CN116259567A - 晶圆预校准方法及装置 - Google Patents

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CN116259567A CN202211628038.4A CN202211628038A CN116259567A CN 116259567 A CN116259567 A CN 116259567A CN 202211628038 A CN202211628038 A CN 202211628038A CN 116259567 A CN116259567 A CN 116259567A
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Abstract

本发明提供一种晶圆预校准方法及装置，属于晶圆制造领域，该方法包括：通过位移传感器，获取晶圆边缘与传感器测量范围边界线之间的距离信息；根据距离信息确定边缘构成的曲线沿第二坐标轴方向的极值点，根据极值点对应的第二坐标轴的取值确定晶圆在第二坐标轴的偏移量；在晶圆基于偏移量进行第二坐标轴的校准后，根据传感器测得的边界线内晶圆最大宽度，和基于转台中心确定的第一坐标轴方向的边界线内晶圆最大宽度，确定第一坐标轴的偏移量，以基于第一坐标轴的偏移量进行校准。该方法基于晶圆边缘和传感器边界的距离实现，可通过一次位移采集足量的有效信息，从而提高晶圆校准过程的效率，且不需要旋转一周或一周以上，进一步提高校准效率。

Description

晶圆预校准方法及装置
技术领域
本发明涉及晶圆制造领域，尤其涉及一种晶圆预校准方法及装置。
背景技术
随着晶圆制作工艺不断提高，在制作过程中对晶圆对位精度要求也越来越高。晶圆存放在FOUP盒中，两者存在毫米级的间隙，机械手从FOUP盒取出晶圆就存在毫米级的随机偏心，且晶圆定位缺口亦是随机的，导致误差累计增大。因此，晶圆需要进行毫米级的预校准，晶圆毫米级预校准过程就是通过一定的方法，使其形心调整到预设位置，并使其缺口转动到预设的方向，此过程是晶圆被送到光刻机前必须要进行的步骤。晶圆传片倒片亦是晶圆半导体制造过程中不可或缺的一个步骤，晶圆毫米级预对准是其必须要完成的功能，准确的预对准可解决晶圆精确定位、上下料碰撞、传送偏心、夹持失败等问题。
目前采取的方法，通常让晶圆旋转一周或一周以上，在此过程中采集晶圆信息，根据采集的晶圆数据进行图形的拟合，获取晶圆的形心位置和缺口位置。此方式数据采集信息较多，从而处理时间较长，导致校准的效率不高，而且每次晶圆都要旋转一周或一周以上导致定位效率进一步降低。
发明内容
针对现有技术存在的问题，本发明提供一种晶圆预校准方法及装置。
本发明提供一种晶圆预校准方法，包括：通过位移传感器，获取晶圆的第一边缘与所述传感器测量范围边界线之间的距离信息；根据所述距离信息，确定所述第一边缘构成的曲线沿第二坐标轴方向的极值点，根据所述极值点对应的第二坐标轴的取值，确定所述晶圆在第二坐标轴的偏移量；在所述晶圆基于所述偏移量进行第二坐标轴的校准后，根据所述传感器测得的所述边界线内晶圆最大宽度，和基于转台中心确定的第一坐标轴方向的边界线内晶圆最大宽度，确定第一坐标轴的偏移量，以用于所述晶圆基于第一坐标轴的偏移量进行第一坐标轴的校准；其中，所述第一边缘为晶圆位于所述传感器测量范围边界线以内的边缘；所述第一坐标轴，与所述第二坐标轴以及所述边界线垂直。
根据本发明提供的一种晶圆预校准方法，所述通过位移传感器，获取晶圆的第一边缘与所述传感器测量范围边界线之间的距离信息，包括：通过位移传感器，获取所述晶圆沿第二坐标轴方向移动到传感器测量范围以内后，继续沿第二坐标轴方向移动过程中，由小增大再由大减小的第一边缘与所述边界线之间的距离信息。
根据本发明提供的一种晶圆预校准方法，所述获取晶圆的第一边缘与所述传感器测量范围边界线之间的距离信息，包括：在所述晶圆沿第二坐标轴方向移动到传感器测量范围以内后，在移动过程中，对所述第一边缘进行采样，确定每个采样点到所述边界线的距离；相应地，所述根据所述距离信息，确定所述第一边缘构成的曲线沿第二坐标轴方向的极值点，包括：根据每个采样点到所述围边界线的距离，对所有采样点进行多项式拟合得到多项式曲线；根据所述多项式曲线确定所述极值点。
根据本发明提供的一种晶圆预校准方法，所述晶圆沿第二坐标轴方向移动到传感器测量范围，包括：所述晶圆沿第二坐标轴方向移动到传感器测量范围；或者，所述传感器沿第二坐标轴方向移动，以使晶圆移动到传感器测量范围；或者，所述传感器与所述晶圆均沿第二坐标轴方向相对移动，以使晶圆移动到传感器测量范围。
根据本发明提供的一种晶圆预校准方法，所述确定第一坐标轴的偏移量之后，还包括：在晶圆中心点进行第一坐标轴的校准后，通过所述传感器获取晶圆旋转过程中的每个边缘点到晶圆中心点的距离，在测得的边缘点到中心点的距离发生突变的情况下，确定对应的边缘点为缺口边缘点。
根据本发明提供的一种晶圆预校准方法，所述获取晶圆的第一边缘与所述传感器测量范围边界线之间的距离信息过程中或者之后，还包括：检测到第一边缘曲线上的点到所述传感器测量范围边界线之间的距离发生突变的情况下，控制晶圆的转台转动预设角度，并重新获取晶圆的第一边缘与所述传感器测量范围边界线之间的距离信息。
本发明还提供一种晶圆预校准装置，包括：信息采集模块，用于通过位移传感器，获取晶圆的第一边缘与所述传感器测量范围边界线之间的距离信息；第一校准模块，用于根据所述距离信息，确定所述第一边缘构成的曲线沿第二坐标轴方向的极值点，根据所述极值点对应的第二坐标轴的取值，确定所述晶圆在第二坐标轴的偏移量；第二校准模块，用于在所述晶圆基于所述偏移量进行第二坐标轴的校准后，根据所述传感器测得的所述边界线内晶圆最大宽度，和基于转台中心确定的第一坐标轴方向的边界线内晶圆最大宽度，确定第一坐标轴的偏移量，以用于所述晶圆基于第一坐标轴的偏移量进行第一坐标轴的校准；其中，所述第一边缘为晶圆位于所述传感器测量范围边界线以内的边缘；所述第一坐标轴，与所述第二坐标轴以及所述边界线垂直。
本发明还提供一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现如上述任一种所述晶圆预校准方法。
本发明还提供一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现如上述任一种所述晶圆预校准方法。
本发明还提供一种计算机程序产品，包括计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上述任一种所述晶圆预校准方法。
本发明提供的晶圆预校准方法及装置，通过第一边缘与传感器测量范围边界线之间的距离信息实现，可基于一次位移采集足量的有效信息，从而在保证测量精度的前提下提高晶圆校准效率；同时，晶圆校准过程不需要旋转一周或一周以上，进一步提高晶圆校准效率，并同时保证校准过程的稳定性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明提供的晶圆预校准方法的流程示意图之一；
图2是本发明提供的晶边测量方式示意图；
图3是本发明提供的晶圆圆心ΔY偏移计算示意图；
图4是本发明提供的晶圆圆心ΔX偏移计算示意图；
图5是本发明提供的晶圆位置移动示意图；
图6是本发明提供的采集数据曲线图；
图7是本发明提供的拟合圆弧曲线图；
图8是本发明提供的缺口检测示意图；
图9是本发明提供的晶圆预校准方法的流程示意图之二；
图10是本发明提供的晶圆预校准装置的结构示意图；
图11是本发明提供的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明中的附图，对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
下面结合图1-图11描述本发明的晶圆预校准方法及装置。图1是本发明提供的晶圆预校准方法的流程示意图，如图1所示，本发明提供晶圆预校准方法，包括：
101、通过位移传感器，获取晶圆的第一边缘与所述传感器测量范围边界线之间的距离信息。其中，所述第一边缘为晶圆位于所述传感器测量范围边界线以内的边缘。
首先，通过机械手将晶圆放置在晶圆校准机构，然后通过高精度线性传感器获取晶圆的位置信息，最终要实现晶圆的形心与转台中心调整到重合。本发明通过位移传感器，对测量范围的传感器边界线(图中为传感器测量范围的右侧部分)到晶圆的第一边缘(图中为传感器右侧边界线的左侧部分)的距离进行测量，如图2所示。其中，位移传感器可以是激光位移传感器，如目前的高精度激光线性传感器，下文以激光位移传感器为例进行说明。
图中，第一坐标轴为x轴，第二坐标轴为y轴。第一坐标轴x与第二坐标轴y轴垂直，也与右侧边界线垂直，矫正过程的移动考虑平面内移动。
102、根据所述距离信息，确定所述第一边缘构成的曲线沿第二坐标轴方向的极值点，根据所述极值点对应的第二坐标轴的取值，确定所述晶圆在第二坐标轴的偏移量。
第一边缘构成的曲线是圆形的一部分，边界线是与x轴垂直的线。根据二者的距离信息，可以找到圆形部分沿y轴的极值点。极值点对应的y轴坐标便可确定对应的偏移量。
具体如图3所示，从图中可以看到，实线为形心与转台中心重合的晶圆(标准晶圆)，虚线为实际放置的晶圆。标准晶圆测出的区域在实线左侧晶边与右侧边缘线的包围区域，而实际晶圆测得的区域为虚线晶圆与右侧边缘线包围的区域，区域放大如图3右侧阴影图形，根据圆形的特点，最宽线的延长直线经过形心O’(a,b)，可求出b值，即第二坐标轴y轴的偏移量。
103、在所述晶圆基于所述偏移量进行第二坐标轴的校准后，根据所述传感器测得的所述边界线内晶圆最大宽度，和基于转台中心确定的第一坐标轴方向的边界线内晶圆最大宽度，确定第一坐标轴的偏移量，以用于所述晶圆基于第一坐标轴的偏移量进行第一坐标轴的校准。
y轴执行机构移动ΔY距离，Y轴完成到转台中心点的调整。之后进行x轴的调整，如图4所示。相对于转台中心晶圆，实际晶圆经过ΔY偏差的调整，目前的偏差仅在X轴上存在，在该位置，线性激光传感器测出实际晶边尺寸，将该尺寸与晶边标准尺寸进行取差获得ΔX(a)的偏差距离，通过X轴执行机构移动偏移距离ΔX，从而完成晶圆形心到转台中心的调整。具体如图4，根据传感器测得的边界线内x轴方向晶圆最大宽度W0Y，和基于转台中心确定的第一坐标轴方向的边界线内晶圆最大宽度WR，确定第一坐标轴的偏移量ΔX(具体为二者的差值)。然后，x轴执行机构移动ΔX距离，便可实现晶圆形心的校准。
本发明的晶圆预校准方法，通过第一边缘与传感器测量范围边界线之间的距离信息实现，可基于一次位移采集足量的有效信息，从而在保证测量精度的前提下提高晶圆校准效率；同时，晶圆校准过程不需要旋转一周或一周以上，进一步提高晶圆校准效率，并同时保证校准过程的稳定性。
在一些实施例中，所述通过位移传感器，获取晶圆的第一边缘与所述传感器测量范围边界线之间的距离信息，包括：通过位移传感器，获取所述晶圆沿第二坐标轴方向移动到传感器测量范围以内后，继续沿第二坐标轴方向移动过程中，由小增大再由大减小的第一边缘与所述边界线之间的距离信息。
考虑到位移传感器的覆盖范围无法一次性覆盖第一边缘的情况以及出于传感器成本的考虑，在无法一次性测量第一边缘和边界线之间所有点的距离信息的情况下，本发明通过传感器与晶圆的相对移动来确定第一边缘与边界线之间的距离信息。如图5所示，晶圆沿第二坐标轴y轴方向移动到传感器测量范围以内后，继续沿第二坐标轴方向移动。根据线性激光反馈值判断Y轴移动方向，第一边缘和边界线之间的距离值由小增大，则向该方向继续移动，直到第一边缘和边界线之间的距离值再由大变小，则距离的采集过程中涵盖了极值点。在此移动过程中，可按照一定距离对晶边宽度进行采样，得到对应的第一边缘与边界线之间的距离信息。
在一些实施例中，所述获取晶圆的第一边缘与所述传感器测量范围边界线之间的距离信息，包括：在所述晶圆沿第二坐标轴方向移动到传感器测量范围以内后，在移动过程中，对所述第一边缘进行采样，确定每个采样点到所述边界线的距离；相应地，所述根据所述距离信息，确定所述第一边缘构成的曲线沿第二坐标轴方向的极值点，包括：根据每个采样点到所述围边界线的距离，对所有采样点进行多项式拟合得到多项式曲线；根据所述多项式曲线确定所述极值点。
具体而言，在本发明实施例中，y轴执行机构向两端移动，移动过程中按照一定距离对晶边宽度进行采样，采样扫描过程如图3右侧的阴影部分，横线为测定的晶边宽度值，取样n个值，从图中可以看到，实线为形心与转台中心重合的晶圆，虚线为实际放置的晶圆，y轴移动一定距离，标准晶圆测出的区域在实线左侧晶边与右侧边缘线的包围区域，而实际晶圆测得的区域为虚线晶圆与右侧边缘线包围的区域，区域放大如右侧阴影图形，根据圆形的特点，最宽线的延长直线经过形心O’(a,b)，可求出b值。
可利用最小二乘法拟合成晶圆的采样边缘弧线，横轴代表采样位置，代表为y，纵轴代表晶边宽度，代表为w，如图6所示。在此之后，还包括抑制噪声、振动，经过高斯滤波获取平滑曲线，如图7所示。
可利用多项近似曲线推定峰值(即极值点)，峰值位置与过晶圆形心与X轴平行的线重合，求峰值多项式为：
w＝ay2+by+c
通过多项近似曲线推定峰值，确定峰值对应y值，将转台y值也就是0与该Y值求差获得ΔY(b)的偏差，y轴执行机构移动ΔY距离，Y轴完成到转台中心点的调整。
在一些实施例中，所述晶圆沿第二坐标轴方向移动到传感器测量范围，包括：所述晶圆沿第二坐标轴方向移动到传感器测量范围；或者，所述传感器沿第二坐标轴方向移动，以使晶圆移动到传感器测量范围；或者，所述传感器与所述晶圆均沿第二坐标轴方向相对移动，以使晶圆移动到传感器测量范围。
具体而言，本发明实施例中指的晶圆沿第二坐标轴方向移动为相对运动，可以为晶圆移动也可以为传感器移动，也可以为二者同时相对运动，具体根据实际需求而定。
在一些实施例中，所述确定第一坐标轴的偏移量之后，还包括：在晶圆中心点进行第一坐标轴的校准后，通过所述传感器获取晶圆旋转过程中的每个边缘点到晶圆中心点的距离，在测得的边缘点到中心点的距离发生突变的情况下，确定对应的边缘点为缺口边缘点。
在完成晶圆形心调整的基础上，形心与转台中心重合，此时可通过转台执行机构转动晶圆，实时监视激光传感器所测晶圆边缘数据，当转动到晶圆缺口数据会出现突变，此时每隔一定时间记录晶圆的角度和晶边宽度，共记录n条，如图8所示，缺口位置的宽度如阴影图所示，在取样的位置标准晶边宽度减去缺口取样位置的宽度所得n个宽度差值，对宽度差值同样利用最小二乘法实现晶圆弧线的拟合，获得如图曲线图形，再经过高斯滤波，进行多项近似曲线峰值的推定，确定缺口精确角度，通过转台执行机构转动到确定的定位角度。
本发明实施例的晶圆预校准方法，形心定位过程在缺口定位前完成，之后再进行缺口信息数据采集，经过计算确定缺口最深点角度和位置再转动晶圆到指定位置，形心定位后进行缺口定位，获得的缺口数据基本对称，数据检测更加准确，同时也可检测形心定位的准确性。此外，晶圆缺口定位也不一定非要旋转一周或一周以上，从而可提高工作效率。
在一些实施例中，所述获取晶圆的第一边缘与所述传感器测量范围边界线之间的距离信息过程中或者之后，还包括：检测到第一边缘曲线上的点到所述传感器测量范围边界线之间的距离发生突变的情况下，控制晶圆的转台转动预设角度；重新获取晶圆的第一边缘与所述传感器测量范围边界线之间的距离信息。
晶圆在形心调整的过程中，可能会出现缺口在激光传感器测定的范围内，这样采集的数据并非一个完成的弧形，无法进行形心调整，因此当遇到这个情况进行如下判定：
第一边缘曲线上的点到所述传感器测量范围边界线之间的距离发生突变的情况下，专挑沿θ轴转动预设角度避开缺口，重新获取晶圆的第一边缘与传感器测量范围边界线之间的距离信息，进行形心判定和调整。
结合上述各实施例，图9是本发明提供的晶圆预校准方法的流程示意图之二，如图9所示，可结合上述各实施例参照，此处不再赘述。
下面对本发明提供的晶圆预校准装置进行描述，下文描述的晶圆预校准装置与上文描述的晶圆预校准方法可相互对应参照。
图10是本发明提供的晶圆预校准装置的结构示意图，如图10所示，该晶圆预校准装置包括：信息采集模块1001、第一校准模块1002和第二校准模块1003。其中，信息采集模块1001用于通过位移传感器，获取晶圆的第一边缘与所述传感器测量范围边界线之间的距离信息；第一校准模块1002用于根据所述距离信息，确定所述第一边缘构成的曲线沿第二坐标轴方向的极值点，根据所述极值点对应的第二坐标轴的取值，确定所述晶圆在第二坐标轴的偏移量；第二校准模块1003用于在所述晶圆基于所述偏移量进行第二坐标轴的校准后，根据所述传感器测得的所述边界线内晶圆最大宽度，和基于转台中心确定的第一坐标轴方向的边界线内晶圆最大宽度，确定第一坐标轴的偏移量，以用于所述晶圆基于第一坐标轴的偏移量进行第一坐标轴的校准；其中，所述第一边缘为晶圆位于所述传感器测量范围边界线以内的边缘；所述第一坐标轴，与所述第二坐标轴以及所述边界线垂直。
本发明实施例提供的装置实施例是为了实现上述各方法实施例的，具体流程和详细内容请参照上述方法实施例，此处不再赘述。
本发明实施例所提供的晶圆预校准装置，其实现原理及产生的技术效果和前述晶圆预校准方法实施例相同，为简要描述，晶圆预校准装置实施例部分未提及之处，可参考前述晶圆预校准方法实施例中相应内容。
图11是本发明提供的电子设备的结构示意图，如图11所示，该电子设备可以包括：处理器(processor)1101、通信接口(Communications Interface)1102、存储器(memory)1103和通信总线1104，其中，处理器1101，通信接口1102，存储器1103通过通信总线1104完成相互间的通信。处理器1101可以调用存储器1103中的逻辑指令，以执行晶圆预校准方法，该方法包括：通过位移传感器，获取晶圆的第一边缘与所述传感器测量范围边界线之间的距离信息；根据所述距离信息，确定所述第一边缘构成的曲线沿第二坐标轴方向的极值点，根据所述极值点对应的第二坐标轴的取值，确定所述晶圆在第二坐标轴的偏移量；在所述晶圆基于所述偏移量进行第二坐标轴的校准后，根据所述传感器测得的所述边界线内晶圆最大宽度，和基于转台中心确定的第一坐标轴方向的边界线内晶圆最大宽度，确定第一坐标轴的偏移量，以用于所述晶圆基于第一坐标轴的偏移量进行第一坐标轴的校准；其中，所述第一边缘为晶圆位于所述传感器测量范围边界线以内的边缘；所述第一坐标轴，与所述第二坐标轴以及所述边界线垂直。
此外，上述的存储器1103中的逻辑指令可以通过软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
另一方面，本发明还提供一种计算机程序产品，所述计算机程序产品包括计算机程序，计算机程序可存储在非暂态计算机可读存储介质上，所述计算机程序被处理器执行时，计算机能够执行上述各方法所提供的晶圆预校准方法，该方法包括：通过位移传感器，获取晶圆的第一边缘与所述传感器测量范围边界线之间的距离信息；根据所述距离信息，确定所述第一边缘构成的曲线沿第二坐标轴方向的极值点，根据所述极值点对应的第二坐标轴的取值，确定所述晶圆在第二坐标轴的偏移量；在所述晶圆基于所述偏移量进行第二坐标轴的校准后，根据所述传感器测得的所述边界线内晶圆最大宽度，和基于转台中心确定的第一坐标轴方向的边界线内晶圆最大宽度，确定第一坐标轴的偏移量，以用于所述晶圆基于第一坐标轴的偏移量进行第一坐标轴的校准；其中，所述第一边缘为晶圆位于所述传感器测量范围边界线以内的边缘；所述第一坐标轴，与所述第二坐标轴以及所述边界线垂直。
又一方面，本发明还提供一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现以执行上述各方法提供的晶圆预校准方法，该方法包括：通过位移传感器，获取晶圆的第一边缘与所述传感器测量范围边界线之间的距离信息；根据所述距离信息，确定所述第一边缘构成的曲线沿第二坐标轴方向的极值点，根据所述极值点对应的第二坐标轴的取值，确定所述晶圆在第二坐标轴的偏移量；在所述晶圆基于所述偏移量进行第二坐标轴的校准后，根据所述传感器测得的所述边界线内晶圆最大宽度，和基于转台中心确定的第一坐标轴方向的边界线内晶圆最大宽度，确定第一坐标轴的偏移量，以用于所述晶圆基于第一坐标轴的偏移量进行第一坐标轴的校准；其中，所述第一边缘为晶圆位于所述传感器测量范围边界线以内的边缘；所述第一坐标轴，与所述第二坐标轴以及所述边界线垂直。
以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性的劳动的情况下，即可以理解并实施。
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到各实施方式可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件。基于这样的理解，上述技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品可以存储在计算机可读存储介质中，如ROM/RAM、磁碟、光盘等，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行各个实施例或者实施例的某些部分所述的方法。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种晶圆预校准方法，其特征在于，包括：
通过位移传感器，获取晶圆的第一边缘与所述传感器测量范围边界线之间的距离信息；
根据所述距离信息，确定所述第一边缘构成的曲线沿第二坐标轴方向的极值点，根据所述极值点对应的第二坐标轴的取值，确定所述晶圆在第二坐标轴的偏移量；
在所述晶圆基于所述偏移量进行第二坐标轴的校准后，根据所述传感器测得的所述边界线内晶圆最大宽度，和基于转台中心确定的第一坐标轴方向的边界线内晶圆最大宽度，确定第一坐标轴的偏移量，以用于所述晶圆基于第一坐标轴的偏移量进行第一坐标轴的校准；
其中，所述第一边缘为晶圆位于所述传感器测量范围边界线以内的边缘；所述第一坐标轴，与所述第二坐标轴以及所述边界线垂直。
2.根据权利要求1所述的晶圆预校准方法，其特征在于，所述通过位移传感器，获取晶圆的第一边缘与所述传感器测量范围边界线之间的距离信息，包括：
通过位移传感器，获取所述晶圆沿第二坐标轴方向移动到传感器测量范围以内后，继续沿第二坐标轴方向移动过程中，由小增大再由大减小的第一边缘与所述边界线之间的距离信息。
3.根据权利要求1或2所述的晶圆预校准方法，其特征在于，所述获取晶圆的第一边缘与所述传感器测量范围边界线之间的距离信息，包括：
在所述晶圆沿第二坐标轴方向移动到传感器测量范围以内后，在移动过程中，对所述第一边缘进行采样，确定每个采样点到所述边界线的距离；
相应地，所述根据所述距离信息，确定所述第一边缘构成的曲线沿第二坐标轴方向的极值点，包括：
根据每个采样点到所述围边界线的距离，对所有采样点进行多项式拟合得到多项式曲线；
根据所述多项式曲线确定所述极值点。
4.根据权利要求2所述的晶圆预校准方法，其特征在于，所述晶圆沿第二坐标轴方向移动到传感器测量范围，包括：
所述晶圆沿第二坐标轴方向移动到传感器测量范围；
或者，所述传感器沿第二坐标轴方向移动，以使晶圆移动到传感器测量范围；
或者，所述传感器与所述晶圆均沿第二坐标轴方向相对移动，以使晶圆移动到传感器测量范围。
5.根据权利要求1所述的晶圆预校准方法，其特征在于，所述确定第一坐标轴的偏移量之后，还包括：
在晶圆中心点进行第一坐标轴的校准后，通过所述传感器获取晶圆旋转过程中的每个边缘点到晶圆中心点的距离；
在测得的边缘点到中心点的距离发生突变的情况下，确定对应的边缘点为缺口边缘点。
6.根据权利要求1所述的晶圆预校准方法，其特征在于，所述获取晶圆的第一边缘与所述传感器测量范围边界线之间的距离信息过程中或者之后，还包括：
检测到第一边缘曲线上的点到所述传感器测量范围边界线之间的距离发生突变的情况下，控制晶圆的转台转动预设角度，并重新获取晶圆的第一边缘与所述传感器测量范围边界线之间的距离信息。
7.一种晶圆预校准装置，其特征在于，包括：
信息采集模块，用于通过位移传感器，获取晶圆的第一边缘与所述传感器测量范围边界线之间的距离信息；
第一校准模块，用于根据所述距离信息，确定所述第一边缘构成的曲线沿第二坐标轴方向的极值点，根据所述极值点对应的第二坐标轴的取值，确定所述晶圆在第二坐标轴的偏移量；
第二校准模块，用于在所述晶圆基于所述偏移量进行第二坐标轴的校准后，根据所述传感器测得的所述边界线内晶圆最大宽度，和基于转台中心确定的第一坐标轴方向的边界线内晶圆最大宽度，确定第一坐标轴的偏移量，以用于所述晶圆基于第一坐标轴的偏移量进行第一坐标轴的校准；
其中，所述第一边缘为晶圆位于所述传感器测量范围边界线以内的边缘；所述第一坐标轴，与所述第二坐标轴以及所述边界线垂直。
8.一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述程序时实现如权利要求1至6任一项所述晶圆预校准方法。
9.一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至6任一项所述晶圆预校准方法。
10.一种计算机程序产品，包括计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至6任一项所述晶圆预校准方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN116759358A (zh) * 2023-08-17 2023-09-15 泓浒(苏州)半导体科技有限公司 一种晶圆边缘对准方法及系统
CN117153755A (zh) * 2023-10-26 2023-12-01 迈为技术(珠海)有限公司 一种晶圆对中方法、晶圆洗边方法以及晶圆对中机构

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116759358A (zh) * 2023-08-17 2023-09-15 泓浒(苏州)半导体科技有限公司 一种晶圆边缘对准方法及系统
CN117153755A (zh) * 2023-10-26 2023-12-01 迈为技术(珠海)有限公司 一种晶圆对中方法、晶圆洗边方法以及晶圆对中机构
CN117153755B (zh) * 2023-10-26 2024-02-09 迈为技术(珠海)有限公司 一种晶圆对中方法、晶圆洗边方法以及晶圆对中机构

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