CN114447044A - 显示装置 - Google Patents

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CN114447044A CN202111211751.4A CN202111211751A CN114447044A CN 114447044 A CN114447044 A CN 114447044A CN 202111211751 A CN202111211751 A CN 202111211751A CN 114447044 A CN114447044 A CN 114447044A
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touch
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金雄植
李尚炫
裵东焕
边镇洙
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Abstract

一种显示装置包括：发射层，在多个第一电极和第二电极之间；封装层，在所述第二电极上；触摸层，在所述封装层上；多个折射图案，在所述触摸层上并且与所述发射层重叠；以及，折射膜，覆盖折射图案。所述多个折射图案中的每一个和所述折射膜包括有机材料，并且所述折射膜的折射率小于所述多个折射图案中的每一个的折射率。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年10月30日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0142619号韩国专利申请的优先权和由其获得的所有权益，该韩国专利申请的内容通过引用全部合并于此。
技术领域
本文描述的一个或多个实施例涉及一种显示装置。
背景技术
许多电子装置具有显示器。示例包括液晶显示器、场发射显示器、有机发光显示器、无机发光显示器和微发光显示装置。这些显示器具有降低性能或图像质量的发光低效现象。
发明内容
本文描述的一个或多个实施例提供一种具有改善的发光效率和/或减小的厚度的显示装置。需要说明的是，本公开的目的不限于上述目的；并且本领域技术人员从以下描述中将清楚本发明的其他目的。
根据一个或多个实施例，显示装置包括：基底；多个第一电极，在所述基底上；第二电极，在所述多个第一电极上方；发射层，在所述多个第一电极和所述第二电极之间；封装层，在所述第二电极上；触摸层，在所述封装层上，并且包括触摸电极；多个折射图案，彼此间隔开并且设置在所述触摸层上以与所述发射层重叠；以及折射膜，覆盖所述多个折射图案。所述多个折射图案中的每一个和所述折射膜包括有机材料，并且所述折射膜的折射率小于所述多个折射图案中的每一个的折射率。
根据一个或多个实施例，一种显示装置包括：基底；多个第一电极，在所述基底上；第二电极，在所述多个第一电极上方；发射层，在所述多个第一电极中的每一个和所述第二电极之间；封装层，在所述第二电极上；触摸层，在所述封装层上并且包括触摸电极；多个折射图案，在所述触摸层上；以及折射膜，覆盖所述多个折射图案。所述多个折射图案中的每一个和所述折射膜包括着色剂，并且所述折射膜的折射率小于所述多个折射图案中的每一个的折射率。
应当注意，本公开的效果不限于上述那些，并且本领域技术人员从以下描述中将清楚本公开的其他效果。
附图说明
通过参照附图详细描述本公开的实施例，本公开的上述和其他方面和特征将变得更加清楚，在附图中：
图1是示出显示装置的实施例的平面图；
图2是根据实施例的显示装置的部分的截面图；
图3是示出图1的显示装置中的显示面板的堆叠结构的实施例的截面图；
图4是触摸构件(或触摸传感器)的实施例的示意性平面图；
图5是图4的触摸区域的部分的示例的放大图；
图6是根据实施例的沿着图5的线VI-VI'截取的截面图；
图7是示出在显示区域中的网格图案中的像素和触摸构件之间的布置关系的实施例的图；
图8示出根据实施例的图7的区域A的放大图；
图9示出沿着图8的线IX-IX'截取的截面图；
图10至图13是示出根据实施例的高折射图案的相对效率对锥角的示例的图；
图14是显示装置的实施例的截面图；
图15是示出高折射图案的相对效率对锥角的实施例的图；
图16是显示装置的实施例的截面图；
图17是显示装置的实施例的截面图；
图18是显示装置的实施例的截面图；
图19是示意性地示出显示装置的实施例的截面图；以及
图20示出图19的显示装置的截面图。
具体实施方式
在下文中，将参照示出本发明的优选实施例的附图更充分地描述本发明。然而，本发明可以以不同的形式体现并且不应被解释为限于这里阐述的实施例。而是，提供这些实施例作为示例，使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本发明的范围。
将理解的是，当层或基底被称为“在”另一层或基底“上”时，该层或基底可以直接在所述另一层或基底上，或者可以存在居间层。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的组件。在附图中，为了清楚起见，夸大了层和区域的厚度。
尽管在这里可以使用术语“第一”和“第二”来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语可以用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离一个或多个实施例的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。将元件描述为“第一”元件可能不需要或暗示存在第二元件或其他元件。术语“第一”、“第二”等在本文还可以用于区分不同类别或元件组。为简洁起见，术语“第一”、“第二”等可以分别表示“第一类(或第一组)”、“第二类(或第二组)”等。
在下文中，将参照附图描述本公开的实施例。
图1是示出显示装置1的实施例的平面图，并且图2是根据实施例的显示装置的部分的截面图。
在实施例中，第一方向DR1可以与第二方向DR2相交。在图1的平面图中，为了便于说明，第一方向DR1可以是垂直方向，并且第二方向DR2可以是水平方向。在以下描述中，当从顶部观察时，第一方向DR1的第一侧表示上侧，第一方向DR1的第二侧表示下侧，第二方向DR2的第一侧表示右侧，并且第二方向DR2的第二侧表示左侧。
第三方向DR3是指与第一方向DR1和第二方向DR2位于的平面相交的方向，并且第三方向DR3垂直于第一方向DR1和第二方向DR2二者。应当理解，相对于实施例所指的方向为相对方向，并且实施例并不限于所提及的方向。如这里所用，并且术语“顶部”、“上表面”和“上侧”指的是显示面板10的在第三方向DR3上的显示侧，而除非另有说明，否则术语“底部”、“下表面”和“下”指的是显示面板10的在第三方向DR3上的相对侧。
参照图1和图2，显示装置1可以指具有或耦接到显示屏的任何电子装置。例如，电子装置可以是便携式电子装置(包括但不限于移动电话、智能电话、平板个人电脑(PC)、电子手表、智能手表、手表电话、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置、游戏机和数码相机)，以及电视机、笔记本电脑、监视器、电子广告牌以及各种类型的物联网装置。
在显示装置1中，显示区域可以限定为显示图像的区域，非显示区域可以限定为不显示图像的区域，并且触摸区域可以限定为感测触摸输入的区域。在这种情况下，显示装置1可以包括有源区域AAR和非有源区域NAR。显示区域和触摸区域可以在有源区域AAR中并且可以彼此重叠，例如，在有源区域AAR中显示图像并且感测触摸输入。
有源区域AAR的形状可以是矩形或带有圆角的矩形。在所示的示例中，有源区域AAR的形状是具有圆角并且第一方向DR1上的侧边长于第二方向DR2上的侧边的矩形。然而，将理解的是，本公开不限于此。有源区域AAR可以具有各种其他形状。示例包括第二方向DR2上的侧边长于第一方向DR1上的侧边的矩形形状、正方形形状、其他多边形形状、圆形形状和椭圆形形状。
非有源区域NAR在有源区域AAR周围或与有源区域AAR相邻。非有源区域NAR可以包括边框区域，并且例如可以围绕有源区域AAR的所有或少于所有的侧边(附图中的四个侧边)。然而，将理解的是，本公开不限于此。例如，非有源区域NAR可以不设置在有源区域AAR的上侧附近或其左侧或右侧附近，或者可以设置在有源区域AAR的少于所有侧边的周围或与有源区域AAR的少于所有侧边相邻。
信号线可以在非有源区域NAR中，用于将信号施加到有源区域AAR(显示区域和/或触摸区域)中的各种电路(例如，驱动电路)。在一个实施例中，非有源区域NAR可以不包括显示区域。此外，非有源区域NAR可以不包括触摸区域。在另一实施例中，非有源区域NAR可以包括触摸区域的部分，并且传感器(例如，压力传感器)可以设置在该部分中。在一些实施例中，有源区域AAR可以与显示图像的显示区域基本上相同，和/或非有源区域NAR可以与不显示图像的非显示区域基本上相同。
显示装置1包括用于提供显示屏幕的显示面板10。显示面板10的示例包括有机发光显示面板、微型LED显示面板、纳米LED显示面板、量子点显示面板、液晶显示面板、等离子显示面板、场发射显示器面板、电泳显示面板和电润湿显示面板以及其他等。在以下描述中，采用有机发光显示面板作为显示面板10的示例，但本公开不限于此。在这里描述的实施例中可以采用任何其他显示面板。
显示面板10可以包括以预定图案例如矩阵布置的多个像素。每个像素的形状在俯视图中可以是但不限于是矩形或正方形。在一个实施例中，每个像素可以具有侧边相对于第一方向DR1和/或第二方向DR2倾斜的菱形形状。像素可以包括具有相同或不同形状的发射区域。发射区域的形状的示例包括矩形、菱形、六边形、八边形和圆形。下面描述像素和发射区域的实施例。
显示装置1可以包括用于感测触摸输入的触摸传感器。触摸传感器可以实现为与显示面板10分离的面板或薄膜以附着到显示面板10上，或者可以以内部的触摸层的形式或以其他形式耦接到显示面板10实现。为了说明的目的，在下面的描述中，触摸传感器提供在显示面板10中包括的触摸面板内部。
在一个实施例中，显示面板10可以包括包含诸如聚酰亚胺的柔性聚合物材料的柔性基底。因此，显示面板10可以弯曲、弯折、折叠或卷曲。
显示面板10可以包括弯折区域BR、在弯折区域BR的一侧上的主区域MR以及在弯折区域BR的另一侧上的辅助区域SR。显示面板10的显示区域在主区域MR中。根据实施例，主区域MR中的显示区域的边缘部分、弯折区域BR的全部或部分以及辅助区域SR的全部或部分可以是非显示区域。然而，将理解的是，本公开不限于此。在一个实施例中，弯折区域BR及/或辅助区域SR也可以包括显示区域。
当从顶部观察时，主区域MR可以具有与显示装置1的外观大致相似的形状。主区域MR可以是位于一个平面内的平坦区域。然而，将理解的是，本公开不限于此。主区域MR的除了连接到弯折区域BR的边缘(侧边)之外的至少一个边缘可以弯折以形成弯曲表面或者可以弯折成直角。
当主区域MR的除了连接到弯折区域BR的边缘(侧边)之外的至少一个边缘弯曲或弯折时，显示区域也可以在边缘处。然而，将理解的是，本公开不限于此。弯曲或弯折的边缘可以是不显示图像的非显示区域，或者显示区域和非显示区域可以设置在一起。
弯折区域BR在第一方向DR1上连接到主区域MR的另一侧边。例如，弯折区域BR可以连接到主区域MR的下部短侧边。弯折区域BR的宽度可以小于主区域MR的宽度(短侧边的宽度)。主区域MR与弯折区域BR相遇的部分可以被切割成预定形状，例如L形状。
在弯折区域BR中，显示面板10可以在厚度方向上(例如在远离显示表面的方向上)向下弯折具有曲率。尽管弯折区域BR可以具有恒定的曲率半径，但是本公开不限于此。对于不同的部分，它可以具有不同的曲率半径。当显示面板10在弯折区域BR处弯折时，显示面板10的表面可以反转。例如，显示面板10的朝上的表面可以在弯折区域BR处被弯折为朝外，并且然后朝下。
辅助区域SR可以从弯折区域BR延伸，例如，在显示装置1已经弯折之后，辅助区域SR可以在平行于主区域MR的方向上延伸。辅助区域SR可以在显示面板10的厚度方向上与主区域MR重叠。辅助区域SR的宽度(在第二方向DR2上的宽度)可以等于但不限于等于弯折区域BR的宽度。
驱动芯片20可以在辅助区域SR中并且例如可以包括用于驱动显示面板10的集成电路。集成电路可以包括用于驱动显示面板10的集成电路和/或用于触摸单元的集成电路。用于驱动显示面板10的集成电路和用于触摸单元的集成电路可以作为单独的芯片提供，或者也可以集成为单个芯片。
焊盘区域可以在显示面板10的辅助区域SR的端部。焊盘单元可以包括显示信号线焊盘和触摸信号线焊盘。驱动基底30可以连接到显示面板10的辅助区域SR的端部的焊盘单元。驱动基底30可以是柔性印刷电路板或薄膜。
图3是示出图1的显示装置1中的显示面板10的堆叠结构的实施例的截面图，其中，显示面板10可以包括彼此堆叠的基底SUB、像素驱动层DRL、发射层EML、封装层ENL、触摸层TSL、光路改变层LWL、抗反射层RPL和保护层WDL。基底SUB可以支撑设置在其上的元件。
像素驱动层DRL可以在基底SUB上并且可以包括用于驱动每个像素的发射层EML的电路。像素驱动层DRL可以包括多个薄膜晶体管。
发射层EML可以在像素驱动层DRL上并且可以包括有机发射层。根据从像素驱动层DRL传输的驱动信号，发射层EML可以发射具有各种亮度的光。
封装层ENL可以在发射层EML上并且可以包括无机膜或无机膜和有机膜的堆叠。作为另一示例，可以采用玻璃或封装膜作为封装层ENL。
触摸层TSL可以在封装层ENL上并且可以感测触摸输入并且可以执行触摸传感器(或触摸面板)的功能。触摸层TSL可以包括多个感测区域和感测电极。
光路改变层LWL可以在触摸层TSL上并且可以改善从发射层EML发射的光的发光效率。然而，将理解的是，本公开不限于此。例如，光路改变层LWL可以减少外部光的反射或者可以改善反射颜色。
抗反射层RPL可以在光路改变层LWL上并且可以用于减少外部光的反射。抗反射层RPL可以以偏振膜的形式附着。在这种情况下，抗反射层RPL可以使穿过它的光偏振，并且抗反射层RPL可以通过粘合层附着在光路改变层LWL上。在一个实施例中，可以省略偏振膜形式的抗反射层RPL。抗反射层RPL可以减少外部光的反射。然而，将理解的是，本公开不限于此。抗反射层RPL可以以滤色器层的形式堆叠在显示面板10内部或耦接到显示面板10。在这种情况下，抗反射层RPL可以包括选择性地传输特定波长的光的滤色器等。
保护层WDL可以在抗反射层RPL上并且可以包括例如窗口构件。保护层WDL可以通过光学透明粘合剂等附着在抗反射层RPL上。稍后描述显示面板10的堆叠结构的实施例。
图4是触摸构件(或触摸传感器)的实施例的示意性平面图，其可以包括有源区域AAR(见图1)中的触摸区域和非有源区域NAR(见图1)中的非触摸区域。尽管为了便于说明在图4中在夸大了非触摸区域的同时简化了触摸构件，但是触摸区域的形状和非触摸区域的形状可以与上面参考图1描述的有源区域AAR的形状和非有源区域NAR的形状基本上相同。
触摸构件(或触摸传感器)的触摸区域可以包括多个第一感测电极IE1(或第一触摸电极)和多个第二感测电极IE2(或第二触摸电极)。第一感测电极IE1和第二感测电极IE2中的一者可以是驱动电极，并且它们中的另一者可以是感测电极。在本实施例中，第一感测电极IE1是驱动电极，并且第二感测电极IE2是感测电极。
第一感测电极IE1可以在第一方向DR1上延伸，并且可以包括(布置在第一方向DR1上的)多个第一传感器部分SP1和电连接在相邻的第一传感器部分SP1之间的第一连接部分CP1。第一感测电极IE1可以布置在第二方向DR2上。
第二感测电极IE2可以在第二方向DR2上延伸，并且可以包括布置在第二方向DR2上的多个第二传感器部分SP2和电连接在相邻的第二传感器部分SP2之间的第二连接部分CP2。第二感测电极IE2可以布置在第一方向DR1上。尽管附图中布置了四个第一感测电极IE1和六个第二感测电极IE2，但是可以理解的是，第一感测电极IE1和第二感测电极IE2的数量不限于上述数值。
第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2中的至少一些可以具有菱形形状。第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2中的一些可以具有截头菱形形状。例如，除了在延伸方向上的第一个传感器部分和最后一个传感器部分之外的所有(或少于所有)的第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2可以具有菱形形状，并且在延伸方向上的第一个传感器部分和最后一个传感器部分中的每一个可以具有通过切割菱形形状获得的三角形形状。菱形形状的第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2可以具有基本上相同的尺寸和形状。三角形形状的第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2可以具有基本上相同的尺寸和形状。然而，将理解的是，本公开不限于此。第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2可以具有多种形状和尺寸。
第一感测电极IE1的第一传感器部分SP1和第二感测电极IE2的第二传感器部分SP2可以各自包括预定图案，例如平面图案或网格图案。当第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2包括平面图案时，第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2可以形成为透明导电层。当第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2包括如图5和图7中所示的沿着非发射区域设置的网格图案时，可以采用不透明的低电阻金属而不干扰发射光的传播。在以下描述中，第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2中的每一个可以包括网格图案，但是在另一实施例中可以具有不同的图案。
第一连接部分CP1中的每一个可以将第一传感器部分SP1的菱形形状或三角形形状的顶点与相邻的第一传感器部分SP1的顶点连接。第二连接部分CP2中的每一个可以将第二传感器部分SP2的菱形形状或三角形形状的顶点与相邻的第二传感器部分SP2的顶点连接。第一连接部分CP1和第二连接部分CP2的宽度可以分别小于第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2的宽度。
第一感测电极IE1和第二感测电极IE2可以彼此绝缘并且彼此交叉。第一感测电极IE1通过导电层彼此连接，并且第二感测电极IE2在交点处通过不同层上的另一导电层相互连接，使得第一感测电极IE1与第二感测电极IE2绝缘。第一感测电极IE1可以通过第一连接部分CP1彼此连接，同时第二感测电极IE2可以通过第二连接部分CP2彼此连接，使得它们在彼此交叉的同时彼此绝缘。为此，第一连接部分CP1和/或第二连接部分CP2可以与第一感测电极IE1和第二感测电极IE2在不同的层上。
例如，第一感测电极IE1的第一传感器部分SP1和第二感测电极IE2的第二传感器部分SP2可以形成为相同层上的导电层，并且第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2可以既不交叉也不互相重叠。相邻的第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2可以彼此物理分离。
第二连接部分CP2可以形成为与第二传感器部分SP2相同的导电层并且可以连接相邻的第二传感器部分SP2。第一感测电极IE1的第一传感器部分SP1相对于第二连接部分CP2通过的区域与其相邻的传感器部分SP1物理分离。将第一传感器部分SP1彼此连接的第一连接部分CP1可以形成为与第一传感器部分SP1不同的导电层并且可以横穿第二感测电极IE2的区域。第一连接部分CP1中的每一个可以通过接触件电连接到相应的第一传感器部分SP1。
在一个实施例中，可以有一个以上的第一连接部分CP1。例如，第一连接部分CP1中的每一个可以包括在一侧上与相邻的第二感测电极IE2重叠的第一连接部分CP1_1和在另一侧上与另一个相邻的第二感测电极IE2重叠的另一第一连接部分CP1_2。由于一个以上的第一连接部分CP1连接在两个相邻的第一传感器部分SP1之间，因此即使当第一连接部分CP1中的任何一个被静电等破坏时，也可以防止第一感测电极IE1断开。
彼此相邻的第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2可以形成单元感测区域SUT(例如，参见图5)。例如，相对于第一感测电极IE1和第二感测电极IE2之间的交叉点，两个相邻的第一传感器部分SP1的一半和两个相邻的第二传感器部分SP2的一半可以形成正方形或矩形。由两个相邻的第一传感器部分SP1的一半和两个相邻的第二传感器部分SP2的一半限定的区域可以与单元感测区域SUT相对应。多个单元感测区域SUT可以布置在行方向和列方向上。
在单元感测区域SUT中的每一个中，可以测量相邻的第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2之间的电容值以感测触摸输入。如果这样，则触摸输入的位置可以被确定为与触摸输入坐标相对应。例如，可以通过例如测量互电容来感测触摸。在另一实施例中，触摸传感器可以是用于检测触摸的输入和位置的电阻式传感器。
每个单元感测区域SUT可以大于像素的尺寸。例如，每个单元感测区域SUT可以具有等于多个像素所占据的面积的面积。单元感测区域SUT的一侧的长度可以在但不限于在从大约4mm至大约5mm的范围内。
参考图1和图4，多条触摸信号线在触摸区域外部的非有源区域NAR中。触摸信号线可以从辅助区域SR中的触摸信号线焊盘单元TPA1和TPA2通过弯折区域BR延伸到主区域MR的非有源区域NAR。
触摸信号线可以包括触摸驱动线TX和触摸感测线RX。在实施例中，触摸信号线还可以包括触摸接地线G和/或触摸抗静电线ES。触摸驱动线TX连接到第一感测电极IE1。在实施例中，多条触摸驱动线TX可以连接到单个第一感测电极IE1，例如，触摸驱动线TX可以包括连接到第一感测电极IE1的下端的第一触摸驱动线TX1_1、TX2_1、TX3_1和TX4_1，以及连接到第一感测电极IE1的上端的第二触摸驱动线TX1_2、TX2_2、TX3_2和TX4_2。第一触摸驱动线TX1_1、TX2_1、TX3_1和TX4_1可以从触摸信号线焊盘单元TPA1(如在第一方向DR1上的上箭头所示)延伸并且可以连接到第一感测电极IE1的下端。第二触摸驱动线TX1_2、TX2_2、TX3_2和TX4_2可以从触摸信号线焊盘单元TPA1延伸(如在第一方向DR1上的上箭头所示)并且可以沿着触摸区域的左边缘前进以连接到第一感测电极IE1的上端。
触摸感测线RX连接到第二感测电极IE2。在实施例中，单个触摸感测线RX可以连接到单个第二感测电极IE2。触摸感测线RX1、RX2、RX3、RX4、RX5和RX6可以从触摸信号线焊盘单元TPA2(如在第一方向DR1上的上箭头所示)延伸并且可以沿着触摸区域的右边缘前进以连接到第二感测电极IE2的右端。
触摸抗静电线ES可以在触摸信号线的最外部分处。在实施例中，触摸抗静电线ES可以包括第一触摸抗静电线ES1、第二触摸抗静电线ES2、第三触摸抗静电线ES3和第四触摸抗静电线ES4。第一触摸抗静电线ES1至第四触摸抗静电线ES4可以以预定形状例如环形形状围绕触摸区域和触摸信号线。
第一触摸抗静电线ES1可以从右侧上的触摸信号线的外侧覆盖右侧上的触摸信号线。第二触摸抗静电线ES2可以从右侧上的触摸信号线的内侧覆盖右侧上的触摸信号线。第三触摸抗静电线ES3可以覆盖左侧上的触摸信号线的内侧和在触摸区域的下侧上在第二方向DR2上延伸的触摸信号线的外侧。第四触摸抗静电线ES4可以覆盖位于左侧的触摸信号线的外侧和在触摸区域的上侧上在第二方向DR2上延伸的触摸信号线的外侧。
触摸接地线G可以在触摸信号线之间，并且可以包括第一触摸接地线G1、第二触摸接地线G2、第三触摸接地线G3、第四触摸接地线G4和第五触摸接地线G5。第一触摸接地线G1可以在触摸感测线RX和第一触摸抗静电线ES1之间。第二触摸接地线G2可以在第二触摸抗静电线ES2和触摸感测线RX之间。第三触摸接地线G3可以在第一触摸驱动线TX_1和第三触摸抗静电线ES3之间。第四触摸接地线G4可以在第一触摸驱动线TX_1和第二触摸驱动线TX_2之间。第五触摸接地线G5可以在第二触摸驱动线TX_2和第四触摸抗静电线ES4之间。
图5是图4的触摸区域的部分的示例的放大图，并且图6是根据实施例的沿着图5的线VI-VI'截取的截面图。
参照图4至图6，触摸构件可以包括基体层205、基体层205上的第一触摸导电层210、第一触摸导电层210上的第一触摸绝缘层215和第一触摸绝缘层215上的第二触摸导电层220。第一触摸导电层210在基体层205上，并被第一触摸绝缘层215覆盖。第一触摸绝缘层215将第一触摸导电层210与第二触摸导电层220绝缘。第二触摸导电层220在第一触摸绝缘层215上，并且第二触摸绝缘层覆盖并保护第二触摸导电层220。
基体层205可以包括无机绝缘材料。例如，基体层205可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。在一些实施例中，基体层205还可以包括或被替换为形成稍后描述的薄膜封装层的第二无机膜193(见图9)。
第一触摸导电层210和第二触摸导电层220中的每一个都可以包括金属或透明导电层。金属可以包括铝、钛、铜、钼、银或其合金。透明导电层可以包括透明导电氧化物(诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnOx)和氧化铟锡锌(ITZO))、导电聚合物(诸如PEDOT)、金属纳米线、石墨烯等。如上所述，当第一触摸导电层210和第二触摸导电层220在非发射区域上时，即使它们是不透明的、低电阻的金属，它们也不会干扰发射光的传播。
第一触摸导电层210和/或第二触摸导电层220可以包括多层导电层。例如，第一触摸导电层210和/或第二触摸导电层220可以具有钛/铝/钛的三层结构。
在实施例中，第一连接部分CP1可以形成为第一触摸导电层210，并且第一传感器部分SP1、第二传感器部分SP2和第二连接部分CP2可以形成为第二触摸导电层220。然而，将理解的是，本公开不限于此。第一连接部分CP1可以形成为第二触摸导电层220，并且传感器部分SP1和SP2以及第二连接部分CP2可以形成为第一触摸导电层210。触摸信号线可以形成为第一触摸导电层210或第二触摸导电层220。在一个实施例中，它们可以形成为通过接触件连接的第一触摸导电层210和第二触摸导电层220。此外，形成感测电极和触摸信号线的元件的触摸导电层可以通过多种方式进行修改。
第一触摸绝缘层215可以包括无机材料或有机材料。在实施例中，第一触摸绝缘层215可以包括无机材料。根据实施例，第一触摸绝缘层215可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层、氧化铝层等。
第一触摸绝缘层215可以包括接触孔CNT_T。第一触摸导电层210(例如，第一连接部分CP1)和第二触摸导电层220的部分(例如，第一传感器部分SP1)可以通过接触孔CNT_T彼此电连接。此外，第二触摸导电层220上还可以设置绝缘层。绝缘层可以包括无机材料或有机材料。当绝缘层包括有机材料时，尽管其下方存在高度差，但其可以具有平坦的上表面。
图7是示出在显示区域中的网格图案MSP中的像素和触摸构件之间的布置关系的实施例的图。
参照图7，有源区域AAR(见图1)的显示区域包括多个像素，像素中的每一个包括发射区域EMA。发射区域EMA与堤层126(例如，参见图9)的开口重叠并且可以在那里被划定。非发射区域NEM在像素的发射区域EMA和另一像素的发射区域EMA之间。非发射区域NEM与堤层126(例如，参见图9)重叠并且可以在那里划定。非发射区域NEM可以围绕发射区域EMA。当从顶部观察时，非发射区域NEM具有沿着与第一方向DR1和第二方向DR2相交的对角线方向布置的格子形状或网格形状。
网格图案MSP在非发射区域NEM中并且可以与上面参照图4至图6描述的第一触摸导电层210和第二触摸导电层220中的至少一个基本上相同。
像素可以包括第一颜色像素(例如，红色像素)、第二颜色像素(例如，蓝色像素)和第三颜色像素(例如，绿色像素)。每个颜色像素的发射区域EMA的形状可以是例如带有圆角的八边形、正方形或菱形。然而，将理解的是，本公开不限于此。每个发射区域EMA的形状可以是圆形、或带有或不带有圆角的其他多边形或形状。
在实施例中，第一颜色像素的发射区域EMA_R和第二颜色像素的发射区域EMA_B可以具有类似的形状，诸如带有圆角的菱形形状。第二颜色像素的发射区域EMA_B可以大于第一颜色像素的发射区域EMA_R。
第三颜色像素的发射区域EMA_G可以小于第一颜色像素的发射区域EMA_R。第三颜色像素的发射区域EMA_G可以具有在对角线方向上倾斜的八边形形状，并且例如可以在倾斜方向上具有最大宽度。第三颜色像素可以包括其中发射区域EMA_G1在第一对角线方向上倾斜的第三颜色像素和其中发射区域EMA_G2在第二对角线方向上倾斜的第三颜色像素。
可以以多种方式布置颜色像素。在实施例中，第一颜色像素(例如，红色像素)和第二颜色像素(例如，蓝色像素)可以在第二方向DR2上交替地布置以形成第一行。第三颜色像素(例如，绿色像素)可以在第二方向DR2上布置以形成紧接第一行的第二行。属于第二行的像素(第三颜色像素)可以相对于属于第一行的像素在第二方向DR2上以交错的方式布置。在第二行中，在第一对角线方向上倾斜的第三颜色像素和在第二对角线方向上倾斜的第三颜色像素可以在第二方向DR2上交替布置。属于第二行的第三颜色像素的数量可以是属于第一行的第一颜色像素的数量或第二颜色像素的数量的两倍。
在第三行中，与第一行颜色相同的颜色像素可以以相反的顺序布置。例如，在第一行的设置第一颜色像素的列中，在第三行的相同的列中设置第二颜色像素。在第一行的设置第二颜色像素的列中，在第三行的相同的列中设置第一颜色像素。在第四行中，第三颜色像素像第二行一样布置，但是鉴于相对于对角线方向倾斜的形状，它们可以以相反的顺序布置。例如，在第二行的设置在第一对角线方向上倾斜的第三颜色像素的列中，在第四行的相同的列中设置在第二对角线方向上倾斜的第三颜色像素。在第二行的设置在第二对角线方向上倾斜的第三颜色像素的列中，在第四行的相同的列中设置在第一对角线方向上倾斜的第三颜色像素。
第一行至第四行的布置可以在第一方向DR1上重复。将理解的是，像素的布置不限于上述示例。
网格图案MSP可以在非发射区域NEM中沿着像素的边界设置。网格图案MSP可以不与发射区域EMA重叠。网格图案MSP的宽度可以小于非发射区域NEM的宽度。在实施例中，由网格图案MSP暴露的网格孔MHL可以具有基本上菱形的形状。网格孔MHL可以具有相同的尺寸。在一个实施例中，根据经由网格孔MHL暴露的发射区域EMA的大小或无论网格孔MHL暴露的发射区域EMA的大小如何，网格孔MHL可以具有不同的大小。尽管在附图中的单个发射区域EMA周围形成单个网格孔MHL，但这仅是示例性的。在一些实施方案中，可以跨越两个或更多个发射区域EMA形成单个网格孔MHL。
图8示出根据实施例的图7的区域A的放大图，并且图9示出沿着图8的线IX-IX'截取的截面图。在图9的截面图中，阳极电极170下方的大部分层未示出，并且主要示出有机发光元件上方的结构。
参照图8和图9，显示装置1(见图1)的基底SUB可以包括诸如聚合物树脂的绝缘材料。聚合物材料的示例可以包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PA)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙基化物、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三醋酸纤维素(CAT)、醋酸丙酸纤维素(CAP)或其组合。基底100可以是可弯折、折叠或卷曲的柔性基底。柔性基底的材料的示例可以是但不限于是聚酰亚胺(PI)。
阳极电极170在基底SUB上，并且在一个实施例中阳极电极170可以直接设置在基底SUB上。还提供了多个薄膜晶体管和信号线，并且在一个实施例中薄膜晶体管和信号线可以在基底SUB和阳极电极170之间。
阳极电极170可以是每个像素的像素电极。阳极电极170可以具有例如具有高功函数的材料层和反射材料层的堆叠结构，其中具有高功函数的材料层的示例包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnOx)和氧化铟(In2O3)，以及反射材料层的示例包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、铅(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其混合物或化合物(例如MgF2)。具有高功函数的材料层可以在反射材料层上方，使得它更靠近有机层175。阳极电极170可以具有但不限于ITO/Mg、ITO/MgF2、ITO/Ag和ITO/Ag/ITO的多层结构。
堤层126可以在基底SUB上和阳极电极170上方，并且可以包括暴露阳极电极170的开口。发射区域EMA和非发射区域NEM可以由堤层126和其开口隔开。堤层126可以包括有机绝缘材料，诸如聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯(BCB)。堤层126可以包括无机材料。
堤层126可以包括光吸收材料，例如该光吸收材料可以包括例如诸如炭黑的无机黑色颜料或有机黑色颜料，可以包括黑色染料等，或者可以包括具有黑色以外颜色的颜料或染料。因此，可以抑制或防止从发射层发射的光被导向侧表面并且抑制或防止外部光的反射。此外，即使没有任何偏振膜，也可以抑制或防止诸如漏光等缺陷。
发射层在经由堤层126暴露的阳极电极170上。发射层可以包括有机层175，有机层175包括有机发射层，并且有机层175还可以包括空穴注入/传输层和/或电子注入/传输层。
阴极电极180可以在有机层175上并且可以是跨像素设置的公共电极。阳极电极170、有机层175和阴极电极180可以形成有机发光元件。阴极电极180可以与有机层175以及堤层126的上表面接触。阴极电极180可以与下方特征共形地形成以反映下方特征的高度差。阴极电极180可以包括具有小功函数的材料层。具有小功函数的材料层的示例包括Li、Ca、、Al、Mg、Ag、Pt、Pd、Ni、Au、Nd、Ir、Cr、和Ba，或其化合物(例如，LiF、BaF)或混合物(例如，银和镁的混合物)或前述材料的多层结构(例如，LiF/Ca、LiF/Al)。阴极电极180还可以包括在具有小功函数的材料层上的透明金属氧化物层。
薄膜封装层190可以在阴极电极180上并且可以包括第一无机膜191、有机膜192和第二无机膜193。第一无机膜191和第二无机膜193中的每一个可以包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等。有机膜192可以包括有机绝缘材料，诸如聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯(BCB)。
触摸层TSL可以在薄膜封装层190上，并且可以包括依次设置的基体层205、第一触摸绝缘层215和第二触摸导电层220。将省略对层的冗余描述。图9是传感器部分的截面图，并且因此截面图中未示出第一触摸导电层210。
第二触摸导电层220可以与堤层126重叠并且可以在非发射区域NEM中。第二触摸导电层220形成传感器部分的网格图案MSP并且不干扰光的发射并且由于它不与发射区域EMA重叠而不会被观察者看到。
光路改变层LWL可以在第一触摸绝缘层215上并且可以包括具有不同折射率的高折射图案HR和低折射膜LR。高折射图案HR的折射率可以大于低折射膜LR的折射率。在一个实施例中，高折射图案HR的折射率的范围可以为从大约1.53至大约1.8或从大约1.5至大约5，但不限于此。在一个实施例中，低折射膜LR的折射率的范围可以为从大约1.46至大约1.48或可以大于大约1且小于大约1.5。
在一个实施例中，可以包括多个高折射图案HR并且多个高折射图案HR可以彼此间隔开。当设置多个高折射图案HR时，高折射图案HR可以例如通过低折射膜LR彼此分开。高折射图案HR可以在发射区域EMA中并且可以覆盖相应的发射区域EMA。当从顶部观察时，高折射图案HR可以遍及整个(或小于全部)发射区域EMA并且可以大于发射区域EMA。例如，每个发射区域EMA可以在厚度方向(第三方向DR3)上完全(或部分)与高折射图案HR重叠，并且发射层的有机层175可以在厚度方向(第三方向DR3)上完全(或部分)与高折射图案HR重叠。
高折射图案HR可以包括下表面和侧表面之间的锥角θ。例如，高折射图案HR的侧表面可以与其上设置高折射图案HR的第一触摸绝缘层215形成锥角θ。锥角θ可以具有例如大于大约0度且小于或等于大约80度的范围，或可以具有从大约50度至大约80度的范围。然而，将理解的是，本公开不限于此并且锥角θ可以在其他范围内。
高折射图案HR的厚度的范围可以为从大约1.2μm至大约2.5μm或从大约0.1μm至大约3μm，但不限于此。高折射图案HR的厚度是指从高折射图案HR与第一触摸绝缘层215之间的界面到高折射图案HR的上表面的厚度，并且可以表示每个高折射图案HR的平均厚度。
当从顶部观察时，高折射图案HR的侧表面和发射层的有机层175的侧表面之间的(在一侧的)距离的范围可以为从大约2.5μm至大约4.0μm，或从大约1.5μm至大约5μm，但不限于此。当从顶部观察时，高折射图案HR的侧表面与发射层的有机层175的侧表面之间的距离可以指高折射图案HR的下表面与侧表面相遇的边缘和有机层175的上表面和侧表面相遇的边缘之间的距离。
低折射膜LR可以在高折射图案HR上方并且可以覆盖高折射图案HR的上表面和侧表面。低折射膜LR可以形成为但不限于形成为单片。低折射膜LR可以横跨发射区域EMA和非发射区域NEM。在发射区域EMA中，低折射膜LR可以在高折射图案HR上方。从发射层发射的光可以依次穿过高折射图案HR和低折射膜LR。换言之，从发射层发射的光可以穿过高折射图案HR并且然后可以穿过低折射膜LR。
即使从发射层发射的光L1在发射区域EMA中穿过高折射图案HR并且然后从高折射图案HR向低折射膜LR行进，该光也不会在高折射图案HR的上表面处进行全反射。这是因为入射角小于全反射的临界角。因此，从发射层发射的光L1的发光效率不会降低。
低折射膜LR的厚度可以是但不限于是从大约3μm至大约10μm，或从大约3μm至大约30μm。低折射膜LR的厚度可以是指从低折射膜LR和第一触摸绝缘层215的界面到低折射膜LR的上表面的厚度，并且可以表示整个(或部分)低折射膜LR的平均厚度。
高折射图案HR和低折射膜LR中的每一个可以包括有机材料。有机材料可以包括例如选自由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等组成的组中的至少一种。然而，将理解的是，有机材料不是限于此，并且在另一实施例中有机材料可以包括不同的材料。
当低折射膜LR包括有机材料时，不需要额外的平坦化层。例如，尽管由高折射图案HR和第二触摸导电层220产生的高度差，但是在高折射图案HR上方的低折射膜LR可以具有大致平坦的上表面。因此，可以不需要用于为光路改变层LWL提供平坦表面的额外元件。结果，可以改善工艺效率并且可以降低工艺成本。
高折射图案HR可以包括金属类型或者有机或无机类型的高折射材料。高折射图案HR可以包括第一纳米粒子。在一个实施例中，第一纳米粒子还可以包括氧化锆。氧化锆可以包括但不限于氧化钇稳定氧化锆(YSZ)。在一个实施例中，第一纳米粒子可以包括选自由银(Ag)、铂(Pt)、氧化锌(ZnOx)、硒化镉(CdSe)、锆钛酸铅(PZT)、锆酸铅钛酸盐(PLZT)(其是一种透光陶瓷)、钛酸盐钛酸钡(BaTiO3)、氧化铝(Al2O3)、铜(Cu)、镍(Ni)等组成的组中的至少一种。然而，将理解的是，本公开不限于此。只要它是具有在上述范围内的折射率的材料或者多种材料的混合物，可以包括在高折射图案HR中的材料就不受限制。
低折射膜LR还可以包括含氟单体，并且还可以包括低粘度丙烯酸单体和高粘度丙烯酸单体。在一个实施例中，低折射膜LR还可以包括第二纳米粒子。第二纳米粒子可以是选自由中空二氧化硅粒子、二氧化硅粒子、纳米硅酸盐粒子、致孔剂粒子等组成的组中的一种。
另外地或可替代地，低折射膜LR可以包括由以下化学式1表示的化合物：
Figure BDA0003309191500000191
其中a、b和c是1至6的整数。在化学式1中，X可以是能够交联的官能团，例如，X可以是化学式1中的交联剂。
在化学式1中，Y可以是选自氟官能团的一种。例如，氟官能团可以包括以下由化学式2表示的化合物和由化学式3表示的化合物：
Figure BDA0003309191500000192
其中g、h和i中的每一个是选自1至6的整数。
化合物的折射率的范围可以为从大约1.34至大约1.57。因此，当低折射膜LR包含化合物时，可以通过调节化合物的量来调节低折射膜LR的折射率。此外，可以满足上述折射率范围。然而，将理解的是，本公开不限于此。只要它是具有在上述范围内的折射率的材料或者多种材料的混合物，可以包括在低折射膜LR中的材料就不受限制。
因为高折射图案HR在发射区域EMA中并且低折射膜LR在高折射图案HR上，所以可以改善从发射层发射的光L2和L3的发光效率。例如，由于高折射图案HR和设置在高折射图案HR的侧表面上的低折射膜LR之间的折射率差异，即使光L2和L3经过高折射图案HR的侧表面行进到外部，光L2和L3也可以在朝向上侧的方向上折射。因此，朝向显示装置1(例如，参见图1)的侧边的光路可以朝向显示装置1的正面改变。这可以导致改善显示装置1的发光效率。
已经进行了模拟以验证这样的结果。例如，如图8和图9中所示，在高折射图案HR设置在发射区域EMA中且低折射膜LR堆叠在高折射图案HR上方的结构中，测量不同厚度和折射率的高折射图案HR的相对效率。根据一个实施例，当不设置光路改变层LWL时，作为参考，相对效率可以指在显示装置1(例如，参见图1)的正面处提取的光量与从发射层发射的光量的比值(以百分比表示)。
图10至图13是示出根据实施例的高折射图案HR的相对效率对锥角θ的示例的图。在图10至13的图中的每一个，横轴代表高折射图案HR的锥角θ，并且纵轴代表相对效率。
在图10示出的示例中，高折射图案HR的厚度是大约1.8μm，高折射图案HR的折射率是大约1.7，并且低折射膜LR的折射率是大约1.46。在图11示出的示例中，高折射图案HR的厚度是大约1.8μm，高折射图案HR的折射率是大约1.6，并且低折射膜LR的折射率是大约1.46。在图12示出的示例中，高折射图案HR的厚度是大约1.2μm，高折射图案HR的折射率是大约1.53，并且低折射膜LR的折射率是大约1.46。在图13示出的示例中，高折射图案HR的厚度是大约1.5μm，高折射图案HR的折射率是大约1.65，并且低折射膜LR的折射率是大约1.46。
此外，在图11中示出的示例中，高折射图案HR与发射层的有机层175之间的(在一侧的)距离是大约2.5μm。在图12中示出的示例中，高折射图案HR与发射层的有机层175之间的(在一侧的)距离是大约4.0μm。在图12中示出的示例中，高折射图案HR和发射层的有机层175之间的(在一侧的)距离是大约3.0μm。
参照图10，当设置高折射图案HR和低折射膜LR时，无论高折射图案HR的锥角如何，相对效率都大于100％。因此，可以看出，当设置光路改变层LWL(例如，参见图9)时，改善了发光效率。例如，当锥角是大约70度时，相对效率是近似136％，当锥角是大约75度时，相对效率是近似125％，并且当锥角是大约80度时，相对效率约是近似117％。因此，锥角越小，相对效率越大。
参照图11，当高折射图案HR的锥角小于大约85度时，相对效率大于100％。因此，可以看出，当设置光路改变层LWL(例如，参见图9)并且高折射图案HR的锥角小于大约85度时，改善了发光效率。例如，当锥角是大约65度时，相对效率是近似133％，当锥角是大约70度时，相对效率是近似119％，当锥角是大约75度时，相对效率是近似111％，并且当锥角是大约80度时，相对效率是近似105％。因此，锥角越小，相对效率越大。
参照图12，当设置高折射图案HR和低折射膜LR时，无论高折射图案HR的锥角如何，相对效率都大于100％。因此，可以看出，当设置光路改变层LWL(例如，参见图9)时，改善了发光效率。例如，当锥角是大约65度时，相对效率是近似130％，当锥角是大约70度时，相对效率是近似123％，当锥角是大约75度时，相对效率是近似119％，并且当锥角是大约80度时，相对效率是近似116％。因此，锥角越小，相对效率越大。
参照图13，当设置高折射图案HR和低折射膜LR时，无论高折射图案HR的锥角如何，相对效率都大于100％。因此，可以看出，当设置光路改变层LWL(例如，参见图9)时，改善了发光效率。在一个实施例中，当锥角是大约65度时，相对效率是近似140％，当锥角是大约70度时，相对效率是近似124％，当锥角是大约75度时，相对效率是近似115％，并且当锥角是大约80度时，相对效率是近似110％。因此，锥角越小，相对效率越大。
因为高折射图案HR在发射区域EMA中并且低折射膜LR堆叠在高折射图案HR上方，所以可以改善发光效率。此外，发射层发射的光L1、L2和L3可以更加集中，从而可以抑制或防止诸如反射色线的缺陷。此外，可以改善显示装置1(例如，见图1)的亮度并且可以改善白角差(WAD)。
由于低折射膜LR在高折射图案HR上方，因此可以形成高折射图案HR，并且然后可以形成低折射膜LR。例如，可以施加第一光敏有机材料，对第一光敏有机材料进行曝光并显影以在发射区域EMA中形成高折射图案HR，并且然后可以施加第二光敏有机材料以形成覆盖高折射图案HR的低折射膜LR。因为在已经形成高折射图案HR之后形成低折射膜LR，所以可以抑制或防止诸如低折射膜LR和/或高折射图案HR膨胀的缺陷。
表1示出当高折射图案HR被图案化并且然后将低折射膜LR设置在高折射图案HR上方并用紫外线(UV)线固化时，高折射图案HR随时间的膨胀长度的示例。高折射图案HR随时间的膨胀长度意味着高折射图案HR的厚度的变化，并展示在高折射图案HR的两个点(点1和点2)处测量的结果。
表1
Figure BDA0003309191500000221
即使高折射图案HR被图案化，并且然后形成低折射膜LR并用紫外线(UV)线固化低折射膜LR，高折射图案HR的厚度变化也小于0.2μm，甚至小于0.05μm。在这种情况下，基本上不会发生膨胀缺陷。
另外，当高折射图案HR和低折射膜LR被显影时，显影剂可以是四甲基氢氧化铵(TMAH)。当显影剂为TMAH时，可以减少对未被高折射图案HR覆盖的第二触摸导电层220、以及未被高折射图案HR或低折射膜LR覆盖但暴露在外部的处于焊盘区域的导电层的损坏。处于焊盘区域的导电层可以形成与第二触摸导电层220相同的导电层，也可以形成与第一触摸导电层210相同的导电层。然而，将理解的是，本公开不限于此。
因此，因为低折射膜LR在高折射图案HR上方，所以可以改善显示装置1(例如，参见图1)的可靠性并且可以减小显示装置1(例如，参见图1)的厚度。此外，可以减小低折射膜LR的厚度。如果显示装置1(例如，参见图1)是柔性显示装置，则可以改善柔性特性。
返回参照图8和图9，抗反射层RPL在低折射膜LR上并且保护层WDL在抗反射层RPL上。粘合层OC可以设置在抗反射层RPL和保护层WDL之间。抗反射层RPL和保护层WDL可以通过粘合层OC结合。粘合层OC可以是光学透明的，并且例如可以包括诸如光学透明粘合剂(OCA)膜和光学透明树脂(OCR)的透明粘合构件。
当抗反射层RPL被实施为偏振膜时，低折射膜LR、抗反射层RPL和粘合层OC可以包括基本上相同的折射率。因此，可以抑制或防止元件边界处的折射或全反射。结果，可以改善发光效率并且可以减少外部光的反射。
在下文中，将描述本公开的其他实施例。在以下描述中，相同或相似的元件将由相同或相似的附图标记表示，并且将简要描述或省略多余的描述。将集中于与上述实施例的不同之处进行描述。
图14是显示装置1_1的实施例的截面图，显示装置1_1的实施例与图9的实施例的不同之处在于显示装置1_1还可以包括颜料或染料。例如，高折射图案HR_1可以选择性地传输特定颜色的光。然而，本公开不限于此，例如，高折射图案HR_1还可以包括吸收特定颜色的波长之外的波长的诸如染料和颜料的着色剂。在这种情况下，高折射图案HR_1可以实现为滤色器。
高折射图案HR_1可以包括第一高折射图案HR_R、第二高折射图案HR_B和第三高折射图案HR_G。第一高折射图案HR_R可以在第一颜色像素的发射区域EMA_R中，第二高折射图案HR_B可以在第二颜色像素的发射区域EMA_B中，并且第三高折射图案HR_G可以在第三颜色像素的发射区域EMA_G中。
例如，第一高折射图案HR_R可以是红色滤色器层，第二高折射图案HR_B可以是蓝色滤色器层，并且第三高折射图案HR_G可以是绿色滤色器层层。也就是说，第一高折射图案HR_R可以选择性地传输红光，第二高折射图案HR_B可以选择性地传输蓝光，并且第三高折射图案HR_G可以选择性地传输绿光。在这种情况下，第一高折射图案HR_R还可以包括红色颜料或染料，第二高折射图案HR_B还可以包括蓝色颜料或染料，并且第三高折射图案HR_G还可以包括绿色颜料或染料。
尽管在前面的描述中高折射图案HR_1在发射区域EMA中，但是将理解的是，在其他实施例中高折射图案HR_1可以在发射区域EMA周围的非发射区域NEM以及发射区域EMA中。
当高折射图案HR_1被实现为滤色器时，可以去除抗反射层RPL。因此，可以减小显示装置1_1的厚度，并且如果显示装置1_1是柔性显示装置，则可以改善柔性特性。
此外，显示装置1_1还可以包括在非发射区域NEM中的黑矩阵BM_1。黑矩阵BM_1可以在高折射图案HR之间并且可以被实现为单件。然而，将理解的是，本公开不限于此。黑矩阵BM_1可以在厚度方向(第三方向DR3)上在非发射区域NEM中与高折射图案HR_1重叠，但本公开不限于此。黑矩阵BM_1可以覆盖第二触摸导电层220。黑矩阵BM_1可以包括吸收可见波长的光的光吸收材料。例如，黑矩阵BM_1可以是一种光阻挡构件。
在一个实施例中，抗反射膜可以设置在阴极电极180和第一无机膜191之间。抗反射膜可以减少入射到阴极电极180上的外部光的反射。例如，相消干涉可以发生于在抗反射膜处反射的光和在阴极电极180处反射的光之间，并且可以抑制或防止入射向阴极电极180的光的反射。抗反射膜可以包括无机膜。例如，抗反射膜可以包括钛(Ti)、钼(Mo)和铋(Bi)中的至少一种或者可以具有钛(Ti)/钼(Mo)的堆叠结构。
在一个实施例中，低折射膜LR可以在高折射图案HR_1和黑矩阵BM_1上方并且可以覆盖高折射图案HR_1和黑矩阵BM_1。无机膜可以在第一触摸绝缘层215上。无机膜可以覆盖第二触摸导电层220，并且高折射图案HR_1和黑矩阵BM_1可以在无机膜上。
当高折射图案HR_1包括吸收特定颜色的波长之外的波长的诸如染料和颜料的着色剂时，高折射图案HR_1可以不包括上述第一纳米粒子。如果高折射图案HR_1不包括第一纳米粒子但包含着色剂，则其还可以包括芳香树脂以通过将其与有机材料混合来满足上述折射率。由于高折射图案HR_1不包括上述第一纳米粒子，所以高折射图案HR_1的粘度可以降低。结果，它可以更稳定地放电。
在一个实施例中，用于选择性传输不同颜色光的高折射图案HR_1可以分别通过不同的工艺形成，并且用于选择性传输不同颜色光的高折射图案HR_1中的每一个的厚度可以单独调整。通过这种方式，可以对不同波长的可见光的发光效率进行单独调整，使得可以进一步改善整体的发光效率，并且可以改善显示装置1_1的色彩质量。
即使高折射图案HR_1包括着色剂但不包括上述第一纳米粒子，也可以通过将低折射膜LR设置在高折射图案HR_1上方来改善发光效率。已经进行了模拟以验证这样的结果。例如，如图14中所示，在包括着色剂的高折射图案HR设置在发射区域EMA中并且低折射膜LR堆叠在高折射图案HR上方的结构中，测量不同厚度的高折射图案HR_R、HR_B和HR_G的相对效率。
图15是示出高折射图案的相对效率对锥角的实施例的图。在图15的图中，横轴表示高折射图案HR_1的锥角，并且纵轴表示相对效率。
参照图15，线X表示第一高折射图案HR_R、第二高折射图案HR_B和第三高折射图案HR_G的厚度都是2.2μm。另外，关于线X，第一高折射图案HR_R的距离是24μm，第二高折射图案HR_B的距离是25μm，并且第三高折射图案HR_G的距离是20μm。
线Y表示第一高折射图案HR_R和第二高折射图案HR_B的厚度是3μm并且第三高折射图案HR_G的厚度是2.2μm的示例。另外，关于线Y，第一高折射图案HR_R的距离是24μm，第二高折射图案HR_B的距离是25μm，并且第三高折射图案HR_G的距离是22μm。
线Z表示第一高折射图案HR_R、第二高折射图案HR_B和第三高折射图案HR_G的厚度都是3μm的示例。另外，关于线Z，第一高折射图案HR_R的距离是24μm，第二高折射图案HR_B的距离是25μm，第三高折射图案HR_G的距离是22μm。
线W表示第一高折射图案HR_R、第二高折射图案HR_B和第三高折射图案HR_G的厚度都是2.2μm的示例。另外，关于线W，第一高折射图案HR_R的距离是24μm，第二高折射图案HR_B的距离是25μm，并且第三高折射图案HR_G的距离是24μm。
在图15的示例中，距离可以指当从顶部观察时设置在相应的有机层175上方的高折射图案HR_R、HR_B和HR_G中的每一个的宽度。当从顶部观察时高折射图案HR_R、HR_B和HR_G包括矩形形状或正方形形状时，其最长边的长度可以是距离。此外，当从顶部观察时高折射图案HR_R、HR_B和HR_G具有圆形形状或椭圆形形状时，距离可以指圆形形状的直径或椭圆形形状的长轴。
参照图15，当高折射图案HR_1包括着色剂并且低折射膜LR在高折射膜上方时，无论高折射图案HR_1的锥角如何，对于所有线X、Y、Z和W，相对效率都大于100％。因此，锥角越小，相对效率越大。因此，可以看出，即使高折射图案HR_1包括着色剂但不包括上述第一纳米粒子，通过在高折射图案HR_1上方设置低折射膜LR，也可以改善发光效率。
图16是显示装置1_2的实施例的截面图，显示装置1_2与图14的显示装置1_1的不同之处在于黑矩阵BM_2在低折射膜LR上。
参照图16，黑矩阵BM_2可以在非发射区域NEM中并且在低折射膜LR上。黑矩阵BM_2可以在低折射膜LR上。粘合层OC在黑矩阵BM_2上方并且可以覆盖黑矩阵BM_2。
尽管未示出，但是第二触摸导电层220可以被第一高折射图案HR_R、第二高折射图案HR_B和第三高折射图案HR_G中的至少一个部分地覆盖。例如，第二触摸导电层220可以被第一高折射图案HR_R、第二高折射图案HR_B和第三高折射图案HR_G中的至少一个覆盖，或者第一高折射图案HR_R、第二高折射图案HR_B和第三高折射图案HR_G堆叠在第二触摸导电层220上。
甚至在这种情况下，低折射膜LR堆叠在高折射图案HR_2上方，从而可以改善显示装置1_2的发光效率。另外，由于黑矩阵BM_2在低折射膜LR上，因此可以进一步减少外部光的反射，并且可以抑制或防止诸如反射色线的缺陷。
图17是显示装置1_3的实施例的截面图，显示装置1_3与图16的显示装置1_2的不同之处在于第二低折射膜LR2设置在黑矩阵BM_3上方。低折射膜LR_3可以包括顺序堆叠的第一低折射膜LR1和第二低折射膜LR2。黑矩阵BM_3可以在第一低折射膜LR1上，并且第二低折射膜LR2可以在黑矩阵BM_3上方以覆盖黑矩阵BM_3。粘合层OC可以在第二低折射膜LR2上。
甚至在这种情况下，低折射膜LR_3也堆叠在高折射图案HR_3上方，从而可以改善显示装置1_3的发光效率。此外，因为黑矩阵BM_3在第一低折射膜LR1上，所以可以进一步减少外部光的反射，并且可以抑制或防止诸如反射色线的缺陷。
图18是显示装置1_4的实施例的截面图，显示装置1_4与图14的显示装置1_1的不同之处在于省略了粘合层OC。根据该实施例，低折射膜LR_4可以包括粘合剂或压敏粘合剂。在这种情况下，保护层WDL可以通过低折射膜LR_4附着，并且可以省略用于在其上附着保护层WDL的粘合层OC。在这种情况下，低折射膜LR_4堆叠在高折射图案HR_4上方，从而可以改善显示装置1_4的发光效率。另外，因为省略了粘合层OC，所以可以减小显示装置1_4的厚度。
图19是示意性地示出显示装置1_5的实施例的截面图，并且图20示出图19的显示装置1_5的截面图。在图20的截面图中，阳极电极170下方的大部分层没有被描绘并且主要示出有机发光元件上方的结构。
参照图19和图20，显示装置1_5与图3和图9的显示装置1的不同之处在于光路改变层LWL在抗反射层RPL_5上。例如，抗反射层RPL_5可以在显示装置1_5的触摸层TSL上并且光路改变层LWL可以在抗反射层RPL_5上。因此，抗反射层RPL_5可以设置在触摸层TSL和光路改变层LWL之间。
在这种情况下，抗反射层RPL_5可以用作滤色器层，例如，抗反射层RPL_5可以包括吸收特定颜色的波长之外的波长的诸如染料和颜料的着色剂。抗反射层RPL_5可以选择性地传输特定颜色的光。
在一个实施例中，抗反射层RPL_5可以包括第一滤色器层CFL_R、第二滤色器层CFL_B、第三滤色器层CFL_G和黑矩阵BM_5。第一滤色器层CFL_R可以是红色滤色器层，第二滤色器层CFL_B可以是蓝色滤色器层，并且第三滤色器层CFL_G可以是绿色滤色器层。即，第一滤色器层CFL_R可以选择性地传输红光，第二滤色器层CFL_B可以选择性地传输蓝光，并且第三滤色器层CFL_G可以选择性地传输绿光。
第一滤色器层CFL_R可以在第一发射区域EMA_R及其外围中，第二滤色器层CFL_B可以在第二发射区域EMA_B及其外围中，并且第三滤色器层CFL_G可以在第三发射区域EMA_G及其外围中。黑矩阵BM_5可以在非发射区域NEM中，可以与滤色器层CFL_R、CFL_B和CFL_G重叠，并且可以阻挡朝向相邻发射区域EMA的光发射。
平坦化层FL可以在第一滤色器层CFL_R、第二滤色器层CFL_B、第三滤色器层CFL_G和黑矩阵BM_5上方。平坦化层FL可以包括有机材料，在这种情况下，尽管其下方存在高度差，但上表面可以是基本上平坦的。然而，将理解的是，本公开不限于此。在一个实施例中，可以省略平坦化层FL。
光路改变层LWL可以在抗反射层RPL_5上。当省略平坦化层FL时，高折射图案HR可以在滤色器层CFL_R、CFL_B和CFL_G上。低折射膜LR可以在高折射图案HR和滤色器层CFL_R、CFL_B和CFL_G上方以覆盖高折射图案HR和滤色器层CFL_R、CFL_B和CFL_G。甚至当省略平坦化层FL时，低折射膜LR也可以提供基本上平坦的上表面。
当抗反射层RPL_5被实现为滤色器层时，堤层126_5可以包括光吸收材料。光吸收材料可以与如上所述基本上相同。因为堤层126_5包括光吸收材料，所以可以抑制或防止来自发射层的光被导向侧表面。此外，即使不使用偏振膜，也可以抑制或防止诸如漏光的缺陷。
甚至在这种情况下，低折射膜LR堆叠在高折射图案HR上方，从而可以改善显示装置1_5的发光效率。另外，抗反射层RPL_5被实现为滤色器而不是偏振膜，从而可以减小显示装置1_5的厚度，并且如果显示装置1_5是柔性显示装置，则可以改善柔性特性。
此外，在图14和图16至图18的实施例中省略偏振膜的情况下，堤层126可以包括上述光吸收材料。
本领域的技术人员将理解的是，在基本上不脱离本公开的原理的情况下，可以对优选实施例进行许多变化和修改。因此，本发明所公开的优选实施例仅用于一般性和描述性的意义，并且不是出于限制的目的。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：
基底；
多个第一电极，在所述基底上；
第二电极，在所述多个第一电极上方；
发射层，在所述多个第一电极和所述第二电极之间；
封装层，在所述第二电极上；
触摸层，在所述封装层上并且包括触摸电极；
多个折射图案，彼此间隔开并且设置在所述触摸层上以与所述发射层重叠；以及
折射膜，覆盖所述多个折射图案，
其中，所述多个折射图案中的每一个和所述折射膜包括有机材料，并且所述折射膜的折射率小于所述多个折射图案中的每一个的折射率。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个折射图案中的每一个包括着色剂。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述多个第一折射图案包括：
第一折射图案，包括第一颜色的颜料或染料并且选择性地传输所述第一颜色的光，
第二折射图案，包括第二颜色的颜料或染料并且选择性地传输所述第二颜色的光，以及
第三折射图案，包括第三颜色的颜料或染料并且选择性地传输所述第三颜色的光。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
粘合层，在所述折射膜上，和
保护层，在所述粘合层上，
其中，所述折射膜的所述折射率等于所述粘合层的折射率。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
抗反射层，在所述折射膜和所述粘合层之间，
其中，所述抗反射层的折射率等于所述低折射膜的所述折射率和所述粘合层的所述折射率。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述抗反射层包括偏振膜。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
抗反射层，在所述触摸层与所述多个折射图案之间，其中所述抗反射层包括第一颜色的第一滤光片，选择性传输所述第一颜色的光；第二颜色的第二滤光片，选择性传输所述第二颜色的光；以及第三颜色的第三滤光片，选择性地传输所述第三颜色的光。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述抗反射层包括在所述折射膜上的黑矩阵。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
堤层，在所述第一电极上，并且包括暴露所述第一电极的开口，其中：
所述发射层在由所述堤层暴露的所述第一电极上，并且
所述堤层包括光吸收材料。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述多个折射图案与所述发射层重叠，并且
所述发射层与所述多个折射图案的部分重叠。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述发射层与所述折射膜重叠。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述多个折射图案的所述折射率的范围为从1.53至1.8，并且
所述折射膜的所述折射率的范围为从1.46至1.48。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中：
所述多个折射图案中的每一个包括氧化锆，并且
所述折射膜包括含氟单体。
14.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述折射膜的上表面是平坦的。
15.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述折射膜包括压敏粘合剂或粘合剂。
16.一种显示装置，包括：
基底；
多个第一电极，在所述基底上；
第二电极，在所述多个第一电极上方；
发射层，在所述多个第一电极中的每一个和所述第二电极之间；
封装层，在所述第二电极上；
触摸层，在所述封装层上，并且包括触摸电极；
多个折射图案，在所述触摸层上；以及
折射膜，覆盖所述多个折射图案，
其中，所述多个折射图案中的每一个和所述折射膜包括着色剂，并且其中所述折射膜的折射率小于所述多个折射图案中的每一个的折射率。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中：
所述多个折射图案包括：第一折射图案，包括第一颜色的颜料或染料以选择性地传输所述第一颜色的光；第二折射图案，包括第二颜色的颜料或染料以选择性地传输所述第二颜色的光；以及第三折射图案，包括第三颜色的颜料或染料以选择性地传输所述第三颜色的光。
18.根据权利要求16所述的显示装置，其中：
所述多个折射图案包括氧化锆，并且
所述折射膜包括含氟单体。
19.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
粘合层，在所述折射膜上；和
保护层，在所述粘合层上，
其中，所述折射膜的所述折射率等于所述粘合层的折射率。
20.根据权利要求16所述的显示装置，其中：
所述多个折射图案中的每一个的所述折射率的范围为从1.53至1.8的范围内，并且
所述折射膜的所述折射率的范围为从1.46至1.48。
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