CN116243535A - 液晶移相器和液晶天线 - Google Patents
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 247
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 230
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 72
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 55
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 55
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 36
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 17
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 14
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 14
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 14
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 14
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 12
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 11
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- 239000005041 Mylar™ Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N alstonine Natural products C1=CC2=C3C=CC=CC3=NC2=C2N1C[C@H]1[C@H](C)OC=C(C(=O)OC)[C@H]1C2 WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000000306 component Substances 0.000 description 1
- 239000008358 core component Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000002372 labelling Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000382 optic material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q3/00—Arrangements for changing or varying the orientation or the shape of the directional pattern of the waves radiated from an antenna or antenna system
- H01Q3/26—Arrangements for changing or varying the orientation or the shape of the directional pattern of the waves radiated from an antenna or antenna system varying the relative phase or relative amplitude of energisation between two or more active radiating elements; varying the distribution of energy across a radiating aperture
- H01Q3/30—Arrangements for changing or varying the orientation or the shape of the directional pattern of the waves radiated from an antenna or antenna system varying the relative phase or relative amplitude of energisation between two or more active radiating elements; varying the distribution of energy across a radiating aperture varying the relative phase between the radiating elements of an array
- H01Q3/34—Arrangements for changing or varying the orientation or the shape of the directional pattern of the waves radiated from an antenna or antenna system varying the relative phase or relative amplitude of energisation between two or more active radiating elements; varying the distribution of energy across a radiating aperture varying the relative phase between the radiating elements of an array by electrical means
- H01Q3/36—Arrangements for changing or varying the orientation or the shape of the directional pattern of the waves radiated from an antenna or antenna system varying the relative phase or relative amplitude of energisation between two or more active radiating elements; varying the distribution of energy across a radiating aperture varying the relative phase between the radiating elements of an array by electrical means with variable phase-shifters
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/13306—Circuit arrangements or driving methods for the control of single liquid crystal cells
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/292—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection by controlled diffraction or phased-array beam steering
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q3/00—Arrangements for changing or varying the orientation or the shape of the directional pattern of the waves radiated from an antenna or antenna system
- H01Q3/44—Arrangements for changing or varying the orientation or the shape of the directional pattern of the waves radiated from an antenna or antenna system varying the electric or magnetic characteristics of reflecting, refracting, or diffracting devices associated with the radiating element
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种液晶移相器和液晶天线，液晶移相器包括：相对设置的第一基板和第二基板、以及位于第一基板和第二基板之间的液晶层；第二基板靠近第一基板的一侧包括第一导电层，第一导电层接固定电位；第一基板靠近第二基板的一侧包括第二导电层，第二导电层包括传输电极；第一基板包括第一区域，第一区域绑定有线路板；液晶移相器还包括射频连接器和驱动芯片，射频连接器和驱动芯片均位于第一区域，射频连接器和驱动芯片通过线路板传输信号。本发明在减小液晶移相器的边框、降低液晶盒内布线难度的同时，还能够液晶移相器的可拼接使用性。
Description
技术领域
本发明涉及无线通信技术领域，更具体地，涉及一种液晶移相器和液晶天线。
背景技术
液晶移相器是一种以液晶作为电光材料的可编程光学相控阵列。对液晶移相器的电极施加周期性电压时，由于液晶的电光特性电极区域的液晶会形成周期性的相位分布，相位的周期性分布对阵列中传输的光波进行相位调制，实现扫描、聚焦、分束、或校正相位缺陷的功能。
液晶天线是基于液晶移相器而制成的新型阵列化天线，广泛应用在卫星接收天线、车载雷达、基站天线等领域。其中，液晶移相器是液晶天线的核心部件，液晶移相器及接地层形成电场对液晶分子偏转进行控制，实现对于液晶等效介电常数的控制，进而实现对于电磁波相位的调节。液晶天线在卫星接收天线、车载雷达、5G基站天线等领域有着广泛的应用前景。
现有的液晶移相器需要通过射频连接器馈入射频信号，同时液晶需要低频交流驱动的偏置信号，液晶移相器阵列需要通过线路板给入液晶驱动信号，相关技术中通过在玻璃基板的两侧分别设置台阶，其中一个台阶用作绑定线路板，另一个台阶用作焊接或绑定射频连接器，这样会增加边框的面积，而且射频连接器台阶面积大、但玻璃基板射频连接器焊接机械强度不足。
因此，亟需提供一种能够减小边框面积液晶移相器和液晶天线。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种液晶移相器和液晶天线，用以减小边框面积。
一方面，本发明提供的一种液晶移相器，包括：相对设置的第一基板和第二基板、以及位于所述第一基板和所述第二基板之间的液晶层；
所述第二基板靠近所述第一基板的一侧包括第一导电层，所述第一导电层接固定电位；
所述第一基板靠近所述第二基板的一侧包括第二导电层，所述第二导电层包括传输电极；
所述第一基板包括第一区域，所述第一区域绑定有线路板；
所述液晶移相器还包括射频连接器和驱动芯片，所述射频连接器和所述驱动芯片均位于所述第一区域，所述射频连接器和所述驱动芯片通过所述线路板传输信号。
另一方面，本发明还提供了一种液晶天线，包括上述液晶移相器，还包括位于第二基板远离所述第一基板一侧的辐射体，所述第一导电层包括耦合口，所述辐射体在所述第一基板所在平面的正投影、所述耦合口在所述第一基板所在平面的正投影、所述传输电极在所述第一基板所在平面的正投影至少部分交叠。
与现有技术相比，本发明提供的液晶移相器和液晶天线，至少实现了如下的有益效果：
本发明的液晶移相器包括沿第二方向上相对的第一边缘和第二边缘、以及沿第一方向上相对的第三边缘和第四边缘，在第一区域绑定线路板，第一区域中的射频连接器和驱动芯片通过线路板传输信号，这样射频连接器和驱动芯片设在液晶移相器的同一侧，与相关技术将射频连接器和驱动芯片设置在液晶移相器的两侧来说，本发明能够减小液晶移相器中边框的面积。
当然，实施本发明的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1是相关技术的一种液晶移相器的平面结构示意图；
图2是相关技术中液晶移相器组的平面结构示意图；
图3是本发明提供的一种液晶移相器的平面结构示意图；
图4是图3中A-A’向的一种剖面图；
图5是本发明提供的又一种液晶移相器的平面结构示意图；
图6是本发明提供的一种液晶移相器组的平面结构示意图；
图7是本发明提供的一种液晶移相器的正面视图；
图8是本发明提供的一种液晶移相器的背面视图；
图9是图7中C-C’向的一种剖面图；
图10是本发明提供的又一种液晶移相器的平面结构示意图；
图11是图10中M区域的局部放大图；
图12是图11中D-D’向的一种剖面图；
图13是本发明提供的又一种液晶移相器的平面结构示意图；
图14是图13中N区域的局部放大图；
图15是图14中E-E’向的一种剖面图；
图16是本发明提供的又一种液晶移相器的平面结构示意图；
图17是图16中P区域的局部放大图；
图18是图3中B-B’向的一种剖面图；
图19是图7中F-F’向的一种剖面图；
图20是图3中B-B’向的又一种剖面图；
图21是图7中F-F’向的又一种剖面图；
图22是图3中A-A’向的又一种剖面图；
图23是图3中B-B’向的又一种剖面图；
图24是图7中C-C’向的一种剖面图；
图25是图7中F-F’向的又一种剖面图；
图26是本发明提供的又一种液晶移相器的平面结构示意图；
图27是图26中G-G’向的一种剖面图；
图28是图26中H-H’向的一种剖面图；
图29是本发明提供的又一种液晶移相器的正面视图；
图30是图29中I-I’向的一种剖面图；
图31是图29中J-J’向的一种剖面图；
图32是本发明提供的又一种液晶移相器的平面结构示意图；
图33是本发明提供的又一种液晶移相器的正面视图；
图34是本发明提供的又一种液晶移相器的背面视图；
图35是本发明提供的又一种液晶移相器的平面结构示意图；
图36是本发明提供的又一种液晶移相器的正面视图；
图37是本发明提供的又一种液晶移相器的背面视图；
图38是图36中K-K’向的一种剖面图；
图39是本发明提供的又一种液晶移相器的平面结构示意图；
图40是图39中Q区域的局部放大图；
图41是图40中L-L’向的一种剖面图；
图42是本发明提供的又一种液晶移相器的正面视图；
图43是图42中M-M’向的一种剖面图；
图44是本发明提供的一种线路板的平面结构示意图；
图45是图42中M-M’向的又一种剖面图；
图46是本发明提供的又一种线路板的平面结构示意图；
图47是图42中M-M’向的又一种剖面图；
图48是本发明提供的又一种线路板的平面结构示意图；
图49是图42中M-M’向的又一种剖面图；
图50是本发明提供的又一种线路板的平面结构示意图；
图51是本发明提供的又一种线路板的平面结构示意图；
图52是本发明提供的又一种线路板的平面结构示意图；
图53是本发明提供的又一种线路板的平面结构示意图；
图54是是本发明提供的又一种线路板的平面结构示意图；
图55是本发明提供的又一种液晶移相器的平面结构示意图；
图56是本发明提供的又一种液晶移相器的背面视图；
图57是本发明提供的一种液晶天线的平面结构示意图；
图58是图57中N-N’向的一种剖面图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
相关技术中液晶移相器存在边框面积大、液晶移相器仅能通过线阵的方式拼接、射频连接器台阶面积大、但基板射频连接器焊接机械强度不足、走线难度大的问题，发明人对相关技术进行了如下研究，参照图1和图2，图1是相关技术的一种液晶移相器的平面结构示意图，图2是相关技术中液晶移相器组的平面结构示意图，图1中液晶移相器010包括沿竖向方向F1相对的第一侧01和第二侧02，在第一侧01的第一边框03上绑定有射频连接器05，在第二侧02的第二边框04上绑定有线路板06，当然液晶移相器010还包括微带线07，图1仅为了清楚示意射频连接器05、线路板06和微带线07的位置关系，图1未示出液晶移相器010中的其它结构。如图1所示，液晶移相器010中需要在第一侧01预留第一边框03以设置射频连接器05，同时还需要在第二侧02预留第二边框04设置线路板06，所以液晶移相器010整体边框面积较大。另外参照图1，线路板06需要向微带线07传输偏置信号，射频连接器05向微带线07传输偏置信号，由于线路板06位于射频连接器05的相对侧，所以连接线路板06与微带线07的信号线跨线较远，增加了信号线的设计难度。参照图2，由于在第一侧01设置射频连接器05，第二侧02设置线路板06，所以多个液晶移相器010在拼接使用时，仅能在横向方向F2上线阵式拼接一排液晶移相器010形成液晶移相器组020，在竖向方向F1上则无法进行拼接，限制了使用。
有鉴于此，本发明提供了一种液晶移相器和液晶天线，用以改善上述问题，对于液晶移相器和液晶天线的具体实施例下文将详述。
参照图3、图4、图5和图6，图3是本发明提供的一种液晶移相器的平面结构示意图，图4是图3中A-A’向的一种剖面图，图5是本发明提供的又一种液晶移相器的平面结构示意图，图6是本发明提供的一种液晶移相器组的平面结构示意图。本实施例中一种液晶移相器100，包括：相对设置的第一基板1和第二基板2、以及位于第一基板1和第二基板2之间的液晶层3；第二基板2靠近第一基板1的一侧包括第一导电层5，第一导电层5接固定电位；第一基板1靠近第二基板2的一侧包括第二导电层6，第二导电层6包括传输电极7；第一基板1包括第一区域8，第一区域8绑定有线路板9；液晶移相器100还包括射频连接器10和驱动芯片11，射频连接器10和驱动芯片11均位于第一区域8，射频连接器10和驱动芯片11通过线路板9传输信号。
具体的，本实施例的液晶移相器100包括相对设置的第一基板1和第二基板2，以及位于第一基板1和第二基板2之间的液晶层3，液晶层3内包括液晶分子4，参照图4，图4中还示出了在第一基板1和第二基板2之间包括框胶13，使第一基板1和第二基板2之间形成密闭空间，以容纳第一基板1和第二基板2之间的液晶分子4。需要说明的是，本实施例的第一基板1、第二基板2以及液晶层3形成液晶盒，形成液晶盒的具体工艺本领域技术人员均可根据实际情况设置，此处不作限定。如在第一基板1上涂布框胶13，然后通过液晶注入技术进行液晶散布，最后根据第一基板1和第二基板2上的对位标记将两者进行对位贴合，固化框胶13使第一基板1和第二基板2稳定贴合，即可得到液晶盒。第一基板1和第二基板2的材料本领域技术人员也可根据实际情况设置，示例性地，第一基板1和第二基板2可以为玻璃、陶瓷中的任一种硬质材料，或者还可以为聚酰亚胺、氮化硅中的任一种柔性材料，由于上述材料不会吸收射频信号，即自身在微波频段插损小，因此有利于减小信号插损，可以大大降低射频信号在传输过程中的损耗，本实施例的图中未对第一基板1和第二基板2进行图案填充，此处不作限定。
本实施例中，第二基板2靠近第一基板1的一侧包括第一导电层5，第一导电层5可以整面制作，第一导电层5接固定电位，例如可以接地，第一基板1靠近第二基板2的一侧包括第二导电层6，第二导电层6包括传输电极7，可选的，传输电极7为微带线。本实施例对于第一导电层5和第二导电层6的材料不作具体限定，仅需满足能够导电即可，如铜等金属导电材料。
可以理解的是，对于第一基板1朝向第二基板2一侧的传输电极7的具体数量、分布情况以及材料，本领域技术人员均可根据实际情况设置，此处不作具体限定。本实施例的图中仅是示例性画出了一个传输电极7的布线结构，包括但不局限于此，还可以为其他布设结构，本实施例不作限定，例如传输电极7可以为蛇形(如图3所示)或者螺旋形(参照图5)或其他结构。
第一基板1包括第一区域8，在该第一区域8绑定线路板9，在第一区域8中还包括射频连接器10和驱动芯片11，射频连接器10通过线路板9向传输电极7传输射频信号，同时射频连接器10还通过线路板9向第一导电层5提供固定电位，驱动芯片11通过线路板9向传输电极7传输偏置信号，同时驱动芯片11通过线路板9向第一导电层5传输固定电位，传输电极7的偏置信号与第一导电层5的固定电位形成控制液晶层3液晶分子4偏转的电场，同时，射频信号在传输电极7和第一导电层5之间震荡传输，由于液晶分子4发生偏转，改变了液晶层3的介电常数，射频信号实现在液晶层3中的移相，达到改变微波相位的效果。
可以理解的是，本发明中的第一区域8可以为台阶区，本实施例示意图中仅示意出了第一区域8为台阶区的情况，图3中第一区域8在第二方向Y上的宽度仅为示意性说明，不作为实际产品的限定。
可选的，液晶移相器100具有一个输入端一个输出端，图3中示出了，传输电极7的一端与输入端(第一输入焊盘22)电连接，传输电极7的另一端与输出端(第四输出焊盘301)电连接。
本发明的液晶移相器100包括沿第二方向Y上相对的第一边缘14和第二边缘15、以及沿第一方向X上相对的第三边缘16和第四边缘17，在第一区域8(靠近第一边缘14的一侧)绑定线路板9，第一区域8中的射频连接器10和驱动芯片11通过线路板9传输信号，这样射频连接器10和驱动芯片11设在液晶移相器100的同一侧，与相关技术将射频连接器和驱动芯片设置在液晶移相器的两侧来说，本发明能够减小液晶移相器100中边框的面积；相关技术中，射频连接器和驱动芯片设置在液晶移相器的两侧，所以增加了驱动芯片与微带线连接的信号走线的布线难度，而本发明中由于驱动芯片11和射频连接器10均是通过线路板9与传输电极7电连接的，所以无需在液晶盒内布置走线，降低了液晶盒内布线的难度；另外参照图3和图6，由于仅在第一区域8中设置驱动芯片11和射频连接器10，所以第二边缘15、第三边缘16和第四边缘17均可进行拼接，在第一方向X上，一个液晶移相器100的第三边缘16和另一个液晶移相器100的第四边缘17可进行拼接，这样在第一方向X上实现线性拼接，在第二方向Y上，一个液晶移相器100的第二边缘15和另一个液晶移相器100的第一边缘14可进行拼接这样在第二方向Y上实现线性拼接，构成液晶移相器组200，或者在第二方向Y上，一个液晶移相器100的第二边缘15和另一个液晶移相器100的第二边缘15可进行拼接(图中未示出)，这样在第二方向Y上实现线性拼接，构成液晶移相器组200，提高了液晶移相器100的拼接实用性。
在一些可选的实施例中，参照图7、图8和图9，图7是本发明提供的一种液晶移相器的正面视图，图8是本发明提供的一种液晶移相器的背面视图，图9是图7中C-C’向的一种剖面图。本实施例中第一基板1还包括第一边缘14，线路板9沿着第一边缘14弯折至第一基板1远离第二基板2的一侧，射频连接器10和驱动芯片11位于第一基板1远离第二基板2的一侧。
本实施例中线路板9可以为柔性线路板9，柔性电路板可以聚酰亚胺或聚酯薄膜为基材制成，具有可挠性。当然还具有配线密度高、重量轻、厚度薄的特点。线路板9沿着第一边缘14弯折至第一基板1远离第二基板2的一侧，将射频连接器10和驱动芯片11位于第一基板1远离第二基板2的一侧，这样能够进一步减小液晶移相器100正面中边框的面积。
需要说明的是，本实施例中的第一区域8包括了绑定线路板9的台阶区，另外也包括在第一基板1远离第二基板2的部分区域。
液晶移相器100的正面(即第一基板1靠近第二基板2的一侧)仅需要预留一个台阶区绑定线路板9即可，将柔性线路板9弯折至第一基板1的背面，即弯折至第一基板1远离第二基板2的一侧，通过将驱动芯片11和射频连接器10设置在液晶移相器100的背面(第一基板1远离第二基板2的一侧)，由此实现了液晶移相器100的窄边框。
当然，本实施例驱动芯片11和射频连接器10设置在第一基板1远离第二基板2的一侧，通过线路板9与传输电极7电连接，无需在液晶盒内布置走线，降低了液晶盒内布线的难度；另外参照图7，由于驱动芯片11和射频连接器10设置在第一基板1远离第二基板2的一侧，所以第二边缘15、第三边缘16和第四边缘17均可进行拼接，在第一方向X上，一个液晶移相器100的第三边缘16和另一个液晶移相器100的第四边缘17可进行拼接，这样在第一方向X上实现线性拼接，在第二方向Y上，一个液晶移相器100的第二边缘15和另一个液晶移相器100的第一边缘14可进行拼接这样在第二方向Y上实现线性拼接，或者在第二方向Y上，一个液晶移相器100的第二边缘15和另一个液晶移相器100的第二边缘15可进行拼接这样在第二方向Y上实现线性拼接，提高液晶移相器100的拼接实用性。
在一些可选的实施例中，继续参照图3和图4，射频连接器10和驱动芯片11位于第一基板1靠近第二基板2的一侧。
本实施例中，将射频连接器10和驱动芯片11设置在第一基板1靠近第二基板2的一侧，这里将第一基板1的面积大于第二基板2的面积，也就是将第一基板1做大，在第一基板1的一侧预留出第一区域8，将射频连接器10和驱动芯片11设置在第一基板1靠近第二基板2的一侧。
本实施例同样能够解决相关技术中存在的问题，实现了液晶移相器100的窄边框，同时驱动芯片11和射频连接器10设置在第一基板1靠近第二基板2的一侧，通过线路板9与传输电极7电连接，无需在液晶盒内布置走线，降低了液晶盒内布线的难度，而且，在第一方向X和第二方向Y上均能够实现拼接，提高了液晶移相器100的拼接实用性。
在一些可选的实施例中，继续参照图3、图4、图7、图8和图9，线路板9包括第一端901和第二端902，线路板9的第一端901与第一区域8绑定，线路板9的第一端901包括第一输出焊盘20，第一输出焊盘20与第一区域8中的第一绑定焊盘21电连接，第一绑定焊盘21与传输电极7的一端电连接；线路板9的第二端902包括第一输入焊盘22，射频连接器10包括射频输入端101，第一输入焊盘22分别与射频连接器10的射频输入端101、驱动芯片11电连接。
线路板9的第一端901具有第一输出焊盘20，第一输出焊盘20与第一区域8中的第一绑定焊盘21电连接，第一绑定焊盘21与传输电极7的一端电连接，可选的，可以通过导电粒子电连接。在一些可选的实施例中，传输电极7可以与第一绑定焊盘21是同层同工艺金属制作。在一些可选的实施例中，传输电极7与第一绑定焊盘21为一体结构，若传输电极7与第一绑定焊盘21设置在不同膜层，那么会增加液晶移相器100的整体膜层厚度，传输电极7与第一绑定焊盘21为一体结构，则不会增加液晶移相器100的整体膜层厚度，而且也能够降低制作第一绑定焊盘21和传输电极7的工艺复杂程度。
需要说明的是，图3、图7和图8中未示出第一输入焊盘22和第一输出焊盘20之间的连接线，第一输入焊盘22和第一输出焊盘20是一一对应电连接的，用以传输电信号，对于第一输入焊盘22和第一输出焊盘20之间电连接的连接线下文将详述。
线路板9的第二端902具有第一输入焊盘22，第一输入焊盘22分别与射频连接器10的射频输入端101、以及驱动芯片11上的焊盘电连接，可选的，可以在第一基板1上设置金属走线，金属走线一端与第一输入焊盘22通过导电粒子电连接、另一端分别与射频连接器10的射频输入端101、以及驱动芯片11上的焊盘电连接。本发明中射频连接器10提供的射频信号、以及驱动焊盘提供的偏置信号同时通过第一输入焊盘22传输至传输电极7，由于射频信号的频率和偏置信号的频率不同，所以可以同时通过第一输出焊盘20传输至传输电极7，另外仅通过一个第一输入焊盘22即可传输射频信号和偏置信号，则无需分别设置两个焊盘用以将射频信号与传输电极7电连接、和将偏置信号与传输电极7电连接，降低了布线的难度。
在一些可选的实施例中，继续参照图3、图4、图5、图7、图8、图9，第一基板1包括第一连接线31和第二连接线32，第一连接线31和第二连接线32位于不同膜层，第一连接线31的一端与射频连接器10的射频输入端101电连接，第一连接线31的另一端与第一输入焊盘22电连接，第二连接线32的一端与驱动芯片11电连接，第二连接线32的另一端与第一连接线31电连接。
具体的，图4中在第一基板1靠近第二基板2的一侧包括第一连接线31和第二连接线32，图9中在第一基板1远离第二基板2的一侧包括第一连接线31和第二连接线32，沿垂直于第二基板2所在平面的方向上，在第一连接线31和第二连接线32之间包括绝缘层，图中未对绝缘层进行图案填充和标注，第一连接线31和第二连接线32分布在不同膜层，能够避免第一连接线31和第二连接线32设置在同层时的不必要的绕线、以及与其它信号线交叉串扰。图8中以不同的线条粗度以区分第一连接线31和第二连接线32，线条粗度不作为实际产品中的连接线粗细，仅作为第一连接线31和第二连接线32的区分而已。从图3、图5和图8中可以看出，第一连接线31的一端是与射频连接器10的射频输入端101电连接的，第一连接线31的另一端与第一输入焊盘22电连接，由此，射频连接器10的射频输入端101输出射频信号通过第一连接线31传输至第一输入焊盘22，由于第一输入焊盘22与第一绑定焊盘21电连接，第一绑定焊盘21与传输电极7电连接，所以射频信号经过第一连接线31传输至第一输入焊盘22、第一输出焊盘20、第一绑定焊盘21而达到传输电极7，射频信号在传输电极7、液晶层3和第一导电层5之间震荡传输，实现相位改变；同时第二连接线32的一端与驱动芯片11电连接，另一端与第一连接线31电连接，所以驱动芯片11提供的偏置信号经过第二连接线32传输至第一连接线31，再经过第一连接线31传输至第一输入焊盘22、第一输出焊盘20、第一绑定焊盘21而达到传输电极7，偏置信号与第一导电层5的固定电位形成控制液晶分子4偏转的电场，改变了液晶层3的介电常数。
可以理解的是，第一输入焊盘22与第一输出焊盘20之间是电连接，以确保第一输入焊盘22接收到射频信号和偏置信号后能够传输到第一输出焊盘20。
需要说明的是，第一连接线31与第一输入焊盘22为直接电连接，第一连接线31不仅传输射频信号，还传输偏置信号，偏置信号的频率一般较低，耦合连接可以传输射频信号但不能够传输偏置信号，所以本发明中第一连接线31与第一输入焊盘22之间为直接电连接。另外，耦合馈电会增加耦合损耗，第一连接线31与射频连接器10的射频输入端101电连接，减少了耦合功耗。
本实施例中第一连接线31的一端与射频连接器10的射频输入端101电连接，第一连接线31的另一端与第一输入焊盘22电连接，第二连接线32的一端与驱动芯片11电连接，另一端与第一连接线31电连接，由此实现同时通过线路板9的第一输入焊盘22来输入射频信号和偏置信号，减少了布线难度，另外第一连接线31与射频连接器10的射频输入端101电连接，避免了耦合馈电导致的耦合损耗。
在一些可选的实施例中，继续参照图4和图9，第二连接线32与第一连接线31通过过孔连接。
具体的，图4中第二连接线32位于第一基板1靠近第二基板2的一侧，第一连接线31位于第二连接线32远离第一基板1的一侧，在第一连接线31和第二连接线32之间包括绝缘层，第一连接线31与第二连接线32通过过孔连接；图9中，第二连接线32位于第一基板1远离第二基板2的一侧，第一连接线31位于第二连接线32远离第一基板1的一侧，在第一连接线31和第二连接线32之间包括绝缘层，第一连接线31与第二连接线32通过过孔连接。
第一连接线31和第二连接线32分布在不同膜层，能够避免第一连接线31和连接线设置在同层时的不必要的绕线、以及与其它信号线交叉串扰，本实施例中通过过孔能够实现第二连接线32与第一连接线31连接，减少绕线。
在一些可选的实施例中，参照图10、图11和图12，图10是本发明提供的又一种液晶移相器的平面结构示意图，图11是图10中M区域的局部放大图，图12是图11中D-D’向的一种剖面图，线路板9包括第三连接线40，第三连接线40的第一子线段401、第二子线段402和第三子线段403，第一子线段401包括第一输入焊盘22，第三子线段403包括第一输出焊盘20，第一子线段401输出端的阻抗为Z1，第二子线段402的阻抗为Z2，第三子线段403输入端的阻抗为Z3，其中，第三子线段403为1/4波长的传输线，
本实施例中仅以射频连接器10和驱动芯片11位于第一基板1靠近第二基板的一侧为例进行示意性说明，对于图7和图8中第三连接线40的走线情况可参照图10至图12，未附图示例，这里不再赘述。
可以理解的是，在垂直于第一基板1所在平面的方向上，第一子线段401中与第一连接线31相交叠且电连接的部分为第一输入焊盘22，第三子线段403中与第一绑定焊盘21相交叠且电连接的部分为第一输出焊盘20，当然，第一绑定焊盘21可以与第二导电层6的传输电极7同材料同工艺制作的，或者第一绑定焊盘21与第二导电层6的传输电极7为一体结构。
需要说明的是，一方面，第一输入焊盘22的材料阻抗较低，而第一输出焊盘20的材料阻抗较高，造成第一输入焊盘22和第一输出焊盘20由于材料不同而引起阻抗不匹配，另外一方面，如图10所示，为了实现线路板9的小巧化从而实现液晶移相器100的小巧化，所以第一输出焊盘20在第一方向X上的宽度要小于第一输入焊盘22在第一方向X上的宽度，所以若直接将第一子线段401与第二子线段402电连接会出现第一子线段401输出端的阻抗Z1与第三子线段403输入端的阻抗Z3不匹配的情况，本发明中的第一子线段401输出端是指第一子线段401靠近第三子线段403的一端，第三子线段403的输入端是指第三子线段403靠近第一子线段401的一端，若第一子线段401输出端的阻抗Z1与第三子线段403输入端的阻抗Z3不匹配，那么会产生回波损耗。为了实现第一子线段401和第三子线段403的阻抗匹配，即Z1＝Z3，本实施例在第一子线段401和第三子线段403之间设置增设第二子线段402(特性阻抗段)来进行阻抗匹配，阻抗匹配是指信号源或者传输线跟负载之间的一种合适的搭配方式。可选的，第二子线段402的材料与第一子线段401、以及与第三子线段403均不同，例如可以掺杂不同的物质改变阻抗。
第一子线段401的阻抗为Z1，第三子线段403的阻抗为Z3，根据阻抗公式可知，
其中j为虚数单位，j2＝-1，βl是射频信号的相位，由该阻抗公式可知阻抗的影响参数比较多，所以本发明中第二子线段402为1/4波长的传输线，那么
所以tanβl＝0，阻抗公式即为
由此
本发明中第二子线段402为1/4波长的传输线，通过调整
能够使得第一子线段401输出端的阻抗Z1与第三子线段403输入端的阻抗Z3匹配，以免产生回波损耗。
在一些可选的实施例中，继续参照图10至图12，第一子线段401包括铜、银、金、铜和银的组合物、或者铜和金的组合物；第三子线段403包括氧化铟锡、氮化硅和铜的叠层结构。
第一子线段401的阻抗要小于第三子线段403的阻抗，材料不同是原因之一，第一子线段401的材料包括铜，或者第一子线段401的材料包括或者银、或者金、或者铜和银的组合物、铜和金的组合物，铜、银、金都是阻抗比较小的材料，而第三子线段403是包括氧化铟锡、氮化硅和铜的叠层结构，这种叠层结构构成的第三子线段403的阻抗较高，若将第一子线段401和第三子线段403直接电连接，那么就会出现第一子线段401的输出端和第三子线段403的输入端阻抗不匹配的问题，造成回波损耗。由上可知，本发明在第一子线段401和第三子线段403之间增设了第二子线段402，第二子线段402为阻抗匹配段，第二子线段402为1/4波长的传输线，通过调整
能够使得第一子线段401输出端的阻抗Z1与第三子线段403输入端的阻抗Z3匹配，以免产生回波损耗。
在一些可选的实施例中，参照图13、图14和图15，图13是本发明提供的又一种液晶移相器的平面结构示意图，图14是图13中N区域的局部放大图，图15是图14中E-E’向的一种剖面图，第一方向X上，第一子线段401的宽度大于第二子线段402的宽度，且第二子线段402的宽度大于第三子线段403的宽度；第一方向X与第一子线段401的延伸方向相交；第二子线段402串联有负载结构404。
具体的，第一子线段401在第一方向X上的宽度、第二子线段402在第一方向X上的宽度、第三子线段403在第一方向X上的宽度依次减小，第二子线段402串联有负载结构404，可选的，第二子线段402包括两个分部，在两个分部之间串联一负载结构404，负载结构404可以与第二子线段402分布在不同的膜层，如图15中，负载结构404位于第二子线段402靠近第一基板1的一侧，在负载结构404与第二子线段402之间还包括绝缘层，图中未对绝缘层进行图案填充，负载结构404通过过孔的方式与第二子线段402的两个分部串联。
本实施例中负载结构404与第二子线段402的总阻抗为Z2，优选的，负载结构404同样为1/4波长的传输线，由此通过调整负载结构404与第二子线段402的总阻抗Z2，
能够使得第一子线段401输出端的阻抗Z1与第三子线段403输入端的阻抗Z3匹配，以免产生回波损耗。
在一些可选的实施例中，继续参照图15，负载结构404包括电阻4042和/或电容4041。
图15中以负载结构404包括电阻4042和电容4041为例进行示意性说明。可选的，负载结构404也可以仅包括电阻4042，或者负载结构404仅包括电容4041，未附图示例。
图15中，负载结构404位于第二子线段402靠近第一基板1的一侧，负载结构404分布在两个金属层，靠近第二子线段402的第一金属层和远离第二子线段402的第二金属层，在垂直于第一基板1所在平面的方向上，第一金属层和第二金属层交叠的部分构成电容4041，第一金属层与第二子线段402的两个分部通过过孔电连接，第一金属层没有与第二金属层交叠的部分为电阻4042，电容4041和电阻4042是串联的关系，当然本实施例中负载结构404仅为一种可能的实施例，这里不做具体限定，负载结构404与第二子线段402的总阻抗为Z2，负载结构404同样为1/4波长的传输线，由此通过调整负载结构404与第二子线段402的总阻抗Z2，
能够使得第一子线段401输出端的阻抗Z1与第三子线段403输入端的阻抗Z3匹配，以免产生回波损耗。
在一些可选的实施例中，参照图16和图17，图16是本发明提供的又一种液晶移相器的平面结构示意图，图17是图16中P区域的局部放大图，本实施例中第一方向X上，第一子线段401的宽度大于第二子线段402的宽度，且第二子线段402的宽度大于第三子线段403的宽度；第一方向X与第一子线段401的延伸方向相交；第二子线段402至少包括缓冲段4021和过渡段4022，沿第一方向X上，过渡段4022的宽度大于缓冲段4021的宽度。
具体的，第一子线段401在第一方向X上的宽度、第二子线段402在第一方向X上的宽度、第三子线段403在第一方向X上的宽度依次减小，图16中仅以过渡段4022的外边缘为弧形为例，当然过渡段4022的外边缘也可以为矩形，这里不做具体限定。
本实施例中过渡段4022可以位于缓冲段4021的中部，当然过渡段4022也可以位于与第一子线段401连接的端部，或者过渡段4022也可以位于与第三子线段403连接的端部，这里不做具体限定。
本实施例中，过渡段4022沿第一方向X上的宽度大于缓冲段4021沿第一方向X上宽度，由此调整第二子线段402的阻抗Z2，满足
能够使得第一子线段401输出端的阻抗Z1与第三子线段403输入端的阻抗Z3匹配，以免产生回波损耗。
在一些可选的实施例中，继续参照图3至图9，射频连接器10提供射频信号，驱动芯片11提供偏置信号，射频信号的频率大于偏置信号的频率。
具体的，射频连接器10提供的射频信号通常要远远大于驱动芯片11提供的偏置信号，射频信号和偏置信号频率不同，互不影响，所以可以同时通过柔性线路板9上的走线向传输电极7传输射频信号和偏置信号，达到简化液晶盒中布线的难度。
在一些可选的实施例中，参照图18和图19，图18是图3中B-B’向的一种剖面图，图19是图7中F-F’向的一种剖面图，再结合图3、图7和图8，射频连接器10还包括接地端102；线路板9的第二端902还包括第二输入焊盘23和第三输入焊盘24；接地端102与第二输入焊盘23电连接，驱动芯片11的接地信号输入至第三输入焊盘24；线路板9的第一端901还包括第二输出焊盘25，第二输入焊盘23和第三输入焊盘24均与第二输出焊盘25电连接，第二输出焊盘25与第一区域8中的第二绑定焊盘26电连接，第二绑定焊盘26与第一导电层5电连接。
具体的，第一导电层5需要接固定电位，其中射频连接器10和驱动芯片11均向第一导电层5提供固定电位。
在一些可选的实施例中，第二绑定焊盘26与传输电极7同层同材料设置，无需在第一基板1上额外设置金属层，利于液晶移相器100的轻薄化。
本实施例中，线路板9的第二端902包括第二输入焊盘23和第三输入焊盘24；射频连接器10的接地端102与第二输入焊盘23电连接，将射频接地信号传输至第二输入焊盘23，驱动芯片11的接地信号输入至第三输入焊盘24，将偏置接地信号传输至第三输入焊盘24，线路板9的第一端901还包括第二输出焊盘25，第二输入焊盘23和第三输入焊盘24均与第二输出焊盘25电连接，第二输出焊盘25与第一区域8中的第二绑定焊盘26电连接，第二绑定焊盘26与第一导电层5电连接，第二输出焊盘25接收到第二输入焊盘23和第三输入焊盘24输入的接地信号传输至第二绑定焊盘26，第二绑定焊盘26与第一导电层5电连接，从而将接地信号传输至第一导电层5，传输电极7的偏置信号与第一导电层5的固定电位形成控制液晶层3液晶分子4偏转的电场，射频信号在传输电极7和第一导电层5之间震荡传输，由于液晶分子4发生偏转，改变了液晶层3的介电常数，实现了在液晶层3中对射频信号的移相，达到改变微波相位的效果。
在一些可选的实施例中，继续参照图3、图7、图8、图18和图19，第一基板1的一侧还包括第四连接线33和第五连接线34，第四连接线33和第五连接线34位于不同膜层；第四连接线33的一端与驱动芯片11电连接，第四连接线33的另一端与第三输入焊盘24，第五连接线34的一端与射频连接器10的接地端102电连接，第五连接线34的另一端与第二输入焊盘23电连接。
可选的，射频连接器10的接地端102可以通过第五连接线34与第二输入焊盘23电连接，驱动芯片11可以通过第四连接线33与第三输入焊盘24电连接，第四连接线33和第五连接线34可以分布在不同的膜层，当然第四连接线33和第五连接线34可以采用同一种材料制作，第四连接线33和第五连接线34也可以采用不同的材料制作，这里不做具体限定，图18中示出了第四连接线33直接做在第一基板1靠近第二基板2的一侧，第五连接线34位于第四连接线33远离第一基板1的一侧，第四连接线33和第五连接线34之间具有绝缘层，图中未对绝缘层进行图案填充。图19中示出了第四连接线33做在了第一基板1远离第二基板2的一侧，第五连接线34位于第四连接线33远离第一基板1的一侧，第四连接线33和第五连接线34之间具有绝缘层。
本实施例中通过第四连接线33将驱动芯片11的接地信号传输至第三输入焊盘24，通过第五连接线34将射频连接器10的接地信号传输至第二输入焊盘23。
在一些可选的实施例中，参照图20和图21，图20是图3中B-B’向的又一种剖面图，图21是图7中F-F’向的又一种剖面图，第五连接线34与第四连接线33通过过孔连接。
具体的，第四连接线33和第五连接线34可以通过过孔电连接，由于第四连接线33和第五连接线34传输的均为接地信号，所以第四连接线33和第五连接线34电连接也不影响接地信号的传输。
在一些可选的实施例中，继续参照图18和图19，第一基板1和第二基板2之间还包括框胶13，框胶13内包括第一导电体50，第一导电体50一端与第一导电层5电连接，第一导电体50的另一端与第二绑定焊盘26电连接。
具体的，通过在框胶13内设置的第一导电体50，第一导电体50使第二绑定焊盘26与第一导电层5电连接，在垂直于第一基板1所在平面的方向上，第二绑定焊盘26与框胶13交叠，且框胶13内的第一导电体50分别与第二绑定焊盘26以及第一导电层5接触，由此实现接地信号从第二绑定焊盘26传输至第一导电层5。
在一些可选的实施例中，继续参照图18和图19，第一导电体50包括导电金球51。
具体的，在涂覆框胶13时，可在对应第二绑定焊盘26的位置掺杂一定量的导电金球51，待框胶13固化后，对应第二绑定焊盘26的位置由于具有导电金球51而具有导电性，从而实现接地信号从第二绑定焊盘26传输至第一导电层5。
在一些可选的实施例中，继续参照图4和图9，线路板9包括衬底60、位于衬底60一侧的走线层70；走线层70包括第三连接线40，第三连接线40的一端与第一输入焊盘22电连接，第三连接线40的另一端与第一输出焊盘20电连接。
具体的，图4和图9中仅以走线层70位于衬底60靠近第一基板1的一侧为例进行示意性说明，这里不做具体限定。
如上所述，第三连接线40包括第一输入焊盘22和第一输出焊盘20，第一输入焊盘22通过第一连接线31、以及第二连接线32分别与射频连接器10、驱动芯片11电连接，由此实现射频信号和偏置信号同时输入。
在一些可选的实施例中，继续参照图18、图19，以及结合图3至图9，射频连接器10还包括接地端102；线路板9的第二端902还包括第二输入焊盘23和第三输入焊盘24；接地端102与第二输入焊盘23电连接，驱动芯片11的接地信号输入至第三输入焊盘24；线路板9的第一端901还包括第二输出焊盘25，第二输入焊盘23和第三输入焊盘24均与第二输出焊盘25电连接，第二输出焊盘25与第一区域8中的第二绑定焊盘26电连接，第二绑定焊盘26与第一导电层5电连接；
线路板9还包括位于衬底60远离走线层70一侧的接地金属层80；
接地金属层80为整面结构，接地金属层80通过贯穿衬底60的过孔与第二输出焊盘25电连接。
具体的，线路板9的第二端902包括第二输入焊盘23和第三输入焊盘24；射频连接器10的接地端102与第二输入焊盘23电连接，将射频接地信号传输至第二输入焊盘23，驱动芯片11的接地信号输入至第三输入焊盘24，将偏置接地信号传输至第三输入焊盘24，线路板9的第一端901还包括第二输出焊盘25，第二输入焊盘23和第三输入焊盘24均与第二输出焊盘25电连接，第二输出焊盘25与第一区域8中的第二绑定焊盘26电连接，第二绑定焊盘26与第一导电层5电连接，第二输出焊盘25接收到第二输入焊盘23和第三输入焊盘24输入的接地信号传输至第二绑定焊盘26，第二绑定焊盘26与第一导电层5电连接，从而将接地信号传输至第一导电层5，传输电极7的偏置信号与第一导电层5的固定电位形成控制液晶层3液晶分子4偏转的电场，射频信号在传输电极7和第一导电层5之间震荡传输，由于液晶分子4发生偏转，改变了液晶层3的介电常数，实现了在液晶层3中对射频信号的移相，达到改变微波相位的效果。
图18和图19中未对衬底60进行图案填充。
本发明中线路板9包括衬底60、衬底60一侧的走线层70、以及位于衬底60远离走线层70一侧的接地金属层80，走线层70和接地金属层80分布在衬底60的两侧。
本发明中接地金属层80为整面结构，即在衬底60的一侧整面均设置接地金属层80，接地金属层80的面积更大，在输入接地信号时信号更稳定。
具体的，第二输入焊盘23和第二输出焊盘25、以及第三输入焊盘24均位于走线层70，接地金属层80通过贯穿衬底60的过孔与第二输出焊盘25电连接。驱动芯片11的接地信号通过第四连接线33传输至走线层70的第三输入焊盘24，第三输入焊盘24通过过孔与接地金属层80电连接，接地金属层80又与走线层70的第二输出焊盘25通过过孔电连接，因此接地信号通过了整面设置的接地金属层80，所以接地信号更稳定。同理射频连接器10的接地信号通过第五连接线34传输至走线层70的第二输入焊盘23，第二输入焊盘23通过过孔与接地金属层80电连接(图中未示出)，接地金属层80又与走线层70的第二输出焊盘25通过过孔电连接，因此接地信号通过了整面设置的接地金属层80，所以接地信号更稳定。
在一些可选的实施例中，参照图22、图23、图24和图25，图22是图3中A-A’向的又一种剖面图，图23是图3中B-B’向的又一种剖面图，图24是图7中C-C’向的一种剖面图，图25是图7中F-F’向的又一种剖面图。射频连接器10还包括接地端102；线路板9的第二端902还包括第二输入焊盘23和第三输入焊盘24；接地端102与第二输入焊盘23电连接，驱动芯片11的接地信号输入至第三输入焊盘24；线路板9的第一端901还包括第二输出焊盘25，第二输入焊盘23和第三输入焊盘24均与第二输出焊盘25电连接，第二输出焊盘25与第一区域8中的第二绑定焊盘26电连接，第二绑定焊盘26与第一导电层5电连接；
线路板9还包括位于衬底60靠近走线层70一侧的接地金属层80、位于接地金属层80靠近走线层70一侧的第一绝缘层90；接地金属层80为整面结构，接地金属层80通过过孔与第二输出焊盘25电连接。
具体的，本实施例的线路板9包括衬底60、位于衬底60一侧的接地金属层80、位于接地金属层80远离衬底60一侧的第一绝缘层90、位于第一绝缘层90远离衬底60一侧的走线层70，第一输入焊盘22、第二输入焊盘23、第三输入焊盘24以及第一输出焊盘20和第二输出焊盘25均位于走线层70。
具体的，第二输入焊盘23和第二输出焊盘25、以及第三输入焊盘24均位于走线层70，接地金属层80通过贯穿第一绝缘层90的过孔与第二输出焊盘25电连接。结合图3、图7和图8，驱动芯片11的接地信号通过第四连接线33传输至走线层70的第三输入焊盘24，第三输入焊盘24通过贯穿第一绝缘层90的过孔与接地金属层80电连接，接地金属层80又与走线层70的第二输出焊盘25通过贯穿第一绝缘层90的过孔电连接，因此接地信号通过了整面设置的接地金属层80，所以接地信号更稳定。同理射频连接器10的接地信号通过第五连接线34传输至走线层70的第二输入焊盘23，第二输入焊盘23通过贯穿第一绝缘层90的过孔与接地金属层80电连接(图中未示出)，接地金属层80又与走线层70的第二输出焊盘25通过贯穿第一绝缘层90的过孔电连接，因此接地信号通过了整面设置的接地金属层80，所以接地信号更稳定。
在一些可选的实施例中，参照图26、图27、图28、图29，图26是本发明提供的又一种液晶移相器的平面结构示意图，图27是图26中G-G’向的一种剖面图，图28是图26中H-H’向的一种剖面图，图29是本发明提供的又一种液晶移相器的正面视图，图30是图29中I-I’向的一种剖面图，图31是图29中J-J’向的一种剖面图。射频连接器10还包括接地端102；线路板9的第二端902还包括第二输入焊盘23和第三输入焊盘24；接地端102与第二输入焊盘23电连接，驱动芯片11的接地信号输入至第三输入焊盘24；线路板9的第一端901还包括第二输出焊盘25，第二输入焊盘23和第三输入焊盘24均与第二输出焊盘25电连接，第二输出焊盘25与第一区域8中的第二绑定焊盘26电连接，第二绑定焊盘26与第一导电层5电连接；走线层70还包括第二信号线35，第二信号线35的一端与第二输入焊盘23和第三输入焊盘24电连接，第二信号线35的另一端与第二输出焊盘25电连接。
图26至图28中以驱动芯片11和射频连接器10位于第一基板1靠近第二基板2的一侧为例进行示意性说明，图29至图31以驱动芯片11和射频连接器10位于第一基板1远离第二基板2的一侧为例进行示意性说明。
可以理解的是，本实施例中在线路板9中仅设置了衬底60和位于衬底60一侧的走线层70，没有设置接地金属层80，第一输入焊盘22与第一输出焊盘20之间是通过第三连接线40连接的，第二输入焊盘23、第三输入焊盘24与第二输出焊盘25之间是通过第二信号线35连接的，而其中第三连接线40与第二信号线35均位于走线层70，第三连接线40与第二信号线35之间是绝缘的，可选的，第三连接线40与第二信号线35之间具有间隔或者第三连接线40与第二信号线35之间填充绝缘层，这里不做具体限定。
本实施例采用的是共面波导，即线路板9中连接第一输入焊盘22和第一输出焊盘20的第三连接线40、以及连接第三输入焊盘24、第二输入焊盘23和第二输出焊盘25的第二信号线35均位于同一走线层70，不需要设置接地金属层80即可实现接地信号的传输，有利于线路板9的轻薄化。
在一些可选的实施例中，参照图32、图33和图34，图32是本发明提供的又一种液晶移相器的平面结构示意图，图33是本发明提供的又一种液晶移相器的正面视图，图34是本发明提供的又一种液晶移相器的背面视图，第一输入焊盘22的数量大于1个，多个第一输入焊盘22与同一个射频连接器10的射频输入端101电连接。
图32中以驱动芯片11和射频连接器10位于第一基板1靠近第二基板2(图中未示出)的一侧为例进行示意性说明，此时驱动芯片11和射频连接器10设置在液晶移相器100的正面，图33至图34以驱动芯片11和射频连接器10位于第一基板1远离第二基板2(图中未示出)的一侧为例进行示意性说明，此时驱动芯片11和射频连接器10设置在液晶移相器100的背面。图32至图34中仅以第一输入焊盘22的数量为2个，2个第一输入焊盘22与同一个射频连接器10的射频输入端101电连接为例进行示意说明，即实现功分的功能，图32中具有2个传输电极7，分别与第一输入焊盘22一一对应，当然第一输出焊盘20和第一绑定焊盘21的数量也是2个，与第一输入焊盘22是一一对应的关系，一个射频连接器10输出的射频信号传输到2个传输电极7中。这里不对第一输入焊盘22的数量做具体限定。
需要说明的是，对于第一输入焊盘22和第一输出焊盘20之间的第三连接线40图中未示出，对于第三连接线40的结构可以参照上述实施例，即将第三连接线40分为第一子线段401、第二子线段402和第三子线段403，通过调整第二子线段402的阻抗使第一子线段401的输出端的阻抗与第三子线段403的输入端的阻抗匹配，这里不再赘述。
本实施例第一输入焊盘22的数量大于1个，多个第一输入焊盘22与同一个射频连接器10的射频输入端101电连接，实现了功分功能，具有多个传输电极7，对射频信号同时进行移相。
在一些可选的实施例中，继续参照图4、图9、图12、图15、图19、图20、图21、图22、图23、图24、图25、图27、图28、图30、图31，线路板9通过异方性导电胶膜18绑定在第一区域8。
需要说明的是，线路板9通过异方性导电胶膜18绑定在第一区域8适用于上述任一实施例，这里不再赘述。
可以理解的是，线路板9中的焊盘需要与第一基板1中的绑定焊盘电连接，而异方性导电胶膜18兼具单向导电及胶合固定的功能，一方面能够粘贴线路板9与第一基板1，而且由于异方性导电胶膜18中具有导电粒子能够使得线路板9与第一基板1中的绑定焊盘实现电连接。
在一些可选的实施例中，参照图35，图35是本发明提供的又一种液晶移相器的平面结构示意图，图36是本发明提供的又一种液晶移相器的正面视图，图37是本发明提供的又一种液晶移相器的背面视图，图38是图36中K-K’向的一种剖面图，液晶移相器100还包括驱动控制板12，射频连接器10和驱动芯片11设置在驱动控制板12上。
图35中以驱动芯片11和射频连接器10位于第一基板1靠近第二基板2(图中未示出)的一侧为例进行示意性说明，此时驱动芯片11和射频连接器10设置在液晶移相器100的正面，图36至图38以驱动芯片11和射频连接器10位于第一基板1远离第二基板2(图中未示出)的一侧为例进行示意性说明，此时驱动芯片11和射频连接器10设置在液晶移相器100的背面。
图35中在第一基板1上贴附一驱动控制板12，射频连接器10和驱动芯片11设置在驱动控制板12上，当然对于第一连接线31、第二连接线32、第四连接线33和第五连接线34也均设置在驱动控制板12上。图36至图38中可以看出，对应第一区域8中在第一基板1远离第二基板2的一侧设置了驱动控制板12，将射频连接器10和驱动芯片11设置在驱动控制板12远离第一基板1的一侧，当然对于第一连接线31、第二连接线32、第四连接线33和第五连接线34也均设置在驱动控制板12远离第一基板1的一侧。
本实施例中，液晶移相器100包括驱动控制板12，射频连接器10和驱动芯片11设置在驱动控制板12上，对于射频连接器10和驱动芯片11、以及第一连接线31、第二连接线32、第四连接线33和第五连接线34等信号线的设置更灵活，不需要直接做在第一基板1的玻璃上，可以在驱动控制板12上制作后再与柔性线路板9通过异方性导电胶贴合即可。
在一些可选的实施例中，参照图39、图40、图41、图42、图43并结合图8，图39是本发明提供的又一种液晶移相器的平面结构示意图，图40是图39中Q区域的局部放大图，图41是图40中L-L’向的一种剖面图，图42是本发明提供的又一种液晶移相器的正面视图，图43是图42中M-M’向的一种剖面图，线路板9包括第一线路板91和第二线路板92，第一线路板91与第一区域8绑定，第二线路板92通过第二导电体52与第一线路板91电连接。
可以理解的是，对于液晶移相器100除线路板9的其它结构可参照上述任一实施例，这里不做具体限定。
图39和图40中以驱动芯片11和射频连接器10位于第一基板1靠近第二基板2的一侧为例进行示意性说明，此时驱动芯片11和射频连接器10设置在液晶移相器100的正面，图41至图43中以驱动芯片11和射频连接器10位于第一基板1远离第二基板2的一侧为例进行示意性说明，此时驱动芯片11和射频连接器10设置在液晶移相器100的背面。
本实施例中，可以通过第一线路板91和第二线路板92电连接的方式实现射频信号和偏置信号的传输，具体的第一线路板91绑定在第一区域8中，第二线路板92与射频连接器10、驱动芯片11电连接。
在一些可选的实施例中，继续参照39至图43，线路板9包括第三连接线40，第三连接线40的第一子线段401、第二子线段402、第三子线段403和第四子线段405，第一子线段401包括第一输入焊盘22，第三子线段403包括第一输出焊盘20，第一子线段401和第二子线段402位于第二线路板92；第四子线段405和第三子线段403位于第一线路板91，第二子线段402和第四子线段405通过第二导电体52电连接；第一子线段401输出端的阻抗为Z1，第二子线段402和第四子线段405的阻抗之和为Z2，第三子线段403输入端的阻抗为Z3，第二子线段402和第四子线段405均为1/4波长的传输线，
本实施例中的线路板9的膜层结构可以参照上述任一实施例，这里不再赘述，本实施例中第一线路板91与第一区域8中的第一绑定焊盘21电连接，确切的说是第一线路板91中包括走线层70，该走线层70包括第三连接线40的第三子线段403，第三子线段403与第一绑定焊盘21通过异方性导电胶膜18电连接，第一线路板91还包括衬底60和接地金属层80，走线层70和接地金属层80分布在衬底60的两侧，第二线路板92包括第一子线段401和第二子线段402，第一子线段401和第二子线段402位于第二线路板92的走线层70，第二线路板92的走线层70和接地金属层80同样分布在衬底60的两侧，第二线路板92的第二子线段402与第一线路板91的第四子线段405通过第二导电体52(可选的为异方性导电胶膜18)电连接，实现信号传输。
当然这里的线路板9的膜层结构仅为其中一种实施例，还可以参照18至图31的任一实施例。
可选的，第一线路板91和第二线路板92中膜层结构为：衬底60、位于衬底60一侧的接地金属层80、位于接地金属层80远离衬底一侧的走线层70，接地金属层80和走线层70之间为第一绝缘层90，第一线路板91与第一区域8中的第一绑定焊盘21电连接，第一线路板91的走线层70包括第三子线段403和第四子线段405，第三子线段403与第一绑定焊盘21通过异方性导电胶膜18电连接，第二线路板92的走线层70包括第一子线段401和第二子线段402，第二线路板92的第二子线段402与第一线路板91的第四子线段405通过第二导电体52(可选的为异方性导电胶膜18)电连接，实现信号传输。可选的，可以通过改变第二子线段402和第四子线段405的线宽来调整第二子线段402和第四子线段405的阻抗。当然也可以通过在走线层70中设置负载装置，使负载装置402与第二子线段402和第四子线段405串联，未附图示例。第二子线段402和第四子线段405均为1/4波长的传输线，第二子线段402和第四子线段405的阻抗之和为Z2，通过调整
能够使得第一子线段401输出端的阻抗Z1与第三子线段403输入端的阻抗Z3匹配，以免产生回波损耗。
需要说明的是，本发明中在第一线路板91设置了第四子线段405，第四子线段405为第三连接线40的其中一段，通过调整第二子线段402和第四子线段405的阻抗使得第一子线段401的输出端和第二子线段402的输入端的阻抗匹配。可选的，第二子线段402和第四子线段405的阻抗一旦设计完成，又由于工艺误差而造成第一子线段401的输出端和第二子线段402的输入端的阻抗不匹配，那么此时可通过调整第二导电体52中导电粒子的密度来进行微调，以补偿由于工艺误差而造成第二子线段402和第四子线段405的阻抗的波动，最终实现第一子线段401的输出端和第二子线段402的输入端的阻抗相匹配。
在一些可选的实施例中，参照图44、图45、图46、图47、图48和图49，图44是本发明提供的一种线路板的平面结构示意图，图45是图42中M-M’向的又一种剖面图，图46是本发明提供的又一种线路板的平面结构示意图，图47是图42中M-M’向的又一种剖面图，图48是本发明提供的又一种线路板的平面结构示意图，图49是图42中M-M’向的又一种剖面图，沿第一方向X上，第一子线段401的宽度、第二子线段402的宽度、第四子线段405的宽度和第三子线段403的宽度减小，第二子线段402和/或第四子线段405串联有负载结构404。
具体的，第一子线段401、第二子线段402、第四子线段405和第三子线段403的宽度减小，可以是，第一子线段401、第二子线段402、第四子线段405和第三子线段403的宽度逐渐减小，第一子线段401和第二子线段402位于第二线路板92，第四子线段405和第三子线段403位于第一线路板91，通过在第二子线段402串联负载结构404、或者在第四子线段405串联负载结构404、或者在第二子线段402和第四子线段405均串联负载结构404，图44和图45中示出了在第二子线段402串联负载结构404，图46和图47示出了在第四子线段405串联负载结构404，图48和图49示出了在第二子线段402和第四子线段405均串联负载结构404，可选的，负载结构404可以包括电阻和/或电容，图44至图49中仅以负载结构404包括电阻和电容为例进行示意性说明，可选的，负载结构404也可以仅包括电阻，或者负载结构404仅包括电容，未附图示例。
本实施例第二子线段402和/或第四子线段405串联有负载结构404，通过调整第二子线段402和第四子线段405的阻抗之和，使之为Z2，
使得第一子线段401输出端的阻抗Z1与第三子线段403输入端的阻抗Z3匹配，以免产生回波损耗。此外，当第一线路板91中的第四子线段405阻抗匹配不恰当时，可以调整第二线路板92中第二子线段402的阻抗，使第二子线段402和第四子线段405的阻抗之和为Z2，如此可以增加匹配的精度；同理当第二线路板91中的第二子线段402的阻抗匹配不恰当时，可以调整第一线路板91中的第四子线段405的阻抗，使第二子线段402和第四子线段405的阻抗之和为Z2。
在一些可选的实施例中，参照图50、图51、图52，图50是本发明提供的又一种线路板的平面结构示意图，图51是本发明提供的又一种线路板的平面结构示意图，图52是本发明提供的又一种线路板的平面结构示意图，沿第一方向X上，第一子线段401的宽度、第二子线段402的宽度、第四子线段405的宽度和第三子线段403的宽度减小，第二子线段402和/或第四子线段405至少包括缓冲段4021和过渡段4022，沿第一方向X上，过渡段4022的宽度大于缓冲段4021的宽度。
具体的，第一子线段401、第二子线段402、第四子线段405和第三子线段403的宽度减小，可以是，第一子线段401、第二子线段402、第四子线段405和第三子线段403的宽度逐渐减小，第一子线段401和第二子线段402位于第二线路板92，第四子线段405和第三子线段403位于第一线路板91，通过在第二子线段402至少包括缓冲段4021和过渡段4022，沿第一方向X上，过渡段4022的宽度大于缓冲段4021的宽度，或者在第四子线段405至少包括缓冲段4021和过渡段4022，沿第一方向X上，过渡段4022的宽度大于缓冲段4021的宽度，或者在第二子线段402和第四子线段405至少包括缓冲段4021和过渡段4022，沿第一方向X上，过渡段4022的宽度大于缓冲段4021的宽度，图50中示出了第二子线段402包括缓冲段4021和过渡段4022，图51示出了在第四子线段405包括缓冲段4021和过渡段4022，图52示出了在第二子线段402和第四子线段405均包括缓冲段4021和过渡段4022。当然，沿第一方向X上，过渡段4022的宽度大于缓冲段4021的宽度。
本实施例通过对第二子线段402和/或第四子线段405的部分加宽，调整第二子线段402和第四子线段405的阻抗之和，使之为Z2，
使得第一子线段401输出端的阻抗Z1与第三子线段403输入端的阻抗Z3匹配，以免产生回波损耗。此外，当第一线路板91中的第四子线段405阻抗匹配不恰当时，可以调整第二线路板92中第二子线段402的阻抗，使第二子线段402和第四子线段405的阻抗之和为Z2，如此可以增加匹配的精度；同理当第二线路板91中的第二子线段402的阻抗匹配不恰当时，可以调整第一下鲁班91中的第四子线段405的阻抗，使第二子线段402和第四子线段405的阻抗之和为Z2。
在一些可选的实施例中，参照图53和图54，图53是本发明提供的又一种线路板的平面结构示意图，图54是是本发明提供的又一种线路板的平面结构示意图，沿第一方向X上，第一子线段401的宽度、第二子线段402的宽度、第四子线段405的宽度和第三子线段403的宽度减小，其中，第二子线段402串联有负载结构404，第四子线段405至少包括缓冲段4021和过渡段4022，沿第一方向X上，过渡段4022的宽度大于缓冲段4021的宽度；或者第二子线段402至少包括缓冲段4021和过渡段4022，沿第一方向X上，过渡段4022的宽度大于缓冲段4021的宽度，第四子线段405串联有负载结构404。
具体的，第一子线段401、第二子线段402、第四子线段405和第三子线段403的宽度减小，可以是，第一子线段401、第二子线段402、第四子线段405和第三子线段403的宽度逐渐减小，第一子线段401和第二子线段402位于第二线路板92，第四子线段405和第三子线段403位于第一线路板91，图53示出了第二子线段402串联有负载结构404，第四子线段405至少包括缓冲段4021和过渡段4022，沿第一方向X上，过渡段4022的宽度大于缓冲段4021的宽度，图54示出了第二子线段402至少包括缓冲段4021和过渡段4022，沿第一方向X上，过渡段4022的宽度大于缓冲段4021的宽度，第四子线段405串联有负载结构404。负载结构404可以采用图44至图49中相同的负载结构404，这里不再赘述。
本实施例通过对第二子线段402的线宽进行调整以及对第四子线段405串联负载结构404，或者对第二子线段402串联负载结构404以及对第四子线段405的线宽进行调整，从而调整第二子线段402和第四子线段405的阻抗之和，使之为Z2，
使得第一子线段401输出端的阻抗Z1与第三子线段403输入端的阻抗Z3匹配，以免产生回波损耗。此外，当第一线路板91中的第四子线段405阻抗匹配不恰当时，可以调整第二线路板92中第二子线段402的阻抗，使第二子线段402和第四子线段405的阻抗之和为Z2，如此可以增加匹配的精度；同理当第二线路板91中的第二子线段402的阻抗匹配不恰当时，可以调整第一线路板91中的第四子线段405的阻抗，使第二子线段402和第四子线段405的阻抗之和为Z2。
在一些可选的实施例中，参照图55和图56，图55是本发明提供的又一种液晶移相器的平面结构示意图，图56是本发明提供的又一种液晶移相器的背面视图，所述第一区域8还包括第三绑定焊盘27，传输电极7的一端与第一绑定焊盘21电连接，传输电极7的另一端与第三绑定焊盘27电连接，第一基板1还包括射频输出端口28，第三绑定焊盘27通过线路板9与射频输出端口28电连接。
具体的，传输电极7的一端与第一绑定焊盘21电连接，另一端与第三板顶焊盘电连接，射频信号从第一绑定焊盘21一侧输入，在传输电极7和第一导电层5之间震荡传输，同时由于液晶层3的介电常数变化，从第三绑定焊盘27一侧输出后移相。第三绑定焊盘27通过线路板9与射频输出端口28电连接，具体的，参照图55和图56、以及结合图7，线路板9包括与第三绑定焊盘27电连接的第四输出焊盘301，第四输出焊盘301通过走线层70的信号线(图中未示出)与第四输入焊盘302电连接，第四输入焊盘302通过第一基板1(或者驱动控制板12)上的信号线与射频输出端口28电连接。
基于同一发明思想，本发明还提供了一种液晶天线，参照图57和图58，图57是本发明提供的一种液晶天线的平面结构示意图，图58是图57中N-N’向的一种剖面图，本实施例中液晶天线包括上述液晶移相器100(不包括上述实施例中的射频输出端口28)，还包括位于第二基板2远离第一基板1一侧的辐射体45，第一导电层5包括耦合口501，辐射体45在第一基板1所在平面的正投影、耦合口501在第一基板1所在平面的正投影、传输电极7在第一基板1所在平面的正投影至少部分交叠。
本实施例中的液晶天线包括上述图3至图41中任一实施例中的液晶移相器100，这里不再一一赘述。仅以驱动芯片11和射频连接器10位于第一基板1远离第二基板2的一侧为例进行示意性说明，当然驱动芯片11和射频连接器10也可以位于第一基板1靠近第二基板2的一侧(图中未示出)。
具体的，液晶天线除了包括液晶移相器100的结构外还包括位于第二基板2远离第一基板1一侧的辐射体45，第一导电层5包括耦合口501，辐射体45在第一基板1所在平面的正投影、耦合口501在第一基板1所在平面的正投影、传输电极7在第一基板1所在平面的正投影至少部分交叠，辐射体45用于将液晶天线的微波信号辐射出去。
可以理解的是，第一基板1包括第一区域8，在该第一区域8绑定线路板9，在第一区域8中还包括射频连接器10和驱动芯片11，射频连接器10通过线路板9向传输电极7传输射频信号，同时射频连接器10还通过线路板9向第一导电层5提供固定电位，驱动芯片11通过线路板9向传输电极7传输偏置信号，同时驱动芯片11通过线路板9向第一导电层5传输固定电位，传输电极7的偏置信号与第一导电层5的固定电位形成控制液晶层3液晶分子4偏转的电场，同时，射频信号在传输电极7和第一导电层5之间震荡传输，由于液晶分子4发生偏转，改变了液晶层3的介电常数，实现了在液晶层3中对射频信号的移相，传输电极7与辐射体45相交叠，将移相后的微波信号经过辐射体45辐射出去。
本发明的液晶天线同样能够减小液晶天线的边框面积，同时也能够减小液晶盒内信号线的布线难度；此外也能够提高液晶天线的拼接实用性。本发明的液晶天线具有上述任一实施例液晶移相器100同样的技术效果，这里不再赘述。
通过上述实施例可知，本发明提供的液晶移相器和液晶天线，至少实现了如下的有益效果：
本发明的液晶移相器包括沿第二方向上相对的第一边缘和第二边缘、以及沿第一方向上相对的第三边缘和第四边缘，在第一区域绑定线路板，第一区域中的射频连接器和驱动芯片通过线路板传输信号，这样射频连接器和驱动芯片设在液晶移相器的同一侧，与相关技术将射频连接器和驱动芯片设置在液晶移相器的两侧来说，本发明能够减小液晶移相器中边框的面积；
相关技术中，射频连接器和驱动芯片设置在液晶移相器的两侧，所以增加了驱动芯片与微带线连接的信号走线的布线难度，而本发明中由于驱动芯片和射频连接器均是通过线路板与传输电极电连接的，所以无需在液晶盒内布置走线，降低了液晶盒内布线的难度；
由于仅在第一区域中设置驱动芯片和射频连接器，所以第二边缘、第三边缘和第四边缘均可进行拼接，在第一方向上，一个液晶移相器的第三边缘和另一个液晶移相器的第四边缘可进行拼接，这样在第一方向上实现线性拼接，在第二方向上，一个液晶移相器的第二边缘和另一个液晶移相器的第一边缘可进行拼接这样在第二方向上实现线性拼接，或者在第二方向上，一个液晶移相器的第二边缘和另一个液晶移相器的第二边缘可进行拼接这样在第二方向上实现线性拼接，提高了液晶移相器的拼接实用性。
虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。
Claims (31)
1.一种液晶移相器，其特征在于，包括：相对设置的第一基板和第二基板、以及位于所述第一基板和所述第二基板之间的液晶层；
所述第二基板靠近所述第一基板的一侧包括第一导电层，所述第一导电层接固定电位；
所述第一基板靠近所述第二基板的一侧包括第二导电层，所述第二导电层包括传输电极；
所述第一基板包括第一区域，所述第一区域绑定有线路板；
所述液晶移相器还包括射频连接器和驱动芯片，所述射频连接器和所述驱动芯片均位于所述第一区域，所述射频连接器和所述驱动芯片通过所述线路板传输信号。
2.根据权利要求1所述的液晶移相器，其特征在于，所述第一基板还包括第一边缘，所述线路板沿着所述第一边缘弯折至所述第一基板远离所述第二基板的一侧，所述射频连接器和所述驱动芯片位于所述第一基板远离所述第二基板的一侧。
3.根据权利要求1所述的液晶移相器，其特征在于，所述射频连接器和所述驱动芯片位于所述第一基板靠近所述第二基板的一侧。
4.根据权利要求1所述的液晶移相器，其特征在于，所述线路板包括第一端和第二端，所述线路板的所述第一端与所述第一区域绑定，所述线路板的所述第一端包括第一输出焊盘，所述第一输出焊盘与所述第一区域中的第一绑定焊盘电连接，所述第一绑定焊盘与所述传输电极的一端电连接；所述线路板的所述第二端包括第一输入焊盘，所述射频连接器包括射频输入端，所述第一输入焊盘分别与所述射频连接器的所述射频输入端、所述驱动芯片电连接。
5.根据权利要求4所述的液晶移相器，其特征在于，所述第一基板包括第一连接线和第二连接线，所述第一连接线和所述第二连接线位于不同膜层，所述第一连接线的一端与所述射频连接器的射频输入端电连接，所述第一连接线的另一端与所述第一输入焊盘电连接，所述第二连接线的一端与所述驱动芯片电连接，所述第二连接线的另一端与所述第一连接线电连接。
6.根据权利要求5所述的液晶移相器，其特征在于，所述第二连接线与所述第一连接线通过过孔连接。
7.根据权利要求4所述的液晶移相器，其特征在于，所述线路板包括第三连接线，所述第三连接线的第一子线段、第二子线段和第三子线段，所述第一子线段包括所述第一输入焊盘，所述第三子线段包括所述第一输出焊盘，所述第一子线段输出端的阻抗为Z1，所述第二子线段的阻抗为Z2，所述第三子线段输入端的阻抗为Z3，其中，所述第三子线段为1/4波长的传输线，
8.根据权利要求7所述的液晶移相器，其特征在于，所述第一子线段包括铜、银、金、铜和银的组合物、或者铜和金的组合物；所述第三子线段包括氧化铟锡、氮化硅和铜的叠层结构。
9.根据权利要求7所述的液晶移相器，其特征在于，第一方向上，所述第一子线段的宽度大于所述第二子线段的宽度，且所述第二子线段的宽度大于所述第三子线段的宽度；所述第一方向与所述第一子线段的延伸方向相交；
所述第二子线段串联有负载结构。
10.根据权利要求9所述的液晶移相器，其特征在于，所述负载结构包括电阻和/或电容。
11.根据权利要求7所述的液晶移相器，其特征在于，第一方向上，所述第一子线段的宽度大于所述第二子线段的宽度，且所述第二子线段的宽度大于所述第三子线段的宽度；所述第一方向与所述第一子线段的延伸方向相交；
所述第二子线段至少包括缓冲段和过渡段，沿所述第一方向上，所述过渡段的宽度大于所述缓冲段的宽度。
12.根据权利要求1所述的液晶移相器，其特征在于，所述射频连接器提供射频信号，所述驱动芯片提供偏置信号，所述射频信号的频率大于所述偏置信号的频率。
13.根据权利要求4所述的液晶移相器，其特征在于，所述射频连接器还包括接地端；
所述线路板的所述第二端还包括第二输入焊盘和第三输入焊盘；
所述接地端与所述第二输入焊盘电连接，所述驱动芯片的接地信号输入至所述第三输入焊盘；
所述线路板的第一端还包括第二输出焊盘，所述第二输入焊盘和所述第三输入焊盘均与所述第二输出焊盘电连接，所述第二输出焊盘与所述第一区域中的第二绑定焊盘电连接，所述第二绑定焊盘与所述第一导电层电连接。
14.根据权利要求13所述的液晶移相器，其特征在于，所述第一基板还包括第四连接线和第五连接线，所述第四连接线和所述第五连接线位于不同膜层；
所述第四连接线的一端与所述驱动芯片电连接，所述第四连接线的另一端分别与所述第三输入焊盘，所述第五连接线的一端与所述射频连接器的所述接地端电连接，所述第五连接线的另一端与所述第二输入焊盘电连接。
15.根据权利要求14所述的液晶移相器，其特征在于，所述第五连接线与所述第四连接线通过过孔连接。
16.根据权利要求13所述的液晶移相器，其特征在于，所述第一基板和所述第二基板之间还包括框胶，所述框胶内包括第一导电体，所述第一导电体一端与所述第一导电层电连接，所述第一导电体的另一端与所述第二绑定焊盘电连接。
17.根据权利要求16所述的液晶移相器，其特征在于，所述第一导电体包括导电金球。
18.根据权利要求4所述的液晶移相器，其特征在于，所述线路板包括衬底、位于所述衬底一侧的走线层；
所述走线层包括第三连接线，所述第三连接线的一端与所述第一输入焊盘电连接，所述第三连接线的另一端与所述第一输出焊盘电连接。
19.根据权利要求18所述的液晶移相器，其特征在于，
所述射频连接器还包括接地端；
所述线路板的所述第二端还包括第二输入焊盘和第三输入焊盘；
所述接地端与所述第二输入焊盘电连接，所述驱动芯片的接地信号输入至所述第三输入焊盘；
所述线路板的第一端还包括第二输出焊盘，所述第二输入焊盘和所述第三输入焊盘均与所述第二输出焊盘电连接，所述第二输出焊盘与所述第一区域中的第二绑定焊盘电连接，所述第二绑定焊盘与所述第一导电层电连接；
所述线路板还包括位于所述衬底远离所述走线层一侧的接地金属层；
所述接地金属层为整面结构，所述接地金属层通过贯穿所述衬底的过孔与所述第二输出焊盘电连接。
20.根据权利要求18所述的液晶移相器，其特征在于，
所述射频连接器还包括接地端；
所述线路板的所述第二端还包括第二输入焊盘和第三输入焊盘；
所述接地端与所述第二输入焊盘电连接，所述驱动芯片的接地信号输入至所述第三输入焊盘；
所述线路板的第一端还包括第二输出焊盘，所述第二输入焊盘和所述第三输入焊盘均与所述第二输出焊盘电连接，所述第二输出焊盘与所述第一区域中的第二绑定焊盘电连接，所述第二绑定焊盘与所述第一导电层电连接；
所述线路板还包括位于所述衬底靠近所述走线层一侧的接地金属层、位于所述接地金属层靠近所述走线层一侧的第一绝缘层；
所述接地金属层为整面结构，所述接地金属层通过过孔与所述第二输出焊盘电连接。
21.根据权利要求18所述的液晶移相器，其特征在于，
所述射频连接器还包括接地端；
所述线路板的所述第二端还包括第二输入焊盘和第三输入焊盘；
所述接地端与所述第二输入焊盘电连接，所述驱动芯片的接地信号输入至所述第三输入焊盘；
所述线路板的第一端还包括第二输出焊盘，所述第二输入焊盘和所述第三输入焊盘均与所述第二输出焊盘电连接，所述第二输出焊盘与所述第一区域中的第二绑定焊盘电连接，所述第二绑定焊盘与所述第一导电层电连接；
所述走线层还包括第二信号线，所述第二信号线的一端与所述第二输入焊盘和所述第三输入焊盘电连接，所述第二信号线的另一端与所述第二输出焊盘电连接。
22.根据权利要求4所述的液晶移相器，其特征在于，所述第一输出焊盘的数量大于1个，多个所述第一输出焊盘与同一个所述射频连接器的射频输入端电连接。
23.根据权利要求1所述的液晶移相器，其特征在于，所述线路板通过异方性导电胶膜绑定在所述第一区域。
24.根据权利要求1所述的液晶移相器，其特征在于，所述液晶移相器还包括驱动控制板，所述射频连接器和所述驱动芯片设置在所述驱动控制板上。
25.根据权利要求1至24任一所述的液晶移相器，其特征在于，所述线路板包括第一线路板和第二线路板，所述第一线路板与所述第一区域绑定，所述第二线路板与所述第一线路板通过第二导电体电连接。
26.根据权利要求25所述的液晶移相器，其特征在于，所述线路板包括第三连接线，所述第三连接线的第一子线段、第二子线段、第三子线段和第四子线段，所述第一子线段包括第一输入焊盘，所述第三子线段包括第一输出焊盘，所述第一子线段和所述第二子线段位于所述第二线路板；所述第四子线段和所述第三子线段位于所述第一线路板，所述第二子线段和所述第四子线段通过所述第二导电体电连接；
所述第一子线段输出端的阻抗为Z1，所述第二子线段和所述第四子线段的阻抗之和为Z2，所述第三子线段403输入端的阻抗为Z3，所述第二子线段和所述第四子线段均为1/4波长的传输线，
27.根据权利要求26所述的液晶移相器，其特征在于，沿第一方向上，所述第一子线段的宽度、所述第二子线段的宽度、所述第四子线段的宽度和所述第三子线段的宽度减小，所述第二子线段和/或所述第四子线段串联有负载结构。
28.根据权利要求26所述的液晶移相器，其特征在于，沿第一方向上，所述第一子线段的宽度、所述第二子线段的宽度、所述第四子线段的宽度和所述第三子线段的宽度减小，所述第二子线段和/或所述第四子线段至少包括缓冲段和过渡段，沿第一方向上，所述过渡段的宽度大于所述缓冲段的宽度。
29.根据权利要求26所述的液晶移相器，其特征在于，沿第一方向上，所述第一子线段的宽度、所述第二子线段的宽度、所述第四子线段的宽度和所述第三子线段的宽度减小，其中，
所述第二子线段串联有负载结构，所述第四子线段至少包括缓冲段和过渡段，沿第一方向上，所述过渡段的宽度大于所述缓冲段的宽度；
或者所述第二子线段至少包括缓冲段和过渡段，沿第一方向上，所述过渡段的宽度大于所述缓冲段的宽度，所述第四子线段串联有负载结构。
30.根据权利要求4所述的液晶移相器，其特征在于，所述第一区域还包括第三绑定焊盘，所述传输电极的一端与所述第一绑定焊盘电连接，所述传输电极的另一端与所述第三绑定焊盘电连接，
所述第一基板远离所述第二基板的一侧还包括射频输出端口，所述第三绑定焊盘通过所述线路板与所述射频输出端口电连接。
31.一种液晶天线，其特征在于，包括权利要求1至29任一所述的液晶移相器，还包括位于第二基板远离所述第一基板一侧的辐射体，所述第一导电层包括耦合口，所述辐射体在所述第一基板所在平面的正投影、所述耦合口在所述第一基板所在平面的正投影、所述传输电极在所述第一基板所在平面的正投影至少部分交叠。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310081804.8A CN116243535A (zh) | 2023-01-19 | 2023-01-19 | 液晶移相器和液晶天线 |
| US18/135,940 US20240250425A1 (en) | 2023-01-19 | 2023-04-18 | Liquid crystal phase shifter and liquid crystal antenna |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310081804.8A CN116243535A (zh) | 2023-01-19 | 2023-01-19 | 液晶移相器和液晶天线 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116243535A true CN116243535A (zh) | 2023-06-09 |
Family
ID=86634385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310081804.8A Pending CN116243535A (zh) | 2023-01-19 | 2023-01-19 | 液晶移相器和液晶天线 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240250425A1 (zh) |
| CN (1) | CN116243535A (zh) |
-
2023
- 2023-01-19 CN CN202310081804.8A patent/CN116243535A/zh active Pending
- 2023-04-18 US US18/135,940 patent/US20240250425A1/en active Pending
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|---|---|
| US20240250425A1 (en) | 2024-07-25 |
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