CN116230331A - 绝缘结构和其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种绝缘结构和其制造方法，所述绝缘结构包含多个壁以及由所述多个壁限定的腔。芯材料安置在所述腔内。所述芯材料包含直径在80‑1600μm的范围内的颗粒。安置在所述腔内的所述芯材料的密度可以在大于350kg/m3至600kg/m3的范围内。

Description

绝缘结构和其制造方法
背景技术
本公开总体上涉及绝缘结构和其制造方法。
发明内容
根据本公开的一个方面，一种产生绝缘结构的方法包含将原材料引入到进料斗中。所述方法还包含用至少一个辊将所述原材料压实。所述方法进一步包含将已压实的所述原材料引导至破碎机。另外地，所述方法包含将已压实的所述原材料引导至制粒机。进一步地，所述方法包含收集已压实并且暴露于所述破碎机和所述制粒机两者的所述原材料作为芯材料前体。所述方法还包含用过滤器构件过滤所述芯材料前体。
根据本公开的另一方面，一种绝缘结构包含多个壁以及由所述多个壁限定的腔。芯材料安置在所述腔内。所述芯材料包含直径在80-1600μm的范围内的颗粒。所述芯材料可以在所述腔内安置为密度在大于350kg/m3至600kg/m3的范围内。
通过参考以下说明书、权利要求和附图，本领域的技术人员将进一步理解和认识到本公开的这些和其它特征、优点和目的。
附图说明
在附图中：
图1是根据一个实例的绝缘结构的前透视图；
图2是根据一个实例的展示绝缘结构的腔的沿着线II-II截取的图1的绝缘结构的横截面视图；
图3是根据一个实例的展示将原材料加工成芯材料的过程的设备的示意图；以及
图4是根据一个实例的展示产生绝缘结构的方法的流程图。
附图中的组件不一定按比例绘制，而是将重点放在展示本文所述的原理上。
具体实施方式
本发明所展示的实施例主要在于与绝缘结构有关的方法步骤和设备组件的组合。因此，在适当的情况下，设备组件和方法步骤在附图中由常规符号表示，仅示出了与理解本公开的实施例相关的那些具体细节，以免因对于受益于本文描述的本领域普通技术人员来说显而易见的细节而使本公开变得模糊。进一步地，说明书和附图中类似的标记表示类似的元件。
出于本文描述的目的，术语“上”、“下”、“右”、“左”、“后”、“前”、“竖直”、“水平”和其派生词应当与图1中所定向的本公开相关。除非另有说明，否则术语“前”应指更靠近预期观察者的元件表面，而术语“后”应指更远离预期观察者的元件表面。然而，应当理解，除非相反地明确指定，否则本公开可以采取各种替代性定向。还应当理解，附图中展示的以及以下说明书中描述的特定装置和过程仅仅是所附权利要求中限定的发明构思的示例性实施例。因此，除非权利要求另有明确说明，否则与本文公开的实施例相关的特定尺寸和其它物理特性不应被认为是限制性的。
在本文件中，如第一和第二、顶和底等关系术语仅可以用于将一个实体或动作与另一个实体或动作进行区分，而不一定需要或暗示这种实体或动作之间的任何实际的这种关系或顺序。术语“包含(including)”、“包括(comprises/comprising)”或其任何其它变化旨在涵盖非排他性包含，使得包括一系列要素的过程、方法、物品或设备不仅包含那些要素，还可以包含未清楚地列出或这种过程、方法、物品或设备固有的其它要素。在没有更多约束的情况下，前面带有“包括…”的要素不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或设备中存在另外的相同要素。
如本文所使用的，当术语“和/或”用于两个或更多个项目的列表中时，其意指可以单独使用所列项目中的任一个，或可以使用所列项目中的两个或更多个的任意组合。例如，如果组合物被描述为含有组分A、B和/或C，则所述组合物可以单独含有A；单独含有B；单独含有C；含有A和B的组合；含有A和C的组合；含有B和C的组合；或含有A、B和C的组合。
如本文所使用的，术语“约”意指量、大小、调配物、参数和其它量和特性不是并且不必是精确的，而是根据需要可以是近似的和/或更大或更小，从而反映公差、转换因子、舍入、测量误差等以及本领域的技术人员已知的其它因素。当术语“约”用于描述值或范围端点时，本公开应理解为包含所提及的具体值或端点。无论说明书中的数值或范围终点是否列举“约”，范围的数值或终点旨在包含两个实施例：一个由“约”修饰，并且一个不由“约”修饰。应进一步理解，每个范围的端点相对于另一个端点以及独立于另一个端点都是显著的。
参考图1和2，附图标记10通常指示绝缘结构。绝缘结构10可以用作电器，如隔热电器的组件。在各个实例中，电器可以能够被动地或主动地控制所述电器(例如，冰箱、冷冻机、冷却器、烤箱等)内的热环境。绝缘结构10包含多个壁14。例如，所述多个壁14可以包含顶壁18、底壁22、第一侧壁26、第二侧壁30、外壁34和/或内壁38。第一侧壁26和第二侧壁30各自在顶壁18与底壁22之间延伸。类似地，外壁34和内壁38各自在顶壁18、底壁22、第一侧壁26和第二侧壁30之间延伸。顶壁18和底壁22可以限定绝缘结构10的厚度和/或绝缘结构10的宽度。第一侧壁26和第二侧壁30可以限定绝缘结构10的厚度。另外地或可替代地，第一侧壁26和第二侧壁30可以限定绝缘结构10的高度。外壁34和内壁38可以在绝缘结构10的高度方向和宽度方向上延伸。外壁34与内壁38相对，并且因此在图1中用虚线指示。当绝缘结构10与电器完全组装时，外壁34可能离用户最近。当绝缘结构10与电器完全组装时，内壁38可能比外壁34离用户更远。在绝缘结构10用作出入门(例如，冰箱门、冷却器门、烤箱门等)的至少一部分的实例中，当出入门处于关闭位置时，内壁38可能离用户最远。
再次参考图1和2，多个壁14在其间限定腔42。芯材料46安置在腔42内。芯材料46可以包含直径在80-1600μm的范围内的颗粒50。例如，颗粒50的直径可以为约80μm、约100μm、约150μm、约200μm、约250μm、约300μm、约350μm、约400μm、约450μm、约500μm、约600μm、约700μm、约800μm、约900μm、约1000μm、约1100μm、约1200μm、约1300μm、约1400μm、约1500μm、约1600μm和/或其组合或范围。虽然颗粒50的大小是指直径，但本公开并不限于圆形或球形颗粒。相反，颗粒50可以是任何多边形，并且对其直径的引用可以是指从颗粒50的一侧到颗粒50的相对侧的尺寸。在一些实例中，当颗粒50是除了圆或球体之外的多边形时，关于颗粒50的直径所指的尺寸可以应用于穿过颗粒50的最大距离或尺寸。在各个实例中，当颗粒50是除了圆或球体之外的多边形时，关于颗粒50的直径所指的尺寸可以应用于穿过颗粒50的最小距离或尺寸。无论颗粒50的形状如何，芯材料46可以包含选自以下的至少一种组分：气相二氧化硅、碳黑、珍珠岩、碳化硅、玻璃纤维和玻璃微球。
进一步参考图1和2，芯材料46可以在腔42内安置为密度在大于350kg/m3至600kg/m3的范围内。例如，芯材料46可以以约350kg/m3、约400kg/m3、约450kg/m3、约500kg/m3、约550kg/m3、约600kg/m3和/或其组合或范围的密度存在于腔42内。在各个实例中，当完全组装时，腔42和/或绝缘结构10内的芯材料46的热导率可以在1mW/mK至15mW/mK的范围内。例如，当完全组装时，腔42和/或绝缘结构10内的芯材料46的热导率可以为约1.0mW/mK、约2.0mW/mK、约3.0mW/mK、约4.0mW/mK、约5.0mW/mK、约6.0mW/mK、约7.0mW/mK、约8.0mW/mK、约9.0mW/mK、约10mW/mK、约11mW/mK、约12mW/mK、约13mW/mK、约14mW/mK、约15mW/mK和/或其组合或范围。当绝缘结构10完全组装时，腔42内的压力可以小于100帕斯卡。例如，当绝缘结构完全组装时，腔42内的压力可以小于约100帕斯卡、小于约90帕斯卡、小于约80帕斯卡、小于约70帕斯卡、小于约60帕斯卡、小于约50帕斯卡、小于约40帕斯卡、小于约30帕斯卡、小于约20帕斯卡、小于约10帕斯卡和/或其组合和范围。
现在参考图3和4，产生绝缘结构10的方法60包含将原材料68引入到进料斗72中的步骤64。方法60还包含用至少一个辊80将原材料68压实的步骤76。例如，至少一个辊80可以包含第一辊84和第二辊88。在图3所描绘的实例中，第一辊84和第二辊88相对于彼此竖直定向，使得第一辊84竖直地定位在第二辊88上方。然而，考虑了替代性布置，并且替代性布置不偏离本文所讨论的概念。第一辊84和第二辊88被定位成在彼此附近，以有助于在原材料68通过第一辊84与第二辊88之间时压实原材料68。因此，本文考虑了有助于压实原材料68的至少一个辊80的任何替代性布置。在一些实例中，原材料68可以由进料斗72引导至螺旋进料器92。在此类实例中，螺旋进料器92可以将原材料68朝至少一个辊80引导。
再次参考图3和4，方法60还包含将已压实的原材料68引导至破碎机96的步骤94。另外地，方法60包含将已压实的原材料68引导至制粒机104的步骤100。在各个实例中，原材料68可以由斜槽108引导至破碎机96和/或制粒机104。方法60进一步包含收集已压实并且暴露于破碎机96和制粒机104两者的原材料68的步骤112。已压实并且暴露于破碎机96和制粒机104两者的原材料68可以被称为芯材料前体116。芯材料前体116可以包含粗颗粒和细颗粒。方法60还包含用过滤器构件124过滤芯材料前体116的步骤120。在各个实例中，过滤器构件124的孔径小于80μm，使得小于80μm的微粒128(例如，细颗粒)穿过过滤器构件124。在此类实例中，留在过滤器构件124上的芯材料前体116的部分132表示用于绝缘结构10的芯材料46。颗粒50可以被称为粗颗粒，并且微粒128可以被称为细颗粒。术语“粗”和“细”并非用于描述特定纹理或形状。相反，如本文所使用的，术语“粗”和“细”旨在区分芯材料前体116内不穿过过滤器构件124的颗粒和芯材料前体116内穿过过滤器构件124的颗粒。因此，如本文所使用的，术语“粗”和“细”可以相对于过滤器构件124的孔径。去除微粒128或细颗粒可以改进绝缘结构10的制造方法。具体地，通过从芯材料前体116去除微粒128，防止微粒128阻碍腔42内压力的减小。例如，如果保留微粒128，则可能塞住或堵塞防止泵吸入芯材料46的过滤器或滤网，从而限制正在排空的气体组分的流动，并且可能使泵过度工作。如果保留微粒128，则微粒128也可能绕过用于保护泵的过滤器或滤网，并且降低泵的效率和/或缩短泵的操作寿命。
进一步参考图3和4，芯材料46可以包含直径为80μm或更大的颗粒50。芯材料46的颗粒50的大小分布可以取决于过滤器构件124的一种或多种孔径。在一些实例中，可以采用多个过滤器构件124。在此类实例中，多个过滤器构件124可以设置有逐渐更小的孔径，使得收集在多个过滤器构件124上的颗粒50按大小分层或分离。这种布置可以有助于控制沉积在腔42内的颗粒50的给定直径分布。例如，在产生期间，第一量的颗粒50可以取自过滤器构件124中的第一过滤器构件，第二量的颗粒50可以取自过滤器构件124中的第二过滤器构件，并且第三量的颗粒50可以取自过滤器构件124中的第三过滤器构件。在此类实例中，过滤器构件124中的第一过滤器构件的孔径可以为最大，过滤器构件124中的第三过滤器构件的孔径可以为最小，并且过滤器构件124中的第二过滤器构件的孔径可以介于过滤器构件124中的第一过滤器构件的孔径与过滤器构件124中的第二过滤器构件的孔径之间。因此，可以选择第一量的颗粒50、第二量的颗粒50和第三量的颗粒50来控制沉积到腔42中的颗粒50的大小分布。
仍然进一步参考图3和4，在一些实例中，芯材料46的颗粒50的直径在80-1600μm的范围内。例如，颗粒50的直径可以为约80μm、约100μm、约150μm、约200μm、约250μm、约300μm、约350μm、约400μm、约450μm、约500μm、约600μm、约700μm、约800μm、约900μm、约1000μm、约1100μm、约1200μm、约1300μm、约1400μm、约1500μm、约1600μm和/或其组合或范围。一旦芯材料46的颗粒50被收集到过滤器构件124上并且混合到预定比率(如果期望的话)，则这些颗粒50就可以放置在腔42内。因此，方法60可以包含将芯材料46沉积在绝缘结构10的腔42内的步骤。例如，可以通过将芯材料46吹入到腔42内和/或激活泵来降低腔42内的压力来将芯材料46沉积在腔42内。如果在芯材料46沉积期间使用泵降低腔42内的压力，则可以采用过滤器或滤网来防止泵吸入芯材料46，这可能会损坏泵。如上文所述，绝缘结构10的腔42由多个壁14限定。
再次参考图3和4，在将芯材料46沉积在绝缘结构10的腔42内的步骤中，芯材料46可以在腔42内安置为密度在大于350kg/m3至600kg/m3的范围内。例如，芯材料46可以以约350kg/m3、约400kg/m3、约450kg/m3、约500kg/m3、约550kg/m3、约600kg/m3和/或其组合或范围的密度存在于腔42内。腔42的尺寸在制造时已知。因此，腔42的体积也在制造时已知。因此，在将芯材料46在腔42内安置为期望密度在大于350kg/m3至600kg/m3的范围内时，可以监测绝缘结构10的重量变化，以确定何时达到期望的密度。另外地或可替代地，在芯材料46的安置或分配期间，可以按照每单位时间的质量(例如，每分钟千克数)来了解芯材料46的流速。在此类实例中，可以使用预定的持续时间来将期望的量的芯材料46分配或安置到腔42中，以获得腔42内的芯材料46的期望密度。在一些实例中，可以监测绝缘结构10的重量变化和在腔42内安置芯材料46所花费的时间，以确定何时达到腔42内的芯材料46的期望密度。在此类实例中，一旦经过预定量的时间并且已经观察到绝缘结构10的重量的预定变化，则可以停止向腔42添加芯材料46。
又再次参考图3和4，方法60可以包含排空绝缘结构10的腔42内的气体组分(例如，空气)的至少一部分的步骤。例如，泵可以连接到绝缘结构10，并且被激活以从腔42中排空或抽出气体组分的至少一部分。在各个实例中，用于去除腔42内的气体组分的至少一部分的泵可以是在腔42内沉积芯材料46期间可以采用的泵。在排空腔42内的气体组分的至少一部分时，腔42内的压力降低(例如，实现低于大气压的压力)。术语“大气压”是指大气的重量所施加的压力，其在海平面的平均值为101,325帕斯卡。换句话说，在制造时，可以在腔42内建立低于绝缘结构10周围环境的压力。例如，当绝缘结构10完全组装时，腔42内的压力可以小于约100帕斯卡、小于约90帕斯卡、小于约80帕斯卡、小于约70帕斯卡、小于约60帕斯卡、小于约50帕斯卡、小于约40帕斯卡、小于约30帕斯卡、小于约20帕斯卡、小于约10帕斯卡和/或其组合和范围。
仍然进一步参考图3和4，方法60可以包含将绝缘结构10的腔42相对于环境密封的步骤，使得防止环境的气体组分进入到腔42中。例如，多个壁14中的一个壁所限定的孔口可以用于在腔42内沉积芯材料46。当降低腔42内的压力时，可以使用用于在腔42内沉积芯材料46的相同孔口。在此类实例中，在腔42内沉积芯材料46之后并且在降低腔42内的压力之前，可以将过滤器或滤网放置在孔口之上，以防止沉积的芯材料46进入泵。在替代性实例中，可以采用单独的或第二孔口来降低腔42内的压力。在一个实例中，一旦芯材料46沉积在腔42内，腔42可以被密封以完成绝缘结构10的组装。可替代地，在芯材料46沉积在腔42内并且腔42内的压力降低到小于大气压的水平之后，可以执行将绝缘结构10的腔42相对于环境密封。在前述实例中的任一项中，在完成密封绝缘结构10的腔42的步骤(例如，密封由多个壁14中的一个或多个壁限定的一个或多个孔口)后，可以完成绝缘结构10的制造和/或组装。绝缘结构10可以是较大组合件(例如，电器)的子组合件。在各个实例中，当完全组装时，腔42和/或绝缘结构10内的芯材料46的热导率可以在1mW/mK至15mW/mK的范围内。例如，当完全组装时，腔42和/或绝缘结构10内的芯材料46的热导率可以为约1.0mW/mK、约2.0mW/mK、约3.0mW/mK、约4.0mW/mK、约5.0mW/mK、约6.0mW/mK、约7.0mW/mK、约8.0mW/mK、约9.0mW/mK、约10mW/mK、约11mW/mK、约12mW/mK、约13mW/mK、约14mW/mK、约15mW/mK和/或其组合或范围。
根据本公开的一方面，产生绝缘结构10的方法包含将原材料68引入到进料斗72中。所述方法还包含用至少一个辊80将原材料68压实。所述方法进一步包含将已压实的原材料68引导至破碎机96。另外地，所述方法包含将已压实的原材料68引导至制粒机104。进一步地，所述方法包含收集已压实并且暴露于破碎机96和制粒机104两者的原材料68作为芯材料前体116。所述方法还包含用过滤器构件124过滤芯材料前体116。
根据另一方面，过滤器构件124的孔径小于80μm，使得小于80μm的微粒128穿过过滤器构件124。
根据另一方面，留在过滤器构件124上的芯材料前体116的部分132表示用于绝缘结构10的芯材料46。芯材料46可以包含直径为80μm或更大的颗粒50。
根据另一方面，芯材料46的颗粒50的直径可以在80-1600μm的范围内。
根据另一方面，芯材料46的颗粒50的直径的范围可以为80-150μm。
根据另一方面，芯材料46沉积在绝缘结构10的腔42内。绝缘结构10的腔42可以由多个壁14限定。
根据另一方面，安置在腔42内的芯材料46的密度可以在大于350kg/m3至600kg/m3的范围内。
根据另一方面，产生绝缘结构10的方法包含排空绝缘结构10的腔42内的气体组分的至少一部分。
根据另一方面，产生绝缘结构10的方法包含将绝缘结构10的腔42相对于环境密封，使得来自环境的气体组分不会进入到腔42中。
根据另一方面，在排空绝缘结构10的腔42内的气体组分的至少一部分并且将绝缘结构10的腔42相对于环境密封，使得来自环境的气体组分不会进入到腔42中之后，腔42内的压力可以小于100帕斯卡。
根据另一方面，腔42内的芯材料46的热导率在1mW/mK至15mW/mK的范围内。
根据另一方面，产生绝缘结构10的方法包含将原材料68引导至螺旋进料器92。螺旋进料器92将原材料68朝至少一个辊80引导。
根据另一方面，芯材料46包含选自以下的至少一种组分：气相二氧化硅、碳黑、珍珠岩、碳化硅、玻璃纤维和玻璃微球。
根据另一方面，绝缘结构10包含多个壁14。腔42由多个壁14限定。芯材料46安置在腔42内。芯材料46包含直径在80-1600μm的范围内的颗粒50。芯材料46在腔42内安置为密度在大于350kg/m3至600kg/m3的范围内。
根据另一方面，腔42内的芯材料46的热导率在1mW/mK至15mW/mK的范围内。
根据另一方面，芯材料46的颗粒50的直径可以在80-200μm的范围内。
根据另一方面，芯材料46的颗粒50的直径可以在80-150μm的范围内。
根据另一方面，芯材料46的密度可以在450kg/m3至600kg/m3的范围内。
根据另一方面，当完全组装时，绝缘结构10的腔42内的压力可以小于100帕斯卡。
根据另一方面，芯材料46可以包含选自以下的至少一种组分：气相二氧化硅、碳黑、珍珠岩、碳化硅、玻璃纤维和玻璃微球。
本领域的普通技术人员应理解，所描述的本公开和其它组件的构造不限于任何特定材料。除非本文另有描述，否则本文所公开的公开的其它示例性实施例可以由多种材料形成。
出于本公开的目的，术语“联接(coupled)”(呈其所有形式，联接(couple/coupling/coupled)等)通常意指两个组件(电气的或机械的)直接或间接彼此连接。这种连接本质上可以是固定的或本质上是可移动的。这种连接可以通过两个组件(电的或机械的)以及任何另外的中间构件彼此或与两个组件一体地形成为单个整体而实现。除非另有说明，否则这种连接本质上可以是永久的或者本质上可以是可移动的或可释放的。
同样重要的是，应注意，如示例性实施例中所示的本公开的元件的构造和布置仅是说明性的。虽然在本公开中仅已详细描述了本发明创新的几个实施例，但审阅本公开的本领域的技术人员将容易理解，在实质上不脱离所叙述的主题的新颖教导和优点的情况下，许多修改是可能的(例如，各种元件的大小、尺寸、结构、形状和比例、参数值、安装布置、材料的使用、颜色、定向等的变化)。例如，示出为一体地形成的元件可以由多个部分构成，或者示出为多个部分的元件可以一体地形成，接口的操作可以相反或以其它方式变化，系统的结构和/或构件或连接器或其它元件的长度或宽度可以变化，在元件之间提供的调节位置的性质或数量可以变化。应当注意，系统的元件和/或组合件可以由提供足够强度或耐久性的多种材料中的任何材料以多种颜色、纹理和组合中的任一种构成。因此，所有这种修改旨在被包含在本发明创新的范围内。在不脱离本发明创新的精神的情况下，可以在期望的和其它的示范性实施例的设计、操作条件和布置方面作出其它替代、修改、改变和省略。
应当理解，任何描述的过程或描述的过程内的步骤可以与其它公开的过程或步骤组合，以形成本公开的范围内的结构。本文所公开的示例性结构和过程是出于说明性目的的并且不应被解释为限制性的。

Claims (20)

1.一种产生绝缘结构的方法，所述方法包括：
将原材料引入到进料斗中；
用至少一个辊将所述原材料压实；
将已压实的所述原材料引导至破碎机；
将已压实的所述原材料引导至制粒机；
收集已压实并且暴露于所述破碎机和所述制粒机两者的所述原材料作为芯材料前体；以及
用过滤器构件过滤所述芯材料前体。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述过滤器构件包括小于80μm的孔径，使得小于80μm的颗粒穿过所述过滤器构件。
3.根据权利要求2所述的方法，其中保留在所述过滤器构件上的所述芯材料前体的一部分表示用于所述绝缘结构的芯材料，并且其中所述芯材料包括直径为80μm或更大的颗粒。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述芯材料的所述颗粒的所述直径在80-1600μm的范围内。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述芯材料的所述颗粒的所述直径的所述范围为80-150μm。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其进一步包括：
将所述芯材料沉积在所述绝缘结构的腔内，其中所述绝缘结构的所述腔由多个壁限定。
7.根据权利要求6所述的方法，其中安置在所述腔内的所述芯材料包括在大于350kg/m3至600kg/m3的范围内的密度。
8.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括：
排空所述绝缘结构的所述腔内的气体组分的至少一部分。
9.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：
将所述绝缘结构的所述腔相对于环境密封，使得来自所述环境的气体组分不会进入到所述腔中。
10.根据权利要求8或9中任一项所述的方法，其中在排空所述绝缘结构的所述腔内的气体组分的至少一部分以及将所述绝缘结构的所述腔相对于环境密封，使得来自所述环境的气体组分不会进入到所述腔中的步骤之后，所述腔内的压力小于100帕斯卡。
11.根据权利要求8或9中任一项所述的方法，其中所述腔内的所述芯材料的热导率在1mW/mK至15mW/mK的范围内。
12.根据权利要求1至5或7至9中任一项所述的方法，其进一步包括：
将所述原材料引导至螺旋进料器，其中所述螺旋进料器将所述原材料朝所述至少一个辊引导。
13.根据权利要求1至5或7至9中任一项所述的方法，其中所述芯材料前体包括选自以下的至少一种组分：气相二氧化硅、碳黑、珍珠岩、碳化硅、玻璃纤维和玻璃微球。
14.一种绝缘结构，其包括：
多个壁；
腔，所述腔由所述多个壁限定；
芯材料，所述芯材料安置在所述腔内，其中所述芯材料包括直径在80-1600μm的范围内的颗粒，并且其中安置在所述腔内的所述芯材料包括在大于350kg/m3至600kg/m3的范围内的密度。
15.根据权利要求14所述的绝缘结构，其中所述腔内的所述芯材料的热导率在1mW/mK至15mW/mK的范围内。
16.根据权利要求14所述的绝缘结构，其中所述芯材料的所述颗粒的所述直径的所述范围为80-200μm。
17.根据权利要求14所述的绝缘结构，其中所述芯材料的所述颗粒的所述直径的所述范围为80-150μm。
18.根据权利要求14至17中任一项所述的绝缘结构，其中所述芯材料的所述密度的所述范围为450kg/m3至600kg/m3。
19.根据权利要求14至17中任一项所述的绝缘结构，其中当完全组装时，所述腔内的压力小于100帕斯卡。
20.根据权利要求14至17中任一项所述的绝缘结构，其中所述芯材料包括选自以下的至少一种组分：气相二氧化硅、碳黑、珍珠岩、碳化硅、玻璃纤维和玻璃微球。
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