CN116322201A - 显示装置及其提供方法 - Google Patents
显示装置及其提供方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116322201A CN116322201A CN202211634867.3A CN202211634867A CN116322201A CN 116322201 A CN116322201 A CN 116322201A CN 202211634867 A CN202211634867 A CN 202211634867A CN 116322201 A CN116322201 A CN 116322201A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- insulating layer
- pad
- sensing
- insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 173
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 527
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 42
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 34
- 101001045744 Sus scrofa Hepatocyte nuclear factor 1-beta Proteins 0.000 description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 11
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 7
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 7
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 6
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 5
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 4
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 101000639970 Homo sapiens Sodium- and chloride-dependent GABA transporter 1 Proteins 0.000 description 3
- 102100033927 Sodium- and chloride-dependent GABA transporter 1 Human genes 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 101001094079 Homo sapiens Sodium- and chloride-dependent GABA transporter 2 Proteins 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 102100035242 Sodium- and chloride-dependent GABA transporter 2 Human genes 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150064359 SLC6A1 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000006072 paste Substances 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 region Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
- G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
- G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
公开了一种显示装置及其提供方法。显示装置,包括显示区域、非显示区域以及位于非显示区域中并且被暴露于显示装置外部的焊盘部分。焊盘部分包括导电部分和限定将导电部分暴露于焊盘部分外部的开口的绝缘部分。绝缘部分从导电部分起依次包括限定第一开口的第一绝缘层以及面对第一绝缘层并限定比第一开口宽的第二开口的第二绝缘层。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年12月20日提交的韩国专利申请第10-2021-0182834号的优先权以及由此产生的所有权益,其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开涉及一种显示装置及其制造(或提供)方法。更具体地,本公开涉及一种可以在非显示区域中包括焊盘部分的显示装置及其制造(或提供)方法。
背景技术
显示装置是用于显示图像的装置,并且包括液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)显示器等。显示装置被用在诸如移动电话、导航装置、数码相机、电子书、便携式游戏机和各种终端的各种电子装置中。
诸如有机发光显示装置的显示装置可以通过使用柔性基板而具有可弯折或可折叠的结构,以诸如被弯折或被折叠。
显示装置被划分为显示区域和位于显示区域周围的非显示区域,并且用于将信号施加到显示区域的焊盘部分形成在非显示区域中。
发明内容
在诸如移动电话的电子装置中,诸如摄像头和光学传感器的光学元件被提供在显示区域周围的边框(非显示)区域中。然而,随着显示区域的尺寸增大而非显示区域的尺寸逐渐减小,一种其中摄像头或光学传感器可以位于显示区域的后表面上的技术正在被开发。在显示装置被划分为显示区域和与显示区域相邻的非显示区域的情况下,用于将信号施加到显示区域的焊盘部分被提供在非显示区域中。
实施例提供一种可以包括具有新结构的焊盘部分的显示装置及其制造(或提供)方法。
实施例提供了一种显示装置,包括显示区域、非显示区域和位于非显示区域中的焊盘部分,其中焊盘部分包括导电部分和具有暴露导电部分的开口的绝缘部分,并且绝缘部分包括具有第一开口的第一绝缘部分和具有比第一开口宽的第二开口的第二绝缘部分。
第二开口在平面图中可以与第一开口重叠,并且可以暴露第一绝缘部分的上表面。
显示区域可以包括:包括发光元件的像素、覆盖发光元件的封装层以及位于封装层上的触摸感测部分,并且封装层可以包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层。
第一绝缘部分可以包括第一无机封装层,并且第二绝缘部分可以包括第二无机封装层。
触摸感测部分可以包括位于第二无机封装层上的下感测绝缘层、位于下感测绝缘层上的下感测电极、位于下感测电极上的中间感测绝缘层、位于中间感测绝缘层上的上感测电极以及位于上感测电极上的上感测绝缘层。
第一绝缘部分可以包括第一无机封装层,并且第二绝缘部分可以包括第二无机封装层、下感测绝缘层和中间感测绝缘层中的至少一个。
第一绝缘部分可以包括第二无机封装层,并且第二绝缘部分可以包括下感测绝缘层和中间感测绝缘层中的至少一个。
焊盘部分可以是要电连接到印刷电路板的用于电路板的焊盘部分,或者是要电连接到数据驱动器的用于驱动器的焊盘部分。
焊盘部分可以进一步包括用于触摸感测部分的焊盘部分,并且用于触摸感测部分的焊盘部分可以包括导电部分和具有暴露导电部分的开口的绝缘部分,并且绝缘部分可以包括上感测绝缘层。
用于触摸感测部分的焊盘部分的导电部分可以包括与下感测电极位于同一层的第一导电部分和与上感测电极位于同一层的第二导电部分,并且第一导电部分和第二导电部分可以通过中间感测绝缘层中的开口彼此连接。
第一导电部分和第二导电部分中的至少一个可以被形成为三层。
三层中的下层可以包括钛(Ti),三层中的中间层可以包括铝(Al),并且三层中的上层可以包括钛(Ti)。
第二导电部分可以被构造为三层,并且第二导电部分的上层可以被部分蚀刻。
实施例提供了一种制造(或提供)显示装置的方法,包括:在显示区域和非显示区域当中形成覆盖非显示区域中的焊盘部分的导电部分的第一绝缘部分和第二绝缘部分;在第二绝缘部分中形成暴露第一绝缘部分的第二开口;形成覆盖第二绝缘部分和被暴露的第一绝缘部分的附加绝缘层;在附加绝缘层和第一绝缘部分中形成小于第二开口的第一开口;以及去除附加绝缘层。
显示区域可以包括:包括发光元件的像素、覆盖发光元件的封装层以及位于封装层上的触摸感测部分,封装层可以包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层,并且第一绝缘部分可以包括第一无机封装层。
第二绝缘部分中的第二开口的形成可以在第二无机封装层被蚀刻时被一起执行。
触摸感测部分可以包括位于第二无机封装层上的下感测绝缘层、位于下感测绝缘层上的下感测电极、位于下感测电极上的中间感测绝缘层、位于中间感测绝缘层上的上感测电极以及位于上感测电极上的上感测绝缘层,并且第二绝缘部分中的第二开口的形成可以在下感测绝缘层或中间感测绝缘层被蚀刻时被一起执行。
附加绝缘层的形成可以与上感测绝缘层的形成被一起执行。
非显示区域中的焊盘部分可以进一步包括用于触摸感测部分的焊盘部分,并且用于触摸感测部分的焊盘部分的形成可以包括:与下感测电极一起形成第一导电部分;形成具有暴露第一导电部分的开口的中间感测绝缘层;以及与上感测电极一起形成第二导电部分,并且第一导电部分和第二导电部分可以通过中间感测绝缘层中的开口彼此连接。
第一导电部分和第二导电部分中的至少一个可以被形成为三层。
根据实施例,没有用开口掩模形成包括在封装层中的无机封装层,当在封装层上部形成触摸感测部分时,无机封装层的在焊盘部分处的部分被完全去除以形成焊盘部分,使得可以消除可能由于开口掩模而发生的分层现象或开裂。
附图说明
通过参照附图进一步详细地描述本公开的实施例,本公开的以上和其它优点和特征将变得更加显而易见。
图1图示了根据实施例的显示面板的俯视图。
图2是图示了根据实施例的显示面板的非显示区域的放大俯视图。
图3图示了根据实施例的显示装置的一部分的放大截面图。
图4图示了根据实施例的显示面板的非显示区域的截面图。
图5图示了根据实施例的显示面板的显示区域的示意性截面图。
图6至图10顺序地图示了根据实施例的制造(或提供)第一焊盘部分的方法。
图11至图14分别图示了根据各种实施例的第一焊盘部分的截面结构。
图15至图19顺序地图示了根据实施例的制造(或提供)第二焊盘部分的方法。
图20至图23分别图示了根据各种实施例的第二焊盘部分的截面结构。
图24图示了位于根据实施例的显示面板的非显示区域中的焊盘部分的俯视图。
图25至图29分别图示了根据各种实施例的第三焊盘部分的截面结构。
图30图示了根据实施例的制造(或提供)焊盘部分的方法。
图31图示了根据实施例的焊盘部分的截面结构。
图32图示了根据比较示例的焊盘部分的制造方法。
具体实施方式
将在下文中参照示出了本发明实施例的附图更充分地描述本发明。如本领域技术人员将意识到的,可以以多种不同的方式修改所描述的实施例,而全部不脱离本发明的精神或范围。
为了清楚地描述本发明,省略了与描述无关的部件或部分,并且在整个说明书中,相同或相似的构成元件由相同的附图标记表示。如在本文中所使用的,附图标记可以指示单数元件或多个该元件。例如,在附图中对单数形式的元件进行标注的附图标记可以在说明书的文本中被用于引用多个该单数元件。
进一步,在附图中,为了便于描述,任意地图示了每个元件的尺寸和厚度,并且本公开不一定限于在附图中所图示的尺寸和厚度。在附图中,为了清楚起见,夸大了层、膜、面板、区、区域等的厚度。在附图中,为了便于描述,夸大了一些层和区域的厚度。
将理解的是,当诸如层、膜、区、区域、基板、板或其它构成元件的元件被称为与另一元件相关(诸如“在”另一元件“上”)时,该元件可以直接在该另一元件上,或者也可以存在居间元件。相反,当元件被称为与另一元件相关(诸如“直接在”另一元件“上”)时,不存在居间元件。
进一步,在说明书中,术语“上”或“上方”意指布置在对象部分上或下方,并且不一定意指布置在对象部分的基于重力方向的上侧。此外,在本文中可以使用诸如“下”或“底”以及“上”或“顶”的相对术语来描述如在附图中所图示的一个元件与另一元件的关系。将理解的是,相对术语旨在涵盖除附图中描绘的定向之外装置的不同定向。例如,如果附图之一中的装置被翻转,则被描述为在其它元件“下”侧的元件将随之被定向在其它元件的“上”侧。因此,依赖于附图的特定定向,术语“下”可以涵盖“下”和“上”两个定向。类似地,如果附图之一中的装置被翻转,则被描述为在其它元件“下方”或“下面”的元件将随之被定向在其它元件“上方”。因此,术语“下方”或“下面”可以涵盖上方和下方两个定向。
将理解的是,尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用于描述各种元件、组件、区、层和/或区段,但是这些元件、组件、区、层和/或区段不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区、层或区段与另一元件、组件、区、层或区段区分开。因此,下面讨论的第一元件、组件、区、层或区段可以被称为第二元件、组件、区、层或区段,而不脱离本文的教导。
在本文中所使用的术语仅出于描述特定实施例的目的,并且不旨在进行限制。如在本文中所使用的,“一”、“该(所述)”和“至少一个”不表示数量的限制,而是旨在包括单数和复数两者,除非上下文另外明确指示。例如,“元件”与“至少一个元件”具有相同的含义,除非上下文另外明确指示。“至少一个”不应被解释为限于“一”。“或”意指“和/或”。如在本文中所使用的,术语“和/或”包括所列出的关联项目中的一个或多个的任何和所有组合。此外,词语“包括”和诸如“包含”或“含有”的变体将被理解为暗示包括所陈述的元件但不排除任何其它元件,除非明确地进行相反的描述。
进一步,在整个说明书中,术语“在平面图中”或“在平面上”意指从顶部观察目标部分,并且术语“在截面图中”或“在截面上”意指从侧面观察通过垂直切割目标部分而形成的截面。
此外,在整个说明书中,“连接”不仅意指两个或更多个元件被直接连接时,还意指两个或更多个元件通过其它元件被间接连接时,以及意指两个或更多个元件被物理连接或电连接时,并且进一步,依赖于位置或功能,“连接”可以由不同的名称指代,并且还可以指实质上是一体的各个部分彼此链接的情况。
此外,在整个说明书中,当提及诸如布线、层、膜、区、区域、基板、板或其它构成元件的元件“在第一方向或第二方向上被延伸(或延伸)”时,这不仅意指在相应的方向上笔直延伸的直线形状,还可以意指基本上在第一方向或第二方向上延伸、被部分弯折、具有齿形结构或在具有弯曲结构的同时延伸的结构。
考虑到讨论中的测量和与特定量的测量相关联的误差(即测量系统的限制),如在本文中所使用的“约”或“近似”包括所陈述的值并且意指在由本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受偏差范围内。例如,“约”可以意指在一个或多个标准偏差之内,或者在所陈述的值的±30%、±20%、±10%或±5%之内。
除非另外定义,否则在本文中所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解的是,诸如那些在常用词典中定义的术语应当被解释为具有与它们在相关领域和本公开的背景中的含义一致的含义,并且不以理想化的或过于正式的意义来解释,除非在本文中明确地如此定义。
在本文中参照是理想化实施例的示意性图示的截面图示来描述实施例。因此,例如由于制造技术和/或公差而导致的图示形状的变化是可以预期的。因此,在本文中描述的实施例不应被解释为限于在本文中所图示的区的特定形状,而应包括由于例如制造而导致的形状偏差。例如,图示为或描述为平坦的区可能通常具有粗糙的和/或非线性的特征。此外,所图示的尖角可以被倒圆。因此,在附图中所图示的区本质上是示意性的,并且它们的形状不旨在图示区的精确形状,并且不旨在限制本公开的范围。
此外,包括本说明书中所描述的显示装置或显示面板DP的电子装置(例如,移动电话、TV、监视器、膝上型计算机等)以及包括通过本说明书中所描述的方法制造(或提供)的显示装置或显示面板DP的电子装置都不被排除在本说明书的范围之外。
在下文中,将描述包括在显示装置中的显示面板DP的结构,并且首先,将参照图1详细描述显示面板DP的结构。
图1图示了根据实施例的显示面板DP的一些构成元件的俯视图。
参照图1,显示面板DP可以被划分为显示区域DA和非显示区域PA,并且非显示区域PA可以沿显示区域DA的边缘限定。根据实施例,可以在显示区域DA中包括透光区域,并且摄像头或光学传感器可以设置在透光区域的后表面上,以拍摄或感测位于显示面板DP的与后表面相反的前面处的对象。
显示面板DP包括多个像素PX。多个像素PX可以设置在显示区域DA中。像素PX中的每一个包括作为显示元件的生成和/或发射光、显示图像等的发光元件以及连接到发光元件的像素电路。每个像素PX发射例如红光、绿光、蓝光或白光,并且可以包括有机发光元件(有机发光二极管)作为示例。
显示面板DP可以包括多条信号线和焊盘部分。多条信号线可以包括在第一方向DR1上延伸的扫描线SL以及各自在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上延伸的数据线DL和驱动电压线PL。
扫描驱动器20布置在显示区域DA的左侧和右侧,并且生成扫描信号并通过扫描线SL将扫描信号传输到每个像素PX。像素PX可以从布置在左侧和右侧的两个扫描驱动器20一起接收扫描信号。
焊盘部分PAD(在下文中也被称为用于电路板的焊盘部分)设置在显示面板DP的非显示区域PA的一个端部,并且可以包括多个端子P1、P2、P3和P4。焊盘部分PAD可以被暴露于外部(例如,显示面板DP外部)而不被绝缘层覆盖,以电连接到诸如柔性印刷电路板FPCB的外部构件。也就是说,显示装置可以包括位于非显示区域PA中的焊盘部分PAD,焊盘部分PAD被暴露于显示装置外部,并且显示装置在焊盘部分PAD处连接到诸如柔性印刷电路板FPCB、驱动器50等的外部构件。
焊盘部分PAD可以电连接到柔性印刷电路板FPCB的焊盘部分FPCB_P。柔性印刷电路板FPCB可以将集成电路(IC)驱动芯片80的信号或电源传输到焊盘部分PAD。同时,在一些实施例中,焊盘部分PAD可以进一步包括用于电连接到驱动器50(或者被称为数据驱动器50)的用于驱动器的焊盘部分(参见图4)。在一些实施例中,焊盘部分PAD可以进一步包括连接到包括在显示面板DP中的触摸感测部分的感测电极的用于触摸感测部分的焊盘部分(参见图24)。
IC驱动芯片80将从外部传输的多个图像信号转换为多个图像数据信号,并且通过端子P1将转换后的信号传输到数据驱动器50。此外,IC驱动芯片80可以接收垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号,生成用于控制扫描驱动器20和数据驱动器50的操作的控制信号,并且通过端子P3和P1将该控制信号传输到扫描驱动器20和数据驱动器50中的每一个。IC驱动芯片80通过端子P2将驱动电压传输到驱动电压供应布线60。此外,IC驱动芯片80可以通过端子P4将公共电压传输到每条公共电压供应布线70。
数据驱动器50设置在非显示区域PA上,生成要施加到每个像素PX的数据电压信号,并且将该数据电压信号传输到每条数据线DL。数据驱动器50可以设置在显示面板DP的一侧,并且例如可以设置在焊盘部分PAD与显示区域DA之间。参照图1,数据线DL可以沿第二方向DR2延伸,并且可以具有直线结构。
驱动电压供应布线60设置在非显示区域PA上。例如,驱动电压供应布线60可以设置在数据驱动器50与显示区域DA之间。驱动电压供应布线60将驱动电压提供到像素PX。驱动电压供应布线60可以设置在第一方向DR1上,并且可以连接到设置在第二方向DR2上的多条驱动电压线PL。
公共电压供应布线70设置在非显示区域PA上。公共电压供应布线70可以具有围绕基板110的形状。公共电压供应布线70将公共电压传输到包括在像素PX中的发光元件的一个电极(例如,阴极)。
像素PX可以包括电容器、发光元件和多个晶体管,并且多个晶体管可以包括一个驱动晶体管和至少一个开关晶体管。驱动晶体管可以生成要传输到发光元件的驱动电流,并且在一些实施例中,可以使用具有各种电路结构的像素PX。
在下文中,将参照图2更详细地描述显示面板DP的非显示区域PA的结构。
图2是更详细地图示根据实施例的显示面板DP的非显示区域PA的放大俯视图。
非显示区域PA可以主要包括第一非显示区域PA1(显示区域DA相对于第一非显示区域PA1布置在第一非显示区域PA1内侧)以及包括驱动器50、焊盘部分PAD、连接布线和弯折区域的第二非显示区域PA2。
第一非显示区域PA1布置为围绕显示区域DA的外侧,并且指示从显示区域DA结束的位置到从显示区域DA延伸的封装层400结束的位置(例如,从显示区域DA结束的位置延伸到从显示区域DA延伸的封装层400结束的位置)。也就是说,封装层400可以形成在显示区域DA中,延伸到非显示区域PA,并且在显示区域DA与非显示区域PA的弯折区域之间延伸。这里,其中形成封装层400的非显示区域PA被称为第一非显示区域PA1。
第二非显示区域PA2包括布置在作为中心的弯折区域的两侧(例如,相反侧)的第2-1非显示区域PA2-1和第2-2非显示区域PA2-2。
第2-1非显示区域PA2-1指示从封装层400结束的位置到弯折区域,并且第2-2非显示区域PA2-2可以指示从弯折区域的端部通过驱动器50到焊盘部分PAD的端部(例如,包括驱动器50的平面区域)。驱动器50可以进一步包括电连接到采用芯片形式安装的驱动器50的用于驱动器的驱动器焊盘部分。布置在第2-2非显示区域PA2-2的端部的焊盘部分PAD也被称为用于电路板的焊盘部分,并且是电连接到柔性印刷电路板FPCB的焊盘部分FPCB_P的部分。
在具有上面描述的平面结构的显示面板DP中,显示装置被形成为弯折区域实际上被折回的状态(例如,折叠状态),并且将参照图3描述折叠状态。
图3图示了根据实施例的显示装置的一部分的放大截面图。
图3通过划分显示面板DP示意性地示出了基板SUB(对应于图1中所示的基板110)、封装层400、触摸感测部分TS、遮光构件BM和滤色器层CF。
覆盖窗WU布置在显示面板DP的前表面(也就是说,在第三方向DR3上布置在遮光构件BM和滤色器层CF上),并且覆盖窗WU延伸到弯折区域(基板SUB在弯折区域中被折回)和非显示区域PA。
显示面板DP的弯折区域可以进一步包括弯折覆盖层BCL,并且弯折覆盖层BCL可以由有机材料制成(或包括有机材料)。
弯折区域的半径R值可以具有约0.25毫米(mm)以上且约0.45mm以下的值。
非显示区域PA的第2-2非显示区域PA2-2(其从弯折区域的端部通过驱动器50到焊盘部分PAD的端部)布置在显示面板DP的后表面,并且因此可以从显示面板DP的前表面处的位置被隐藏。此外,布置在第2-2非显示区域PA2-2中的驱动器50和从第2-2非显示区域PA2-2延伸的柔性印刷电路板FPCB也可以布置在后表面,以从前表面被隐藏。
用于保护基板SUB和显示面板DP的后表面的保护层PF被附接到基板SUB的后表面,并且保护层PF可以不形成在弯折区域的后表面上,使得弯折区域可以被容易地折叠。参照图3的实施例,保护层PF包括与非显示区域PA的一部分(第一非显示区域PA1和第2-1非显示区域PA2-1)和显示区域DA相对应的第一保护层PF1以及与第2-2非显示区域PA2-2相对应的第二保护层PF2。
在图3中,在第三方向DR3上彼此相邻的两个保护层PF1、PF2被示出为彼此远离,但是实际上它们可以是彼此靠近的状态。也就是说,保护层PF在弯折区域处被断开。
参照图3,显示装置可以通过以显示装置被折回的状态被容纳在外壳中来构造。
在下文中,将参照图4描述根据实施例的显示面板DP的截面结构。
图4图示了根据实施例的显示面板DP的非显示区域PA的层叠结构的截面图。
图4图示了显示区域DA和非显示区域PA,并且图示了非显示区域PA的焊盘区域。这里,在焊盘区域中,示出了用于驱动器的焊盘部分IC Pad和用于电路板的焊盘部分FPCBPad。用于驱动器的焊盘部分IC Pad是用于安装采用芯片形式的驱动器50的焊盘部分,并且用于电路板的焊盘部分FPCB Pad是电连接到柔性印刷电路板FPCB的焊盘部分FPCB_P的焊盘部分。这里,用于驱动器的焊盘部分IC Pad可以电连接到布置在弯折区域中的导电层(扇出布线),并且还可以电连接到驱动器50。
首先,将描述图4的显示面板DP的显示区域DA的层叠结构。
在显示区域DA中,缓冲层111布置在基板110上,并且半导体层SC布置在缓冲层111上。半导体层SC包括晶体管的沟道C,并且晶体管的源区S和晶体管的漏区D布置在沟道C的相应侧。半导体层SC被第一栅绝缘层141覆盖,并且包括栅电极GAT1的第一栅导电层布置在第一栅绝缘层141上。晶体管可以包括栅电极GAT1和半导体层SC。第一栅导电层被第二栅绝缘层142覆盖,第二栅导电层被布置,并且第二栅导电层包括存储电容器的一个电极GAT2(Cst)。存储电容器的一个电极GAT2(Cst)可以在与栅电极GAT1重叠时形成存储电容器。第二栅导电层被第一层间绝缘层161覆盖,并且第一数据导电层形成在第一层间绝缘层161上。第一数据导电层可以包括分别连接到半导体层SC的源区S和漏区D的第一连接部分SD1。第一数据导电层被第一有机层181覆盖,并且包括第二连接部分SD2的第二数据导电层形成在第一有机层181上。第二数据导电层被第二有机层182和第三有机层183顺序地覆盖。
这里,缓冲层111、第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142和第一层间绝缘层161可以分别被形成为无机层,并且每个无机层可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiON)。同时,第一有机层181、第二有机层182和第三有机层183可以是包括有机材料的有机绝缘层,并且有机材料可以包括聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂中的一种或多种。
构造发光元件的一个电极的阳极Anode形成在第三有机层183上。阳极Anode可以通过形成(或提供)在第二有机层182和第三有机层183中的开口连接到第二连接部分SD2。
具有暴露阳极Anode的开口的像素限定层380布置在第三有机层183上,并且在一些实施例中,像素限定层380可以由透明材料制成,或者可以进一步包括具有遮光特性的遮光材料。这里,遮光材料可以包括炭黑、碳纳米管、包含黑色染料的树脂或糊剂、金属颗粒(诸如镍、铝、钼及其合金)以及金属氮化物颗粒(例如,氮化铬)。
间隔件385形成在像素限定层380上,并且间隔件385与可具有透明特性或遮光特性的像素限定层380由相同的材料制成,同时,在一些实施例中,间隔件385可以与像素限定层380具有不同的特性(透明特性或遮光特性)。
发光层EML布置在像素限定层380的开口中,并且功能层FL和阴极Cathode可以顺序地形成在像素限定层380和发光层EML上。这里,功能层FL的一部分可以布置在发光层EML之下。这里,阳极Anode、发光层EML、功能层FL和阴极Cathode可以构造发光元件。
封装层400布置在阴极Cathode上,并且封装层400包括第一无机封装层401、有机封装层402和第二无机封装层403。也就是说,第一无机封装层401布置在阴极Cathode上,有机封装层402布置在第一无机封装层401上,并且第二无机封装层403布置在有机封装层402上。这里,第一无机封装层401和第二无机封装层403可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiON)等,并且有机封装层402可以包括聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂中的一种或多种。
触摸感测部分TS接收来自显示装置外部的触摸输入。在触摸感测部分TS内,感测绝缘层501、510和511以及感测电极540和541布置在第二无机封装层403上。下感测绝缘层501布置在第二无机封装层403上,下感测电极541布置在下感测绝缘层501上,中间感测绝缘层510布置在下感测电极541上,上感测电极540布置在中间感测绝缘层510上,并且上感测绝缘层511布置在上感测电极540上。感测电极540和541布置在显示区域DA中,并且电连接到感测电极540(其是感测电极中的一种)的连接布线540-1形成在非显示区域PA中。连接布线540-1可以电连接到驱动器50。
遮光构件220和滤色器230布置在上感测绝缘层511上。滤色器230可以仅布置在显示区域DA中,并且遮光构件220除了显示区域DA之外还延伸到第一非显示区域PA1。
平坦化层550布置在遮光构件220和滤色器230上。平坦化层550用于平坦化显示面板DP的上表面,并且可以是包括聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂中的至少一种的透明有机绝缘层。
上面简要描述了显示区域DA的结构。
多个坝D1和D2可以包括在与显示区域DA相邻的非显示区域PA中。尽管在图4中图示了两个坝(一个第一坝D1和一个第二坝D2),但是每个坝可以被形成为多个。此外,在一些实施例中,可以形成三个坝(两个第一坝D1和一个第二坝D2)。多个坝D1和D2形成在从显示区域DA延伸的多个无机层(缓冲层111、第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142和第一层间绝缘层161)上。
第一坝D1可以布置为比第二坝D2更靠近显示区域DA,并且第一坝D1可以具有比第二坝D2的高度低的高度。
第一坝D1可以包括第1-1子坝1821和第1-2子坝3851。第1-1子坝1821与布置在显示区域DA中的第二有机层182可以布置在同一层,并且可以包括相同的材料。第1-1子坝1821可以与布置在显示区域DA中的第二有机层182在同一工艺中形成。第1-2子坝3851与布置在显示区域DA中的间隔件385可以布置在同一层,并且可以包括相同的材料。第1-2子坝3851可以与布置在显示区域DA中的间隔件385在同一工艺中形成。由于在同一工艺中形成和/或由于包括相同的材料,因此元件可以彼此在同一层中作为同一材料层的各个部分,可以通过与相同的下层或上层形成界面而在同一层上,等等,但不限于此。
第二坝D2可以包括第2-1子坝1812、第2-2子坝1822和第2-3子坝3852。第2-1子坝1812与布置在显示区域DA中的第一有机层181可以布置在同一层,并且可以包括相同的材料。第2-1子坝1812可以与布置在显示区域DA中的第一有机层181在同一工艺中形成。第2-2子坝1822与布置在显示区域DA中的第二有机层182可以布置在同一层,并且可以包括相同的材料。第2-2子坝1822可以与布置在显示区域DA中的第二有机层182在同一工艺中形成。第2-3子坝3852与布置在显示区域DA中的间隔件385可以布置在同一层,并且可以包括相同的材料。第2-3子坝3852可以与布置在显示区域DA中的间隔件385在同一工艺中形成。
图4示出了其中第一坝D1以双层结构形成而第二坝D2以三层结构形成的实施例。然而,本发明不限于此,第一坝D1可以以三层结构形成,并且第二坝D2可以以四层结构形成。
此外,从显示区域DA延伸的第一无机封装层401布置在坝D1和D2中的每一个上。此外,从显示区域DA延伸的有机封装层402布置在第一无机封装层401上,并且有机封装层402可以布置在第一坝D1上,但是有机封装层402可以不布置在第二坝D2上。第一坝D1可以在形成有机封装层402的工艺中控制材料的扩散。有机封装层402可以具有填充显示区域DA的端部与第一坝D1之间的空间的形状。与基板110的前表面重叠的第二无机封装层403可以布置在有机封装层402上。第一无机封装层401具有在不布置有机封装层402的第二坝D2上与第二无机封装层403接触的结构。第一无机封装层401与第二无机封装层403接触,以阻挡来自外部的水分和氧气。
感测绝缘层501、510和511以及连接布线540-1可以布置在布置于坝D1和D2上的第二无机封装层403上,并且遮光构件220和平坦化层550可以布置在上感测绝缘层511上。
遮光构件220和平坦化层550可以连续地形成直到第一非显示区域PA1,并且可以仅布置在其它非显示区域PA中的一些区域中,且可以不布置在弯折区域和焊盘区域(用于驱动器的焊盘部分IC Pad和用于电路板的焊盘部分FPCB Pad)中。
在下文中,将描述根据图4的焊盘部分(用于驱动器的焊盘部分IC Pad和用于电路板的焊盘部分FPCB Pad)的结构。
为了总结焊盘部分的结构,焊盘部分由导电部分和绝缘部分构造,绝缘部分具有(或限定)将导电部分暴露于绝缘部分外部的开口,其中绝缘部分可以被划分为具有第一开口的第一绝缘部分(例如,第一绝缘层)和具有比第一开口宽的第二开口的第二绝缘部分(例如,第二绝缘层)。
在实施例中,第一绝缘层和第二绝缘层可以从导电部分依次布置,或者第二绝缘层可以面对导电部分并且第一绝缘层的一部分位于第二绝缘层与导电部分之间。在实施例中,第二开口在平面图中与第一开口重叠(或相对应),并且暴露第一绝缘部分的上表面。在实施例中,比第一开口宽的第二开口与第一开口一起限定绝缘部分的开口。在下文中,将描述每个焊盘部分的结构。
用于驱动器的焊盘部分IC Pad的导电部分被图示为具有三层结构。用于驱动器的焊盘部分IC Pad包括被形成为第一栅导电层GAT1(或与第一栅导电层位于同一层中)的第二附加焊盘电极GAT1-P1、被形成为第一数据导电层的第一附加焊盘电极SD1-P1以及被形成为第二数据导电层的第一焊盘电极SD2-P1。第一栅绝缘层141布置在第二附加焊盘电极GAT1-P1之下,并且第二栅绝缘层142和第一层间绝缘层161布置在第二附加焊盘电极GAT1-P1与第一附加焊盘电极SD1-P1之间。第一无机封装层401、第二无机封装层403、下感测绝缘层501和中间感测绝缘层510可以布置在第一焊盘电极SD2-P1上。在一些实施例中,第一无机封装层401、第二无机封装层403、下感测绝缘层501、中间感测绝缘层510和上感测绝缘层511中的至少一个布置在第一焊盘电极SD2-P1上。在一些实施例中,用于驱动器的焊盘部分IC Pad可以具有单层结构,或者可以具有双层结构、四层结构或更多层结构的堆叠结构。
另一方面,用于电路板的焊盘部分FPCB Pad的导电部分被示出为具有双层结构。用于电路板的焊盘部分FPCB Pad可以包括被形成为第一数据导电层的第一附加焊盘电极SD1-P2和被形成为第二数据导电层的第一焊盘电极SD2-P2。在用于电路板的焊盘部分FPCBPad中,第一无机封装层401、第二无机封装层403、下感测绝缘层501和中间感测绝缘层510可以布置在第一焊盘电极SD2-P2上。在一些实施例中,第一无机封装层401、第二无机封装层403、下感测绝缘层501、中间感测绝缘层510和上感测绝缘层511中的至少一个布置在第一焊盘电极SD2-P2上。在一些实施例中,用于电路板的焊盘部分FPCB Pad可以具有单层结构,或者可以具有三层结构或更多层结构的堆叠结构。
在下文中,将更详细地解释参照图4描述的显示区域DA的堆叠结构和焊盘部分PAD的堆叠结构,并且将首先参照图5描述根据实施例的显示区域DA的堆叠结构的封装层400和触摸感测部分TS的结构,并且然后将描述与其相对应的焊盘部分PAD的结构和制造方法。
图5图示了根据实施例的显示面板DP的显示区域DA的示意性截面图。
在图5中,省略了布置在基板110与第三有机层183之间的结构,并且主要示出了第三有机层183上部。
构造发光元件的一个电极的阳极Anode形成在第三有机层183上。具有将阳极Anode暴露于像素限定层380外部的开口的像素限定层380布置在第三有机层183上,并且发光层EML布置在像素限定层380的开口中。阴极Cathode布置在像素限定层380上和发光层EML上,并且阳极Anode、发光层EML和阴极Cathode可以构造发光元件。
封装层400布置在阴极Cathode上,第一无机封装层401布置在阴极Cathode上,有机封装层402布置在第一无机封装层401上,并且第二无机封装层403布置在有机封装层402上。
下感测绝缘层501布置在第二无机封装层403上,下感测电极541布置在下感测绝缘层501上,中间感测绝缘层510布置在下感测电极541上,上感测电极540布置在中间感测绝缘层510上,并且上感测绝缘层511布置在上感测电极540上。下感测电极541和上感测电极540通过布置在中间感测绝缘层510中的开口彼此连接。感测电极540和541在平面图中可以与像素限定层380重叠,使得可不阻挡从发光元件发射的光。
位于上感测绝缘层511上方的结构可以与图4的结构相同。
在下文中,将参照图6至图13描述用于驱动器的焊盘部分IC Pad。
首先,将参照图6至图10描述用于驱动器的焊盘部分IC Pad(在下文中也被称为第一焊盘部分)的制造方法。
图6至图10顺序地图示了根据实施例的第一焊盘部分的制造方法。
第一焊盘部分的制造方法总结如下。
制造(或提供)第一焊盘部分的方法可以包括:形成覆盖布置在显示区域DA和非显示区域PA当中的非显示区域PA中的焊盘部分的导电部分的第一绝缘部分和第二绝缘部分;在第二绝缘部分中形成暴露第一绝缘部分的第二开口;形成覆盖第二绝缘部分和被暴露的第一绝缘部分的附加绝缘层;在附加绝缘层和第一绝缘部分中形成比第二开口窄的第一开口;以及去除附加绝缘层的一部分(或全部)。在以下实施例中,附加绝缘层可以对应于上感测绝缘层511。
在用于驱动器的焊盘部分IC Pad中,第二附加焊盘电极GAT1-P1、第一附加电极SD1-P1和第一焊盘电极SD2-P1构造传输电压的导电部分,并且图6至图10中示出了通过打开布置在导电部分周围的绝缘部分而暴露导电部分的工艺。
图6图示了在显示区域DA中在阴极Cathode上形成第一无机封装层401、第二无机封装层403、下感测绝缘层501和中间感测绝缘层510的步骤中的用于驱动器的焊盘部分ICPad的结构,并且现在将参照形成阴极Cathode之前的步骤来描述形成包括第二附加焊盘电极GAT1-P1、第一附加焊盘电极SD1-P1和第一焊盘电极SD2-P1的导电部分的工艺。
第一栅绝缘层141布置在基板110上,并且被形成为第一栅导电层的第二附加焊盘电极GAT1-P1形成在第一栅绝缘层141上。第二栅绝缘层142和具有暴露第二附加焊盘电极GAT1-P1的开口的第一层间绝缘层161顺序地布置在第二附加焊盘电极GAT1-P1上。被形成为第一数据导电层的第一附加焊盘电极SD1-P1布置在第一层间绝缘层161上,并且被形成为第二数据导电层的第一焊盘电极SD2-P1形成在第一附加焊盘电极SD1-P1上。
在显示区域DA中,第一有机层181、第二有机层182、第三有机层183和像素限定层380被形成为在第一数据导电层和/或第二数据导电层上的绝缘部分,但是在用于驱动器的焊盘部分IC Pad周围,对应的绝缘层被去除,并且构造发光元件的部分也被去除。
此后,如图6中所示,第一无机封装层401、第二无机封装层403、下感测绝缘层501和中间感测绝缘层510顺序地堆叠在被暴露的第一焊盘电极SD2-P1上。
此后,如图7中所示,在第二无机封装层403、下感测绝缘层501和中间感测绝缘层510中形成开口,以暴露第一无机封装层401。图7的工艺可以与通过在显示区域DA中在中间感测绝缘层510中形成开口而暴露下感测电极541的工艺是同一工艺。因此,在第二绝缘部分中形成第二开口的步骤可以在第二无机封装层403被蚀刻时被一起执行,同时这种步骤可以在下感测绝缘层501或中间感测绝缘层510被蚀刻时被一起执行。参照图7,例如,方法可以包括蚀刻显示区域DA中的第二无机封装层403,并且在非显示区域PA中在第二绝缘层(例如,403、501和/或510)中提供开口与第二无机封装层403的蚀刻被一起执行。
此后,如图8中所示,形成覆盖中间感测绝缘层510和被暴露的第一无机封装层401的上感测绝缘层511。
此后,如图9中所示,在上感测绝缘层511和第一无机封装层401中形成开口,以暴露是导电部分的最上层的第一焊盘电极SD2-P1。图9的工艺可以与在显示区域DA中在上感测绝缘层511中形成开口的工艺是同一工艺,并且可以与形成暴露用于触摸感测部分的焊盘部分的开口的工艺是同一工艺,这将在后面描述。
此后,如图10中所示,上感测绝缘层511(例如,剩余部分)被去除,以完成根据图4的实施例的用于驱动器的焊盘部分IC Pad。参照图9,形成在上感测绝缘层511和第一无机封装层401中的开口可以比图7中的形成在第二无机封装层403、下感测感绝缘层501和中间感测绝缘层510中的开口窄。
由于开口的尺寸的差异,在图10中形成了具有台阶的绝缘部分。也就是说,在以下描述中,布置在导电部分上方的绝缘部分被划分为第一绝缘部分和第二绝缘部分,具有较窄开口(例如,第一开口)的绝缘部分被称为第一绝缘部分(例如,第一绝缘层或第一厚度部分),并且具有较宽开口(例如,第二开口)的绝缘部分被称为第二绝缘部分(例如,第二绝缘层或第二厚度部分)。在通过打开布置在导电部分周围的绝缘部分而暴露导电部分的工艺中,上层(例如,403、501和/或510)中的较宽开口可以在提供上层之下的下层中的较窄开口之前被提供。这里,由于在下层(例如,401)的蚀刻期间,附加绝缘层的一部分(例如,上感测绝缘层511)在焊盘部分开口处保持沿上层的侧壁延伸,因此可以减少或有效防止上层的分层和/或开裂。
在图10的实施例中,第一绝缘部分仅包括第一无机封装层401,并且第二绝缘部分包括第二无机封装层403、下感测绝缘层501和中间感测绝缘层510。在实施例中,第一绝缘部分和第一无机封装层401可以是同一第一无机层(或同一第一材料层)的相应部分,并且第二绝缘部分与第二无机封装层403、下感测绝缘层501和中间感测绝缘层510可以是同一第二无机层(或同一第二材料层)的相应部分。
在一些实施例中,可以不去除上感测绝缘层511,并且上感测绝缘层511可以具有图9的截面结构,并且在一些实施例中,可以不形成第一无机封装层401、第二无机封装层403、下感测绝缘层501和中间感测绝缘层510中的至少一个。
同时,在一些实施例中,第一无机封装层401、第二无机封装层403、下感测绝缘层501、中间感测绝缘层510和上感测绝缘层511可以是无机绝缘层或有机层,并且当它们是无机绝缘层时,它们可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiON)等,而当它们是有机层时,它们可以包括聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂中的至少一种。
在上面的描述中,主要描述了其中用于驱动器的焊盘部分IC Pad包括一起作为导电部分的第二附加焊盘电极GAT1-P1、第一附加焊盘电极SD1-P1和第一焊盘电极SD2-P1,并且其第一绝缘部分包括第一无机封装层401,且第二绝缘部分包括一起作为绝缘部分的第二无机封装层403、下感测绝缘层501和中间感测绝缘层510的结构。在一些实施例中,用于驱动器的焊盘部分IC Pad的导电部分可以通过使用各种导电层形成,并且可以被形成为单个导电层或者两个或更多个导电层。
在下文中,将参照图11至图14描述根据实施例的用于驱动器的焊盘部分IC Pad的结构。
图11至图14分别图示了根据各种实施例的第一焊盘部分的截面结构。
与图10不同,根据图11的实施例的用于驱动器的焊盘部分IC Pad是其中第二无机封装层403和下感测绝缘层501被去除的实施例,并且在图11的实施例中,第一绝缘部分仅包括第一无机封装层401,并且第二绝缘部分仅包括中间感测绝缘层510。图11的变型可以包括第二无机封装层403、下感测绝缘层501和中间感测绝缘层510中的至少一个作为第二绝缘部分。
同时,与图10不同,根据图12的实施例的用于驱动器的焊盘部分IC Pad是其中第一无机封装层401和下感测绝缘层501被去除的实施例,并且在图12的实施例中,第一绝缘部分仅包括第二无机封装层403,并且第二绝缘部分仅包括中间感测绝缘层510。图12的变型可以包括下感测绝缘层501和中间感测绝缘层510中的至少一个作为第二绝缘部分。
同时,与图10不同,根据图13的实施例的用于驱动器的焊盘部分IC Pad是其中下感测绝缘层501和中间感测绝缘层510被去除的实施例,并且在图13的实施例中,第一绝缘部分仅包括第一无机封装层401,并且第二绝缘部分仅包括第二无机封装层403。
另一方面,图14的实施例是其中第一绝缘部分和第二绝缘部分的开口被形成为比图10的实施例宽的实施例,并且其所有导电部分被第一绝缘部分和第二绝缘部分暴露。在图14中,第一无机封装层401包括限定第一开口的侧壁。该侧壁与导电部分间隔开,并且将第一层间绝缘层161暴露于绝缘部分外部。
即使在图14的实施例中,绝缘部分的堆叠结构也可以如在图11至图13中所示的那样被改变。
图11至图14的被改变的实施例只是可改变的实施例中的一部分,并且可以有多种变化。
在下文中,将参照图15至图23描述用于电路板的焊盘部分FPCB Pad(在下文中也被称为第二焊盘部分)。
首先,将参照图15至图19描述用于电路板的焊盘部分FPCB Pad的制造方法。
图15至图19顺序地图示了根据实施例的第二焊盘部分的制造方法。
第二焊盘部分的制造方法总结如下。
第二焊盘部分的制造方法可以包括:形成覆盖布置在显示区域DA和非显示区域PA当中的非显示区域PA中的焊盘部分的导电部分的第一绝缘部分和第二绝缘部分;在第二绝缘部分中形成暴露第一绝缘部分的第二开口;形成覆盖第二绝缘部分和被暴露的第一绝缘部分的附加绝缘层;在附加绝缘层和第一绝缘部分中形成第一开口而不是第二开口;以及去除附加绝缘层。在以下实施例中,附加绝缘层可以对应于上感测绝缘层511。
在用于电路板的焊盘部分FPCB Pad中,第一附加焊盘电极SD1-P2和第一焊盘电极SD2-P2构造传输电压的导电部分,并且图15至图19中示出了通过打开布置在导电部分周围的绝缘部分而暴露导电部分的工艺。
图15图示了在显示区域DA中在阴极Cathode上形成第一无机封装层401、第二无机封装层403、下感测绝缘层501和中间感测绝缘层510的步骤中的用于电路板的焊盘部分FPCB Pad的结构,并且现在将参照形成阴极Cathode之前的步骤来描述形成包括第一附加焊盘电极SD1-P2和第一焊盘电极SD2-P2的导电部分的工艺。
第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142和第一层间绝缘层161顺序地布置在基板110上,被形成为第一数据导电层的第一附加焊盘电极SD1-P2布置在第一层间绝缘层161上,并且被形成为第二数据导电层的第一焊盘电极SD2-P2形成在第一附加焊盘电极SD1-P2上。
在显示区域DA中,第一有机层181、第二有机层182、第三有机层183和像素限定层380被形成为在第一数据导电层和/或第二数据导电层上的绝缘部分,但是在用于电路板的焊盘部分FPCB Pad周围,对应的绝缘层被去除,并且构造发光元件的部分也被去除。
此后,如图15中所示,第一无机封装层401、第二无机封装层403、下感测绝缘层501和中间感测绝缘层510顺序地堆叠在被暴露的第一焊盘电极SD2-P2上。
此后,如图16中所示,在第二层无机封装层403、下感测绝缘层501和中间感测绝缘层510中形成开口,以暴露第一无机封装层401。图16的工艺可以与通过在显示区域DA中在中间感测绝缘层510中形成开口而暴露下感测电极541的工艺是同一工艺。因此,在第二绝缘部分中形成第二开口的步骤可以在第二无机封装层403被蚀刻时被一起执行,同时这种步骤可以在下感测绝缘层501或中间感测绝缘层510被蚀刻时被一起执行。
此后,如图17中所示,形成覆盖中间感测绝缘层510和被暴露的第一无机封装层401的上感测绝缘层511。
此后,如图18中所示,在上感测绝缘层511和第一无机封装层401中形成开口,以暴露是导电部分的最上层的第一焊盘电极SD2-P2。图18的工艺可以与在显示区域DA中在上感测绝缘层511中形成开口的工艺是同一工艺,并且可以与形成暴露用于触摸感测部分的焊盘部分的开口的工艺是同一工艺,这将在后面描述。
此后,如图19中所示,上感测绝缘层511被去除,以完成根据图4的实施例的用于电路板的焊盘部分FPCB Pad。参照图18,形成在上感测绝缘层511和第一无机封装层401中的开口可以比图16中的形成在第二无机封装层403、下感测感绝缘层501和中间感测绝缘层510中的开口窄。由于开口的尺寸的差异,在图19中形成了具有台阶的绝缘部分。在图19的实施例中,具有窄开口的第一绝缘部分仅包括第一无机封装层401,并且具有相对宽的开口的第二绝缘部分包括第二无机封装层403、下感测绝缘层501和中间感测绝缘层510。
在一些实施例中,可以不去除上感测绝缘层511,并且上感测绝缘层511可以具有图18的截面结构,并且在一些实施例中,可以不形成第一无机封装层401、第二无机封装层403、下感测绝缘层501和中间感测绝缘层510中的至少一个。
同时,在一些实施例中,第一无机封装层401、第二无机封装层403、下感测绝缘层501、中间感测绝缘层510和上感测绝缘层511可以是无机绝缘层或有机层,并且当它们是无机绝缘层时,它们可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiON)等,而当它们是有机层时,它们可以包括聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂中的至少一种。
在上面的描述中,主要描述了其中用于电路板的焊盘部分FPCB Pad包括一起作为导电部分的第一附加焊盘电极SD1-P2和第一焊盘电极SD2-P2,并且其第一绝缘部分包括第一无机封装层401,且第二绝缘部分包括第二无机封装层403、下感测绝缘层501和中间感测绝缘层510的结构。在一些实施例中,用于电路板的焊盘部分FPCB Pad的导电部分可以通过使用各种导电层形成,并且可以被形成为单个导电层或者三个或更多个导电层。
在下文中,将参照图20至图23描述根据实施例的用于电路板的焊盘部分FPCB Pad的结构。
图20至图23分别图示了根据各种实施例的第二焊盘部分的截面结构。
与图19不同,根据图20的实施例的用于电路板的焊盘部分FPCB Pad是其中第二无机封装层403和下感测绝缘层501被去除的实施例,并且在图20的实施例中,第一绝缘部分仅包括第一无机封装层401,并且第二绝缘部分仅包括中间感测绝缘层510。图20的变型可以包括第二无机封装层403、下感测绝缘层501和中间感测绝缘层510中的至少一个作为第二绝缘部分。
同时,与图19不同,根据图21的实施例的用于电路板的焊盘部分FPCB Pad是其中第一无机封装层401和下感测绝缘层501被去除的实施例,并且在图21的实施例中,第一绝缘部分仅包括第二无机封装层403,并且第二绝缘部分仅包括中间感测绝缘层510。图21的变型可以包括下感测绝缘层501和中间感测绝缘层510中的至少一个作为第二绝缘部分。
同时,与图19不同,根据图22的实施例的用于电路板的焊盘部分FPCB Pad是其中下感测绝缘层501和中间感测绝缘层510被去除的实施例,并且在图22的实施例中,第一绝缘部分仅包括第一无机封装层401,并且第二绝缘部分仅包括第二无机封装层403。
另一方面,图23的实施例是其中第一绝缘部分和第二绝缘部分的开口被形成为比图19的实施例宽的实施例,并且其所有导电部分被第一绝缘部分和第二绝缘部分暴露。
即使在图23的实施例中,绝缘部分的堆叠结构也可以如在图20至图22中所示的那样被改变。
图20至图23的被改变的实施例只是可改变的实施例中的一部分,并且可以有多种变化。
在下文中,将参照图24至图29描述可以进一步包括在显示面板DP中的用于触摸感测部分的焊盘部分TSP Pad(在下文中被称为第三焊盘部分)。
用于触摸感测部分的焊盘部分TSP Pad可以包括导电部分和具有暴露导电部分的开口的绝缘部分。此外,在以下实施例中,绝缘部分可以包括上感测绝缘层511。
首先,将参照图24描述显示面板DP的在其中形成用于触摸感测部分的焊盘部分TSP Pad的位置。
图24图示了布置在根据实施例的显示面板DP的非显示区域PA中的焊盘部分的俯视图。
图24图示了在显示面板DP的非显示区域PA当中用于电路板的焊盘部分FPCB Pad布置在其中的部分的放大图,并且图示了用于触摸感测部分的焊盘部分TSP Pad也布置为与用于电路板的焊盘部分FPCB Pad相邻。
然而,在一些实施例中,尽管用于触摸感测部分的焊盘部分TSP Pad可以布置在非显示区域PA中,但是这种焊盘部分可以与用于电路板的焊盘部分FPCB Pad分开形成。
上面描述的用于触摸感测部分的焊盘部分TSP Pad可以具有多种截面结构,这将参照图25至图29进行详细描述。
图25至图29分别图示了根据各种实施例的第三焊盘部分的截面结构。
首先,图25的用于触摸感测部分的焊盘部分TSP Pad包括与上感测电极540形成在同一层的第一焊盘电极540-P3以及具有暴露第一焊盘电极540-P3的开口的上感测绝缘层511。这里,用于触摸感测部分的焊盘部分TSP Pad的导电部分(例如,触摸感测导电部分)是第一焊盘电极540-P3,并且用于触摸感测部分的焊盘部分TSP Pad的绝缘部分(例如,触摸感测绝缘部分)被构造为上感测绝缘层511。与先前的其它焊盘部分(用于驱动器的焊盘部分IC Pad和用于电路板的焊盘部分FPCB Pad)不同,用于触摸感测部分的焊盘部分TSP Pad可以具有无台阶的结构。在一些实施例中,上感测电极540可以被形成为多个导电层。尽管在图25中未示出,但是第二无机封装层403、下感测绝缘层501和中间感测绝缘层510中的至少一个可以布置在第一焊盘电极540-P3之下。
也就是说,用于触摸感测部分的焊盘部分TSP Pad的导电部分包括与下感测电极541布置在同一层的第一导电部分和与上感测电极540布置在同一层的第二导电部分,其中第一导电部分和第二导电部分可以通过布置在中间感测绝缘层510中的开口彼此连接。
将参照图26至图28描述其中由两个电极(作为第二导电部分的第一焊盘电极540-P3和作为第一导电部分的第一附加焊盘电极541-P3)形成用于触摸感测部分的焊盘部分TSP Pad的导电部分的实施例。此外,图26至图28的实施例是其中感测电极540和541中的每一个被构造为三层的实施例。
首先,参照图26,具有开口的中间感测绝缘层510布置在被形成为三层的第一附加焊盘电极541-P3上。
用于触摸感测部分的焊盘部分TSP Pad的制造方法可以总结如下。
用于触摸感测部分的焊盘部分TSP Pad的制造方法包括:与下感测电极541一起形成第一导电部分;形成具有暴露第一导电部分的开口(例如,触摸开口)的中间感测绝缘层510;以及与上感测电极540一起形成第二导电部分,并且第一导电部分和第二导电部分可以通过布置在中间感测绝缘层510中的开口彼此连接。
图27是图26的用于触摸感测部分的焊盘部分TSP Pad的制造工艺期间的图,并且示出了在中间感测绝缘层510中形成开口之后的截面结构。参照图27,第一附加焊盘电极541-P3由下层541-1-P3、中间层541-2-P3和上层541-3-P3构造,并且第一附加焊盘电极541-P3的上层541-3-P3和中间层541-2-P3的侧表面通过下感测绝缘层510的开口(例如,第三开口)被暴露。
然后,返回参照图26,被形成为三层的第一焊盘电极540-P3堆叠在下感测绝缘层510上和被暴露的第一附加焊盘电极541-P3上。这里,第一焊盘电极540-P3由下层540-1-P3、中间层540-2-P3和上层540-3-P3构造,并且第一焊盘电极540-P3的下层540-1-P3连接到被暴露的第一附加焊盘电极541-P3的上层541-3-P3和其中间层541-2-P3的侧表面。
然后,形成具有暴露第一焊盘电极540-P3的开口的上感测绝缘层511。
这里,三层中的下层可以包括钛(Ti),三层中的中间层可以包括铝(Al),并且三层中的上层可以包括钛(Ti)。
在一些实施例中,上感测绝缘层511可以从用于触摸感测部分的焊盘部分TSP Pad去除,并且将参照图28和图29描述其中上感测绝缘层511被去除的实施例。
在图28的实施例和图29的实施例中,第一焊盘电极540-P3具有至少被部分蚀刻的结构,当在上感测绝缘层511中形成凹陷时,该结构可以被蚀刻得到。图28的实施例示出了其中第一焊盘电极540-P3的上层540-3-P3通过比图29的实施例蚀刻得较少而被部分蚀刻以形成凹陷的实施例。同时,图29的实施例示出了其中第一焊盘电极540-P3的上层540-3-P3被蚀刻并且然后第一焊盘电极540-P3的中间层540-2-P3也另外被部分蚀刻(它们一起形成单个凹陷)的实施例。
尽管在图26至图28中未示出,但是第二无机封装层403可以布置在第一附加焊盘电极541-P3之下。
在下文中,将参照图30和图31描述根据另一制造方法的焊盘部分的结构。
在图30和图31中,焊盘部分可以是用于驱动器的焊盘部分IC Pad、用于电路板的焊盘部分FPCB Pad和用于触摸感测部分的焊盘部分TSP Pad中的一种。
首先,将参照图30描述通过使用半色调掩模在一个工艺中以不同深度进行蚀刻的制造方法。
图30图示了根据实施例的焊盘部分的制造方法。
图30示出了显示区域DA和非显示区域PA,并且当上感测绝缘层511被蚀刻时,对应于显示区域DA中的掩模的半色调部分而形成凹陷。因此,当非显示区域PA的焊盘部分被深蚀刻时,可以防止布置在上感测绝缘层511之下的上感测电极540被蚀刻。在这种情况下,当非显示区域PA的焊盘部分被蚀刻时,非显示区域PA中的一些区域可以与掩模的半色调部分相对应。结果,当在非显示区域PA的焊盘部分中导电部分被暴露时,具有单层结构的绝缘部分可以通过单次蚀刻(而不是双次蚀刻)形成。
在下文中,将参照图31描述具有无台阶的结构的焊盘部分。
图31图示了根据实施例的焊盘部分的截面结构。
在图31的实施例中,非显示区域PA的焊盘部分的导电部分被构造为布置在第二数据导电层中的焊盘电极SD2-P,并且导电部分上的绝缘部分包括第一无机封装层401、第二无机封装层403和下感测绝缘层501。此外,在第一无机封装层401、第二无机封装层403和下感测绝缘层501中形成暴露焊盘电极SD2-P的开口,并且在绝缘部分中没有形成台阶且焊盘电极SD2-P通过一个开口被暴露。
这里,下感测绝缘层501可以是无机绝缘层或有机层,并且作为无机绝缘层,它可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiON),并且作为有机层,它可以包括聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂中的至少一种。
在一些实施例中,可以进一步包括中间感测绝缘层510或上感测绝缘层511,并且中间感测绝缘层510和上感测绝缘层511也可以是无机绝缘层或有机层。
在上文中描述了以下实施例:当堆叠在焊盘部分上的封装层400的两个无机层(即第一无机封装层401和第二无机封装层403)被去除时,布置在触摸感测部分TS中的感测绝缘层501、510和511中的至少一个被一起蚀刻,同时暴露布置在其之下的导电部分。
另一方面,在比较示例中,如图32中所示,当去除第一无机封装层401和第二无机封装层403时,可以使用开口掩模。
图32图示了根据比较示例的焊盘部分的制造方法。
在图32中,省略了布置在基板110与第三有机层183之间的结构,并且主要示出了第三有机层183上部。
像素限定层380布置在第三有机层183上,并且当在像素限定层380上堆叠第一无机封装层401时,且当在用开口掩模OPEN MASK覆盖非显示区域PA的焊盘部分的同时堆叠用于第一无机封装层401的材料时,即使在被开口掩模OPEN MASK覆盖的部分上也形成薄堆叠层401-1(例如,薄厚度部分)。薄堆叠层401-1引起导致被顺序堆叠的层被剥离的剥离或开裂。
然而,在不使用开口掩模OPEN MASK的情况下,当感测绝缘层501、510和511中的至少一个被蚀刻时,即使通过去除第一无机封装层401和/或第二无机封装层403的部分,也不会发生由于薄堆叠层(作为第一无机封装层401和/或第二无机封装层403的残留部分)而引起的剥离或开裂。
尽管结合当前被认为是实用实施例的内容描述了本公开,但是应当理解的是,本发明不限于所公开的实施例,而是相反,本公开旨在覆盖包括在权利要求的精神和范围内的多种修改和等同布置。
Claims (20)
1.一种显示装置,包括:
显示区域;
非显示区域;和
焊盘部分,位于所述非显示区域中,并且被暴露于所述显示装置外部,
其中,所述焊盘部分包括:
导电部分;和
绝缘部分,限定将所述导电部分暴露于所述焊盘部分外部的开口,所述绝缘部分从所述导电部分起依次包括:第一绝缘层,限定第一开口;和第二绝缘层,面对所述第一绝缘层,并且限定比所述第一开口宽的第二开口。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中:
所述第二开口与所述第一开口重叠,并且与所述第一开口一起限定所述绝缘部分的所述开口。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中:
所述显示区域包括:包括发光元件的像素、覆盖所述发光元件的封装层以及位于所述封装层上的触摸感测部分,并且
所述封装层包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中:
所述焊盘部分的所述第一绝缘层和所述显示区域中的所述第一无机封装层是同一第一无机层的相应部分,并且
所述焊盘部分的所述第二绝缘层和所述显示区域中的所述第二无机封装层是同一第二无机层的相应部分。
5.根据权利要求3所述的显示装置,其中所述显示区域中的所述触摸感测部分从所述封装层起依次包括:
下感测绝缘层;
下感测电极;
中间感测绝缘层;
上感测电极;和
上感测绝缘层。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中:
所述焊盘部分的所述第一绝缘层和所述显示区域中的所述第一无机封装层是同一第一材料层的相应部分,并且
所述显示区域中的所述第二无机封装层、所述下感测绝缘层和所述中间感测绝缘层中的至少一个及所述焊盘部分的所述第二绝缘层是同一第二材料层的相应部分。
7.根据权利要求5所述的显示装置,其中:
所述焊盘部分的所述第一绝缘层和所述显示区域中的所述第二无机封装层是同一第一材料层的相应部分,并且
所述显示区域中的所述下感测绝缘层和所述中间感测绝缘层中的至少一个及所述焊盘部分的所述第二绝缘层是同一第二材料层的相应部分。
8.根据权利要求5所述的显示装置,其中:
被暴露于所述显示装置外部的所述焊盘部分将所述显示装置连接到外部构件,并且
在所述焊盘部分处连接到所述显示装置的所述外部构件包括印刷电路板或驱动器。
9.根据权利要求5所述的显示装置,其中:
被暴露于所述显示装置外部的所述焊盘部分接收来自所述显示装置外部的触摸输入,并且限定连接到所述触摸感测部分的用于所述触摸感测部分的焊盘部分,
用于所述触摸感测部分的所述焊盘部分包括:触摸感测导电部分;和触摸感测绝缘部分,限定将所述触摸感测导电部分暴露于所述触摸感测绝缘部分外部的第三开口,并且
所述非显示区域中的用于所述触摸感测部分的所述焊盘部分的所述触摸感测绝缘部分和所述显示区域中的所述触摸感测部分的所述上感测绝缘层是同一材料层的相应部分。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中:
用于所述触摸感测部分的所述焊盘部分的所述触摸感测导电部分包括:
第一导电部分,所述第一导电部分和所述下感测电极是同一第一材料层的相应部分;以及
第二导电部分,所述第二导电部分和所述上感测电极是同一第二材料层的相应部分,
所述中间感测绝缘层限定将所述第一导电部分暴露于所述中间感测绝缘层外部的触摸开口,并且
所述第一导电部分和所述第二导电部分在所述触摸开口处彼此连接。
11.根据权利要求10的所述显示装置,其中在用于所述触摸感测部分的所述焊盘部分的所述触摸感测导电部分内,所述第一导电部分和所述第二导电部分中的至少一个是三层结构。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其中在用于所述触摸感测部分的所述焊盘部分的所述触摸感测导电部分内:
所述三层结构包括下层、面对所述下层的上层以及位于所述上层和所述下层之间的中间层,并且
所述三层中的所述下层包括钛,所述三层中的所述中间层包括铝,并且所述三层中的所述上层包括钛。
13.根据权利要求11所述的显示装置,其中在用于所述触摸感测部分的所述焊盘部分内:
所述第二导电部分是三层,并且
所述第二导电部分的上层限定所述第二导电部分的凹陷。
14.一种提供显示装置的方法,所述方法包括:
提供显示区域和与所述显示区域相邻的非显示区域;以及
提供焊盘部分,所述焊盘部分位于所述非显示区域中并且被暴露于所述显示装置外部,
其中,所述焊盘部分的所述提供包括:
提供所述焊盘部分的导电部分;和
在所述导电部分上提供绝缘部分,
其中,所述焊盘部分的所述绝缘部分的所述提供包括:
从所述导电部分起依次提供第一绝缘层和第二绝缘层;
在所述第二绝缘层中提供将所述第一绝缘层暴露于所述第二绝缘层外部的开口;
提供覆盖具有所述开口的所述第二绝缘层并且覆盖被暴露于所述第二绝缘层外部的所述第一绝缘层的附加绝缘层;以及
去除所述附加绝缘层的一部分和所述第一绝缘层的一部分,以在所述第一绝缘层中提供小于所述第二绝缘层中的所述开口的开口。
15.根据权利要求14所述的方法,其中:
所述显示区域的所述提供包括:提供包括发光元件的像素、覆盖所述发光元件的封装层以及位于所述封装层上的触摸感测部分,
所述封装层包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层,并且
所述第一绝缘层和所述第一无机封装层是同一材料层的相应部分。
16.根据权利要求15所述的方法,进一步包括:在所述显示区域中提供所述第二无机封装层的蚀刻,
其中:
所述非显示区域中的所述第二绝缘层中的所述开口的所述提供与所述第二无机封装层的所述蚀刻被一起执行。
17.根据权利要求15所述的方法,其中:
所述显示区域中的所述触摸感测部分的所述提供包括从所述封装层起依次提供:
下感测绝缘层;
下感测电极;
中间感测绝缘层;
上感测电极;和
上感测绝缘层,并且
所述方法进一步包括:与所述第二绝缘层中的所述开口的所述提供一起,在所述显示区域中提供所述下感测绝缘层或所述中间感测绝缘层的蚀刻。
18.根据权利要求17所述的方法,其中:
所述附加绝缘层的所述提供与所述上感测绝缘层的所述提供被一起执行。
19.根据权利要求17所述的方法,其中:
所述焊盘部分的所述提供进一步包括提供用于所述触摸感测部分的焊盘部分,
用于所述触摸感测部分的所述焊盘部分的所述提供包括:
与所述下感测电极的所述提供一起提供第一导电部分;
在所述中间感测绝缘层中提供将所述第一导电部分暴露于所述中间感测绝缘层外部的开口;以及
与所述上感测电极的所述提供一起提供第二导电部分,并且
所述第一导电部分和所述第二导电部分通过所述中间感测绝缘层中的所述开口彼此连接。
20.根据权利要求19所述的方法,其中:
所述第一导电部分和所述第二导电部分中的至少一个是三层。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2021-0182834 | 2021-12-20 | ||
KR1020210182834A KR20230094228A (ko) | 2021-12-20 | 2021-12-20 | 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN116322201A true CN116322201A (zh) | 2023-06-23 |
Family
ID=86769641
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202211634867.3A Pending CN116322201A (zh) | 2021-12-20 | 2022-12-19 | 显示装置及其提供方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230200113A1 (zh) |
KR (1) | KR20230094228A (zh) |
CN (1) | CN116322201A (zh) |
-
2021
- 2021-12-20 KR KR1020210182834A patent/KR20230094228A/ko unknown
-
2022
- 2022-08-05 US US17/881,693 patent/US20230200113A1/en active Pending
- 2022-12-19 CN CN202211634867.3A patent/CN116322201A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20230200113A1 (en) | 2023-06-22 |
KR20230094228A (ko) | 2023-06-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11635836B2 (en) | Display device having shaped sealing member | |
KR20180025215A (ko) | 표시 장치 | |
JP6867461B2 (ja) | 表示装置 | |
CN113113449A (zh) | 显示装置 | |
CN114078931A (zh) | 显示装置及制造显示装置的方法 | |
US20240329465A1 (en) | Display device | |
CN114695454A (zh) | 显示设备和包括该显示设备的多屏显示设备 | |
US11678507B2 (en) | Display apparatus having a crack resistant structure | |
CN114512519A (zh) | 发光显示设备和包括该发光显示设备的多屏显示设备 | |
CN116390596A (zh) | 显示面板和显示装置 | |
CN116322201A (zh) | 显示装置及其提供方法 | |
CN113889505A (zh) | 显示装置 | |
CN114695480A (zh) | 显示设备和包括该显示设备的多屏显示设备 | |
KR102538361B1 (ko) | 유기발광 표시장치 | |
CN110383160B (zh) | 液晶显示装置 | |
CN220570915U (zh) | 显示装置 | |
CN221429483U (zh) | 显示设备 | |
WO2024009374A1 (ja) | 表示装置 | |
US20240023413A1 (en) | Display device having a cover layer and method ofmanufacturing the same | |
US10620468B2 (en) | Method of manufacturing display panel substrate | |
KR20170079156A (ko) | 유기발광 표시장치 | |
CN115701760A (zh) | 显示装置 | |
KR20240050990A (ko) | 표시 장치 | |
JP2024037350A (ja) | 表示装置 | |
CN116264808A (zh) | 触摸显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication |