台位于所述离子源下方，通过所述承载台承载待刻蚀的晶圆；
离子射线隔离罩，所述离子射线隔离罩位于所述离子源与所述承载台之间，且所述离子射线隔离罩上设置有贯通槽，所述离子源提供的所述离子射线，通过所述贯通槽作用于所述晶圆的表面，以对所述晶圆进行刻蚀。
可选地，所述离子射线隔离罩为表面具有三氧化二钇涂层的离子射线隔离罩。
可选地，所述离子射线隔离罩包括平面型离子射线隔离罩。
可选地，所述离子射线隔离罩包括具有圆弧面的圆弧型离子射线隔离罩或边缘具有倾斜面的倾斜型离子射线隔离罩，通过所述圆弧面及所述倾斜面反射所述离子射线。
可选地，所述贯通槽的形貌包括圆孔及条形槽中的一种或组合。
可选地，所述贯通槽的尺寸的范围为1mm-10mm。
可选地，所述定向离子束刻蚀设备包括离子轰击刻蚀机、等离子体刻蚀机及反应离子刻蚀机中的一种。
如上所述，本发明的定向离子束刻蚀设备，所述定向离子束刻蚀设备包括离子源、承载台及位于所述离子源与所述承载台之间且具有贯通槽的离子射线隔离罩，通过所述定向离子束刻蚀设备，可使得所述离子源提供的所述离子射线，通过所述贯通槽作用于待刻蚀的晶圆的表面，以对所述晶圆进行刻蚀，从而本发明无需使用光刻胶，即可以实现对所述晶圆的定向刻蚀，以满足制程工艺的开发，且可节省生产制程步骤和人力及物力的成本。
附图说明
图1显示为现有技术中定向离子束刻蚀设备在刻蚀晶圆时的结构示意图。
图2显示为本发明中的定向离子束刻蚀设备在刻蚀晶圆时的结构示意图。
图3显示为本发明中的定向离子束刻蚀方法的工艺流程示意图。
元件标号说明
10 离子源
20 离子射线
30 承载台
40 晶圆
50 光刻胶
100 离子源
200 离子射线
201 第一离子射线
202 第二离子射线
300 承载台
400 晶圆
600 离子射线隔离罩
601 贯通槽
S1～S4 步骤
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
如在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
为了方便描述，此处可能使用诸如“之下”、“下方”、“低于”、“下面”、“上方”、“上”等的空间关系词语来描述附图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解到，这些空间关系词语意图包含使用中或操作中的器件的、除了附图中描绘的方向之外的其他方向。此外，当一层被称为在两层“之间”时，它可以是所述两层之间仅有的层，或者也可以存在一个或多个介于其间的层。本文使用的“介于……之间”表示包括两端点值。
在本申请的上下文中，所描述的第一特征在第二特征“之上”的结构可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例，这样第一和第二特征可能不是直接接触。
需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，其组件布局型态也可能更为复杂。
如图2所示，本实施例提供一种定向离子束刻蚀设备，所述定向离子束刻蚀设备包括：
离子源100，所述离子源100提供离子射线200；
承载台300，所述承载台300位于所述离子源100下方，通过所述承载台300承载待刻蚀的晶圆400；
离子射线隔离罩600，所述离子射线隔离罩600位于所述离子源100与所述承载台300之间，且所述离子射线隔离罩600上设置有贯通槽601，所述离子源100提供的所述离子射线200中的第二离子射线202，通过所述贯通槽601作用于所述晶圆400的表面，以对所述晶圆400进行刻蚀。
具体的，参阅图2，本实施例中，所述定向离子束刻蚀设备设置有带有所述贯通槽601的所述离子射线隔离罩600，从而，自所述离子源100发射的所述离子射线200在通过所述离子射线隔离罩600时，会分为两路进行传输，即所述离子射线200划分为被所述离子射线隔离罩600阻挡的第一离子射线201，以及通过所述贯通槽601传输至所述晶圆400的表面的第二离子射线202，从而通过所述第二离子射线202可实现对所述晶圆400的表面的局部区域的刻蚀，从而本实施例无需使用光刻胶，即可以实现对所述晶圆400的定向刻蚀，可满足制程工艺的开发，且可节省生产制程步骤和人力及物力的成本。
作为示例，所述定向离子束刻蚀设备可包括离子轰击刻蚀机、等离子体刻蚀机及反应离子刻蚀机中的一种。
具体的，在半导体干法刻蚀中，主要包括通过物理作用的离子束轰击刻蚀、通过化学作用的等离子刻蚀，以及通过物理及化学作用的反应离子刻蚀，其基本原理均为将气体形成离子体，通过离子体作用于晶圆的表面，以实现对晶圆的刻蚀。
本实施例中，所述定向离子束刻蚀设备采用所述离子轰击刻蚀机作为示例，即所述离子轰击刻蚀机中具有定向的所述离子源100，且所述离子源100所提供的所述离子射线200为由惰性气体氩气(Ar)所提供的Ar离子，但所述定向离子束刻蚀设备的种类并非局限于此，即根据需要所述离子束刻蚀设备也可采用等离子体刻蚀机或反应离子刻蚀机，此处不作过分限制，只需根据具体设备种类，进行设备改装，使得所述离子源100提供的所述离子射线200可根据需要划分为未透过所述离子射线隔离罩600的第一离子射线201，以及通过所述离子射线隔离罩600传输至所述晶圆400的表面的第二离子射线202即可，具体设置此处不作过分限制。
作为示例，所述离子射线隔离罩600为表面具有三氧化二钇涂层的离子射线隔离罩。
具体的，三氧化二钇也称为氧化钇，化学式为Y2O3，其是一种高质量的耐火材料，具有良好的高频性能，将其涂覆于所述离子射线隔离罩600的表面，可使得所述离子射线隔离罩600在进行对所述晶圆400的刻蚀时，可有效避免所述离子射线隔离罩600受所述离子射线200的轰击，在设备腔体中产生对所述晶圆400的质量有所影响的杂质，从而具有三氧化二钇涂层的所述离子射线隔离罩600，可降低对制程的影响，提高后续制备的所述晶圆400的质量。
作为示例，所述离子射线隔离罩600可包括平面型离子射线隔离罩，进一步的所述离子射线隔离罩600还可包括具有圆弧面的圆弧型离子射线隔离罩或边缘具有倾斜面的倾斜型离子射线隔离罩，从而通过所述圆弧面及所述倾斜面反射所述离子射线200。
具体的，如图2，本实施例中，优选所述离子射线隔离罩600采用具有圆弧面的所述圆弧型离子射线隔离罩，且外突的所述圆弧面面向于所述离子源100，以便于所述离子源100发射的未通过所述贯通槽601的所述第一离子射线201在反射时，可扩大反射范围，以减小反射回所述离子源100上的离子射线的总量，从而可降低对所述离子源100的损伤。但所述离子射线隔离罩600的种类并非局限于此，根据需要，所述离子射线隔离罩600也可采用平面型离子射线隔离罩或边缘具有倾斜面的所述倾斜型离子射线隔离罩，此处不作过分限制。其中，边缘具有倾斜面的所述倾斜型离子射线隔离罩的作用与所述圆弧型离子射线隔离罩相同，此处不作赘述。
作为示例，所述贯通槽601的形貌可包括圆孔及条形槽中的一种或组合。
具体的，根据制程需要，可在所述离子射线隔离罩600中，灵活的设置所述贯通槽601的分布及形貌，如所述贯通槽601的形貌可包括圆孔及条形槽中的一种或将两种进行组合，以形成满足制程需要的图形化的离子射线隔离罩。关于所述贯通槽601的形貌此处不作过分限制。
作为示例，所述贯通槽601的尺寸的范围为1mm-10mm。
具体的，根据所述晶圆400的刻蚀制程的需要，所述贯通槽601的尺寸可进行灵活变动，其中，所述贯通槽601的尺寸可为1mm、2mm、5mm、10mm等。
本实施例中，所述晶圆400优选为MEMS晶圆，如具有硅和碳化硅材质的MEMS晶圆，但所述晶圆400的种类并非局限于此，本实施例中，仅以MEMS晶圆作为示例进行说明，在工艺制程中，根据需要所述晶圆400也可采用其他晶圆类型。如在所述MEMS晶圆制程中，通常需要厚度约为10mm-30mm、表面平整的MEMS晶圆，但在制程工艺中，难免会有表面平整度超标的产品，如在完成沟槽填充等工艺后，所述MEMS晶圆的表面平整度难以达到制程需求。因此，在通过本实施例中的所述离子束刻蚀设备，可有效的、定向的对所述MEMS晶圆的表面进行减薄操作，以满足制程需要，如可通过贯穿所述贯通槽601的所述第二离子射线202对需要刻蚀的所述MEMS晶圆的表面进行离子束削减，如减薄70nm等，以获得表面平面度较高的所述MEMS晶圆，从而本实施例通过所述离子射线隔离罩600可实现定向刻蚀，达到制程工艺的需求，且节省工艺步骤和生产成本。
如图2及图3，本实施例还提供一种定向离子束刻蚀方法，所述定向离子束刻蚀方法包括以下步骤：
S1：提供定向离子束刻蚀设备，所述定向离子束刻蚀设备包括离子源100、承载台300及位于所述离子源100与所述承载台300之间的离子射线隔离罩600，且所述离子射线隔离罩600上设置有贯通槽601；
S2：提供待刻蚀的晶圆400，将所述晶圆400置于所述承载台300上；
S3：通过所述离子源100提供离子射线200；
S4：通过贯穿所述贯通槽601的所述离子射线200中的第二离子射线202对所述晶圆400进行刻蚀。
具体的，所述离子射线隔离罩600优选为表面具有三氧化二钇涂层的离子射线隔离罩；所述离子射线隔离罩600可包括平面型离子射线隔离罩、具有圆弧面的圆弧型离子射线隔离罩及边缘具有倾斜面的倾斜型离子射线隔离罩中的一种，且在所述圆弧型离子射线隔离罩及所述倾斜型离子射线隔离罩中，通过所述圆弧面及所述倾斜面反射所述离子射线200。有关所述定向离子束刻蚀设备的结构，可参阅上述内容，此处不作赘述。
其中，所述晶圆400可包括MEMS晶圆；所述离子射线200通过所述离子射线隔离罩600上的所述贯通槽601后，即所述第二离子射线202对所述晶圆400进行刻蚀的尺寸范围可为1mm-10mm。
本实施例中，所述晶圆400优选为MEMS晶圆，如具有硅和碳化硅材质的MEMS晶圆，但所述晶圆400的种类并非局限于此，本实施例中，仅以MEMS晶圆作为示例进行说明，在工艺制程中，根据需要所述晶圆400也可采用其他晶圆类型。其中，在所述MEMS晶圆制程中，通常需要厚度约为10mm-30mm、表面平整的MEMS晶圆，但在制程工艺中，难免会有表面平整度超标的产品，如在完成沟槽填充等工艺后，所述MEMS晶圆的表面平整度难以达到制程需求。因此，在通过本实施例中的所述离子束刻蚀设备及刻蚀方法后，可有效的、定向的对所述MEMS晶圆的表面进行减薄操作，以满足制程需要，如可通过贯穿所述贯通槽601的第二离子射线202对需要刻蚀的所述MEMS晶圆的表面进行离子束削减，如减薄70nm等，以获得表面平面度较高的所述MEMS晶圆，而无需刻蚀的所述晶圆400的表面，则因所述离子射线隔离罩600的阻挡，使得部分第一离子射线201，无法作用于所述晶圆400的表面，从而实现对所述晶圆400的局部区域的定向刻蚀，以达到制程工艺的需求，且节省工艺步骤和生产成本。
综上所述，本发明的定向离子束刻蚀设备，所述定向离子束刻蚀设备包括离子源、承载台及位于所述离子源与所述承载台之间且具有贯通槽的离子射线隔离罩，通过所述定向离子束刻蚀设备，可使得所述离子源提供的所述离子射线，通过所述贯通槽作用于待刻蚀的晶圆的表面，以对所述晶圆进行刻蚀，从而本发明无需使用光刻胶，即可以实现对所述晶圆的定向刻蚀，以满足制程工艺的开发，且可节省生产制程步骤和人力及物力的成本。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (7)

1.一种定向离子束刻蚀设备，其特征在于，所述定向离子束刻蚀设备包括：
离子源，所述离子源提供离子射线；
承载台，所述承载台位于所述离子源下方，通过所述承载台承载待刻蚀的晶圆；
离子射线隔离罩，所述离子射线隔离罩位于所述离子源与所述承载台之间，且所述离子射线隔离罩上设置有贯通槽，所述离子源提供的所述离子射线，通过所述贯通槽作用于所述晶圆的表面，以对所述晶圆进行刻蚀。
2.根据权利要求1所述的定向离子束刻蚀设备，其特征在于：所述离子射线隔离罩为表面具有三氧化二钇涂层的离子射线隔离罩。
3.根据权利要求1所述的定向离子束刻蚀设备，其特征在于：所述离子射线隔离罩包括平面型离子射线隔离罩。
4.根据权利要求1所述的定向离子束刻蚀设备，其特征在于：所述离子射线隔离罩包括具有圆弧面的圆弧型离子射线隔离罩或边缘具有倾斜面的倾斜型离子射线隔离罩，通过所述圆弧面及所述倾斜面反射所述离子射线。
5.根据权利要求1所述的定向离子束刻蚀设备，其特征在于：所述贯通槽的形貌包括圆孔及条形槽中的一种或组合。
6.根据权利要求1所述的定向离子束刻蚀设备，其特征在于：所述贯通槽的尺寸的范围为1mm-10mm。
7.根据权利要求1所述的定向离子束刻蚀设备，其特征在于：所述定向离子束刻蚀设备包括离子轰击刻蚀机、等离子体刻蚀机及反应离子刻蚀机中的一种。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116798844A (zh) * 2023-08-29 2023-09-22 江苏鹏举半导体设备技术有限公司 离子发生装置及粒子移除方法
CN116798844B (zh) * 2023-08-29 2023-11-10 江苏鹏举半导体设备技术有限公司 离子发生装置及粒子移除方法

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