CN116322178A - 电致发光显示器 - Google Patents

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姜东勋
边宇中
黄载元
裵广珍
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Abstract

本公开涉及具有修复结构的电致发光显示器。该电致发光显示器包括：设置于基板上的第一线；覆盖基板上的第一线的缓冲层；设置于缓冲层上并且从第一线的一侧到另一侧与第一线交叉的修复分支线；覆盖修复分支线的栅极绝缘层；以及设置于栅极绝缘层上并且与第一线交叉的第二线。修复分支线包括：设置于第一线的一侧外部的第一端、以及设置于第一线的另一侧外部的第二端。第二线包括与修复分支线分开并且在修复分支线之上的上分支线。修复分支线的第一端与上分支线的第一区域重叠。修复分支线的第二端与上分支线的第二区域重叠。

Description

电致发光显示器
技术领域
本公开涉及具有修复结构的电致发光显示器，该修复结构用于当诸如栅极线之类的信号线断开或中断时恢复电连接。尤其是，本公开涉及具有修复结构的底部发光型电致发光显示器，该修复结构用于即使当在数据线和重叠的栅极线(二者之间为绝缘层)的交叉结构处发生栅极线断开(disconnection)或中断时也恢复电连接。
背景技术
近年来，已经开发了各种类型的显示器，例如阴极射线管(CRT)、液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)和电致发光显示器。这些各种类型的显示器用于根据各种产品特有的特性和目的来显示各种产品的图像数据，各种产品例如是计算机、移动电话、银行存款和取款装置(ATM)和车辆导航系统。
具体而言，作为自发光显示器，电致发光显示器具有极好的光学性能，例如视角和颜色实现度(color realization degree)，使得其应用领域逐渐拓宽并且作为图像显示装置而受到关注。凭借这些优点，其正在作为最适合的用于实现超过4K分辨率的8K超高分辨率显示的显示装置而受到关注。随着分辨率增大，像素尺寸变得更小，并且传输电信号的线的宽度也变得更窄。
对于诸如上述的超高分辨率电致发光显示器，随着窄的线隔着二者之间的绝缘层彼此交叉的结构部分的数量增大，在线相交处设置于绝缘层顶部上的与下方线交叉的上方线断开的可能性增大。因此，对于超高分辨率电致发光显示装置而言，需要即使当在相交区域处发生断开时也能够被容易修复和/或恢复的结构特征。
发明内容
本公开的目的是解决上述问题，并因此本公开提供了一种用于实现超高分辨率的电致发光显示器，并且该电致发光显示器被配置成具有修复结构，该修复结构能够当在相交(或交叉)结构处发生断开或中断时修复该断开或中断，在相交(或交叉)结构中，窄宽度的线与另一条线隔着二者之间插置的绝缘层而交叉。而且，本公开还提供了一种具有自修复结构的电致发光显示器，即使当在窄的上方线与设置于窄的上方线下方的另一条线隔着二者之间插置的绝缘层而交叉的交叉(或相交)结构中发生断开或中断时，也无需执行特定的修复过程。
为了实现本公开的上述目的，根据本公开的电致发光显示器包括：设置于基板上的第一线；覆盖所述基板上的所述第一线的缓冲层；设置于所述缓冲层上并且从所述第一线的一侧到另一侧与所述第一线交叉的修复分支线；覆盖所述修复分支线的栅极绝缘层；以及设置于所述栅极绝缘层上并且与所述第一线交叉的第二线，其中，所述修复分支线包括：设置于所述第一线的所述一侧外部的第一端、以及设置于所述第一线的所述另一侧外部的第二端，其中，所述第二线包括与所述修复分支线分开并且在所述修复分支线之上的上分支线，其中，所述修复分支线的所述第一端与所述上分支线的第一区域重叠，并且其中，所述修复分支线的所述第二端与所述上分支线的第二区域重叠。
在一个实施例中，当所述上分支线存在断开时，所述修复分支线的所述第一端通过熔接而与所述上分支线的所述第一区域电连接，并且所述上分支线的所述第二端通过熔接而与所述上分支线的所述第二区域电连接。
在一个实施例中，栅极绝缘层包括暴露所述修复分支线的第一端的第一接触孔，并且上分支线的第一区域经由所述第一接触孔接触所述修复分支线的第一端。
在一个实施例中，当所述上分支线存在断开时，所述修复分支线的所述第二端通过熔接而与所述上分支线的所述第二区域电连接。
在一个实施例中，栅极绝缘层还包括暴露修复分支线的第二端的第二接触孔，并且上分支线的第二区域经由所述第二接触孔接触所述修复分支线的第二端。
在一个实施例中，上分支线和修复分支线在平面结构中形成六边形形状，上分支线的第一区域在六边形形状的第一顶点处与修复分支线的第一端重叠，并且上分支线的第二区域在六边形形状的与第一顶点相对的第二顶点处与修复分支线的第二端重叠。
在一个实施例中，上分支线与第二线成一条直线延伸，上分支线和修复分支线在平面结构中形成矩形形状，上分支线的第一区域在矩形形状的第一顶点处与修复分支线的第一端重叠，并且上分支线的第二区域在矩形形状的与第一顶点相对的第二顶点处与修复分支线的第二端重叠。
在一个实施例中，上分支线和修复分支线在平面结构中形成圆形形状，上分支线具有凸半圆形形状，修复分支线具有凹半圆形形状，上分支线的第一区域在凸半圆形形状和凹半圆形形状相交的第一交点处与修复分支线的第一端重叠，并且上分支线的第二区域在凸半圆形形状和凹半圆形形状相交的第二交点处与修复分支线的第二端重叠。
在一个实施例中，第一线包括数据线和驱动电流线，第二线包括栅极线，并且所述电致发光显示器还包括：连接到所述栅极线和所述数据线的开关薄膜晶体管；连接到所述开关薄膜晶体管和所述驱动电流线的驱动薄膜晶体管；覆盖所述基板之上的所述开关薄膜晶体管和所述驱动薄膜晶体管的平面化层；以及位于所述平面化层上并且连接到所述驱动薄膜晶体管的发光元件。
一种用于制造根据本公开的电致发光显示器的方法包括如下步骤：在基板上形成第一线；沉积覆盖所述基板上的所述第一线的缓冲层；形成在所述缓冲层上并且从所述第一线的一侧到另一侧与所述第一线交叉的修复分支线；沉积覆盖所述修复分支线的栅极绝缘层；以及形成在所述栅极绝缘层上并且与所述第一线交叉的第二线。所述修复分支线包括：设置于所述第一线的所述一侧外部的第一端、以及设置于所述第一线的所述另一侧外部的第二端。所述第二线包括与所述修复分支线分开并且在所述修复分支线之上的上分支线。修复分支线的第一端与上分支线的第一区域重叠，并且修复分支线的第二端与上分支线的第二区域重叠。
在一个实施例中，所述方法还包括如下步骤：检查所述上分支线处的电断开；以及当所述上分支线具有所述电断开时，通过将所述修复分支线的所述第一端与所述上分支线的所述第一区域熔接，并将所述修复分支线的所述第二端与所述上分支线的所述第二区域熔接，修复所述电断开。
在一个实施例中，沉积栅极绝缘层的步骤包括形成暴露所述修复分支线的所述第一端的第一接触孔。在形成第二线的步骤中，所述上分支线的所述第一区域经由所述第一接触孔接触所述修复分支线的所述第一端。
在一个实施例中，所述方法还包括如下步骤：检查所述上分支线处的电断开；以及当所述上分支线具有所述电断开时，通过将所述修复分支线的所述第二端与所述上分支线的所述第二区域熔接来修复所述电断开。
在一个实施例中，沉积栅极绝缘层的步骤还包括形成暴露所述修复分支线的所述第二端的第二接触孔。在形成所述第二线的步骤中，所述上分支线的所述第二区域经由所述第二接触孔接触所述修复分支线的所述第二端。
根据本公开的电致发光显示器包括修复结构。通过使用修复结构，在上方线在交叉结构处中断的情况下，通过激光工艺可以恢复任何中断或断开的线，在交叉结构中，具有窄宽度的上方线与设置于上方线下方的下方线交叉，二者之间插置有绝缘层。另外，本公开可以提供一种电致发光显示装置，其中，由于在上方线下方提供的并且始终连接到上方线的修复线，即使在上方线断开时，也实现了自修复，而无需执行修复过程。因此，本公开可以具有如下优点：当制造超高分辨率电致发光显示器时，可以容易地恢复线的任何断开。根据本公开，在制造超高分辨率电致发光显示器时，通过减少由于线断开所造成的缺陷率，可以改善生产率。
附图说明
包括附图以提供对本公开的进一步理解，并且附图被并入本申请中而构成本申请的一部分，附图示出了本公开的实施例，并与说明书一起用以解释本公开的原理。在附图中：
图1是示出了根据本公开的电致发光显示器的示意性结构的平面图。
图2是示出了根据本公开的一个像素的结构的电路图。
图3是示出了根据本公开的电致发光显示器中设置的像素的结构的平面图。
图4是沿图3中的切割线I-I'的截面图，用于示出根据本公开的电致发光显示器的结构。
图5是示出了根据本公开第一实施例的电致发光显示器中的栅极线与数据线相交的结构的放大平面图。
图6A是沿图5中的切割线II-II'的放大截面图，用于示出根据本公开第一实施例的电致发光显示器中的栅极线与数据线相交的结构。
图6B是沿图5中的切割线III-III'的放大截面图，用于示出根据本公开第一实施例的电致发光显示器中的修复栅极线与数据线相交的结构。
图7是沿图5中的切割线II-II'的放大截面图，用于示出根据本公开第二实施例的电致发光显示器中的栅极线与数据线相交的结构。
图8是沿图5中的切割线II-II'的放大截面图，用于示出根据本公开第三实施例的电致发光显示器中的栅极线与数据线相交的结构。
图9是示出了根据本公开第四实施例的电致发光显示器中的栅极线与数据线相交的结构的放大平面图。
图10是示出了根据本公开第五实施例的电致发光显示器中的栅极线与数据线相交的结构的放大平面图。
具体实施方式
现在将详细地参考本公开的示例性实施例，在附图中示出了这些示例性实施例的示例。只要有可能，就将在所有附图中使用相同的附图标记指示相同或相似部分。在说明书中，应当指出，已经在其他附图中被用于表示相似元件的相似附图标记只要在可能的情况下都用于这些元件。在以下说明书中，当本领域技术人员所已知的功能和配置与本公开的必要配置不相关时，将省略其详细描述。应当如下理解本说明书中描述的术语。
通过参考附图所描述的以下实施例，本公开的优点和特征及其实施方法将变得清楚。然而，本公开可以通过不同的形式来加以体现，并且不应被理解为局限于本文中阐述的实施例。相反，提供这些示例性实施例使得本公开可以充分透彻并且完整，以辅助本领域的技术人员完全理解本公开的范围。此外，本公开的保护范围由权利要求及其等同方案限定。
为了描述本公开的各个示例性实施例而在附图中示出的形状、尺寸、比例、角度、数量等仅仅是以示例方式给出的。因此，本公开不局限于所例示的细节。除非另外指明，在说明书通篇中，类似附图标记指示类似元件。在以下说明书中，在相关已知功能或配置的详细描述可能不必要地使本公开的重要点模糊不清时，可以省略此类已知功能或配置的详细描述。
在本说明书中，当使用术语“包括”、“具有”、“包含”等的情况下，可以增加一个或多个其他元件，除非使用诸如“仅”之类的术语。以单数形式描述的元件意在包括多个元件，并且反之亦然，除非上下文明确地另行做出指示。
在解释元件时，该元件被解释为包括误差或容错范围，即使在未提供对此类误差或容错范围的明确描述的情况下，也是如此。
在描述本公开的各个实施例时，在描述位置关系的情况下，例如，在使用“在……上”、“在……上方”、“在……下方”、“在……之上”、“在……之下”、“在……旁边”、“在……一旁”等描述两个部分之间的位置关系时，一个或多个其他部分可以位于两个部分之间，除非使用了更限制性的术语，例如“紧挨(地)”、“直接(地)”或“紧密(地)”。例如，在将一个元件或层设置在另一个元件或层“上”的情况下，可以在二者之间插置第三层或元件。而且，如果将第一元件描述为位于第二元件“上”，则未必表示第一元件在图中位于第二元件之上。根据对象的取向，可以改变相关对象的上部和下部。因此，在将第一元件描述为位于第二元件“上”时，根据对象的取向，在图中或在实际配置中，第一元件可以位于第二元件“之下”或第二元件“下方”。
在描述时间关系时，在将时间顺序描述为例如“在……之后”、“随后”、“接下来”以及“在……之前”时，可以包括不连续的情况，除非使用了更限制性的术语，例如“刚好”、“紧接(地)”或者“直接(地)”。
将要理解的是，虽然术语“第一”、“第二”等可以在本文中被用于描述各个元件，但是这些元件不应当被这些术语限制，因为它们并非用于限定特定顺序。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。例如，第一元件可以被命名为第二元件，并且类似地，第二元件可以被命名为第一元件，而不脱离本公开的范围。
在本公开中描述各个元件时，可以使用诸如第一、第二、A、B、(a)和(b)之类的术语。使用这些术语仅仅是将一个元件与另一个元件区分开，而非限定元件的特定性质、顺序、次序或数量。在元件被描述为“链接”、“耦接”或“连接”到另一个元件的情况下，该元件可以直接或间接连接到该另一个元件，除非另外指明。应当理解，在被描述为彼此“链接”、“连接”或“耦接”的两个元件之间可以“插置”额外的一个或多个元件。
应当理解，术语“至少一个”应当被理解为包括关联列举项中的一个或多个的任何以及所有组合。例如，“第一元件、第二元件和第三元件中的至少一个”的含义涵盖全部三个列举元件的组合、三个元件中任意两个的组合、以及每个个体元件，即第一元件、第二元件和第三元件。
本公开各个实施例的特征可以部分或全部彼此耦接或彼此组合，并可以彼此进行各种互操作和技术驱动，如本领域的技术人员能够充分理解的那样。可以彼此独立地执行本公开的各实施例或者可以通过相互依赖的关系执行本公开的各实施例。
在下文中，将参考附图详细描述根据本公开的显示设备的示例。只要有可能，就将在所有附图中使用相同的附图标记来指示相同或相似部分。由于附图中所示的每个元件的尺度可能与实际尺度不同以便于描述，所以本公开不局限于附图中所示的尺度。
在下文中，参考附图，我们将详细解释本公开。图1是示出了根据本公开的电致发光显示器的示意性结构的图示。在图1中，X轴可以平行于扫描线(也称为栅极线)的延伸方向，Y轴可以平行于数据线的延伸方向，而Z轴可以代表显示器的厚度方向。
参考图1，该电致发光显示器包括基板110、栅极(或扫描)驱动器210、数据焊盘部分310、源极驱动IC(集成电路)410、柔性膜430、电路板450和定时控制器500。
基板110可以包括电绝缘材料或柔性材料。基板110可以由玻璃、金属或塑料制成，但不局限于此。在电致发光显示器是柔性显示器时，基板110可以由诸如塑料之类的柔性材料制成。例如，基板110可以包括透明聚酸亚胺材料。
基板110可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA是用于表达视频图像的区域，显示区域DA可以被定义为基板110的大部分中央区域，但不局限于此。在显示区域DA中，可以形成或设置多条扫描线(栅极线)、多条数据线和多个像素。每个像素可以包括多个子像素。每个子像素分别包括扫描线和数据线。
非显示区域NDA是不表达视频图像的区域，非显示区域NDA可以被定义为基板110的围绕全部或一些显示区域DA的周边区域。在非显示区域DNA中，可以形成或设置栅极驱动器210和数据焊盘部分310。
栅极驱动器210可以根据从定时控制器500接收的栅极控制信号向扫描线供应扫描(栅极)信号。栅极驱动器210可以形成于基板110上位于显示区域DA外部的非显示区域NDA处，以成为GIP(面板中栅极驱动器)型。GIP型表示栅极驱动器210直接形成于基板110上。
数据焊盘部分310可以根据从定时控制器500接收的数据控制信号向数据线供应数据信号。数据焊盘部分310可以被制成驱动器芯片并且安装于柔性膜430上。此外，柔性膜430可以附着于基板110上位于显示区域DA外部的非显示区域NDA处，以成为TAB(带式自动接合)型。
源极驱动IC 410可以从定时控制器500接收数字视频数据和源极控制信号。源极驱动IC 410可以根据源极控制信号将数字视频数据转换成模拟数据电压，并且然后将其供应到数据线。当源极驱动IC 410被制成芯片型时，它可以安装于柔性膜430上，以成为COF(膜上芯片)型或COP(塑料上芯片)型。
柔性膜430可以包括多条将数据焊盘部分310连接到源极驱动IC 410的第一链接线、以及多条将数据焊盘部分310连接到电路板450的第二链接线。可以使用各向异性导电膜将柔性膜430附着于数据焊盘部分310上，使得数据焊盘部分310可以连接到柔性膜430的第一链接线。
电路板450可以附着到柔性膜430。电路板450可以包括被实现为驱动芯片的多个电路。例如，电路板450可以是印刷电路板或柔性印刷电路板。
定时控制器500可以通过电路板450的线缆从外部系统板接收数字视频数据和定时信号。定时控制器500可以基于定时信号产生用于控制栅极驱动器200的操作定时的栅极控制信号、以及用于控制源极驱动IC 410的源极控制信号。定时控制器500可以向栅极驱动器200供应栅极控制信号，并向源极驱动IC 410供应源极控制信号。根据产品类型，定时控制器500可以被形成为具有源极驱动IC 410的一个芯片并且安装于基板110上。
在下文中，参考图2到图4，将解释根据本公开的电致发光显示器的详细结构。图2是示出了根据本公开的一个像素的结构的电路图。图3是示出了根据本公开的像素的结构的平面图。图4是沿图3中的切割线I-I'的截面图，用于示出根据本公开的电致发光显示器的结构。参考图2到图4，我们可以使用有机发光显示器(即电致发光显示装置(或“设备”)的一个实施例)来解释本公开的示例。
参考图2到图4，发光显示器的一个像素P可以由扫描线SL、数据线DL和驱动电流线VDD限定。发光显示器的一个像素可以包括开关薄膜晶体管ST、驱动薄膜晶体管DT、发光二极管OLE和存储电容Cst。可以为驱动电流线VDD供应高电平电压，以便驱动发光二极管OLE。
例如，开关薄膜晶体管ST可以设置于扫描线SL和数据线DL交叉的部分处。开关薄膜晶体管ST可以包括开关栅电极SG、开关源电极SS和开关漏电极SD。开关栅电极SG可以连接到扫描线SL。开关源电极SS可以连接到数据线DL，而开关漏电极SD可以连接到驱动薄膜晶体管DT。通过向驱动薄膜晶体管DT供应数据信号，开关薄膜晶体管ST可以发挥选择要驱动的像素的作用。
驱动薄膜晶体管DT可以发挥驱动由开关薄膜晶体管ST选择的像素的发光二极管OLE的作用。驱动薄膜晶体管DT可以包括驱动栅电极DG、驱动源电极DS和驱动漏电极DD。驱动栅电极DG可以连接到开关薄膜晶体管ST的开关漏电极SD。例如，驱动栅电极DG可以经由穿透覆盖驱动栅电极DG的栅极绝缘层GI的漏极接触孔连接到开关漏电极SD。驱动源电极DS可以连接到驱动电流线VDD，而驱动漏电极DD可以连接到发光二极管OLE的阳极电极ANO。存储电容Cst可以设置于驱动薄膜晶体管DT的驱动栅电极DG和发光二极管OLE的阳极电极ANO之间。
驱动薄膜晶体管DT可以设置于驱动电流线VDD和发光二极管OLE之间。驱动薄膜晶体管DT可以根据连接到开关薄膜晶体管ST的开关漏电极SD的驱动栅电极DG的电压电平来控制从驱动电流线VDD流向发光二极管OLE的电流的量。
发光二极管OLE可以包括阳极电极ANO、发光层EL和阴极电极CAT。发光二极管OLE可以根据驱动薄膜晶体管DT所控制的电流的量来发光。换言之，发光二极管OLE可以由驱动薄膜晶体管DT控制的低电平电压和高电平电压之间的电压差驱动。
主要参考图4，将解释根据本公开的电致发光显示器的截面结构。光屏蔽层LS可以设置于基板110上。光屏蔽层LS的一部分可以被用作数据线DL和驱动电流线VDD。此外，光屏蔽层LS可以形成为与半导体层SA和DA重叠并且与数据线DL和驱动电流线VDD分隔开预定距离的岛形状。光屏蔽层LS的未包括到信号线中的部分可以用于通过遮挡入射到半导体层SA和DA中的外部光来防止半导体层SA和DA的性质被劣化。因此，可能优选的是，可以将光屏蔽层LS设置为与半导体层SA和DA中的沟道区域重叠，其中，沟道区域与栅电极SG和DG重叠。此外，可以优选设置光屏蔽层LS，以便与接触半导体层SA和DA的源极-漏极电极SS、SD、DS和DD的一些区域重叠。
缓冲层BUF可以设置于光屏蔽层LS上，并且可以覆盖由光屏蔽层LS暴露的基板110的表面。开关半导体层SA和驱动半导体层DA可以形成于缓冲层BUF上。具体而言，半导体层SA和DA的沟道区域可以设置为与光屏蔽层LS重叠。
栅极绝缘层GI可以堆叠于半导体层SA和DA的表面之上。在栅极绝缘层GI上，形成与开关半导体层SA重叠的开关栅电极SG以及与驱动半导体层DA重叠的驱动栅电极DG。开关源电极SS可以形成于开关栅电极SG的一侧处，并且开关源电极SS可以形成为与开关栅电极SG分开，并且接触开关半导体层SA的一侧。开关漏电极SD可以形成于开关栅电极SG的另一侧处，并且开关漏电极SD可以形成为与开关栅电极SG分开，并且接触开关半导体层SA的另一侧。此外，驱动源电极DS可以形成于驱动栅电极DG的一侧处，并且驱动源电极DS可以形成为与驱动栅电极DG分开，并且接触驱动半导体层DA的一侧。驱动漏电极DD可以形成于驱动栅电极DG的另一侧处，并且驱动漏电极DD可以形成为与驱动栅电极DG分开，并且接触驱动半导体层DA的另一侧。
栅电极SG和DG以及源极-漏极电极SS、SD、DS和DD可以形成为位于相同高度处的层，但它们彼此分隔开。开关源电极SS可以经由穿透栅极绝缘层GI和缓冲层BUF的接触孔而连接到由光屏蔽层LS的一些部分形成的数据线DL。此外，驱动源电极DS可以经由穿透栅极绝缘层GI和缓冲层BUF的另一个接触孔而连接到由光屏蔽层LS的一些部分形成的驱动电流线VDD。因此，开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT形成于基板110上。
钝化层PAS可以设置于薄膜晶体管ST和DT上。钝化层PAS可以由诸如氮化硅或氧化硅之类的无机材料制成。彩色滤光片CF可以设置于钝化层PAS上。彩色滤光片CF是用于表达分配给每个像素的颜色的元件。例如，彩色滤光片CF可以具有对应于一个像素区域的尺寸和形状。作为另一个示例，彩色滤光片CF可以具有稍大于可以稍晚形成的发光二极管OLE的尺寸，并且可以设置成与发光二极管OLE重叠。
平面化层PL可以设置于彩色滤光片CF上。平面化层PL可以是薄膜层，用于使形成薄膜晶体管ST和DT的区域的不一致表面平坦化。为了使高度差一致，平面化层PL可以由有机材料形成。钝化层PAS和平面化层PL可以具有像素接触孔，用于暴露驱动薄膜晶体管DT的驱动漏电极DD的一些部分。
阳极电极ANO可以形成于覆盖薄膜晶体管ST和DT的平面化层PL上。阳极电极ANO可以通过形成于平面化层PL处的像素接触孔而连接到驱动薄膜晶体管DT的驱动漏电极DD。根据有机发光二极管OLE的发光类型，阳极电极ANO可以具有各种结构和不同的材料。例如，对于可以由发光层EL向基板110提供光的底部发光型而言，阳极电极ANO可以由透明导电材料制成。作为另一个示例，对于可以在远离基板110的方向上提供光的顶部发光型而言，阳极电极ANO可以由具有优异光反射的金属材料制成。
在诸如电视机之类的大面积显示装置的情况下，设置于阳极电极ANO上的阴极电极CAT可以形成为覆盖大面积的一个层。阴极电极CAT优选在宽区域内维持一致的低电压。因此，优选地，在大面积显示装置的情况下，阴极电极CAT可以由不透明金属材料形成，以便维持低的薄层电阻。因此，在大面积显示装置的情况下，优选形成底部发光型结构。对于底部发光型而言，阳极电极ANO可以由透明导电材料制成。例如，阳极电极ANO可以包括氧化物导电材料，例如氧化铟锌(IZO)或氧化铟锡(ITO)。
堤部BA可以形成于阳极电极ANO上。堤部BA可以覆盖阳极电极ANO的周边区域，并且可以暴露阳极电极ANO的中央区域的大部分，使得堤部BA可以限定发光区域。
发光层EL可以沉积于阳极电极ANO和堤部BA上。发光层EL可以沉积于基板110上的显示区域DA的整个表面上方，从而覆盖阳极电极ANO和堤部BA。例如，发光层EL可以包括两个或更多用于发射白光的堆叠发光部分。详细而言，发光层EL可以包括提供第一颜色光的第一发光层以及提供第二颜色光的第二发光层，并由此通过组合第一颜色光和第二颜色光而发射白光。
作为另一个示例，发光层EL可以包括蓝色发光层、绿色发光层和红色发光层中的任一层，用于提供具有对应于分配给像素的颜色的颜色的光。另外，发光二极管OLE还可以包括用于增强发光层EL的发光效率和/或寿命的功能层。
阴极电极CAT可以设置于发光层EL上。阴极电极CAT可以堆叠于发光层EL上，并且可以形成为与发光层EL表面接触。阴极电极CAT可以形成为在基板110的整个区域上方的一个片状元件，并且可以形成为共同连接到设置于所有像素处的所有发光层EL。在底部发光型的情况下，阴极电极CAT可以包括具有优异光反射比的金属材料。例如，阴极电极CAT可以包括银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、金(Au)、镁(Mg)、钙(Ca)、铜(Cu)、钛(Ti)或钡(Ba)中的至少任一种。
上文解释的电致发光显示器可以具有设置于位于相同高度的层处的栅极线SL、栅电极SG和DG、源电极SS和DS以及漏电极SD和DD。此外，数据线DL、驱动电流线VDD和光屏蔽层LS可以设置于位于相同高度的层处。例如，如图4中所示，可以首先在基板110上形成数据线DL、驱动电流线VDD和光屏蔽层LS。之后，可以沉积缓冲层BUF以覆盖由光屏蔽层LS暴露的基板110的表面。在缓冲层BUF上，可以形成半导体层SA和DA。栅极绝缘层GI可以形成于半导体层SA和DA上，并且可以形成为覆盖缓冲层BUF。栅极线SL、栅电极SG和DG、源电极SS和DS以及漏电极SD和DD可以形成于栅极绝缘层GI上。
这里，栅极线SL可以设置为沿基板110的水平方向延伸，而数据线DL和驱动电流线VDD可以设置为沿基板110的竖直方向延伸。因此，栅极线SL和数据线DL可以基本彼此交叉。由于栅极线SL和数据线DL是传输不同信号的线，所以在这二者之间插置缓冲层BUF和栅极绝缘层GI以防止这些线彼此短接。
例如，可以首先在基板110上形成数据线DL，并且之后，形成缓冲层BUF和栅极绝缘层GI。栅极线SL可以形成于栅极绝缘层GI上。结果，栅极线SL可以具有一种结构，在该结构中，它与数据线DL形成的台阶交叉。这里，由于数据线DL的厚度以及缓冲层BUF的厚度，以及其上堆叠的栅极绝缘层GI，台阶可以变得非常高。由于栅极线SL与这样高的台阶差相交叉的结构，栅极线SL可能断开具有很高的可能性。尤其是，随着分辨率增大和像素数量增大，栅极线SL的线宽可能变得更窄。结果，栅极线SL断开的概率可能增加得很高。
在下文中，参考附图，将解释具有修复结构的各个实施例，该修复结构能够甚至在栅极线SL与数据线DL交叉的部分处发生断开时进行恢复。
<第一实施例>
在下文中，参考图5、图6A和图6B，将解释本公开的第一实施例。图5是示出了根据本公开第一实施例的电致发光显示器中的栅极线与数据线相交的结构的放大平面图。图6A是沿图5中的切割线II-II'的放大截面图，用于示出根据本公开第一实施例的电致发光显示器中的栅极线与数据线相交的结构。图6B是沿图5中的切割线III-III'的放大截面图，用于示出根据本公开第一实施例的电致发光显示器中的修复栅极线与数据线相交的结构。
数据线DL可以具有在基板110的XY平面上沿着Y轴方向延伸的线段形状。多条数据线DL可以沿X轴布置为具有预定距离。第一实施例可以解释可以在两个相邻像素之间平行布置两条数据线DL的情况。然而，本公开不局限于此，并且可以平行地布置一条数据线DL和一条驱动电流线VDD。栅极线SL可以具有在XY平面上沿着X轴方向延伸的线段形状。多个栅极线GL可以沿Y轴布置为具有预定距离。
因此，数据线DL和栅极线SL可以彼此垂直地交叉。当首先在基板110上设置数据线DL时，可以在数据线DL之上设置栅极线SL，并且可以将栅极线SL形成为与数据线DL交叉。缓冲层BUF和栅极绝缘层GI可以设置于数据线DL和栅极线SL之间。在一些情况下，可以在二者之间进一步设置任何其他绝缘层。
由于在栅极线SL与数据线DL交叉的部分处有发生断开的可能性，所以栅极线SL在与数据线DL重叠的部分处可以具有叉形线结构。例如，栅极线SL可以被划分成两个部分，包括上分支线SL1和下分支线SL2。
根据第一实施例，上分支线SL1可以是栅极线SL的、栅极线SL如其本来那样延伸的部分。而下栅极分支线SL2可以形成为修复分支线RP，其具有在与栅极线SL的层不同的层处形成的短线段形状。
如图5的平面图中所示，上分支线SL1和下分支线SL2可以形成六边形形状。六边形形状的上边和下边可以与数据线DL相交。上边可以是上分支线SL1，而下边可以是下分支线SL2。在六边形的六个顶点当中的第一顶点处(第一顶点设置于数据线DL的左端处)，上分支线SL1的第一区域和下分支线SL2的第一端可以彼此重叠。类似地，在设置于数据线DL的右端处的第二顶点处，上栅极分支线SL1的第二区域和下分支线SL2的第二端可以彼此重叠。
参考图6A和图6B，将描述栅极线SL的分支部分的结构。图6A示出了沿图5中的上分支线SL1的中心切割的截面结构。图6B示出了沿下分支线SL2的中心切割的截面结构。
数据线DL可以设置于基板110上。数据线DL可以具有这样的结构：其中，可以顺序地堆叠氧化物金属层101和金属层200，以用于防止外部光反射。在数据线DL上，可以沉积缓冲层BUF，以覆盖由数据线DL暴露的基板110。
可以在缓冲层BUF上形成修复分支线RP。修复分支线RP可以与半导体层SA和DA以相同材料制作于相同层上。修复分支线RP可以包括与半导体层SA和DA相同的材料，例如硅或锗。需要修复分支线RP可以具有与金属材料的导电水平类似的导电水平。因此，在修复分支线RP具有半导体材料的情况下，优选可以向半导体材料中注入n型或p型杂质，以确保充分的导电性。否则，通过在半导体层上堆叠金属层，修复分支线RP的导电性可以具有与金属材料的导电性等同的充分导电性。
在本实施例中，修复分支线RP被描述为具有这样的结构：其中顺序地堆叠半导体层10和金属帽盖层20。修复分支线RP可以具有从栅极线SL的一端向栅极线SL的另一端延伸的线段形状。在示出了沿切割线II-II'截取的截面图的图6A中，仅绘示了修复分支线RP的第一端RP1和修复分支线RP的第二端RP2。
栅极绝缘层GI可以设置于修复分支线RP上。栅极绝缘层GI可以具有暴露修复分支线RP的第一端RP1的第一接触孔CH1以及暴露修复分支线RP的第二端RP2的第二接触孔CH2。
栅极线SL可以形成于栅极绝缘层GI上。栅极线SL可以具有这样的结构，其中，顺序地堆叠下金属层300和上金属层400，以用于防止外部光反射。栅极线SL可以延伸为一个线段形状，并且可以延伸为与数据线交叉，但对应于修复分支线RP并且与数据线DL交叉的部分可以被限定为不与修复分支线RP竖直重叠的上分支线SL1。
上分支线SL1可以经由第一接触孔CH1接触修复分支线RP的第一端RP1。同时，上分支线SL1可以经由第二接触孔CH2接触修复分支线RP的第二端RP2。在示出了沿切割线III-III'截取的截面图的图6B中，绘示了上分支线SL1的一个部分和另一个部分。结果，可以经由上分支线SL1和修复分支线RP传输通过栅极线SL供应的扫描信号，其中，修复分支线RP是下分支线SL2。
由于在上分支线SL1与数据线DL交叉的结构中在数据线DL上堆叠的缓冲层BUF和栅极绝缘层GI的高度，上分支线SL1可能更容易断开。另一方面，由于修复分支线RP仅与堆叠于数据线DL上的缓冲层BUF交叉，因此修复分支线RP断开的概率远低于作为栅极线SL的一个部分的上分支线SL1的概率。
因此，即使当在上分支线SL1中发生断开“F”时，扫描信号也可以沿着栅极线SL通过修复分支线RP流动。在根据第一实施例的结构中，栅极线SL具有始终连接到修复分支线RP的结构，从而即使当在上分支线SL1中发生断开F时，也可以由修复分支线RP将栅极线SL保持为电连接状态。它具有自修复结构，其中，栅极线SL始终被电连接。
<第二实施例>
在下文中，参考图7，将描述根据本公开的第二实施例。图7是沿图5中的切割线II-II'的放大截面图，用于示出根据本公开第二实施例的电致发光显示器中的栅极线与数据线相交的结构。
由于平面图与第一实施例的平面图相同，所以参考图5以了解平面结构。另外，沿图5的III-III'截取的截面图可以不是理解本实施例的结构所必需的，因此将省略沿图5的III-III'截取的截面图。根据第二实施例的栅极线SL的结构可以与第一实施例的栅极线SL的结构非常相似。因此，将主要描述特征差异，而不再重复不必要的冗余描述。
数据线DL可以设置于基板110上。缓冲层BUF可以堆叠于数据线DL上，并且可以形成为覆盖由数据线DL暴露的基板110的表面。可以在缓冲层BUF上形成修复分支线RP。修复分支线RP可以与半导体层SA和DA以相同材料制作并与半导体层SA和DA形成于同一层上。修复分支线RP可以具有堆叠了半导体材料层10和金属帽盖层20的结构。修复分支线RP可以具有从栅极线SL的一端向栅极线SL的另一端延伸的线段形状。
栅极绝缘层GI可以沉积于修复分支线RP上。修复分支线RP的第一端RP1可以由栅极绝缘层GI覆盖。栅极绝缘层GI可以具有用于暴露修复分支线RP的第二端RP2的接触孔。
栅极线SL可以形成于栅极绝缘层GI上。栅极线SL可以具有这样的结构，其中，顺序地堆叠下金属层300和上金属层400，以用于防止外部光反射。栅极线SL可以延伸为一个线段形状，并且可以延伸为与数据线交叉，但对应于修复分支线RP并且与数据线DL交叉的部分可以被限定为上分支线SL1。
上分支线SL1可以与栅极绝缘层GI上的修复分支线RP的第一端RP1重叠。上分支线SL1可以经由接触孔接触修复分支线RP的第二端RP2。结果，可以经由上分支线SL1传输通过栅极线SL供应的扫描信号，但修复分支线RP不传输扫描信号。
在这样的条件下，当在上分支线SL1中可能发生断开F时，可以在与修复分支线RP的第一端RP1重叠的部分上进行激光辐照，使得上分支线SL1可以电连接到修复分支线RP。因此，可以经由修复分支线RP向扫描线SL供应扫描信号。在根据第二实施例的结构中，可以在上分支线SL1处可能发生断开F的部分处进行使用激光辐照的修复过程，从而可以由修复分支线RP恢复扫描线SL的连接。
<第三实施例>
在下文中，参考图8，可以解释根据本公开的第三实施例。图8是沿图5中的切割线II-II'的放大截面图，用于示出根据本公开第三实施例的电致发光显示器中的栅极线与数据线相交的结构。
由于平面图与第一实施例的平面图相同，所以参考图5来了解平面结构。另外，沿图5的III-III'截取的截面图可以不是理解本实施例的结果所必需的，因此将省略沿图5的III-III'截取的截面图。根据第三实施例的栅极线SL的结构可以与第一实施例的栅极线SL的结构非常相似。因此，将主要描述特征差异，而不再重复不必要的冗余描述。
数据线DL可以设置于基板110上。缓冲层BUF可以堆叠于数据线DL上，并且可以形成为覆盖由数据线DL暴露的基板110的表面。可以在缓冲层BUF上形成修复分支线RP。修复分支线RP可以与半导体层SA和DA以相同材料制作并与半导体层SA和DA形成于同一层上。修复分支线RP可以具有堆叠了半导体材料层10和金属帽盖层20的结构。修复分支线RP可以具有从栅极线SL的一端向栅极线SL的另一端延伸的线段形状。
栅极绝缘层GI可以沉积于修复分支线RP上。修复分支线RP的第一端RP1和第二端RP2可以由栅极绝缘层GI覆盖。
栅极线SL可以形成于栅极绝缘层GI上。栅极线SL可以具有这样的结构，其中，顺序地堆叠下金属层300和上金属层400，以用于防止外部光反射。栅极线SL可以延伸为一个线段形状，并且可以延伸为与数据线交叉，但对应于修复分支线RP并且与数据线DL交叉的部分可以被限定为上分支线SL1。
上分支线SL1可以与栅极绝缘层GI上的修复分支线RP的第一端RP1和第二端RP2重叠。结果，可以经由上分支线SL1传输通过栅极线SL供应的扫描信号，但修复分支线RP不传输扫描信号。
在这样的条件下，当在上分支线SL1中可能发生断开F时，可以在与修复分支线RP的第一端RP1和第二端RP2重叠的部分上进行激光辐照，使得上分支线SL1可以电连接到修复分支线RP。因此，扫描信号可以不沿上分支线SL1流动，但是继续经由修复分支线RP流向扫描线SL。在根据第三实施例的结构中，可以在上分支线SL1处可能发生断开F的部分处进行使用激光辐照的修复过程，从而可以由修复分支线RP恢复扫描线SL的连接。
<第四实施例>
在下文中，参考图9，可以解释根据本公开的第四实施例。图9是示出了根据本公开第四实施例的电致发光显示器中的栅极线与数据线相交的结构的放大平面图。
如图9中所示，在平面结构中，上分支线SL1和修复分支线RP(或下分支线SL2)可以具有与第一实施例的结构不同的结构。例如，在第四实施例中，上分支线SL1可以形成为从栅极线SL延伸并与数据线DL交叉的直线。此外，修复分支线RP可以在向下或向上的方向上使上分支线SL1旁路，并且可以具有以“U”形与数据线DL交叉的结构。
例如，上分支线SL1和修复分支线RP可以在平面结构中具有矩形形状。矩形形状的上边和下边可以与数据线DL交叉。上边可以对应于上分支线SL1，而下边可以对应于修复分支线RP。然而，不局限于此。作为另一个示例，其中有与图9相比竖直翻转的形状，可以将修复分支线RP设置为对应于上边。
上分支线SL1可以被设置成使得栅极线SL可以穿过矩形的四个顶点中的设置于数据线DL外左侧处的第一顶点以及矩形的四个顶点中的设置于数据线DL外右侧处的第二顶点。在第一顶点处，上分支线SL1的第一区域可以与修复分支线RP(或下分支线SL2)的第一端重叠。另外，在第二顶点处，上分支线SL1的第二区域可以与修复分支线RP(或下分支线SL2)的第二端重叠。
对于这种结构，设置于上层处的线可以与设置于下层处的线交叉，绝缘层在设置于上层处的线和设置于下层处的线之间，并且在有台阶差的部分处可能发生断开。当发生断开时，可以通过熔接上分支线SL1的第一区域与修复分支线RP(或下分支线SL2)的第一端重叠的部分和上分支线SL1的第二区域与修复分支线RP(或下分支线SL2)的第二端重叠的另一部分来恢复断开。
<第五实施例>
在下文中，参考图10，将描述本公开的第五实施例。图10是示出了根据本公开第五实施例的电致发光显示器中的栅极线与数据线相交的结构的放大平面图。
如图10中所示，在平面结构中，上分支线SL1和修复分支线RP(或下分支线SL2)可以具有与第一实施例的结构不同的结构。例如，在第五实施例中，上分支线SL1和修复分支线RP可以在平面结构中具有圆形形状或椭圆形形状。这里，可以利用圆形形状解释第五实施例。
上分支线SL1可以设置为对应于跨越圆的第一象限和第二象限的半圆形形状，或者可以设置为对应于向上的凸半圆形形状。上分支线SL1可以具有从栅极线SL延伸并与数据线DL交叉的结构。
另外，修复分支线RP可以设置为对应于跨越圆的第三象限和第四象限的半圆形形状，或者设置为对应于向下的凹半圆形形状。修复分支线RP可以在向下的方向上使上分支线SL1旁路，并且具有以“U”形与数据线DL交叉的结构。然而，不局限于此。作为另一个示例，其中有与图10相比竖直翻转的形状，可以将修复分支线RP设置为对应于上半圆。
上分支线SL1可以被设置成使得栅极线SL可以穿过设置于数据线DL左侧处的第一顶点以及设置于数据线DL右侧处的第二顶点。另外，在第一顶点处，上分支线SL1的第一部分可以与修复分支线RP(或下分支线SL2)的第一端重叠。在第二顶点处，上分支线SL1的第二部分可以与修复分支线RP(或下分支线SL2)的第二端重叠。
对于这种结构，设置于上层处的线可以与设置于下层处的线交叉，绝缘层在设置于上层处的线和设置于下层处的线之间，并且在有台阶差的部分处可能发生断开。当发生断开时，可以通过熔接上分支线SL1的第一区域与修复分支线RP(或下分支线SL2)的第一端重叠的部分和上分支线SL1的第二区域与修复分支线RP(或下分支线SL2)的第二端重叠的另一部分来恢复断开。
本公开的以上示例中描述的特征、结构、效果等被包括在本公开的至少一个示例中，并且不局限于仅一个示例。此外，在至少一个示例中解释的特征、结构、效果等可以由本领域的技术人员与其他示例进行组合实施或以修改方式进行实施。因此，与此类组合和修改相关的内容应当被解释为包括在本公开的范围中。
对本领域的技术人员而言将显而易见的是，可以在不脱离本公开的精神或范围的前提下在本公开中做出各种修改和变型。因此，本公开意在涵盖本公开的修改和变型，但前提是这些修改和变型落入所附权利要求及其等同方案的范围内。根据上文的详细描述可以对实施例做出这些以及其他改变。通常，在所附权利要求中，不应将使用的术语解释为将权利要求限制为说明书和权利要求中公开的具体实施例，而是应当解释为包括所有可能实施例、以及这些权利要求所被赋予的等同方案的完整范围。因此，权利要求不受本公开的限制。

Claims (20)

1.一种电致发光显示器，包括：
设置于基板上的第一线；
覆盖所述基板上的所述第一线的缓冲层；
设置于所述缓冲层上并且从所述第一线的一侧到另一侧与所述第一线交叉的修复分支线；
覆盖所述修复分支线的栅极绝缘层；以及
设置于所述栅极绝缘层上并且与所述第一线交叉的第二线，
其中，所述修复分支线包括：设置于所述第一线的所述一侧外部的第一端、以及设置于所述第一线的所述另一侧外部的第二端，
其中，所述第二线包括与所述修复分支线分开并且在所述修复分支线之上的上分支线，
其中，所述修复分支线的所述第一端与所述上分支线的第一区域重叠，并且
其中，所述修复分支线的所述第二端与所述上分支线的第二区域重叠。
2.根据权利要求1所述的电致发光显示器，其中，当所述上分支线存在断开时，所述修复分支线的所述第一端通过熔接而与所述上分支线的所述第一区域电连接，并且所述上分支线的所述第二端通过熔接而与所述上分支线的所述第二区域连接。
3.根据权利要求1所述的电致发光显示器，其中，所述栅极绝缘层包括暴露所述修复分支线的所述第一端的第一接触孔，并且
其中，所述上分支线的所述第一区域经由所述第一接触孔接触所述修复分支线的所述第一端。
4.根据权利要求3所述的电致发光显示器，其中，当所述上分支线存在断开时，所述修复分支线的所述第二端通过熔接而与所述上分支线的所述第二区域连接。
5.根据权利要求3所述的电致发光显示器，其中，所述栅极绝缘层还包括暴露所述修复分支线的所述第二端的第二接触孔，并且
其中，所述上分支线的所述第二区域经由所述第二接触孔接触所述修复分支线的所述第二端。
6.根据权利要求1所述的电致发光显示器，其中，所述上分支线和所述修复分支线在平面结构中形成六边形形状，
其中，所述上分支线的所述第一区域在所述六边形形状的第一顶点处与所述修复分支线的所述第一端重叠，并且
其中，所述上分支线的所述第二区域在所述六边形形状的与所述第一顶点相对的第二顶点处与所述修复分支线的所述第二端重叠。
7.根据权利要求1所述的电致发光显示器，其中，所述上分支线与所述第二线成一条直线延伸，
其中，所述上分支线和所述修复分支线在平面结构中形成矩形形状，
其中，所述上分支线的所述第一区域在所述矩形形状的第一顶点处与所述修复分支线的所述第一端重叠，并且
其中，所述上分支线的所述第二区域在所述矩形形状的与所述第一顶点相对的第二顶点处与所述修复分支线的所述第二端重叠。
8.根据权利要求1所述的电致发光显示器，其中，所述上分支线和所述修复分支线在平面结构中形成圆形形状，
其中，所述上分支线具有凸半圆形形状，
其中，所述修复分支线具有凹半圆形形状，
其中，所述上分支线的所述第一区域在所述凸半圆形形状和所述凹半圆形形状相交的第一交点处与所述修复分支线的所述第一端重叠，并且
其中，所述上分支线的所述第二区域在所述凸半圆形形状和所述凹半圆形形状相交的第二交点处与所述修复分支线的所述第二端重叠。
9.根据权利要求1所述的电致发光显示器，其中，所述第一线包括数据线和驱动电流线，并且所述第二线包括栅极线。
10.根据权利要求9所述的电致发光显示器，还包括：
连接到所述栅极线和所述数据线的开关薄膜晶体管；
连接到所述开关薄膜晶体管和所述驱动电流线的驱动薄膜晶体管；
覆盖所述基板之上的所述开关薄膜晶体管和所述驱动薄膜晶体管的平面化层；以及
位于所述平面化层上并且连接到所述驱动薄膜晶体管的发光元件。
11.一种用于制造电致发光显示器的方法，包括如下步骤：
在基板上形成第一线；
沉积覆盖所述基板上的所述第一线的缓冲层；
形成在所述缓冲层上并且从所述第一线的一侧到另一侧与所述第一线交叉的修复分支线；
沉积覆盖所述修复分支线的栅极绝缘层；以及
形成在所述栅极绝缘层上并且与所述第一线交叉的第二线，
其中，所述修复分支线包括：设置于所述第一线的所述一侧外部的第一端、以及设置于所述第一线的所述另一侧外部的第二端，
其中，所述第二线包括与所述修复分支线分开并且在所述修复分支线之上的上分支线，
其中，所述修复分支线的所述第一端与所述上分支线的第一区域重叠，并且
其中，所述修复分支线的所述第二端与所述上分支线的第二区域重叠。
12.根据权利要求11所述的用于制造电致发光显示器的方法，还包括如下步骤：
检查所述上分支线处的电断开；以及
当所述上分支线具有所述电断开时，通过将所述修复分支线的所述第一端与所述上分支线的所述第一区域熔接并将所述修复分支线的所述第二端与所述上分支线的所述第二区域熔接，修复所述电断开。
13.根据权利要求11所述的用于制造电致发光显示器的方法，其中，沉积所述栅极绝缘层的步骤包括形成暴露所述修复分支线的所述第一端的第一接触孔，并且
其中，在形成所述第二线的步骤中，所述上分支线的所述第一区域经由所述第一接触孔接触所述修复分支线的所述第一端。
14.根据权利要求13所述的用于制造电致发光显示器的方法，还包括如下步骤：
检查所述上分支线处的电断开；以及
当所述上分支线具有所述电断开时，通过将所述修复分支线的所述第二端与所述上分支线的所述第二区域熔接来修复所述电断开。
15.根据权利要求11所述的用于制造电致发光显示器的方法，其中，沉积所述栅极绝缘层的步骤还包括形成暴露所述修复分支线的所述第二端的第二接触孔，并且
其中，在形成所述第二线的步骤中，所述上分支线的所述第二区域经由所述第二接触孔接触所述修复分支线的所述第二端。
16.一种电致发光显示器，包括：
设置在基板上的数据线；
覆盖所述数据线的缓冲层；
设置在所述缓冲层上并与所述数据线交叉的修复分支线；
覆盖所述修复分支线的栅极绝缘层；以及
栅极线，所述栅极线设置在所述栅极绝缘层上，并且在所述修复分支线与所述栅极线重叠的第一重叠区域和第二重叠区域之间具有与所述修复分支线不重叠的部分。
17.根据权利要求16所述的电致发光显示器，其中，当所述上支线存在断开时，所述修复分支线在所述第一重叠区域和所述第二重叠区域中的至少一个中与所述栅极线熔接。
18.根据权利要求16所述的电致发光显示器，其中，所述栅极绝缘层包括暴露所述修复分支线的第一接触孔和第二接触孔中的至少一个，并且所述栅极线经由所述第一接触孔和所述第二接触孔中的所述至少一个接触所述修复分支线。
19.根据权利要求16所述的电致发光显示器，其中，所述栅极线和所述修复分支线的不重叠的所述部分在平面图中形成六边形形状。
20.根据权利要求16所述的电致发光显示器，其中，所述栅极线和所述修复分支线的不重叠的所述部分在平面图中形成圆形形状，并且
其中，不重叠的所述部分具有凸半圆形形状，并且所述修复分支线具有凹半圆形形状。
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