CN114138172A - 磁盘装置以及磁盘装置的控制方法 - Google Patents

磁盘装置以及磁盘装置的控制方法 Download PDF

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CN114138172A CN202110676747.9A CN202110676747A CN114138172A CN 114138172 A CN114138172 A CN 114138172A CN 202110676747 A CN202110676747 A CN 202110676747A CN 114138172 A CN114138172 A CN 114138172A
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Abstract

实施方式提供一种磁盘装置及其控制方法，即使是在登记了缺陷信息的区域以外的区域存在微小缺陷的情况下，也能够对由该微小缺陷引起的数据的读错误进行抑制。实施方式的磁盘装置具备：磁盘；头，对磁盘写入数据，从磁盘读出数据；以及控制器，根据与磁盘的预定记录区域对应的数据的写入次数，暂时读出在预定记录区域写入的数据，将所读出的数据重写到所述预定记录区域。控制器基于磁盘的记录面中是否存在缺陷，对写入次数的相加值进行调整。

Description

磁盘装置以及磁盘装置的控制方法
本申请享受以日本特许申请2020-149251号(申请日：2020年9月4日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及磁盘装置以及该磁盘的控制方法。
背景技术
在搭载于磁盘装置的盘的表面(记录面)存在微小的伤痕(凹部)和/或溅射薄片(sputter flakes)等微小突起(凸部)等缺陷。这些缺陷成为给对于盘的数据的正常写入、读出造成障碍的主要原因，另外，也成为使头损伤的主要原因。因此，在磁盘装置中，缺陷的所处位置被预先作为缺陷信息进行了登记。对于被登记为存在缺陷的区域，例如通过不对该区域分配LBA(Logical Block Addressing：逻辑块地址)而被从盘的记录区域中排除。对于盘表面的缺陷的所处位置，例如通过在对盘写入了数据之后进行读出并对这些数据的差异进行检测的音调(tone)扫描法、使用了HDI(Head Disk Interface，头盘界面)传感器的扫描方法、使用了相邻写入的扫描方法等来进行检测。
在使用了相邻写入的方法中，通过对预定磁道的相邻磁道写入数据，在助长了来自预定磁道的数据的读错误的状态下查出缺陷。因此，在使用了相邻写入的方法中，相邻写入次数、也即是相邻磁道的写入次数越多，缺陷的检测精度越提高。另一方面，若相邻写入次数变多，则检测时间会相应地变长，实现性会降低。因此，根据相邻写入的执行次数，有可能会在登记了缺陷信息的区域以外的区域存在微小缺陷，例如没有被登记为缺陷信息的微小伤痕(轻微伤痕)等。
存在这样的微小缺陷的扇区在一次的数据写入中达不到读错误，但当相邻写入的次数变多时，则有可能会比没有伤痕的扇区更早地成为读错误。
发明内容
本发明的实施方式在于提供一种磁盘装置以及该磁盘的控制方法，即使是在登记了缺陷信息的区域以外的区域存在了轻微伤痕等微小缺陷的情况下，也能够对因该微小缺陷而数据成为读错误进行抑制。
实施方式的磁盘装置具备：磁盘；头，其对所述磁盘写入数据，从所述磁盘读出数据；以及控制器，其根据与所述磁盘的预定记录区域对应的数据的写入次数，暂时读出在所述预定记录区域写入的数据，将所读出的数据重写到所述预定记录区域。所述控制器基于所述磁盘的记录面中是否存在缺陷，对所述写入次数的相加值进行调整。
附图说明
图1是表示实施方式涉及的磁盘装置的概略构成的框图。
图2是概略地表示在实施方式涉及的磁盘装置的盘的记录面上缺陷沿着半径方向连续的情况下的通常记录区域、Plist区域、Plist周边区域的设定的一个例子的图。
图3是概略地表示在实施方式涉及的磁盘装置的盘的记录面上缺陷沿着相对于半径方向倾斜的方向连续的情况下的通常记录区域、Plist区域、Plist周边区域的设定的一个例子的图。
图4是表示实施方式涉及的磁盘装置中，对于包含具有深的伤痕来作为缺陷的扇区的磁道的写次数与错误率的关系的图。
图5是表示实施方式涉及的磁盘装置中，对于包含具有极浅的伤痕来作为缺陷的扇区的磁道的写次数与错误率的关系的图。
图6是表示实施方式涉及的磁盘装置中，对于仅具有不存在缺陷的适当的扇区的磁道的写次数与错误率的关系的图。
图7是表示实施方式涉及的磁盘装置中，在进行刷新处理时系统控制器所执行的控制的流程图。
具体实施方式
以下，参照图1～图7，对实施方式涉及的磁盘装置进行说明。
图1是表示实施方式涉及的磁盘装置1的概略构成的框图。如图1所示，磁盘装置1具备：后述的头盘组件(HDA)、驱动器IC20、头放大器集成电路(以下称为头放大器IC)30、易失性存储器70、缓冲存储器(缓冲器)80、非易失性存储器90以及系统控制器100。另外，磁盘装置1与主机系统(以下简称为主机)200连接。
HDA具有磁盘(以下称为盘)10、主轴马达(以下称为SPM)12、搭载了头15的臂13以及音圈马达(以下称为VCM)14。盘10安装于主轴马达12，通过主轴马达12的驱动进行旋转。臂13和VCM14构成致动器。致动器通过VCM14的驱动，将搭载于臂13的头15移动控制到盘10上的目标位置。盘10和头15的数量不限于一个，也可以是多个。
盘10对其能够写入数据的区域分配有能由用户利用的用户数据区域10a和写入系统管理所需要的信息的系统区10b。以下，将与盘10的半径方向正交的方向称为圆周方向。
头15将滑块作为主体，具备安装于该滑块的写入头15W和读取头15R。写入头15W在盘10上写入(write)数据。读取头15R读出(read)记录于盘10上的数据磁道的数据。
驱动器IC20按照系统控制器100(详细而言为后述的MPU60)的控制，对SPM12和VCM14的驱动进行控制。
头放大器IC30具备读放大器和写驱动器。读放大器对从盘10读出的读信号进行放大，并输出给系统控制器100(详细而言为后述的读/写(R/W)通道40)。写驱动器向头15输出与从R/W通道40输出的信号相应的写电流。
易失性存储器70是当电力供给被切断时所保存的数据会丢失的半导体存储器。易失性存储器70保存磁盘装置1的各部的处理所需要的数据等。易失性存储器70例如是DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机访问存储器)或者SDRAM(SynchronousDynamic Random Access Memory，同步动态随机访问存储器)。
缓冲存储器80是暂时性地记录在磁盘装置1与主机200之间收发的数据等的半导体存储器。此外，缓冲存储器80也可以与易失性存储器70一体地构成。缓冲存储器80例如为DRAM、SRAM(Static Random Access Memory，静态随机访问存储器)、SDRAM、FeRAM(Ferroelectric Random Access memory，铁电随机访问存储器)或者MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory，磁阻随机访问存储器)等。
非易失性存储器90是即使电力供给被切断也记录所保存的数据的半导体存储器。非易失性存储器90例如为NOR型或者NAND型闪速ROM(Flash Read Only Memory：FROM)。
在非易失存储器90中保持有缺陷信息(以下称为Plist)。Plist是对存在于盘10的表面(记录面)的缺陷的所处位置进行表示的信息的集合。缺陷的有无例如在产品(磁盘装置1)出厂前的盘10的品质检查中进行了检测。在Plist中，例如存在缺陷的柱面编号、扇区编号、扇区长度、头编号等各信息被相互关联地进行了登记。柱面编号(地址)表示存在所对应的缺陷的盘10上的磁道的柱面位置。扇区编号和扇区长度表示存在所对应的缺陷的扇区的位置(在缺陷遍及多个扇区的情况下为其开头扇区位置)和扇区的数量。头编号表示存在所对应的缺陷的盘10的记录面。
在Plist中，不仅是实际地存在缺陷的扇区，与该扇区相邻的预定扇区(相邻扇区)也被作为余裕(margin)进行了登记。因此，登记于Plist的扇区编号和扇区长度被设为比实际地检测到缺陷的扇区的扇区编号和扇区长度大的值。即，登记于Plist的区域在实际地检测到缺陷的扇区的基础上还包括与该扇区相邻的预定扇区。登记于Plist的区域被区分为盘10的记录区域的第1区域，以下称为Plist区域。另外，上述的相邻扇区没有被检测到缺陷的存在，但为实际地存在或者有可能存在比该缺陷小的缺陷(以下称为微小缺陷)、例如微小伤痕等的扇区，被作为余裕添加到Plist区域。
Plist区域例如通过不对该区域分配LBA而被从盘10的记录区域中排除。即，Plist区域具有缺陷，不被作为盘10的记录区域使用。由此，实现了对盘10的数据写入、读出不良、头15的损伤等的抑制。
如上所述，在Plist中，不仅是实际地存在缺陷的扇区，与该扇区相邻的预定扇区也被作为余裕进行了登记。然而，例如凹状的伤痕等缺陷有时从能够容易地检测的深的伤痕逐渐变化为浅的伤痕而遍及多个扇区、相邻磁道地连续。根据这样的观点，Plist具有余裕，但根据伤痕的程度，具有与伤痕深的部位连续的浅的部位、比其更浅的部位(微小的伤痕)的扇区有可能偏离Plist区域。因此，在本实施方式中，在Plist区域的基础上，还与Plist区域相邻地设定了包含可能存在这样的伤痕浅的部位、也即是微小缺陷的扇区的区域。与Plist区域相邻的该区域被区分为盘10的记录区域的第2区域，以下称为Plist周边区域。
关于详细，将在后面进行描述，Plist周边区域是与由不存在缺陷的适当的扇区构成的区域(以下称为通常记录区域)相比、写次数的相加值被进行调整且刷新处理的执行定时被提前的区域。通常记录区域是除Plist区域(第1区域)和Plist周边区域(第2区域)以外的区域，被区分为盘10的记录区域的第3区域。
即，在盘10的记录面混合存在有通常记录区域、Plist区域以及Plist周边区域。Plist周边区域是与Plist区域相邻且由Plist区域和通常记录区域夹着的区域。这些各区域遍及一个或者多个扇区地进行了设定。另外，这些各区域既可以包含一个扇区的全部区域，也可以包含一个扇区的一部分。
在图2和图3中概略地表示盘10的记录面中的通常记录区域、Plist区域、Plist周边区域的设定的一个例子。图2是表示缺陷沿着盘10的半径方向(Media Track Direction，介质磁道方向)连续的情况下的一个例子的图。图3是表示缺陷沿着相对于盘10的半径方向倾斜的方向连续的情况下的一个例子的图。在图2和图3中，盘10的半径方向相当于横向，圆周方向(Media Rotation Direction，介质旋转方向)相当于纵向，在纵横上区划出的1个块为1个磁道的1扇区量的区域。即，在图2和图3中示出了在圆周方向上连续的29个磁道的8扇区量的记录区域来作为盘10的记录面的一部分。在各图中，×记号、+记号以及-记号均表示缺陷，缺陷的程度(对数据读写的影响度)按该顺序变轻。例如，×记号表示深的伤痕，+记号表示浅的伤痕，-记号表示极浅的伤痕。极浅的伤痕相当于比包括深的伤痕和浅的伤痕的缺陷微小的缺陷。此外，无记号的扇区是不存在缺陷的适当的扇区。
在图2所示的例子中，区域R21为Plist区域，区域R22为Plist周边区域，这些以外的区域R23为通常记录区域。区域R21、R22是分别由粗线包围的区域，区域R23是除此以外的区域。作为Plist区域的R21分别包含具有深的伤痕、浅的伤痕、极浅的伤痕来作为缺陷的扇区。作为Plist周边区域的R22包含具有极浅的伤痕的扇区。区域R22被设定为沿着作为缺陷的连续方向的盘10的半径方向将区域R21夹在其间。作为通常记录区域的区域R23被设定为包围这些区域R21、R22。
在图3所示的例子中，区域R31为Plist区域，区域R32为Plist周边区域，除此以外的区域R33为通常记录区域。区域R31、R32分别是由粗线包围的区域，区域R33是除此以外的区域。作为Plist区域的R31分别包含具有深的伤痕、浅的伤痕、极浅的伤痕来作为缺陷的扇区。作为Plist周边区域的R32包含具有极浅的伤痕的扇区。区域R32被设定为沿着相对于作为缺陷的连续方向的盘10的半径方向倾斜的方向将区域R31夹在其间。作为通常记录区域的区域R33被设定为包围这些区域R31、R32。
此外，图2和图3所示的Plist区域和Plist周边区域的设定范围、例如与其他区域的区划形状是一个例子，这些区域的设定范围(区划形状)可以根据缺陷的存在状态来任意地进行设定。例如，Plist周边区域也可以被设定为包围Plist区域。另外，Plist区域有时也存在于多个部位，在该情况下，Plist周边区域分别与各Plist区域相邻地设定。
在非易失存储器90中保持有Plist周边区域的信息(以下称为Plist周边区域信息)。作为Plist周边区域信息，例如关联地登记有所对应的柱面编号、扇区编号、扇区长度、头编号等各信息。柱面编号(地址)表示设定了所对应的Plist周边区域的盘10上的磁道的柱面位置。扇区编号是设定了所对应的Plist周边区域的扇区的位置，在所设定的扇区遍及多个扇区地连续的情况下，为其开头扇区位置。扇区长度是所设定的Plist周边区域所包含的扇区的数量。
系统控制器(控制器)100例如使用多个元件集成于单一芯片的被称为片上系统(System-on-a-Chip(SoC))的大规模集成电路(LSI)来实现。系统控制器100包括读/写(R/W)通道40、硬盘控制器(HDC)50以及微处理器(MPU)60。系统控制器100与驱动器IC20、头放大器IC30、易失性存储器70、缓冲存储器80、非易失性存储器90以及主机200电连接。
R/W通道40按照来自后述的MPU60的指示，执行从盘10传送至主机200的读出数据以及从主机200传送的写数据的信号处理。R/W通道40具有对写数据的信号品质进行测定的电路或者功能。R/W通道40例如与头放大器IC30、HDC50以及MPU60等电连接。
HDC50按照来自后述的MPU60的指示，对主机200与R/W通道40之间的数据传送进行控制。HDC50例如与R/W通道40、MPU60、易失性存储器70、缓冲存储器80以及非易失性存储器90等电连接。
MPU60是对磁盘装置1的各部进行控制的主控制器。MPU60经由驱动器IC20对VCM14进行控制，执行进行头15的定位的伺服控制。MPU60对向盘10写入数据的写入动作进行控制，并且对写数据的保存目的地进行选择。另外，MPU60对从盘10读出数据的读出动作进行控制，并且对读数据的处理进行控制。MPU60与磁盘装置1的各部连接。MPU60例如与驱动器IC20、R/W通道40以及HDC50等电连接。
MPU60具备读/写控制部61、管理部62以及刷新处理部63。MPU60在固件上执行这些各部、例如读/写控制部61、管理部62以及刷新处理部63等的处理。此外，MPU60也可以作为电路来具备这些各部。
读/写控制部61按照来自主机200的命令，对数据的读出处理和写入处理进行控制。读/写控制部61经由驱动器IC20对VCM14进行控制，将头15定位于盘10上的目标位置，进行数据的读出或者写入。
管理部62对在盘10中的预定记录区域写入了数据的次数(以下称为写次数)进行计数。在该情况下，写次数是对于预定记录区域的相邻写入的次数，相邻写入是向与预定记录区域在半径方向上相邻的区域(以下称为相邻区域)的数据的写入。预定记录区域例如为预定磁道，相邻区域例如为与预定磁道相邻的磁道(以下也称为相邻磁道)。管理部62例如在盘10中按磁道对写次数进行计数。此外，设为了管理部62在对相邻区域写入了数据的情况下对写次数进行计数，但也可以在对与相邻区域相比在半径方向上离开了的区域写入了数据的情况下也对写次数进行计数。
管理部62按磁道保持写次数。管理部62每当向预定磁道的相邻磁道写入(相邻写入)数据时，对与该预定磁道对应的写次数加上预定值(以下称为相加值)。另外，管理部62按磁道保持用于执行刷新处理的阈值(以下称为刷新阈值)。刷新处理是如下处理：根据与盘10的预定记录区域(例如磁道)对应的数据的写入次数(写次数)，暂时读出在该存储区域所写入的数据，将所读出的数据重新写到预定记录区域。刷新阈值例如被设定为保证次数以下的写次数。保证次数例如是保证预定磁道的数据不会因侧擦除(side erase)而被擦除的写次数、也即是数据的读出不成为错误的写次数的上限值。侧擦除例如是如下现象：在对预定磁道的相邻磁道写入了数据时，因从头15的漏磁通等的影响(Adjacent TrackInterference：ATI)，预定磁道的数据会被擦除。对于保证次数，例如对与预定磁道中的多个写次数分别对应的多个错误率(Bit Error Rate：BER)进行测定，基于所测定的多个错误率来进行设定。管理部62按磁道保持保证次数。
管理部62将盘10的记录区域区分为作为第1区域的Plist区域、作为第2区域的Plist周边区域、以及作为第3区域的通常记录区域，对记录面进行管理。并且，管理部62基于盘10的记录面中是否存在缺陷，对磁道的写次数的相加值进行调整。此时，管理部62判定预定磁道是否包含Plist周边区域的扇区，根据判定来对相加值进行调整地使之变动。具体而言，在包含Plist周边区域的扇区的情况下，使写次数的相加值比通常记录区域的相加值增大。由此，Plist周边区域的写次数的上升的程度比通常记录区域变大，会更早地达到刷新阈值。Plist周边区域的写次数的相加值既可以是固定值，也可以是变动值，例如可以根据可能存在于Plist周边区域的缺陷的程度(对数据读写的影响度)等来任意地进行设定。与此相对，在预定磁道不包含Plist周边区域的扇区的情况下，管理部62将该预定磁道的写次数的相加值设为通常记录区域的相加值。
在此，对这样的Plist周边区域中的写次数的相加值的调整进行说明。
在图4～图6中表示盘10的品质检查中的对于该盘10的磁道(对象磁道)的写次数与错误率的关系。图4是表示包含具有深的伤痕(在图2和图3中为由×记号表示的缺陷)来作为缺陷的扇区的磁道、换言之Plist周边区域中的关系的图。图5是表示包含具有极浅的伤痕(在图2和图3中为由-记号表示的缺陷)来作为缺陷的扇区的磁道、换言之Plist区域中的关系的图。图6是表示仅具有不存在伤痕(缺陷)的适当的扇区(在图2和图3中为由无记号表示的扇区)的磁道、换言之通常记录区域中的关系的图。
在各图中，〇记号、△记号、□记号均表示对于对象磁道的数据读出时的错误的产生状态。例如，〇记号表示没有产生错误的状态，△记号表示产生了即使在发生了侧擦除的情况下也能够通过刷新处理来恢复数据的错误的状态，□记号表示产生了在发生了侧擦除的情况下无法恢复数据的错误的状态。如图4～图6所示，随着写次数增加，错误率、也即是数据读出时的错误(读错误)的产生频度上升。
在图4所示的例子中，对象磁道包含具有登记于Plist的深的伤痕的扇区。因此，如图4所示，关于对于包含该扇区的磁道的数据的读出，与写次数无关地，总是产生在发生了侧擦除的情况下无法恢复数据的错误(读错误)。因此，对象磁道的该扇区例如通过不对该扇区分配LBA而被从盘的记录区域中排除。
在图5所示的例子中，对象磁道包含具有登记于Plist周边区域信息的极浅的伤痕(微小缺陷)的扇区。在该情况下，若如图5所示那样写次数超过300次左右，则在从包含该扇区的磁道读出数据时，会产生在发生了侧擦除的情况下无法恢复数据的错误(读错误)。因此，对于Plist周边区域的保证次数成为300次左右。
与此相对，在图6所示的例子中，对象磁道仅包含不存在伤痕(缺陷)的适当的扇区。在该情况下，若如图6所示那样写次数超过500次左右，则在从包含该扇区的磁道、换言之通常记录区域读出数据时，会产生在发生了侧擦除的情况下无法恢复数据的错误(读错误)。因此，对于通常记录区域的保证次数成为500次左右。
根据图5和图6所示的例子，仅包含不存在伤痕(缺陷)的适当的扇区的磁道与包含具有极浅的伤痕(微小缺陷)的扇区的磁道相比，到产生在发生了侧擦除的情况下无法恢复数据的错误为止的写次数成为1.7倍左右(500/300≒1.7)。
若将通常记录区域中的保证次数设为Tn、将Plist周边区域中的保证次数设为Tx，则对于Plist周边区域的写次数的相加值设为对于通常记录区域的写次数的相加值的Tn/Tx倍左右即可。因此，在图5和图6所示的例子的情况下，对于Plist周边区域的写次数的相加值设为对于通常记录区域的写次数的相加值的1.7倍左右即可。即，若通常记录区域的相加值为1，则Plist周边区域的相加值为1.7左右即可。由此，Plist周边区域和通常记录区域中的到达到刷新阈值为止的看起来的写次数被调整为成为相同程度。因此，能够在Plist周边区域中，在与通常记录区域大致相同程度的数据的写入状态下执行刷新处理。
管理部62进行对象磁道的写次数与刷新阈值的比较、判定。在判定为了对象磁道的写次数超过刷新阈值的情况下，管理部62向刷新处理部63输出用于对对象磁道执行刷新处理的信号(以下称为刷新信号)。在接受到刷新处理已完成的信号的情况下，管理部62使执行了刷新处理的对象磁道的写次数恢复为初始值。初始值例如是对对象磁道的相邻磁道未写入数据的情况下的计数次数(作为一个例子为零)。
管理部62用表等对各磁道的写次数和刷新阈值、各磁道中的通常记录区域和Plist周边区域的保证次数进行管理。管理部62将表记录于存储器、例如非易失性存储器90、系统区10b等，从表读出这些值来作为执行刷新处理时的参数。
刷新处理部63执行刷新处理。例如，刷新处理部63在从管理部62接受到刷新信号的情况下对与刷新信号对应的对象磁道执行刷新处理。在执行了刷新处理的情况下，刷新处理部63例如向管理部62输出刷新处理已完成之意的信号。
以下，按照流程图对在对预定磁道进行刷新处理时系统控制器100所执行的控制进行说明。图7是在进行这样的刷新处理时系统控制器100所执行的控制的流程图。
如图7所示，在刷新处理时，系统控制器100、具体而言为MPU60的管理部62判定对预定磁道(以下称为对象磁道)是否进行了相邻写入(S101)。
在未进行相邻写入的情况下，不执行刷新处理而结束。在该情况下，管理部62不向刷新处理部63输出对于对象磁道的刷新信号。但是，在该情况下，管理部62也可以向刷新处理部63输出表示不对对象磁道执行刷新处理的信号。
另一方面，在进行了相邻写入的情况下，管理部62判定对象磁道是否包含Plist周边区域的扇区(S102)。在判定时，管理部62例如读出保持于非易失性存储器90的Plist周边信息，判定对象磁道的扇区编号与登记于Plist周边信息的扇区编号是否一致。
在包含该扇区的情况下，管理部62对对象磁道的写次数的相加值进行调整(S103)。例如，管理部62基于通常记录区域中的保证次数(Tn)和Plist周边区域中的保证次数(Tx)，将对于对象磁道的写次数的相加值调整为对于通常记录区域的写次数的相加值的Tn/Tx倍左右。由此，在图5和图6所示的例子的情况下，对于对象磁道的写次数的相加值被调整为对于通常记录区域的写次数的相加值的1.7倍左右。
在S102中对象磁道不包含Plist周边区域的扇区的情况下，管理部62不对对象磁道的写次数的相加值进行调整。在该情况下，对象磁道仅具有通常记录区域的扇区，该对象磁道的写次数的相加值被设为对于通常记录区域的写次数的相加值。
然后，管理部62对对象磁道的写次数进行加法运算(S104)。例如，在对象磁道包含Plist周边区域的扇区的情况下，写次数被根据在S103中调整后的相加值进行加法运算。与此相对，在对象磁道不包含该扇区的情况下，写次数被根据未进行调整的相加值(作为一个例子，为1)进行加法运算。
接着，管理部62对对象磁道的写次数与刷新阈值进行比较并进行判定(S105)。在此，作为一个例子，管理部62判定写次数是否超过刷新阈值。
在对象磁道的写次数不超过刷新阈值的情况下，管理部62再次判定对于对象磁道是否进行了相邻写入(S101)。即在该情况下，作为在当前时间点不需要对于对象磁道的刷新处理，适当地反复进行从S101开始的控制。
另一方面，在对象磁道的写次数超过刷新阈值的情况下，对对象磁道执行刷新处理(S106)。具体而言，管理部62对刷新处理部63输出刷新信号，接受到刷新信号的刷新处理部63执行刷新处理。当执行刷新处理、例如从刷新处理部63接受刷新处理已完成之意的信号时，管理部62将对于对象磁道的写次数恢复为初始值(作为一个例子，为零)。由此，用于对于对象磁道的刷新处理的一系列控制结束。
这样根据实施方式涉及的磁盘装置1，能够与盘10的预定磁道是否包含Plist周边区域的扇区相应地对对于该磁道的写次数的相加值进行调整。具体而言，在包含Plist周边区域的扇区的情况下，能够使写次数的相加值与通常记录区域的相加值相比增大。由此，能够使对于包含Plist周边区域的扇区的磁道的写次数比不包含该扇区的磁道更早地达到刷新阈值。换言之，能够在两者中将到达到刷新阈值为止的看起来的写次数调整为成为相同程度。
因此，能够在读出数据时产生在发生了侧擦除的情况下无法恢复数据的错误(读错误)之前，对包含Plist周边区域的扇区的磁道适当地执行刷新处理，能够提高对于侧擦除的数据的保证精度。
另外，Plist周边区域被设定为偏离Plist区域的包含具有微小缺陷、例如与Plist区域的扇区所具有的伤痕深的部位连续的伤痕极浅的部位、也即是微小伤痕(轻微伤痕)的扇区。即，在实施方式中，作为这样的包含可能存在微小缺陷的扇区的区域，与Plist区域相邻地设定了Plist周边区域。
因此，即使是在预定磁道包含偏离Plist区域的具有微小缺陷的扇区的情况下，只要该扇区包含于Plist周边区域，也能够对该磁道适当地执行刷新处理。Plist区域被从盘10的记录区域排除，Plist区域越大，越会使盘10的记录容量降低。根据实施方式，在Plist区域的基础上设定Plist周边区域，在Plist周边区域中，提高了对于侧擦除的数据的保证精度。因此，从该数据保证的观点来看，能够缩小Plist区域，能够与缩小了Plist区域相应地使盘10的记录区域扩大。
Plist区域是在实际地检测到缺陷的扇区的基础上还包含与该扇区相邻的预定扇区的区域，Plist周边区域被设定为与Plist区域相邻。在磁盘装置1中，Plist区域可能分散为多个地存在，因此，Plist周边区域也可能分散为多个地存在。如上述那样，根据本实施方式，能够与盘10的预定磁道是否包含Plist周边区域的扇区相应地对对于该磁道的写次数的相加值进行调整，能够对该磁道适当地执行刷新处理。因此，也能够在缩小Plist区域和Plist周边区域的基础上，使Plist区域、进而Plist周边区域的数量减少。
以上，对本发明的实施方式进行了说明，但上述的实施方式是作为例子提示的，并不是意在限定发明的范围。该新的实施方式能够以其他各种各样的方式来实施，能够在不脱离发明的宗旨的范围内进行各种省略、置换、变更。这些实施方式和/或其变形包含在发明的范围、宗旨内，并且，包含在权利要求书记载的发明及其等同的范围内。
在上述的实施方式中，对对于预定磁道的写次数的相加值进行了调整，但也可以代替于此或者在此基础上对刷新阈值进行调整。在该情况下，与盘10的预定磁道是否包含Plist周边区域的扇区相应地对对于该磁道的刷新阈值进行调整即可。例如，在预定磁道包含Plist周边区域的扇区的情况下，使预定磁道的刷新阈值比不包含该扇区的磁道、也即是通常记录区域的刷新阈值低。由此，即使是在不进行调整而将写次数的相加值设为了相同的值的情况下，对于包含Plist周边区域的扇区的磁道，也能够以比不包含该扇区的磁道少的写次数执行刷新处理。因此，能够与上述的实施方式同样地，提高包含Plist周边区域的扇区的磁道中的对于侧擦除的数据的保证精度。

Claims (6)

1.一种磁盘装置，具备：
磁盘；
头，其对所述磁盘写入数据，从所述磁盘读出数据；以及
控制器，其根据与所述磁盘的预定记录区域对应的数据的写入次数，暂时读出在所述预定记录区域已写入的数据，将所读出的数据重写到所述预定记录区域，
所述控制器基于所述磁盘的记录面中是否存在缺陷，对所述写入次数的相加值进行调整。
2.根据权利要求1所述的磁盘装置，
所述控制器将所述磁盘的记录区域区分为具有所述缺陷且不被作为所述记录区域使用的第1区域、与所述第1区域相邻的第2区域以及除这些区域以外的第3区域，使与所述第2区域对应的数据的写入次数的相加值比与所述第3区域对应的数据的写入次数的相加值增大。
3.根据权利要求2所述的磁盘装置，
所述预定记录区域是所述磁盘的预定磁道，
所述控制器判定所述磁道是否包含所述第2区域的扇区，在判定为包含所述扇区的情况下，使与所述磁道对应的数据的写入次数的相加值比与所述第3区域对应的数据的写入次数的相加值增大，在判定为不包含所述扇区的情况下，将与所述磁道对应的数据的写入次数的相加值设为与所述第3区域对应的数据的写入次数的相加值。
4.根据权利要求2或3所述的磁盘装置，
所述控制器保持数据写入的保证次数，若将所述第2区域中的所述保证次数设为Tx、将所述第3区域中的所述保证次数设为Tn，则将与所述第2区域对应的数据的写入次数的相加值设为与所述第3区域对应的数据的写入次数的相加值的Tn/Tx倍，所述保证次数是保证在对与所述预定记录区域相邻的区域写入数据时所述预定记录区域的数据不会因来自所述头的漏磁通而被擦除的数据写入的保证次数。
5.根据权利要求4所述的磁盘装置，
所述第2区域具有从所述第1区域所具有的所述缺陷连续的比所述缺陷小的缺陷，沿着这些缺陷的连续方向分别在夹着所述第1区域的两侧相邻地配置。
6.一种磁盘装置的控制方法，
将磁盘的记录区域区分为具有缺陷且不被作为所述磁盘的记录区域使用的第1区域、与所述第1区域相邻的第2区域以及除这些区域以外的第3区域，
在与所述磁盘的磁道对应的数据写入时，判定所述磁道是否包含所述第2区域的扇区，在判定为包含所述扇区的情况下，使与所述磁道对应的数据的写入次数的相加值比与所述第3区域对应的数据的写入次数的相加值增大，在判定为不包含所述扇区的情况下，将与所述磁道对应的数据的写入次数的相加值设为与所述第3区域对应的数据的写入次数的相加值，
根据所述相加值，对与所述磁道对应的数据的写入次数进行加法运算，
根据与所述磁道对应的数据的写入次数，暂时读出在所述磁道已写入的数据，将所读出的数据重写到所述磁道。
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