CN116259079A - 电子装置 - Google Patents

电子装置 Download PDF

Info

Publication number
CN116259079A
CN116259079A CN202111500415.1A CN202111500415A CN116259079A CN 116259079 A CN116259079 A CN 116259079A CN 202111500415 A CN202111500415 A CN 202111500415A CN 116259079 A CN116259079 A CN 116259079A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
opening
substrate
light
electronic device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111500415.1A
Other languages
English (en)
Inventor
刘敏钻
李冠锋
蔡宗翰
颜崇纹
杨秋莲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Innolux Corp
Original Assignee
Innolux Display Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Innolux Display Corp filed Critical Innolux Display Corp
Priority to CN202111500415.1A priority Critical patent/CN116259079A/zh
Priority to TW111119041A priority patent/TWI831217B/zh
Priority to US17/984,252 priority patent/US20230186673A1/en
Publication of CN116259079A publication Critical patent/CN116259079A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12—Fingerprints or palmprints
    • G06V40/13—Sensors therefor
    • G06V40/1318—Sensors therefor using electro-optical elements or layers, e.g. electroluminescent sensing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14678—Contact-type imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Abstract

本公开提供一种电子装置，包括第一基板、第二基板、不透光层、发光单元以及光传感器。第二基板与第一基板相对。不透光层设置在第一基板与第二基板之间且包括第一开口以及第二开口。发光单元设置在第一基板与第二基板之间且与第一开口重叠。光传感器设置在第一基板上且与第二开口重叠。

Description

电子装置
技术领域
本公开涉及一种电子装置，尤其涉及一种包括光传感器的电子装置。
背景技术
为了提供身分识别(如指纹感测)功能，现有的电子装置在其周边区形成开孔以容置用于身分识别的感测模块。然而，此种做法导致屏占比的降低。
发明内容
本公开提供一种电子装置，其有助于改善屏占比降低的问题。
根据本公开的实施例，电子装置包括第一基板、第二基板、不透光层、发光单元以及光传感器。第二基板与第一基板相对。不透光层设置在第一基板与第二基板之间且包括第一开口以及第二开口。发光单元设置在第一基板与第二基板之间且与第一开口重叠。光传感器设置在第一基板上且与第二开口重叠。
为让本公开的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1至图3、图5至图15分别是根据本公开的一些实施例的电子装置的局部剖面示意图；
图4是根据本公开的一些实施例的不透光层的局部俯视示意图。
具体实施方式
现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
本公开通篇说明书与所附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子装置制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求中，“含有”与“包含”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为…”之意。
本文中所提到的方向用语，例如：“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本公开。在附图中，各附图示出的是特定实施例中所使用的方法、结构和/或材料的通常性特征。然而，这些附图不应被解释为界定或限制由这些实施例所涵盖的范围或性质。举例来说，为了清楚起见，各膜层、区域和/或结构的相对尺寸、厚度及位置可能缩小或放大。
本公开中所叙述的一结构(或层别、元件、基材)位于另一结构(或层别、元件、基材)之上/上方，可以指二结构相邻且直接连接，或是可以指二结构相邻而非直接连接。非直接连接是指二结构之间具有至少一中介结构(或中介层别、中介元件、中介基材、中介间隔)，一结构的下侧表面相邻或直接连接于中介结构的上侧表面，另一结构的上侧表面相邻或直接连接于中介结构的下侧表面。而中介结构可以是单层或多层的实体结构或非实体结构所组成，并无限制。在本公开中，当某结构设置在其它结构“上”时，有可能是指某结构“直接”在其它结构上，或指某结构“间接”在其它结构上，即某结构和其它结构间还夹设有至少一结构。
术语“大约”、“等于”、“相等”或“相同”、“实质上”或“大致上”一般解释为在所给定的值或范围的20％以内，或解释为在所给定的值或范围的10％、5％、3％、2％、1％或0.5％以内。
说明书与权利要求中所使用的序数例如“第一”、“第二”等的用词用以修饰元件，其本身并不意含及代表该(或该些)元件有任何之前的序数，也不代表某一元件与另一元件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚区分。权利要求与说明书中可不使用相同用词，据此，说明书中的第一构件在权利要求中可能为第二构件。
本公开中所叙述的电性连接或耦接，皆可以指直接连接或间接连接，于直接连接的情况下，两电路上元件的端点直接连接或以一导体线段互相连接，而于间接连接的情况下，两电路上元件的端点之间具有开关、二极管、电容、电感、电阻、其他适合的元件、或上述元件的组合，但不限于此。
在本公开中，厚度、长度与宽度的测量方式可以是采用光学显微镜测量而得，厚度或宽度则可以由电子显微镜中的剖面影像测量而得，但不以此为限。另外，任两个用来比较的数值或方向，可存在着一定的误差。另外，本公开中所提到的术语“等于”、“相等”、“相同”、“实质上”或“大致上”通常代表落在给定数值或范围的10％范围内。此外，用语“给定范围为第一数值至第二数值”、“给定范围落在第一数值至第二数值的范围内”表示所述给定范围包括第一数值、第二数值以及它们之间的其它数值。若第一方向垂直于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于80度至100度之间；若第一方向平行于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于0度至10度之间。
须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本公开的精神下，可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。
除非另外定义，在此使用的全部用语(包含技术及科学用语)具有与本公开所属技术领域的技术人员通常理解的相同涵义。能理解的是，这些用语例如在通常使用的字典中定义用语，应被解读成具有与相关技术及本公开的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本公开实施例有特别定义。
在本公开中，电子装置可包括显示装置、背光装置、天线装置、感测装置或拼接装置，但不以此为限。电子装置可为可弯折或可挠式电子装置。显示装置可为非自发光型显示装置或自发光型显示装置。天线装置可为液晶型态的天线装置或非液晶型态的天线装置，感测装置可为感测电容、光线、热能或超声波的感测装置，但不以此为限。在本公开中，电子元件可包括无源元件与有源元件，例如电容、电阻、电感、二极管、晶体管等。二极管可包括发光二极管或光电二极管。发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic lightemitting diode，OLED)、次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(micro LED)或量子点发光二极管(quantum dot LED)，但不以此为限。拼接装置可例如是显示器拼接装置或天线拼接装置，但不以此为限。需注意的是，电子装置可为前述的任意排列组合，但不以此为限。下文将以显示装置作为电子装置或拼接装置以说明本公开内容，但本公开不以此为限。
须说明的是，下文中不同实施例所提供的技术方案可相互替换、组合或混合使用，以在未违反本公开精神的情况下构成另一实施例。
图1至图3、图5至图15分别是根据本公开的一些实施例的电子装置的局部剖面示意图。图4是根据本公开的一些实施例的不透光层的局部俯视示意图。
请参照图1，电子装置1可包括第一基板10、第二基板11、不透光层12、发光单元13以及光传感器14。第二基板11与第一基板10相对。不透光层12设置在第一基板10与第二基板11之间且包括第一开口A1以及第二开口A2。发光单元13设置在第一基板10与第二基板11之间且与第一开口A1重叠。光传感器14设置在第一基板10上且与第二开口A2重叠。
第一基板10以及第二基板11可为硬质基板或软质基板。举例来说，第一基板10以及第二基板11的材料可包括塑料、玻璃、陶瓷、石英、蓝宝石或上述材料的组合，但不以此为限。
不透光层12可包括对于可见光波段(波长400nm至700nm的光)的光的穿透率小于50％的层别。举例来说，不透光层12的材料可包括添加有吸光粒子(例如碳黑)的光刻胶材料，但不以此为限。在一些实施例中，不透光层12可为遮光层，例如黑色矩阵(blackmatrix)，但不以此为限。
在一些实施例中，不透光层12设置在第二基板11面向第一基板10的表面S11上，但不以此为限。在其他实施例中，尽管未示出，不透光层12可设置在第一基板10以及第二基板11之间的一个或多个膜层上。换句话说，电子装置1可包括一层或多层不透光层12。
发光单元13可包括自发光元件，如有机发光二极管、次毫米发光二极管、微发光二极管或量子点发光二极管，但不以此为限。发光单元13设置在第一基板10与不透光层12之间，其中发光单元13在第一基板10的表面的法线方向(如方向Z)上与第一开口A1重叠，使得发光单元13发出的光束L1可经由不透光层12的第一开口A1穿过并自电子装置1输出。
在一些实施例中，发光单元13发出的光束L1可用于身分识别，例如生物感测，如指纹感测。在一些实施例中，发光单元13发出的光束L1还可用于画面显示。举例来说，电子装置1可包括多个发光单元13，多个发光单元13包括发出可见光波段的光的多个发光元件且多个发光元件可呈阵列排列，以提供显示画面。对应地，不透光层12可包括分别与多个发光单元13重叠的多个第一开口A1，以让多个发光单元13发出的光束L1通过。
光传感器14可用以接收被待测物F反射的光束L2，以进行身分识别。具体地，光传感器14在第一基板10的表面的法线方向(如方向Z)上与第二开口A2重叠，使得被待测物F反射的光束L2可经由不透光层12的第二开口A2而传递至光传感器14。举例来说，光传感器14可包括光电二极管(photodiode)、光敏晶体管管(photo-transistor)、金属-半导体-金属感光元件(metal-semiconductor-metal photodetector，MSM photo-detector)等，但不以此为限。光电二极管可以包括无机光电二极管或有机光电二极管(organic photodiode，OPD)。在一些实施例中，被待测物F例如可为手指，使得光传感器14可感测指纹，进行指纹识别。
在一些实施例中，第一基板10包括第一侧S1以及与第一侧S1相对的第二侧S2，其中第一侧S1比第二侧S2更靠近第二基板11，且光传感器14设置在第一侧S1上，例如光传感器14设置在第一基板10与不透光层12之间，但不以此为限。在其他实施例中，光传感器14可设置在第二侧S2上(如图12所示)，换句话说，发光单元13与光传感器14可分别设置在第一基板10的相对侧。
在一些实施例中，光传感器14可用以感测指纹，但不以此为限。在一些实施例中，电子装置1可包括多个光传感器14，且多个光传感器14可呈阵列排列。对应地，不透光层12可包括分别与多个光传感器14重叠的多个第二开口A2，以让多个光传感器14分别接收被待测物F反射的多道光束L2。
通过将光传感器14邻近发光单元13设置，例如将光传感器14设置在电子装置1的显示区内，可以不用在电子装置1的周边区形成开孔来容置用于身分识别的感测模块，因此可改善屏占比降低的问题或有助于实现窄边框或无边框的设计。依据不同的规格或设计，电子装置1的显示区可局部或全面用于身分识别。对应地，可在局部或全部的显示区中布置光传感器14。
依据不同的需求，电子装置1还可包括其他元件或膜层。举例来说，如图1所示，电子装置1还可包括第一滤色片15。第一滤色片15可设置在第一开口A1中，以提升自电子装置1输出的光束L11的色纯度和/或提升电子装置1的对比度。
在其他实施例中，第一滤色片15也可置换成波长转换层，以提升自电子装置1输出的光束L11的色饱和度。波长转换层可包括单层或多层结构。波长转换层例如可被短波长的光(light)/光束(light beam)所激发，并将短波长的光/光束转换成长波长的光/光束。举例来说，波长转换层的材料可包括荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)、量子点(QuantumDot，QD)、其他合适的材料或上述至少两个的组合，但不以此为限。在另一些实施例中，可在第一开口A1中同时设置第一滤色片15以及波长转换层，其中波长转换层可设置在第一滤色片15与发光单元13之间。
在一些实施例中，如图1所示，电子装置1还可包括缓冲层16、缓冲层17、半导体层18、栅绝缘层19、导电层20、介电层21、介电层22、导电层23、平坦层24、平坦层25、绝缘层26、平坦层27以及接合层28，但不以此为限。依据不同的需求，电子装置1可增加或减少一个或多个元件或膜层。
缓冲层16以及缓冲层17依序设置在第一基板10的第一侧S1上。举例来说，缓冲层16以及缓冲层17的材料可包括无机材料，如氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)，但不以此为限。
半导体层18设置在缓冲层17上。举例来说，半导体层18的材料包括氧化物半导体材料，如，铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)，但不以此为限。在其他实施例中，半导体层18的材料可包括非晶硅(amorphous silicon)、多晶硅(polysilicon)、金属氧化物、或上述的组合(例如电路里有多个有源元件时)。半导体层18例如为图案化半导体层且可包括多个半导体图案18P。半导体图案18P可包括通道区18-1、源极区18-2以及漏极区18-3，其中通道区18-1位于源极区18-2与漏极区18-3之间。依据一些实施例，金属氧化物可为氧化铟镓锌(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)。
栅绝缘层19设置在半导体层18上且覆盖被半导体层18曝露出来的缓冲层17。举例来说，栅绝缘层19的材料可包括无机材料，如氧化硅或氮化硅，但不以此为限。
导电层20设置在栅绝缘层19上。举例来说，导电层20的材料包括金属或金属叠层，如铝、钼或钛/铝/钛。导电层20例如为图案化导电层且可包括多个栅极20G、多条信号线(未示出)等，但不以此为限。多个栅极20G分别设置在多个通道区18-1上方。
介电层21以及介电层22依序设置在导电层20上且覆盖被导电层20曝露出来的栅绝缘层19。举例来说，介电层21以及介电层22的材料可包括无机材料，如氧化硅或氮化硅，但不以此为限。在一些实施例中，尽管未示出，可省略介电层21以及介电层22的其中一层。
导电层23设置在介电层22上。举例来说，导电层23的材料包括金属或金属叠层，如铝、钼或钛/铝/钛。导电层23例如为图案化导电层且可包括多个源极23S、多个漏极23D、多条信号线(未示出)等，但不以此为限。源极23S贯穿介电层22、介电层21以与栅绝缘层19并与源极区18-2连接。漏极23D贯穿介电层22、介电层21以与栅绝缘层19并与漏极区18-3连接。
在电子装置1中，如图1所示，各栅极20G与对应的一个半导体图案18P、对应的一个源极23S以及对应的一个漏极23D构成一个有源元件AD。依据一些实施例有源元件AD例如可为薄膜晶体管。光传感器14可与对应的一个有源元件AD(例如称作有源元件AD1)的漏极23D电性连接，光传感器14可将光信号转换成电信号而由有源元件AD1进行识别和分析。发光单元13可通过重分布层RDL而与对应的一个有源元件AD(例如称作有源元件AD2)的漏极23D电性连接。有源元件AD2可驱动发光单元13使其发光。有源元件AD1和有源元件AD2可为不同的有源元件。电子装置1可包括多个有源元件AD。多个有源元件AD中所包括的半导体层18的材料可为相同或不同。依据一些实施例，多个有源元件AD可包括具有非晶硅的有源元件AD、具有多晶硅的有源元件AD、具有金属氧化物的有源元件AD、或上述的组合。
平坦层24以及平坦层25依序设置在介电层22上。举例来说，平坦层24以及平坦层25的材料包括有机材料或高分子材料，如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、环氧树脂(epoxy)、丙烯酸类树脂(acylic-based resin)、硅胶(silicone)、聚酰亚胺聚合物(polyimidepolymer)或上述的组合，但不以此为限。
如图1所示，绝缘层26可设置在第一基板10与第二基板11之间，例如，可设置在平坦层25上。绝缘层26例如为像素定义层，且绝缘层26的材料可包括高分子材料，如树脂，但不以此为限。在一些实施例中，绝缘层26由透光高分子材料形成，且绝缘层26包括第三开口A3，其中发光单元13设置在第三开口A3中。
平坦层27设置在不透光层12上且覆盖第一滤色片15以及被第二开口A2曝露出来的第一基板10的表面S11。举例来说，平坦层27的材料可包括聚甲基丙烯酸甲酯、环氧树脂、丙烯酸类树脂、硅胶、聚酰亚胺聚合物或上述的组合，但不以此为限。
接合层28将平坦层27与绝缘层26接合。举例来说，接合层28的材料可包括光学透明胶(Optical Clear Adhesive，OCA)或光学透明树脂(Optical Clear Resin，OCR)，但不以此为限。
如图1所示，第一基板10以及第一基板10上所形成的元件和膜层可构成第一基板构造100。例如，详细而言，第一基板构造100可包括第一基板10、有源元件AD、发光单元13和光传感器14。第二基板11以及第二基板11上所形成的元件和膜层可构成第二基板构造200。例如，详细而言，第二基板构造200可包括第二基板11、不透光层12、第一滤色片15和平坦层27。第一基板构造100和第二基板构造200可经由接合层28而接合在一起。
依据一些实施例，电子装置中，在第一基板10和第二基板11之间的不透光层12具有第一开口A1和第二开口A2，发光单元13和第一开口A1重叠，光传感器14和第二开口A2重叠。发光单元13发出的光(如光束L11)可经由第一开口A1而传送出去，光传感器14可经由第二开口A2而进行感测。依据一些实施例，电子装置可具有较佳的显示效果和/或较佳的感测效果。
请参照图2，电子装置1A与图1的电子装置1的主要差异说明如下。
在电子装置1A中，绝缘层26A由不透光高分子材料形成，且绝缘层26A对于可见光波段的光的穿透率小于50％。举例来说，绝缘层26A的材料包括黑色树脂、白色树脂(如添加有二氧化钛颗粒的树脂)或灰色树脂，但不以此为限。此外，绝缘层26A可包括第三开口A3和第四开口A4。发光单元13可设置在第三开口A3中。第四开口A4可与光传感器14重叠，即第四开口A4在第一基板10的表面的法线方向(如方向Z)上与第二开口A2重叠，使得被待测物F反射的光束L2(参见图1)可经由第四开口A4穿过绝缘层26A并传递至光传感器14。
第四开口A4与第二开口A2在方向Z上至少部分重叠。第四开口A4的宽度WA4可小于第二开口A2的宽度WA2，以提升朝光传感器14入射的光束(如图1所示的光束L2)的准直性或降低杂散光对于成像的干扰。然而，在其他实施例中，第四开口A4的宽度WA4可等于第二开口A2的宽度WA2。此外，第四开口A4的宽度WA4可小于第三开口A3的宽度WA3。在本公开中，开口的宽度是以一固定方向的剖面图中的洞底的宽度作为测量基准。
请参照图3，电子装置1B与图2的电子装置1A的主要差异说明如下。
在电子装置1B中，第一开口A1具有倾斜(taper)轮廓，以使自第一开口A1输出的光(如光束L11)具有发散的光型。举例来说，可通过不同种类的图案化工艺来控制不同开口的侧壁面的倾斜角度，以满足不同需求。例如可利用半透掩膜(half tone mask)来形成具有倾斜轮廓的第一开口A1，但不以此为限。下述实施例的任一开口可采用上述倾斜轮廓设计，于下便不再重述。
在本公开的任一实施例中，第一开口A1与第二开口A2可具有相同或不同的形状。如图4所示，第一开口A1的形状的可为四边形，而第二开口A2的形状可为圆形，但不以此为限。另外，第一开口A1与第二开口A2可具有相同或不同的尺寸。下述实施例的第一开口A1与第二开口A2可采用上述形状/尺寸设计，于下便不再重述。
请参照图5，电子装置1C与图1的电子装置1的主要差异说明如下。
除了不透光层12(也可称作第一不透光层)之外，电子装置1C还包括不透光层29(也可称作第二不透光层)。第二基板构造200可包括第二不透光层(不透光层29)。不透光层29设置在平坦层27上且设置在不透光层12与光传感器14之间。不透光层29的材料可参照不透光层12的材料，于此不再重述。不透光层29包括第五开口A5。第五开口A5与光传感器14重叠，即第五开口A5在第一基板10的表面的法线方向(如方向Z)上与光传感器14重叠。此外，第五开口A5与第二开口A2在方向Z上至少部分重叠，其中第五开口A5的宽度WA5可等于第二开口A2的宽度WA2；或者，尽管未示出，第五开口A5的宽度WA5可小于第二开口A2的宽度WA2。
电子装置1C还包括平坦层30。平坦层30设置在不透光层29上且覆盖被不透光层29曝露出来的平坦层27。平坦层30的材料可参照平坦层27的材料，于此不再重述。另外，接合层28将平坦层30与绝缘层26接合。
请参照图6，电子装置1D与图1的电子装置1的主要差异说明如下。
除了不透光层12之外，电子装置1D还包括不透光层31(也可称作第三不透光层)。第一基板构造100可包括第三不透光层(不透光层31)。不透光层31设置在绝缘层26上且设置在不透光层12与光传感器14之间。不透光层31的材料可参照不透光层12的材料，于此不再重述。不透光层31包括第六开口A6。第六开口A6与光传感器14重叠，即第六开口A6在第一基板10的表面的法线方向(如方向Z)上与光传感器14重叠。此外，第六开口A6与第二开口A2在方向Z上至少部分重叠，其中第六开口A6的宽度WA6可小于第二开口A2的宽度WA2；或者，尽管未示出，第六开口A6的宽度WA6可等于第二开口A2的宽度WA2。
电子装置1D还包括平坦层32。平坦层32设置在不透光层31上且覆盖发光单元13以及被不透光层31曝露出来的绝缘层26。平坦层32的材料可参照平坦层27的材料，于此不再重述。另外，接合层28将平坦层27与平坦层32接合。
请参照图7，电子装置1E与图6的电子装置1D的主要差异说明如下。
电子装置1E还包括不透光层29(也可称作第二不透光层)以及平坦层30。具体而言，例如，电子装置1E包括第一不透光层(不透光层12)、第二不透光层(不透光层29)和第三不透光层(不透光层31)。第一基板构造100可包括第三不透光层(不透光层31)和平坦层32，第二基板构造200可包括第一不透光层(不透光层12)和第二不透光层(不透光层29)和平坦层30。接合层28可将第一基板构造100和第二基板构造200接合，例如，藉由接合层28，将第一基板构造100中的平坦层32和第二基板构造200中的平坦层30接合。在电子装置1E中，第六开口A6比第五开口A5更靠近光传感器14，且第五开口A5比第二开口A2更靠近光传感器14。在一些实施例中，第六开口A6的宽度WA6可小于第五开口A5的宽度WA5，且第五开口A5的宽度WA5可小于第二开口A2的宽度WA2，以提升朝光传感器14入射的光束(如图1所示的光束L2)的准直性或降低杂散光对于成像的干扰。然而，在其他实施例中，尽管未示出，第六开口A6的宽度WA6可小于或等于第五开口A5的宽度WA5，且第五开口A5的宽度WA5可小于或等于第二开口A2的宽度WA2。举例来说，第六开口A6的宽度WA6可等于第五开口A5的宽度WA5以及第二开口A2的宽度WA2。或者，第六开口A6的宽度WA6可等于第五开口A5的宽度WA5且小于第二开口A2的宽度WA2。或者，第五开口A5的宽度WA5可等于第二开口A2的宽度WA2且大于第六开口A6的宽度WA6。
在本公开的任一实施例中，可通过多层(如两层或更多层)不透光层及其开口的设计来提升朝光传感器入射的光束的准直性或降低杂散光对于成像的干扰，于下便不再重述。
请参照图8，电子装置1F与图1的电子装置1的主要差异说明如下。
电子装置1F还包括第二滤色片33。第二滤色片33设置在第二开口A2中。如此，第二滤色片33可与光传感器14重叠，可以降低环境光对于成像的干扰。举例来说，在光传感器14对红光及绿光较敏感的情况下，基于环境光存在很多红光或红外光(例如IR波段的光)，第二滤色片33可选用绿色滤色片来过滤环境中的红光或红外光，藉此降低环境光的干扰，但不以此为限。
请参照图9，电子装置1G与图3的电子装置1B的主要差异说明如下。
电子装置1G还包括平坦层32、不透光层34、波长转换层35以及平坦层36。依据一些实施例，波长转换层35可设置在第一滤色片15与发光单元13之间。平坦层32设置在绝缘层26A上且覆盖发光单元13。不透光层34设置在平坦层32上且设置在不透光层12与绝缘层26A之间。不透光层34的材料可参照不透光层12的材料，于此不再重述。不透光层34包括第七开口A7以及第八开口A8，其中第七开口A7与发光单元13重叠，且第八开口A8与光传感器14重叠。第八开口A8的宽度WA8、第四开口A4的宽度WA4以及第二开口A2的宽度WA2可相同；或者，第四开口A4的宽度WA4可小于第八开口A8的宽度WA8，且第八开口A8的宽度WA8可小于第二开口A2的宽度WA2。
波长转换层35设置在第七开口A7中，以提升自电子装置1G输出的光束的色饱和度。波长转换层35可包括单层或多层结构。以第一滤色片15为红色滤色片为例，波长转换层35例如可为将短波长的光/光束转换成红光的波长转换层，但不以此为限。
平坦层36设置在不透光层34上且覆盖波长转换层35。平坦层36的材料可参照平坦层27的材料，于此不再重述。另外，接合层28将平坦层27与平坦层36接合。
请参照图10，电子装置1H与图9的电子装置1G的主要差异说明如下。
电子装置1H还包括第二滤色片33。第二滤色片33的详细内容请参照前述，于此不再重述。
请参照图11，电子装置1I与图10的电子装置1H的主要差异说明如下。
电子装置1I还包括波长转换层37。波长转换层37设置在第八开口A8中。波长转换层37可包括单层或多层结构。波长转换层37例如可用以将通过第二滤色片33的光束转换成对应光传感器14的敏感波段的光。举例来说，若光传感器14的敏感波段为红外光波段，且第二滤色片33为绿色滤色片，则波长转换层37可选用将通过第二滤色片33的绿光转换成红外光的波长转换材料制作，但不以此为限。
请参照图12，电子装置1J与图7的电子装置1E的主要差异说明如下。
电子装置1J还包括不透光层38(也可称作第四不透光层)。具体而言，第一基板构造100可包括第三不透光层(不透光层31)和第四不透光层(不透光层38)。不透光层38设置在介电层21上且设置在不透光层31与光传感器14之间。不透光层38的材料可参照不透光层12的材料，于此不再重述。不透光层38包括第九开口A9。第九开口A9与光传感器14重叠，即第九开口A9在第一基板10的表面的法线方向(如方向Z)上与光传感器14重叠。此外，第九开口A9在方向Z上至少部分重叠于第二开口A2、第五开口A5以及第六开口A6，其中第九开口A9的宽度WA9可小于或等于第六开口A6的宽度WA6，第六开口A6的宽度WA6可小于或等于第五开口A5的宽度WA5，且第五开口A5的宽度WA5可小于或等于第二开口A2的宽度WA2。在一些实施例中，尽管未示出，可省略不透光层38。
电子装置1J还包括第三基板构造300。第三基板构造300包括光传感器14。亦即，光传感器14是包括在第三基板构造300中，而不是包括在第一基板构造100中。具体而言，在电子装置1J中，光传感器14设置在第一基板10的第二侧S2上。举例来说，光传感器14可形成在第三基板39上，而构成第三基板构造300。第一基板构造100和第三基板构造300再通过接合层50而接合。进一步来说，电子装置1J中的第三基板构造300还可包括缓冲层40、缓冲层41、半导体层42、栅绝缘层43、导电层44、介电层45、介电层46、导电层47、平坦层48以及平坦层49，但不以此为限。依据不同的需求，电子装置1J可增加或减少一个或多个元件或膜层。
在某一些实施例中，第一基板的第二侧S2可以是通过接合层50跟第三基板的39的第二侧(无标示)接合。在这些实施例中，光传感器14及有源元件AD的形成顺序是颠倒的，即是于第三基板39先形成光传感器14，再形成有源元件AD。
第三基板39的详细内容可参照第一基板10的描述，于此不再重述。缓冲层40以及缓冲层41的详细内容可参照缓冲层16以及缓冲层17的描述，于此不再重述。半导体层42的详细内容可参照半导体层18的描述，于此不再重述。栅绝缘层43的详细内容可参照栅绝缘层19的描述，于此不再重述。导电层44的详细内容可参照导电层20的描述，于此不再重述。介电层45以及介电层4的详细内容可参照介电层21以及介电层22的描述，于此不再重述。导电层47的详细内容可参照导电层23的描述，于此不再重述。平坦层48以及平坦层49的详细内容可参照平坦层24以及平坦层25的描述，于此不再重述。接合层50的详细内容可参照接合层28的描述，于此不再重述。
在一些实施例中，光传感器14的分辨率可等于发光单元13的分辨率。在另一些实施例中，光传感器14的分辨率可小于发光单元13的分辨率。在又一些实施例中，光传感器14的分辨率可大于发光单元13的分辨率。光传感器14的分辨率定义为单位面积下的光传感器14的数目。发光单元13的分辨率定义为单位面积下的发光单元13的数目。
请参照图13，电子装置1K与图2的电子装置1A的主要差异说明如下。
电子装置1K还包括不透光层38(也可称作第四不透光层)。第四不透光层(不透光层38)的详细内容可参照上述，于此不再重述。不透光层38的第九开口A9在方向Z上至少部分重叠于第二开口A2以及第四开口A4，其中第九开口A9的宽度WA9可小于或等于第四开口A4的宽度WA4，且第四开口A4的宽度WA4可小于或等于第二开口A2的宽度WA2。在一些实施例中，尽管未示出，可省略不透光层38。
在电子装置1K中，光传感器14设置在第一基板10的第二侧S2上。具体设置方式可参照图12的描述，于此不再重述。
请参照图14，电子装置1L与图13的电子装置1K的主要差异说明如下。
在电子装置1L中，第四不透光层(不透光层38)设置在第一基板10的第一侧S1上且被缓冲层16覆盖。
请参照图15，电子装置1M与图14的电子装置1L的主要差异说明如下。
电子装置1M还包括介电层51以及不透光层52(也可称作第五不透光层)。具体而言，例如，电子装置1M包括第一不透光层(不透光层12)、第四不透光层(不透光层38)和第五不透光层(不透光层52)。第一基板构造100可包括第四不透光层(不透光层38)和第五不透光层(不透光层52)，第二基板构造200可包括第一不透光层(不透光层12)。介电层51设置在第一基板10的第二侧S2上且设置在接合层50与第一基板10之间。介电层51的材料可参照介电层21的材料，于此不再重述。不透光层52设置在介电层51上且设置在接合层50与介电层51之间。不透光层52的材料可参照不透光层12的材料，于此不再重述。不透光层52包括第十开口A10。第十开口A10与光传感器14重叠。此外，第十开口A10在方向Z上至少部分重叠于第二开口A2、第四开口A4以及第九开口A9，其中第十开口A10的宽度WA10可小于或等于第九开口A9的宽度WA9，第九开口A9的宽度WA9可小于或等于第四开口A4的宽度WA4，且第四开口A4的宽度WA4可小于或等于第二开口A2的宽度WA2。在一些实施例中，尽管未示出，可省略不透光层38以及不透光层52的其中至少一个。
综上所述，在本公开的实施例中，电子装置中，在第一基板和第二基板之间的不透光层具有第一开口和第二开口，发光单元和第一开口重叠，光传感器和第二开口重叠。发光单元发出的光可经由第一开口而传送出去，光传感器可经由第二开口而进行感测。依据一些实施例，电子装置可具有较佳的显示效果和/或较佳的感测效果。
以上各实施例仅用以说明本公开的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本公开进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本公开各实施例技术方案的范围。
虽然本公开的实施例及其优点已公开如上，但应该了解的是，本领域技术人员在不脱离本公开的精神和范围内，当可作更动、替代与润饰，且各实施例间的特征可任意互相混合替换而成其他新实施例。此外，本公开的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，本领域技术人员可从本公开揭示内容中理解现行或未来所发展出的工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果皆可根据本公开使用。因此，本公开的保护范围包括上述工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。另外，每一权利要求构成个别的实施例，且本公开的保护范围也包括各个权利要求及实施例的组合。本公开的保护范围当视随附的权利要求所界定的为准。

Claims (11)

1.一种电子装置，其特征在于，包括：
第一基板；
第二基板，与所述第一基板相对；
不透光层，设置在所述第一基板与所述第二基板之间且包括第一开口以及第二开口；
发光单元，设置在所述第一基板与所述第二基板之间且与所述第一开口重叠；以及
光传感器，设置在所述第一基板上且与所述第二开口重叠。
2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括：
第一滤色片，设置在所述第一开口中。
3.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，还包括：
波长转换层，设置在所述第一滤色片与所述发光单元之间。
4.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括：
绝缘层，设置在所述第一基板与所述第二基板之间，其中所述绝缘层包括第三开口以及第四开口，所述发光单元设置在所述第三开口中，且所述第四开口与所述光传感器重叠。
5.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，其中所述第四开口的宽度小于所述第二开口的宽度。
6.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，其中所述第四开口的宽度小于所述第三开口的宽度。
7.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一基板包括第一侧以及与所述第一侧相对的第二侧，其中所述第一侧比所述第二侧更靠近所述第二基板，且所述光传感器设置在所述第一侧上。
8.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一基板包括第一侧以及与所述第一侧相对的第二侧，其中所述第一侧比所述第二侧更靠近所述第二基板，且所述光传感器设置在所述第二侧上。
9.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括：
第二滤色片，设置在所述第二开口中。
10.根据权利要求9所述的电子装置，其特征在于，所述第二滤色片是绿色滤色片。
11.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述光传感器用以感测指纹。
CN202111500415.1A 2021-12-09 2021-12-09 电子装置 Pending CN116259079A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111500415.1A CN116259079A (zh) 2021-12-09 2021-12-09 电子装置
TW111119041A TWI831217B (zh) 2021-12-09 2022-05-23 電子裝置
US17/984,252 US20230186673A1 (en) 2021-12-09 2022-11-10 Electronic device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111500415.1A CN116259079A (zh) 2021-12-09 2021-12-09 电子装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116259079A true CN116259079A (zh) 2023-06-13

Family

ID=86684877

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111500415.1A Pending CN116259079A (zh) 2021-12-09 2021-12-09 电子装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230186673A1 (zh)
CN (1) CN116259079A (zh)
TW (1) TWI831217B (zh)

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10198650B2 (en) * 2015-12-11 2019-02-05 Gingy Technology Inc. Image capture apparatus
CN105717695A (zh) * 2016-04-26 2016-06-29 深圳市华星光电技术有限公司 彩膜基板的制作方法和液晶面板的制作方法
US20220173174A1 (en) * 2019-02-15 2022-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
TW202117694A (zh) * 2019-09-27 2021-05-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置、識別方法及程式
TW202119380A (zh) * 2019-11-08 2021-05-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置、顯示模組及電子裝置
KR20220027357A (ko) * 2020-08-26 2022-03-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220030004A (ko) * 2020-09-02 2022-03-10 엘지디스플레이 주식회사 표시패널과 이를 이용한 표시장치
KR20220085929A (ko) * 2020-12-15 2022-06-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
KR20220087668A (ko) * 2020-12-17 2022-06-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
CN112861763A (zh) * 2021-02-25 2021-05-28 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
KR20220132729A (ko) * 2021-03-23 2022-10-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20230046331A (ko) * 2021-09-29 2023-04-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
TWI831217B (zh) 2024-02-01
TW202324057A (zh) 2023-06-16
US20230186673A1 (en) 2023-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20190128101A (ko) 디스플레이 장치
US11569290B2 (en) Sensing device and display apparatus including the same
KR102440471B1 (ko) 표시 장치 및 이를 제조하는 방법
US11682338B2 (en) Electronic device having display function and having connection line disposed on side surface of substrate
KR20190034385A (ko) 표시 장치
US11908226B2 (en) Texture recognition device and manufacturing method thereof
KR20210126840A (ko) 감지 모듈 및 이를 갖는 표시장치
US20230268470A1 (en) Display device
CN116259079A (zh) 电子装置
US11696484B2 (en) Display device and method of fabricating the same
CN110865727B (zh) 电子装置
CN113642396A (zh) 感测装置
KR20220000365U (ko) 지문 감지 기능을 가지는 디스플레이 장치
US20230230969A1 (en) Electronic device
WO2022181292A1 (ja) 検出装置及び光フィルタ
TWI840961B (zh) 電子裝置
US20230320180A1 (en) Display device
TWI840960B (zh) 電子裝置以及製造電子裝置的方法
CN113435382B (zh) 感测装置
US20230215973A1 (en) Light emitting device
WO2023119939A1 (ja) 検出装置及び積層構造体
US20230282676A1 (en) Electronic device and method of manufacturing electronic device
US20230079920A1 (en) Collimator, manufacturing method thereof, and display device including collimator
TW202316661A (zh) 電子裝置
CN111881710A (zh) 电子装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination