CN116253298A - 一种基于流态化技术利用硅粉直接氮化制备氮化硅粉体的工艺方法、工艺设备 - Google Patents

一种基于流态化技术利用硅粉直接氮化制备氮化硅粉体的工艺方法、工艺设备 Download PDF

Info

Publication number
CN116253298A
CN116253298A CN202211716973.6A CN202211716973A CN116253298A CN 116253298 A CN116253298 A CN 116253298A CN 202211716973 A CN202211716973 A CN 202211716973A CN 116253298 A CN116253298 A CN 116253298A
Authority
CN
China
Prior art keywords
powder
silicon
nitrogen
silicon powder
silicon nitride
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202211716973.6A
Other languages
English (en)
Inventor
王嵘
沙小建
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangsu Lixing General Steel Ball Co Ltd
Original Assignee
Jiangsu Lixing General Steel Ball Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiangsu Lixing General Steel Ball Co Ltd filed Critical Jiangsu Lixing General Steel Ball Co Ltd
Priority to CN202211716973.6A priority Critical patent/CN116253298A/zh
Publication of CN116253298A publication Critical patent/CN116253298A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/068Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with silicon
    • C01B21/0682Preparation by direct nitridation of silicon
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/10Process efficiency

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

本发明涉及一种基于流态化技术利用硅粉直接氮化制备氮化硅粉体的工艺方法、工艺设备,所述方法:在常温下,以氮气为载体,将硅粉快速流化,硅粉和氮气组成的气‑固两相流;硅粉和氮气组成的气‑固两相流先预热至800K,再在高温1723K、常压下发生燃烧合成反应,反应时间≥7min,冷却并收集反应合成产物,即氮化硅粉体。所述设备由氮气进气控制阀、气体流量计、硅粉供料装置、预加热器、高温悬浮床、热电偶和温控装置、内部芯管、加热装置、冷却装置、收集装置连接构成。制成的氮化硅粉体粒径大、α率低。

Description

一种基于流态化技术利用硅粉直接氮化制备氮化硅粉体的工 艺方法、工艺设备
技术领域
本发明涉及陶瓷材料粉体,具体涉及一种基于流态化技术利用硅粉直接氮化制备氮化硅粉体的工艺方法、工艺设备。
背景技术
国内目前主流的氮化硅粉体生产工艺方法是燃烧合成法(或者叫自蔓延法、爆炸法),该生产工艺生产的粉体缺陷有:粒径大,比表面积小,α率低。使用自蔓延法粉体制成的氮化硅陶瓷制品,在导热性、强度等关键指标上弱于其他方法。
发明内容
为解决上述问题,本发明提出了一种基于流态化技术利用硅粉直接氮化制备氮化硅粉体的工艺方法、工艺设备,制成的氮化硅粉体粒径大、α率低。
本发明的技术方案:
一种基于流态化技术利用硅粉直接氮化制备氮化硅粉体的工艺方法,所述方法:在常温下,以氮气为载体,将硅粉快速流化,硅粉和氮气组成的气-固两相流;硅粉和氮气组成的气-固两相流先预热至800K,再在高温1723K、常压下发生燃烧合成反应,反应时间≥7min,冷却并收集反应合成产物,即氮化硅粉体。
所述氮气为为99.9999%高纯氮气。
所述硅粉包含Si 99%、Fe 0.5%,其粒径为20μm。
一种基于流态化技术利用硅粉直接氮化制备氮化硅粉体的工艺设备,所述设备由氮气进气控制阀、气体流量计、硅粉供料装置(流化床)、预加热器、高温悬浮床、热电偶和温控装置、内部芯管、加热装置、冷却装置、收集装置连接构成。
高温悬浮床又称高温氮化炉,采用立式结构,利用缠绕在内心管外表面的电阻丝(或辅助以LPG富氧燃烧)加热,炉体长度10m,其高温区内径为230mm,长度8.0m;硅粉和氮气组成的气-固两相流以稀相气力输送的方式连续穿过高温悬浮床。
本发明优点是,设计合理,构思巧妙,设计形成气-固两相流,这样,有利于把控氮气与硅粉的反应温度、反应时间,制成的氮化硅粉体粒径小,平均直径0.3~1.0um,减少了二次研磨的工作量,减小了杂质的引入;α率高达93%,产品烧结性好。
附图说明
图1是基于流态化技术利用硅粉直接氮化制备氮化硅粉体的工艺设备连接示意图。
图中 氮气进气控制阀1、气体流量计2、硅粉供料装置3、预加热器4、高温悬浮床5、热电偶和温控装置6、内部芯管7、加热装置8、冷却装置9、收集装置10。
具体实施方式
一种基于流态化技术利用硅粉直接氮化制备氮化硅粉体的工艺方法,所述方法:在常温下,以氮气为载体,将硅粉快速流化,硅粉和氮气组成的气-固两相流;硅粉和氮气组成的气-固两相流先预热至800K,再在高温1723K、常压下发生燃烧合成反应,反应时间≥7min,冷却并收集反应合成产物,即氮化硅粉体;
所述氮气为为99.9999%高纯氮气;
所述硅粉包含Si 99%、Fe 0.5%,其粒径为20μm。
如图所示,一种基于流态化技术利用硅粉直接氮化制备氮化硅粉体的工艺设备,所述设备由氮气进气控制阀1、气体流量计2、硅粉供料装置3、预加热器4、高温悬浮床5、热电偶和温控装置6、内部芯管7、加热装置8、冷却装置9、收集装置10连接构成。
以上仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种基于流态化技术利用硅粉直接氮化制备氮化硅粉体的工艺方法,其特征在于,所述方法:在常温下,以氮气为载体,将硅粉快速流化,硅粉和氮气组成的气-固两相流;硅粉和氮气组成的气-固两相流先预热至800K,再在高温1723K、常压下发生燃烧合成反应,反应时间≥7min,冷却并收集反应合成产物,即氮化硅粉体。
2.根据权利要求1所述的一种基于流态化技术利用硅粉直接氮化制备氮化硅粉体的工艺方法,其特征在于,所述氮气为为99.9999%高纯氮气。
3.根据权利要求1所述的一种基于流态化技术利用硅粉直接氮化制备氮化硅粉体的工艺方法,其特征在于,所述硅粉包含Si 99%、Fe 0.5%,其粒径为20μm。
4.一种基于流态化技术利用硅粉直接氮化制备氮化硅粉体的工艺设备,其特征在于,所述设备由氮气进气控制阀、气体流量计、硅粉供料装置、预加热器、高温悬浮床、热电偶和温控装置、内部芯管、加热装置、冷却装置、收集装置连接构成。
CN202211716973.6A 2022-12-30 2022-12-30 一种基于流态化技术利用硅粉直接氮化制备氮化硅粉体的工艺方法、工艺设备 Pending CN116253298A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211716973.6A CN116253298A (zh) 2022-12-30 2022-12-30 一种基于流态化技术利用硅粉直接氮化制备氮化硅粉体的工艺方法、工艺设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211716973.6A CN116253298A (zh) 2022-12-30 2022-12-30 一种基于流态化技术利用硅粉直接氮化制备氮化硅粉体的工艺方法、工艺设备

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116253298A true CN116253298A (zh) 2023-06-13

Family

ID=86685488

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211716973.6A Pending CN116253298A (zh) 2022-12-30 2022-12-30 一种基于流态化技术利用硅粉直接氮化制备氮化硅粉体的工艺方法、工艺设备

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN116253298A (zh)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1792774A (zh) * 2005-12-07 2006-06-28 北京科技大学 利用流化床技术常压连续合成氮化硅粉末的方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1792774A (zh) * 2005-12-07 2006-06-28 北京科技大学 利用流化床技术常压连续合成氮化硅粉末的方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109467063B (zh) 生产氮化硅的流化床反应器及其装置系统和方法
CN100369811C (zh) 一种多晶硅生产过程中的副产物的综合利用方法
CN1974379B (zh) 流化床直接制取氮化硅的装置及其方法
CN107759238B (zh) 氮化硅结合碳化硅耐火制品的氮化烧成方法
CN104803386B (zh) 用于制备高纯度多晶硅颗粒的流化床提升管反应器及方法
CN108529576B (zh) 氮化硅及其制备方法
CN103214264B (zh) 一种氮化硅纳米线增强氮化硅多孔陶瓷的方法
CN103072961A (zh) 纳米氮化铝粉的生产方法
CN205933254U (zh) 流化床反应器
Yin et al. Kinetic study on the direct nitridation of silicon powders diluted with α-Si 3 N 4 at normal pressure
CN102060538B (zh) 利用高温旋转炉合成氮化硅粉末的方法
CN115093233A (zh) 一种适合于工业化宏量生产的高纯超细过渡金属碳氮化物高熵陶瓷粉体的制备方法
CN116253298A (zh) 一种基于流态化技术利用硅粉直接氮化制备氮化硅粉体的工艺方法、工艺设备
CN108455623A (zh) 一种超细过渡金属硼化物粉体及其制备方法和应用
CN107164803A (zh) 一种简单控制相变制备β‑氮化硅晶须的方法
WO2024148759A1 (zh) 一种用于生产电子级多晶硅的涂层流化床反应器
CN103072960B (zh) 纳米氮化硅粉的生产方法
CN207209962U (zh) 生产氮化硅的流化床反应器及其装置系统
CN208747636U (zh) 一种快速生产碳氮化钛、氮化粉的装置
CN217962471U (zh) 一种流态化制备亚微米级氮化铝粉的装置
CN101549394B (zh) 一种温度控制方法
CN106187203B (zh) 一种基于碳化铝制备氮化铝粉体的方法及其产品
CN115072677A (zh) 一种高质量氮化硅粉体合成方法
CN102392149B (zh) 一种微波烧结制备纳米稀土改性钢结硬质合金的方法
CN109319750A (zh) 一种微波加热制备α-氮化硅纳米带的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination