CN116343831A - 磁盘装置及dol的设定方法 - Google Patents

Abstract

提供能够提高可靠性的磁盘装置及DOL的设定方法。本实施方式涉及的磁盘装置具备：盘；头，其对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及控制器，其将对于第1扇区组的第1DOL和对于第2扇区组的第2DOL设定为不同的值，所述第1扇区组包括能够基于第1奇偶校验扇区执行以磁道为单位的纠错处理的从所述第1奇偶校验扇区起在所述盘的圆周方向上连续的至少一个第1扇区和所述第1奇偶校验扇区，所述第2扇区组包括无法执行以磁道为单位的纠错处理的在所述圆周方向上连续的至少一个第2扇区。

Description

磁盘装置及DOL的设定方法

本申请享有以日本特许申请2021-207845号(申请日：2021年12月22日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及磁盘装置及DOL的设定方法。

背景技术

磁盘装置能够具有如下的纠错功能：在无法通过与该扇区对应的纠正码对该扇区进行纠正(挽救或者修复)的情况下，基于与包含该扇区的磁道对应的奇偶校验扇区(parity sector)，对该扇区进行纠正。磁盘装置将对预定磁道的各扇区进行异或(Exclusive OR：XOR)运算而得到的结果作为奇偶校验扇区，写入到该磁道。磁盘装置在该磁道的预定扇区中检测出错误的情况下，执行基于与该磁道对应的奇偶校验扇区来通过纠错码(Error Correction Code)纠正错误的纠错处理(以下有时也称为磁道ECC处理)。在磁盘装置以常规记录(Conventional Magnetic Recording：CMR)型式随机地对包含奇偶校验扇区的磁道的一部分覆写(overwrite)了数据的情况下，磁盘装置有可能无法对该磁道执行磁道ECC处理。

磁盘装置对作为对象的磁道(以下有时也称为对象磁道)设定DOL(Drift oflevel，水平漂移)或者WOS(Write off track Slice，写入偏离磁道限幅)，该DOL或者WOS是对象磁道的从作为目标的位置(以下有时也称为目标位置)、例如磁道中央向盘的半径方向的偏移量的上限值。

另外，在磁盘装置中，在写入了数据的情况下，因来自头的漏磁等的影响(Adjacent Track Interference(邻近磁道干扰)：ATI)，可能发生数据被擦除的侧面擦除(side erase)。ATI例如根据头的特性、TPI(Track Per Inch(每英寸磁道量))设定值以及写电流设定值等而不同。为了防止侧面擦除，磁盘装置具有如下的功能(刷新功能)：在对预定磁道的周边磁道写入了数据的次数达到了规定次数的情况下，对预定磁道的数据进行重写。

发明内容

本发明的实施方式提供能够提高可靠性的磁盘装置及DOL的设定方法。

本实施方式涉及的磁盘装置具备：盘；头，其对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及控制器，其将对于第1扇区组的第1DOL和对于第2扇区组的第2DOL设定为不同的值，所述第1扇区组包括能够基于第1奇偶校验扇区执行以磁道为单位的纠错处理的从所述第1奇偶校验扇区起在所述盘的圆周方向上连续的至少一个第1扇区和所述第1奇偶校验扇区，所述第2扇区组包括无法执行以磁道为单位的纠错处理的在所述圆周方向上连续的至少一个第2扇区。

附图说明

图1是表示实施方式涉及的磁盘装置的构成的框图。

图2是表示实施方式涉及的头相对于盘的配置的一个例子的示意图。

图3是表示磁道ECC处理的一个例子的示意图。

图4是表示磁道ECC处理的一个例子的示意图。

图5是表示磁道ECC处理的一个例子的示意图。

图6是表示实施方式涉及的低DOL以及高DOL和低不可恢复(unrecoverable)阈值UTH1的一个例子的示意图。

图7是表示本实施方式涉及的DOL的一个例子的示意图。

图8是表示本实施方式涉及的DOL的一个例子的示意图。

图9是表示本实施方式涉及的DOL的一个例子的示意图。

图10是表示本实施方式涉及的DOL的设定方法的一个例子的流程图。

图11是表示本实施方式涉及的写处理的一个例子的流程图。

图12是表示变形例1涉及的磁盘装置的构成的框图。

图13是表示变形例1涉及的刷新阈值的一个例子的示意图。

图14是表示本实施方式涉及的刷新阈值的设定方法的一个例子的流程图。

图15是表示本实施方式涉及的可纠正区域的写处理的一个例子的流程图。

图16是表示变形例2涉及的磁盘装置的构成的框图。

图17是表示变形例2涉及的转存处理的一个例子的示意图。

图18是表示变形例2涉及的转存处理的一个例子的流程图。

图19是表示变形例2涉及的转存处理的一个例子的流程图。

标号说明

1磁盘装置、10磁盘、10a用户数据区域、10b系统区、12主轴马达(SPM)、13臂、14音圈马达(VCM)、16致动器、15头、15W写入头、15R读取头、20驱动器IC、30头放大器IC、40读/写(R/W)通道、50硬盘控制器(HDC)、60微处理器(MPU)、70易失性存储器、80非易失性存储器、90缓冲存储器、100主机系统(主机)、130系统控制器。

具体实施方式

以下，参照附图对实施方式进行说明。此外，附图是一个例子，并不限定发明的范围。

(实施方式)

图1是表示实施方式涉及的磁盘装置1的构成的框图。

磁盘装置1具备后述的头盘组件(HDA)、驱动器IC20、头放大器集成电路(以下有时也称为头放大器IC或者前置放大器)30、易失性存储器70、非易失性存储器80、缓冲存储器(缓存)90以及作为单芯片的集成电路的系统控制器130。另外，磁盘装置1与主机系统(以下简称为主机)100连接。

HDA具有磁盘(以下有时也称为盘)10、主轴马达(以下有时也称为SPM)12、搭载了头15的臂13以及音圈马达(以下有时也称为VCM)14。盘10安装于SPM12，通过SPM12的驱动进行旋转。臂13和VCM14构成致动器。致动器通过VCM14的驱动，将搭载于臂13的头15移动控制到盘10的预定位置。盘10和头15也可以设置有2个以上的数量。另外，致动器也可以设置有2个以上。

盘10在能够写入数据的区域分配有能由用户利用的用户数据区域10a、和记录系统管理所需要的信息的系统区10b。此外，在盘10也可以分配有在将从主机100等传送来的数据(或者命令)写入到用户数据区域10a的预定区域之前暂时性地对其进行保持的媒体缓存(有时也称为媒体缓存区域)来作为与用户数据区域10a和系统区10b不同的区域。以下，将从盘10的内周朝向外周的方向、或者从盘10的外周朝向内周的方向称为半径方向。在半径方向上，将从内周朝向外周的方向称为外方向(或者外侧)，将从外周朝向内周的方向、也即是与外方向相反的方向称为内方向(或者内侧)。将与盘10的半径方向正交的方向称为圆周方向。即，圆周方向相当于沿着盘10的圆周的方向。另外，有时也将盘10的半径方向上的预定位置称为半径位置，将盘10的圆周方向上的预定位置称为圆周位置。有时也将半径位置和圆周位置一并简称为位置。盘10被按半径方向上的各预定范围区分为多个区域(以下有时也称为区段(zone)或者区段区域)。区段包括多个磁道。磁道包括多个扇区。此外，“磁道”以如下含义来使用：将盘10在半径方向上按各预定范围进行区分而得到的多个区域中的一个区域、将盘10在半径方向上按各预定范围进行区分而得到的多个区域中的一个区域所写入的数据、在盘10的预定的半径位置沿着圆周方向延伸的区域、在盘10的预定的半径位置沿着圆周方向延伸的区域中所写入的数据、盘10的预定的半径位置的1周量的区域、盘10的预定的半径位置的1周量的区域中所写入的1周量的数据、定位于盘10的预定的半径位置来进行写入的头15的路径、通过定位于盘10的预定的半径位置的头15进行了写入的数据、盘10的预定的磁道中所写入的数据等其它各种含义。“扇区”以如下含义来使用：将盘10的预定磁道在圆周方向上区分而得到的多个区域中的一个区域、将盘10的预定磁道在圆周方向上区分而得到的多个区域中的一个区域所写入的数据、盘10的预定的半径位置处的预定的圆周位置的区域、盘10的预定的半径位置处的预定的圆周位置的区域中所写入的数据、盘10的预定扇区中所写入的数据等其它各种含义。有时也将“磁道的半径方向上的宽度”称为“磁道宽度”。有时也将磁道宽度的中心位置称为磁道中央(center)。有时也将磁道中央简称为磁道。另外，有时也将“扇区的半径方向上的宽度”称为“扇区宽度”。有时也将扇区宽度的中心位置称为扇区中央。有时也将扇区中央简称为扇区。磁道中央具有多个扇区中央。

头15将滑块作为主体，具备安装于该滑块的写入头15W和读取头15R。写入头15W向盘10写入数据。例如，写入头15W对盘10进行预定磁道的写入。读取头15R读取记录于盘10的数据。例如，读取头15R对盘10的预定磁道进行读取。此外，既有时将“写入头15W”简称为“头15”，也有时将“读取头15R”简称为“头15”。另外，有时也将“写入头15W和读取头15R”一并称为“头15”。有时也将“头15的中心部”称为“头15”，将“写入头15W的中心部”称为“写入头15W”，将“读取头15R的中心部”称为“读取头15R”。既有时将“写入头15W的中心部”简称为“头15”，也有时将“读取头15R的中心部”简称为“头15”。有时也以“将头15定位于预定位置”、“将头15配置于预定位置”或者“使头15位于预定位置”等来表达“将头15的中心部定位于预定位置”。有时也以“将头15定位于预定区域”、“将头15配置于预定区域”、“使头15位于预定区域”、“定位于预定区域”、“配置于预定区域”或者“位于预定区域”等来表达“将头15的中心部定位于预定区域的作为目标的位置(以下有时也称为区域目标位置)、例如预定区域的半径方向上的中心”。有时也以“将头15定位于预定磁道”、“将头15配置于预定磁道”、“使头15位于预定磁道”、“定位于磁道”、“配置于磁道”或者“位于磁道”等来表达“将头15的中心部定位于预定磁道的作为目标的位置(以下有时也称为磁道目标位置)、例如磁道中央”。

图2是表示本实施方式涉及的头15相对于盘10的配置的一个例子的示意图。如图2所示，在圆周方向上，将盘10旋转的方向称为旋转方向。此外，在图2所示的例子中，旋转方向由逆时针的方向表示，但也可以是相反(顺时针)的方向。

头15相对于盘10通过VCM14的驱动来绕旋转轴进行旋转，从内方向向外方向移动至预定位置，或者从外方向向内方向移动。

在图2所示的例子中，在盘10中，系统区10b配置在用户数据区域10a的外方向上。换言之，在盘10中，用户数据区域10a配置在系统区10b的内方向上。在图2所示的例子中，系统区10b配置在盘10的最外周。此外，用户数据区域10a也可以在盘10的半径方向上分割而配置。另外，系统区10b也可以配置在与图2所示的位置不同的位置。例如在盘10中，系统区10b既可以配置在多个用户数据区域10a之间，也可以配置在盘10的最内周。

驱动器IC20按照系统控制器130(详细而言为后述的MPU60)的控制，对SPM12和VCM14的驱动进行控制。

头放大器IC(前置放大器)30具备读放大器和写驱动器等。读放大器对从盘10读取到的读信号进行放大，并输出至系统控制器130(详细而言为后述的读/写(R/W)通道40)。写驱动器向头15输出与从R/W通道40输出的信号相应的写电流。

易失性存储器70是当电力供给切断时所储存的数据会丢失的半导体存储器。易失性存储器70储存磁盘装置1的各部的处理所需要的数据等。易失性存储器70例如为DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机访问存储器)或者SDRAM(SynchronousDynamic Random Access Memory，同步动态随机访问存储器)。

非易失性存储器80是即使电力供给切断、也记录所储存的数据的半导体存储器。非易失性存储器80例如为NOR型或者NAND型的闪速ROM(Flash Read Only Memory(闪速只读存储器)：FROM)。

缓冲存储器90是暂时性地记录在磁盘装置1与主机100之间收发的数据等的半导体存储器。此外，缓冲存储器90也可以与易失性存储器70一体地构成。缓冲存储器90例如为DRAM、SRAM(Static Random Access Memory，静态随机访问存储器)、SDRAM、FeRAM(Ferroelectric Random Access memory，铁电随机访问存储器)或者MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory，磁阻随机访问存储器)等。

系统控制器(控制器)130例如使用多个元件集成于单一芯片的被称为片上系统(System-on-a-Chip(SoC))的大规模集成电路(LSI)来实现。系统控制器130包括读/写(R/W)通道40、硬盘控制器(HDC)50以及微处理器或微处理单元(MPU)60。系统控制器130例如与驱动器IC20、头放大器IC30、易失性存储器70、非易失性存储器80、缓冲存储器90以及主机系统100等电连接。

R/W通道40按照来自后述的MPU60的指示，执行从盘10传送至主机100的数据(以下有时也称为读数据)和从主机100传送的数据(以下有时也称为写数据)的信号处理。R/W通道40具有对写数据进行调制的电路或者功能。R/W通道40具有对读数据的信号品质进行测定以及解调的电路或者功能。R/W通道40例如与头放大器IC30、HDC50以及MPU60等电连接。

HDC50对数据传送进行控制。例如，HDC50按照来自后述的MPU60的指示，对主机100与盘10之间的数据传送进行控制。HDC50例如与R/W通道40、MPU60、易失性存储器70、非易失性存储器80以及缓冲存储器90等电连接。

MPU60是对磁盘装置1的各部进行控制的主控制器。MPU60经由驱动器IC20对VCM14进行控制，执行进行头15的定位的伺服控制。MPU60经由驱动器IC20对SPM12进行控制，使盘10进行旋转。MPU60对向盘10写入数据的写动作进行控制，并且，对从主机100传送的数据、例如写数据的储存目的地进行选择。MPU60对从盘10读取数据的读动作进行控制，并且，对从盘10传送至主机100的数据、例如读数据的处理进行控制。另外，MPU60对记录数据的区域进行管理。MPU60与磁盘装置1的各部连接。MPU60例如与驱动器IC20、R/W通道40以及HDC50等电连接。

MPU60具有读/写控制部610、错误检测部620、纠错部630、奇偶校验扇区管理部640以及偏离磁道(off-track)管理部650等。MPU60在固件上执行各部、例如读/写控制部610、错误检测部620、纠错部630、奇偶校验扇区管理部640、以及偏离磁道管理部650等的处理。此外，MPU60也可以作为电路而具有各部、例如读/写控制部610、错误检测部620、纠错部630、奇偶校验扇区管理部640以及偏离磁道管理部650等。读/写控制部610、错误检测部620、纠错部630、奇偶校验扇区管理部640以及偏离磁道管理部650等也可以包含于R/W通道40或者HDC50。

读/写控制部610按照来自主机100的命令等，对从盘10读取数据的读处理和向盘10写入数据的写处理进行控制。读/写控制部610经由驱动器IC20对VCM14进行控制，将头15定位于盘10的预定位置，执行读处理或者写处理。以下，有时也以包括向预定区域记录或者写入数据(写处理)、从预定区域读出或者读取数据(读处理)、使头15等移动至预定区域的含义来使用“访问”这一术语。

读/写控制部610例如以常规记录(Conventional Magnetic Recording：CMR)型式执行写处理，该常规记录型式为：在半径方向上从预定磁道(或者柱面)或者预定扇区空开预定间隔(间隙)而对与该磁道(或者柱面)或者该扇区相邻的其它磁道(以下有时也称为相邻磁道(或者相邻柱面))或者其它扇区(以下有时也称为相邻扇区)写入数据。“相邻磁道(或者相邻柱面)”包括“在外方向上与预定磁道(或者柱面)相邻的磁道(或者柱面)”、“在内方向上与预定磁道(或者柱面)相邻的磁道(或者相邻柱面)”以及“在外方向和内方向上与预定磁道(或者柱面)相邻的多个磁道(或者多个柱面)”。“相邻扇区”包括“在外方向上与预定扇区相邻的扇区”、“在内方向上与预定扇区相邻的扇区”以及“在外方向和内方向上与预定扇区相邻的多个扇区”。以下，有时也将“以常规记录型式写入数据”称为“常规记录”、“执行常规记录处理”或者简称为“写入”。读/写控制部610进行随机地写入数据的随机写入，进行顺序(sequential)地写入数据的顺序写入。

此外，读/写控制部610也可以以瓦记录(Shingled write Magnetic Recording：SMR或者Shingled Write Recording：SWR)型式执行写处理，该瓦记录型式为：在顺序地进行多个磁道(或者多个柱面)的写入时，与前一个进行了写入的磁道(或者多个柱面)的半径方向上的一部分重叠地进行接下来要写入的磁道(或者柱面)的写入。以下，有时也将“以瓦记录型式写入数据”称为“瓦记录”或“执行瓦记录处理”、或者简称为“写入”。

错误检测部620对产生了错误的数据、扇区以及区域等进行检测。例如，错误检测部620对无法读取的数据(以下有时也称为读错误数据或者错误数据)或者无法读取的扇区(以下有时也称为读错误扇区或者错误扇区)进行检测。错误数据和错误扇区例如可能因缺陷(defect)、头15的偏移以及相邻磁道(或者相邻柱面)的偏移等而产生。

纠错部630对错误数据或者错误扇区进行修复(纠正、挽救或者纠错)。纠错部630执行多次读取错误数据或者错误扇区的读重试。另外，纠错部630执行基于纠错码(ErrorCorrection Code)来纠正错误数据或者错误扇区的错误(error)的处理(以下有时也称为ECC处理或者纠错处理)。纠错部630基于与预定磁道(或者预定柱面)的错误数据或者错误扇区对应的ECC(以下有时也称为扇区ECC)，对该错误数据或者该错误扇区执行ECC处理(以下有时也称为扇区ECC处理)。扇区ECC处理相当于以扇区为单位的纠错或者纠错处理。

纠错部630基于与预定磁道(或者预定柱面)或者预定磁道(或者预定柱面)的一部分、例如在预定磁道(或者预定柱面)中沿着圆周方向连续地排列的多个数据或者多个扇区对应的ECC(以下有时也称为磁道ECC)，对该磁道(或者预定柱面)或者该磁道(或者预定柱面)的一部分、例如在该磁道中沿着圆周方向连续地排列的多个数据或者多个扇区的错误数据或者错误扇区执行ECC处理(以下有时也称为磁道ECC处理)。磁道ECC处理相当于以磁道为单位的纠错处理或者纠错处理。在此，对于以磁道为单位，除了以物理磁道为单位之外，也可以还包括以物理磁道以下构成的区域为单位。例如，纠错部630基于与预定磁道(或者预定柱面)或者预定磁道(或者预定柱面)的一部分对应的奇偶校验数据或者奇偶校验扇区，对该磁道(或者预定柱面)或者该磁道(或者预定柱面)的一部分错误扇区进行磁道ECC处理。纠错部630例如将与错误数据或者错误扇区关联的信息(以下有时也称为错误数据信息或者错误扇区信息)记录到预定的记录区域、例如盘10、易失性存储器70或者非易失性存储器80。

奇偶校验扇区管理部640进行异或(Exclusive OR：XOR)运算来算出奇偶校验扇区(或者奇偶校验数据)，进行奇偶校验扇区(或者奇偶校验数据)的写入，对该奇偶校验扇区(或者奇偶校验数据)进行管理。

奇偶校验扇区管理部640在对预定磁道(或者预定柱面)进行写入的情况下，对该磁道(或者该柱面)的奇偶校验扇区以外的全部扇区(或者数据)进行XOR运算来算出奇偶校验扇区(或者奇偶校验数据)，进行所算出的奇偶校验扇区(或者奇偶校验数据)的写入(或者变更)，对该奇偶校验扇区(或者奇偶校验数据)进行管理。另外，奇偶校验扇区管理部640在对预定磁道(或者预定柱面)进行一部分扇区(或者数据)的写入的情况下，读取要进行一部分扇区(或者数据)的写入的磁道(或者预定柱面)，在预定的记录区域、例如易失性存储器70等中对将与一部分扇区(或者数据)对应的扇区(或者数据)置换为一部分扇区(或者数据)后的磁道(或者柱面)的奇偶校验扇区以外的全部扇区(或者数据)进行XOR运算来算出奇偶校验扇区，对相同的磁道(或者柱面)进行置换为一部分扇区(或者数据)后的磁道(或者柱面)的奇偶校验扇区以外的全部扇区和所算出的奇偶校验扇区(或者奇偶校验数据)的写入(或者变更)，对该奇偶校验扇区(或者奇偶校验数据)进行管理。以下，有时也将“在对预定数据(以下有时也称为更新数据)进行写入的情况下，读取要写入更新数据的至少一个扇区或者磁道(柱面)，对将该至少一个扇区或者该磁道(柱面)中的与更新数据对应的数据置换为该更新数据后的该至少一个扇区或者该磁道(柱面)(以下有时也称为更新扇区或者更新磁道(更新柱面))的奇偶校验扇区以外的全部扇区(以下有时也称为更新扇区组)进行XOR运算来算出奇偶校验扇区(以下有时也称为更新奇偶校验扇区)，对相同的扇区或者磁道进行更新扇区组和更新奇偶校验扇区的写入”称为“读取修改写入”。以下，为了便于说明，有时也将“对奇偶校验扇区以外的扇区进行XOR运算”称为“对扇区进行XOR运算”。

奇偶校验扇区管理部640对预定区域的数据进行XOR运算，算出奇偶校验扇区，将所算出的奇偶校验扇区写入到盘10的预定区域。奇偶校验扇区管理部640对预定磁道(或者预定柱面)的全部扇区进行XOR运算，算出奇偶校验扇区，将所算出的奇偶校验扇区写入到该磁道(或者该柱面)。此外，奇偶校验扇区管理部640也可以对预定磁道(或者预定柱面)的一部分扇区进行XOR运算，算出奇偶校验扇区，将所算出的奇偶校验扇区写入到该磁道(或者该柱面)。例如，奇偶校验扇区管理部640也可以在预定磁道(或者预定柱面)中对因产生了缺陷等而设定或者登记为无效扇区的扇区(以下有时也称为缺陷登记扇区)以外的全部扇区(以下有时也称为有效扇区)进行XOR运算，算出奇偶校验扇区，将所算出的奇偶校验扇区写入到该磁道(或者该柱面)。缺陷登记扇区相当于在数据的记录等中不使用的扇区、例如错误扇区。有效扇区相当于在数据的记录等中使用的扇区。以下，为了便于说明，有时也将“对缺陷登记扇区以外的有效扇区进行XOR运算”称为“对扇区进行XOR运算”。

奇偶校验扇区管理部640对各磁道或者与各磁道的一部分对应的各奇偶校验扇区是为能够通过纠错、例如磁道ECC处理进行使用的有效的奇偶校验扇区(以下有时也称为有效奇偶校验扇区)、还是为无法通过纠错、例如磁道ECC处理进行使用的无效的奇偶校验扇区(以下有时也称为无效奇偶校验扇区)进行管理。

奇偶校验扇区管理部640将对预定磁道的全部有效扇区进行XOR运算而得到的奇偶校验扇区作为有效奇偶校验扇区来进行管理。奇偶校验扇区管理部640将该磁道的奇偶校验扇区作为有效奇偶校验扇区，并在预定的记录区域、例如盘10(的系统区10b)、易失性存储器70、非易失性存储器80或者缓冲存储器90中作为表(以下有时也称为管理表)TB1进行记录。奇偶校验扇区管理部640将能够基于有效奇偶校验扇区执行磁道ECC处理(或者能够纠正)的磁道或者柱面(以下有时也称为可纠正磁道或者可纠正柱面)作为管理表TB1记录于预定的记录区域、例如盘10(的系统区10b)、易失性存储器70、非易失性存储器80或者缓冲存储器90。

奇偶校验扇区管理部640将在预定磁道中对从奇偶校验扇区起在圆周方向上连续地排列的至少一个扇区、例如有效扇区(以下有时也称为后部扇区)进行写入(或者覆写)而对全部后部扇区、例如有效扇区进行XOR运算所得到的奇偶校验扇区作为有效奇偶校验扇区来进行管理。奇偶校验扇区管理部640将该磁道的奇偶校验扇区作为有效奇偶校验扇区，并在预定的记录区域、例如盘10(的系统区10b)、易失性存储器70、非易失性存储器80或者缓冲存储器90中作为管理表TB1进行记录。奇偶校验扇区管理部640将能够基于预定磁道中的有效奇偶校验扇区执行磁道ECC处理(或者能够纠正)的后部扇区作为管理表TB1记录于预定的记录区域、例如盘10(的系统区10b)、易失性存储器70、非易失性存储器80或者缓冲存储器90。另外，奇偶校验扇区管理部640在预定磁道包含能够基于有效奇偶校验扇区执行磁道ECC处理(或者能够纠正)的后部扇区的情况下，将无法执行磁道ECC处理(或者无法纠正)的后部扇区以外的扇区(以下有时也称为前部扇区)作为管理表TB1记录于预定的记录区域、例如盘10(的系统区10b)、易失性存储器70、非易失性存储器80或者缓冲存储器90。

奇偶校验扇区管理部640在对前部扇区、例如有效扇区(以下有时也称为前部扇区)进行了写入(覆写)的磁道的奇偶校验扇区为与对进行前部扇区的写入之前的磁道的全部扇区进行XOR运算而得到的结果相当的奇偶校验扇区(以下有时也称为之前的奇偶校验扇区)的情况下，将该奇偶校验扇区作为无效奇偶校验扇区进行管理。奇偶校验扇区管理部640将该磁道的奇偶校验扇区作为无效奇偶校验扇区，并在预定的记录区域、例如盘10(的系统区10b)、易失性存储器70、非易失性存储器80或者缓冲存储器90中作为管理表TB1进行记录。奇偶校验扇区管理部640将无法执行磁道ECC处理(或者无法纠正)的磁道或者柱面(以下有时也称为无法纠正磁道或者无法纠正柱面)作为管理表TB1记录于预定的记录区域、例如盘10(的系统区10b)、易失性存储器70、非易失性存储器80或者缓冲存储器90。

以下，有时也将“能够执行磁道ECC处理的至少一个扇区”称为“可纠正扇区或者逻辑磁道(Logical Track)”。另外，有时也将“无法执行磁道ECC(或者无法纠正)的至少一个扇区”称为“无法纠正扇区”。有时也将“可纠正磁道、可纠正柱面以及可纠正扇区等的能够执行磁道ECC(或者能够纠正)的区域”一并称为“可纠正区域”，将“无法纠正磁道、无法纠正柱面以及无法纠正扇区等的无法执行磁道ECC处理的区域”一并称为“无法纠正区域”。

奇偶校验扇区管理部640用管理表TB1对盘10的可纠正区域和无法纠正区域进行管理。例如，奇偶校验扇区管理部640在管理表TB1中用16进制数将磁道0、磁道1、磁道2、磁道3、磁道4、磁道5、磁道6以及磁道7的可纠正区域和无法纠正区域表示为3Eh(2进制数：00111110)的情况下，将磁道2～6判定为是可纠正区域。在该情况下，在管理表TB1中，每1个磁道由1位(bit)的信息表示，“1”表示是可纠正区域，“0”表示是无法纠正区域。奇偶校验扇区管理部640在经由读/写控制部610执行写处理的写入时和经由读/写控制部610执行读处理的读取时参照管理表TB1。

奇偶校验扇区管理部640例如每当从主机100等接受执行以磁道为单位的纠错成为无法纠正的写入、例如到1个磁道的中途为止的顺序写入、或者随机写入的命令时，对可纠正区域和无法纠正区域进行管理。奇偶校验扇区管理部640每当执行随机写入时，对可纠正区域和无法纠正区域进行更新或者变更。奇偶校验扇区管理部640在对可纠正区域的一部分进行了随机写入的情况下，将该可纠正区域变更为无法纠正区域。例如，奇偶校验扇区管理部640在对可纠正磁道的一部分进行了随机写入的情况下，将该可纠正磁道变更为无法纠正磁道。换言之，奇偶校验扇区管理部640在对可纠正磁道进行了小于1个磁道量的数据的随机写入的情况下，将该可纠正磁道变更为无法纠正磁道。

奇偶校验扇区管理部640用表(以下有时也称为随机写入禁止表)TB2对在从可纠正区域变更为了无法纠正区域的情况下产生读错误的区域(以下有时也称为随机写入禁止区域)进行管理。换言之，奇偶校验扇区管理部640具有用于对随机写入禁止区域进行管理的随机写入禁止表TB2。

例如，奇偶校验扇区管理部640用随机写入禁止表TB2对在从可纠正磁道变更为了无法纠正磁道的情况下产生读错误的磁道(以下有时也称为随机写入禁止磁道)进行管理。换言之，奇偶校验扇区管理部640具有用于对随机写入禁止磁道进行管理的随机写入禁止表TB2。

例如，奇偶校验扇区管理部640用随机写入禁止表TB2对在从可纠正扇区变更为了无法纠正扇区的情况下产生读错误的至少一个扇区(以下有时也称为随机写入禁止扇区)进行管理。换言之，奇偶校验扇区管理部640具有用于对随机写入禁止扇区进行管理的随机写入禁止表TB2。

偏离磁道管理部650对盘10的作为对象的区域(以下有时也称为对象区域)的区域目标位置、例如从预定区域的中心向半径方向的偏移量的上限值即DOL(Drift of level)(或者WOS(Write off track Slice))进行管理。偏离磁道管理部650对盘10的作为对象的磁道(以下有时也称为对象磁道)的磁道目标位置、例如从磁道中央向半径方向的偏移量(以下有时也称为偏离磁道量)的上限值即DOL(或者WOS)进行管理。偏离磁道管理部650具有多个DOL。

偏离磁道管理部650分别设定对于多个区域的多个DOL。换言之，偏离磁道管理部650分别设定对于朝向多个区域的方向的多个DOL。偏离磁道管理部650分别设定对于多个磁道的多个DOL。换言之，偏离磁道管理部650分别设定对于朝向多个磁道的方向的多个DOL。偏离磁道管理部650分别设定对于多个扇区的多个DOL。换言之，偏离磁道管理部650分别设定对于朝向多个扇区的方向的多个DOL。

偏离磁道管理部650设定对于预定区域(朝向预定区域的方向)的多个DOL。偏离磁道管理部650分别设定对于将预定区域区分而得到的多个区域(朝向将预定区域区分而得到的多个区域的方向)的多个DOL。例如，偏离磁道管理部650设定对于预定磁道(朝向预定磁道的方向)的多个DOL。偏离磁道管理部650分别设定对于将预定磁道区分而得到的多个区域(朝向将预定磁道区分而得到的多个区域的方向)的多个DOL。

偏离磁道管理部650根据位于作为对象的区域(以下有时也称为对象区域)的半径方向上的区域(以下有时也称为半径区域)是为可纠正区域(以下有时也称为可纠正半径区域)、还是为无法纠正区域(以下有时也称为无法纠正半径区域)，将对象区域的对于该半径区域(朝向半径区域的方向)的DOL设定为不同的DOL。换言之，在对象区域中，偏离磁道管理部650在对于可纠正半径区域的DOL和对于无法纠正半径区域的DOL设定不同的值。

对于可纠正半径区域来说，在向对象区域写入了数据的情况下，能够与无法纠正半径区域相比，降低作为无法读取的错误的不可恢复错误的产生率。因此，对于可纠正半径区域的对象区域的半径方向上的区域目标位置、例如从对象区域的半径方向上的中心起的距离或者接近量(以下记载为挤压(squeeze))能够比对于无法纠正半径区域的挤压大。换言之，对于可纠正半径区域的挤压余裕(squeeze margin)能够比对于无法纠正半径区域的挤压余裕大。

偏离磁道管理部650在判定为了对象区域的半径区域为可纠正半径区域的情况下，将对象区域的对于该半径区域(朝向该半径区域的方向)的DOL设定为预定的DOL(以下有时也称为高DOL)。偏离磁道管理部650在判定为了对象区域的半径区域为无法纠正半径区域的情况下，将对象区域的对于该半径区域(朝向该半径区域的方向)的DOL设定为比高DOL(的绝对值)小的(绝对值的)DOL(以下有时也称为低DOL)。高DOL比低DOL大。

偏离磁道管理部650根据在半径方向上与对象区域相邻的区域(以下有时也称为相邻区域)是为可纠正区域(以下有时也称为可纠正相邻区域)、还是为无法纠正区域(以下有时也称为无法纠正相邻区域)，将对象区域的对于该相邻区域(朝向该相邻区域的方向)的DOL设定为不同的DOL。换言之，在对象区域中，偏离磁道管理部650在对于可纠正相邻区域的DOL和对于无法纠正相邻区域的DOL设定不同的值。

对于可纠正相邻区域来说，在向对象区域写入了数据的情况下，能够与无法纠正相邻区域相比，降低不可恢复错误的产生率。因此，对于可纠正相邻区域的挤压能够比对于无法纠正相邻区域的挤压大。换言之，对于可纠正相邻区域的挤压余裕能够比对于无法纠正相邻区域的挤压余裕大。

偏离磁道管理部650在判定为了对象区域的相邻区域为可纠正相邻区域的情况下，将对象区域的对于该相邻区域(朝向该相邻区域的方向)的DOL设定为高DOL。偏离磁道管理部650在判定为了对象区域的相邻区域为无法纠正相邻区域的情况下，将对象区域的对于该相邻区域(朝向该相邻区域的方向)的DOL设定为低DOL。

偏离磁道管理部650根据位于作为对象的磁道(以下有时也称为对象磁道)的半径方向上的磁道(以下有时也称为半径磁道)是为可纠正磁道(以下有时也称为可纠正半径磁道)、还是为无法纠正磁道(以下有时也称为无法纠正半径磁道)，将对象磁道的对于该半径磁道的DOL设定为不同的DOL。换言之，在对象区域中，偏离磁道管理部650在对于可纠正半径磁道的DOL和对于无法纠正半径磁道的DOL设定不同的值。

对于可纠正半径磁道来说，在向对象区域写入了数据的情况下，能够与无法纠正半径磁道相比，降低不可恢复错误的产生率。因此，对于可纠正半径磁道的挤压能够比对于无法纠正半径磁道的挤压大。换言之，对于可纠正半径磁道的挤压余裕能够比对于无法纠正半径磁道的挤压余裕大。

偏离磁道管理部650在判定为了对象磁道的半径磁道为可纠正半径磁道的情况下，将对象磁道的对于该半径磁道(朝向该半径磁道的方向)的DOL设定为高DOL。偏离磁道管理部650在判定为了对象磁道的半径磁道为无法纠正半径磁道的情况下，将对象磁道的对于该半径磁道(朝向半径磁道的方向)的DOL设定为低DOL。

偏离磁道管理部650根据在半径方向上与对象磁道相邻的磁道(以下有时也称为相邻磁道)是为可纠正磁道(以下有时也称为可纠正相邻磁道)、还是为无法纠正磁道(以下有时也称为无法纠正相邻磁道)，设定对象磁道的对于该相邻磁道(朝向该相邻磁道的方向)的DOL。换言之，在对象区域中，偏离磁道管理部650在对于可纠正相邻磁道的DOL和对于无法纠正相邻磁道的DOL设定不同的值。

对于可纠正相邻磁道来说，在向对象区域写入了数据的情况下，能够与无法纠正相邻磁道相比，降低不可恢复错误的产生率。因此，对于可纠正相邻磁道的挤压能够比对于无法纠正相邻磁道的挤压大。换言之，对于可纠正相邻磁道的挤压余裕能够比对于无法纠正相邻磁道的挤压余裕大。

偏离磁道管理部650在判定为了对象磁道的相邻磁道为可纠正相邻磁道的情况下，将对象磁道的对于该相邻磁道(朝向该相邻磁道的方向)的DOL设定为高DOL。偏离磁道管理部650在判定为了对象磁道的相邻磁道为无法纠正相邻磁道的情况下，将对象磁道的对于该相邻磁道(朝向该相邻磁道的方向)的DOL设定为低DOL。

偏离磁道管理部650根据位于对象磁道的作为对象的至少一个扇区(以下有时也称为对象扇区)的半径方向上、且沿着圆周方向排列的至少一个扇区(以下有时也称为半径扇区)是为可纠正扇区(以下有时也称为可纠正半径扇区)、还是为无法纠正扇区(以下有时也称为可纠正半径扇区)，将对象扇区的对于该半径扇区(朝向该半径扇区的方向)的DOL设定为不同的DOL。换言之，在对象区域中，偏离磁道管理部650在对于可纠正半径扇区的DOL和对于无法纠正半径扇区的DOL设定不同的值。

对于可纠正半径扇区来说，在向对象区域写入了数据的情况下，能够与无法纠正半径扇区相比，降低不可恢复错误的产生率。因此，对于可纠正半径扇区的挤压能够比对于无法纠正半径扇区的挤压大。换言之，对于可纠正半径扇区的挤压余裕能够比对于无法纠正半径扇区的挤压余裕大。

偏离磁道管理部650在判定为了对象扇区的半径扇区为可纠正半径扇区的情况下，将对象扇区对于该半径扇区(朝向该半径扇区的方向)的DOL设定为高DOL。偏离磁道管理部650在判定为了对象磁道的半径扇区为无法纠正半径扇区的情况下，将对象扇区的对于该半径扇区(朝向该半径扇区的方向)的DOL设定为低DOL。

偏离磁道管理部650根据在半径方向上与对象扇区相邻、且沿着圆周方向排列的至少一个扇区(以下有时也称为相邻扇区)是为可纠正扇区(以下有时也称为可纠正相邻扇区)、还是为无法纠正扇区(以下有时也称为无法纠正相邻扇区)，设定对象扇区的对于该相邻扇区(朝向该相邻扇区的方向)的DOL。换言之，在对象区域中，偏离磁道管理部650在对于可纠正相邻扇区的DOL和对于无法纠正相邻扇区的DOL设定不同的值。

对于可纠正相邻扇区来说，在向对象区域写入了数据的情况下，能够与无法纠正相邻扇区相比，降低不可恢复错误的产生率。因此，对于可纠正相邻扇区的挤压能够比对于无法纠正相邻扇区的挤压大。换言之，对于可纠正相邻扇区的挤压余裕能够比对于无法纠正相邻扇区的挤压余裕大。

偏离磁道管理部650在判定为了对象扇区的相邻扇区为可纠正相邻扇区的情况下，将对象扇区的对于该相邻扇区(朝向该相邻扇区的方向)的DOL设定为高DOL。偏离磁道管理部650在判定为了对象磁道的相邻扇区为无法纠正相邻扇区的情况下，将对象扇区的对于该相邻扇区(朝向该相邻扇区的方向)的DOL设定为低DOL。

偏离磁道管理部650管理对于若不对半径磁道、例如相邻磁道执行磁道ECC、则产生无法读取的错误的该半径磁道(朝向半径磁道的方向)、例如该相邻磁道(朝向相邻磁道的方向)的偏离磁道量的阈值(以下有时也称为不可恢复阈值)。不可恢复阈值比DOL大。偏离磁道管理部650具有多个不可恢复阈值。

偏离磁道管理部650分别设定与多个DOL(朝向多个DOL的方向)对应的多个不可恢复阈值。偏离磁道管理部650对于不同的DOL设定不同的不可恢复阈值。

偏离磁道管理部650设定对于在对象磁道中设定了高DOL的半径磁道(朝向半径磁道的方向)、例如相邻磁道(朝向相邻磁道的方向)的、比高DOL小、且比低DOL大的不可恢复阈值(以下有时也称为低不可恢复阈值)。低不可恢复阈值与设定了低DOL的半径磁道或者半径扇区、例如设定了低DOL的相邻磁道或者相邻扇区的不可恢复阈值对应。此外，有时也将设定了高DOL的半径磁道或者半径扇区、例如设定了高DOL的相邻磁道或者相邻扇区的不可恢复阈值称为高不可恢复阈值。高不可恢复阈值比高DOL大。

偏离磁道管理部650设定对于在对象扇区中设定了高DOL的半径扇区(朝向半径扇区的方向)、例如相邻扇区(朝向相邻扇区的方向)的低不可恢复阈值。

偏离磁道管理部650在对象磁道中判定为了对于预定的半径磁道(朝向预定的半径磁道的方向)、例如预定的相邻磁道(朝向预定的相邻磁道的方向)的偏离磁道量(或者挤压)比与该半径磁道(朝向该半径磁道的方向)、例如该相邻磁道(朝向该相邻磁道的方向)对应的低不可恢复阈值大的情况下，在该半径磁道不允许写处理。例如，偏离磁道管理部650在对象磁道中判定为了对于可纠正相邻磁道(朝向可纠正相邻磁道的方向)的偏离磁道量(或者挤压)比与该可纠正相邻磁道(朝向该可纠正相邻磁道的方向)对应的低不可恢复阈值大的情况下，不允许向该可纠正相邻磁道的一部分的以磁道为单位的纠错成为无法纠正的写入、例如到1个磁道的中途为止的顺序写入、或者随机写入。换言之，偏离磁道管理部650在对象磁道中判定为了对于可纠正相邻磁道(朝向可纠正相邻磁道的方向)的偏离磁道量(或者挤压)比与该可纠正相邻磁道(朝向该可纠正相邻磁道的方向)对应的低不可恢复阈值大的情况下，在该可纠正相邻磁道不允许小于1个磁道量的数据的随机写入。

偏离磁道管理部650也可以在对象磁道中判定为了对于预定的半径磁道(朝向预定的半径磁道的方向)、例如预定的相邻磁道(朝向预定的相邻磁道的方向)的偏离磁道量(或者挤压)比与该半径磁道(朝向该半径磁道的方向)、例如该相邻磁道(朝向该相邻磁道的方向)对应的低不可恢复阈值大的情况下，用随机写入禁止表TB2对该半径磁道进行管理。例如，偏离磁道管理部650也可以在对象磁道中判定为了对于可纠正相邻磁道(朝向可纠正相邻磁道的方向)的偏离磁道量(或者挤压)比与该可纠正相邻磁道(朝向该可纠正相邻磁道的方向)对应的低不可恢复阈值大的情况下，用随机写入禁止表TB2对该可纠正相邻磁道进行管理。

偏离磁道管理部650也可以在对象磁道中判定为了对于预定的半径磁道(朝向预定的半径磁道的方向)、例如预定的相邻磁道(朝向预定的相邻磁道的方向)的偏离磁道量(或者挤压)比与该相邻磁道(朝向该相邻磁道的方向)对应的低不可恢复阈值大的情况下，对该半径磁道、例如该相邻磁道执行读取修改写入。例如，偏离磁道管理部650也可以在对象磁道中判定为了对于可纠正相邻磁道(朝向可纠正相邻磁道的方向)的偏离磁道量(或者挤压)比与该可纠正相邻磁道(朝向该可纠正相邻磁道的方向)对应的低不可恢复阈值大的情况下，对该可纠正半径磁道、例如该可纠正相邻磁道执行读取修改写入。

偏离磁道管理部650在对象扇区中判定为了对于预定的半径扇区(朝向预定的半径扇区的方向)、例如预定的相邻扇区(朝向预定的相邻扇区的方向)的偏离磁道量(或者挤压)比与该半径扇区(朝向该半径扇区的方向)、例如该相邻扇区(朝向该相邻扇区的方向)对应的低不可恢复阈值大的情况下，在该半径扇区不允许写处理。例如，偏离磁道管理部650在对象扇区中判定为了对于可纠正相邻扇区(朝向可纠正相邻扇区的方向)的偏离磁道量(或者挤压)比与该可纠正相邻扇区(朝向该可纠正相邻扇区的方向)对应的低不可恢复阈值大的情况下，不允许向该可纠正相邻扇区的一部分的以磁道为单位的纠错成为无法纠正的写入、例如到1个磁道的中途为止的顺序写入、或者随机写入。换言之，偏离磁道管理部650在对象扇区中判定为了对于可纠正相邻扇区(朝向可纠正相邻扇区的方向)的偏离磁道量(或者挤压)比与该可纠正相邻扇区(朝向该可纠正相邻扇区的方向)对应的低不可恢复阈值大的情况下，在该可纠正相邻扇区不允许小于能够在该可纠正相邻扇区的全部区域中写入的数据量的数据的随机写。

偏离磁道管理部650也可以在对象扇区中判定为了对于预定的半径扇区(朝向预定的半径扇区的方向)、例如预定的相邻扇区(朝向预定的相邻扇区的方向)的偏离磁道量(或者挤压)比与该半径扇区(朝向该半径扇区的方向)、例如该相邻扇区(朝向该相邻扇区的方向)对应的低不可恢复阈值大的情况下，用随机写入禁止表TB2对该半径扇区进行管理。例如，偏离磁道管理部650也可以在对象扇区中判定为了对于可纠正相邻扇区(朝向可纠正相邻扇区的方向)的偏离磁道量(或者挤压)比与该可纠正相邻扇区(朝向该可纠正相邻扇区的方向)对应的低不可恢复阈值大的情况下，用随机写入禁止表TB2对该可纠正相邻扇区进行管理。

偏离磁道管理部650也可以在对象扇区中判定为了对于预定的半径扇区(朝向预定的半径扇区的方向)、例如预定的相邻扇区(朝向预定的相邻扇区的方向)的偏离磁道量(或者挤压)比与该半径扇区(朝向该半径扇区的方向)、例如该相邻扇区(朝向该相邻扇区的方向)对应的低不可恢复阈值大的情况下，对该半径扇区、例如该相邻扇区执行读取修改写入。例如，偏离磁道管理部650也可以在对象扇区中判定为了对于可纠正相邻扇区(朝向可纠正相邻扇区的方向)的偏离磁道量(或者挤压)比与该可纠正相邻扇区(朝向该可纠正相邻扇区的方向)对应的低不可恢复阈值大的情况下，对该可纠正半径扇区、例如该可纠正相邻扇区执行读取修改写入。

图3是表示磁道ECC处理的一个例子的示意图。在图3中，在圆周方向(圆周位置)上示出头15相对于盘10行进的方向、也即是读/写的方向(以下有时也称为行进方向)。在图3中，行进方向是后方向(或者有时也简称为后)。此外，行进方向也可以是前方向(或者有时也简称为前)。在图3中示出磁道TRn-1、磁道TRn以及磁道TRn+1。在图3中，磁道TRn-1～TRn+1从外方向向内方向按记载的顺序排列。磁道TRn在外方向上与磁道TRn-1相邻，磁道TRn+1在外方向上与磁道TRn相邻。磁道TRn-1具有扇区Sc(n-1)0、Sc(n-1)1、Sc(n-1)2、Sc(n-1)3、Sc(n-1)4、Sc(n-1)5、Sc(n-1)6、Sc(n-1)7、Sc(n-1)8、Sc(n-1)9、Sc(n-1)10、Sc(n-1)11以及奇偶校验扇区Pn-1。扇区Sc(n-1)0、Sc(n-1)1、Sc(n-1)2、Sc(n-1)3、Sc(n-1)4、Sc(n-1)5、Sc(n-1)6、Sc(n-1)7、Sc(n-1)8、Sc(n-1)9、Sc(n-1)10、Sc(n-1)11以及奇偶校验扇区Pn-1在行进方向上按记载的顺序被连续地进行写入。奇偶校验扇区Pn-1相当于对扇区Sc(n-1)0～Sc(n-1)11进行XOR运算而得到的结果。也即是，奇偶校验扇区Pn-1为有效奇偶校验扇区。磁道TRn-1相当于可纠正磁道。磁道TRn具有扇区Scn0、Scn1、Scn2、Scn3、Scn4、Scn5、Scn6、Scn7、Scn8、Scn9、Scn10、Scn11以及奇偶校验扇区Pn。扇区Scn0、Scn1、Scn2、Scn3、Scn4、Scn5、Scn6、Scn7、Scn8、Scn9、Scn10、Scn11以及奇偶校验扇区Pn在行进方向上按记载的顺序被连续地进行写入。奇偶校验扇区Pn相当于对扇区Scn0～Scn11进行XOR运算而得到的结果。也即是，奇偶校验扇区Pn为有效奇偶校验扇区。磁道TRn相当于可纠正磁道。磁道TRn+1具有扇区Sc(n+1)0、Sc(n+1)1、Sc(n+1)2、Sc(n+1)3、Sc(n+1)4、Sc(n+1)5、Sc(n+1)6、Sc(n+1)7、Sc(n+1)8、Sc(n+1)9、Sc(n+1)10、Sc(n+1)11以及奇偶校验扇区Pn+1。扇区Sc(n+1)0、Sc(n+1)1、Sc(n+1)2、Sc(n+1)3、Sc(n+1)4、Sc(n+1)5、Sc(n+1)6、Sc(n+1)7、Sc(n+1)8、Sc(n+1)9、Sc(n+1)10、Sc(n+1)11以及奇偶校验扇区Pn+1在行进方向上按记载的顺序被连续地进行写入。奇偶校验扇区Pn+1相当于对扇区Sc(n+1)0～Sc(n+1)11进行XOR运算而得到的结果。也即是，奇偶校验扇区Pn+1为有效奇偶校验扇区。磁道TRn+1相当于可纠正磁道。

在图3所示的例子中，MPU60在磁道TRn的扇区Scn0～Scn11内检测出错误扇区的情况下，在无法通过读重试和扇区ECC处理对该错误扇区进行纠正时，基于奇偶校验扇区Pn，对该错误扇区执行磁道ECC处理，对该错误扇区进行纠正。

图4是表示磁道ECC处理的一个例子的示意图。图4与图3对应。

在图4所示的例子中，MPU60随机地对磁道TRn的扇区Scn5、Scn6以及Scn7进行覆写。MPU60将磁道TRn作为无法纠正磁道，并在预定的记录区域、例如盘10(的系统区10b)、易失性存储器70、非易失性存储器80或者缓冲存储器90中作为管理表TB1进行记录。MPU60在磁道TRn的扇区Scn0～Scn11内检测出错误扇区的情况下，在无法通过读重试和扇区ECC处理对该错误扇区进行纠正时，无法对该磁道TRn的错误扇区执行磁道ECC处理。

在图4所示的例子中，MPU60在磁道TRn-1中将对于磁道TRn(朝向磁道TRn的方向)的DOL(内方向的DOL)设定为低DOL。换言之，MPU60在磁道TRn-1中将对于磁道TRn(朝向磁道TRn的方向)的DOL(内方向的DOL)从高DOL变更为低DOL。

在图4所示的例子中，MPU60在磁道TRn+1中将对于磁道TRn(朝向磁道TRn的方向)的DOL(外方向的DOL)设定为低DOL。换言之，MPU60在磁道TRn+1中将对于磁道TRn(朝向磁道TRn的方向)的DOL(外方向的DOL)从高DOL变更为低DOL。

图5是表示磁道ECC处理的一个例子的示意图。图5与图3对应。

在图5所示的例子中，MPU60对磁道TRn的后部扇区Scn8、Scn9、Scn10以及Scn11进行覆写。MPU60对后部扇区Scn8～Scn11进行XOR运算，对奇偶校验扇区Pn进行覆写。MPU60将后部扇区Scn8～Scn11作为可纠正扇区，并在预定的记录区域、例如盘10(的系统区10b)、易失性存储器70、非易失性存储器80或者缓冲存储器90中作为管理表TB1进行记录。MPU60将前部扇区Scn0～Scn7作为无法纠正扇区，并在预定的记录区域、例如盘10(的系统区10b)、易失性存储器70、非易失性存储器80或者缓冲存储器90中作为管理表TB1进行记录。MPU60在磁道TRn的后部扇区Scn8～Scn11内检测出错误扇区的情况下，在无法通过读重试和扇区ECC处理对该错误扇区进行纠正时，基于奇偶校验扇区Pn，对该错误扇区执行磁道ECC处理，对该错误扇区进行纠正。MPU60在磁道TRn的前部扇区Scn0～Scn7内检测出错误扇区的情况下，在无法通过读重试和扇区ECC处理对该错误扇区进行纠正时，无法对该磁道TRn的错误扇区执行磁道ECC处理。

在图5所示的例子中，MPU60在磁道TRn-1的前部扇区Sc(n-1)0～Sc(n-1)7中将对于磁道TRn的前部扇区Scn0～Scn7(朝向前部扇区Scn0～Scn7的方向)的DOL(内方向的DOL)设定为低DOL。换言之，MPU60在磁道TRn-1的前部扇区Sc(n-1)0～Sc(n-1)7中将对于磁道TRn的前部扇区Scn0～Scn7(朝向前部扇区Scn0～Scn7的方向)的DOL(内方向的DOL)从高DOL变更为低DOL。

在图5所示的例子中，MPU60在磁道TRn+1的前部扇区Sc(n+1)0～Sc(n+1)7中将对于磁道TRn的前部扇区Scn0～Scn7(朝向前部扇区Scn0～Scn7的方向)的DOL(外方向的DOL)设定为低DOL。换言之，MPU60在磁道TRn-1的前部扇区Sc(n+1)0～Sc(n+1)7中将对于磁道TRn的前部扇区Scn0～Scn7(朝向前部扇区Scn0～Scn7的方向)的DOL(外方向的DOL)从高DOL变更为低DOL。

图6是表示本实施方式涉及的低DOL D1以及高DOL D2和低不可恢复阈值UTH1的一个例子的示意图。在图6中，横轴表示挤压(或者偏离磁道量)，纵轴表示不可恢复错误率(Unrecoverable Error Rate)。在图6的纵轴上，不可恢复错误率随着朝向箭头的前端的方向而变大，随着朝向与箭头的前端相反的一侧而变小。在图6的横轴上，挤压随着朝向箭头的前端的方向而变大，随着朝向与箭头的前端相反的一侧而变小。图6的横轴上示出低DOLD1、高DOL D2以及不可恢复阈值UTH1。在图6的横轴上，高DOL D2比低DOL D1大。低不可恢复阈值UTH1与低DOL D1对应。低不可恢复阈值UTH1比低DOL D1大、且比高DOL D2小。在图6中示出与无法纠正相邻区域(无法纠正相邻磁道和无法纠正相邻扇区等)对应的不可恢复错误率相对于挤压的变化(以下有时也称为与无法纠正相邻区域对应的不可恢复错误率的变化)ERL1、和与可纠正相邻区域(可纠正相邻磁道和可纠正相邻扇区等)对应的不可恢复错误率相对于挤压的变化(以下有时也称为与可纠正相邻区域对应的不可恢复错误率的变化)ERL2。在图6中，如与无法纠正相邻区域对应的不可恢复错误率的变化ERL1和与可纠正相邻区域对应的不可恢复错误率的变化ERL2所示，在可纠正区域中，在小的挤压下，不可恢复错误率比无法纠正区域大。

在图6所示的例子中，MPU60在对象磁道或者对象扇区中，将对于无法纠正相邻磁道或者无法纠正相邻扇区(朝向无法纠正相邻磁道或者无法纠正相邻扇区的方向)的DOL设定为低DOL D1，将对于可纠正相邻磁道或者可纠正相邻扇区(朝向可纠正相邻磁道或者可纠正相邻扇区的方向)的DOL设定为高DOL D2。MPU60在对象磁道中设定对于可纠正相邻磁道或者可纠正相邻扇区(朝向可纠正相邻磁道或者可纠正相邻扇区的方向)的低不可恢复阈值UTH1。MPU60也可以在对象磁道中判定为了对于可纠正相邻磁道或者可纠正相邻扇区(朝向可纠正相邻磁道或者可纠正相邻扇区的方向)的偏离磁道量(或者挤压)比低不可恢复阈值大的情况下，对该可纠正相邻磁道或者该可纠正相邻扇区执行读取修改写入。

图7是表示本实施方式涉及的DOL的一个例子的示意图。在图7中示出磁道TRk-1、磁道TRk以及磁道TRk+1。在图7中，磁道TRk-1～TRk+1从外方向向内方向按记载的顺序来排列。磁道TRk在内方向上与磁道TRk-1相邻，磁道TRk+1在外方向上与磁道TRk相邻。在图7中，磁道TRk-1相当于无法纠正相邻磁道，磁道TRk+1相当于可纠正相邻磁道。在图7中示出磁道TRk的磁道中央TRCk。在图7中示出圆周位置CPS、圆周位置CP0以及圆周位置CPR。圆周位置CP0位于比圆周位置CPS靠后方向的位置，圆周位置CPR位于比圆周位置CP0靠后方向的位置。在图7中示出磁道TRk中的从圆周位置CPS到圆周位置CP0的头15的路径HR71、和磁道TRk中的从圆周位置CP0到圆周位置CPR的头15的路径HR72。

在图7所示的例子中，MPU60在磁道TRk中将对于磁道TRk-1(朝向磁道TRk-1的方向)的DOL(外方向的DOL)设定为低DOL D1，将对于磁道TRk+1(朝向磁道TRk+1的方向)的DOL(内方向的DOL)设定为高DOL D2。

在图7所示的例子中，MPU60在磁道TRk中使头15按照路径HR71从圆周位置CPS移动至圆周位置CP0。MPU60在圆周位置CP0处判定为了向朝向磁道TRk-1侧的方向(外方向)的偏离磁道量(挤压)比DOL D1大的情况下，停止写处理(或者写动作)，将头15重新定位于磁道中央TRCk。MPU60在磁道TRk中停止写处理(或者写动作)、且将头15定位于了磁道中央TRCk的情况下，按照路径HR72使头15从圆周位置CP0移动至圆周位置CPR。

图8是表示本实施方式涉及的DOL的一个例子的示意图。在图8中示出磁道TRk-1和磁道TRk。在图8中，磁道TRk-1具有前部扇区FSck-1和在后方向上与前部扇区FSck-1相邻的后部扇区RSck-1。前部扇区FSck-1相当于无法纠正相邻扇区，后部扇区RSck-1相当于可纠正相邻扇区。在图8中，磁道TRk具有前部扇区FSck和在后方向上与前部扇区FSck相邻的后部扇区RSck。在图8中示出圆周位置CPS、圆周位置CP1以及圆周位置CPR。圆周位置CP1位于比圆周位置CPS靠后方向的位置，圆周位置CPR位于比圆周位置CP1靠后方向的位置。前部扇区FSck-1相当于在磁道TRk-1中从圆周位置CPS到圆周位置CP1的区域。后部扇区RSck-1相当于在磁道TRk-1中从圆周位置CP1到圆周位置CPR的区域。前部扇区FSck相当于在磁道TRk中从圆周位置CPS到圆周位置CP1的区域。后部扇区RSck相当于在磁道TRk中从圆周位置CP1到圆周位置CPR的区域。在图8中示出磁道TRk中的从圆周位置CPS到圆周位置CPR的头15的路径HR81。

在图8所示的例子中，MPU60在磁道TRk中将对于前部扇区FSck-1的DOL(前部扇区FSck中的外方向的DOL)设定为低DOL D1，将对于后部扇区RSck-1的DOL(后部扇区RSck中的外方向的DOL)设定为高DOL D2。

在图8所示的例子中，MPU60在磁道TRk中使头15按照路径HR81从圆周位置CPS移动至圆周位置CPR。MPU60在磁道TRk的从圆周位置CPS到圆周位置CP1的区域中判定为了向朝向前部扇区FSck-1的方向(外方向)的偏离磁道量(挤压)为DOL D1以下的情况下，不停止而继续进行写处理(或者写动作)。MPU60在磁道TRk的从圆周位置CP1到圆周位置CPR的区域中判定为了向朝向后部扇区FSck-1的方向(外方向)的偏离磁道量(挤压)为DOL D2以下的情况下，不停止而继续进行写处理(或者写动作)。另外，MPU60在磁道TRk的从圆周位置CP1到圆周位置CPR的区域中判定为了向朝向后部扇区FSck-1的方向(外方向)的偏离磁道量(挤压)比DOL D1大、且为DOL D2以下的情况下，不停止而继续进行写处理(或者写动作)。

图9是表示本实施方式涉及的DOL的一个例子的示意图。在图9中示出磁道TRk-1、磁道TRk以及磁道TRk+1。在图9中示出圆周位置CPS、圆周位置CP2以及圆周位置CPR。圆周位置CP2位于比圆周位置CPS靠后方向的位置，圆周位置CPR位于比圆周位置CP2靠后方向的位置。在图9中示出磁道TRk中的从圆周位置CPS到圆周位置CP2的头15的路径HR91、和磁道TRk中的从圆周位置CP2到圆周位置CPR的头15的路径HR92。

在图9所示的例子中，MPU60在磁道TRk中将对于磁道TRk-1(朝向磁道TRk-1的方向)的DOL(外方向的DOL)设定为低DOL D1，将对于磁道TRk+1(朝向磁道TRk+1的方向)的DOL(内方向的DOL)设定为高DOL D2。另外，在图9所示的例子中，MPU60在磁道TRk中对于磁道TRk+1(内方向)设定低不可恢复阈值UTH1。

在图9所示的例子中，MPU60在磁道TRk中使头15按照路径HR91从圆周位置CPS移动至圆周位置CP2。MPU60在判定为了向朝向磁道TRk+1的方向(内方向)的偏离磁道量(挤压)比低不可恢复阈值UTH1大的情况下，对磁道TRk+1执行读取修改写入。MPU60在圆周位置CP2中判定为了向朝向磁道TRk+1的方向(内方向)的偏离磁道量(挤压)成为了DOL D2以上的情况下，停止写处理(或者写动作)，将头15重新定位于磁道中央TRCk。MPU60在磁道TRk中停止写处理(或者写动作)、且将头15定位于了磁道中央TRCk的情况下，使头15按照路径HR92从圆周位置CP2移动至圆周位置CPR。

图10是表示本实施方式涉及的DOL的设定方法的一个例子的流程图。

MPU60判定对象区域的相邻区域是否为可纠正区域(B1001)。例如，MPU60判定对象磁道或者对象扇区的相邻磁道或者相邻扇区是为可纠正相邻磁道或者可纠正相邻扇区、还是为无法纠正相邻磁道或者无法纠正相邻扇区。在判定为了对象区域的相邻区域为可纠正区域的情况下(B1001：是)，MPU60将对象区域的对于相邻区域的DOL设定为高DOL(B1002)。MPU60对对象区域的相邻区域设定低不可恢复阈值(B1003)，结束处理。在判定为了对象区域的相邻区域为无法纠正区域的情况下(B1001：否)，MPU60将对象区域的对于相邻区域的DOL设定为低DOL(B1004)，结束处理。

图11是表示本实施方式涉及的写处理的一个例子的流程图。

MPU60接受向对象区域写入数据的写命令(B1101)。例如，MPU60接受向对象磁道或者对象扇区写入数据的写命令。MPU60判定对象区域是否为可纠正区域(B1102)。例如，MPU60判定对象磁道或者对象扇区是可纠正磁道或者可纠正扇区、还是为无法纠正磁道或者无法纠正扇区。

在判定为了对象区域不是可纠正区域的情况下(B1102：否)，MPU60向对象区域写入数据(B1103)，结束处理。例如，在判定为了对象磁道或者对象扇区不是可纠正磁道或者可纠正扇区的情况下，MPU60向对象磁道或者对象扇区写入数据，结束处理。

在判定为了对象区域为可纠正区域的情况下(B1102：是)，MPU60判定在该对象区域的相邻区域中向朝向该对象区域的方向的挤压是比低不可恢复阈值大、还是为低不可恢复阈值以下(B1104)。例如，在判定为了对象扇区或者对象磁道为可纠正扇区或者可纠正磁道的情况下，MPU60判定在该对象扇区或者该对象磁道的相邻扇区或者相邻磁道中向朝向该对象扇区或者该对象磁道的方向的挤压是比低不可恢复阈值大、还是为低不可恢复阈值以下。

在判定为了在该相邻扇区或者该相邻磁道中向朝向该对象扇区或者该对象磁道的方向的挤压为低不可恢复阈值以下的情况下(B1104：否)，MPU60进入B1103的处理。在判定为了在该相邻扇区或者该相邻磁道中向朝向该对象扇区或者该对象磁道的方向的挤压比低不可恢复阈值大的情况下(B1104：是)，MPU60在该对象扇区或者该对象磁道不允许以磁道为单位的纠错成为无法纠正的写入、例如到1个磁道的中途为止的顺序写入、或者随机写入，执行读取修改写入(B1105)，结束处理。例如，在判定为了在该相邻扇区或者该相邻磁道中向朝向该对象扇区或者该对象磁道的方向的挤压比低不可恢复阈值大的情况下，MPU60在对象扇区或者对象磁道不允许随机写入，执行读取修改写入，结束处理。例如，在判定为在该相邻扇区或者该相邻磁道中向朝向该对象扇区或者该对象磁道的方向的挤压比低不可恢复阈值大的情况下，MPU60读取对象扇区或者对象磁道，进行将对象扇区或者对象磁道的所对应的数据置换为了更新数据的更新扇区或者更新磁道的写入，对更新扇区或者更新磁道的全部更新扇区组进行XOR运算，算出更新奇偶校验扇区，在相同的对象扇区或者对象磁道进行更新扇区组和更新奇偶校验扇区的写入，结束处理。

根据本实施方式，磁盘装置1用管理表TB1对可纠正区域(可纠正磁道或者可纠正扇区)和无法纠正区域(无法纠正磁道或者无法纠正扇区)进行管理。磁盘装置1用随机写入禁止表TB2对随机写入禁止磁道或者随机写入禁止扇区进行管理。磁盘装置1在判定为了对象区域的相邻区域为可纠正相邻区域的情况下，将对象区域的对于朝向该相邻区域的方向的DOL设定为高DOL。磁盘装置1在判定为了对象区域的相邻区域为无法纠正相邻区域的情况下，将对象区域的对于朝向该相邻区域的方向的DOL设定为低DOL。磁盘装置1对在对象区域中设定了高DOL的相邻区域设定低不可恢复阈值。磁盘装置1在判定为了对象区域的相邻区域为可纠正区域、且判定为了该对象区域中的向朝向该相邻区域的方向的挤压比低不可恢复阈值大的情况下，在该相邻区域不允许以磁道为单位的纠错成为无法纠正的写入、例如到1个磁道的中途为止的顺序写入、或者随机写入，对该相邻区域执行读取修改写入。因此，磁盘装置1能够提高记录密度。另外，磁盘装置1能够高效地执行写处理。因此，磁盘装置1能够提高可靠性。

接着，对前述的实施方式的变形例涉及的磁盘装置进行说明。在变形例中，对与前述的实施方式相同的部分赋予同一参照标号，省略其详细的说明。

(变形例1)

变形例1涉及的磁盘装置1执行刷新处理，这一点与前述的实施方式涉及的磁盘装置1不同。

图12是表示变形例1涉及的磁盘装置1的构成的框图。

MPU60还具有写计数部660和刷新控制部670。MPU60在固件上执行各部、例如读/写控制部610、错误检测部620、纠错部630、奇偶校验扇区管理部640、偏离磁道管理部650、写计数部660以及刷新控制部670等的处理。此外，MPU60也可以作为电路来具有各部、例如读/写控制部610、错误检测部620、纠错部630、奇偶校验扇区管理部640、偏离磁道管理部650、写计数部660以及刷新控制部670等。读/写控制部610、错误检测部620、纠错部630、奇偶校验扇区管理部640、偏离磁道管理部650、写计数部660以及刷新控制部670等也可以包含于R/W通道40或者HDC50。此外，MPU60也可以不包括偏离磁道管理部650。

写计数部660对写入了数据的次数(以下有时也称为写次数或者写计数)进行计数。写次数(或者写计数)例如相当于因写入数据而受到了来自头15的漏磁等的影响(Adjacent Track Interference：ATI)的次数。写计数部660也可以将写次数作为表，并在预定的记录区域、例如盘10(的系统区10b)、易失性存储器70、非易失性存储器80或者缓冲存储器90等中作为管理表TB1进行保持。

写计数部660对写次数进行计数，该写次数是对在半径方向上配置在距对象区域为预定范围内的区域(以下有时也称为接近区域)写入了数据的次数。例如，写计数部660对如下的写次数进行计数，该写次数是对配置在距对象区域为受到ATI的范围内的接近区域写入了数据的次数。

写计数部660在向对象区域的接近区域写入了数据的情况下，使与该对象区域对应的写次数增加(递增)预定值。例如，写计数部660在向对象区域的外方向和内方向上的接近区域写入了数据的情况下，使与该对象区域对应的写次数增加(递增)预定值。例如，写计数部660在向对象区域的外方向和内方向上的接近区域写入了数据的情况下，使与该对象区域对应的写次数增加(递增)1。

写计数部660对向半径方向上与对象区域相邻的区域(以下有时也称为相邻区域)写入了数据的写次数进行计数。例如，写计数部660对向距对象区域为配置在受到ATI的范围内的相邻区域写入了数据的写次数进行计数。

写计数部660在向对象区域的相邻区域写入了数据的情况下，使与对象区域对应的写次数增加(递增)预定值。例如，写计数部660在向对象区域的外方向和内方向上的相邻区域写入了数据的情况下，使与对象区域对应的写次数增加(递增)预定值。例如，写计数部660在向对象区域的外方向和内方向上的相邻区域写入了数据的情况下，使与对象区域对应的写次数增加(递增)1。此外，写计数部660也可以在向对象区域的外方向和内方向上的相邻区域写入了数据的情况下，使与对象区域对应的写次数增加与挤压量相应的值。例如，写计数部660也可以在向对象区域的外方向和内方向上的相邻区域写入了数据的情况下，使与对象区域对应的写次数增加与挤压量相应的比1大的值。

写计数部660对向在半径方向上与对象磁道或者对象扇区相邻的相邻磁道或者相邻扇区写入了数据的写次数进行计数。

写计数部660在向对象磁道或者对象扇区的相邻磁道或者相邻扇区写入了数据的情况下，使与对象磁道或者对象扇区对应的写次数增加(递增)预定值。例如，写计数部660在向对象磁道或者对象扇区的外方向和内方向上的相邻磁道写入了数据的情况下，使与对象磁道或者对象扇区对应的写次数增加(递增)预定值。例如，写计数部660在向对象磁道或者对象扇区的外方向和内方向上的相邻磁道或者相邻扇区写入了数据的情况下，使与对象磁道或者对象扇区对应的写次数增加(递增)1。

刷新控制部670执行如下处理(以下有时也称为刷新处理)：将与在预定区域、例如预定磁道中所写入的数据相同的数据重写到该区域、例如预定磁道。刷新控制部670在判定为了与预定区域对应的写次数超过与执行刷新处理的写次数相当的阈值(以下有时也称为刷新阈值)的情况下，对该区域执行刷新处理。刷新控制部670在判定为了与预定区域对应的写次数超过刷新阈值的情况下，对该区域的一部分执行刷新处理。换言之，刷新控制部670在判定为了与预定区域对应的写次数超过刷新阈值的情况下，对在该区域中作为格式预先设定的容量以下的数据执行刷新处理。刷新控制部670在对预定区域执行了刷新处理的情况下，对与该区域对应的写次数进行复位，例如设为0。

刷新控制部670在判定为了与对象磁道或者对象扇区对应的写次数超过了与该对象磁道或者该对象扇区对应的刷新阈值的情况下，对该对象磁道或者该对象扇区执行刷新处理。刷新控制部670在判定为了与对象磁道或者对象扇区对应的写次数超过了与该对象磁道或者该对象扇区对应的刷新阈值的情况下，对该对象磁道或者该对象扇区的一部分执行刷新处理。换言之，刷新控制部670在判定为了与对象磁道或者对象扇区对应的写次数超过了与该对象磁道或者该对象扇区对应的阈值的情况下，对在该对象磁道或者该对象扇区中作为格式预先设定的容量以下的数据执行刷新处理。

刷新控制部670变更(或者设定)刷新阈值。刷新控制部670具有多个刷新阈值。

刷新控制部670将可纠正区域的刷新阈值变更(或者设定)为多个刷新阈值中比当前所设定的刷新阈值(以下有时也称为当前的刷新阈值)高的刷新阈值。刷新控制部670将无法纠正区域的刷新阈值变更(或者设定)为多个刷新阈值中比当前的刷新阈值低的刷新阈值。

另外，刷新控制部670将可纠正区域的刷新阈值设定为比多个刷新阈值中的无法纠正区域的刷新阈值高的刷新阈值，将无法纠正区域的刷新阈值设定为比多个刷新阈值中的可纠正区域的刷新阈值低的刷新阈值。

刷新控制部670具有两个刷新阈值、例如高刷新阈值和低刷新阈值。此外，刷新控制部670也可以具有3个以上的刷新阈值。高刷新阈值比低刷新阈值大，低刷新阈值比高刷新阈值小。刷新控制部670将可纠正区域的刷新阈值设定为高刷新阈值，将无法纠正区域的刷新阈值设定为低刷新阈值。刷新控制部670对设定了低刷新阈值的无法纠正区域执行刷新处理的频度比对设定了高刷新阈值的可纠正区域执行刷新处理的频度小。换言之，刷新控制部670对设定了高刷新阈值的可纠正区域执行刷新处理的频度比对设定了低刷新阈值的无法纠正区域执行刷新处理的频度大。在此，频度例如相当于在特定时间执行处理的次数。

例如，刷新控制部670将可纠正磁道或者可纠正柱面的刷新阈值设定为高刷新阈值，将无法纠正磁道或者无法纠正柱面的刷新阈值设定为低刷新阈值。

例如，刷新控制部670将可纠正扇区(或者逻辑磁道)的刷新阈值设定为高刷新阈值，将无法纠正扇区的刷新阈值设定为低刷新阈值。

刷新控制部670也可以在与预定柱面(磁道)对应的多个头15中，将与各头15对应的磁道的刷新阈值分别设定为不同的刷新阈值。此外，刷新控制部670也可以在与预定柱面(磁道)对应的多个头15中将与各头15对应的磁道的刷新阈值设定为相同的刷新阈值。

例如，刷新控制部670在将对于预定柱面(磁道)的多个头15的性能维持为一定的情况下，将与这些多个头15中的至少一个头15对应的柱面(磁道)的刷新阈值设定为高刷新阈值，将与多个头15中的设定为了高刷新阈值的至少一个头15以外的其它头15对应的柱面(磁道)的刷新阈值设定为低刷新阈值。

例如，刷新控制部670在将对于预定柱面(磁道)的4个头15的性能维持为一定、且与4个头15分别对应的4个柱面(磁道)的刷新阈值分别为300次、300次、300次以及300次的情况下，将与4个头15中的两个头15各自所对应的两个可纠正柱面(可纠正磁道)分别对应的两个刷新阈值分别增加100次。在该情况下，刷新控制部670将与4个头15中的对应于可纠正柱面(可纠正磁道)的两个头15以外的其余的两个头15各自所对应的两个柱面(磁道)分别对应的两个刷新阈值分别减少100次。在该情况下，能够维持4个头15的性能不变地，改善不与可纠正柱面(可纠正磁道)对应的两个头15的TPI。此外，4个头15中的与可纠正柱面(可纠正磁道)对应的两个头15以外的其余的两个头15分别与被进行了以磁道为单位的纠错成为无法纠正的写入、例如到1个磁道的中途为止的顺序写入、或者随机写入的两个无法纠正柱面(无法纠正磁道)对应的情况下，刷新控制部670将与这些两个头15各自所对应的两个柱面(磁道)分别对应的两个刷新阈值分别维持为300次、300次。在此，“对预定磁道、例如可纠正磁道(可纠正柱面)进行随机写入”相当于“以执行以磁道为单位的纠错的单位以下进行写入”。因此，由于对预定磁道、例如可纠正磁道(可纠正柱面)进行随机写入，在该磁道中可能成为无法执行以磁道为单位的纠错。刷新控制部670在可纠正柱面(可纠正磁道)的写次数为无法纠正柱面(无法纠正磁道)的刷新阈值以上的情况下，在对可纠正柱面(可纠正磁道)进行了随机写入时，该可纠正柱面(该可纠正磁道)成为无法纠正磁道，因此，在可纠正柱面(可纠正磁道)不允许随机写入，对可纠正柱面(可纠正磁道)执行读取修改写入，维持可纠正磁道。

图13是表示变形例1涉及的刷新阈值LTH和HTH的一个例子的示意图。在图13中，横轴表示写次数(次)，纵轴表示不可恢复错误率(Unrecoverable Error Rate)。在图13的纵轴上，不可恢复错误率随着朝向箭头的前端的方向而变大，随着朝向与箭头的前端相反的一侧而变小。在图13的横轴上，写次数随着朝向箭头的前端的方向而变大，随着朝向与箭头的前端相反的一侧而变小。在图13的横轴上示出低刷新阈值LTH和高刷新阈值HTH。在图13中示出与无法纠正区域对应的不可恢复错误率的变化(以下有时也称为不可恢复错误率的变化)ERL3、和与可纠正区域对应的不可恢复错误率的变化(以下有时也称为不可恢复错误率的变化)ERL4。如图13的不可恢复错误率的变化ERL3和不可恢复错误率的变化ERL4所示，可纠正区域的对于写次数的不可恢复错误率比无法纠正区域低。

在图13所示的例子中，MPU60将可纠正区域的刷新阈值设定为高刷新阈值，将无法纠正区域的刷新阈值设定为低刷新阈值。MPU60将与无法纠正区域对应的头15的TPI设定为高的TPI。MPU60在判定为了与可纠正区域对应的写次数超过高刷新阈值HTH的情况下，对可纠正区域执行刷新处理。MPU60在判定为了与无法纠正区域对应的写次数超过低刷新阈值LTH的情况下，对无法纠正区域执行刷新处理。MPU60对无法纠正区域执行刷新处理的频度比对可纠正区域执行刷新处理的频度大。

图14是表示本实施方式涉及的刷新阈值的设定方法的一个例子的流程图。

MPU60判定预定区域是否为可纠正区域(B1401)。换言之，MPU60判定预定区域是为可纠正区域、还是为无法纠正区域。例如，MPU60判定预定磁道是为可纠正磁道、还是为无法纠正磁道。例如，MPU60判定预定扇区是为可纠正扇区、还是为无法纠正扇区。在判定为了预定区域为可纠正区域的情况下(B1401：是)，MPU60将该可纠正区域的刷新阈值设定为高刷新阈值(B1402)，结束处理。换言之，MPU60将该可纠正磁道(或者该可纠正柱面)的刷新阈值设定为高刷新阈值。MPU60将该可纠正扇区的刷新阈值设定为高刷新阈值。

在判定为了预定区域为无法纠正区域的情况下(B1401：否)，MPU60将该无法纠正区域的刷新阈值设定为低刷新阈值(B1403)，结束处理。换言之，MPU60将该无法纠正磁道(或者该无法纠正柱面)的刷新阈值设定为低刷新阈值。MPU60将该无法纠正扇区的刷新阈值设定为低刷新阈值。

图15是表示本实施方式涉及的可纠正区域的写处理的一个例子的流程图。

MPU60接受向可纠正区域写入数据的写命令(B1501)。例如，MPU60接受向可纠正磁道(或者可纠正柱面)写入数据的写命令。MPU60判定可纠正区域的写次数是比低刷新阈值大、还是为低刷新阈值以下(B1502)。例如，MPU60判定可纠正磁道(或者可纠正柱面)的写次数是比低刷新阈值大、还是为低刷新阈值以下。在判定为了可纠正区域的写次数为低刷新阈值以下的情况下(B1502：否)，MPU60向可纠正区域写入数据(B1503)，结束处理。例如，在判定为了是可纠正磁道的低刷新阈值以下的情况下，MPU60向可纠正磁道写入数据，结束处理。

在判定为了可纠正区域的写次数比低刷新阈值大的情况下(B1502：是)，MPU60在可纠正区域不允许以磁道为单位的纠错成为无法纠正的写入、例如到1个磁道的中途为止的顺序写入、或者随机写入，执行读取修改写入(B1504)，结束处理。例如，在判定为了可纠正磁道(或者可纠正柱面)的写次数比低刷新阈值大的情况下，MPU60在可纠正磁道(或者可纠正柱面)不允许随机写入，执行读取修改写入。例如，在判定为了可纠正磁道(或者可纠正柱面)的写次数比低刷新阈值大的情况下，MPU60对可纠正磁道进行读取，进行将由写命令指示了写入的数据更换为了可纠正磁道(或者可纠正柱面)的所对应的数据的更新磁道(或者更新柱面)的写入，对更新磁道(或者更新柱面)的全部更新扇区组进行XOR运算来算出更新奇偶校验扇区，在相同的磁道或者柱面进行更新扇区组和更新奇偶校验扇区的写入，结束处理。

根据变形例1，磁盘装置1对与多个头15各自对应的多个盘10的面的各柱面所对应的刷新阈值进行变更。磁盘装置1具有高刷新阈值和低刷新阈值。磁盘装置1将可纠正区域的刷新阈值设定为高刷新阈值，将无法纠正区域的刷新阈值设定为低刷新阈值。磁盘装置1对设定为了低刷新阈值的无法纠正区域执行刷新处理的频度比对设定为了高刷新阈值的可纠正区域执行刷新处理的频度小。磁盘装置1在对可纠正区域写入数据时，在该可纠正区域的写次数比低刷新阈值大的情况下，对该可纠正区域执行读取修改写入。因此，磁盘装置1能够提高TPI。因此，磁盘装置1能够提高记录密度。

(变形例2)

变形例2涉及的磁盘装置1进行变为无法执行磁道ECC的磁道的数据转存，这一点与前述的实施方式和变形例1涉及的磁盘装置1不同。

图16是表示变形例2涉及的磁盘装置1的构成的框图。

MPU60还具有数据转存部680。MPU60在固件上执行各部、例如读/写控制部610、错误检测部620、纠错部630、奇偶校验扇区管理部640、偏离磁道管理部650、写计数部660、刷新控制部670以及数据转存部680等的处理。此外，MPU60也可以作为电路来具有各部、例如读/写控制部610、错误检测部620、纠错部630、奇偶校验扇区管理部640、偏离磁道管理部650、写计数部660、刷新控制部670以及数据转存部680等。读/写控制部610、错误检测部620、纠错部630、奇偶校验扇区管理部640、偏离磁道管理部650、写计数部660、刷新控制部670以及数据转存部680等也可以包含于R/W通道40或者HDC50。此外，MPU60也可以不包括偏离磁道管理部650、写计数部660以及刷新控制部670中的至少一个。

数据转存部680将由从主机100等接受到的命令指示的数据记录到与由该命令指示的记录区域不同的记录区域(以下有时也称为其它记录区域)、例如盘10、易失性存储器70、非易失性存储器80或者缓冲存储器90。数据转存部680将由从主机100等接受到的命令指示的数据暂时性地记录到其它记录区域、例如盘10、易失性存储器70、非易失性存储器80或者缓冲存储器90。以下，有时也称“将数据暂时地记录到其它记录区域”为“转存”或者“执行转存处理”。

数据转存部680在从主机100等接受到对随机写入禁止区域、例如随机写入禁止磁道或者随机写入禁止扇区的写命令(以下有时也称为禁止区域写命令)的情况下，判定在其它记录区域中是否具有空闲区域。

数据转存部680在判定为了在其它记录区域中具有空闲区域的情况下，将该禁止区域写命令、与该禁止区域写命令对应的数据(以下有时也称为禁止区域命令数据)转存到其它记录区域，不执行该禁止区域写命令而停止或者暂且搁置。换言之，数据转存部680在判定为了在其它记录区域中具有空闲区域的情况下，当从主机100等接受到该禁止区域写命令时，对该禁止区域写命令和与该禁止区域写命令对应的禁止区域命令数据进行转存，不执行该随机写入禁止磁道的写处理而停止或者暂且搁置。

数据转存部680在判定为了在其它记录区域中具有空闲区域的情况下，将该禁止区域写命令、与该禁止区域写命令对应的禁止区域命令数据以及该随机写入禁止磁道的数据(以下有时也称为随机写入禁止数据)转存到其它记录区域，不执行该禁止区域写命令而停止或者暂且搁置。换言之，数据转存部680在判定为了在其它记录区域中具有空闲区域的情况下，当从主机100等接受到该禁止区域写命令时，对该禁止区域写命令、与该禁止区域写命令对应的禁止区域命令数据以及与该随机写入禁止磁道对应的随机写入禁止数据进行转存，不执行该随机写入禁止磁道的写处理而停止或者暂且搁置。

数据转存部680在判定为了在其它记录区域中具有空闲区域的情况下，基于与该禁止区域写命令对应的禁止区域命令数据，对与该禁止区域写命令对应的随机写入禁止磁道进行写入，以使得能够在该随机写入禁止磁道中执行磁道ECC。换言之，数据转存部680在判定为了在其它记录区域中具有空闲区域的情况下，基于与禁止区域写命令对应的禁止区域命令数据，对与该禁止区域写命令对应的随机写入禁止磁道进行写入，以使得该随机写入禁止磁道成为可纠正磁道。

数据转存部680在从主机100等接受禁止区域写命令、且判定为了在其它记录区域中没有空闲区域的情况下，将与该禁止区域写命令对应的禁止区域命令数据如通常那样写入到由该禁止区域写命令指定的区域、例如随机写入禁止磁道，将由该禁止区域写命令指定的区域、例如随机写入禁止磁道设定为盘10的用户数据区域10a的无法纠正磁道。换言之，数据转存部680在从主机100等接受禁止区域写命令、且判定为了在其它记录区域中没有空闲区域的情况下，将与该禁止区域写命令对应的区域、例如禁止区域命令数据写入到随机写入禁止磁道，将与该禁止区域写命令对应的区域、例如随机写入禁止磁道作为盘10的用户数据区域10a的无法纠正磁道来用管理表TB1进行管理。

例如，数据转存部680在从主机100等接受到禁止区域写命令的情况下，判定在暂时性地记录数据的高速缓存(cache)、例如盘10的系统区10b、易失性存储器70、非易失性存储器80或者缓冲存储器90中是否具有空闲区域。

数据转存部680在判定为了在高速缓存中具有空闲区域的情况下，将与该禁止区域写命令对应的禁止区域命令数据转存到高速缓存，不执行该随机写入禁止磁道的写处理而停止或者暂且搁置。

数据转存部680在判定为了在高速缓存中具有空闲区域的情况下，将与该禁止区域写命令对应的禁止区域命令数据和与该禁止区域写命令对应的随机写入禁止磁道的随机写入禁止数据转存到高速缓存，不执行该随机写入禁止磁道的写处理而停止或者暂且搁置。

数据转存部680在空闲时等将与该禁止区域写命令对应的禁止区域命令数据(更新数据)转存到了高速缓存的情况下，基于该禁止区域命令数据(更新数据)和该随机写入禁止数据，对该随机写入禁止磁道执行读取修改写入。

数据转存部680在空闲时等将与该禁止区域写命令对应的禁止区域命令数据(更新数据)和与该禁止区域写命令对应的随机写入禁止磁道的随机写入禁止数据转存到了高速缓存的情况下，基于该禁止区域命令数据(更新数据)和该随机写入禁止数据，对该随机写入禁止磁道执行读取修改写入。

数据转存部680在从主机100等进一步接受到对从该随机写入禁止磁道除去写入禁止区域命令数据的区域之后的其余的区域(以下有时也称为写禁止其余区域)写入数据(以下有时也称为写禁止其余数据)的命令(以下有时也称为写禁止其余命令)的情况下，将写禁止其余数据和禁止区域命令数据写入到盘10的用户数据区域10a的该随机写入禁止磁道。换言之，数据转存部680在判定为了从主机100等接受到写入随机写入禁止磁道的1个磁道量的数据的至少一个命令(以下有时也称为1个磁道量命令)的情况下，将与该1个磁道量命令对应的数据写入到盘10的用户数据区域10a的该随机写入禁止磁道。

数据转存部680在从主机100等接受禁止区域写命令、且判定为了在高速缓存中没有空闲区域的情况下，将与该禁止区域写命令对应的禁止区域命令数据写入到由该禁止区域写命令指示的区域、例如随机写入禁止磁道，将由该禁止区域写命令指示的区域、例如随机写入禁止磁道设定为无法纠正磁道。

数据转存部680在从主机100等接受到在预定的可纠正磁道(以下有时也称为计划无法纠正磁道)中变为无法执行磁道ECC的写命令(以下有时也称为无法纠正化命令)的情况下，判定在其它记录区域中是否具有空闲区域。

数据转存部680在判定为了在其它记录区域中具有空闲区域的情况下，将该无法纠正化命令和与该无法纠正化命令对应的数据(以下有时也称为无法纠正化命令数据)转存到其它记录区域，不执行该无法纠正化命令而停止或者暂且搁置。换言之，数据转存部680在判定为了在其它记录区域中具有空闲区域的情况下，对该无法纠正化命令、与该无法纠正化命令对应的无法纠正化命令数据以及该计划无法纠正磁道的计划无法纠正数据进行转存，不执行该计划无法纠正磁道的写处理而停止或者暂且搁置。

数据转存部680在判定为了在其它记录区域中具有空闲区域的情况下，将该无法纠正化命令、与该无法纠正化命令对应的无法纠正化命令数据以及该计划无法纠正磁道的数据(以下有时也称为计划无法纠正数据)转存到其它记录区域，不执行该无法纠正化命令而停止或者暂且搁置。换言之，数据转存部680在判定为了在其它记录区域中具有空闲区域的情况下，对该无法纠正化命令、与该无法纠正化命令对应的无法纠正化命令数据以及该计划无法纠正磁道的计划无法纠正数据进行转存，不执行该计划无法纠正磁道的写处理而停止或者暂且搁置。

数据转存部680在判定为了在其它记录区域中具有空闲区域的情况下，基于与该无法纠正化命令对应的无法纠正化命令数据，对与该无法纠正化命令对应的计划无法纠正磁道进行写入，以使得能够在计划无法纠正磁道中执行磁道ECC。换言之，数据转存部680在判定为了在其它记录区域中具有空闲区域的情况下，基于与该无法纠正化命令对应的无法纠正化命令数据，对与该无法纠正化命令对应的计划无法纠正磁道进行写入，以使得该计划无法纠正磁道成为可纠正磁道。

数据转存部680在从主机100等接受无法纠正化命令、且判定为了在其它记录区域中没有空闲区域的情况下，将与该无法纠正化命令对应的无法纠正化命令数据写入到计划无法纠正磁道，将计划无法纠正磁道设定为盘10的用户数据区域10a的无法纠正磁道。换言之，数据转存部680在从主机100等接受无法纠正化命令、且判定为了在其它记录区域中没有空闲区域的情况下，将与该无法纠正化命令对应的无法纠正化命令数据写入到计划无法纠正磁道，将计划无法纠正磁道作为盘10的用户数据区域10a的无法纠正磁道来用管理表TB1进行管理。

例如，数据转存部680在从主机100等接受到无法纠正化命令的情况下，判定在高速缓存、例如盘10的系统区10b、易失性存储器70、非易失性存储器80或者缓冲存储器90中是否具有空闲区域。

数据转存部680在判定为了在高速缓存中具有空闲区域的情况下，将与该无法纠正化命令对应的无法纠正化命令数据转存到暂时性地记录数据的高速缓存，不执行该计划无法纠正磁道的写处理而停止或者暂且搁置。

数据转存部680在判定为了在高速缓存中具有空闲区域的情况下，将与该无法纠正化命令对应的无法纠正化命令数据和与该无法纠正化命令对应的计划无法纠正磁道的计划无法纠正数据转存到暂时性地记录数据的高速缓存，不执行该计划无法纠正磁道的写处理而停止或者暂且搁置。

数据转存部680在空闲时等将与该无法纠正化命令对应的无法纠正化命令数据(更新数据)转存到了高速缓存的情况下，基于该无法纠正化命令数据(更新数据)，对该计划无法纠正磁道执行读取修改写入。

数据转存部680在空闲时等将与该无法纠正化命令对应的无法纠正化命令数据(更新数据)和与该无法纠正化命令对应的计划无法纠正磁道的计划无法纠正数据转存到了高速缓存的情况下，基于该无法纠正化命令数据(更新数据)和该计划无法纠正数据，对该计划无法纠正磁道执行读取修改写入。

数据转存部680在从主机100等进一步接受到对从该计划无法纠正磁道除去写入无法纠正化命令数据的区域之后的其余的区域(以下有时也称为无法纠正其余区域)写入数据(以下有时也称为无法纠正其余数据)的命令(以下有时也称为无法纠正其余命令)的情况下，将无法纠正其余数据和无法纠正化命令数据写入该盘10的用户数据区域10a的该计划无法纠正磁道。换言之，数据转存部680在判定为了从主机100等接受到计划无法纠正磁道的1个磁道量命令的情况下，将与该1个磁道量命令对应的数据写入到盘10的用户数据区域10a的该计划无法纠正磁道。

数据转存部680在从主机100等接受无法纠正化命令、且判定为了在高速缓存中没有空闲区域的情况下，将与该无法纠正化命令对应的无法纠正化命令数据写入到计划无法纠正磁道，将计划无法纠正磁道设定为无法纠正磁道。

图17是表示变形例2涉及的转存处理的一个例子的示意图。在图17中示出磁道TRm-2、磁道TRm+1、磁道TRm、磁道TRm+1以及磁道TRm+2。在图17中，磁道TRm-2～TRk+2从外方向向内方向按记载的顺序排列。磁道TRm-1在外方向上与磁道TRm相邻。磁道TRm-2在外方向上与磁道TRm-1相邻。磁道TRm+1在内方向上与磁道TRm相邻。磁道TRm+2在内方向上与磁道TRm+1相邻。在图17中，磁道TRm-2～TRm+2相当于可纠正磁道。在图17中示出圆周位置CPS、圆周位置CP3、圆周位置CP4以及圆周位置CPR。圆周位置CP3位于比圆周位置CPS靠后方向的位置，圆周位置CP4位于比圆周位置CP3靠后方向的位置，圆周位置CPR位于比圆周位置CP4靠后方向的位置。在图17中示出用预定的写命令进行写入的区域WCd1、用预定的写命令进行写入的区域WCd2以及用预定的写命令进行写入的区域WCd3。以下，有时也将“指示预定区域或者数据的写入的命令”和“用预定的写命令进行写入的区域或者数据”称为“写命令”。也即是，将“指示区域或者数据WCd1的写入的命令”和“用预定的写命令进行写入的区域或者数据WCd1”称为“写命令WCd1”，将“指示区域或者数据WCd2的写入的命令”和“用预定的写命令进行写入的区域WCd2”称为“写命令WCd2”，将“指示区域或者数据WCd3的写入的命令”和“用预定的写命令进行写入的区域WCd3”称为“写命令WCd3”。写命令WCd1相当于磁道TRm-2的从圆周位置CP4到圆周位置CPR的区域或者数据、磁道TRm-1的从圆周位置CPS到圆周位置CPR的区域或者数据、磁道TRm的从圆周位置CPS到圆周位置CPR的区域或者数据、磁道TRm+1的从圆周位置CPS到圆周位置CPR的区域或者数据、磁道TRm+2的从圆周位置CPS到圆周位置CP3的区域或者数据。另外，写命令WCd1相当于对磁道TRm-2的从圆周位置CP4到圆周位置CPR的区域写入数据的命令、对磁道TRm-1的从圆周位置CPS到圆周位置CPR的区域写入数据的命令、对磁道TRm的从圆周位置CPS到圆周位置CPR的区域写入数据的命令、对磁道TRm+1的从圆周位置CPS到圆周位置CPR的区域写入数据的命令以及对磁道TRm+2的从圆周位置CPS到圆周位置CP3的区域写入数据的命令。写命令WCd2相当于磁道TRm-2的从圆周位置CPS到圆周位置CP4的区域或者数据。另外，写命令WCd2相当于对磁道TRm-2的从圆周位置CPS到圆周位置CP4的区域写入数据的命令。写命令WCd3相当于磁道TRm+2的从圆周位置CP3到圆周位置CPR的区域或者数据。另外，写命令WCd3相当于对磁道TRm+2的从圆周位置CP3到圆周位置CPR的区域写入数据的命令。

在图17所示的例子中，MPU60在从主机100等接受到写命令WCd1的情况下，由于在磁道TRm-2中成为1个磁道量以下的写处理，磁道TRm-2可能从可纠正磁道变为无法纠正磁道。因此，MPU60将写命令WCd1的与磁道TRm-2对应的无法纠正化命令数据和磁道TRm-2转存到高速缓存、例如盘10的系统区10b、易失性存储器70、非易失性存储器80或者缓冲存储器90，不执行磁道TRm-2的写处理。换言之，MPU60将磁道TRm-2的从圆周位置CP4到圆周位置CPR的无法纠正化命令数据(更新数据)和磁道TRm-2转存到高速缓存、例如盘10的系统区10b、易失性存储器70、非易失性存储器80或者缓冲存储器90，不执行磁道TRm-2的写处理。

MPU60在将写命令WCd1的与磁道TRm-2对应的无法纠正化命令数据(更新数据)和磁道TRm-2转存到了高速缓存的情况下，在空闲时，基于写命令WCd1的与磁道TRm-2对应的无法纠正化命令数据(更新数据)和磁道TRm-2，对磁道TRm-2执行读取修改写入。换言之，MPU60在将磁道TRm-2的从圆周位置CP4到圆周位置CPR的无法纠正化命令数据(更新数据)和磁道TRm-2转存到了高速缓存的情况下，在空闲时，基于磁道TRm-2的从圆周位置CP4到圆周位置CPR的无法纠正化命令数据(更新数据)和磁道TRm-2，对磁道TRm-2执行读取修改写入。

另外，MPU60在将写命令WCd1的与磁道TRm-2对应的无法纠正化命令数据和磁道TRm-2转存到高速缓存、且从主机100等接受到写命令WCd2的情况下，将写命令WCd1的与磁道TRm-2对应的无法纠正化命令数据和写命令WCd2写入到磁道TRm-1。换言之，MPU60在将磁道TRm-2的从圆周位置CP4到圆周位置CPR的无法纠正化命令数据(更新数据)和磁道TRm-2转存到高速缓存、且从主机100等接受到写命令WCd2的情况下，将磁道TRm-2的从圆周位置CP4到圆周位置CPR的无法纠正化命令数据(更新数据)和写命令WCd2写入到磁道TRm-1。

在图17所示的例子中，MPU60在从主机100等接受到写命令WCd1的情况下，由于在磁道TRm+2成为1个磁道量以下的写处理，磁道TRm+2可能从可纠正磁道变为无法纠正磁道。因此，MPU60将写命令WCd1的与磁道TRm+2对应的无法纠正化命令数据和磁道TRm+2转存到高速缓存、例如盘10、易失性存储器70、非易失性存储器80或者缓冲存储器90，不执行磁道TRm+2的写处理。换言之，MPU60将磁道TRm+2的从圆周位置CPS到圆周位置CP3的无法纠正化命令数据和磁道TRm+2转存到高速缓存、例如盘10、易失性存储器70、非易失性存储器80或者缓冲存储器90，不执行磁道TRm+2的写处理。

MPU60在将写命令WCd1的与磁道TRm+2对应的无法纠正化命令数据(更新数据)和磁道TRm+2转存到了高速缓存的情况下，基于写命令WCd1的与磁道TRm+2对应的无法纠正化命令数据(更新数据)和磁道TRm+2，在空闲时对磁道TRm-2执行读取修改写入。换言之，MPU60在将磁道TRm+2的从圆周位置CPS到圆周位置CP3的无法纠正化命令数据(更新数据)和磁道TRm+2转存到了高速缓存的情况下，在空闲时，基于磁道TRm+2的从圆周位置CPS到圆周位置CP3的无法纠正化命令数据(更新数据)和磁道TRm+2，对磁道TRm-2执行读取修改写入。

另外，MPU60在将写命令WCd1的与磁道TRm+2对应的无法纠正化命令数据和磁道TRm+2转存到高速缓存、且从主机100等接受到写命令WCd3的情况下，将写命令WCd1的与磁道TRm+2对应的无法纠正化命令数据和写命令WCd3写入到磁道TRm+2。换言之，MPU60在将磁道TRm+2的从圆周位置CPS到圆周位置CP3的无法纠正化命令数据和磁道TRm+2转存到高速缓存、且从主机100等接受到写命令WCd3的情况下，将磁道TRm+2的从圆周位置CPS到圆周位置CP3的无法纠正化命令数据和写命令WCd3写入到磁道TRm+2。

图18是表示变形例2涉及的转存处理的一个例子的流程图。

MPU60接受对用户数据区域10a的预定的可纠正区域、例如可纠正磁道写入数据的写命令(B1801)。MPU60判定在按照写命令进行了写入时与该写命令对应的可纠正区域、例如可纠正磁道是否成为无法纠正区域、例如无法纠正磁道(B1802)。换言之，MPU60判定从主机100接受到的命令是否为无法纠正化命令。在判定为了不成为无法纠正区域、例如无法纠正磁道的情况下(B1802：否)，MPU60将与该写命令对应的数据写入到用户数据区域10a的预定的可纠正区域、例如可纠正磁道(B1803)，结束处理。

在判定为了成为无法纠正区域、例如无法纠正磁道的情况下(B1802：是)，MPU60判定在高速缓存中是否具有空闲(B1804)。在判定为了在高速缓存中没有空闲的情况下(B1804：否)，MPU60进入B1803的处理。

在判定为了在高速缓存中具有空闲的情况下(B1804：是)，MPU60将与该写命令(无法纠正化命令)对应的数据(无法纠正化命令数据)(和与该无法纠正化命令对应的用户数据区域10a的可纠正磁道(计划无法纠正磁道)的数据(计划无法纠正数据))转存到高速缓存(B1805)，结束处理。

图19是表示变形例2涉及的转存处理的一个例子的流程图。

MPU60接受对用户数据区域10a的预定磁道写入数据的写命令(B1801)。MPU60判定在按照写命令进行了写入时与该写命令对应的磁道是不被允许以磁道为单位的纠错成为无法纠正的写入、例如到1个磁道的中途为止的顺序写入、或者随机写入、还是被允许随机写入(B1901)。在判定为了该磁道被允许随机写入的情况下(B1901：否)，MPU60将与该写命令对应的数据写入到用户数据区域10a的该磁道(B1803)，结束处理。

在判定为了该磁道不被允许随机写入的情况下(B1901：是)，MPU60判定在高速缓存中是否具有空闲(B1804)。在判定为了在高速缓存中没有空闲的情况下(B1804：否)，MPU60进入B1803的处理。

在判定为了在高速缓存中具有空闲的情况下(B1804：是)，MPU60将与该写命令对应的数据和与该命令对应的用户数据区域10a的磁道的数据转存到高速缓存(B1805)，结束处理。

根据变形例2，磁盘装置1在从主机100等接受到禁止区域写命令的情况下，判定在其它记录区域中是否具有空闲区域。磁盘装置1在判定为了在其它记录区域中具有空闲区域的情况下，将与该禁止区域写命令对应的禁止区域命令数据和随机写入禁止数据转存到其它记录区域，不执行该禁止区域写命令。磁盘装置1在判定为了在其它记录区域中没有空闲区域的情况下，将与禁止区域写命令对应的禁止区域命令数据写入到随机写入禁止磁道。

另外，磁盘装置1在从主机100等接受到无法纠正化命令的情况下，判定在其它记录区域中是否具有空闲区域。磁盘装置1在判定为了在其它记录区域中具有空闲区域的情况下，将与该无法纠正化命令对应的无法纠正化命令数据和计划无法纠正数据转存到其它记录区域，不执行该无法纠正化命令。磁盘装置1在判定为了在其它记录区域中没有空闲区域的情况下，将与无法纠正化命令对应的无法纠正化命令数据写入到计划无法纠正磁道。

对于无法执行磁道ECC的磁道的DOL被设定为严格的值，因此，容易产生写入失败(Write Fault)，因此，写性能(Write Performance)可能降低。另外，对于无法执行磁道ECC的磁道的写次数可能被设定得低，因此，需要频繁地执行刷新处理，写性能可能降低。在变形例2中执行如下处理：在接受到写命令的情况下将与写命令对应的数据暂时性地转存到高速缓存，将无法执行磁道ECC的磁道变更为能够执行磁道ECC的磁道。因此，磁盘装置1能够高效地执行写处理。也即是，磁盘装置1能够提高写性能。因此，磁盘装置1能够提高可靠性。

以上对几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子而提示的，并不是意在限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其它各种各样的方式来实施，能够在不脱离发明的主旨的范围内进行各种省略、置换、变更。这些实施方式和/或其变形包含在发明的范围、主旨内，并且，包含在权利要求书所记载的发明及其等同的范围内。

Claims (14)

1.一种磁盘装置，具备：

盘；

头，其对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及

控制器，其将对于第1扇区组的第1DOL和对于第2扇区组的第2DOL设定为不同的值，所述第1扇区组包括能够基于第1奇偶校验扇区执行以磁道为单位的纠错处理的从所述第1奇偶校验扇区起在所述盘的圆周方向上连续的至少一个第1扇区和所述第1奇偶校验扇区，所述第2扇区组包括无法执行以磁道为单位的纠错处理的在所述圆周方向上连续的至少一个第2扇区。

2.根据权利要求1所述的磁盘装置，

所述控制器在对与所述第1扇区组相当的第1磁道进行了随机写入的情况下，将对于所述第1磁道的DOL从所述第1DOL变更为所述第2DOL。

3.根据权利要求1所述的磁盘装置，

所述控制器对具有所述第1扇区组和所述第2扇区组的第1磁道的所述第1扇区组设定所述第1DOL，对所述第1磁道的所述第2扇区组设定所述第2DOL。

4.根据权利要求2或者3所述的磁盘装置，

所述控制器在对于所述第1扇区组的第1偏离磁道量比不可恢复阈值大的情况下，不允许对所述第1扇区组进行以磁道为单位的纠错成为无法纠正的写入。

5.根据权利要求4所述的磁盘装置，

所述控制器在对于所述第1扇区组的第1偏离磁道量比不可恢复阈值大的情况下，对所述第1扇区组执行读取修改写入。

6.一种磁盘装置，具备：

盘；

头，其对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及

控制器，其具有对第1扇区组和第2扇区组进行管理的表，所述第1扇区组包括能够基于第1奇偶校验扇区执行以磁道为单位的纠错处理的从所述第1奇偶校验扇区起在所述盘的圆周方向上连续的至少一个第1扇区和所述第1奇偶校验扇区，所述第2扇区组包括无法执行以磁道为单位的纠错处理的在所述圆周方向上连续的至少一个第2扇区。

7.一个磁盘装置，具备：

盘；

头，其对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及

控制器，其具有对第3扇区组进行管理的表，所述第3扇区组是在从第1扇区组变更为了第2扇区组的情况下会产生读错误的扇区组，所述第1扇区组包括能够基于第1奇偶校验扇区执行以磁道为单位的纠错处理的从所述第1奇偶校验扇区起在所述盘的圆周方向上连续的至少一个第1扇区和所述第1奇偶校验扇区，所述第2扇区组包括无法执行以磁道为单位的纠错处理的在所述圆周方向上连续的至少一个第2扇区。

8.一种磁盘装置，具备：

盘，其具有第1区域；

头，其对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及

控制器，其在接受到变更为第1扇区组的写命令的情况下，将其暂时性地转存到与所述第1区域不同的第1记录区域，不对所述第1区域执行写处理，所述第1扇区组包括不被允许以磁道为单位的纠错成为无法纠正的写入的、在所述盘的圆周方向上连续的至少一个第1扇区。

9.一种磁盘装置，具备：

盘，其具有第1区域；

头，其对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及

控制器，其在接受到从第1扇区组变更为第2扇区组的第1写命令的情况下，将与所述第1写命令对应的第3扇区组暂时性地转存到与所述第1区域不同的第1记录区域，不执行所述第3扇区组对所述第1区域的写处理，所述第1扇区组包括能够基于第1奇偶校验扇区执行以磁道为单位的纠错处理的从所述第1奇偶校验扇区起在所述盘的圆周方向上连续的至少一个第1扇区和所述第1奇偶校验扇区，所述第2扇区组包括无法执行以磁道为单位的纠错处理的在所述圆周方向上连续的至少一个第2扇区。

10.根据权利要求9所述的磁盘装置，

所述控制器基于所述第1扇区组和所述第3扇区组来执行读取修改写入。

11.根据权利要求9所述的磁盘装置，

所述控制器在接受到与所述第3扇区组连续地进行与从1个磁道的全部数据除去所述第3扇区组之后的容量相当的第4扇区组的写入的第2写命令的情况下，进行所述第3扇区组和所述第4扇区组的写入。

12.根据权利要求9所述的磁盘装置，

所述控制器在所述第1记录区域中没有空闲区域的情况下，按照所述第1写命令进行所述第3扇区组的写入。

13.根据权利要求9～12中任一项所述的磁盘装置，

所述第1记录区域是暂时性地写入数据的高速缓存。

14.一种DOL的设定方法，应用于磁盘装置，所述磁盘装置具备盘和头，所述头对所述盘写入数据，从所述盘读取数据，所述DOL的设定方法包括：

将对于第1扇区组的第1DOL和对于第2扇区组的第2DOL设定为不同的值，所述第1扇区组包括能够基于第1奇偶校验扇区执行以磁道为单位的纠错处理的从所述第1奇偶校验扇区起在所述盘的圆周方向上连续的至少一个第1扇区和所述第1奇偶校验扇区，所述第2扇区组包括无法执行以磁道为单位的纠错处理的在所述圆周方向上连续的至少一个第2扇区。

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