CN116247137A - 全彩Micro LED芯片制备方法及全彩Micro LED芯片 - Google Patents
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Abstract
本公开涉及LED技术领域，尤其涉及一种全彩Micro LED芯片制备方法及全彩Micro LED芯片，首先提供CMOS晶圆，然后提供红光晶圆与CMOS晶圆键合，去除红光晶圆的第二衬底，以使红光发光单元转移到CMOS晶圆上，绿光晶圆和蓝光晶圆的设置过程同上。通过上述过程，本公开中的全彩Micro LED芯片制备方法可以通过三次转移分别将红光、绿光和蓝光发光单元分别键合到CMOS晶圆上，得到全彩化的Micro LED晶圆，从而能够克服巨量转移技术和量子点色转换技术的种种缺陷，实现低成本批量生产，而且可以保证较高的良率。
Description
技术领域
本公开涉及LED技术领域，尤其涉及一种全彩Micro LED芯片制备方法及全彩Micro LED芯片。
背景技术
微发光二极体(Micro-lightemittingdiodes，MicroLED)是一种发射显示技术，能提供高对比度、高刷新速度以及宽视角。此外，Micro LED还能提供更宽的色域和更高的亮度，且具有能耗低、寿命长、耐久性以及环境稳定性等特点。此外，Micro LED还支持传感器和电路的集成，实现嵌入传感功能的超薄显示，如指纹识别和手势控制等。
目前Micro LED需要实现全彩化，但是现在并无可靠的全彩化技术，巨量转移技术和量子点色转换技术可以称为当前发展较快的全彩化技术，然而巨量转移技术和量子点色转换技术均有各自的缺陷：1、巨量转移技术就是要将发光单元独立，而Micro LED单颗发光单元只有2-20um，一个芯片上有几十万到几百万颗发光单元，一片晶圆上有几亿-几十亿颗发光单元，如果全部切割下来，时间很长，且切割道最小仅可以做到25-35um，切割时很容易伤到发光单元，使良率降低；2、量子点色转换技术是在发光像素上加上了量子点，但是色转换技术的发光效率较低。
发明内容
为了解决上述技术问题，本公开提供了一种全彩Micro LED芯片制备方法及全彩Micro LED芯片。
本公开提供了一种全彩Micro LED芯片制备方法，包括以下步骤：
S1：提供CMOS晶圆，所述CMOS晶圆包括第一衬底和第一键合层；
S2：提供红光晶圆，所述红光晶圆包括第二衬底和阵列于所述第二衬底表面的多个红光发光单元，所述红光发光单元包括红光外延层和第二键合层；
S3：将所述第一键合层和所述第二键合层键合，去除所述第二衬底；
S4：提供绿光晶圆，所述绿光晶圆包括第三衬底和阵列于所述第三衬底表面的多个绿光发光单元，所述绿光发光单元包括绿光外延层和第三键合层；
S5：将所述第一键合层和所述第三键合层键合，并且去除所述第三衬底之后，所述绿光发光单元与所述红光发光单元紧密排列；
S6：提供蓝光晶圆，所述蓝光晶圆包括第四衬底和阵列于所述第四衬底表面的多个蓝光发光单元，所述蓝光发光单元包括蓝光外延层和第四键合层；
S7：将所述第一键合层和所述第四键合层键合，并且去除所述第四衬底之后，所述蓝光发光单元分别与所述绿光发光单元和所述红光发光单元紧密排列。
可选地，使用CMP技术或激光剥离技术分别从所述红光晶圆上去除所述第二衬底、所述绿光晶圆上去除所述第三衬底和所述蓝光晶圆上去除所述第四衬底。
可选地，在红光晶圆中，相邻的每行所述红光发光单元紧密排列，相邻的每列所述红光发光单元间隔设置，所述间隔为两个所述红光发光单元的宽度。
可选地，在绿光晶圆中，相邻的每行所述绿光发光单元紧密排列，相邻的每列所述绿光发光单元间隔设置，所述间隔为两个所述绿光发光单元的宽度。
可选地，在蓝光晶圆中，相邻的每行所述蓝光发光单元紧密排列，相邻的每列所述蓝光发光单元间隔设置，所述间隔为两个所述蓝光发光单元的宽度。
可选地，所述第一键合层包括Cu层和SiO2层 ，所述第一键合层的形成方法，包括：
在所述第一衬底上形成SiO2层，在所述SiO2层的多个位置刻蚀至所述第一衬底形成多个孔洞，所述孔洞中形成Cu层，所述SiO2层和所述Cu层的表面齐平。
可选地，所述第二键合层包括Cu层和SiO2 层，所述第二键合层的形成方法，包括：
在所述红光外延层表面形成SiO2层，在每个SiO2层的中心刻蚀至红光外延层形成孔洞，所述孔洞中形成Cu层，所述SiO2层和所述Cu层的表面齐平。
可选地，所述第三键合层包括Cu层和SiO2 层，所述第三键合层的形成方法包括：
在所述绿光外延层表面形成SiO2层，在每个SiO2层的中心刻蚀至绿光外延层形成孔洞，所述孔洞中形成Cu层，所述SiO2层和所述Cu层的表面齐平。
可选地，所述第四键合层包括Cu层和SiO2 层，所述第四键合层的形成方法包括：
在所述蓝光外延层表面形成SiO2层，在每个SiO2层的中心刻蚀至蓝光外延层形成孔洞，所述孔洞中形成Cu层，所述SiO2层和所述Cu层的表面齐平。
可选地，所述第一键合层与所述第二键合层、所述第三键合层或所述第四键合层均通过Bonding技术键合。
本公开还提供了一种全彩Micro LED芯片，使用上述的全彩Micro LED芯片制备方法制备。
本公开实施例提供的技术方案与现有技术相比具有如下优点：
本公开提供了一种全彩Micro LED芯片制备方法，首先提供CMOS晶圆，然后提供红光晶圆与CMOS晶圆键合，去除红光晶圆的第二衬底，以使红光发光单元转移到CMOS晶圆上，绿光晶圆和蓝光晶圆的设置过程同上。通过上述过程，本公开中的全彩Micro LED芯片制备方法可以通过三次转移分别将红光、绿光和蓝光发光单元分别键合到CMOS晶圆上，得到全彩化的Micro LED晶圆，从而能够克服巨量转移技术和量子点色转换技术的种种缺陷，实现低成本批量生产，而且可以保证较高的良率。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。
为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本公开实施例所述红色晶圆整体结构图；
图2为图1中A处放大图；
图3为图2的侧视图；
图4为图3中B处放大图；
图5为本公开实施例所述绿色晶圆放大图；
图6为图5的侧视图；
图7为本公开实施例所述蓝色晶圆放大图；
图8为图7的侧视图；
图9为本公开实施例所述CMOS晶圆与红光晶圆键合示意图；
图10为图9中C处放大图；
图11为本公开实施例所述CMOS晶圆与红光晶圆键合后去除第二衬底示意图；
图12为本公开实施例所述CMOS晶圆与绿光晶圆键合示意图；
图13为本公开实施例所述CMOS晶圆与绿光晶圆键合后去除第三衬底示意图；
图14为本公开实施例所述CMOS晶圆与蓝光晶圆键合示意图；
图15为本公开实施例所述一种全彩Micro LED芯片示意图；
图16为本公开实施例所述另一种全彩Micro LED芯片示意图。
其中，1、CMOS晶圆；11、第一衬底；12、第一键合层；2、红光晶圆；21、第二衬底；22、红光发光单元；221、红光外延层；222、第二键合层；3、绿光晶圆；31、第三衬底；32、绿光发光单元；4、蓝光晶圆；41、第四衬底；42、蓝光发光单元。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本公开的上述目的、特征和优点，下面将对本公开的方案进行进一步描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本公开，但本公开还可以采用其他不同于在此描述的方式来实施；显然，说明书中的实施例只是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。
本公开提供了一种全彩Micro LED芯片制备方法，包括以下步骤：
S1：提供CMOS晶圆1，CMOS晶圆1包括第一衬底11和第一键合层12；
其中，CMOS晶圆1是通过在硅晶片上加工感光集成电路而形成的光感芯片器件，第一键合层12形成于第一衬底11上，第一键合层12用于与其余晶圆进行键合。
S2：提供红光晶圆2，红光晶圆2包括第二衬底21和阵列于第二衬底21表面的多个红光发光单元22，红光发光单元22包括红光外延层221和第二键合层222；
如图1至图4所示，红光晶圆2包括多个阵列于第二衬底21表面的红光发光单元22，本实施例中，需要将红光发光单元22结合到第一键合层12上，以将红光发光单元22和CMOS晶圆1结合。
S3：将第一键合层12和第二键合层222键合，去除第二衬底21；
在上述过程中，如图9至图11所示，首先将红光发光单元22与CMOS晶圆1键合，然后将红光发光单元22和第二衬底21剥离，去除第二衬底21，以在CMOS晶圆1上结合红光发光单元22。
S4：提供绿光晶圆3，绿光晶圆3包括第三衬底31和阵列于第三衬底31表面的多个绿光发光单元32，绿光发光单元32包括绿光外延层和第三键合层；
如图5和图6所示，绿光晶圆3包括多个阵列于第三衬底31表面的绿光发光单元32，本实施例中，需要将绿光发光单元32结合到第一键合层12上，以将红光发光单元22和CMOS晶圆1结合。
S5：将第一键合层12和第三键合层键合，并且去除第三衬底31之后，绿光发光单元32与红光发光单元22紧密排列；
在上述过程中，如图12和图13所示，首先将绿光发光单元32与CMOS晶圆1键合，然后将绿光发光单元32和第三衬底31剥离，去除第三衬底31，以在CMOS晶圆1上结合绿光发光单元32，此时，绿光发光单元32和红光发光单元22紧密排列，即绿光发光单元32与左侧的红光发光单元22紧密贴合设置，绿光发光单元32与右侧的红光发光单元22间隔设置。
S6：提供蓝光晶圆4，蓝光晶圆4包括第四衬底41和阵列于第四衬底41表面的多个蓝光发光单元42，蓝光发光单元42包括蓝光外延层和第四键合层；
如图7和图8所示，蓝光晶圆4包括多个阵列于第四衬底41表面的蓝光发光单元42，本实施例中，需要将蓝光发光单元42结合到第一键合层12上，以将蓝光发光单元42和CMOS晶圆1结合。
S7：将第一键合层12和第四键合层键合，并且去除第四衬底41之后，蓝光发光单元42分别与绿光发光单元32和红光发光单元22紧密排列，红光发光单元22、绿光发光单元32和蓝光发光单元42的宽度相同，红光发光单元22的高度小于等于绿光发光单元32的高度，绿光发光单元32的高度小于等于蓝光发光单元42的高度。
在上述过程中，如图14和图15所示，首先将蓝光发光单元42与CMOS晶圆1键合，然后将蓝光发光单元42和第四衬底41剥离，去除第四衬底41，以在CMOS晶圆1上结合蓝光发光单元42，此时，红光发光单元22、绿光发光单元32和蓝光发光单元42均紧密排列，即蓝光发光单元42与左侧的绿光发光单元32和右侧的红光单元均紧密贴合设置。
如图16所示，图16为红光发光单元22的高度小于绿光发光单元32的高度，绿光发光单元32的高度小于蓝光发光单元42的高度情况下全彩Micro LED芯片示意图，在上述情况下，三种发光单元的转移步骤仍然如图1至图14所示。而各个发光单元高度范围的限定，是为了便于各个发光单元与CMOS晶圆1的键合，防止转移在先的发光单元影响转移在后的发光单元。
需要说明的是，第一衬底11、第二衬底21、第三衬底31和第四衬底41为蓝宝石衬底或硅衬底。
通过上述过程，本实施例中的全彩Micro LED芯片制备方法可以通过三次转移分别将红光、绿光和蓝光发光单元42分别键合到CMOS晶圆1上，得到全彩化的Micro LED晶圆，再通过后续处理得到全彩Micro LED芯片，从而能够克服巨量转移技术和量子点色转换技术的种种缺陷，实现低成本批量生产，而且可以保证较高的良率。
在本实施例中，使用CMP技术或激光剥离技术分别从红光晶圆2上去除第二衬底21、绿光晶圆3上去除第三衬底31和蓝光晶圆4上去除第四衬底41。CMP技术即化学机械抛光，是指在晶圆制造过程中，使用化学及机械力对晶圆进行平坦化处理的过程。激光剥离技术是利用激光能量分解GaN/蓝宝石接口处的GaN缓冲层，从而实现外延层从蓝宝石衬底分离。本实施例通过三次CMP技术或三次激光剥离技术的实施，可以在分别将红光发光单元22、绿光发光单元32和蓝光发光单元42与CMOS晶圆1键合之后，将第二衬底21、第三衬底31和第四衬底41分别从红光发光单元22、绿光发光单元32和蓝光发光单元42上去除。需要说明的是，激光剥离技术是使用紫外激光器对衬底进行剥离。
进一步地，在红光晶圆2中，相邻的每行红光发光单元22紧密排列，相邻的每列红光发光单元22间隔设置，间隔为两个红光发光单元22的宽度。由于在全彩Micro LED芯片中，红光发光单元22、绿光发光单元32和蓝光发光单元42按列交错排布，每相邻的两列红光发光单元22之间均设置有绿光发光单元32和蓝光发光单元42，因而，需要在相邻的两列红光发光单元22之间预留两个发光单元的宽度，以形成绿光发光单元32和蓝光发光单元42的预留空间，其中，红光发光单元22、绿光发光单元32和蓝光发光单元42的宽度均相同。
更进一步地，在红光发光单元22的形成过程中，首先需要在第二衬底21上生长红光外延层221，此时，红光外延层221满布在整个第二衬底21上，然后在红光外延层221上生长第二键合层222，然后通过刻蚀形成绿光发光单元32和蓝光发光单元42的预留空间。当然，本实施例中的红光发光单元22的形成过程还可以存在第二种方式，首先在红光外延层221上通过刻蚀形成绿光发光单元32和蓝光发光单元42的预留空间，然后再在红光外延层221上生长第二键合层222。
在本实施例中，在绿光晶圆3中，相邻的每行绿光发光单元32紧密排列，相邻的每列绿光发光单元32间隔设置，间隔为两个绿光发光单元32的宽度。同上所述，由于在全彩Micro LED芯片中，红光发光单元22、绿光发光单元32和蓝光发光单元42按列交错排布，每相邻的两列绿光发光单元32之间均设置有红光发光单元22和蓝光发光单元42，因而，需要在相邻的两列绿光发光单元32之间预留两个发光单元的宽度，以形成红光发光单元22和蓝光发光单元42的预留空间。
同上所述，在绿光发光单元32的形成过程中，首先需要在第三衬底31上生长绿光外延层，此时，绿光外延层满布在整个第三衬底31上，然后在绿光外延层上生长第三键合层，然后通过刻蚀形成红光发光单元22和蓝光发光单元42的预留空间。当然，本实施例中的绿光发光单元32的形成过程也可以存在第二种方式，首先在绿光外延层上通过刻蚀形成红光发光单元22和蓝光发光单元42的预留空间，然后再在绿光外延层上生长第三键合层。
在本实施例中，在蓝光晶圆4中，相邻的每行蓝光发光单元42紧密排列，相邻的每列蓝光发光单元42间隔设置，间隔为两个蓝光发光单元42的宽度。同上所述，由于在全彩Micro LED芯片中，红光发光单元22、绿光发光单元32和蓝光发光单元42按列交错排布，每相邻的两列蓝光发光单元42之间均设置有红光发光单元22和绿光发光单元32，因而，需要在相邻的两列蓝光发光单元42之间预留两个发光单元的宽度，以形成红光发光单元22和绿光发光单元32的预留空间。
更进一步地，在蓝光发光单元42的形成过程中，首先需要在第四衬底41上生长蓝光外延层，此时，蓝光外延层满布在整个第四衬底41上，然后在蓝光外延层上生长第四键合层，然后通过刻蚀形成红光发光单元22和绿光发光单元32的预留空间。当然，本实施例中的蓝光发光单元42的形成过程也可以存在第二种方式，首先在蓝光外延层上通过刻蚀形成红光发光单元22和绿光发光单元32的预留空间，然后再在蓝光外延层上生长第四键合层。
具体到第一键合层12，第一键合层12包括Cu层和SiO2层 ，第一键合层12的形成方法，包括：
在第一衬底11上形成SiO2层，在SiO2层的多个位置刻蚀至第一衬底11形成多个孔洞，孔洞中形成Cu层，SiO2层和Cu层的表面齐平。
在本实施例中，首先需要在第一衬底11上形成SiO2层，然后在CMOS晶圆1上需要与红光发光单元22、绿光发光单元32、蓝光发光单元42进行键合的位置进行刻蚀，贯穿SiO2层至第一衬底11形成多个孔洞，然后在这多个形成的孔洞中生长Cu层，再通过光刻及湿刻技术将每个孔洞中的Cu层刻蚀成柱状，并刻蚀至Cu层与SiO2层的表面齐平。
在本实施例中，第二键合层222包括Cu层和SiO2 层，第二键合层222的形成方法，包括：
在红光外延层221表面形成SiO2层，在每个SiO2层的中心刻蚀至红光外延层221形成孔洞，孔洞中形成Cu层，SiO2层和Cu层的表面齐平。
首先需要在红光外延层221上形成SiO2层，然后在需要与CMOS晶圆1进行键合的位置进行刻蚀，贯穿SiO2层至红光外延层221形成多个孔洞，然后在这多个形成的孔洞中生长Cu层，再通过光刻及湿刻技术将每个孔洞中的Cu层刻蚀成柱状，并刻蚀至Cu层与SiO2层的表面齐平。
在本实施例中，第三键合层包括Cu层和SiO2 层，第三键合层的形成方法包括：
在绿光外延层表面形成SiO2层，在每个SiO2层的中心刻蚀至绿光外延层形成孔洞，孔洞中形成Cu层，SiO2层和Cu层的表面齐平。
同上所述，首先需要在绿光外延层上形成SiO2层，然后在需要与CMOS晶圆1进行键合的位置进行刻蚀，贯穿SiO2层至绿光外延层形成多个孔洞，然后在这多个形成的孔洞中生长Cu层，再通过光刻及湿刻技术将每个孔洞中的Cu层刻蚀成柱状，并刻蚀至Cu层与SiO2层的表面齐平。
在本实施例中，第四键合层包括Cu层和SiO2 层，第四键合层的形成方法包括：
在蓝光外延层表面形成SiO2层，在每个SiO2层的中心刻蚀至蓝光外延层形成孔洞，孔洞中形成Cu层，SiO2层和Cu层的表面齐平。
同上所述，首先需要在蓝光外延层上形成SiO2层，然后在需要与CMOS晶圆1进行键合的位置进行刻蚀，贯穿SiO2层至蓝光外延层形成多个孔洞，然后在这多个形成的孔洞中生长Cu层，再通过光刻及湿刻技术将每个孔洞中的Cu层刻蚀成柱状，并刻蚀至Cu层与SiO2层的表面齐平。
在本实施例中，第一键合层12与第二键合层222、第三键合层或第四键合层均通过Bonding技术键合。
以红光晶圆2和CMOS晶圆1的键合过程举例，将红光晶圆2和CMOS晶圆1进行Bonding，Bonding界面为Cu和SiO2，在退火之后，红光晶圆2的Cu层和CMOS晶圆1的Cu层互联，红光晶圆2的SiO2层和CMOS晶圆1的SiO2层互联。绿光晶圆3和蓝光晶圆4与CMOS晶圆1的键合过程如上所述。
本公开还提供了一种全彩Micro LED芯片，使用上述的全彩Micro LED芯片制备方法制备。
需要说明的是，在本文中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上所述仅是本公开的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本公开。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本公开的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本公开将不会被限制于本文所述的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (11)
1. 一种全彩Micro LED芯片制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：提供CMOS晶圆（1），所述CMOS晶圆（1）包括第一衬底（11）和第一键合层（12）；
S2：提供红光晶圆（2），所述红光晶圆（2）包括第二衬底（21）和阵列于所述第二衬底（21）表面的多个红光发光单元（22），所述红光发光单元（22）包括红光外延层（221）和第二键合层（222）；
S3：将所述第一键合层（12）和所述第二键合层（222）键合，去除所述第二衬底（21）；
S4：提供绿光晶圆（3），所述绿光晶圆（3）包括第三衬底（31）和阵列于所述第三衬底（31）表面的多个绿光发光单元（32），所述绿光发光单元（32）包括绿光外延层和第三键合层；
S5：将所述第一键合层（12）和所述第三键合层键合，并且去除所述第三衬底（31）之后，所述绿光发光单元（32）与所述红光发光单元（22）紧密排列；
S6：提供蓝光晶圆（4），所述蓝光晶圆（4）包括第四衬底（41）和阵列于所述第四衬底（41）表面的多个蓝光发光单元（42），所述蓝光发光单元（42）包括蓝光外延层和第四键合层；
S7：将所述第一键合层（12）和所述第四键合层键合，并且去除所述第四衬底（41）之后，所述蓝光发光单元（42）分别与所述绿光发光单元（32）和所述红光发光单元（22）紧密排列，所述红光发光单元（22）、所述绿光发光单元（32）和所述蓝光发光单元（42）的宽度相同，所述红光发光单元（22）的高度小于等于所述绿光发光单元（32）的高度，所述绿光发光单元（32）的高度小于等于所述蓝光发光单元（42）的高度。
2. 根据权利要求1所述的全彩Micro LED芯片制备方法，其特征在于，使用CMP技术或激光剥离技术分别从所述红光晶圆（2）上去除所述第二衬底（21）、所述绿光晶圆（3）上去除所述第三衬底（31）和所述蓝光晶圆（4）上去除所述第四衬底（41）。
3. 根据权利要求1所述的全彩Micro LED芯片制备方法，其特征在于，在红光晶圆（2）中，相邻的每行所述红光发光单元（22）紧密排列，相邻的每列所述红光发光单元（22）间隔设置，所述间隔为两个所述红光发光单元（22）的宽度。
4. 根据权利要求1所述的全彩Micro LED芯片制备方法，其特征在于，在绿光晶圆（3）中，相邻的每行所述绿光发光单元（32）紧密排列，相邻的每列所述绿光发光单元（32）间隔设置，所述间隔为两个所述绿光发光单元（32）的宽度。
5. 根据权利要求1所述的全彩Micro LED芯片制备方法，其特征在于，在蓝光晶圆（4）中，相邻的每行所述蓝光发光单元（42）紧密排列，相邻的每列所述蓝光发光单元（42）间隔设置，所述间隔为两个所述蓝光发光单元（42）的宽度。
6. 根据权利要求1所述的全彩Micro LED芯片制备方法，其特征在于，所述第一键合层（12）包括Cu层和SiO2层 ，所述第一键合层（12）的形成方法，包括：
在所述第一衬底（11）上形成SiO2层，在所述SiO2层的多个位置刻蚀至所述第一衬底（11）形成多个孔洞，所述孔洞中形成Cu层，所述SiO2层和所述Cu层的表面齐平。
7. 根据权利要求1所述的全彩Micro LED芯片制备方法，其特征在于，所述第二键合层（222）包括Cu层和SiO2 层，所述第二键合层（222）的形成方法，包括：
在所述红光外延层（221）表面形成SiO2层，在每个SiO2层的中心刻蚀至红光外延层（221）形成孔洞，所述孔洞中形成Cu层，所述SiO2层和所述Cu层的表面齐平。
8. 根据权利要求1所述的全彩Micro LED芯片制备方法，其特征在于，所述第三键合层包括Cu层和SiO2 层，所述第三键合层的形成方法包括：
在所述绿光外延层表面形成SiO2层，在每个SiO2层的中心刻蚀至绿光外延层形成孔洞，所述孔洞中形成Cu层，所述SiO2层和所述Cu层的表面齐平。
9. 根据权利要求1所述的全彩Micro LED芯片制备方法，其特征在于，所述第四键合层包括Cu层和SiO2 层，所述第四键合层的形成方法包括：
在所述蓝光外延层表面形成SiO2层，在每个SiO2层的中心刻蚀至蓝光外延层形成孔洞，所述孔洞中形成Cu层，所述SiO2层和所述Cu层的表面齐平。
10. 根据权利要求1所述的全彩Micro LED芯片制备方法，其特征在于，所述第一键合层（12）与所述第二键合层（222）、所述第三键合层或所述第四键合层均通过Bonding技术键合。
11. 一种全彩Micro LED芯片，其特征在于，使用权利要求1至权利要求10任一项所述的全彩Micro LED芯片制备方法制备。
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