CN114695419A - 显示装置和拼接式显示装置 - Google Patents

显示装置和拼接式显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN114695419A
CN114695419A CN202111623747.9A CN202111623747A CN114695419A CN 114695419 A CN114695419 A CN 114695419A CN 202111623747 A CN202111623747 A CN 202111623747A CN 114695419 A CN114695419 A CN 114695419A
Authority
CN
China
Prior art keywords
display device
alignment
disposed
display
mark
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111623747.9A
Other languages
English (en)
Inventor
姜承载
金成峻
金河淑
朴东镇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN114695419A publication Critical patent/CN114695419A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/302—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements characterised by the form or geometrical disposition of the individual elements
    • G09F9/3023—Segmented electronic displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/18—Tiled displays
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/302—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements characterised by the form or geometrical disposition of the individual elements
    • G09F9/3026—Video wall, i.e. stackable semiconductor matrix display modules
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/5442—Marks applied to semiconductor devices or parts comprising non digital, non alphanumeric information, e.g. symbols
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54426—Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54473—Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
    • H01L2223/54486—Located on package parts, e.g. encapsulation, leads, package substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

提供了一种显示装置和一种拼接式显示装置。所述显示装置包括：基底，具有在第一方向上延伸的第一侧边和在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的第二侧边；第一对准游标标记，设置在所述基底上，所述第一对准游标标记邻接所述第一侧边并且在所述第二方向上延伸；以及第二对准游标标记，设置在所述基底上，所述第二对准游标标记邻接所述第二侧边并且在所述第一方向上延伸。

Description

显示装置和拼接式显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年12月29日提交的第10-2020-0185797号韩国专利申请的优先权和从其获得的所有权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种显示装置和一种包括显示装置的拼接式显示装置。
背景技术
随着信息社会的发展，对用于显示图像的显示装置的需求已经多样化。例如，显示装置已经应用于各种电子装置，诸如智能电话、数码相机、笔记本计算机、导航系统和智能电视机。显示装置的示例包括平板显示装置，诸如液晶显示(LCD)装置、场发射显示(FED)装置或有机发光二极管(OLED)显示装置。作为一种平板显示装置的发光显示装置包括能够发射光以显示图像的发光元件而不使用用于向显示面板提供光的背光单元。
当制造大尺寸显示装置时，发光元件的缺陷率可能由于像素的数量的增加而增加，并且显示装置的生产率或可靠性可能降低。为了解决这些问题，具有大屏幕的拼接式显示装置可以通过连接具有相对小尺寸的多个显示装置来实现。由于多个显示装置的非显示区域或边框的存在，拼接式显示装置可以包括多个显示装置之间的接缝(或边界部分)。然而，当图像在拼接式显示装置的整个屏幕上显示时，接缝造成不连续感，不利地影响图像的沉浸感。
发明内容
本公开的实施例提供一种包括多个游标标记并且从而具有改善的对准效率的显示装置和包括显示装置的拼接式显示装置。
然而，本公开的实施例不限于本文中阐述的那些实施例。通过参照下面给出的本公开的详细描述，本公开的上述和其他实施例对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加明显。
根据本公开的实施例，一种显示装置包括：基底，具有在第一方向上延伸的第一侧边和在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的第二侧边；第一对准游标标记，设置在所述基底上，所述第一对准游标标记邻接所述第一侧边并且在所述第二方向上延伸；以及第二对准游标标记，设置在所述基底上，所述第二对准游标标记邻接所述第二侧边并且在所述第一方向上延伸。
根据本公开的实施例，一种拼接式显示装置包括：第一显示装置，包括第一基底，所述第一基底具有第一侧边和第二侧边、第一对准游标标记以及第二对准游标标记，所述第一侧边在第一方向上延伸，所述第二侧边在与所述第一方向相交的第二方向上延伸，所述第一对准游标标记设置在所述第一基底上、邻接所述第一侧边并且在所述第二方向上延伸，所述第二对准游标标记设置在所述第一基底上、邻接所述第二侧边并且在所述第一方向上延伸；第二显示装置，在所述第二方向上与所述第一显示装置间隔开并且包括第二基底，所述第二基底具有第三侧边和第三对准游标标记，所述第三侧边面对所述第一显示装置的所述第一侧边并且在所述第一方向上延伸，所述第三对准游标标记设置在所述第二基底上、邻接所述第三侧边并且在所述第二方向上延伸；以及第三显示装置，在所述第一方向上与所述第一显示装置间隔开并且包括第三基底，所述第三基底具有第四侧边和第四对准游标标记，所述第四侧边面对所述第一显示装置的所述第二侧边并且在所述第二方向上延伸，所述第四对准游标标记设置在所述第三基底上、邻接所述第四侧边并且在所述第一方向上延伸。
根据本公开的前述和其他实施例，由于多个显示装置中的每一个包括邻接对应显示装置的至少一个侧边的多个游标标记，因此可以简化在拼接式显示装置的组装期间彼此相邻设置的多个显示装置的对准，并且可以改善拼接式显示装置的制造效率。
其他特征和实施例可以从以下详细描述、附图和权利要求中显而易见。
附图说明
通过参照附图对本公开的详细实施例进行描述，本公开的上述及其他实施例和特征将变得更加明显，在附图中：
图1是根据本公开的实施例的拼接式显示装置的透视图；
图2是图1的拼接式显示装置的平面图；
图3是图1的拼接式显示装置的截面图；
图4是根据本公开的实施例的显示装置的平面图；
图5A是图3的区域P的放大截面图；
图5B是沿着图4的线I-I'截取的截面图；
图5C是沿着图4的线I-I'截取的截面图；
图6是根据本公开的实施例的发光元件层的子像素的平面图；
图7是沿着图6的线Q-Q'截取的截面图；
图8是根据本公开的实施例的发光元件的透视图；
图9是示出图1的拼接式显示装置的布局的平面图；
图10是图4的显示装置的平面图；
图11是根据本公开的实施例的第一游标标记的放大截面图；
图12是图9的区域A的放大平面图；
图13是示出根据本公开的实施例的第一显示装置和第二显示装置的布局的平面图；
图14是示出第一显示装置和第二显示装置未对准的示例的平面图；
图15是示出第一显示装置和第二显示装置未对准的示例的平面图；
图16至图23是示出根据本公开的实施例的如何制造拼接式显示装置的侧视图或平面图；
图24是示出根据本公开的实施例的拼接式显示装置的布局的平面图；
图25是示出根据本公开的实施例的拼接式显示装置的布局的平面图；
图26是根据本公开的实施例的显示装置的平面图；
图27是包括图26的显示装置的拼接式显示装置的部分的平面图；
图28是示出根据本公开的实施例的游标标记的形状的局部平面图；
图29是示出根据本公开的实施例的游标标记的形状的局部平面图；
图30是示出根据本公开的实施例的游标标记的形状的局部平面图；
图31是示出根据本公开的实施例的拼接式显示装置的布局的平面图；
图32是图31的区域B的放大平面图；
图33是示出根据本公开的实施例的拼接式显示装置的布局的平面图；
图34是示出根据本公开的实施例的拼接式显示装置的布局的平面图；
图35是图3的区域P的截面图；
图36是图3的区域P的截面图；
图37是图36的显示装置的截面图；并且
图38是图3的区域P的截面图。
在下文中，将参照附图描述本公开的实施例。
具体实施方式
在下文中，现在将参照其中示出了本发明的实施例的附图更充分地描述本发明。然而，本发明可以以不同的形式实现，并且不应被解释为限于本文中阐述的实施例。而是，提供这些实施例，使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本发明的范围。
还将理解的是，当层被称为“在”另一层或基底“上”时，该层可以直接在所述另一层或基底上，或者也可以存在居间层。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的组件。
将理解的是，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离本发明的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。类似地，第二元件也可以称为第一元件。
在下文中，将参照附图描述本公开的实施例。
图1是根据本公开的实施例的拼接式显示装置的透视图。图2是图1的拼接式显示装置的平面图。图3是图1的拼接式显示装置的截面图。
参照图1和图2，拼接式显示装置TD可以显示运动图像或静止图像。拼接式显示装置TD可以指提供显示屏幕的电子装置。在一个示例中，拼接式显示装置TD可以包括电视机(TV)、笔记本计算机、监视器、广告牌、物联网(IoT)装置、移动电话、智能电极、平板个人计算机(PC)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示器、移动通信终端、电子记事本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置、游戏机、数码相机和提供显示屏幕的摄像机。
在示出拼接式显示装置TD的每幅附图中，可以限定第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3。第一方向DR1和第二方向DR2可以是在相同的平面上彼此垂直的方向。第三方向DR3可以是垂直于第一方向DR1和第二方向DR2两者的方向。第三方向DR3可以指拼接式显示装置TD的厚度方向(或显示方向)。
拼接式显示装置TD可以包括多个显示装置10和下部板20。
在平面图中，拼接式显示装置TD可以具有包括在第一方向DR1上的短侧边和在第二方向DR2上的长侧边的矩形形状。拼接式显示装置TD可以具有平坦形状，但本公开不限于此。拼接式显示装置TD可以具有立体形状，并且因此可以向用户提供深度感。在一个示例中，在拼接式显示装置TD具有立体形状的情况下，至少一些显示装置10可以具有弯曲形状。在示例中，显示装置10可以全部具有平坦形状并且可以彼此连接以具有预定角度，使得拼接式显示装置TD可以具有立体形状。由于拼接式显示装置TD包括多个显示装置10，因此拼接式显示装置TD的显示区域可以被加宽。
下部板20可以提供设置有显示装置10的区域并且可以支撑显示装置10。下部板20的平面形状可以符合拼接式显示装置TD的平面形状。在拼接式显示装置TD在平面图中具有包括在第一方向DR1上的短侧边和在第二方向DR2上的长侧边的矩形形状的实施例中，下部板20也可以在平面图中具有包括在第一方向DR1上的短侧边和在第二方向DR2上的长侧边的矩形形状。尽管未具体示出，但是可以在下部板20上设置各种布线和电缆以将显示装置10彼此电连接，并且可以在下部板20上进一步设置用于固定显示装置10的耦接装备和用于在第一方向DR1和/或第二方向DR2上移动显示装置10中的每一个以在下部板20上对准显示装置10的移动装备。
显示装置10可以设置在下部板20上。显示装置10可以通过耦接装备固定在下部板20的表面上。
显示装置10可以在下部板20上以矩阵布置。在平面图中，显示装置10可以在第一方向DR1和第二方向DR2上以预定距离彼此间隔开。由于显示装置10设置在下部板上并且在第一方向DR1和第二方向DR2上以预定距离彼此间隔开，因此即使当显示装置10由于显示装置10产生的热而膨胀时，也可以防止显示装置10被它们各自邻近的显示装置10损坏。显示装置10被示出为以3×3的矩阵布置，但是显示装置10的数量和布局未被具体限制。
显示装置10布置的方向被示出为与第一方向DR1和第二方向DR2重合，显示装置10布置的方向分别是拼接式显示装置TD的长侧边延伸的方向和拼接式显示装置TD的短侧边延伸的方向，但本公开不限于此。可替代地，显示装置10布置的方向可以相对于拼接式显示装置TD的长侧边和短侧边延伸的方向倾斜。
当将显示装置10对准并固定在下部板20上时，如果显示装置10在第一方向DR1和/或第二方向DR2上没有彼此对准，则显示装置10之间的不显示图像的接缝(或间隙)可能变得对用户可见。在这种情况下，由拼接式显示装置TD显示的图像的沉浸感可能劣化。因此，显示装置10需要以显示装置10之间的一致但最小的间隙对准。例如，可能期望显示装置10精确地对准并固定在下部板20上，从而最小化显示装置10之间的边界部分(或间隙)。稍后将描述显示装置10的布局以及显示装置10之间的距离。
在平面图中，显示装置10中的每一个可以具有包括在第一方向DR1上的短侧边和在第二方向DR2上的长侧边的矩形形状，但本公开不限于此。可替代地，在平面图中，显示装置10中的每一个可以具有包括在第一方向DR1上的长侧边和在第二方向DR2上的短侧边的矩形形状。显示装置10可以具有彼此相同的平面形状和彼此相同的尺寸，但本公开不限于此。可替代地，显示装置10中的至少一个可以具有彼此不同的平面形状和彼此不同的尺寸。
显示装置10可以设置为彼此相邻但彼此间隔开，使得每对相邻的显示装置10的长侧边或短侧边可以彼此面对。拼接式显示装置TD中包括的一些显示装置10可以沿着拼接式显示装置TD的边缘设置，与拼接式显示装置TD的侧边相邻。一些显示装置10可以与拼接式显示装置TD的角相邻地设置。一些显示装置10可以设置在拼接式显示装置TD的内部并且可以被其他显示装置10围绕。
显示装置10中的每一个可以包括提供显示屏幕的显示面板。显示面板的示例可以包括无机发光二极管显示面板、有机发光二极管显示面板、量子点发光显示面板、等离子体显示面板和场发射显示面板。在下文中，将显示面板描述为例如无机发光二极管显示面板，但本公开不限于此。各种其他类型的显示面板也可以适用于显示装置10。
参照图2和图3，显示装置10中的每一个可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA可以是显示图像的区，并且非显示区域NDA可以是不显示图像的区。
显示区域DA的形状可以符合显示装置10的形状。在一个示例中，显示区域DA的平面形状可以类似于显示装置10的一般平面形状，即，矩形形状。显示区域DA可以占据显示装置10中的每一个的中间部分。
显示区域DA可以包括多个像素PX。像素PX可以布置在行方向和列方向上。在平面图中，像素PX可以具有矩形形状或正方形形状。在一个示例中，像素PX中的每一个可以包括由无机粒子形成的多个发光元件，但本公开不限于此。
非显示区域NDA可以设置在显示区域DA周围。非显示区域NDA可以围绕整个显示区域DA或部分显示区域DA。
拼接式显示装置TD还可以包括显示装置10之间的边界区域SA。
边界区域SA可以包括显示装置10之间的间隙。边界区域SA可以被称为接缝区域。边界区域SA可以被显示装置10的非显示区域NDA围绕。边界区域SA可以是显示装置10的非显示区域NDA之间的区，并且可以是窄的，使得边界区域SA对用户不可识别或几乎不可识别。显示装置10的显示区域DA对外部光的反射率可以与显示装置10的非显示区域NDA对外部光的反射率基本上相同。因此，由于可以防止显示装置10的非显示区域NDA或显示装置10之间的边界部分变得可识别，因此可以消除显示装置10之间的不连续感，并且可以改善图像的感觉。
图4是根据本公开的实施例的显示装置的平面图。
参照图4，显示装置10的显示区域DA可以包括布置成多行和多列的多个像素PX。像素PX可以是用于显示图像的一个接一个重复的最小单元。为了显示全色，像素PX中的每一个可以包括发射不同颜色的多个子像素SPX。子像素SPX可以包括在第一方向DR1上重复地顺序地布置的第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3。在一个示例中，像素PX中的每一个可以包括分别发射第一颜色的光、第二颜色的光和第三颜色的光的第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3。在一个示例中，第一颜色、第二颜色和第三颜色可以分别是红色、绿色和蓝色。
子像素SPX中的每一个可以包括光输出区域LA和光输出区域LA周围的光阻挡区域BA。
光输出区域LA可以是将从显示装置10的发光元件层发射的光提供到显示装置10外部的区，并且光阻挡区域BA可以是阻挡从发光元件层发射的光的透射的区。
子像素SPX的光输出区域LA可以包括第一光输出区域LA1、第二光输出区域LA2和第三光输出区域LA3。在一个示例中，第一光输出区域LA1、第二光输出区域LA2和第三光输出区域LA3可以分别是第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3的光输出区域LA。
第一光输出区域LA1、第二光输出区域LA2和第三光输出区域LA3可以是将具有预定峰值波长的光发射到显示装置10外部的区。第一光输出区域LA1可以发射第一颜色的光，第二光输出区域LA2可以发射第二颜色的光，并且第三光输出区域LA3可以发射第三颜色的光。在一个示例中，第一颜色光可以是具有从610nm至650nm的峰值波长的红光，第二颜色光可以是具有从510nm至550nm的峰值波长的绿光，并且第三颜色光可以是具有从440nm至480nm的峰值波长的蓝光。然而，本公开不限于该示例。
第一光输出区域LA1、第二光输出区域LA2和第三光输出区域LA3可以在显示装置10的显示区域DA中沿着第一方向DR1顺序地重复地布置。在平面图中，第一光输出区域LA1、第二光输出区域LA2和第三光输出区域LA3可以具有在第二方向DR2上比在第一方向DR1上延伸得更长的矩形形状，但本公开不限于此。
在一个示例中，第一光输出区域LA1、第二光输出区域LA2和第三光输出区域LA3在第一方向DR1上可以具有相同的宽度，但本公开不限于此。在一个示例中，第一光输出区域LA1、第二光输出区域LA2和第三光输出区域LA3在第一方向DR1上可以具有不同的宽度。
光阻挡区域BA可以设置为围绕光输出区域LA。每对相邻的子像素SPX的光阻挡区域BA可以彼此邻接。每对相邻的子像素SPX的光阻挡区域BA可以彼此连接，并且所有子像素SPX的光阻挡区域BA可以全部彼此连接。然而，本公开不限于此。光输出区域LA可以由光阻挡区域BA限定。
显示装置10可以包括设置在非显示区域NDA中的多个对准游标标记VM。对准游标标记VM可以用于确定显示装置10与其他邻近的显示装置10在平面图中是否彼此对准或者显示装置10与其他邻近的显示装置10之间的对准程度。对准游标标记VM可以设置在非显示区域NDA中以彼此间隔开。在平面图中，对准游标标记VM可以设置为邻接显示装置10的侧边(或边缘)。例如，对准游标标记VM可以从显示装置10的侧边朝向显示装置10的显示区域DA延伸。本公开不限于此。在实施例中，在平面图中，对准游标标记VM可以与显示装置10的侧边相邻，朝向显示装置10的显示区域DA延伸。稍后将描述对准游标标记VM的平面形状和布局。
图5A是图3的区域P的放大截面图。
参照图3和图5A，显示装置10中的每一个可以包括基底SUB、电路层CCL、发光元件层EML、颜色控制层CWL和第一封装层ENC。
基底SUB可以设置在下部板20上。基底SUB可以是基体基底或基底构件，并且可以包括诸如聚合物树脂的绝缘材料或者可以由诸如聚合物树脂的绝缘材料形成。在一个示例中，基底SUB可以是刚性基底。在该示例中，基底SUB可以包括玻璃材料或金属材料，但本公开不限于此。在示例中，基底SUB可以是可弯曲、可折叠或可卷曲的柔性基底。在该示例中，基底SUB可以包括聚酰亚胺(PI)或者可以由聚酰亚胺(PI)形成，但本公开不限于此。
电路层CCL可以设置在基底SUB上。电路层CCL可以设置在基底SUB的表面上并且可以驱动像素PX。电路层CCL可以包括至少一个晶体管并且可以驱动发光元件层EML。
发光元件层EML可以设置在电路层CCL的表面上。发光元件层EML可以包括多个发光元件，并且发光元件中的每一个可以包括第一电极、发射层和第二电极。在一个示例中，发光元件层EML可以包括无机发光二极管，但本公开不限于此。在示例中，发光元件层EML可以包括有机发光二极管。稍后将描述发光元件层EML。
颜色控制层CWL可以设置在发光元件层EML上。在转换或保持入射光的波长之后，颜色控制层CWL可以使从发光元件层EML入射到颜色控制层CWL上的光穿过颜色控制层CWL。根据入射光的波长范围，颜色控制层CWL可以选择性地透射穿过颜色控制层CWL的特定波长范围的光并阻挡或吸收其他波长范围的光。如稍后将描述的，颜色控制层CWL可以包括限定光输出区域LA(参见图5B)和光阻挡区域BA(参见图5B)的光阻挡构件。
颜色控制层CWL可以包括设置在非显示区域NDA(参见图3)中的对准游标标记VM。对准游标标记VM可以包括与颜色控制层CWL的光阻挡构件的材料相同的材料或者可以由与颜色控制层CWL的光阻挡构件的材料相同的材料形成。对准游标标记VM可以与边界区域SA相邻地设置，并且可以用于量化显示装置10的对准程度。在示例中，显示装置10的侧边可以由边界区域SA限定，并且对准游标标记VM各自可以邻接或连接到对应的显示装置10的侧边。在示例中，对准游标标记VM各自可以与对应的显示装置10的侧边间隔开。
第一封装层ENC可以设置在颜色控制层CWL上。第一封装层ENC可以防止氧气或湿气渗入颜色控制层CWL和发光元件层EML中。为此，第一封装层ENC可以包括至少一个无机膜或者可以由至少一个无机膜形成。第一封装层ENC可以设置为覆盖颜色控制层CWL、发光元件层EML和电路层CCL。
光学构件30可以设置在显示装置10之间。光学构件30可以设置在边界区域SA中。光学构件30可以设置在以格子形式布置的显示装置10的各个侧边上(例如，如图5A中所示，可以设置在以格子形式布置的显示装置10的各个侧边之间)，并且可以防止边界区域SA变得对用户可识别。在一个示例中，光学构件30可以包括基体树脂和散布在基体树脂中的光漫射器，或者可以由基体树脂和散布在基体树脂中的光漫射器形成。
光学构件30的基体树脂可以包括具有相对高的透光率的材料或者可以由具有相对高的透光率的材料形成。在一个示例中，基体树脂可以由透明材料形成。在一个示例中，基体树脂可以包括硅基无机材料和以下有机材料：环氧树脂、丙烯酸树脂、cardo树脂和酰亚胺树脂中的至少一种，或者可以由硅基无机材料和以下有机材料：环氧树脂、丙烯酸树脂、cardo树脂和酰亚胺树脂中的至少一种形成。
光漫射器可以散布在基体树脂中。无论入射光的入射角如何，光漫射器都可以在随机的方向上散射入射光，基本上不改变入射光的峰值波长。当显示装置10开启时，光漫射器可以在随机的方向上散射从显示装置10中的每一个入射到边界区域SA上的光，并且因此可以防止边界区域SA变得对用户可识别。
图5B是沿着图4的线I-I'截取的截面图。
参照图5A和图5B，显示装置10可以包括基底SUB、设置在基底SUB上的电路层CCL、设置在电路层CCL上的发光元件层EML以及设置在发光元件层EML上的颜色控制层CWL。颜色控制层CWL可以包括波长控制层WCL和TPL(在下文中，波长控制层WCL也被称为波长转换层WCL，并且波长控制层TPL也被称为透光图案TPL)、滤色器层CF、第一光阻挡构件BK1、第二光阻挡构件BK2和对准游标标记VM。
基底SUB可以包括绝缘基底或者可以是绝缘基底。在示例中，基底SUB可以由诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料形成。基底SUB可以是刚性基底或者可弯曲、可折叠或可卷曲的柔性基底。
驱动像素PX(或子像素SPX)的电路层CCL可以设置在基底SUB的表面上。电路层CCL可以包括至少一个晶体管，并且因此可以驱动发光元件层EML。
发光元件层EML可以设置在电路层CCL的表面上。发光元件层EML可以包括第一堤400、第二堤600、第一电极210、第二电极220、第一接触电极710、第二接触电极720、发光元件ED和绝缘层(510和520)。
第一堤400可以设置在电路层CCL上。第一堤400可以分别设置在第一子像素SPX1的第一光输出区域LA1、第二子像素SPX2的第二光输出区域LA2和第三子像素SPX3的第三光输出区域LA3中。多个第一堤400可以设置在第一光输出区域LA1、第二光输出区域LA2和第三光输出区域LA3中的每一个中以在第一方向DR1上彼此间隔开。在一个示例中，第一光输出区域LA1、第二光输出区域LA2和第三光输出区域LA3中的每一个中包括的第一堤400可以包括第一子堤410和第二子堤420。
第一电极210可以设置在第一子堤410上。在示例中，第一电极210可以覆盖第一子堤410。第二电极220可以设置在第二子堤420上。在示例中，第二电极220可以覆盖第二子堤420。第一电极210和第二电极220可以彼此电绝缘。
第一绝缘层510可以设置在第一电极210和第二电极220上以暴露第一电极210的至少一部分和第二电极220的至少一部分。第一绝缘层510可以保护第一电极210和第二电极220并且可以使第一电极210和第二电极220彼此绝缘。第一绝缘层510可以防止设置在第一绝缘层510上的发光元件ED与其他元件直接接触并被其他元件损坏。
第二堤600可以设置在第一绝缘层510上，并且可以包括暴露第一堤400和多个发光元件ED的开口。第二堤600可以沿着每个子像素SPX的边界设置，并且可以限定和分离每对相邻的子像素SPX。第二堤600可以沿着每对相邻的子像素SPX之间的边界设置。在使用具有分散在其中的多个发光元件ED的墨的喷墨印刷工艺期间，第二堤600可以防止墨在每对相邻的子像素SPX之间溢出。
发光元件ED可以在第一子堤410和第二子堤420之间设置在第一绝缘层510上。发光元件ED可以在第一电极210和第二电极220之间设置在第一绝缘层510上，使得发光元件ED中的每一个的两个端部可以放置在第一电极210和第二电极220上。
发光元件ED可以包括相同材料的有源层，并且可以因此能够发射相同波长范围或相同颜色的光。从第一光输出区域LA1、第二光输出区域LA2和第三光输出区域LA3发射的光可以具有相同的颜色。在一个示例中，发光元件ED可以发射具有440nm至480nm的峰值波长的第三颜色光或蓝光。因此，发光元件层EML可以发射第三颜色光或蓝光。
第二绝缘层520可以在第一子堤410和第二子堤420之间部分地设置在发光元件ED上。第二绝缘层520可以设置为围绕发光元件ED的外表面的部分。第二绝缘层520可以设置在发光元件ED上以暴露发光元件ED中的每一个的两个端部(例如，相对端部)。第二绝缘层520可以在显示装置10的制造期间保护和固定发光元件ED。
第一接触电极710可以设置在第一电极210上，并且第二接触电极720可以设置在第二电极220上。第一接触电极710和第二接触电极720可以彼此电绝缘。
第一接触电极710和第二接触电极720可以与发光元件ED接触，并且可以分别与第一电极210和第二电极220接触。例如，第一接触电极710可以与第一电极210的由第一绝缘层510暴露的部分接触以及与发光元件ED的由第二绝缘层520暴露的第一端部接触，并且第二接触电极720可以与第二电极220的由第一绝缘层510暴露的部分接触以及与发光元件ED的由第二绝缘层520暴露的第二端部接触。
发光元件ED的由第二绝缘层520暴露的第一端部可以通过第一接触电极710电连接到第一电极210，并且发光元件ED的由第二绝缘层520暴露的第二端部可以通过第二接触电极720电连接到第二电极220。
显示装置10还可以包括第一钝化层PAS1和第一平坦化层OC1。
第一钝化层PAS1可以设置在发光元件层EML上。第一钝化层PAS1可以保护发光元件层EML。第一钝化层PAS1可以防止湿气或空气从外部渗入，并且从而可以防止对发光元件ED的损坏。
第一平坦化层OC1可以设置在第一钝化层PAS1上。第一平坦化层OC1可以设置在发光元件层EML上方，并且可以使发光元件层EML上的任何高度差平坦化。第一平坦化层OC1可以包括有机材料或者可以由有机材料形成。在一个示例中，第一平坦化层OC1可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂中的至少一种，或者可以由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂中的至少一种形成。
颜色控制层CWL可以设置在第一平坦化层OC1上。颜色控制层CWL可以包括第一覆盖层CAP1、波长控制层WCL和TPL、第一光阻挡构件BK1、第二覆盖层CAP2、滤色器层CF、第二光阻挡构件BK2、对准游标标记VM以及第二钝化层PAS2。
第一覆盖层CAP1可以设置在第一平坦化层OC1上。第一覆盖层CAP1可以密封波长控制层WCL和TPL的底表面。第一覆盖层CAP1可以包括无机材料或者可以由无机材料形成。在一个示例中，第一覆盖层CAP1可以包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅中的至少一种，或者可以由氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅中的至少一种形成。
第一光阻挡构件BK1可以设置在第一覆盖层CAP1上。第一光阻挡构件BK1可以设置在显示区域DA的光阻挡区域BA中。第一光阻挡构件BK1可以部分地设置在非显示区域NDA中。第一光阻挡构件BK1可以在显示装置10的厚度方向(例如，第三方向DR3)上与第二堤600重叠。第一光阻挡构件BK1可以阻挡光的透射。第一光阻挡构件BK1可以通过防止可能由第一光输出区域LA1、第二光输出区域LA2和第三光输出区域LA3之间的光渗透引起的颜色混合来改善颜色再现性。在平面图中，第一光阻挡构件BK1可以形成为格子形式以围绕第一光输出区域LA1、第二光输出区域LA2和第三光输出区域LA3。第一光输出区域LA1、第二光输出区域LA2和第三光输出区域LA3以及光阻挡区域BA可以由第一光阻挡构件BK1或第二光阻挡构件BK2限定。
第一光阻挡构件BK1可以包括有机光阻挡材料和疏液剂。在此，疏液剂可以由含氟单体或含氟聚合物形成，具体地由含氟脂肪族聚碳酸酯形成。在一个示例中，第一光阻挡构件BK1可以由包括疏液剂的黑色有机材料形成。第一光阻挡构件BK1可以经由包括疏液剂的有机光阻挡材料的涂覆和曝光而形成。
波长控制层WCL和TPL可以设置在第一覆盖层CAP1的由第一光阻挡构件BK1暴露的部分上。波长控制层WCL和TPL可以包括波长转换层WCL和透光图案TPL，波长转换层WCL对入射在波长转换层WCL上的光的波长进行转换，透光图案TPL在保持入射光的波长的同时使入射光透射穿过透光图案TPL。
波长转换层WCL或透光图案TPL可以设置为将第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3彼此分离。波长转换层WCL或透光图案TPL可以设置在显示区域DA的第一光输出区域LA1、第二光输出区域LA2和第三光输出区域LA3中的每一个中，并且波长转换层WCL和透光图案TPL可以经由光阻挡区域BA中的第一光阻挡构件BK1彼此间隔开。
波长转换层WCL和透光图案TPL可以设置在第一覆盖层CAP1上。在一些实施例中，波长转换层WCL和透光图案TPL可以通过喷墨印刷工艺形成，但本公开不限于此。波长转换层WCL和透光图案TPL可以通过涂覆感光材料并使感光材料经受曝光和显影以形成图案而形成。波长转换层WCL和透光图案TPL将在下文中描述为通过例如喷墨印刷工艺形成。
波长转换层WCL可以设置在具有与来自发光元件层EML的入射光不同的颜色的每个子像素SPX中以转换入射光的波长。透光图案TPL可以设置在具有与入射光相同的颜色的每个子像素SPX中。在第三颜色光入射到发光元件层EML上的实施例中，波长转换层WCL可以设置在第一子像素SPX1和第二子像素SPX2中，并且透光图案TPL可以设置在第三子像素SPX3中。
在一个示例中，波长转换层WCL可以包括分别设置在第一子像素SPX1和第二子像素SPX2中的第一波长转换图案WCL1和第二波长转换图案WCL2。
在第一子像素SPX1中，第一波长转换图案WCL1可以设置在由第一光阻挡构件BK1限定的第一光输出区域LA1中。第一波长转换图案WCL1可以将从发光元件层EML入射的第三颜色光转换成具有与第三颜色光不同的颜色的第一颜色光。在一个示例中，第一波长转换图案WCL1可以将从发光元件层EML入射的蓝光转换成红光。
第一波长转换图案WCL1可以包括第一基体树脂BRS1和分散在第一基体树脂BRS1中的第一波长转换材料WCP1。第一波长转换图案WCL1还可以包括分散在第一基体树脂BRS1中的第一散射体SCP1。
在第二子像素SPX2中，第二波长转换图案WCL2可以设置在由第一光阻挡构件BK1限定的第二光输出区域LA2中。第二波长转换图案WCL2可以将从发光元件层EML入射的第三颜色光转换成具有与第三颜色光不同的颜色的第二颜色光。在一个示例中，第二波长转换图案WCL2可以将从发光元件层EML入射的蓝光转换成绿光。
第二波长转换图案WCL2可以包括第二基体树脂BRS2和分散在第二基体树脂BRS2中的第二波长转换材料WCP2。第二波长转换图案WCL2还可以包括分散在第二基体树脂BRS2中的第二散射体SCP2。
在第三子像素SPX3中，透光图案TPL可以设置在由第一光阻挡构件BK1限定的第三光输出区域LA3中。透光图案TPL可以在保持入射光的波长的同时输出从发光元件层EML入射的第三颜色光。在一个示例中，透光图案TPL可以在保持入射光的波长的同时使从发光元件层EML入射的蓝光透射穿过透光图案TPL。
透光图案TPL可以包括第三基体树脂BRS3。透光图案TPL还可以包括分散在第三基体树脂BRS3中的第三散射体SCP3。
第一基体树脂BRS1、第二基体树脂BRS2和第三基体树脂BRS3可以包括透光有机材料，或者可以由透光有机材料形成。在一个示例中，第一基体树脂BRS1、第二基体树脂BRS2和第三基体树脂BRS3可以由环氧树脂、丙烯酸树脂、cardo树脂或酰亚胺树脂形成。第一基体树脂BRS1、第二基体树脂BRS2和第三基体树脂BRS3可以全部由相同的材料形成，但本公开不限于此。
第一散射体SCP1、第二散射体SCP2和第三散射体SCP3可以具有分别与第一基体树脂BRS1、第二基体树脂BRS2和第三基体树脂BRS3不同的折射率。第一散射体SCP1、第二散射体SCP2和第三散射体SCP3可以包括金属氧化物的颗粒或有机材料的颗粒。金属氧化物可以是氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)或氧化锡(SnO2)，并且有机材料可以是丙烯酸树脂或聚氨酯树脂。第一散射体SCP1、第二散射体SCP2和第三散射体SCP3可以全部由相同的材料形成，但本公开不限于此。
第一波长转换材料WCP1可以是将第三颜色光转换成第一颜色光的材料，并且第二波长转换材料WCP2可以是将第三颜色光转换成第二颜色光的材料。在一个示例中，第一波长转换材料WCP1可以是将蓝光转换成红光的材料，并且第二波长转换材料WCP2可以是将蓝光转换成绿光的材料。第一波长转换材料WCP1和第二波长转换材料WCP2可以是量子点、量子棒或磷光体。量子点可以包括IV族纳米晶体、II-VI族化合物纳米晶体、III-V族化合物纳米晶体、IV-VI族化合物纳米晶体或它们的组合。
第二覆盖层CAP2可以设置在波长转换层WCL和TPL和第一光阻挡构件BK1上。在一个实施例中，第二覆盖层CAP2可以覆盖波长转换层WCL和TPL和第一光阻挡构件BK1。在一个示例中，第二覆盖层CAP2可以密封第一波长转换图案WCL1、第二波长转换图案WCL2、透光图案TPL和第一光阻挡构件BK1，并且从而可以防止第一波长转换图案WCL1、第二波长转换图案WCL2以及透光图案TPL被损坏或污染。第二覆盖层CAP2可以包括无机材料或者可以由无机材料形成。在一个实施例中，第二覆盖层CAP2可以由与第一覆盖层CAP1的材料相同的材料形成，并且可以包括用于形成第一覆盖层CAP1的前述材料中的一种。
第二平坦化层OC2可以设置在第二覆盖层CAP2上，并且可以使第一波长转换图案WCL1和第二波长转换图案WCL2以及透光图案TPL的顶部平坦化。第二平坦化层OC2可以包括有机材料或者可以由有机材料形成。在一个示例中，第二平坦化层OC2可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂中的至少一种，或者可以由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂中的至少一种形成。
第二光阻挡构件BK2可以设置在第二平坦化层OC2上。第二光阻挡构件BK2可以沿着每个子像素SPX的边界设置在显示区域DA的光阻挡区域BA中。第二光阻挡构件BK2可以在显示装置10的厚度方向(例如，第三方向DR3)上与第一光阻挡构件BK1和/或第二堤600重叠。
第二光阻挡构件BK2可以部分地设置在非显示区域NDA中。在非显示区域NDA中，第二光阻挡构件BK2可以覆盖第一光阻挡构件BK1的侧表面和第二平坦化层OC2的侧表面。
第二光阻挡构件BK2不仅可以阻挡光的发射，而且可以抑制外部光的反射。在平面图中，第二光阻挡构件BK2可以形成为格子形式以围绕第一光输出区域LA1、第二光输出区域LA2和第三光输出区域LA3。
第二光阻挡构件BK2可以包括有机材料或者可以由有机材料形成。在一个示例中，第二光阻挡构件BK2可以包括能够吸收可见光的光吸收材料。由于第二光阻挡构件BK2包括光吸收材料并且沿着每个子像素SPX的边界设置，因此第二光阻挡构件BK2可以限定每个子像素SPX的光输出区域LA，即，第一光输出区域LA1、第二光输出区域LA2和第三光输出区域LA3。例如，第二光阻挡构件BK2可以是限定每个子像素SPX的光输出区域LA和光阻挡区域BA的子像素限定膜。
对准游标标记VM可以设置在非显示区域NDA中。在非显示区域NDA中，对准游标标记VM可以设置在第二覆盖层CAP2上。在一些实施例中，第二平坦化层OC2可以设置在显示区域DA中，而不是设置在非显示区域NDA中。在这种情况下，对准游标标记VM可以设置在第二覆盖层CAP2上。然而，本公开不限于此。在一些实施例中，第二平坦化层OC2可以设置在显示区域DA和非显示区域NDA中并遍及显示区域DA和非显示区域NDA，在这种情况下，对准游标标记VM可以设置在第二平坦化层OC2上。
对准游标标记VM可以与第二光阻挡构件BK2间隔开。在平面图中，对准游标标记VM可以与第二光阻挡构件BK2间隔开以形成多个图案。
对准游标标记VM可以包括与第二光阻挡构件BK2相同的材料或者可以由与第二光阻挡构件BK2的材料相同的材料形成。在一个示例中，对准游标标记VM可以包括能够吸收可见光的光吸收材料或者可以由能够吸收可见光的光吸收材料形成。由于对准游标标记VM包括光吸收材料或由光吸收材料形成，因此在显示装置10的对准过程期间，对准游标标记VM可能表现为暗部。因此，对准游标标记VM可以用于测量显示装置10与其他邻近的显示装置10的对准程度。
对准游标标记VM可以通过与第二光阻挡构件BK2的图案化工艺相同的图案化工艺形成。由于对准游标标记VM是通过与第二光阻挡构件BK2相同的图案化工艺形成的，因此对准游标标记VM可以改善显示装置10的光输出区域LA与其他邻近的显示装置10中的每一个的光输出区域LA之间的对准程度。例如，由于限定显示装置10的光输出区域LA和光阻挡区域BA的第二光阻挡构件BK2和对准游标标记VM是通过相同的图案化工艺形成的，因此，对准游标标记VM和光输出区域LA的布局可以一致地保持。因此，可以通过将对准游标标记VM对准间接地控制显示装置10的光输出区域LA与其他邻近的显示装置10中的每一个的光输出区域LA之间的对准。
在对准游标标记VM形成为发光元件层EML的部分或电路层CCL的部分的情况下，显示装置10与其他邻近的显示装置10的对准精度可能降低。例如，在对准游标标记VM形成为发光元件层EML的部分或电路层CCL的部分的情况下，因为对准游标标记VM和光输出区域LA通过不同的工艺形成，所以对准游标标记VM和光输出区域LA的布局可能无法一致地保持。结果，因为对准游标标记VM和光输出区域LA的布局可能无法一致地保持，所以即使在形成第二光阻挡构件BK2期间第二光阻挡构件BK2和位于第二光阻挡构件BK2下方的发光元件层EML仅略微地未对准，显示装置10通过对准游标标记VM与其他邻近的显示装置10的对准精度也会降低。由于不需要用于形成对准游标标记VM的额外工艺，因此可以改善显示装置10的制造效率。
在显示区域DA中，滤色器层CF可以设置在第二平坦化层OC2上。在由第二光阻挡构件BK2限定的每个区中，滤色器层CF可以设置在第二平坦化层OC2的表面上。
滤色器层CF可以包括第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3。
第一滤色器CF1可以设置在第一子像素SPX1的第一光输出区域LA1中，第二滤色器CF2可以设置在第二子像素SPX2的第二光输出区域LA2中，并且第三滤色器CF3可以设置在第三子像素SPX3的第三光输出区域LA3中。第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以被第二光阻挡构件BK2围绕。
第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3中的每一个可以包括能够吸收除特定波长之外的所有波长的光的诸如染料或颜料的着色剂，或者可以由能够吸收除特定波长之外的所有波长的光的诸如染料或颜料的着色剂形成。第一滤色器CF1可以选择性地透射穿过第一滤色器CF1的第一颜色光(例如，红光)，并且可以阻挡或吸收第二颜色光(例如，绿光)和第三颜色光(例如，蓝光)。第二滤色器CF2可以选择性地透射穿过第二滤色器CF2的第二颜色光(例如，绿光)，并且可以阻挡或吸收第一颜色光(例如，红光)和第三颜色光(例如，蓝光)。第三滤色器CF3可以选择性地透射穿过第三滤色器CF3的第三颜色光(例如，蓝光)，并且可以阻挡或吸收第一颜色光(例如，红光)和第二颜色光(例如，绿光)。在一个示例中，第一滤色器CF1可以是红色滤色器，第二滤色器CF2可以是绿色滤色器，并且第三滤色器CF3可以是蓝色滤色器。
第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以通过吸收一些外部光来减少来自外部光的反射光。因此，第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以防止可能由外部光的反射引起的颜色失真。
因为滤色器层CF经由第二平坦化层OC2设置在第一波长转换图案WCL1和第二波长转换图案WCL2以及透光图案TPL上，所以显示装置10可以不需要用于滤色器层CF的单独的基底。因此，可以减小显示装置10的厚度。
第二钝化层PAS2可以设置在滤色器层CF、第二光阻挡构件BK2和对准游标标记VM上，并且可以覆盖滤色器层CF、第二光阻挡构件BK2和对准游标标记VM。第二钝化层PAS2可以保护滤色器层CF。
第一封装层ENC可以设置在颜色控制层CWL上。第一封装层ENC可以设置在第二钝化层PAS2上。在一个示例中，第一封装层ENC可以包括至少一个无机膜或者可以由至少一个无机膜形成，并且可以防止氧气或湿气的渗入。第一封装层ENC可以包括至少一个有机膜或者可以由至少一个有机膜形成，并且可以保护设置在第一封装层ENC下方的元件免受诸如灰尘的异物的影响。
图5C是沿着图4的线I-I'截取的截面图。
图5C的实施例与图5B的实施例的不同之处在于，对准游标标记VM包括与第一光阻挡构件BK1的材料相同的材料或者可以由与第一光阻挡构件BK1的材料相同的材料形成。上面已经描述过的元件或特征的描述将被省略或简化，并且在下文中将描述图5C的实施例，主要集中于与图5B的实施例的不同之处。
参照图5C，在非显示区域NDA中，对准游标标记VM可以设置在第一覆盖层CAP1和第二覆盖层CAP2之间。在一些实施例中，第二平坦化层OC2可以设置在显示区域DA中，而不是设置在非显示区域NDA中。在这种情况下，对准游标标记VM可以介于第一覆盖层CAP1和第二覆盖层CAP2之间。然而，本公开不限于此。在一些实施例中，第二平坦化层OC2可以设置在显示区域DA和非显示区域NDA中并遍及显示区域DA和非显示区域NDA。在这种情况下，对准游标标记VM可以介于第二平坦化层OC2和第一覆盖层CAP1之间。
对准游标标记VM可以与第一光阻挡构件BK1间隔开。在平面图中，对准游标标记VM可以与第一光阻挡构件BK1间隔开以形成多个图案。
对准游标标记VM可以包括与第一光阻挡构件BK1的材料相同的材料。在一个示例中，对准游标标记VM可以包括能够吸收可见光的光吸收材料。
对准游标标记VM可以通过与第一光阻挡构件BK1的图案化工艺相同的图案化工艺形成。由于对准游标标记VM是通过与第一光阻挡构件BK1相同的图案化工艺形成的，因此对准游标标记VM可以改善显示装置10的光输出区域LA与其他邻近的显示装置10中的每一个的光输出区域LA之间的对准程度。例如，由于与第二光阻挡构件BK2一起限定光输出区域LA和光阻挡区域BA的第一光阻挡构件BK1以及对准游标标记VM由相同的图案化工艺形成，因此对准游标标记VM和光输出区域LA的布局可以一致地保持。因此，可以通过将对准游标标记VM对准间接地控制显示装置10的光输出区域LA与其他邻近的显示装置10中的每一个的光输出区域LA之间的对准。
在非显示区域NDA中，第二覆盖层CAP2可以设置在对准游标标记VM上。
图6是根据本公开的实施例的发光元件层的子像素的平面图。图7是沿着图6的线Q-Q'截取的截面图。
参照图6和图7，显示装置10的发光元件层EML的子像素SPX可以包括发射区域EMA和非发射区域。发射区域EMA可以被限定为输出由发光元件ED发射的光的区，并且非发射区域可以被限定为由发光元件ED发射的光无法到达的区，并且因此不输出光。
发射区域EMA可以包括设置有发光元件ED的区和围绕设置有发光元件ED的区的区。发射区域EMA还可以包括输出由发光元件ED发射并且然后被其他构件反射或折射的光的区。
子像素SPX还可以包括设置在非发射区域中的切割区域CBA。切割区域CBA可以设置在发射区域EMA的在第二方向DR2上的一侧。切割区域CBA可以设置在发射区域EMA和在第二方向DR2上与子像素SPX相邻的上部邻近的子像素SPX的发射区域EMA之间。
切割区域CBA可以是子像素SPX的电极210和220与上部邻近的子像素SPX的电极210和220分离的区。子像素SPX的电极210和220可以与位于上部邻近的子像素SPX中的上部邻近的子像素SPX的电极210和220分离，并且可以部分地设置在切割区域CBA中。
参照图6和图7，在平面图中，第一堤400可以在第二方向DR2上在子像素SPX中延伸。如上所述，第一堤400可以包括彼此间隔开的第一子堤410和第二子堤420，并且第一子堤410和第二子堤420之间的间隙可以提供设置有多个发光元件ED的空间。
第一子堤410和第二子堤420可以从基底SUB的顶表面至少部分地突出。第一子堤410和第二子堤420的突出部分中的每一个可以具有倾斜的侧表面，并且可以将朝向第一子堤410和第二子堤420中的每一个的侧表面传播的光的方向改变为向上方向(例如，显示方向)。
第一电极210和第二电极220可以分别设置在第一子堤410和第二子堤420上。第一电极210和第二电极220可以彼此间隔开。
在平面图中，第一电极210和第二电极220可以在第二方向DR2上延伸。第一电极210和第二电极220可以间隔开，并且可以在第一方向DR1上彼此面对。
第一电极210可以在第二方向DR2上延伸，并且可以与第二堤600的在第一方向DR1上延伸的部分重叠。第一电极210可以通过第一接触孔CT1电连接到电路层CCL。
第二电极220可以在第二方向DR2上延伸，并且可以与第二堤600的在第一方向DR1上延伸的部分重叠。第二电极220可以通过第二接触孔CT2电连接到电路层CCL。
第一电极210和第二电极220可以电连接到发光元件ED，并且可以将预定电压施加到第一电极210和第二电极220，使得发光元件ED可以发射光。在一个示例中，电极210和220可以分别通过接触电极710和720电连接到设置在第一电极210和第二电极220之间的发光元件ED，并且可以分别通过接触电极710和720将施加到电极210和220的电信号传输到发光元件ED。
第一绝缘层510可以设置在第一电极210和第二电极220上以暴露第一电极210和第二电极220的至少一部分。
第二堤600可以设置在第一绝缘层510上。在平面图中，第二堤600可以包括在第一方向DR1上延伸的部分和在第二方向DR2上延伸的部分，并且可以被布置成格子形式。第二堤600可以形成为具有比第一堤400的高度大的高度。
发光元件ED可以在第一子堤410和第二子堤420之间设置在第一绝缘层510上，使得发光元件ED中的每一个的两端部分可以放置在电极210和220上。发光元件ED可以在一个方向上延伸，并且电极210和220延伸的方向可以基本上垂直于发光元件ED延伸的方向。
第二绝缘层520可以部分地设置在发光元件ED上，发光元件ED设置在第一电极210和第二电极220之间。第二绝缘层520可以设置在发光元件ED上，并且可以暴露发光元件ED中的每一个的两个端部。
第一接触电极710和第二接触电极720可以设置在第二绝缘层520上。在平面图中，第一接触电极710和第二接触电极720可以在一个方向上延伸。第一接触电极710和第二接触电极720可以在第二方向DR2上延伸。第一接触电极710和第二接触电极720可以设置在第二绝缘层520上以在第一方向DR1上彼此间隔开且彼此面对。
由第二绝缘层520暴露的发光元件ED的第一端部可以通过第一接触电极710电连接到第一电极210，并且由第二绝缘层520暴露的发光元件ED的第二端部可以通过第二接触电极720电连接到第二电极220。
第三绝缘层530可以设置在基底SUB的整个表面上。第三绝缘层530可以保护发光元件ED、第一电极210和第二电极220、第一接触电极710和第二接触电极720以及第一绝缘层510、第二绝缘层520和第三绝缘层530免受外部环境的影响。
图8是根据本公开的实施例的发光元件的透视图。
参照图8，作为微粒元件的发光元件ED可以具有棒形状或圆柱形形状，所述棒形状或圆柱形形状具有表示高度与宽度的比率的预定纵横比。发光元件ED的长度可以大于发光元件ED的直径，并且可以具有1.2：1至100：1的纵横比，但本公开不限于此。
发光元件ED可以具有从1nm至1μm的纳米级尺寸或1μm至1mm的微米级尺寸。在一个实施例中，发光元件ED的直径和长度可以均是纳米级或微米级的。在示例中，发光元件ED的直径可以是纳米级的，但是发光元件ED的长度可以是微米级的。在示例中，在存在多个发光元件ED的情况下，一些发光元件ED可以具有纳米级的直径和/或长度，并且其他发光元件ED可以具有微米级的直径和/或长度。
发光元件ED可以包括无机发光二极管。无机发光二极管可以包括多个半导体层。在一个示例中，无机发光二极管可以包括第一导电型(例如，n型)的半导体层、第二导电型(例如，p型)的半导体层以及介于第一导电型的半导体层与第二导电型的半导体层之间的有源半导体层。有源半导体层可以分别从第一导电型的半导体层和第二导电型的半导体层接收空穴和电子，并且空穴和电子可以在有源半导体层中复合。结果，发光元件ED可以发射光。
在一个示例中，发光元件ED的半导体层可以在发光元件ED的长度方向上顺序地堆叠。如图8中所示，发光元件ED可以包括在发光元件ED的长度方向上顺序地堆叠的第一半导体层31、有源层33和第二半导体层32。第一半导体层31、有源层33和第二半导体层32可以分别是第一导电型的半导体层、有源半导体层和第二导电型的半导体层。
第一半导体层31可以掺杂有第一导电型的掺杂剂。第一导电型的掺杂剂可以是Si、Ge或Sn。在一个示例中，第一半导体层31可以是掺杂有诸如Si的n型掺杂剂的n-GaN。
第二半导体层32可以经由有源层33与第一半导体层31间隔开。第二半导体层32可以掺杂有第二导电型的掺杂剂。在一个示例中，第二半导体层32可以是掺杂有诸如Mg的p型掺杂剂的p-GaN。
有源层33可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。如上所述，当电信号通过第一半导体层31和第二半导体层32施加时，由于电子-空穴对的复合，有源层33可以发射光。
在一些实施例中，有源层33可以具有这样的结构，其中，具有大的带隙能量的半导体材料和具有小的带隙能量的半导体材料彼此交替地堆叠，并且有源层33可以根据待发射的光的波长包括不同的III族、IV族和V族半导体材料。
由有源层33发射的光不仅可以通过发光元件ED的在长度方向上的外表面输出，而且可以通过发光元件ED的两端(例如，相对端)输出。例如，由有源层33发射的光输出的方向未被具体限制。
发光元件ED还可以包括设置在第二半导体层32上的电极层37。电极层37可以与第二半导体层32接触。电极层37可以是欧姆接触电极，但本公开不限于此。可替代地，电极层37可以是肖特基接触电极。
参照图7和图8，当发光元件ED的两个端部(例如，相对端)与接触电极710和720电连接以将电信号施加到第一半导体层31和第二半导体层32时，电极层37可以设置在第二半导体层32与接触电极710和720之间，并且可以降低电阻。电极层37可以包括铝(Al)、钛(Ti)、铟(In)、金(Au)、银(Ag)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟锡锌(ITZO)中的至少一种，或者可以由铝(Al)、钛(Ti)、铟(In)、金(Au)、银(Ag)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟锡锌(ITZO)中的至少一种形成。电极层37可以包括掺杂有n型掺杂剂或p型掺杂剂的半导体材料，或者可以由掺杂有n型掺杂剂或p型掺杂剂的半导体材料形成。
发光元件ED还可以包括围绕第一半导体层31、第二半导体层32、有源层33和/或电极层37的外圆周表面的绝缘膜38。绝缘膜38可以设置为围绕至少有源层33的外表面，并且可以在发光元件ED延伸的方向上延伸。例如，绝缘膜38可以保护发光元件ED的其他元件免受湿气的影响。绝缘膜38可以由具有绝缘特性的材料形成，并且因此可以防止当有源层33被放置为与将电信号传输到发光元件ED的电极直接接触时可能发生的任何短路。由于绝缘膜38包括有源层33并保护第一半导体层31和第二半导体层32的外圆周表面，因此可以防止发光元件ED的发射效率的劣化。
参照图7和图8，发光元件ED可以设置在基底SUB上，并且在从发光元件ED的一端到另一端截取的截面图中，第一半导体层31、有源层33、第二半导体层32和电极层37彼此顺序地堆叠的方向可以平行于基底SUB的表面。由于绝缘膜38设置为围绕第一半导体层31、有源层33、第二半导体层32和电极层37的侧表面，因此在第一电极210和第二电极220之间的发光元件ED的外表面的部分可以是绝缘膜38。
图9是示出图1的拼接式显示装置的布局的平面图。
如本文中所使用的，术语“左”、“右”、“上”和“下”是指拼接式显示装置TD或显示装置10中的每一个在平面图中的方向。例如，术语“右侧”可以指在第一方向DR1上的一侧，术语“左侧”可以指在第一方向DR1上的另一侧(即，相反侧)，术语“上侧”可以指在第二方向DR2上的一侧，并且术语“下侧”可以指在第二方向DR2上的另一侧(即，相反侧)。
参照图9，拼接式显示装置TD可以包括下部板20、设置在下部板20上以彼此间隔开预定距离的多个显示装置10。在一个示例中，显示装置10可以包括第一显示装置10_1、第二显示装置10_2、第三显示装置10_3、第四显示装置10_4、第五显示装置10_5、第六显示装置10_6、第七显示装置10_7、第八显示装置10_8和第九显示装置10_9。第一显示装置10_1、第二显示装置10_2、第三显示装置10_3、第四显示装置10_4、第五显示装置10_5、第六显示装置10_6、第七显示装置10_7、第八显示装置10_8和第九显示装置10_9可以设置为在第一方向DR1和/或第二方向DR2上彼此间隔开。图9示出了九个显示装置10设置在下部板20上并以3×3的矩阵布置，但是显示装置10的数量和布局未被具体限制。显示装置10的数量可以由显示装置10的尺寸和拼接式显示装置TD的尺寸确定。
对准游标标记VM可以设置在非显示区域NDA中。多个对准游标标记VM可以设置在非显示区域NDA中的每一个中以彼此间隔开。在平面图中，对准游标标记VM可以设置为邻接显示装置10中的每一个的侧边。例如，对准游标标记VM可以从显示装置10的侧边朝向显示装置10的显示区域DA(参见图2)延伸。本公开不限于此。在实施例中，在平面图中，对准游标标记VM可以与显示装置10的侧边相邻，朝向显示装置10的显示区域DA延伸。在一个示例中，对准游标标记VM可以在一个方向上延伸，并且对准游标标记VM延伸的方向可以垂直于显示装置10中的每一个的侧边延伸的方向。图9和图10示出了在显示装置10中的每一个的侧边中的每一个上设置三个对准游标标记VM，但是对准游标标记VM的数量和布局未被具体限制。在一些实施例中，可以将两个对准游标标记VM或四个对准游标标记VM设置在显示装置10中的每一个的侧边中的每一个上。在一些实施例中，对准游标标记VM可以设置在除了形成拼接式显示装置TD的侧边的显示装置10的侧边之外的显示装置10中的每一个的所有侧边上。
在将显示装置10放置在下部板20上期间，显示装置10可以被布置并对准为使得对准游标标记VM可以在第一方向DR1或第二方向DR2上的每对相邻的显示装置10之间在第一方向DR1或第二方向DR2上彼此平行地对准。如本文中所使用的，表述“对准游标标记VM平行地对准”是指每两个相邻的对准游标标记VM延伸的方向彼此一致。
在一个示例中，在第一方向DR1上彼此相邻地设置以在第一方向DR1上彼此间隔开且彼此面对的第一显示装置10_1和第二显示装置10_2可以被布置并对准为使得设置在第一显示装置10_1的长侧边中的每一者上的对准游标标记VM可以与设置在第二显示装置10_2的长侧边中的每一者上的对准游标标记VM平行地对准。在一些实施例中，设置在第一显示装置10_1的长侧边中的每一者上的对准游标标记VM和设置在第二显示装置10_2的长侧边中的每一者上的对准游标标记VM可以沿着在第一方向DR1上延伸的直线延伸。类似地，在一个示例中，在第二方向DR2上彼此相邻地设置以在第二方向DR2上彼此间隔开且彼此面对的第一显示装置10_1和第四显示装置10_4可以被布置并对准为使得设置在第一显示装置10_1的短侧边中的每一者上的对准游标标记VM可以与设置在第四显示装置10_4的短侧边中的每一者上的对准游标标记VM平行地对准。在一些实施例中，设置在第一显示装置10_1的短侧边中的每一者上的对准游标标记VM和设置在第四显示装置10_4中的短侧边中的每一者上的对准游标标记VM可以沿着在第二方向DR2上延伸的直线延伸。
在将显示装置10放置在下部板20上期间，每对相邻的显示装置10在第一方向DR1或第二方向DR2上的对准程度可以使用被包括在第一方向DR1或第二方向DR2上的每对相邻的显示装置10中的成组的对准游标标记VM测量并量化。可以通过基于测量数据(或数值数据)在第一方向DR1和/或第二方向DR2上移动显示装置10中的每一个来重新调整拼接式显示装置TD中的显示装置10的对准，所述测量数据(或数值数据)是使用对准游标标记VM获得的，并指示显示装置10之间的对准程度。
图10是图4的显示装置的平面图。
参照图10，显示装置10可以包括显示区域DA和围绕显示区域DA的非显示区域NDA。
非显示区域NDA可以包括第一非显示区域NDA1、第二非显示区域NDA2、第三非显示区域NDA3和第四非显示区域NDA4。在平面图中，第一非显示区域NDA1可以与显示装置10的在第一方向DR1上的第一侧边SL1(即，显示装置10的右侧边或第一长侧边)相邻地设置。在平面图中，第二非显示区域NDA2可以与显示装置10的在第一方向DR1上的第二侧边SL2(即，显示装置10的左侧边或第二长侧边)相邻地设置。在平面图中，第三非显示区域NDA3可以与显示装置10的在第二方向DR2上的第三侧边SL3(即，显示装置10的上侧边或第一短侧边)相邻地设置。在平面图中，第四非显示区域NDA4可以与显示装置10的在第二方向DR2上的第四侧边SL4(即，显示装置10的下侧边或第二短侧边)相邻地设置。
对准游标标记VM可以包括第一对准游标标记VM1、第二对准游标标记VM2、第三对准游标标记VM3和第四对准游标标记VM4。
第一对准游标标记VM1可以设置在第一非显示区域NDA1中。第一对准游标标记VM1可以在第一非显示区域NDA1中邻接显示装置10的第一侧边(或右侧边)。例如，对准游标标记VM可以从显示装置10的第一侧边朝向显示装置10的显示区域DA(参见图2)延伸。本公开不限于此。在实施例中，在平面图中，对准游标标记VM可以与显示装置10的第一侧边相邻，朝向显示装置10的显示区域DA延伸。
第一对准游标标记VM1可以包括多个第一子游标标记VM11、第二子游标标记VM12和第三子游标标记VM13。第一子游标标记VM11、第二子游标标记VM12和第三子游标标记VM13可以在第二方向DR2上彼此间隔开。
第一对准游标标记VM1的第一子游标标记VM11可以设置为邻接显示装置10的第一侧边SL1，接近第一侧边SL1和第三侧边SL3彼此相遇的第一角。第一对准游标标记VM1的第二子游标标记VM12可以设置为邻接显示装置10的第一侧边SL1，接近第一侧边SL1和第四侧边SL4彼此相遇的第二角。第一对准游标标记VM1的第三子游标标记VM13可以设置在第一对准游标标记VM1的第一子游标标记VM11和第二子游标标记VM12之间以邻接显示装置10的第一侧边SL1。
第一对准游标标记VM1的第一子游标标记VM11和第二子游标标记VM12可以是设置为邻接显示装置10的第一侧边SL1、分别接近显示装置10的第一角和第二角的游标标记，并且第一对准游标标记VM1的第三子游标标记VM13可以是设置为邻接第一侧边SL1、与显示装置10的第一角和第二角隔开的游标标记。由于对准游标标记VM不仅布置在显示装置10的角处，而且布置在显示装置10的角之间，因此可以改善显示装置10的对准精度。
第二对准游标标记VM2可以设置在第二非显示区域NDA2中。第二对准游标标记VM2可以在第二非显示区域NDA2中邻接显示装置10的第二侧边(或左侧边)。例如，对准游标标记VM可以从显示装置10的第二侧边朝向显示装置10的显示区域DA(参见图2)延伸。本公开不限于此。在实施例中，对准游标标记VM在平面图中可以与显示装置10的第二侧边相邻，朝向显示装置10的显示区域DA延伸。
第二对准游标标记VM2可以包括多个子游标标记，即，第一子游标标记VM21、第二子游标标记VM22和第三子游标标记VM23。第一子游标标记VM21、第二子游标标记VM22和第三子游标标记VM23可以在第二方向DR2上彼此间隔开。
第二对准游标标记VM2的第一子游标标记VM21可以设置为邻接显示装置10的第二侧边SL2，接近第二侧边SL2和第三侧边SL3彼此相遇的第三角。第二对准游标标记VM2的第二子游标标记VM22可以设置为邻接显示装置10的第二侧边SL2，接近第二侧边SL2和第四侧边SL4彼此相遇的第四角。第二对准游标标记VM2的第三子游标标记VM23可以设置在第二对准游标标记VM2的第一子游标标记VM21和第二子游标标记VM22之间以邻接显示装置10的第二侧边SL2。
第一对准游标标记VM1的第一子游标标记VM11、第二子游标标记VM12和第三子游标标记VM13可以形成为分别在第一方向DR1上与第二对准游标标记VM2的第一子游标标记VM21、第二子游标标记VM22和第三子游标标记VM23平行地对准。第一对准游标标记VM1的第一子游标标记VM11、第二子游标标记VM12和第三子游标标记VM13可以相对于沿着第二方向DR2穿过显示装置10的中心的假想线分别与第二对准游标标记VM2的第一子游标标记VM21、第二子游标标记VM22和第三子游标标记VM23水平地对称。
第三对准游标标记VM3可以设置在第三非显示区域NDA3中。第三对准游标标记VM3可以在第三非显示区域NDA3中邻接显示装置10的第三侧边(或上侧边)。例如，对准游标标记VM可以从显示装置10的第三侧边朝向显示装置10的显示区域DA(参见图2)延伸。本公开不限于此。在实施例中，在平面图中，对准游标标记VM可以与显示装置10的第三侧边相邻，朝向显示装置10的显示区域DA延伸。
第三对准游标标记VM3可以包括多个子游标标记，即，第一子游标标记VM31、第二子游标标记VM32和第三子游标标记VM33。第一子游标标记VM31、第二子游标标记VM32和第三子游标标记VM33可以在第一方向DR1上彼此间隔开。
第三对准游标标记VM3的第一子游标标记VM31可以设置为邻接显示装置10的第三侧边SL3，接近第一侧边SL1和第三侧边SL3彼此相遇的第一角。第三对准游标标记VM3的第二子游标标记VM32可以设置为邻接显示装置10的第三侧边SL3，接近第二侧边SL2和第三侧边SL3彼此相遇的第三角。第三对准游标标记VM3的第三子游标标记VM33可以设置在第三对准游标标记VM3的第一子游标标记VM31和第二子游标标记VM32之间以邻接显示装置10的第三侧边SL3。
第四对准游标标记VM4可以设置在第四非显示区域NDA4中。第四对准游标标记VM4可以在第四非显示区域NDA4中邻接显示装置10的第四侧边(或下侧边)。例如，对准游标标记VM可以从显示装置10的第四侧边朝向显示装置10的显示区域DA(参见图2)延伸。本公开不限于此。在实施例中，在平面图中，对准游标标记VM可以与显示装置10的第四侧边相邻，朝向显示装置10的显示区域DA延伸。
第四对准游标标记VM4可以包括多个子游标标记，即，第一子游标标记VM41、第二子游标标记VM42和第三子游标标记VM43。第一子游标标记VM41、第二子游标标记VM42和第三子游标标记VM43可以在第一方向DR1上彼此间隔开。
第四对准游标标记VM4的第一子游标标记VM41可以设置为邻接显示装置10的第四侧边SL4，接近第一侧边SL1和第四侧边SL4彼此相遇的第二角。第四对准游标标记VM4的第二子游标标记VM42可以设置为邻接显示装置10的第四侧边SL4，接近第二侧边SL2和第四侧边SL4彼此相遇的第四角。第四对准游标标记VM4的第三子游标标记VM43可以设置在第四对准游标标记VM4的第一子游标标记VM41和第二子游标标记VM42之间以邻接显示装置10的第四侧边SL4。
第四对准游标标记VM4的第一子游标标记VM41、第二子游标标记VM42和第三子游标标记VM43可以形成为在第二方向DR2上分别与第三对准游标标记VM3的第一子游标标记VM31、第二子游标标记VM32和第三子游标标记VM33平行地对准。第四对准游标标记VM4的第一子游标标记VM41、第二子游标标记VM42和第三子游标标记VM43可以分别相对于沿着第一方向DR1穿过显示装置10的中心的假想线与第三对准游标标记VM3的第一子游标标记VM31、第二子游标标记VM32和第三子游标标记VM33垂直地对称。
分别设置在显示装置10的第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2中的第一对准游标标记VM1和第二对准游标标记VM2可以是用于基于测量到的显示装置10与其他邻近的显示装置10之间在第一方向DR1上的对准程度来确定显示装置10是否在第一方向DR1上与其他邻近的显示装置10对准的游标标记，显示装置10的第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2分别邻接显示装置10的第一侧边SL1和第二侧边SL2。例如，可以基于在第一方向DR1上的每对相邻的显示装置10之间的对准程度通过使用第一对准游标标记VM1和第二对准游标标记VM2来确定在第一方向DR1上的每对相邻的显示装置10是否未对准。
类似地，分别设置在显示装置10的第三非显示区域NDA3和第四非显示区域NDA4中的第三对准游标标记VM3和第四对准游标标记VM4可以是用于基于测量到的显示装置10与其他邻近的显示装置10之间在第二方向DR2上的对准程度来确定显示装置10是否在第二方向DR2上与其他邻近的显示装置10对准的游标标记，显示装置10的第三非显示区域NDA3和第四非显示区域NDA4分别邻接显示装置10的第三侧边SL3和第四侧边SL4。例如，可以基于在第二方向DR2上的每对相邻的显示装置10之间的对准程度通过使用第三对准游标标记VM3和第四对准游标标记VM4来确定在第二方向DR2上的每对相邻的显示装置10是否未对准。
第一对准游标标记VM1、第二对准游标标记VM2、第三对准游标标记VM3和第四对准游标标记VM4中的每一个被示出为包括三个子游标标记，但本公开不限于此。可替代地，第一对准游标标记VM1、第二对准游标标记VM2、第三对准游标标记VM3和第四对准游标标记VM4中的每一者可以包括多于三个子游标标记或者少于三个子游标标记。
图11是根据本公开的实施例的第一游标标记的放大截面图。
在下文中，将描述第一对准游标标记VM1的平面形状。第一对准游标标记VM1的平面形状可以几乎类似地适用于第二对准游标标记VM2、第三对准游标标记VM3和第四对准游标标记VM4。因此，第三对准游标标记VM3和第四对准游标标记VM4的平面形状的描述可以替换为第一对准游标标记VM1的平面形状的以下描述。
第一对准游标标记VM1可以包括多个线图案LP。线图案LP可以在第二方向DR2上彼此间隔开，第二方向DR2是显示装置10的第一侧边SL1延伸的方向。
在一个示例中，线图案LP可以包括第一线图案LP1、第二线图案LP2、第三线图案LP3、第四线图案LP4和第五线图案LP5。在平面图中，第一线图案LP1、第二线图案LP2、第三线图案LP3、第四线图案LP4和第五线图案LP5可以在一个方向上延伸。第一线图案LP1、第二线图案LP2、第三线图案LP3、第四线图案LP4和第五线图案LP5延伸的方向可以基本上垂直于显示装置10的邻接第一线图案LP1、第二线图案LP2、第三线图案LP3、第四线图案LP4和第五线图案LP5的第一侧边SL1延伸的方向。例如，第一对准游标标记VM1的邻接在第二方向DR2上延伸的第一侧边SL1的第一线图案LP1、第二线图案LP2、第三线图案LP3、第四线图案LP4和第五线图案LP5可以在第一方向DR1上延伸，并且可以在第二方向DR2上彼此间隔开。
第一线图案LP1可以是用于确定显示装置10是否在第一方向DR1上与邻近的显示装置10对准的参考图案。第二线图案LP2可以在第一线图案LP1上方与第一线图案LP1间隔开。第三线图案LP3可以在第一线图案LP1下方与第一线图案LP1间隔开。第四线图案LP4可以在第一线图案LP1和第二线图案LP2之间与第一线图案LP1和第二线图案LP2间隔开。第五线图案LP5可以在第一线图案LP1和第三线图案LP3之间与第一线图案LP1和第三线图案LP3间隔开。
线图案LP之间在第二方向DR2上的距离可以是一致的。线图案LP之间的距离可以指两个相邻线图案LP的相对侧边之间的距离。例如，第二线图案LP2和第四线图案LP4之间的第一距离d1、第一线图案LP1和第四线图案LP4之间的第二距离d2、第一线图案LP1和第五线图案LP5之间的第三距离d3以及第三线图案LP3和第五线图案LP5之间的第四距离d4可以全部彼此相同。当第一距离d1、第二距离d2、第三距离d3和第四距离d4全部彼此相同时，因为线图案LP用作刻度尺，所以可以确定并测量显示装置10的对准或未对准的程度而无需单独的测量设备。在一些实施例中，第一距离d1、第二距离d2、第三距离d3和第四距离d4可以小于两个相邻的显示装置(例如，图12中的两个显示装置10_1和10_2或两个显示装置10_1和10_4)之间的距离。
第一线图案LP1在第一方向DR1上的长度L1可以大于第二线图案LP2、第三线图案LP3、第四线图案LP4和第五线图案LP5在第一方向DR1上的长度L2、L3、L4和L5，第一线图案LP1是用于确定显示装置10与邻近的显示装置10在第一方向DR1上的对准程度的参考图案。第二线图案LP2的第二长度L2和第三线图案LP3的第三长度L3可以彼此相同，并且可以小于第一线图案LP1的第一长度L1。第四线图案LP4的第四长度L4和第五线图案LP5的第五长度L5可以彼此相同，并且可以小于第二线图案LP2的第二长度L2和第三线图案LP3的第三长度L3。通过改变线图案LP的长度，可以用肉眼识别参考线图案。
可以在线图案LP之间的距离范围内测量显示装置10在垂直方向或水平方向上的未对准程度。在一个示例中，在显示装置10与邻近的显示装置10之间的距离的公差为35μm的情况下，线图案LP之间的距离可以为35μm或更小。在显示装置10与邻近的显示装置10之间的距离的公差为35μm的实施例中，线图案LP之间的距离可以在从1μm至15μm的范围内。
图12是图9的区域A的放大平面图。图13是示出根据本公开的实施例的第一显示装置10_1和第二显示装置10_2的布局的平面图。
在下文中，将描述在第一方向DR1上的一对相邻的显示装置10之间或在第二方向DR2上的一对相邻的显示装置10之间的对准游标标记VM的对准。
参照图9和图12，第一显示装置10_1的第一侧边SL1和第二显示装置10_2的第二侧边SL2可以在第一方向DR1上彼此间隔开并彼此面对。邻接第一显示装置10_1的第一侧边SL1的第一对准游标标记VM1和邻接第二显示装置10_2的第二侧边SL2的第二对准游标标记VM2可以彼此平行地对准。例如，穿过第一显示装置10_1的第一对准游标标记VM1的参考游标标记的中心的第一参考线Lx11可以与穿过第二显示装置10_2的第二对准游标标记VM2的参考游标标记的中心的第二参考线Lx12重合。
第一显示装置10_1的第四侧边SL4和第四显示装置10_4的第三侧边SL3可以在第二方向DR2上彼此间隔开并彼此面对。邻接第一显示装置10_1的第四侧边SL4的第四对准游标标记VM4和邻接第四显示装置10_4的第三侧边SL3的第三对准游标标记VM3可以彼此平行地对准。例如，穿过第一显示装置10_1的第四对准游标标记VM4的参考游标标记的中心的第三参考线Ly11可以与穿过第四显示装置10_4的第三对准游标标记VM3的参考游标标记的中心的第四参考线Ly12重合。
第四显示装置10_4的第一侧边SL1和第五显示装置10_5的第二侧边SL2可以在第一方向DR1上彼此间隔开并彼此面对。邻接第四显示装置10_4的第一侧边SL1的第一对准游标标记VM1和邻接第五显示装置10_5的第二侧边SL2的第二对准游标标记VM2可以彼此平行地对准。例如，穿过第四显示装置10_4的第一对准游标标记VM1的参考游标标记的中心的第五参考线Lx21可以与穿过第五显示装置10_5的第二对准游标标记VM2的参考游标标记的中心的第六参考线Lx22重合。
第二显示装置10_2的第四侧边SL4和第五显示装置10_5的第三侧边SL3可以在第二方向DR2上彼此间隔开并彼此面对。邻接第二显示装置10_2的第四侧边SL4的第四对准游标标记VM4和邻接第五显示装置10_5的第三侧边SL3的第三对准游标标记VM3可以彼此平行地对准。例如，穿过第二显示装置10_2的第四对准游标标记VM4的参考游标标记的中心的第七参考线Ly21可以与穿过第五显示装置10_5的第三对准游标标记VM3的参考游标标记的中心的第八参考线Ly22重合。
参照图9、图12和图13，一个显示装置10的显示区域DA中包括的多个光输出区域LA与邻近的显示装置10的显示区域DA中包括的多个光输出区域LA的对准程度可以基于利用邻近的显示装置10的对准游标标记VM测量的显示装置10的对准游标标记VM的对准程度来确定。为了使用对准游标标记VM确定每个显示装置10的光输出区域LA的对准程度，对准游标标记VM可以包括与限定或分离每个显示装置10的光输出区域LA的构件的材料相同的材料。对准游标标记VM可以与第一光阻挡构件BK1(参见图5C)和第二光阻挡构件BK2(参见图5C)形成在相同的层中，第一光阻挡构件BK1和第二光阻挡构件BK2沿着每个子像素SPX(参见图5B)的边界设置并且限定每个子像素SPX的光输出区域LA。由于对准游标标记VM沿着每个子像素SPX的边界设置并且与第一光阻挡构件BK1和第二光阻挡构件BK2形成在相同的层中，因此可以改善每个显示装置10的光输出区域LA的对准程度。
如果一个显示装置10的光输出区域LA在第一方向DR1或第二方向DR2上与邻近的显示装置10的光输出区域LA未对准，则两个显示装置10之间的未对准可能变得对用户可见。拼接式显示装置TD的每个显示装置10的光输出区域LA的对准程度可以基于对准游标标记VM的对准来确定。
例如，如果第一显示装置10_1的第一对准游标标记VM1和第二显示装置10_2的第二对准游标标记VM2彼此平行地对准使得第一参考线Lx11和第二参考线Lx12彼此重合，则可以间接地确定布置在第一显示装置10_1的第一行中的多个光输出区域LA的下侧边中的每一者的延伸部LPx11与布置在第二显示装置10_2的第一行中的多个光输出区域LA的下侧边中的每一者的延伸部LPx12重合。因此，由于每个显示装置10的光输出区域LA的对准程度可以使用对准游标标记VM来确定，所述对准游标标记VM与第二光阻挡构件BK2形成在相同的层中，因此可以改善拼接式显示装置TD的显示可靠性。
图14是示出第一显示装置10_1和第二显示装置10_2彼此未对准的示例的平面图。图15是示出第一显示装置10_1和第二显示装置10_2彼此未对准的示例的平面图。
图14和图15是示出第一显示装置10_1和第二显示装置10_2彼此未对准的示例的平面图。
参照图14，第一显示装置10_1的第一对准游标标记VM1和第二显示装置10_2的第二对准游标标记VM2未对准。由于第一显示装置10_1的第一对准游标标记VM1的第一参考线Lx11与第二显示装置10_2的第二对准游标标记VM2的第二参考线Lx12在第二方向DR2上隔开，因此可以确定第一显示装置10_1和第二显示装置10_2彼此未对准。由于第一参考线Lx11和第二参考线Lx12在第一显示装置10_1的第一对准游标标记VM1上或在第二显示装置10_2的第二对准游标标记VM2上彼此隔开多达两个等级，因此第一参考线Lx11与第二参考线Lx12之间在第二方向DR2上的距离WL1可以被识别为第一显示装置10_1的第一对准游标标记VM1的线图案LP(参见图11)之间或第二显示装置10_2的第二对准游标标记VM2的线图案LP之间的距离的两倍。由于第一参考线Lx11和第二参考线Lx12未对准，因此可以间接地确定布置在第一显示装置10_1的第一行中的光输出区域LA的下侧边中的每一者的延伸部LPx11与布置在第二显示装置10_2的第一行中的光输出区域LA的下侧边中的每一者的延伸部LPx12未对准。延伸部LPx11和LPx12之间的未对准程度WP1可以被确定为与使用对准游标标记VM测量的未对准程度相同，使用对准游标标记VM测量的未对准程度即第一参考线Lx11和第二参考线Lx12之间在第二方向DR2上的距离WL1。
参照图15，第一显示装置10_1的第一对准游标标记VM1的第一子游标标记VM11和第二显示装置10_2的第二对准游标标记VM2的第一子游标标记VM21彼此对准，但第一显示装置10_1的第一对准游标标记VM1的第二子游标标记VM12和第三子游标标记和VM13与第二显示装置10_2的第二对准游标标记VM2的第二子游标标记VM22和第三子游标标记VM23未对准。在这种情况下，可以通过在第一显示装置10_1的角之间进一步提供第三子游标标记VM13以及在第二显示装置10_2的角之间进一步提供第三子游标标记VM23来改善第一显示装置10_1和第二显示装置10_2之间的对准。
图16至图23是示出根据本公开的实施例的如何制造拼接式显示装置的侧视图或平面图。
参照图16和图17，制备母基底1000。多个显示装置10的单元基底可以形成在母基底1000上，并且单元基底中的每一个可以包括显示区域DA(参见图9)和非显示区域NDA(参见图9)。发光元件层可以形成在单元基底中的每一个中。可以通过沿着在第一方向DR1上延伸的第一切割线CLX和在第二方向DR2上延伸的第二切割线CLY将母基底1000切割成单独的显示装置来获得显示装置10。
多个初始对准游标标记VM'可以形成在单元基底中的每一个上。初始对准游标标记VM'可以延伸以到达第一切割线CLX或第二切割线CLY，并且可以彼此间隔开。
此后，参照图16和图18，可以沿着第一切割线CLX和第二切割线CLY切割母基底1000。第一切割线CLX和第二切割线CLY可以形成为限定大于显示装置10的区。
此后，参照图16和图19，母基底1000的切割表面可以沿着第一切割线CLX和第二切割线CLY抛光，并且因此形成显示装置10中的每一个的第一侧边SL1、第二侧边SL2、第三侧边SL3和第四侧边SL4。结果，可以获得图19的显示装置10。
此后，参照图20和图21，多个第一显示装置10_1、第二显示装置10_2、第三显示装置10_3和第四显示装置10_4可以布置在下部板20上，并且可以使用相机CAM捕获第一显示装置10_1的角、第二显示装置10_2的角、第三显示装置10_3的角和第四显示装置10_4的角邻接的区的图像。
例如，第一显示装置10_1、第二显示装置10_2、第三显示装置10_3和第四显示装置10_4可以首先在下部板20上对准。第一显示装置10_1、第二显示装置10_2、第三显示装置10_3和第四显示装置10_4可以经由设置在下部板20与第一显示装置10_1、第二显示装置10_2、第三显示装置10_3和第四显示装置10_4之间的耦接构件首先在第一显示装置10_1、第二显示装置10_2、第三显示装置10_3和第四显示装置10_4应当在的区中对准。
一旦第一显示装置10_1、第二显示装置10_2、第三显示装置10_3和第四显示装置10_4首先对准，如图21中所示，在通过使用相机CAM(参见图20)从第一显示装置10_1、第二显示装置10_2、第三显示装置10_3和第四显示装置10_4上方捕获形成第一显示装置10_1、第二显示装置10_2、第三显示装置10_3和第四显示装置10_4中的每一个的对准游标标记VM的区的图像的同时，可以使第一显示装置10_1、第二显示装置10_2、第三显示装置10_3和第四显示装置10_4第二次对准。在一个示例中，可以捕获与第一显示装置10_1的角、第二显示装置10_2的角、第三显示装置10_3的角和第四显示装置10_4的角彼此邻接的图像拍摄区域CA对应的第一显示装置10_1、第二显示装置10_2、第三显示装置10_3和第四显示装置10_4的顶表面的部分的图像。
此后，参照图22，可以基于使用相机CAM(参见图20)获得的图像数据来确定第一显示装置10_1、第二显示装置10_2、第三显示装置10_3和第四显示装置10_4的对准程度。如上所述，由于多个对准游标标记VM由相同的材料形成，并且在相同的层中，作为第一光阻挡构件BK1或第二光阻挡构件BK2，对准游标标记VM可以在由相机CAM捕获的图像中呈现为暗图案。因此，可以通过使用第一显示装置10_1、第二显示装置10_2、第三显示装置10_3和第四显示装置10_4中的每一个的对准游标标记VM来确定第一显示装置10_1、第二显示装置10_2、第三显示装置10_3和第四显示装置10_4的对准程度。例如，由于第一显示装置10_1的第一对准游标标记VM1的第一参考线Lx11与第二显示装置10_2的第二对准游标标记VM2的第二参考线Lx12在第二方向DR2上以大于预定值的第一距离隔开，因此可以确定第一显示装置10_1和第二显示装置10_2彼此未对准。而且，例如，由于第一参考线Lx11和第二参考线Lx12在第一显示装置10_1的第一对准游标标记VM1上或在第二显示装置10_2的第二对准游标标记VM2上彼此隔开两个等级，因此第一参考线Lx11与第二参考线Lx12之间在第二方向DR2上的距离WL1可以被识别为第一显示装置10_1的第一对准游标标记VM1的线图案LP(参见图11)之间或第二显示装置10_2的第二对准游标标记VM2的线图案LP之间的距离的两倍。然后，如图23中所示，可以通过将第二显示装置10_2在第二方向DR2上移动距离WL1来调整第一显示装置10_1和第二显示装置10_2之间的对准。为了便于说明，图22中示出了两个等级的未对准。本发明不限于此。在一些实施例中，距离WL1可以是一个等级或者小于一个等级，距离WL1可以大于用于确定对准是否可接受而设置的预定距离。
类似地，由于第一显示装置10_1的第四对准游标标记VM4的第三参考线Ly11与第三显示装置10_3的第三对准游标标记VM3的第四参考线Ly12在第一方向DR1上隔开，因此可以确定第一显示装置10_1和第三显示装置10_3彼此未对准。由于第三参考线Ly11和第四参考线Ly12在第一显示装置10_1的第四对准游标标记VM4上或在第三显示装置10_3的第三对准游标标记VM3上彼此隔开一个等级，因此第三参考线Ly11与第四参考线Ly12之间在第一方向DR1上的距离WL2可以被识别为与第一显示装置10_1的第四对准游标标记VM4的线图案LP之间或第三显示装置10_3的第三对准游标标记VM3的线图案LP之间的距离相同。然后，如图23中所示，可以通过将第三显示装置10_3在第一方向DR1上移动距离WL2来调整第一显示装置10_1和第三显示装置10_3之间的对准，并且可以通过将第二显示装置10_2在第二方向DR2上移动距离WL1来调整第一显示装置10_1和第二显示装置10_2之间的对准。
上面已经描述的元件或特征的描述将被省略或简化，并且在下文中将描述根据本公开的一些实施例的拼接式显示装置，主要集中于与图9的拼接式显示装置TD的不同之处。
图24是示出根据本公开的实施例的拼接式显示装置的布局的平面图。图25是示出根据本公开的实施例的拼接式显示装置的布局的平面图。
图24和图25示出了多个显示装置10中的每一个中包括的多个对准游标标记VM的平面布局的各种示例。
图24的实施例与图9的实施例的不同之处在于，多个对准游标标记VM沿着每对相邻的显示装置10的相对侧边在第一方向DR1上或在第二方向DR2上形成。
参照图24，在形成拼接式显示装置TD_1的侧边(例如，外边界)的多个显示装置10中的每一个的侧边上可以不设置对准游标标记VM。例如，对准游标标记VM可以仅设置在每两个相邻的显示装置10的相对侧边上。在一个示例中，对准游标标记VM可以设置在第一显示装置10_1、第三显示装置10_3、第七显示装置10_7和第九显示装置10_9中的每一个的仅两个内侧边(即，一个长侧边和一个短侧边)上，所述两个内侧边设置在拼接式显示装置TD_1的角处。在一个示例中，对准游标标记VM可以仅设置在第二显示装置10_2、第四显示装置10_4、第六显示装置10_6和第八显示装置10_8中的每一个的三个内侧边(即，一个长侧边和两个短侧边，或者两个长侧边和一个短侧边)上，所述三个内侧边未沿着拼接式显示装置TD_1的边缘设置并且未形成拼接式显示装置TD_1的侧边。在一个示例中，对准游标标记VM可以设置在第五显示装置10_5的所有四个侧边上，第五显示装置10_5设置在拼接式显示装置TD_1的内部。
即使仅在拼接式显示装置TD_1的显示装置10中的每一个的需要彼此对准的侧边上形成对准游标标记VM，也可以确定显示装置10是否基于仅形成在显示装置10中的每一个的侧边上的对准游标标记VM的所测量的对准程度而彼此对准。
图25的实施例与图9的实施例的不同之处在于，多个对准游标标记VM仅形成在拼接式显示装置TD_2的多个显示装置10中的每一个的角部处。
参照图25，显示装置10中的每一个可以具有第一角部、第二角部、第三角部和第四角部。对准游标标记VM可以设置在第一角部、第二角部、第三角部和第四角部出，以邻接显示装置10中的每一个的侧边。即使对准游标标记VM仅设置在显示装置10中的每一个的角部处，也可以确定显示装置10是否在第一方向DR1上和/或在第二方向DR2上彼此对准以及对准的程度。
图26是根据本公开的实施例的显示装置的平面图。图27是包括图26的显示装置的拼接式显示装置的部分的平面图。
图26和图27的实施例与图10的实施例的不同之处在于，在平面图中，形成在每个显示装置10的第三侧边SL3和第四侧边SL4上的第三对准游标标记VM3和第四对准游标标记VM4_1具有不同的形状。
参照图26和图27，在平面图中分别设置在每个显示装置10的上侧边和下侧边上的第三对准游标标记VM3和第四对准游标标记VM4_1可以在平面图中具有不同的形状。第四对准游标标记VM4_1可以在平面图中具有矩形形状，并且可以由多个刻线图案组成。刻线图案可以对应于第三对准游标标记VM3。因此，如图27中所示，在第二方向DR2上的两个相邻的显示装置10可以对准，使得上部显示装置10的第四对准游标标记VM4_1的线图案可以与下部显示装置10的第三对准游标标记VM3的线图案对准。
在图26和图27的实施例中，由于每个显示装置10的第三对准游标标记VM3和第四对准游标标记VM4_1在平面图中形成为具有不同的形状，因此可以防止显示装置10在显示装置10在下部板20上的布置和对准期间被颠倒。例如，可以在下部板20上的显示装置10的对准中使用每个显示装置10的第三对准游标标记VM3和第四对准游标标记VM4_1的不同形状来识别这种颠倒。
图28是示出根据本公开的实施例的游标标记的形状的局部平面图。图29是示出根据本公开的实施例的游标标记的形状的局部平面图。图30是示出根据本公开的实施例的游标标记的形状的局部平面图。
图28的实施例与前述实施例的不同之处在于，游标标记VM_1在第一方向DR1和第二方向DR2上具有预定宽度，而不是包括多个线图案。在两个相邻的显示装置10之间的距离的公差为35μm的情况下，游标标记VM_1在第一方向DR1上的宽度WVM2和游标标记VM_1在第二方向DR2上的宽度WVM1可以均是35μm或更小。在一个示例中，宽度WVM1和WVM2可以均是5μm，但本公开不限于此。
图29的实施例与前述实施例的不同之处在于，显示装置10包括在第一方向DR1和第二方向DR2上与其他显示装置10对准的对准游标标记VM，并且还包括用于切割的切割游标标记CVM。
参照图29，切割游标标记CVM可以包括分别邻接显示装置10的第一侧边SL1和第四侧边SL4的第一切割游标标记CVM1和第四切割游标标记CVM4。
切割游标标记CVM可以是用于识别母基底1000(参见图16)的切割线和母基底1000的抛光量以被切割成每个单独的显示装置10的游标标记。
第一切割游标标记CVM1和第四切割游标标记CVM4中的每一个可以包括多个线图案。邻接显示装置10的在第二方向DR2上延伸的第一侧边SL1的第一切割游标标记CVM1的线图案可以在第二方向DR2上延伸。邻接显示装置10的在第一方向DR1上延伸的第四侧边SL4的第四切割游标标记CVM4的线图案可以在第一方向DR1上延伸。为了从母基底1000获得每个单独的显示装置10，可以沿着平行于每个单独的显示装置10的侧边的切割线切割母基底1000。因此，切割游标标记CVM可以形成为平行于切割游标标记CVM所邻接的每个单独的显示装置10的侧边。
参照图30，游标标记VM_2还可以包括数字。例如，数字“0”、“+5”和“-5”可以写在第一线图案LP1、第二线图案LP2和第三线图案LP3的第一侧边上。第一线图案LP1可以是用于确定对准程度的参考线图案，并且第二线图案LP2和第三线图案LP3可以分别设置在第一线图案LP1的上方和下方。第一线图案LP1、第二线图案LP2和第三线图案LP3的第一侧边可以是第一线图案LP1、第二线图案LP2和第三线图案LP3的面对显示装置10的内部的侧边。由于游标标记VM_2还包括在游标标记VM_2的一个侧边上的数字，因此可以使用数字来识别显示装置10的未对准程度。因此，可以简化显示装置10的对准，并且可以降低拼接式显示装置的制造成本。
图31是示出根据本公开的实施例的拼接式显示装置的布局的平面图。图32是图31的区域B的放大平面图。
图31和图32的实施例与前述实施例的不同在于，拼接式显示装置TD_3的多个第一显示装置10_1、第二显示装置10_2、第三显示装置10_3和第四显示装置10_4具有不同的形状和尺寸。
参照图31，第一显示装置10_1、第二显示装置10_2、第三显示装置10_3和第四显示装置10_4可以具有不同的形状和尺寸。第一显示装置10_1、第二显示装置10_2、第三显示装置10_3和第四显示装置10_4中的一些可以在平面图中具有六边形形状。具体地，第二显示装置10_2可以在平面图中具有六边形形状，并且对准游标标记VM可以形成在第二显示装置10_2和第三显示装置10_3的相对角处，使得可以确定第二显示装置10_2和第三显示装置10_3之间的未对准程度。
在一个示例中，如图32中所示，第五对准游标标记VM5、第六对准游标标记VM6、第七对准游标标记VM7和第八对准游标标记VM8可以沿着第二显示装置10_2和第三显示装置10_3的两对相对侧边形成，使得第二显示装置10_2和第三显示装置10_3可以对准。例如，形成在第二显示装置10_2的面对第三显示装置10_3的侧边上的第五对准游标标记VM5和第七对准游标标记VM7以及形成在第三显示装置10_3的面对第二显示装置10_2的侧边上的第六对准游标标记VM6和第八对准游标标记VM8可以分别平行地对准。以这种方式，各种形状的显示装置10可以对准。
图33是示出根据本公开的实施例的拼接式显示装置的布局的平面图。图34是示出根据本公开的实施例的拼接式显示装置的布局的平面图。
参照图33和图34，即使当拼接式显示装置TD_4或TD_5中包括的多个第一显示装置10_1、第二显示装置10_2、第三显示装置10_3和第四显示装置10_4在平面图中具有诸如六边形形状的多边形形状时，垂直于其中第一显示装置10_1、第二显示装置10_2、第三显示装置10_3和第四显示装置10_4中的每一个的侧边延伸的方向延伸的对准游标标记VM可以沿着第一显示装置10_1、第二显示装置10_2、第三显示装置10_3和第四显示装置10_4中的每一个的侧边形成，使得可以确定第一显示装置10_1、第二显示装置10_2、第三显示装置10_3和第四显示装置10_4在平面图中不仅在垂直方向和水平方向上对准而且在对角线方向上对准以及对准的程度。
图35是图3的区域P的截面图。
图35的实施例与图5A的实施例的不同之处在于，显示装置10包括第一显示基底11、第二显示基底12、密封构件AM1和填充层FIL。
参照图35，第一显示基底11可以包括基底SUB、电路层CCL和发光元件层EML。
第二显示基底12可以面对第一显示基底11。第二显示基底12可以包括基体基底SUB2和颜色控制层CWL。
基体基底SUB2可以面对第一显示基底11的基底SUB。基体基底SUB2可以包括诸如玻璃或石英的透明绝缘材料，或者可以由诸如玻璃或石英的透明绝缘材料形成。基体基底SUB2可以是刚性基底或者可弯曲、可折叠或可卷曲的柔性基底。
基体基底SUB2可以与基底SUB相同，或者可以与基底SUB具有不同的材料、厚度和/或透射率。在一个示例中，基体基底SUB2可以具有比基底SUB的透射率高的透射率。基体基底SUB2可以比基底SUB厚或薄。
颜色控制层CWL可以设置在基体基底SUB2的面对第一显示基底11的基底SUB的表面上。如上所述，颜色控制层CWL可以包括对准游标标记VM，对准游标标记VM与限定光输出区域LA和光阻挡区域BA的光阻挡构件形成在相同的层中。对准游标标记VM可以设置在基体基底SUB2的表面上。
密封构件AM1可以沿着第一显示基底11和第二显示基底12中的每一个的边缘设置，并且可以介于第一显示基底11和第二显示基底12之间。尽管未具体示出，但是密封构件AM1可以设置在非显示区域NDA中。在非显示区域NDA中，密封构件AM1可以与对准游标标记VM重叠。第一显示基底11和第二显示基底12可以经由密封构件AM1彼此耦接。在一个示例中，密封构件AM1可以包括有机材料或者可以由有机材料形成。密封构件AM1可以由环氧树脂形成，但本公开不限于此。
填充层FIL可以设置在第一显示基底11和第二显示基底12之间的空间中，被密封构件AM1围绕。填充层FIL可以填充第一显示基底11和第二显示基底12之间的间隙。填充层FIL可以由能够透射光的材料形成。填充层FIL可以包括有机材料或者可以由有机材料形成。在一个示例中，填充层FIL可以由硅(Si)基有机材料或环氧基有机材料形成，但本公开不限于此。
图36是图3的区域P的截面图。图37是图36的显示装置的截面图。
图36和图37的实施例与图5A和图5B的实施例的不同之处在于，显示装置10的发光元件层EML包括有机发光元件，并且显示装置10还包括设置在发光元件层EML上的第二封装层TFEL。
参照图36和图37，显示装置10可以包括基底SUB、电路层CCL、发光元件层EML、第二封装层TFEL、颜色控制层CWL和第一封装层ENC。
发光元件层EML可以设置在电路层CCL上。发光元件层EML可以包括子像素电极SPXE、发射层EL、公共电极CME和像素限定膜PDL。
子像素电极SPXE可以设置在电路层CCL上。子像素电极SPXE可以设置在由像素限定膜PDL限定的第一光输出区域LA1、第二光输出区域LA2和第三光输出区域LA3中。子像素电极SPXE可以是发光元件的第一电极(例如，阳极)。
像素限定膜PDL可以沿着第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的每一个的边界设置在电路层CCL上。像素限定膜PDL可以设置在光阻挡区域BA中。像素限定膜PDL可以设置在子像素电极SPXE上，并且可以包括暴露子像素电极SPXE的部分的开口。像素限定膜PDL可以将第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3的子像素电极SPXE彼此隔离和绝缘。
发射层EL可以设置在由像素限定膜PDL暴露的子像素电极SPXE的部分上。在一个示例中，发射层EL可以包括包含有机材料或者由有机材料形成的有机层。有机层可以包括有机发光层，并且还可以包括空穴注入/传输层和/或电子注入/传输层作为用于辅助有机发光层发射光的辅助层。
公共电极CME可以设置在发射层EL上。在光阻挡区域BA中，公共电极CME不仅可以与发射层EL接触，而且可以与像素限定膜PDL的顶表面接触。公共电极CME可以遍及第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3而连接。公共电极CME可以是遍及第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3而设置在基底SUB的整个表面上的电极。公共电极CME可以是发光元件的第二电极(例如，阴极)。
第二封装层TFEL可以设置在发光元件层EML上。例如，第二封装层TFEL可以设置在公共电极CME上以覆盖发光元件层EML。尽管未具体示出，但是第二封装层TFEL可以包括至少一个薄膜封装层。在一个示例中，薄膜封装层可以包括第一无机膜、有机膜和第二无机膜。第一无机膜和第二无机膜可以包括诸如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的有机绝缘材料或者可以由诸如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的有机绝缘材料形成，并且有机膜可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯树脂、聚苯硫醚树脂或苯并环丁烯(BCB)，或者可以由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯树脂、聚苯硫醚树脂或苯并环丁烯(BCB)形成。
颜色控制层CWL可以设置在第二封装层TFEL上。在非显示区域NDA中，颜色控制层CWL中包括的对准游标标记VM可以设置在第二封装层TFEL上。
图38是图3的区域P的截面图。
图38的实施例与图36的实施例的不同之处在于，显示装置10的基底SUB'是可弯曲基底。
参照图38，基底SUB'可以是基体基底或基体构件，并且可以由诸如聚合物树脂的绝缘材料形成。在一个示例中，基底SUB'可以是可弯曲、可折叠或可卷曲的柔性基底。基底SUB'可以包括PI或者可以由PI形成，但本公开不限于此。尽管未具体示出，但是在基底SUB'和电路层CCL之间还可以设置阻挡层。
基底SUB'可以包括主区域MA和从主区域MA的一侧突出的突出区域。主区域MA可以包括显示区域DA(参见图3)和非显示区域NDA(参见图3)，在显示区域DA中形成像素以显示图像，非显示区域NDA是在显示区域DA周围的周边区域。
突出区域可以包括弯曲区域BDA和焊盘区域PDA。弯曲区域BDA可以设置在主区域MA和焊盘区域PDA之间并且是可弯曲的。在基底SUB'弯曲之前(即，基底SUB'是平坦的)，基底SUB'的焊盘区域PDA的表面可以面朝上。当基底SUB'弯曲时，基底SUB'的焊盘区域PDA的表面可以面朝下。因此，由于焊盘区域PDA设置在主区域MA下方，因此焊盘区域PDA可以与主区域MA重叠。
面板下盖110可以设置在基底SUB'下方。面板下盖110可以经由粘合构件附接到基底SUB'的底表面。粘合构件可以是压敏粘合剂(PSA)。如图38中所示，面板下盖110可以不设置在基底SUB'的弯曲区域BDA中，使得基底SUB'可以是可弯曲的。面板下盖110的设置在基底SUB'的主区域MA中的部分和面板下盖110的设置在基底SUB'的焊盘区域PDA中的部分可以经由粘合构件AM2附接在一起。粘合构件AM2可以是PSA。
柔性膜120可以设置在焊盘区域PDA中。柔性膜120的一侧可以连接到形成在基底SUB'的焊盘区域PDA中的焊盘电极，并且柔性膜120的另一侧可以连接到源极电路板(未示出)。柔性膜120可以将来自源极驱动器130的信号传输到显示装置10。在一个示例中，源极驱动器130可以是集成电路(IC)。
在总结详细描述时，本领域技术人员将理解，在实质上不脱离本发明的原理的情况下，可以对优选实施例进行许多变化和修改。因此，本发明的所公开的优选实施例仅在一般性的和描述性的意义上使用，而不是出于限制的目的。

Claims (20)

1.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：
基底，具有在第一方向上延伸的第一侧边和在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的第二侧边；
第一对准游标标记，设置在所述基底上，所述第一对准游标标记邻接所述第一侧边并且在所述第二方向上延伸；以及
第二对准游标标记，设置在所述基底上，所述第二对准游标标记邻接所述第二侧边并且在所述第一方向上延伸。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一对准游标标记包括与所述第一侧边和所述第二侧边彼此相遇的第一角相邻设置的第一子游标标记。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述基底还具有在所述第二方向上延伸并且与所述第二侧边相对的第三侧边，
所述显示装置还包括设置在所述基底上的第三对准游标标记，并且
所述第三对准游标标记邻接所述第三侧边并且在所述第一方向上延伸。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，
所述第一对准游标标记还包括与所述第一侧边和所述第三侧边彼此相遇的第二角相邻设置的第二子游标标记。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
所述第一对准游标标记还包括设置在所述第一子游标标记和所述第二子游标标记之间的第三子游标标记。
6.根据权利要求3所述的显示装置，其中，
所述第二对准游标标记和所述第三对准游标标记沿着在所述第一方向上延伸的线布置。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一对准游标标记包括多个线图案，并且
所述多个线图案在所述第二方向上延伸并且在所述第一方向上彼此间隔开。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，
所述多个线图案以一致的距离彼此间隔开。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述基底包括显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域，所述显示区域包括多个像素，
所述多个像素中的每一个包括光输出区域和围绕所述光输出区域的光阻挡区域，
所述非显示区域包括第一非显示区域和第二非显示区域，
其中，所述第一非显示区域与所述第一侧边相邻设置，并且所述第二非显示区域与所述第二侧边相邻设置，并且
其中，所述第一对准游标标记设置在所述第一非显示区域中，并且所述第二对准游标标记设置在所述第二非显示区域中。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
电路层，设置在所述基底上；
发光元件层，设置在所述电路层上，所述发光元件层包括设置在所述光输出区域中的多个发光元件；以及
光阻挡构件，沿着所述多个像素中的每一个的边界设置在所述发光元件层上，
其中，所述光阻挡构件限定所述多个像素中的每一个的所述光输出区域和所述多个像素中的每一个的所述光阻挡区域。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，
所述第一对准游标标记与所述光阻挡构件形成在相同的层中。
12.一种拼接式显示装置，其中，所述拼接式显示装置包括：
第一显示装置，包括第一基底，所述第一基底具有第一侧边和第二侧边、第一对准游标标记以及第二对准游标标记，所述第一侧边在第一方向上延伸，所述第二侧边在与所述第一方向相交的第二方向上延伸，所述第一对准游标标记设置在所述第一基底上、邻接所述第一侧边并且在所述第二方向上延伸，所述第二对准游标标记设置在所述第一基底上、邻接所述第二侧边并且在所述第一方向上延伸；
第二显示装置，在所述第二方向上与所述第一显示装置间隔开，所述第二显示装置包括第二基底，所述第二基底具有第三侧边和第三对准游标标记，所述第三侧边面对所述第一显示装置的所述第一侧边并且在所述第一方向上延伸，所述第三对准游标标记设置在所述第二基底上、邻接所述第三侧边并且在所述第二方向上延伸；以及
第三显示装置，在所述第一方向上与所述第一显示装置间隔开，所述第三显示装置包括第三基底，所述第三基底具有第四侧边和第四对准游标标记，所述第四侧边面对所述第一显示装置的所述第二侧边并且在所述第二方向上延伸，所述第四对准游标标记设置在所述第三基底上、邻接所述第四侧边并且在所述第一方向上延伸。
13.根据权利要求12所述的拼接式显示装置，其中，
所述第一对准游标标记和所述第三对准游标标记在所述第二方向上彼此平行地对准。
14.根据权利要求12所述的拼接式显示装置，其中，
所述第二对准游标标记和所述第四对准游标标记在所述第一方向上彼此平行地对准。
15.根据权利要求12所述的拼接式显示装置，其中，
所述第一对准游标标记和所述第三对准游标标记中的每一个包括多个线图案，并且
所述第一对准游标标记和所述第三对准游标标记中的每一个的所述多个线图案在所述第二方向上延伸并且在所述第一方向上彼此间隔开。
16.根据权利要求15所述的拼接式显示装置，其中，
所述第一对准游标标记和所述第三对准游标标记中的每一个的所述多个线图案以一致的第一距离彼此间隔开。
17.根据权利要求16所述的拼接式显示装置，其中，
所述第一对准游标标记和所述第三对准游标标记中的每一个的所述多个线图案之间的所述第一距离小于所述第一显示装置和所述第二显示装置之间在所述第二方向上的距离。
18.根据权利要求12所述的拼接式显示装置，其中，
所述第一基底、所述第二基底和所述第三基底中的每一个包括显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域，所述显示区域包括多个像素，并且
所述第一对准游标标记、所述第二对准游标标记、所述第三对准游标标记和所述第四对准游标标记设置在所述非显示区域中。
19.根据权利要求18所述的拼接式显示装置，其中，
所述显示区域包括多个光输出区域和光阻挡区域，
所述第一显示装置、所述第二显示装置和所述第三显示装置中的每一个还包括：
电路层，设置在所述第一基底、所述第二基底或所述第三基底上，
发光元件层，包括设置在所述电路层上并且与所述多个光输出区域重叠的多个发光元件，以及
光阻挡构件，沿着所述多个像素中的每一个的边界设置在所述发光元件层上，并且
其中，所述光阻挡构件限定所述多个光输出区域和所述光阻挡区域。
20.根据权利要求19所述的拼接式显示装置，其中，
所述第一对准游标标记、所述第二对准游标标记、所述第三对准游标标记和所述第四对准游标标记与所述光阻挡构件形成在相同的层中。
CN202111623747.9A 2020-12-29 2021-12-28 显示装置和拼接式显示装置 Pending CN114695419A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200185797A KR20220095312A (ko) 2020-12-29 2020-12-29 표시 장치 및 이를 포함하는 타일형 표시 장치
KR10-2020-0185797 2020-12-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114695419A true CN114695419A (zh) 2022-07-01

Family

ID=82117745

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111623747.9A Pending CN114695419A (zh) 2020-12-29 2021-12-28 显示装置和拼接式显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20220208949A1 (zh)
KR (1) KR20220095312A (zh)
CN (1) CN114695419A (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11862051B2 (en) * 2022-03-02 2024-01-02 Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel and light board

Also Published As

Publication number Publication date
US20220208949A1 (en) 2022-06-30
KR20220095312A (ko) 2022-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101928646B1 (ko) 표시 장치
CN114256284A (zh) 显示设备
US20220157904A1 (en) Display device
CN114695419A (zh) 显示装置和拼接式显示装置
CN113219689A (zh) 显示面板及提供显示面板的方法
US20220223573A1 (en) Tiled display
US20220140283A1 (en) Display device
US11678527B2 (en) Display device and method of fabricating the same
CN114355657A (zh) 拼接显示面板及拼接显示装置
CN114694515A (zh) 瓦片型显示装置
US20230005986A1 (en) Display device and tiled display including the same
CN220570915U (zh) 显示装置
EP4344388A1 (en) Display device
US11989481B2 (en) Display device, method of manufacturing the same and tiled display device including the same
US20220392990A1 (en) Display device
US20230209930A1 (en) Light emitting display apparatus and multi-screen display apparatus including the same
US20230411576A1 (en) Display device, method of manufacturing the same, and tiled display device including the same
US20220140019A1 (en) Display device
KR20220169030A (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN114256310A (zh) 显示装置
CN117999652A (zh) 显示装置
KR20230050519A (ko) 표시 패널 및 이의 제조 방법
KR20230047273A (ko) 색 변환 기판 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20240043168A (ko) 표시 장치
CN117998892A (zh) 显示装置、制造该显示装置的方法以及拼接显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination