CN116264785A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

一种显示装置包括：基底；第一电极，在所述基底上；堤层，局部地暴露所述第一电极的顶表面；发光层，设置在所述第一电极的局部地暴露的所述顶表面上；第二电极，在所述发光层和所述堤层上；无机沉积层，在所述第二电极上；以及薄膜封装层，在所述无机沉积层上，其中，对于具有大约550纳米(nm)的波长的光，所述无机沉积层的吸光系数(k)小于大约4。

Description

显示装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年12月13日提交的第10-2021-0177711号韩国专利申请的优先权以及由此产生的所有权益，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于本文中。

技术领域

本公开涉及一种显示装置，并且更具体地，涉及一种包括触摸构件的显示装置。

背景技术

向用户提供图像的诸如智能电话、平板个人计算机(“PC”)、数码相机、膝上型计算机、导航装置和智能电视机的电子装置包括用于显示图像的显示装置。显示装置包括用于产生图像和显示图像的显示面板和各种输入装置。

同时，当外部光从显示面板的上侧入射时，它被阴极电极反射，并且被阴极电极反射的外部光可能被用户视觉识别。为此，已经努力通过在阴极电极上形成无机沉积层来减少被阴极电极反射的外部光。

发明内容

本公开的各方面提供一种抑制外部光的反射的显示装置。

然而，本公开的各方面不限于本文中所阐述的方面。通过参照下面给出的本公开的详细描述，本公开的上述方面和其它方面对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加显而易见。

根据实施例，一种显示装置包括：基底；第一电极，在所述基底上；堤层，局部地暴露所述第一电极的顶表面；发光层，设置在所述第一电极的局部地暴露的所述顶表面上；第二电极，在所述发光层和所述堤层上；无机沉积层，在所述第二电极上；以及薄膜封装层，在所述无机沉积层上，其中，对于具有大约550nm的波长的光，所述无机沉积层的吸光系数(k)小于大约4。

根据另一实施例，一种显示装置包括：基底；多个第一电极，在所述基底上；堤层，局部地暴露所述多个第一电极的顶表面中的每一个；发光层，设置在所述多个第一电极的局部地暴露的所述顶表面中的每一个上；第二电极，在所述发光层和所述堤层上；N(N是大于或等于1的自然数)个无机沉积层，在所述第二电极上；薄膜封装层，包括至少一个无机层和至少一个有机层，并且设置在所述无机沉积层上；触摸层，在所述薄膜封装层上；以及防反射构件，在所述触摸层上，其中，所述无机沉积层包括银(Ag)、镁(Mg)、锰(Mn)、铋(Bi)、镱(Yb)、锌(Zn)、碲(Te)和硒(Se)中的至少一种。

依据根据实施例的显示装置，可以有效地抑制外部光的反射。

然而，本公开的效果不限于前述效果，并且在本说明书中包括各种其它效果。

附图说明

通过参照附图详细描述本公开的示例性实施例，本公开的上述方面和其它方面以及特征将变得更加显而易见，其中：

图1是根据实施例的显示装置的平面图；

图2是根据实施例的显示装置的示意性局部截面图；

图3是示出根据实施例的显示面板的示例性堆叠结构的示意性截面图；

图4是根据实施例的触摸构件的示意性平面布局图；

图5是图4的触摸区域的局部放大图；

图6是图5的包括第一触摸导电层和第二触摸导电层之间的接触孔的区域的截面图；

图7是示出根据实施例的显示区域的像素和触摸构件的网格图案之间的相对配置关系的布局图；

图8是沿着图7的线I-I'截取的截面图；

图9是示出了图8的阴极电极反射的光和无机沉积层反射的光相互抵消的示意图；

图10是根据另一实施例的显示面板的截面图；

图11是根据又一实施例的显示面板的截面图；

图12是图11的区域A的放大截面图；

图13是根据又一实施例的显示面板的截面图；

图14是示出镱(Yb)的根据波长的透射率的曲线图；

图15是示出铋(Bi)的根据波长的透射率的曲线图；

图16是示出镱(Yb)/铋(Bi)的堆叠结构的根据波长的透射率的曲线图；

图17是根据又一实施例的显示面板的截面图；

图18是图17的区域B的放大截面图；

图19是根据又一实施例的显示面板的截面图；

图20是根据又一实施例的显示面板的截面图；

图21是根据又一实施例的无机沉积层的截面图；以及

图22是根据又一实施例的无机沉积层的截面图。

具体实施方式

本文中公开的本发明的实施例的具体结构和功能描述仅用于说明本发明的实施例的目的。在不背离本发明的精神和重要特征的情况下，本发明可以以许多不同的形式体现。因此，本发明的实施例仅为说明性目的而公开，并且不应被解释为限制本发明。即，本发明仅由权利要求的范围限定。

将理解的是，当元件被称为与另一元件相关，诸如“耦接到”或者“连接到”另一元件时，所述元件可以直接耦接到或直接连接到所述另一元件，或者在所述元件和所述另一元件之间可以存在居间元件。相比之下，应理解的是，当元件被称为与另一元件相关，诸如“直接耦接到”或者“直接连接到”另一元件时，则不存在居间元件。解释元件之间关系的其它表述，诸如“在……之间”、“直接在……之间”、“与……相邻”或“与……直接相邻”，应以相同方式解释。

在整个说明书中，相同的附图标记将指代相同或相似的部件。

将理解的是，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区、层和/或区间，但是这些元件、组件、区、层和/或区间不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区、层或区间与另一元件、组件、区、层或部区间分开。因而，在不背离本文中的教导的情况下，下面讨论的“第一元件”、“第一组件”、“第一区”、“第一层”或“第一区间”可以被称为“第二元件”、“第二组件”、“第二区”、“第二层”或“第二区间”。

本文中使用的术语仅是为了描述特定实施例的目的，并非旨在进行限制。如本文中所使用的，除非上下文另有明确指示，否则“一个”、“一种”、“所述(该)”和“至少一个(种/者)”不表示对数量的限制，并且旨在包括单数和复数两种形式。例如，除非上下文另有明确指示，“元件”具有与“至少一个元件”相同的含义。“至少一个(种/者)”不被解释为限于“一个”或“一种”。“或”表示“和/或”。如本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任何组合和所有组合。将进一步理解的是，当在本说明书中使用术语“包括(comprises，comprising)”或“包含(includes，including)”时，说明存在所陈述的特征、区、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其它特征、区、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。

此外，在本文中可以使用诸如“下”或“底部”和“上”或“顶部”的相对术语来描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，除了附图中描绘的方位之外，相对术语还旨在涵盖装置的不同方位。例如，如果在一幅附图中装置被翻转，则描述为在其它元件“下”侧上的元件随后将被定位为在其它元件“上”侧上。因此，依据附图的具体方位，示例性术语“下”可以涵盖“下”和“上”两种方位。类似地，如果在一幅附图中装置被翻转，则描述为在其它元件“下方”或“下面”的元件随后将被定向为在其它元件“上方”。示例性术语“在……下方”或“在……下面”可以涵盖上方和下方两种方位。

考虑到讨论中的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，如本文中所使用的“大约”或“基本上”包括陈述值，并且意指在由本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内。例如，“大约”可以意指在一个或多个标准偏差内，或者在陈述值的±30％、±20％、±10％或±5％以内。

除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。将进一步理解的是，除非在本文中明确地如此定义，否则术语(诸如在通用词典中定义的术语)应当被解释为具有与其在相关领域和本公开的上下文中的含义相一致的含义，且将不以理想化的或过于形式化的含义来解释所述术语。

在本文中参照作为理想化的实施例的示意图的截面图来描述示例性实施例。如此，将预计到由于例如制造技术和/或公差导致的图示的形状的变化。因而，本文中描述的实施例不应被解释为局限于如本文中所示出的区的特定形状，而是包括由例如制造导致的形状的偏差。例如，示出或描述为平坦的区通常可以具有粗糙的和/或非线性的特征。此外，示出的尖角可以是倒圆的。因而，附图中示出的区在实质上是示意性的，并且它们的形状不旨在示出区的精确形状，并且也不旨在限制本公开的范围。

在下文中，将参照附图描述本发明的实施例。

图1是根据实施例的显示装置的平面图。图2是根据实施例的显示装置的示意性局部截面图。

在实施例中，第一方向DR1和第二方向DR2在不同方向上彼此交叉。在图1的平面图中，为了便于解释，将竖向方向限定为第一方向DR1，并且将水平方向限定为第二方向DR2。在以下实施例中，在平面图中第一方向DR1的一侧表示向上方向，并且在平面图中第一方向DR1的另一侧表示向下方向。在平面图中第二方向DR2的一侧表示向右方向，并且在平面图中第二方向DR2的另一侧表示向左方向。第三方向DR3是垂直于第一方向DR1和第二方向DR2的方向。在此，“平面图”限定为在第三方向DR3上的视图。然而，应理解的是，本实施例中所提及的方向是指相对方向，并且本实施例不限于所提及的方向。

参照图1和图2，显示装置1可以是指提供显示屏幕的任何电子装置。显示装置1的示例可以包括电视机、膝上型计算机、监视器、广告牌和物联网装置等以及诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(“PC”)、电子手表、智能手表、手表电话、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(“PMP”)、导航装置、游戏机、数码相机的提供显示屏幕的便携式电子装置。

显示装置1包括有源区AAR和非有源区NAR。在显示装置1中，假设将显示图像的区域限定为显示区域，将不显示图像的区域限定为非显示区域并且将检测到触摸输入的区域限定为触摸区域，则显示区域和触摸区域可以包括在有源区AAR中。在平面图中显示区域和触摸区域可以彼此重叠。换言之，有源区AAR可以是显示图像并且检测到触摸输入的区。

有源区AAR可以具有矩形形状或具有带有圆角的矩形形状。示出的有源区AAR具有在第一方向DR1上的边长于在第二方向DR2上的边的带圆角的矩形形状。然而，本公开不限于此，并且在另一实施例中有源区AAR可以具有诸如在第二方向DR2上的边长于在第一方向DR1上的边的矩形、正方形、其它多边形、圆形和椭圆形的各种形状。

非有源区NAR设置在有源区AAR周围。非有源区NAR可以是边框区域。非有源区NAR可以围绕有源区AAR的所有边(图中的四条边)。然而，本公开不限于此，并且例如，在另一实施例中，非有源区NAR可以不设置在有源区AAR的上侧附近或左侧和右侧附近。

在非有源区NAR中，可以设置用于将信号施加到有源区AAR的信号线或驱动电路。非有源区NAR可以不包括显示区域。此外，非有源区NAR可以不包括触摸区域。在另一实施例中，非有源区NAR可以包括触摸区域的一部分，并且诸如压力传感器等的传感器构件可以设置在该区中。在一些实施例中，有源区AAR可以与显示图像的显示区域完全重合，并且非有源区NAR可以与不显示图像的非显示区域完全重合。

显示装置1包括提供显示屏幕的显示面板10。显示面板10的示例可以包括有机发光显示面板、微型发光二极管(LED)显示面板、纳米LED显示面板、量子点发光显示面板、液晶显示面板、等离子体显示面板、场发射显示器面板、电泳显示面板和电润湿显示面板等。在以下描述中，将例示应用有机发光显示面板作为显示面板10的情况，但是本公开不限于此，并且在技术精神的相同范围内可以应用其它显示面板。

显示面板10可以包括多个像素。多个像素可以布置成矩阵。在平面图中每个像素的形状可以是矩形形状或正方形形状。然而，本公开不限于此，并且在另一实施例中，像素的形状可以是每一边相对于第一方向DR1倾斜的菱形形状。每个像素可以包括发射区域。每个发射区域的形状可以与像素的形状相同或不同。例如，当像素的形状是矩形形状时，该像素的发射区域可以具有诸如矩形、菱形、六边形、八边形和圆形等各种形状。稍后将对每个像素和发射区域进行详细描述。

显示装置1还可以包括用于检测触摸输入的触摸构件。触摸构件可以提供为与显示面板10分离的面板或膜并且附着在显示面板10上，但是也可以在显示面板10内部以触摸层的形式提供。在以下实施例中，示出了触摸构件提供在显示面板10内部并且包括在显示面板10中的情况，但是本公开不限于此。

显示面板10可以包括柔性基底，该柔性基底包括诸如聚酰亚胺的柔性聚合物材料。因此，显示面板10可以弯曲、弯折、折叠或卷曲。

显示面板10可以包括弯折区BR，弯折区BR是面板可弯折的区。显示面板10可以被划分为位于弯折区BR的一侧处的主区MR和位于弯折区BR的另一侧处的子区SR。

显示面板10的显示区域设置在主区MR中。在一个实施例中，主区MR中的显示区域的外围边缘部分、整个弯折区BR和整个子区SR可以是非显示区域。然而，本公开不限于此，并且在另一实施例中，弯折区BR和/或子区SR也可以包括显示区域。

弯折区BR连接到主区MR在第一方向DR1上的一侧。例如，弯折区BR可以通过主区MR的下短边连接到主区MR。弯折区BR的宽度可以小于主区MR的宽度(短边的宽度：在第二方向DR2上)。在平面图中主区MR和弯折区BR之间的连接部分可以具有L形切割形状。

在弯折区BR中，显示面板10可以在厚度方向DR3(第三方向DR3)上(即，在与显示表面相反的方向上)向下弯折。弯折区BR可以具有恒定的曲率半径。然而，本公开不限于此，并且在另一实施例中，弯折区BR针对每个区间可以具有不同的曲率半径。当显示面板10在弯折区BR中弯折时，显示面板10的表面可以反转。换言之，显示面板10的面向上的一个表面可以通过弯折区BR改变为面向外，并且然后面向下。

子区SR从弯折区BR延伸。子区SR可以从完成弯折的点在平行于主区MR的方向上延伸。子区SR可以在显示面板10的厚度方向DR3上与主区MR重叠。子区SR的宽度(在图1中的第二方向DR2上的宽度)可以与弯折区BR的宽度相同，但是本公开不限于此。

驱动芯片20可以设置在子区SR中。驱动芯片20可以包括用于驱动显示面板10的集成电路。该集成电路可以包括显示集成电路和/或触摸单元集成电路。显示集成电路和触摸单元集成电路可以作为单独的芯片提供，或者也可以作为一个集成芯片提供。

焊盘部分可以设置在显示面板10的子区SR的端部处。焊盘部分可以包括多个显示信号布线焊盘和触摸信号布线焊盘。驱动基底30可以连接到在显示面板10的子区SR的端部处的焊盘部分。驱动基底30可以是柔性印刷电路板或膜。

图3是示出根据实施例的显示面板的示例性堆叠结构的示意性截面图。

参照图3，显示面板10可以包括设置在基底SUB上的电路驱动层DRL。电路驱动层DRL可以包括驱动像素的发光层EML的电路。电路驱动层DRL可以包括多个薄膜晶体管。

发光层EML可以设置在电路驱动层DRL上。发光层EML可以包括有机发光层。发光层EML可以根据从电路驱动层DRL传输的驱动信号发射具有各种亮度水平的光。

封装层ENL可以设置在发光层EML上。封装层ENL可以包括无机层或者包括无机层和有机层的叠层。作为另一示例，封装层ENL可以用玻璃或封装膜来实现。

触摸层TSL可以设置在封装层ENL上。触摸层TSL是用于识别触摸输入的层，并且可以用作触摸构件。触摸层TSL可以包括多个感测区域和感测电极。

光阻挡图案层BML可以设置在触摸层TSL上。光阻挡图案层BML可以用于减少外部光的反射并且改善反射颜色。

防反射层RCL可以设置在光阻挡图案层BML上。防反射层RCL可以用于减少外部光的反射。防反射层RCL可以包括树脂和分散在树脂中的防反射染料。防反射染料可以包括但不限于卟啉类染料、金属卟啉类染料、次甲基、三嗪、二吡咯亚甲基类染料、四氮杂卟啉、酞菁、恶嗪、花青或方酸。

在图3中，光阻挡图案层BML和防反射层RCL被示出为单独的层。然而，本公开不限于此，并且防反射构件可以设置在触摸层TSL上，并且在另一实施例中防反射构件可以包括光阻挡图案层BML和防反射层RCL。

在一些实施例中，可以省略防反射层RCL，并且滤色器层可以设置在光阻挡图案层BML上。滤色器层可以包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。滤色器中的每一个可以设置在每个像素中。设置在每个像素中的滤色器可以改善从对应的像素的发射区域发射的光的色纯度。

在下文中，将详细描述上述触摸构件。

图4是根据实施例的触摸构件的示意性平面布局图。图5是图4的触摸区域的局部放大图。

参照图4，触摸构件可以包括位于有源区AAR(参见图1)中的触摸区域和位于非有源区NAR(参见图1)中的非触摸区域。在图4中，为了易于描述，将触摸构件的整体形状简化，并且将非触摸区域示出为相对宽。然而，触摸区域的形状和非触摸区域的形状可以与有源区AAR和非有源区NAR的上述形状基本上相同。

触摸构件的触摸区域可以包括多个第一感测电极IE1(或第一触摸电极)和多个第二感测电极IE2(或第二触摸电极)。第一感测电极IE1和第二感测电极IE2中的一者可以是驱动电极，并且另一者可以是感测电极。在本实施例中，例示了第一感测电极IE1是驱动电极并且第二感测电极IE2是感测电极的情况。

参照图4和图5，第一感测电极IE1可以在第一方向DR1上延伸。第一感测电极IE1可以包括沿着第一方向DR1布置的多个第一传感器部分SP1和将相邻的第一传感器部分SP1彼此电连接的第一连接部分CP1。

多个第一感测电极IE1可以布置在第二方向DR2上。

第二感测电极IE2可以在第二方向DR2上延伸。第二感测电极IE2可以包括在第二方向DR2上布置的多个第二传感器部分SP2和将相邻的第二传感器部分SP2彼此电连接的第二连接部分CP2。多个第二感测电极IE2可以布置在第一方向DR1上。

尽管附图示出了布置四个第一感测电极IE1和六个第二感测电极IE2的情况，但是显然第一感测电极IE1的数量和第二感测电极IE2的数量不限于上面的示例。

第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2中的至少一些可以具有菱形形状。第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2中的一些可以具有从菱形切割的图形的形状。例如，除了在第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2的延伸方向上的两端处的传感器部分之外，所有第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2可以具有菱形形状，并且位于在第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2的延伸方向上的两端处的第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2中的每一者可以具有通过将菱形切割成两半而获得的三角形形状。菱形的第一传感器部分SP1和菱形的第二传感器部分SP2可以具有基本上相同的尺寸和形状。三角形的第一传感器部分SP1和三角形的第二传感器部分SP2可以具有基本上相同的尺寸和形状。然而，实施例不限于上述示例，并且可以对第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2的形状和尺寸进行各种修改。

第一感测电极IE1的第一传感器部分SP1和第二感测电极IE2的第二传感器部分SP2各自可以包括平面图案或网格图案。当第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2包括平面图案时，第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2可以由透明导电层形成。当第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2包括如图5和图7中所示的沿着非发射区域设置的网格图案时，即使应用不透明的低电阻金属，它们也不会干扰发射光的传播。在下文中，将第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2各自包括网格图案的情况作为示例进行描述，但是本公开不限于此。

第一连接部分CP1可以将相邻的菱形或三角形的第一传感器部分SP1的角部彼此连接。第二连接部分CP2可以将相邻的菱形或三角形的第二传感器部分SP2的角部彼此连接。第一连接部分CP1和第二连接部分CP2的宽度可以小于第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2的宽度。

第一感测电极IE1和第二感测电极IE2可以在绝缘的同时彼此交叉。可以在交叉区中通过连接不同层上的导电层来保证第一感测电极IE1和第二感测电极IE2之间的绝缘。第一感测电极IE1和第二感测电极IE2之间的绝缘和交叉可以通过第一连接部分CP1和/或第二连接部分CP2来实现。对于绝缘和交叉，第一连接部分CP1和第二连接部分CP2中的至少一者可以位于与第一感测电极IE1和第二感测电极IE2不同的层上。

作为一个示例，第一感测电极IE1的第一传感器部分SP1和第二感测电极IE2的第二传感器部分SP2由位于相同的层上的导电层形成，并且在平面图中第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2本身可以不彼此交叉或重叠。彼此相邻的第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2可以物理上彼此间隔开。

第二连接部分CP2可以由与第二传感器部分SP2的导电层相同的导电层形成以连接相邻的第二传感器部分SP2。第一感测电极IE1的相邻的第一传感器部分SP1相对于供第二连接部分CP2穿过的区彼此物理间隔开。连接第一传感器部分SP1的第一连接部分CP1可以由与第一传感器部分SP1的导电层不同的导电层形成，并且可以与第二感测电极IE2的区域交叉。第一连接部分CP1可以通过触点电连接到与第一连接部分CP1相邻的每个第一传感器部分SP1。

可以提供多个第一连接部分CP1。例如，在平面图中第一连接部分CP1可以包括在与第二感测电极IE2相邻的一侧经过第二感测电极IE2的同时与第二感测电极IE2重叠的一个第一连接部分CP1_1以及在与第二感测电极IE2相邻的另一侧经过第二感测电极IE2的同时与第二感测电极IE2重叠的另一第一连接部分CP1_2，但是本公开不限于此。当提供连接两个相邻的第一传感器部分SP1的多个第一连接部分CP1时，即使多个第一连接部分CP1中的任何一个由于静电等而断开连接，也可以防止相应的第一感测电极IE1断开连接。

彼此相邻的第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2可以构成单元感测区域SUT。例如，相对于第一感测电极IE1和第二感测电极IE2交叉的交叉区，两个相邻的第一传感器部分SP1的一半和两个相邻的第二传感器部分SP2的一半可以构成单个正方形或矩形。如上所述，由两个相邻的第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2的一半区域限定的区域可以是一个单元感测区域SUT。多个单元感测区域SUT可以布置成矩阵。

在每个单元感测区域SUT中，通过测量相邻的第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2之间的电容值，可以确定是否输入了触摸并且计算相应的位置作为触摸输入坐标。可以以互电容方法执行触摸感测，但是不限于此。在下文中，将主要描述以互电容方法执行触摸感测的情况。

每个单元感测区域SUT的尺寸可以大于像素的尺寸。例如，单元感测区域SUT可以对应于多个像素。单元感测区域SUT的一侧的长度可以在4mm至5mm的范围内，但是不限于此。

多条触摸信号线设置在触摸区域外的非有源区NAR(参见图1)中。触摸信号线可以从位于子区SR(参见图1)中的触摸焊盘部分TPA1和TPA2经由弯折区BR(参见图1)延伸到主区MR(参见图1)的非有源区NAR。

多条触摸信号线可以包括多条触摸驱动线Tx和多条触摸感测线Rx。

触摸驱动线Tx连接到第一感测电极IE1。在一个实施例中，多条触摸驱动线可以连接到一个第一感测电极IE1。例如，触摸驱动线Tx可以包括连接到第一感测电极IE1的下端的第一触摸驱动线Tx1_1、Tx2_1、Tx3_1和Tx4_1以及连接到第一感测电极IE1的上端的第二触摸驱动线Tx1_2、Tx2_2、Tx3_2和Tx4_2。第一触摸驱动线Tx1_1、Tx2_1、Tx3_1和Tx4_1可以从触摸焊盘部分TPA1向第一方向DR1上的一侧延伸以连接到第一感测电极IE1的下端。第二触摸驱动线Tx1_2、Tx2_2、Tx3_2和Tx4_2可以从触摸焊盘部分TPA1向第一方向DR1上的一侧延伸，并且绕过触摸区域的左边缘以连接到第一感测电极IE1的上端。

触摸感测线Rx连接到第二感测电极IE2。在一个实施例中，一条触摸感测线Rx可以连接到一个第二感测电极IE2。触摸感测线Rx可以包括触摸感测线Rx1、Rx2、Rx3、Rx4、Rx5和Rx6。触摸感测线Rx1、Rx2、Rx3、Rx4、Rx5和Rx6中的每一者可以从触摸焊盘部分TPA2向第一方向DR1上的一侧延伸，并且朝向触摸区域的右边缘侧延伸以连接到第二感测电极IE2的右端。

图6是图5的包括第一触摸导电层和第二触摸导电层之间的接触孔的区域的截面图。

参照图4至图6，触摸构件可以包括基体层205、在基体层205上的第一触摸导电层210、在第一触摸导电层210上的第一触摸绝缘层215、在第一触摸绝缘层215上的第二触摸导电层220以及覆盖第二触摸导电层220的第二触摸绝缘层230。

具体地，第一触摸导电层210设置在基体层205上。第一触摸导电层210被第一触摸绝缘层215覆盖。第一触摸绝缘层215使第一触摸导电层210与第二触摸导电层220绝缘。第二触摸导电层220设置在第一触摸绝缘层215上。第二触摸绝缘层230可以覆盖第二触摸导电层220以保护第二触摸导电层220。

基体层205可以包括无机绝缘材料。例如，基体层205可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层等。在一些实施例中，基体层205可以用构成稍后描述的薄膜封装层的第二无机层193(参见图8)代替。

第一触摸导电层210和第二触摸导电层220中的每一者可以包括金属或透明导电层。金属可以包括铝、钛、铜、钼、银或它们的合金。透明导电层可以包括诸如氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)、氧化锌(ZnO)或氧化铟锡锌(“ITZO”)的透明导电氧化物、诸如聚乙撑二氧噻吩(“PEDOT”)的导电聚合物、金属纳米线或石墨烯等。如上所述，当第一触摸导电层210和第二触摸导电层220设置在非发射区域时，即使它们是由低电阻的不透明金属制成，它们也不会干扰发射光的传播。

第一触摸导电层210和/或第二触摸导电层220可以包括具有多层结构的导电层。例如，第一触摸导电层210和/或第二触摸导电层220可以具有钛/铝/钛的三层结构。

在一个实施例中，上述第一连接部分CP1可以由第一触摸导电层210形成，并且第一传感器部分SP1、第二传感器部分SP2和第二连接部分CP2可以由第二触摸导电层220形成。然而，本公开不限于此。与示出的示例不同，在另一实施例中，第一连接部分CP1可以由第二触摸导电层220形成，并且传感器部分SP1和SP2以及第二连接部分CP2可以由第一触摸导电层210形成。触摸信号线可以由第一触摸导电层210或第二触摸导电层220形成，或者可以由通过触点连接的第一触摸导电层210和第二触摸导电层220形成。另外，构成感测电极或信号线的每个构件的触摸导电层可以进行各种修改。

第一触摸绝缘层215和第二触摸绝缘层230可以包括无机材料或有机材料。在一个实施例中，第一触摸绝缘层215和第二触摸绝缘层230中的一者可以包括无机材料，并且另一者可以包括有机材料。在一个实施例中，第一触摸绝缘层215可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层，并且第二触摸绝缘层230可以包括丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、纤维素树脂、硅氧烷树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂和苝树脂中的至少一种。

第一触摸绝缘层215可以在其中限定接触孔CNT_T。第一触摸导电层210(例如，第一连接部分CP1)和第二触摸导电层220的一部分(例如，第一传感器部分SP1)可以通过接触孔CNT_T电连接。

图7是示出根据实施例的显示区域的像素和触摸构件的网格图案之间的相对配置关系的布局图。

参照图7，有源区AAR(参见图1)的显示区域包括多个像素。每个像素包括发射区域EMA_R、EMA_G和EMA_B中的一者。在平面图中发射区域EMA_R、EMA_G和EMA_B可以与堤层126(参见图8)的开口重叠，并且可以由这些开口限定。非发射区域NEM设置在像素的发射区域EMA_R、EMA_G和EMA_B之间。在平面图中非发射区域NEM可以与堤层126重叠，并且可以由堤层126限定。非发射区域NEM可以围绕发射区域EMA_R、EMA_G和EMA_B。在平面图中非发射区域NEM具有沿着与第一方向DR1和第二方向DR2交叉的对角线方向设置的格栅形状或网格形状。网格图案MSP设置在非发射区域NEM中。

像素可以包括第一颜色像素(例如，红色像素)、第二颜色像素(例如，蓝色像素)和第三颜色像素(例如，绿色像素)。这些颜色像素的发射区域EMA_R、EMA_G和EMA_B可以基本上具有八边形或者具有带有圆角的四边形(例如，菱形)的形状。然而，本公开不限于此，并且在另一实施例中，发射区域EMA_R、EMA_G和EMA_B中的每一者可以具有圆形、其它多边形或带有圆角的多边形等的形状。

在一个实施例中，第一颜色像素的发射区域EMA_R的形状和第二颜色像素的发射区域EMA_B的形状可以彼此相似且为带有圆角的菱形形状。第二颜色像素的发射区域EMA_B可以大于第一颜色像素的发射区域EMA_R。

第三颜色像素的发射区域EMA_G可以小于第一颜色像素的发射区域EMA_R。第三颜色像素的发射区域EMA_G可以在对角线方向上倾斜并且可以具有在倾斜方向上具有最大宽度的八边形形状。发射区域EMA_G1可以在第一对角线方向上倾斜，并且发射区域EMA_G2可以在第二对角线方向上倾斜。

颜色像素的发射区域EMA_R、EMA_G和EMA_B可以以各种方式布置。在一个实施例中，第一颜色像素的发射区域EMA_R和第二颜色像素的发射区域EMA_B可以沿着第二方向DR2交替布置以形成第一行，并且第三颜色像素的发射区域EMA_G(EMA_G1和EMA_G2)可以沿着第二方向DR2布置在与第一行相邻的第二行中。第二行中的第三颜色像素的发射区域EMA_G(EMA_G1和EMA_G2)相对于第一行中的像素的发射区域EMA_R和EMA_B在第一方向DR1上可以不对准。在第二行中，在第一对角线方向上倾斜的第三颜色像素的发射区域EMA_G1和在第二对角线方向上倾斜的第三颜色像素的发射区域EMA_G2可以沿着第二方向DR2交替布置。

第三行和第一行具有相同的发射区域EMA_R和EMA_B的布置，但是布置顺序可以颠倒。即，第三行中的第二颜色像素的发射区域EMA_B可以设置成与第一行中的第一颜色像素的发射区域EMA_R属于相同的列，并且第三行中的第一颜色像素的发射区域EMA_R可以设置成与第一行中的第二颜色像素的发射区域EMA_B属于相同的列。第四行和第二行可以具有第三颜色像素的发射区域EMA_G1和EMA_G2的布置，但是从对角地倾斜形状的角度来看，布置顺序可以颠倒。即，第四行中的在第二对角线方向上倾斜的第三颜色像素的发射区域EMA_G2可以设置成与第二行中的在第一对角线方向上倾斜的第三颜色像素的发射区域EMA_G1属于相同的列，并且第四行中的在第一对角线方向上倾斜的第三颜色像素的发射区域EMA_G1可以设置成与第二行中的在第二对角线方向上倾斜的第三颜色像素的发射区域EMA_G2属于相同的列。

可以沿着第一方向DR1重复第一行至第四行的布置。然而，发射区域EMA_R、EMA_B和EMA_G的布置不限于上述示例。

网格图案MSP可以沿着像素的边界设置在非发射区域NEM中。在平面图中网格图案MSP可以与发射区域EMA_R、EMA_G和EMA_B不重叠。在平面图中，网格图案MSP可以位于非发射区域NEM中。在一个实施例中，由网格图案MSP暴露的网格孔MHL可以具有基本上菱形形状。每个网格孔MHL的尺寸可以相同，但是可以依据由相应的网格孔MHL暴露的发射区域EMA_R、EMA_G、EMA_B的尺寸而不同，或者可以不同而与发射区域EMA_R、EMA_G、EMA_B的尺寸无关。在附图中，例示了一个网格孔MHL对应于一个发射区域EMA_R、EMA_G、EMA_B的情况，但是本公开不限于此，并且在另一实施例中一个网格孔MHL可以对应于发射区域EMA_R、EMA_G和EMA_B中的两个或更多个。

图8是沿着图7的线I-I'截取的截面图。图9是示出了图8的阴极电极反射的光和无机沉积层反射的光相互抵消的示意图。在图8的截面图和图9的示意图中，省略了阳极电极170下方的大部分层，并且主要示出了有机发光元件及其上的结构。有机发光元件包括阳极电极170、发光层和阴极电极180。

参照图8和图9，显示面板10的基底110可以由诸如聚合物材料等的绝缘材料制成。聚合物材料的示例可以包括聚醚砜(“PES”)、聚丙烯酸酯(“PA”)、聚芳酯(“PAR”)、聚醚酰亚胺(“PEI”)、聚萘二甲酸乙二醇酯(“PEN”)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(“PET”)、聚苯硫醚(“PPS”)、聚酰亚胺(“PI”)、聚碳酸酯(“PC”)、三乙酸纤维素(“TAC”)、乙酸丙酸纤维素(“CAP”)或它们的组合。基底110可以是可弯折、折叠或卷曲的柔性基底。柔性基底的材料的示例可以是聚酰亚胺(PI)，但是不限于此。

阳极电极170设置在基底110上。尽管为了易于描述在图中示出了阳极电极170直接设置在基底110上的情况，但是包括多个薄膜晶体管和信号线的电路驱动层DRL(参见图3)可以设置在基底110和阳极电极170之间。

阳极电极170可以是为每个像素设置的像素电极。阳极电极170可以具有通过堆叠具有高功函数的材料层(诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟(In₂O₃))以及反射材料层(诸如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、铅(Pb)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或它们的混合物)形成的堆叠结构。具有高功函数的材料层可以设置在反射材料层上方并且设置为更靠近有机层175。阳极电极170可以具有诸如ITO/Mg、ITO/MgF₂、ITO/Ag和ITO/Ag/ITO的多层结构，但是不限于此。

堤层126可以设置在基底110上。堤层126可以设置在阳极电极170上并且可以限定暴露阳极电极170的开口。发射区域EMA_R、EMA_G和EMA_B以及非发射区域NEM可以通过堤层126及堤层126的开口区分开。堤层126可以包括有机绝缘材料，诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯树脂、聚苯硫醚树脂或苯并环丁烯(“BCB”)。堤层126还可以包括无机材料。

发光层设置在由堤层126暴露的阳极电极170上。发光层可以包括有机层175。有机层175可以包括有机发光层，并且还可以包括空穴注入/传输层和/或电子注入/传输层。第一光可以在向上方向上从有机层175发射。第一光可以是蓝光、绿光或红光。

阴极电极180可以设置在有机层175上。阴极电极180可以是跨所有像素延伸的公共电极。阳极电极170、有机层175和阴极电极180可以构成有机发光元件。

阴极电极180可以与堤层126以及有机层175的顶表面接触。阴极电极180可以形成为与设置在阴极电极180下方的结构共形，以反映设置在阴极电极18下方的结构的阶梯部分。

阴极电极180可以包括具有低功函数的材料层，该材料层包括诸如Li、Ca、LiF、Al、Mg、Ag、Pt、Pd、Ni、Au、Nd、Ir、Cr、BaF₂、Ba或它们的化合物或混合物(例如，Ag和Mg的混合物)的材料，或者具有诸如LiF/Ca或LiF/Al的多层结构的材料。阴极电极180还可以包括设置在具有低功函数的材料层上的透明金属氧化层。

覆盖层CPL可以设置在阴极电极180上。例如，覆盖层CPL可以包括氟化锂(LiF)、无机绝缘材料或有机绝缘材料。覆盖层CPL可以用于从阴极电极180的顶部覆盖和保护上述阴极电极180。尽管图8示出了覆盖层CPL形成为单层，但是本公开不限于此，并且在另一实施例中覆盖层CPL可以形成为多个堆叠层。多个堆叠层中的每一个可以由选自氟化锂(LiF)、无机绝缘材料和有机绝缘材料的材料制成。

例如，覆盖层CPL可以包括无机绝缘材料。例如，覆盖层CPL可以包括选自由氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅组成的组中的一种或多种无机绝缘材料。覆盖层CPL的多个堆叠层的材料可以彼此不同，但是可以相同。

无机沉积层ML可以设置在覆盖层CPL上。无机沉积层ML用于抵消被阴极电极180反射的外部光。参照图9，从显示面板10的上侧入射的外部光L2可以被阴极电极180反射，并且被阴极电极180反射的外部光L2的一部分可以被用户视觉识别。然而，在根据一个实施例的显示面板10中，无机沉积层ML设置在阴极电极180上，并且被阴极电极180反射的外部光L2与被无机沉积层ML反射的外部光L3相互抵消，这使得可以有效地防止外部光被用户视觉识别。无机沉积层ML在厚度方向DR3上具有第一厚度T1。第一厚度T1可以是大约500nm至大约1700nm。当第一厚度T1是大约500nm或更大时，外部光L3在无机沉积层ML上的反射有效地发生，这使得与被阴极电极180反射的外部光L2的相互干涉成为可能。当第一厚度T1是大约1700nm或更小时，可以防止由于无机沉积层ML的厚度导致的第一光L1的透射效率降低。

无机沉积层ML可以包括无机绝缘材料。无机绝缘材料可以包括金属。金属的示例可以包括银(Ag)、镁(Mg)、锰(Mn)、铋(Bi)、镱(Yb)、锌(Zn)、碲(Te)和硒(Se)等，但是本公开不限于此。对于具有大约550nm的波长的光，无机沉积层ML的吸光系数(k)可以小于4。例如，铋(Bi)的吸光系数(k)可以是2.86，镱(Yb)的吸光系数(k)可以是1.58，碲(Te)的吸光系数(k)可以是2.87，并且硒(Se)的吸光系数(k)可以是0.04。例如，无机沉积层ML可以包括镱(Yb)或铋(Bi)。

包括第一无机层191、有机层192和第二无机层193的薄膜封装层190设置在阴极电极180上。薄膜封装层190可以设置在阴极电极180和基体层205之间。

第一无机层191和第二无机层193中的每一者可以包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等。

基体层205、第一触摸绝缘层215、第二触摸导电层220和第二触摸绝缘层230可以依次设置在薄膜封装层190上，并且将省略每个层的重复描述。图8和图9是传感器部分的截面图，所以第一触摸导电层210(参见图6)并未在相应的截面图中示出。

在平面图中第二触摸导电层220可以与堤层126重叠，并且可以设置在非发射区域NEM中。第二触摸导电层220形成传感器部分的网格图案MSP，并且在平面图中与发射区域EMA_R、EMA_G和EMA_B不重叠。因此，第二触摸导电层220不会干扰发射，并且可以不被用户视觉识别。

光阻挡图案240设置在第二触摸绝缘层230上。光阻挡图案240可以用于减少外部光的反射并改善反射颜色。光阻挡图案240设置在非发射区域NEM中。在平面图中光阻挡图案240可以具有格栅形状或网格形状。光阻挡图案240、第一触摸导电层210(参见图6)和第二触摸导电层220以及堤层126设置在非发射区域NEM中并且在厚度方向DR3上重叠。光阻挡图案240的宽度可以小于或等于堤层126的宽度，并且可以大于第一触摸导电层210(参见图6)和第二触摸导电层220的宽度。在平面图中光阻挡图案240可以与发射区域EMA_R、EMA_G和EMA_B不重叠。

防反射层251设置在光阻挡图案240上。防反射层251可以直接设置在光阻挡图案240上。参照图8和图9，结合如参照图3所述的，可以理解的是，作为图3的光阻挡图案层BML示例的光阻挡图案240和作为图3的防反射层RCL示例的防反射层251形成防反射构件，并且防反射构件设置在第二触摸绝缘层230上。由于已经参照图3描述了防反射层RCL，因此将省略其详细描述。

在下文中，将描述其它实施例。

图10是根据另一实施例的显示面板的截面图。

参照图10，根据本实施例的显示面板11与图8的显示面板10的不同之处在于，显示面板11还包括在无机沉积层ML和薄膜封装层190之间的第一氧化层MOL1。

更具体地，根据本实施例的显示面板11还可以包括在无机沉积层ML和薄膜封装层190之间的第一氧化层MOL1。第一氧化层MOL1可以包括无机沉积层ML的材料和氧原子。第一氧化层MOL1可以通过无机沉积层ML的材料被在沉积无机沉积层ML并且然后形成薄膜封装层190的第一无机层191的工艺中产生的一氧化二氮(N₂O)的氧原子氧化而形成。

图11是根据又一实施例的显示面板的截面图。图12是图11的区域A的放大截面图。

参照图11和图12，根据本实施例的显示面板12与图8的显示面板10的不同之处在于，无机沉积层ML_1形成为两层。

更具体地，根据本实施例的显示面板12可以包括通过堆叠两层形成的无机沉积层ML_1。无机沉积层ML_1可以包括在覆盖层CPL上的第一无机沉积层ML1和设置在第一无机沉积层ML1和第一无机层191之间的第二无机沉积层ML2。

无机沉积层ML_1在厚度方向DR3上的第一厚度T1可以与图8的无机沉积层ML的第一厚度T1相同。即，第一无机沉积层ML1的厚度T1a和第二无机沉积层ML2的厚度T1b的总和可以与无机沉积层ML的第一厚度T1相同。在实施例中，第一无机沉积层ML1的厚度T1a可以大于第二无机沉积层ML2的厚度T1b。例如，第一无机沉积层ML1的厚度T1a可以是大约400nm至大约1400nm，并且第二无机沉积层ML2的厚度T1b可以是大约100nm至大约300nm，但是本公开不限于此。

在包括第一无机沉积层ML1和第二无机沉积层ML2的无机沉积层ML_1中，如参照图9所述的，由于被无机沉积层ML_1反射的外部光L3和被阴极电极180反射的外部光L2相互抵消，可以抑制用户对外部光的视觉识别。然而，当无机沉积层ML仅包括第一无机沉积层ML1时，如参照图10所述的，第一氧化层MOL1可以形成在第一无机沉积层ML1和薄膜封装层190之间。第一氧化层MOL1的厚度可能随着直接设置在第一氧化层MOL1下方的无机沉积层ML的还原能力(或期望的氧化程度)而增加。当第一氧化层MOL1的厚度增加时，从图9中示出的发光层发射的第一光L1的透射效率可能劣化(即，降低)。为此，在根据本实施例的显示面板12中，通过设置其还原能力小于覆盖层CPL上的第一无机沉积层ML1的还原能力的第二无机沉积层ML2可以使氧化层的厚度最小化。

换言之，第一无机沉积层ML1的还原能力可以大于第二无机沉积层ML2的还原能力。例如，第一无机沉积层ML1可以包括镱(Yb)，并且第二无机沉积层ML2可以包括铋(Bi)。第一无机沉积层ML1主要用于使被无机沉积层ML_1反射的外部光L3(参见图9)和被阴极电极180反射的外部光L2(参见图9)的相互抵消，并且第二无机沉积层ML2主要用于防止直接设置在第二无机沉积层ML2下方的第一无机沉积层ML1的氧化，使得如上所述在第三方向DR3上第一无机沉积层ML1的厚度T1a可以大于第二无机沉积层ML2的厚度T1b。

由于已经参照图8进行了其它描述，因此省略了详细描述。

图13是根据又一实施例的显示面板的截面图。

参照图13，根据本实施例的显示面板13与图11的显示面板12的不同之处在于，第二氧化层MOL2进一步设置在第二无机沉积层ML2和薄膜封装层190之间。

更具体地，在根据本实施例的显示面板13中，第二氧化层MOL2可以进一步设置在第二无机沉积层ML2和薄膜封装层190之间。

第二氧化层MOL2可以包括第二无机沉积层ML2的材料和氧原子。第二氧化层MOL2可以通过第二无机沉积层ML2的材料被在沉积第二无机沉积层ML2并且然后形成薄膜封装层190的第一无机层191的工艺中产生的一氧化二氮(N₂O)的氧原子氧化而形成。

如参照图12所述的，第一无机沉积层ML1的还原能力大于第二无机沉积层ML2的还原能力(相反，第二无机沉积层ML2的还原能力小于第一无机沉积层ML1的还原能力)，使得第二氧化层MOL2在第三方向DR3上的厚度可以小于图10的第一氧化层MOL1的厚度。如参照图11和图12所述的，氧化层的厚度与从发光层发射的第一光L1(参见图9)的透射效率(或透射率)有关。稍后将参照图14至图16给出其详细描述。

图14是示出镱(Yb)的根据波长的透射率的曲线图。图15是示出铋(Bi)的根据波长的透射率的曲线图。图16是示出镱(Yb)/铋(Bi)的堆叠结构的根据波长的透射率的曲线图。在图14中，横轴表示波长(纳米：nm)，纵轴表示镱(Yb)的透射率T(百分比：％)。在图15中，横轴表示波长(nm)，纵轴表示铋(Bi)的透射率T(％)。在图16中，横轴表示波长(nm)，纵轴表示镱(Yb)/铋(Bi)的透射率T(％)。

首先，参照图14，第一样品是在沉积之后立即测量具有大约60埃

的厚度的镱(Yb)的透射率的样品，第二样品是在沉积之后立即测量具有大约/>

的厚度的镱(Yb)的透射率的样品，第三样品是在沉积之后立即测量具有大约/>

的厚度的镱(Yb)的透射率的样品，第四样品是从沉积开始72小时(3天)之后测量具有大约/>

的厚度的镱(Yb)的透射率的样品，第五样品是从沉积开始72小时之后测量具有大约/>

的厚度的镱(Yb)的透射率的样品，并且第六样品是从沉积开始72小时之后测量具有大约/>

的厚度的镱(Yb)的透射率的样品。

在第一样品的情况下，显然在大约380nm至大约780nm的波长处透射率(％)是大约95至大约100，并且随着波长的增加，透射率(％)逐渐增加。

在第二样品的情况下，显然在大约380nm至大约780nm的波长处透射率(％)是大约60至77，并且随着波长的增加，透射率(％)逐渐降低。

在第三样品的情况下，显然在大约380nm至大约780nm的波长处透射率(％)是大约14至35，并且随着波长增加，透射率(％)逐渐降低。

在第四样品的情况下，显然在大约380nm至大约780nm的波长处透射率(％)是大约95至大约100，并且随着波长的增加，透射率(％)逐渐增加。显然，第四样品的根据波长的透射率(％)的转变与第一样品的根据波长的透射率(％)的转变基本上相同。

在第五样品的情况下，显然在大约380nm至大约780nm的波长处透射率(％)是大约78至85，并且随着波长增加，透射率(％)大致地重复地增加和降低。显然，第二样品的根据波长的透射率和第五样品的根据波长的透射率之间存在大约4％至20％的差异。

在第六样品的情况下，显然在大约380nm至大约780nm的波长处透射率(％)是大约18至35，并且随着波长的增加，透射率(％)逐渐降低。显然，第六样品的根据波长的透射率(％)的转变与第三样品的根据波长的透射率(％)的转变基本上相同。

接下来，参照图15，第七样品是在沉积之后立即测量具有大约

的厚度的铋(Bi)的透射率的样品，第八样品是在沉积之后立即测量具有大约/>

的厚度的铋(Bi)的透射率的样品，第九样品是在沉积之后立即测量具有大约/>

的厚度的铋(Bi)的透射率的样品，第十样品是从沉积开始96小时之后测量具有大约/>

的厚度的铋(Bi)的透射率的样品，第十一样品是从沉积开始96小时之后测量具有大约/>

的厚度的铋(Bi)的透射率的样品，并且第十二样品是从沉积开始96小时之后测量具有大约/>

的厚度的铋(Bi)的透射率的样品。

在第七样品的情况下，显然在大约380nm至大约780nm的波长处透射率(％)是大约85至大约100，并且随着波长的增加，透射率(％)逐渐增加。

在第八样品的情况下，显然在大约380nm至大约780nm的波长处透射率(％)是大约55至75，并且随着波长的增加，透射率(％)逐渐增加。

在第九样品的情况下，显然在大约380nm至大约780nm的波长处透射率(％)是大约35至43。

在第十样品的情况下，显然在大约380nm至大约780nm的波长处透射率(％)是大约88至大约100，并且随着波长的增加，透射率(％)逐渐增加。显然，第十样品的根据波长的透射率(％)的转变与第七样品的根据波长的透射率(％)的转变基本上相同。

在第十一样品的情况下，显然在大约380nm至大约780nm的波长处透射率(％)是大约60至78，并且随着波长的增加，透射率(％)逐渐增加。显然，第十一样品的根据波长的透射率(％)的转变与第八样品的根据波长的透射率(％)的转变基本上相同。显然，第八样品的根据波长的透射率和第十一样品的根据波长的透射率之间存在大约5％或更小的差异。

在第十二样品的情况下，显然在大约380nm至大约780nm的波长处透射率(％)是大约40至45。显然，第十二样品的根据波长的透射率(％)的转变与第九样品的根据波长的透射率(％)的转变基本上相同。

接下来，参照图16，第十三样品是具有大约

的厚度的铋(Bi)直接沉积在具有大约/>

的厚度的镱(Yb)上并且在沉积之后立即测量透射率的样品，并且第十四样品是具有大约/>

的厚度的铋(Bi)直接沉积在具有大约/>

的厚度的镱(Yb)上并且是从沉积开始168小时(h)之后测量透射率的样品。

如参照图14所述的，第二样品的根据波长的透射率和第五样品的根据波长的透射率之间存在高达20％的差异，而第十三样品的根据波长的透射率和第十四样品的根据波长的透射率之间存在大约1％或更小的差异。这是因为具有铋(Bi)直接沉积在镱(Yb)上的镱(Yb)/铋(Bi)的堆叠结构的无机沉积层的氧化几乎不进行，并且因此透射率没有变化。

图17是根据又一实施例的显示面板的截面图。图18是图17的区域B的放大截面图。

参照图17和图18，根据本实施例的显示面板14的无机沉积层ML_2与图11的显示面板12的无机沉积层ML_1的不同之处在于，显示面板14的无机沉积层ML_2还包括第三无机沉积层ML3。

更具体地，根据本实施例的显示面板14的无机沉积层ML_2还可以包括第三无机沉积层ML3。第三无机沉积层ML3可以设置在第一无机沉积层ML1和覆盖层CPL之间。第三无机沉积层ML3的还原能力可以小于第一无机沉积层ML1的还原能力。例如，第三无机沉积层ML3可以与第二无机沉积层ML2包括相同的材料。即，第三无机沉积层ML3可以包括铋(Bi)。第三无机沉积层ML3和第二无机沉积层ML2设置成具有其中第一无机沉积层ML1夹在第三无机沉积层ML3和第二无机沉积层ML2之间的结构，使得第一无机沉积层ML1从其顶表面和底表面的氧化可以被抑制。例如，第三无机沉积层ML3的厚度T1c'可以小于第一无机沉积层ML1的厚度T1a'，并且可以与第二无机沉积层ML2的厚度T1b'相同，但是本公开不限于此。

由于已经参照图11进行了其它描述，因此省略了详细描述。

图19是根据又一实施例的显示面板的截面图。

参照图19，根据本实施例的显示面板15与图17的显示面板14的不同之处在于，显示面板15还包括在无机沉积层ML_2和薄膜封装层190之间的第三氧化层MOL3。

更具体地，根据本实施例的显示面板15还可以包括在无机沉积层ML_2和薄膜封装层190之间的第三氧化层MOL3。第三氧化层MOL3可以与图13的第二氧化层MOL2包括相同的材料。

由于已经参照图17进行了其它描述，因此以下将省略详细描述。

图20是根据又一实施例的显示面板的截面图。

参照图20，根据本实施例的显示面板15与图8的显示面板10的不同之处在于，无机沉积层ML_3包括多个图案。更具体地，无机沉积层ML_3包括多个图案，并且图案中的每一个可以形成为岛形状。例如，相邻图案之间的距离W2可以小于或等于图案的宽度W1的大约1％。根据本实施例的无机沉积层ML_3包括铋(Bi)，并且铋(Bi)具有高的粒子团聚的倾向，使得无机沉积层ML_3可以通过岛生长法形成。

由于已经参照图8进行了其它描述，因此以下将省略详细描述。

图21是根据又一实施例的无机沉积层的截面图。具体地，图21中示出了无机沉积层ML_4以及部分的第一无机层191和覆盖层CPL。

参照图21，根据本实施例的无机沉积层ML_4与无机沉积层ML_1(参见图12)的不同之处在于，第二无机沉积层ML2_1包括与图20的无机沉积层ML_3的多个图案相似的多个图案。如图21中所示，第一无机层191可以填充第二无机沉积层ML2_1的相邻图案之间的空间，并且可以与第一无机沉积层ML1的被多个图案暴露的顶表面直接接触。由于已经参照图12和图20进行了其它详细描述，因此以下将省略详细描述。

图22是根据又一实施例的无机沉积层的截面图。具体地，图22中示出了无机沉积层ML_5以及部分的第一无机层191和覆盖层CPL。

参照图22，根据本实施例的无机沉积层ML_5与图18的无机沉积层ML_2的不同之处在于，无机沉积层ML_5的第二无机沉积层ML2_1和第三无机沉积层ML3_1包括与图20的无机沉积层ML_3类似的多个图案的多个图案。第一无机沉积层ML1可以填充第三无机沉积层ML3_1的相邻图案之间的空间，并且可以与覆盖层CPL的被多个图案暴露的顶表面直接接触。此外，第一无机层191可以填充第二无机沉积层ML2_1的相邻图案之间的空间，并且可以与第一无机沉积层ML1的被多个图案暴露的顶表面直接接触。

由于已经参照图18和图20进行了其它详细描述，因此以下将省略详细描述。

尽管出于说明性目的公开了本发明的实施例，但是本领域技术人员将理解的是，在不背离所附权利要求中公开的本发明的范围和精神的情况下，可以进行各种修改、添加和替换。

Claims (21)

1.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：

基底；

第一电极，在所述基底上；

堤层，局部地暴露所述第一电极的顶表面；

发光层，设置在所述第一电极的局部地暴露的所述顶表面上；

第二电极，在所述发光层和所述堤层上；

无机沉积层，在所述第二电极上；以及

薄膜封装层，在所述无机沉积层上，

其中，对于具有大约550nm的波长的光，所述无机沉积层的吸光系数小于4。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述无机沉积层包括金属。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述无机沉积层具有500nm至1700nm的厚度。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述无机沉积层包括：

第一无机沉积层，在所述第二电极上；和

第二无机沉积层，在所述第一无机沉积层上。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述无机沉积层包括彼此间隔开的多个图案。

6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第二无机沉积层包括彼此间隔开的多个图案，并且所述薄膜封装层填充所述多个图案的相邻图案之间的空间。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，在所述空间中，所述薄膜封装层与所述第一无机沉积层直接接触。

8.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一无机沉积层包括第一材料，所述第二无机沉积层包括第二材料，并且

所述第一材料和所述第二材料中的每一者包括银、镁、锰、铋、镱、锌、碲和硒中的至少一种。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第一无机沉积层包括镱，并且

所述第二无机沉积层包括铋。

10.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括在所述第二无机沉积层和所述薄膜封装层之间的氧化层，

其中，所述氧化层包括所述第二无机沉积层的所述第二材料和氧原子。

11.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述无机沉积层还包括设置在所述第一无机沉积层和所述第二电极之间的第三无机沉积层，并且

所述第三无机沉积层包括所述第二材料。

12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第二无机沉积层和所述第三无机沉积层中的每一者包括彼此间隔开的多个图案。

13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述无机沉积层包括第一材料，并且

所述第一材料包括银、镁、锰、铋、镱、锌、碲和硒中的至少一种。

14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括在所述无机沉积层和所述薄膜封装层之间的氧化层，

其中，所述氧化层包括所述无机沉积层的所述第一材料和氧原子。

15.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括设置在所述无机沉积层和所述第二电极之间的覆盖层。

16.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：

基底；

多个第一电极，在所述基底上；

堤层，局部地暴露所述多个第一电极的顶表面中的每一个；

发光层，设置在所述多个第一电极的局部地暴露的所述顶表面中的每一个上；

第二电极，在所述发光层和所述堤层上；

N个无机沉积层，在所述第二电极上，其中N是大于或等于1的自然数；

薄膜封装层，包括至少一个无机层和至少一个有机层，并且设置在所述无机沉积层上；

触摸层，在所述薄膜封装层上；以及

防反射构件，在所述触摸层上，

其中，所述无机沉积层包括银、镁、锰、铋、镱、锌、碲和硒中的至少一种。

17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述防反射构件包括光阻挡图案和防反射层，在平面图中所述光阻挡图案位于所述多个第一电极的相邻第一电极之间，并且所述防反射层设置在所述光阻挡图案上。

18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述防反射层包括树脂和分散在所述树脂中的防反射染料。

19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述防反射染料包括卟啉类染料、金属卟啉类染料、次甲基、三嗪、二吡咯亚甲基类染料、四氮杂卟啉、酞菁、恶嗪、花青或方酸。

20.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述无机沉积层包括在所述第二电极上的第一无机沉积层和在所述第一无机沉积层上的第二无机沉积层。

21.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述第一无机沉积层包括镱，所述第二无机沉积层包括铋。

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