CN116264762A - Rf组件和方法 - Google Patents

Abstract

一种射频RF组件和一种制造所述RF组件的方法。所述组件包括用于传送RF信号的第一导电信号构件和用于传送RF信号的第二导电信号构件。所述组件还包括位于所述第一信号构件与所述第二信号构件之间的屏障，所述屏障以电磁方式将所述第一信号构件和所述第二信号构件彼此屏蔽。所述屏障包括第一行导电屏蔽构件，所述第一行导电屏蔽构件沿着所述第一行的纵轴间隔开；以及第二行导电屏蔽构件，所述第二行导电屏蔽构件沿着所述第二行的纵轴间隔开。每个屏蔽构件包括多面体。所述第一行的所述屏蔽构件相对于所述第二行的所述屏蔽构件偏移，以防止所述第一信号构件与所述第二信号构件之间的直接视线。

Description

RF组件和方法

技术领域

本说明书涉及射频(RF)组件和制造RF组件的方法。

背景技术

在许多射频组件中，有必要在例如传输线或天线的两个元件之间提供电磁屏蔽，以减轻两个组件之间的电磁干扰。

发明内容

在随附的独立权利要求和从属权利要求中阐述了本公开的各方面。从属权利要求的特征的组合可以按需要与独立权利要求的特征进行组合，并且不仅仅是按照权利要求书中所明确陈述的那样组合。

根据本公开的方面，提供一种射频“RF”组件，所述RF组件包括：

用于传送RF信号的第一导电信号构件；

用于传送RF信号的第二导电信号构件；以及

位于所述第一导电信号构件与所述第二导电信号构件之间的屏障，所述屏障以电磁方式将所述第一导电信号构件和所述第二导电信号构件彼此屏蔽，其中所述屏障包括：

第一行导电屏蔽构件，所述第一行导电屏蔽构件沿着所述第一行的纵轴间隔开，其中所述第一行中的每个导电屏蔽构件包括多面体；和

第二行导电屏蔽构件，所述第二行导电屏蔽构件沿着所述第二行的纵轴间隔开，其中所述第二行中的每个导电屏蔽构件包括多面体；并且

其中所述第一行的所述导电屏蔽构件相对于所述第二行的所述导电屏蔽构件偏移，以防止所述第一导电信号构件与所述第二导电信号构件之间的直接视线。

根据本公开的另一方面，提供一种制造射频“RF”组件的方法，所述方法包括形成：

用于传送RF信号的第一导电信号构件；

用于传送RF信号的第二导电信号构件；以及

位于所述第一导电信号构件与所述第二导电信号构件之间的屏障，所述屏障以电磁方式将所述第一导电信号构件和所述第二导电信号构件彼此屏蔽，其中所述屏障包括：

第一行导电屏蔽构件，所述第一行导电屏蔽构件沿着所述第一行的纵轴间隔开，其中所述第一行中的每个导电屏蔽构件包括多面体；和

第二行导电屏蔽构件，所述第二行导电屏蔽构件沿着所述第二行的纵轴间隔开，其中所述第二行中的每个导电屏蔽构件包括多面体；并且

其中所述第一行的所述导电屏蔽构件相对于所述第二行的所述导电屏蔽构件偏移，以防止所述第一导电信号构件与所述第二导电信号构件之间的直接视线。

提供包括多行导电屏蔽构件且每个导电屏蔽构件包括多面体的屏障，可以在定制用于以电磁方式将第一导电信号构件和第二导电信号构件彼此屏蔽的屏障的形状和配置方面提供更大的设计灵活性。多面体的使用还可以改进设置于第一导电信号构件与第二导电信号构件之间的电磁隔离，特别是与设置于第一行导电屏蔽构件与第二行导电屏蔽构件之间的偏移相结合时。

每一行的每个导电屏蔽构件可以是细长的。这可以进一步改进设置于第一导电信号构件与第二导电信号构件之间的隔离。例如，可以使每个导电屏蔽构件的长尺寸大于位于每一行中的每个导电屏蔽构件之间的间隙。

每一行中的每个多面体的纵轴可以基本上平行于所述行的所述纵轴。这可以使每一行中的每个导电屏蔽构件的侧向轮廓最大化，从而再次改进设置于第一导电信号构件与第二导电信号构件之间的隔离。

所述第一行的所述纵轴可以基本上平行于所述第二行的所述纵轴。

每一行的每个导电屏蔽构件的形状和大小可相同。这可以使屏障所提供的屏蔽沿着行的长度更均匀。

所述第一行的所述导电屏蔽构件可以相对于所述第二行的所述导电屏蔽构件偏移，使得位于所述第一行的每个导电屏蔽构件之间的间隙与所述第二行的导电屏蔽构件的中间相对定位。这可以通过增加试图穿过屏障的电磁场的路径长度来改进设置于第一导电信号构件与第二导电信号构件之间的隔离。

每一行的每个导电屏蔽构件可以是长方体。这可以简化制造过程。

所述屏障的所述多行的所述导电屏蔽构件可以共同形成迷宫结构。这可以通过增加试图穿过屏障的电磁场的路径长度并通过要求场在屏障内绕过多个(例如，至少三个、四个、五个或更多个)转弯来改进设置于第一导电信号构件与第二导电信号构件之间的隔离。

所述第一行的每个导电屏蔽构件可包括：

基底部分，所述基底部分具有第一端和第二端；

第一臂，所述第一臂从所述基底的所述第一端朝向所述第二行延伸；以及

第二臂，所述第二臂从所述基底的所述第二端朝向所述第二行延伸。

所述第二行的每个导电屏蔽构件可包括：

基底部分，所述基底部分具有第一端和第二端；

第一臂，所述第一臂从所述基底的所述第一端朝向所述第一行延伸；以及

第二臂，所述第二臂从所述基底的所述第二端朝向所述第一行延伸。

所述第一行的每个导电屏蔽构件的每个臂的远端可以位于定位于所述第二行的导电屏蔽构件的臂之间的区域内。这可使试图穿过屏障的电磁场在屏障内绕过额外转弯。

所述第二行的每个导电屏蔽构件的每个臂的远端可以位于定位于所述第一行的导电屏蔽构件的臂之间的区域内。这可使试图穿过屏障的电磁场在屏障内绕过额外转弯。

所述屏障可包括至少另一行导电屏蔽构件，所述至少另外一行导电屏蔽构件沿着所述另一行的纵轴间隔开。所述或每个另一行中的每个导电屏蔽构件可包括多面体。

所述第一导电信号构件可包括传输线。

所述第二导电信号构件可包括传输线。

所述第一导电信号构件可包括天线。

所述第二导电信号构件可包括天线。

根据本公开的另外的方面，提供一种半导体装置，所述半导体装置包括含有上述种类的RF组件的封装。

出于本公开的目的，“射频”(RF)是指在300GHz≥f≥20kHz范围内的频率。

附图说明

在下文中将仅借助于例子参考附图描述本公开的实施例，在附图中类似附图标记指代类似元件，并且在附图中：

图1示出包括两条带状线的RF组件的例子；

图2示出图1的RF组件的另一视图；

图3示出包括两条带状线的RF组件的另一个例子；

图4示出根据本公开的实施例的包括两条带状线的RF组件；

图5示出根据本公开的另一实施例的包括两条带状线的RF组件；

图6示出根据本公开的另外的实施例的半导体装置；并且

图7示出根据本公开的另一实施例的制造射频“RF”组件的方法。

具体实施方式

在下文中参考附图描述本公开的实施例。

图1和2示出RF组件10的例子，所述RF组件10包括用于传送RF信号的第一导电信号构件2和用于传送RF信号的第二导电信号构件4。图1是穿过导电信号构件2、4的纵轴(例如，沿着图2中的线A-A)的RF组件10的横截面，并且图2是RF组件10的平面图。

在这个例子中，第一导电信号构件2和第二导电信号构件4是传输线，例如带状线。然而，应了解，第一导电信号构件2和第二导电信号构件4可以是其它类型的组件，例如天线。

第一导电信号构件2和第二导电信号构件4可以呈层压结构设置，例如呈包括多个电介质层和图案化金属特征层的金属化堆叠设置。导电侧壁12、16可设置在RF组件10的任一外侧。类似地，上导电壁18和下导电壁18可设置在第一导电信号构件2和第二导电信号构件4的上方和下方。每个导电信号构件2、4可位于相应电介质区域6、8内。电介质区域6、8可以被导电侧壁12、16以及上导电壁18和下导电壁18包围。导电特征，包括导电信号构件2、4、导电侧壁12、16、上导电壁18和下导电壁18(以及下文描述的屏障14)，可形成为金属化堆叠的图案化金属特征。

为了提供第一导电信号构件2与第二导电信号构件4的电磁屏蔽(且反之亦然)，图1和2所示的例子设置有屏障14。屏障14是导电的(例如，金属的)，并且位于第一导电信号构件2与第二导电信号构件4之间以及上导电壁18与下导电壁18之间。

如从图2可见，在这个例子中，侧壁12、16、第一导电信号构件2、第二导电信号构件4以及屏障14是细长的，并且沿着RF组件10的纵轴共同延伸。如上所述，在这个例子中，第一导电信号构件2和第二导电信号构件4形成带状线。应了解，图2所示的细长的共同延伸布置并非必需的，具体地，例如，在导电信号构件2、4形成除带状线之外的RF组件时并非必需的。

在这个例子中，屏障14由整体金属块形成。类似地，在这个例子中，侧壁12、16也作为整体块提供。使用包括整体块的屏障14可被视为在第一导电信号构件2与第二导电信号构件4之间提供电磁屏蔽目的的理想情况。然而，由于制造限制，通常不可能提供图1和2所示类型的整体屏障14和侧壁12、16。例如，由于在制造过程中无法使模制化合物均匀分布，因此通常不可能将导电信号构件2、4完全包围在整体壁内。

图3示出包括两条带状线2、4的RF组件10的另一个例子。图3所示的例子对于上文关于图1和2描述的侧壁和屏障使用线性的多行导电通孔而非整体块。具体地，一行导电通孔22形成侧壁12，一行导电通孔26形成侧壁16，并且一行或多行导电通孔24A、24B形成屏障14。通孔24A、24B可包括填充有位于金属化堆叠内的导电材料(例如，金属)的通孔。图3所示的例子还可以包括图1所示类型的上导电壁18和下导电壁18。

尽管从制造角度来看更为可行，但图3例子中的屏障所提供的电磁屏蔽程度低于图1和2所示整体屏障14所提供的电磁屏蔽程度。具体地，应了解，电磁场可能延伸穿过通孔之间的间隙。为了缓解这种情况，在提供多行导电通孔24A、24B的情况下，通孔24A可以相对于另一行中的通孔24B偏移(交错)(这在图3中示出)，这可以防止在与导电信号构件2、4的纵轴正交的方向上第一导电信号构件2与第二导电信号构件4之间存在直接视线。

尽管图3中的例子对于制造来说是可行的，但仍然存在某些限制。例如，通孔壁的大小可能因翘曲、固化过程中的脱气和其它生产技术原因而受到限制。

图4示出根据本公开的实施例的RF组件10。在此实施例中，RF组件包括用于传送RF信号的第一导电信号构件2和用于传送RF信号的第二导电信号构件4。在此实施例中，第一导电信号构件2和第二导电信号构件4是传输线，例如带状线。然而，应了解，第一导电信号构件2和第二导电信号构件4可以是其它类型的组件，例如天线。

第一导电信号构件2和第二导电信号构件4可以呈层压结构设置，例如呈包括多个电介质层和图案化金属特征层的金属化堆叠设置。金属化堆叠可以位于例如印刷电路板(PCB)的基板上，或者位于半导体基板上，例如位于半导体管芯的表面上。

导电侧壁42、46可设置在RF组件10的任一外侧。类似地，如上文关于图1所描述的，上导电壁和下导电壁可设置在第一导电信号构件2和第二导电信号构件4的上方和下方。如上文关于图1所描述的，每个导电信号构件2、4可以位于相应电介质区域内。电介质区域可以被导电侧壁42、46以及上导电壁和下导电壁包围。导电特征，包括导电信号构件2、4、导电侧壁42、46、上导电壁和下导电壁(以及下文描述的屏障)，可形成为金属化堆叠的图案化金属特征。

如从图4可见，在这个例子中，侧壁42、46、第一导电信号构件2、第二导电信号构件4以及屏障(下文将描述)在此实施例中可以是细长的，并且可以沿着RF组件10的纵轴共同延伸。如上所述，在此实施例中，第一导电信号构件2和第二导电信号构件4形成带状线。应了解，图4所示的细长的共同延伸布置并非必需的，具体地，例如，在导电信号构件2、4形成除带状线之外的RF组件(例如，天线)时并非必需的。

为了提供第一导电信号构件2与第二导电信号构件4的电磁屏蔽(且反之亦然)，图4所示的实施例设置有屏障。所述屏障是导电的(例如，金属的)，并且位于第一导电信号构件2与第二导电信号构件4之间以及上导电壁与下导电壁之间(在包括此类壁的情况下)。

在此实施例中，屏障由多个导电屏蔽构件44A、44B形成。每个导电屏蔽构件包括由导电材料(例如，金属)形成的多面体。类似地，在此实施例中，侧壁12、16也可以设置为由导电材料(例如，金属)形成的多面体，但这并非必需的(例如，可使用图3所示类型的通孔)。

在此实施例中，屏障包括第一行导电屏蔽构件44A，所述第一行导电屏蔽构件44A沿着所述第一行的纵轴间隔开；以及第二行导电屏蔽构件44B，所述第二行导电屏蔽构件44B沿着所述第二行的纵轴间隔开。在此实施例中，第一行的导电屏蔽构件44A相对于第二行的导电屏蔽构件44B偏移(交错)。这可以防止第一导电信号构件2与第二导电信号构件4之间的直接视线，从而改善由屏障提供的电磁屏蔽。如图4中标记为“A”的箭头所示，穿过屏障的任何电磁辐射必须绕过多个转弯或拐角才能到达另一个导电信号构件。在此实施例中，选择偏移使得位于第一行的每个导电屏蔽构件44A之间的间隙与第二行的导电屏蔽构件44B的中间相对，但这并非必需的，也可以使用其它偏移。

对于屏障的导电屏蔽构件使用多面体具有许多优点。使用多面体易于与例如形成金属化堆叠等标准半导体制造技术兼容。因为这一点，在选择导电屏蔽构件的形状和大小方面实现了高度灵活性，从而可以优化屏障所提供的屏蔽。

每一行中的每个导电屏蔽构件可以是细长的(例如，如图4所示)。每个导电屏蔽构件的纵轴可以基本上平行于屏障自身的纵轴延伸。另外，每一行中的每个多面体的纵轴可以基本上平行于所述行的纵轴。第一行44A的纵轴可以基本上平行于第二行44B的纵轴。

应注意，图4所示的布置可以防止导电信号构件2、4之间的任何直接视线(这可与图3中标记为“B”的箭头形成对比)。

为了简化制造过程，每一行44A、44B中的每个导电屏蔽构件可以具有相同形状和大小。应了解，在屏障的端部，由于屏障中的导电屏蔽构件布置的偏移性质，一个或多个导电屏蔽构件可能需要具有不同形状。

设想导电屏蔽构件44A、44B的各种形状。如上所述，每个导电屏蔽构件44A、44B包括多面体，由于多面体通常与半导体行业中的已知金属化技术兼容，因此这可以简化制造过程。出于本公开的目的，多面体可被视为具有平面多边形面、直边和尖角或顶点的三维形状。应注意，此定义不包括通孔24A、24B。

在图4所示的实施例中，每个多面体包括长方体。长方体可以是细长的。例如，长方体可以是正方体。使用长方体为布局目的和制造提供了简单形状，同时仍允许防止导电信号构件2、4之间的任何直接视线。

如下文将描述，设想更复杂类型的多面体，用于增强导电信号构件2、4之间的隔离。

图5示出根据本公开的另一实施例的包括两条带状线2、4的RF组件10。在此实施例中，RF组件10同样包括用于传送RF信号的第一导电信号构件2和用于传送RF信号的第二导电信号构件4。在此实施例中，第一导电信号构件2和第二导电信号构件4是传输线，例如带状线。然而，同样应了解，第一导电信号构件2和第二导电信号构件4可以是其它类型的组件，例如天线。

如上文所描述，在此实施例中，第一导电信号构件2和第二导电信号构件4可以呈层压结构设置，例如呈包括多个电介质层和图案化金属特征层的金属化堆叠设置。金属化堆叠可以位于例如印刷电路板(PCB)的基板上，或者位于半导体基板上，例如位于半导体管芯的表面上。

如上文所描述，导电侧壁52、56可设置在RF组件10的任一外侧。类似地，如上文关于图1所描述的，上导电壁和下导电壁可设置在第一导电信号构件2和第二导电信号构件4的上方和下方。同样，如上文关于图1所描述的，每个导电信号构件2、4可以位于相应电介质区域内。电介质区域可以被导电侧壁42、46以及上导电壁和下导电壁包围。如上文所描述，导电特征，包括导电信号构件2、4、导电侧壁42、46、上导电壁和下导电壁(以及下文描述的屏障)，可形成为金属化堆叠的图案化金属特征。

如从图5可见，在这个例子中，侧壁52、56、第一导电信号构件2、第二导电信号构件4以及屏障(下文将描述)在此实施例中可以是细长的，并且可以沿着RF组件10的纵轴共同延伸。如上所述，在此实施例中，第一导电信号构件2和第二导电信号构件4形成带状线。应了解，图5所示的细长的共同延伸布置并非必需的，具体地，例如，在导电信号构件2、4形成除带状线之外的RF组件(例如，天线)时并非必需的。

在此实施例中，屏障包括第一行导电屏蔽构件54A，所述第行导电屏蔽构件54A沿着所述第一行的纵轴间隔开；以及第二行导电屏蔽构件54B，所述第二行导电屏蔽构件54B沿着所述第二行的纵轴间隔开。每个导电屏蔽构件54A、54B包括多面体。

在此实施例中，用于导电屏蔽构件54A、54B的多面体共同形成迷宫结构，如图5中标记为C的箭头所示，所述迷宫结构能阻止导电信号构件2、4之间的直接视线。此外，迷宫结构可通过要求电磁场在屏障内绕过多个(例如，至少三个、四个、五个或更多个)转弯(同样，参见图5中标记为C的箭头)来增加试图穿过屏障的电磁场的路径长度。这种布置可以增强导电信号构件2、4之间的隔离。

尽管可以使用各种迷宫结构，但取决于针对导电屏蔽构件54A、54B选择的确切形状，在此实施例中，第一行的每个导电屏蔽构件54A包括具有第一端和第二端的基底部分、从基底的第一端朝向第二行延伸的第一臂，以及从基底的第二端朝向第二行延伸的第二臂。类似地，第二行的每个导电屏蔽构件包括具有第一端和第二端的基底部分、从基底的第一端朝向第一行延伸的第一臂，以及从基底的第二端朝向第一行延伸的第二臂。因此，导电屏蔽构件54A、54B的多面体基本上呈“U”形。

为了完成本实施例的迷宫结构，U形导电屏蔽构件54A、54B的臂互锁，也就是说，第一行的每个导电屏蔽构件54A的每个臂的远端位于定位于第二行的导电屏蔽构件54B的臂之间的区域内(且反之亦然)。如图5中标记为C的箭头所示，导电屏蔽构件54A、54B的臂的这种互锁可以增加试图穿过屏障的电磁场必须绕过的转弯数。

在上文关于图4和5描述的实施例中，屏障包括两行导电屏蔽构件54A、54B。然而，可以设想屏障可以具有多于两行(三行、四行、五行等)导电屏蔽构件54A、54B。额外行的导电屏蔽构件54A、54B也可以包括多面体。

在屏障中提供任何额外多行导电屏蔽构件54A、54B可以进一步增强导电信号构件2、4之间的隔离。例如，可以使用额外行，通过引入电磁场必须绕过的另外的转弯来增加试图穿过屏障的任何电磁场的路径长度。

图6示出根据本公开的另外的实施例的半导体装置100。在此实施例中，装置100包括封装110。所述封装包含本文所描述类型的RF组件10。

图7示出根据本公开的另一实施例的制造本文所描述类型的射频“RF”组件10的方法200。

在第一步骤202，形成用于传送RF信号的第一导电信号构件2。第一导电信号构件2可以是上文关于图4到6描述的类型。

在第二步骤204，形成用于传送RF信号的第二导电信号构件4。第二导电信号构件4可以是上文关于图4到6描述的类型。

在第三步骤206，形成位于第一导电信号构件与第二导电信号构件之间的屏障。屏障用于以电磁方式将第一导电信号构件和第二导电信号构件彼此屏蔽。屏障可以是上文关于图4到6描述的类型。

步骤202、204、206可以包括在表面上沉积和图案化多个导电材料层以及沉积和图样化多个电介质层。如本文所描述，所述层可以堆积以形成金属化堆叠。上面形成有堆叠的表面可以是例如基板(例如，印刷电路板(PCB))的表面或半导体基板(例如，半导体管芯)的表面。虽然图7呈现在单独的步骤中形成导电信号构件2、4和屏障，其中首先形成导电信号构件2、4，但应了解，可以按不同次序形成这些特征(例如，可以在形成导电信号构件2、4之前形成屏障)。还可以设想，可以同时形成这些特征，也就是说，在同一步骤形成这些特征。

因此，已经描述了射频“RF”组件和制造所述RF组件的方法。所述组件包括用于传送RF信号的第一导电信号构件和用于传送RF信号的第二导电信号构件。所述组件还包括位于所述第一信号构件与所述第二信号构件之间的屏障，所述屏障以电磁方式将所述第一信号构件和所述第二信号构件彼此屏蔽。所述屏障包括第一行导电屏蔽构件，所述第一行导电屏蔽构件沿着所述第一行的纵轴间隔开；以及第二行导电屏蔽构件，所述第二行导电屏蔽构件沿着所述第二行的纵轴间隔开。每个屏蔽构件包括多面体。所述第一行的所述屏蔽构件相对于所述第二行的所述屏蔽构件偏移，以防止所述第一信号构件与所述第二信号构件之间的直接视线。

虽然已经描述了本公开的具体实施例，但是应了解，可以在权利要求书的范围内作出许多修改/添加和/或替代。

Claims (10)

1.一种射频RF组件，其特征在于，包括：

用于传送RF信号的第一导电信号构件；

用于传送RF信号的第二导电信号构件；以及

位于所述第一导电信号构件与所述第二导电信号构件之间的屏障，所述屏障以电磁方式将所述第一导电信号构件和所述第二导电信号构件彼此屏蔽，其中所述屏障包括：

第一行导电屏蔽构件，所述第一行导电屏蔽构件沿着所述第一行的纵轴间隔开，其中所述第一行中的每个导电屏蔽构件包括多面体；和

第二行导电屏蔽构件，所述第二行导电屏蔽构件沿着所述第二行的纵轴间隔开，其中所述第二行中的每个导电屏蔽构件包括多面体；并且

其中所述第一行的所述导电屏蔽构件相对于所述第二行的所述导电屏蔽构件偏移，以防止所述第一导电信号构件与所述第二导电信号构件之间的直接视线。

2.根据权利要求1所述的RF组件，其特征在于，每一行中的每个导电屏蔽构件是细长的。

3.根据权利要求2所述的RF组件，其特征在于，每一行中的每个多面体的纵轴基本上平行于所述行的所述纵轴。

4.根据权利要求3所述的RF组件，其特征在于，所述第一行的所述纵轴基本上平行于所述第二行的所述纵轴。

5.根据在前的任一项权利要求所述的RF组件，其特征在于，每一行中的每个导电屏蔽构件的形状和大小相同。

6.根据在前的任一项权利要求所述的RF组件，其特征在于，所述第一行的所述导电屏蔽构件相对于所述第二行的所述导电屏蔽构件偏移，使得位于所述第一行的每个导电屏蔽构件之间的间隙与所述第二行的导电屏蔽构件的中间相对定位。

7.根据在前的任一项权利要求所述的RF组件，其特征在于，每一行中的每个导电屏蔽构件包括长方体。

8.根据权利要求1至6中任一项权利要求所述的RF组件，其特征在于，所述屏障的所述多行的所述导电屏蔽构件共同形成迷宫结构。

9.一种半导体装置，其特征在于，包括含有根据在前的任一项权利要求所述的RF组件的封装。

10.一种制造射频RF组件的方法，其特征在于，所述方法包括形成：

用于传送RF信号的第一导电信号构件；

用于传送RF信号的第二导电信号构件；以及

位于所述第一导电信号构件与所述第二导电信号构件之间的屏障，所述屏障以电磁方式将所述第一导电信号构件和所述第二导电信号构件彼此屏蔽，其中所述屏障包括：

第一行导电屏蔽构件，所述第一行导电屏蔽构件沿着所述第一行的纵轴间隔开，其中所述第一行中的每个导电屏蔽构件包括多面体；和

第二行导电屏蔽构件，所述第二行导电屏蔽构件沿着所述第二行的纵轴间隔开，其中所述第二行中的每个导电屏蔽构件包括多面体；并且

其中所述第一行的所述导电屏蔽构件相对于所述第二行的所述导电屏蔽构件偏移，以防止所述第一导电信号构件与所述第二导电信号构件之间的直接视线。

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