CN116314514B - 发光二极管外延片及其制备方法、led - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、复合电子阻挡层、P型GaN层；所述复合电子阻挡层包括依次层叠在所述多量子阱层上的第一电子阻挡层、空穴补偿层和第二电子阻挡层。本发明提供的发光二极管外延片既能够降低电子泄漏，又能够提高空穴的注入效率，增加了电子和空穴在有源区的复合浓度，有效提升了发光二极管的光效，同时也降低了工作电压。
Description
技术领域
本发明涉及光电技术领域，尤其涉及一种发光二极管外延片及其制备方法、LED。
背景技术
自二十世纪九十年代以来，基于GaN基发光二极管的研究在世界各地蓬勃发展，GaN基发光二极管广泛应用于固态照明、显示领域，不断吸引着研究者们的关注，而且其已经实现商业化、规模化生产，在背光源、杀菌消毒、景观照明、信号传输等方面都有实际应用。
在发光二极管中，由于电子的浓度和迁移速率都远大于空穴，因此注入到多量子阱发光区的电子浓度远大于空穴浓度，导致能够实际发光的量子阱主要集中于最后几个阱中，尤其在大电流密度下，这种现象更为明显；其次，注入到有源区的高能载流子（电子）会穿过有源区，形成漏电流，导致发光效率降低。为了减少漏电流，目前的常见的解决方法是在有源区和P型半导体之间设置具有高势垒的AlGaN复合电子阻挡层，以抑制电子越过有源区进去P型层中与空穴形成非辐射复合，通常P型半导体层之前的AlGaN层中的Al组分的含量在15%~35%。虽然该设计在低电流密度下可以获得较高的外量子效率，但是在大电流密度下依然会因空穴数远小于电子数造成光效降低的问题。而且，高势垒的AlGaN层在抑制电子进去P型层的同时也会阻挡P型层的空穴进入有源层，进而影响发光效率，并且高Al组分的复合电子阻挡层中Mg的激活率低，因此会造成工作电压较高。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种发光二极管外延片，其既能够降低电子泄漏，又能够提高空穴的注入效率，增加了电子和空穴在有源区的复合浓度，有效提升了发光二极管的光效，同时也降低了工作电压。
本发明所要解决的技术问题还在于，提供一种发光二极管外延片的制备方法，其工艺简单，能够稳定制得发光效率良好的发光二极管外延片。
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种发光二极管外延片，包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、复合电子阻挡层、P型GaN层；
所述复合电子阻挡层包括依次层叠在所述多量子阱层上的第一电子阻挡层、空穴补偿层和第二电子阻挡层，所述第一电子阻挡层包括依次层叠的BN层、BAlN层和AlN层，所述空穴补偿层包括依次层叠的MgN层和掺Mg的GaN层，所述第二电子阻挡层包括周期性依次层叠的AlGaN层、BGaN层和InGaN层。
在一种实施方式中，所述BN层的厚度为1.5nm~3nm；
所述BAlN层的厚度为2nm~5nm；
所述BAlN层中B组分含量为0.1~0.5，Al组分含量为0.5~0.9；
所述AlN层的厚度为2nm~4nm。
在一种实施方式中，所述MgN层的厚度为10nm~20nm；
所述掺Mg的GaN层的厚度为20nm~40nm；
所述掺Mg的GaN层的Mg掺杂浓度为2.5×1016atoms/cm3~1×1018atoms/cm3。
在一种实施方式中，所述AlGaN层的厚度为2nm~5nm；
所述BGaN层的厚度为1nm~3nm；
所述InGaN层的厚度为2nm~4nm；
所述AlGaN层、所述BGaN层和所述InGaN层依次层叠构成一个生长单元，所述第二电子阻挡层包括8~15个所述生长单元。
在一种实施方式中，所述BN层的生长压力为230torr~300torr；
所述BAlN层的生长压力为150torr~200torr；
所述AlN层的生长压力为100torr~150torr。
在一种实施方式中，所述MgN层的生长压力为100torr~150torr；
所述掺Mg的GaN层的生长压力为150torr~200torr。
在一种实施方式中，所述第二电子阻挡层的生长压力为100torr~150torr。
在一种实施方式中，所述N型GaN层和所述多量子阱层之间还设有应力释放层，所述应力释放层包括交替生长的InGaN层和掺Si的GaN层。
为解决上述问题，本发明还提供了一种发光二极管外延片的制备方法，包括以下步骤：
S1、准备衬底；
S2、在所述衬底上依次沉积缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、复合电子阻挡层、P型GaN层；
所述复合电子阻挡层包括依次层叠在所述多量子阱层上的第一电子阻挡层、空穴补偿层和第二电子阻挡层，所述第一电子阻挡层包括依次层叠的BN层、BAlN层和AlN层，所述空穴补偿层包括依次层叠的MgN层和掺Mg的GaN层，所述第二电子阻挡层包括周期性依次层叠的AlGaN层、BGaN层和InGaN层。
相应地，本发明还提供了一种LED，所述LED包括上述的发光二极管外延片。
实施本发明，具有如下有益效果：
本发明提供的发光二极管外延片，其具有特定结构的复合电子阻挡层，包括依次层叠在所述多量子阱层上的第一电子阻挡层、空穴补偿层和第二电子阻挡层，所述第一电子阻挡层包括依次层叠的BN层、BAlN层和AlN层，所述空穴补偿层包括依次层叠的MgN层和掺Mg的GaN层，所述第二电子阻挡层包括周期性依次层叠的AlGaN层、BGaN层和InGaN层。本发明提出的复合电子阻挡层结构，首先对电子进行了多次减速和限制，降低其迁移率，随后再用利用相对较高势垒材料对电子进行阻挡限制；并且，对被阻挡的空穴进行二次补充，进一步提高空穴的注入浓度和效率，提高有源区内电子与空穴的复合，从而提升了发光二极管的光效，同时降低了工作电压。
附图说明
图1为本发明提供的发光二极管外延片的结构示意图；
图2为本发明提供的发光二极管外延片的第一电子阻挡层的的结构示意图；
图3为本发明提供的发光二极管外延片的空穴补偿层的结构示意图；
图4为本发明提供的发光二极管外延片的第二电子阻挡层的结构示意图；
图5为本发明提供的发光二极管外延片的制备方法的流程图；
图6为本发明提供的发光二极管外延片的制备方法的步骤S2的流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面对本发明作进一步地详细描述。
除非另外说明或存在矛盾之处，本文中使用的术语或短语具有以下含义：
本发明中，“优选”仅为描述效果更好的实施方式或实施例，应当理解，并不构成对本发明保护范围的限制。
本发明中，以开放式描述的技术特征中，包括所列举特征组成的封闭式技术方案，也包括包含所列举特征的开放式技术方案。
本发明中，涉及到数值区间，如无特别说明，则包括数值区间的两个端点。
目前普遍使用的复合电子阻挡层，采用了高Al组分的AlGaN材料，利用其带隙宽、势垒高的特点，将电子限制在有源区内、阻挡电子泄露。但是这样的结构会阻碍空穴向有源区的注入，造成电子空穴复合效率降低，使对应发光二极管工作电压增大。
为解决上述问题，本发明提供了一种发光二极管外延片，如图1所示，包括衬底1及依次层叠于所述衬底1上的缓冲层2、非掺杂GaN层3、N型GaN层4、多量子阱层5、复合电子阻挡层6、P型GaN层7；
所述复合电子阻挡层6包括依次层叠在所述多量子阱层5上的第一电子阻挡层61、空穴补偿层62和第二电子阻挡层63，所述第一电子阻挡层61包括依次层叠的BN层611、BAlN层612和AlN层613，所述空穴补偿层62包括依次层叠的MgN层621和掺Mg的GaN层622，所述第二电子阻挡层63包括周期性依次层叠的AlGaN层631、BGaN层632和InGaN层633。
如图2所示，在一种实施方式中，所述BN层611的厚度为1.5nm~3nm，所述BN层611的示例性厚度为1.8nm、2nm、2.3nm、2.6nm、2.9nm，但不限于此；所述BAlN层612的厚度为2nm~5nm，所述BAlN层612的示例性厚度为2.5nm、3nm、3.5nm、4nm、4.5nm，但不限于此；所述BAlN层612中B组分含量为0.1~0.5，Al组分含量为0.5~0.9；所述AlN层613的厚度为2nm~4nm，所述AlN层613的示例性厚度为2.5nm、3nm、3.5nm，但不限于此。
需要说明的是，所述第一电子阻挡层61中氮化物层使用的是BN、BAlN以及AlN，高势垒的氮化物首先能够对电子起到减速消耗的作用，有源区因为晶格失配产生的缺陷可以被BN、BAlN以及AlN部分阻挡湮灭。
如图3所示，在一种实施方式中，所述MgN层621的厚度为10nm~20nm，所述MgN层621的示例性厚度为12nm、14nm、16nm、18nm，但不限于此；所述掺Mg的GaN层622的厚度为20nm~40nm，所述掺Mg的GaN层622的示例性厚度为25nm、30nm、35nm，但不限于此；所述掺Mg的GaN层622的Mg掺杂浓度为2.5×1016atoms/cm3~1×1018atoms/cm3，优选地，所述掺Mg的GaN层622的Mg掺杂浓度为1×1017atoms/cm3~9×1017atoms/cm3。
需要说明的是，本发明设计所述第二电子阻挡层63对电子进行进一步的阻挡，势必造成较多空穴难以注入，在所述第一电子阻挡层61和第二电子阻挡层63之间设置空穴补偿层62，所述空穴补偿层62包括依次层叠的MgN层621和掺Mg的GaN层622，这两层结构主要呈三维生长，方便空穴的注入。
如图4所示，在一种实施方式中，所述AlGaN层631的厚度为2nm~5nm，所述AlGaN层631的示例性厚度为2.5nm、3nm、3.5nm、4nm、4.5nm，但不限于此；所述BGaN层632的厚度为1nm~3nm，所述BGaN层632的示例性厚度为1.5nm、2nm、2.5nm，但不限于此；所述InGaN层633的厚度为2nm~4nm，所述InGaN层633的示例性厚度为2.5nm、3.0nm、3.5nm，但不限于此；所述AlGaN层631、所述BGaN层632和所述InGaN层633依次层叠构成一个生长单元，所述第二电子阻挡层63包括8~15个所述生长单元，优选地，所述第二电子阻挡层63包括9~14个所述生长单元。
需要说明的是，所述第二电子阻挡层63为二维AlGaN、BGaN以及InGaN的组成的周期性结构。其一，A1GaN层势垒较高，对部分未被阻挡的电子再次阻挡。然后AlGaN、BGaN以及InGaN这种高中低周期性的势垒搭配有利于空穴的活化，复合结构中，InGaN的压缩应变可以抵消AlGaN、BGaN的拉升应变，进一步减少有源区的能带弯曲带来的波函数的分离，减少对空穴迁移的限制；其次，周期性的变化结构也会形成类似阱的电子屏障，增加了对电子的阻挡作用，将更多的电子限制在有源区内，增强光效。
在一种实施方式中，所述BN层611的生长压力为230torr~300torr；所述BAlN层612的生长压力为150torr~200torr；所述AlN层613的生长压力为100torr~150torr。优选地，所述BN层611的生长压力为250torr~290torr；所述BAlN层612的生长压力为160torr~180torr；所述AlN层613的生长压力为110torr~140torr。这三个子层的生长压力是各不相同的，高压有助于三维生长，低压倾向于二维生长，按照上述方式生长方便后续的P型GaN层7的填平。
在一种实施方式中，所述MgN层621的厚度的生长压力为100torr~150torr；所述掺Mg的GaN层622的生长压力为150torr~200torr。优选地，所述MgN层621的厚度的生长压力为110torr~140torr；所述掺Mg的GaN层622的生长压力为160torr~190torr。更佳地，此段生长时的Ga源使用的是TEGa，因此其生长速度相对较慢，更有利于Mg源的并入。
在一种实施方式中，所述第二电子阻挡层63的生长压力为100torr~150torr。优选地，所述第二电子阻挡层63的生长压力为110torr~140torr。更佳地，此段生长时Ga源使用的是TMGa，分解快，有利于三种子层的交替周期性生长。单纯的AlGaN势垒太高，不利于空穴的注入，因此采用混合型电子阻挡层，既可以适当降低势垒，又能降低空穴活化的难度，减小体电阻，从而能够降低工作电压。
在一种实施方式中，所述N型GaN层4和所述多量子阱层5之间还设有应力释放层，所述应力释放层包括交替生长的InGaN层和掺Si的GaN层。优选地，所述应力释放层的制备方法如下：控制反应室压力为100 torr~200torr，温度在750℃~850℃，通N源、Ga源、In源，关H2，通N2为载气，生长InGaN层；控制反应室温度为850℃~900℃，压力在100 torr~200torr，关闭In源，以H2和N2为载气，通金属源，生长掺Si的GaN层；所述InGaN层和掺Si的GaN层交替生长得到应力释放层。
综上，本发明提出的复合电子阻挡层结构，首先对电子进行了多次减速和限制，降低其迁移率，随后再用利用相对较高势垒材料对电子进行阻挡限制；并且，对被阻挡的空穴进行二次补充，进一步提高空穴的注入浓度和效率，提高有源区内电子与空穴的复合，从而提升了发光二极管的光效，同时降低了工作电压。
相应地，本发明提供了一种发光二极管外延片的制备方法，如图5所示，包括以下步骤：
S1、准备衬底1；
在一种实施方式中，所述衬底底可选用蓝宝石衬底、SiO2蓝宝石复合衬底、硅衬底、碳化硅衬底、氮化镓衬底、氧化锌衬底中的一种；优选地，选用蓝宝石衬底。蓝宝石是目前最常用的衬底材料，蓝宝石衬底具有制备工艺成熟、价格较低、易于清洗和处理，高温下有很好的稳定性。
更佳地，将所述衬底置于MOCVD（金属有机化学气相沉积）系统中，在1100℃下，通入H2和N2，处理约3min。
S2、在所述衬底1上依次沉积缓冲层2、非掺杂GaN层3、N型GaN层4、多量子阱层5、复合电子阻挡层6、P型GaN层7。
在一种实施方式中，如图6所示，步骤S2包括以下步骤：
S21、在衬底1上沉积缓冲层2。
优选地，将所述衬底在MOCVD系统中，采用N2作为载气，通入NH3作为N源，TMAl作为Al源，TMGa作为Ga源，控制反应室的温度在800℃~900℃，压力在100torr~200torr，在衬底上依次生长AlGaN缓冲层、GaN缓冲层。更佳地，AlGaN缓冲层的厚度为5nm~10nm，GaN缓冲层的厚度为30nm~40nm。
S22、在缓冲层2上沉积非掺杂GaN层3。
优选地，将反应室的压力提升至150 torr~300torr，反应室温度为1100℃~1160℃，通入TMGa为Ga源，通入NH3为N源，N2和H2做载气。更佳地，生长总厚度为1μm~3μm。
S23、在非掺杂GaN层3沉积N型GaN层4。
优选地，控制反应室的温度在1110℃~1180℃，压力控制为200torr~400torr，通TMGa为Ga源，通入NH3作为N源，N2和H2作载气，通入SiH4提供N型掺杂，生长得到厚度为1μm~3μm的N型GaN层。
S24、在N型GaN层4上沉积多量子阱层5。
所述多量子阱层包括多个交替层叠的量子阱层和量子垒层。首先，生长InGaN量子阱层，控制反应室温度为700℃~800℃，生长压力为100 torr~150torr，通入N2作为载气，通N源、In源、Ga源，生长获得InGaN层633；随后关闭In源，再通入H2作为载气，其余MO源与载气不关，控制温度升至800℃~900℃，继续生长获得GaN量子垒层。量子阱层和量子垒层交替生长获得多量子阱层。
S25、在多量子阱层5上沉积复合电子阻挡层6。
优选地，所述第一电子阻挡层的制备方法如下：控制反应室温度在850℃~900℃，通入N2和H2作为载气，通入B2H6作为B源、NH3作为N源，生长得到BN层；随后继续通入TMAl作为Al源，保持生长温度和载气条件不变，生长得到BAlN层；此后，关闭B2H6的管路，保持生长温度和载气条件不变，生长获得AlN层。
优选地，所述空穴补偿层的制备方法如下：控制MOCVD反应腔体温度在800℃~850℃，压力在200 torr ~300torr，通二茂镁作为Mg源，NH3作为N源，N2和H2作为载气，生长获得MgN层；随后保持反应腔体温度不变，继续通入Ga源，生长获得掺Mg的GaN层。
优选地，所述第二电子阻挡层的制备方法如下：控制腔体温度至900℃~960℃，压力在100torr~200torr，通入N2作为载气，通入N源、Ga源、Al源，生长得到AlGaN层；关闭Al源，打开B源，生长得到BGaN层；关闭B源，打开In源，生长得到InGaN层633；所述AlGaN层、所述BGaN层和所述InGaN层633依次层叠构成一个生长单元，所述第二电子阻挡层包括8~15个所述生长单元。
S26、在复合电子阻挡层6上沉积P型GaN层7。
优选地，控制反应腔温度在900℃~1000℃，压力为200torr~400torr，通N2和H2作为载气，通入N源、Ga源和Mg源，生长P型GaN层。更佳地，P型GaN层的厚度为120nm~150nm，Mg的掺杂浓度为8×1018atoms/cm3~1×1020atoms/cm3。
相应地，本发明还提供了一种LED，所述LED包括上述的发光二极管外延片。所述LED的光电效率得到有效提升，且其他项电学性能良好。
下面以具体实施例进一步说明本发明：
实施例1
本实施例提供一种发光二极管外延片，包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、复合电子阻挡层、P型GaN层；
所述复合电子阻挡层包括依次层叠在所述多量子阱层上的第一电子阻挡层、空穴补偿层和第二电子阻挡层，所述第一电子阻挡层包括依次层叠的BN层、BAlN层和AlN层，所述空穴补偿层包括依次层叠的MgN层和掺Mg的GaN层，所述第二电子阻挡层包括周期性依次层叠的AlGaN层、BGaN层和InGaN层633。
所述BN层的厚度为2nm；所述BAlN层的厚度为4nm；所述BAlN层中B组分含量为0.2，Al组分含量为0.8；所述AlN层的厚度为3nm。
所述MgN层的厚度为15nm；所述掺Mg的GaN层的厚度为30nm；所述掺Mg的GaN层的Mg掺杂浓度为1×1017atoms/cm3。
所述AlGaN层的厚度为3nm；所述BGaN层的厚度为2nm；所述InGaN层633的厚度为3nm；所述AlGaN层、所述BGaN层和所述InGaN层633依次层叠构成一个生长单元，所述第二电子阻挡层包括10个所述生长单元。
实施例2
本实施例提供一种发光二极管外延片，与实施例1不同之处在于：所述BN层的厚度为1.5nm；所述BAlN层的厚度为2nm；所述BAlN层中B组分含量为0.1，Al组分含量为0.9；所述AlN层的厚度为2nm。其余皆与实施例1相同。
实施例3
本实施例提供一种发光二极管外延片，与实施例1不同之处在于：所述MgN层的厚度为10nm；所述掺Mg的GaN层的厚度为20nm；所述掺Mg的GaN层的Mg掺杂浓度为1×1018atoms/cm3。其余皆与实施例1相同。
实施例4
本实施例提供一种发光二极管外延片，与实施例1不同之处在于：所述AlGaN层的厚度为2nm；所述BGaN层的厚度为1nm；所述InGaN层633的厚度为2nm。其余皆与实施例1相同。
对比例1
本对比例与实施例1不同之处在于，不设有复合电子阻挡层，电子阻挡层为与实施例1厚度相同的AlGaN层。其余皆与实施例1相同。
对比例2
本对比例与实施例1不同之处在于，不设有第一电子阻挡层。其余皆与实施例1相同。
对比例3
本对比例与实施例1不同之处在于，不设有空穴补偿层。其余皆与实施例1相同。
对比例4
本对比例与实施例1不同之处在于，不设有第二电子阻挡层。其余皆与实施例1相同。
以实施例1~实施例4和对比例1~对比例4制得发光二极管外延片使用相同芯片工艺条件制备成10×24mil的芯片，分别抽取300颗LED芯片，在120mA/60mA电流下测试芯片的光电性能，具体测试结果如表1所示。
表1实施例1~实施例4和对比例1~对比例4制得LED的性能测试结果
由上述结果可知，本发明提供的发光二极管外延片，其具有特定结构的复合电子阻挡层，包括依次层叠在所述多量子阱层上的第一电子阻挡层、空穴补偿层和第二电子阻挡层，所述第一电子阻挡层包括依次层叠的BN层、BAlN层和AlN层，所述空穴补偿层包括依次层叠的MgN层和掺Mg的GaN层，所述第二电子阻挡层包括周期性依次层叠的AlGaN层、BGaN层和InGaN层633。本发明提出的复合电子阻挡层结构，首先对电子进行了多次减速和限制，降低其迁移率，随后再用利用相对较高势垒材料对电子进行阻挡限制；并且，对被阻挡的空穴进行二次补充，进一步提高空穴的注入浓度和效率，提高有源区内电子与空穴的复合，从而提升了发光二极管的光效，同时降低了工作电压。
以上所述是发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、复合电子阻挡层、P型GaN层；
所述复合电子阻挡层包括依次层叠在所述多量子阱层上的第一电子阻挡层、空穴补偿层和第二电子阻挡层，所述第一电子阻挡层包括依次层叠的BN层、BAlN层和AlN层，所述空穴补偿层包括依次层叠的MgN层和掺Mg的GaN层，所述第二电子阻挡层包括周期性依次层叠的AlGaN层、BGaN层和InGaN层。
2.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述BN层的厚度为1.5nm~3nm；
所述BAlN层的厚度为2nm~5nm；
所述BAlN层中B组分含量为0.1~0.5，Al组分含量为0.5~0.9；
所述AlN层的厚度为2nm~4nm。
3.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述MgN层的厚度为10nm~20nm；
所述掺Mg的GaN层的厚度为20nm~40nm；
所述掺Mg的GaN层的Mg掺杂浓度为2.5×1016atoms/cm3~1×1018atoms/cm3。
4.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述AlGaN层的厚度为2nm~5nm；
所述BGaN层的厚度为1nm~3nm；
所述InGaN层的厚度为2nm~4nm；
所述AlGaN层、所述BGaN层和所述InGaN层依次层叠构成一个生长单元，所述第二电子阻挡层包括8~15个所述生长单元。
5.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述BN层的生长压力为230torr~300torr；
所述BAlN层的生长压力为150torr~200torr；
所述AlN层的生长压力为100torr~150torr。
6.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述MgN层的生长压力为100torr~150torr；
所述掺Mg的GaN层的生长压力为150torr~200torr。
7.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第二电子阻挡层的生长压力为100torr~150torr。
8.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述N型GaN层和所述多量子阱层之间还设有应力释放层，所述应力释放层包括交替生长的InGaN层和掺Si的GaN层。
9.一种如权利要求1~8任一项所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、准备衬底；
S2、在所述衬底上依次沉积缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、复合电子阻挡层、P型GaN层；
所述复合电子阻挡层包括依次层叠在所述多量子阱层上的第一电子阻挡层、空穴补偿层和第二电子阻挡层，所述第一电子阻挡层包括依次层叠的BN层、BAlN层和AlN层，所述空穴补偿层包括依次层叠的MgN层和掺Mg的GaN层，所述第二电子阻挡层包括周期性依次层叠的AlGaN层、BGaN层和InGaN层。
10.一种LED，其特征在于，所述LED包括如权利要求1~8任一项所述的发光二极管外延片。
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