CN116210364A

CN116210364A - 显示基板、显示装置及显示基板的制备方法

Info

Publication number: CN116210364A
Application number: CN202180002783.5A
Authority: CN
Inventors: 姚阳; 张陶然; 刘畅畅; 周炟; 莫再隆
Original assignee: BOE Technology Group Co Ltd; Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Current assignee: BOE Technology Group Co Ltd; Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date: 2021-09-30
Filing date: 2021-09-30
Publication date: 2023-06-02
Also published as: WO2023050304A1

Abstract

显示基板、显示装置及显示基板的制备方法，所述显示基板包括设于基底上的发光元件，以及设于发光元件的远离基底一侧的封装结构层；所述封装结构层包括沿远离所述基底的方向依次叠设的第一无机结构层、有机层和第二无机结构层；所述第一无机结构层的折射率在沿远离所述基底的方向逐渐减小，或者，所述第一无机结构层的折射率在沿远离所述基底的方向先逐渐增大后逐渐减小；所述第一无机结构层的折射率变化范围为1.51至1.74，所述第二无机结构层的折射率大于1.74；所述第一无机结构层的厚度为0.99μm至1.21μm。

Description

显示基板、显示装置及显示基板的制备方法

技术领域

本公开实施例涉及但不限于显示技术领域，具体涉及一种显示基板、显示装置及显示基板的制备方法。

背景技术

有源矩阵有机发光二极管(简称AMOLED)由于具有自发光、高对比度、广视角、高色域、响应速度快、低功耗等优点，而广泛应用于具有高分辨率彩色屏幕的终端显示产品。但是，一些AMOLED显示模组存在四周发红和色偏的问题，影响显示效果。

发明内容

以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本公开实施例提供一种显示基板，包括依次叠设于基底上的驱动电路层、发光结构层和封装结构层；所述驱动电路层包括像素驱动电路，所述发光结构层包括与所述像素驱动电路连接的发光元件，所述发光元件包括沿远离所述基底的方向依次叠设的阳极、有机功能层和阴极；所述封装结构层包括沿远离所述基底的方向依次叠设的第一无机结构层、有机层和第二无机结构层；所述第一无机结构层的折射率在沿远离所述基底的方向逐渐减小，或者，所述第一无机结构层的折射率在沿远离所述基底的方向先逐渐增大后逐渐减小；所述第一无机结构层的折射率变化范围为1.51至1.74，所述第二无机结构层的折射率大于1.74；所述第一无机结构层的厚度为0.99μm至1.21μm。

本公开实施例还提供一种显示装置，包括所述的显示基板。

本公开实施例还提供一种显示基板的制备方法，包括：

在基底上形成驱动电路层，所述驱动电路层包括像素驱动电路；

在所述驱动电路层的背离所述基底一侧形成发光结构层；其中，所述发光结构层包括与所述像素驱动电路连接的发光元件，所述发光元件包括沿远离所述基底的方向依次叠设的阳极、有机功能层和阴极；

在所述发光结构层的背离所述基底一侧形成封装结构层；其中，所述封装结构层包括沿远离所述基底的方向依次叠设的第一无机结构层、有机层和第二无机结构层；所述第一无机结构层的折射率在沿远离所述基底的方向逐渐减小，或者，所述第一无机结构层的折射率在沿远离所述基底的方向先逐渐增大后逐渐减小；所述第一无机结构层的折射率变化范围为1.51至1.74，所述第二无机结构层的折射率大于1.74；所述第一无机结构层的厚度为0.99μm至1.21μm。

在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。

附图说明

附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。附图中部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。

图1为一些示例性实施例的显示基板的膜层结构示意图；

图2为在一些示例性实施例中图1的显示基板的剖面结构示意图；

图3为一些技术中不同厚度的第一无机层对不同波长光的透过率的变化曲线图；

图4a为一些技术的显示基板中红光和绿光通过封装结构层的光路示意图；

图4b为一些示例性实施例的显示基板中红光和绿光通过封装结构层的光路示意图；

图5a为五种不同厚度的覆盖层对红光的亮度随视角变化的衰减变化图；

图5b为覆盖层厚度为

时对红光、绿光和蓝光的亮度随视角变化的衰减变化图；

图5c为覆盖层厚度为

时对红光、绿光和蓝光的亮度随视角变化的衰减变化图；

图6为覆盖层为五种不同厚度的情况下JNCD随视角变化的变化曲线图；

图7为一些示例性实施例的显示基板的平面结构示意图。

具体实施方式

本领域的普通技术人员应当理解，可以对本公开实施例的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本公开实施例技术方案的精神和范围，均应涵盖在本公开的权利要求范围当中。

本公开实施例提供一种显示基板，在一些示例性实施例中，如图1和图2所示，图1为一些示例性实施例的显示基板的膜层结构示意图，图2为在一些示例性实施例中图1的显示基板的剖面结构示意图，所述显示基板包括依次叠设于基底101上的驱动电路层102、发光结构层103和封装结构层104；所述驱动电路层102包括像素驱动电路，所述发光结构层103包括与所述像素驱动电路连接的发光元件310，所述发光元件310包括沿远离所述基底101的方向依次叠设的阳极301、有机功能层和阴极309；所述封装结构层104包括沿远离所述基底101的方向依次叠设的第一无机结构层401、有机层403和第二无机结构层402；所述第一无机结构层401的折射率在沿远离所述基底101的方向逐渐减小，或者，所述第一无机结构层401的折射率在沿远离所述基底101的方向先逐渐增大后逐渐减小；所述第一无机结构层401的折射率变化范围为1.51至1.74，所述第二无机结构层402的折射率大于1.74；所述第一无机结构层401的厚度为0.99μm至1.21μm。

本公开实施例的显示基板，将第一无机结构层401的折射率设置为沿远离所述基底101的方向逐渐减小，或者在沿远离所述基底101的方向先逐渐增大后逐渐减小，并将第一无机结构层401的折射率变化范围设置为1.51至1.74，第二无机结构层402的折射率设置为大于1.74，这样，一方面有利于提高显示基板的出光效率及正视角亮度，另一方面，通过将第一无机结构层401的厚度设置为0.99μm至1.21μm，有利于将显示基板的绿色子像素射出的绿光的出射方向向正视方向偏移，改善正视角度下显示基板四周发红的现象，提高显示效果。

在一些示例性实施例中，如图2所示，所述第一无机结构层401包括沿远离所述基底101的方向依次叠设的第一子无机层4011和第二子无机层4012，所述第一子无机层4011的折射率可以为1.68至1.74，所述第二子无机层4012的折射率可以为1.57至1.68。示例性地，所述第一无机结构层401的材料可以为氮氧化硅，可以通过调节形成第一子无机层4011和第二子无机层4012的氮氧化硅中氮与氧的比例来调节第一子无机层4011和第二子无机层4012的折射率。

在一些示例性实施例中，如图2所示，所述第一无机结构层401的材料可以为氮氧化硅；所述第一子无机层4011的厚度可以为0.8μm至1.15μm，所述第二子无机层4012的厚度可以为0.06μm至0.19μm。本实施例的一个示例中，所述第一子无机层4011的厚度为1μm，所述第二子无机层4012的厚度为0.1μm。如此，可以提高绿光的透过率，改善正视角度下显示基板四周发红的现象，提高显示效果。

一些技术中，显示基板的封装结构层包括沿远离基底的方向依次叠设的第一无机层、有机层和第二无机层，其中，第一无机层的厚度大约为1μm

显示模组的中间经过伽马(Gamma)校正成白色后，存在正视角度下四周偏红现象。经本公开的发明人研究发现，封装结构层的第一无机层相当于一个小微腔，对光存在反射、折射和吸收，1μm厚度的第一无机层对绿光的透过率为92％，对红光的透过率为95％，因此，为了改善正视角度下显示模组四周偏红现象，考虑增加第一无机层对绿光的透过率。通过验证不同厚度的第一无机层对不同波长光的透过率影响发现，第一无机层对不同波长光的透过率随波长的增大呈周期性变化，不同厚度的第一无机层对不同波长光的透过率的周期性变化不同，如图3所示，图3为一些技术中不同厚度

的第一无机层对不同波长光的透过率的变化曲线图，图3中横坐标代表波长，单位是纳米(nm)，纵坐标代表光透过率。根据图3的验证结果，考虑将第一无机层的厚度增加0.1μm，使第一无机层的厚度为1.1μm，使绿光的透过率增加到95％，红光的透过率仍为95％，以改善正视角度下显示基板四周发红的现象。考虑到工艺误差，决定将第一无机层的厚度设计为0.99μm至1.21μm，即本公开实施例中第一无机结构层401的厚度设置为0.99μm至1.21μm。此外，本公开的发明人还发现，在显示模组的四周边缘位置，红光和绿光在依次经过封装结构层的第一无机层401’、有机层403’和第二无机层402’射出后，红光的出射方向与绿光的出射方向均偏离正视方向，如图4a所示，图4a为一些技术的显示基板中红光和绿光通过封装结构层的光路示意图。为了改善正视角度下显示模组四周偏红现象，因此考虑调节第一无机层401’的折射率来使绿光的出射方向向正视方向偏移，增大显示模组四周边缘位置绿光出射的占比。综合考虑上述第一无机层401’的厚度和折射率两个因素的影响后，本公开实施例中，将封装结构层104的第一无机结构层401的厚度设置为0.99μm至1.21μm，并将第一无机结构层401的折射率设置为沿远离所述基底101的方向逐渐减小，或者在沿远离所述基底101的方向先逐渐增大后逐渐减小，并将第一无机结构层401的折射率变化范围设置为1.51至1.74，由此可以增加绿光透过封装结构层104的透过率，并可以使绿光的出射方向向正视方向偏移(如图4b所示，图4b为一些示例性实施例的显示基板中红光和绿光通过封装结构层的光路示意图)，增大显示模组四周边缘位置绿光出射的占比，从而可以改善正视角度下显示模组四周偏红现象，提高显示效果。

在一些示例性实施例中，所述第一无机结构层401还可以包括设置在所述第一子无机层4011的朝向所述基底101一侧的第三子无机层，所述第三子无机层的折射率可以为1.51至1.72。这样，本实施例的第一无机结构层401的折射率在沿远离所述基底101的方向先增大后减小，有利于提高显示基板的出光效率及正视角亮度。本公开实施例对第一无机结构层401的膜层数量可以不做限制，在其他实施方式中，第一无机结构层401的膜层数量可以为三个以上，第一无机结构层401内单个膜层的厚度可以为0.05μm。

在一些示例性实施例中，如图2所示，所述第二无机结构层402的折射率可以为1.74至1.88。示例性地，所述第二无机结构层402的折射率可以为1.82至1.84，比如为1.83；或者，所述第二无机结构层402的折射率在沿远离所述基底101的方向可以逐渐增大。

在一些示例性实施例中，如图2所示，所述第二无机结构层402的材料可以为氮化硅，所述第二无机结构层402的厚度可以为0.55μm至0.85μm。

在一些示例性实施例中，如图2所示，所述有机层403的厚度可以为7.2μm至12.5μm。有机层403可以采用喷墨打印工艺制备，喷墨打印过程中可以通过调节形成有机层403的材料的流平速度，提高喷墨打印质量，减少混色等颜色类不良发生率。所述有机层403的折射率可以为1.1至1.3。

在一些示例性实施例中，如图1和图2所示，所述显示基板还可以包括设于所述阴极309的背离所述基底101的表面上的覆盖层(CPL)105，所述覆盖层105的厚度可以为

至

示例性地，所述覆盖层105的厚度可以为

至

比如

所述封装结构层104设置在所述覆盖层105的背离所述基底101一侧。本实施例中覆盖层105的厚度设置为

至

这样，可以改善显示基板的色偏现象。所述覆盖层105可以采用无机或有机材料制成，所述覆盖层105的折射率可以为1.1至1.2。

为改善正视角度下显示基板四周发红的现象，封装结构层104设置为可以将绿光的出射方向向正视方向偏移，这样，在偏离正视方向的视角下，绿光的亮度将会减小，可能会造成显示基板在偏离正视方向的视角下画面偏红的现象。本公开的发明人验证了不同厚度的覆盖层105对不同颜色光的亮度随视角变化的衰减情况并发现，不同厚度的覆盖层105对红光的亮度随视角变化的衰减快慢不同，同一厚度的覆盖层105对不同颜色光的亮度随视角变化的衰减快慢不同。如图5a、图5b和图5c所示，图5a为五种不同厚度的覆盖层105对红光的亮度随视角变化的衰减变化图，图5b为覆盖层105厚度为

时对红光、绿光和蓝光的亮度随视角变化的衰减变化图，图5c为覆盖层105厚度为

时对红光、绿光和蓝光的亮度随视角变化的衰减变化图。如图5a所示，验证了覆盖层105厚度分别为

时对红光的亮度随视角变化的衰减情况，可以看出不同厚度的覆盖层105对红光的亮度随视角变化的衰减快慢不同，覆盖层105厚度越厚，红光的亮度衰减越快；如图5b所示，覆盖层105厚度为

时，红光的亮度衰减最慢，绿光次之，蓝光亮度衰减最快，在偏离正视方向的视角下显示基板的画面偏粉色；如图5c所示，覆盖层105厚度为

时，绿光亮度衰减最慢，红光和蓝光亮度衰减比绿光亮度衰减稍快，在偏离正视方向的视角下显示基板的画面偏青色。此外，本公开的发明人验证了覆盖层105厚度不同时色彩偏移值(JNCD)随视角变化的变化情况，如图6所示，图6为覆盖层105为五种不同厚度的情况下JNCD随视角变化的变化曲线图，横坐标为视角的度数，纵坐标为JNCD值，可以看出，覆盖层105厚度为

时，JNCD值随视角变化呈现不均匀增大及跳动的现象；覆盖层105厚度为

时，JNCD值随视角增大呈逐渐增大趋势，其中，覆盖层105厚度为

时JNCD值随视角增大变化最为缓慢均匀。综合上述验证结果，本实施例中，将覆盖层105的厚度设置为

至

可以改善显示基板的色偏现象，提高显示效果。

在一些示例性实施例中，如图1和图2所示，所述显示基板还可以包括设于所述覆盖层105的背离所述基底101的表面上的保护层106，所述封装结构层104设于所述保护层106的背离所述基底101的表面上；所述保护层106的材料可以为LiF，所述保护层106的厚度可以为

至

示例性地，所述保护层106的厚度可以为

至

比如

所述保护层106可以起到保护覆盖层105的作用，并可以起到吸水作用。所述保护层106的折射率可以为1.1至1.3。

在一些示例性实施例中，如图7所示，图7为一些示例性实施例的显示基板的平面结构示意图，所述显示基板包括显示区域100和位于所述显示区域100外围的非显示区域，所述第一无机结构层401、所述有机层403和所述第二无机结构层402的周向边缘均位于所述非显示区域。所述第二无机结构层402在所述基底101上的正投影包含所述第一无机结构层401在所述基底101上的正投影，所述第一无机结构层401在所述基底101上的正投影包含所述有机层403在所述基底101上的正投影。这样，封装结构层104可以更有效地防止外界水氧侵入显示基板内部，保护发光元件。

本实施例的一个示例中，如图7所示，所述非显示区域可以包括隔离坝201，所述隔离坝201设置在所述有机层403的远离所述显示区域100的一侧，所述第一无机结构层401和所述第二无机结构层402的周向边缘设置在所述隔离坝201的远离所述显示区域100的一侧。所述隔离坝201可以设置为一个或多个，图7的示例中设置了两个隔离坝201。所述有机层403可以采用喷墨打印工艺形成，在形成有机层403过程中所述隔离坝201可以阻挡形成所述有机层403的油墨溢流。一些实施方式中，所述隔离坝可以形成在低电压电源线(VSS)上。

本实施例的一个示例中，如图7所示，所述非显示区域可以包括栅极驱动电路(GOA)，所述有机层403在所述基底上的正投影包含所述栅极驱动电路在所述基底上的正投影。

在一些示例性实施例中，如图2所示，所述显示基板包括显示区域，所述显示区域包括红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B，每个子像素包括一个发光元件310，所述发光元件310可以为有机电致发光二极管(即OLED器件)；所述红色子像素R的OLED器件中位于阳极301和阴极309之间的所有膜层的总厚度可以为

至

所述绿色子像素G的OLED器件中位于阳极301和阴极309之间的所有膜层的总厚度可以为

至

所述蓝色子像素B的OLED器件中位于阳极301和阴极309之间的所有膜层的总厚度可以为

至

本实施例中，红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的OLED器件中位于阳极301和阴极309之间的所有膜层的总厚度设置成上述厚度，这样，在OLED器件的阳极301和阴极309之间形成光学微腔结构时，可以利用微腔效应对OLED器件的发光层的发光光谱进行窄化，并可以加强目标波长的光的发光强度，有利于提高OLED器件的发光颜色纯度和强度。

在一些示例性实施例中，如图2所示，图2示意了三个子像素，分别为红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B。以红色子像素R为例，所述发光元件(示例性地为OLED器件)310包括沿远离所述基底101的方向依次叠设的阳极301、发光层3051和阴极309，所述有机功能层包括发光层3051。所述阳极301和所述发光层3051之间还可以设置有以下任一个或多个膜层：空穴注入层302、空穴传输层303、电子阻挡层3041；所述发光层3051和所述阴极309之间还可以设置有以下任一个或多个膜层：空穴阻挡层306、电子传输层307、电子注入层308；所述显示区域内以下任意一个膜层可以连接为一体结构且覆盖所述显示区域：空穴注入层302、空穴传输层303、空穴阻挡层306、电子传输层307、电子注入层308和阴极309。即，所述显示区域内所有子像素的空穴注入层302可以连接为一体结构且覆盖所述显示区域，空穴注入层302可以称为共通层，同样地，空穴传输层303、空穴阻挡层306、电子传输层307、电子注入层308和阴极309可以均为共通层。发光元件310中位于阳极301和阴极309之间的所有膜层可称为有机功能层。

本实施例的一个示例中，如图2所示，所述显示区域内每个子像素的发光元件(示例性地为OLED器件)310均包括沿远离所述基底101的方向依次叠设的阳极301、空穴注入层302、空穴传输层303、电子阻挡层(图2的示例中红色子像素R的电子阻挡层为3041、绿色子像素G的电子阻挡层为3042、蓝色子像素B的电子阻挡层为3043)、发光层(图2的示例中红色子像素R的发光层为3051、绿色子像素G的发光层为3052、蓝色子像素B的发光层为3053)、空穴阻挡层306、电子传输层307、电子注入层308和阴极309。所述显示区域内每个子像素的OLED器件的发光层和电子阻挡层可以为所在子像素独有，可以不与其他子像素共用。不同颜色的子像素的发光层和电子阻挡层可以不同。在一些实施方式中，可以通过调节每种颜色子像素的OLED器件的独有膜层(比如发光层和电子阻挡层)的厚度，来调节OLED器件中位于阳极301和阴极309之间的所有膜层的总厚度(微腔长度)，以满足微腔干涉条件。

示例性地，所述空穴注入层302的厚度可以为

至

所述空穴注入层302的材料可以采用p型掺杂的空穴传输材料，掺杂比例可以为1％。比如，MoO ₃(三氧化钼)掺杂在TAPC(4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺])里形成的材料，即TAPC:MoO ₃。空穴注入层302的作用是降低空穴注入势垒，提高空穴注入效率。

示例性地，所述空穴传输层303的厚度可以为

至

所述空穴传输层303的材料和所述电子阻挡层的材料可以均包括含有苯胺、芳胺、咔唑、芴或螺芴等基团的空穴传输材料，例如：4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(NPB)、N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-[1,1’-联苯]-4,4’-二胺(TPD)、4-苯基-4’-(9-苯基芴-9-基)三苯基胺(BAFLP)、4,4’-双[N-(9,9-二甲基芴-2-基)-N-苯基氨基]联苯(DFLDPBi)、4,4’-二(9-咔唑基)联苯(CBP)、9-苯基-3-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(PCzPA)等。空穴传输层303的作用是提高空穴传输速率，还可以降低空穴注入势垒，提高空穴注入效率。

示例性地，所述空穴阻挡层306的厚度可以为

至

所述空穴阻挡层306的材料可以包括含有三嗪、亚嗪、咔唑或腈基等基团的电子传输材料，比如，BAlq(双(2-甲基-8-喹啉基)-4-(苯基苯酚)铝)。空穴阻挡层306可以阻挡发光层中的空穴、激子向阴极309所在侧迁移，提高发光效率。

示例性地，所述电子传输层307的厚度可以为

至

电子传输层307可以是电子传输材料和8-羟基喹啉锂(Liq)的混合膜，电子传输材料可以为含氮杂环类化合物，如Bphen(,7-二苯基-1,10-菲罗啉)、TPBi(1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)等。电子传输层307可以提高电子传输速率。

示例性地，所述电子注入层308的厚度可以为

至

电子注入层308的材料可以采用氟化锂(LiF)、镱(Yb)、镁(Mg)或钙(Ca)等材料。电子注入层308可以降低电子注入势垒，提高电子注入效率。

示例性地，所述红色子像素的OLED器件中的发光层3051的厚度为d1，所述绿色子像素的OLED器件中的发光层3052的厚度为d2，所述蓝色子像素的OLED器件中的发光层3053的厚度为d3，其中，d1>d2>d3。示例性地，

一些实施方式中，每种子像素的OLED器件中的发光层的材料可以均包括主体材料和掺杂材料。

示例性地，所述红色子像素的OLED器件中的电子阻挡层3041的厚度为D1，所述绿色子像素的OLED器件中的电子阻挡层3042的厚度为D2，所述蓝色子像素的OLED器件中的电子阻挡层3043的厚度为D3，其中，D1>D2>D3。示例性地，

示例性地，所述OLED器件的阳极301可以采用具有高功函数的材料。对于顶发射型OLED，阳极301可以采用高反射率的金属层和透明氧化物层的复合膜层结构，如Ag/ITO(银/氧化铟锡)、Ag/IZO(银/氧化铟锌)或者ITO/Ag/ITO等。本示例中，阳极301采用ITO/Ag/ITO，其中，三个膜层的厚度可以依次为

示例性地，所述OLED器件的阴极309材料可以采用镁(Mg)、银(Ag)或铝(Al)，或者合金材料，如Mg:Ag的合金。本示例中，阴极309材料采用Mg:Ag的合金，Mg与Ag的比例为9:1，阴极309的厚度可以为

至

所述阴极309可以通过蒸镀工艺形成。

本实施例中，显示基板的部分膜层参数可以如表1所示。

表1

本实施例的另一个示例中，所述阳极301采用ITO/Ag/ITO，其中，三个膜层的厚度可以依次为

所述空穴传输层303的厚度可以为

其余膜层厚度可以与前文实施例相同。本实施例中，显示基板的部分膜层参数可以如表2所示。

表2

表1和表2两个实施例的显示基板，改善了一些技术的显示基板在正视条件下四周发红的现象，以及色偏的现象，并且没有产生混色、暗线、亮线、暗点、亮点等不良。

在一些示例性实施例中，所述基底101可以是柔性基底，或者可以是刚性基底。柔性基底可以包括叠设的第一柔性材料层、第一无机材料层、粘结层、第二柔性材料层和第二无机材料层，第一柔性材料层和第二柔性材料层的材料可以采用聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料，第一无机材料层和第二无机材料层的材料可以采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等，用于提高基底的抗水氧能力，粘结层的材料可以采用非晶硅(a-si)。

在一些示例性实施方式中，如图2所示，所述驱动电路层102可以包括构成像素驱动电路的多个晶体管和存储电容，图2中以每个像素驱动电路包括一个驱动晶体管210和一个存储电容211为例进行示意。在一些实施方式中，所述驱动电路层102可以包括：设置在基底101上的第一绝缘层；设置在第一绝缘层上的有源层；覆盖有源层的第二绝缘层；设置在第二绝缘层上的栅电极和第一电容电极；覆盖栅电极和第一电容电极的第三绝缘层；设置在第三绝缘层上的第二电容电极；覆盖第二电容电极的第四绝缘层，第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层上开设有过孔，过孔暴露出有源层；设置在第四绝缘层上的源电极和漏电极，源电极和漏电极分别通过相应的过孔与有源层连接；覆盖前述结构的平坦层，平坦层上开设有过孔，过孔暴露出漏电极。有源层、栅电极、源电极和漏电极组成驱动晶体管210，第一电容电极和第二电容电极组成存储电容211。

在一些示例性实施方式中，如图2所示，发光结构层103可以包括阳极301、像素定义层510、阴极309，以及位于阳极301和阴极309之间的有机功能层，有机功能层至少包括发光层(图2的示例中红色子像素的发光层为3051、绿色子像素的发光层为3052、蓝色子像素的发光层为3053)，有机功能层还可以包括所述空穴注入层302、空穴传输层303、电子阻挡层(图2的示例中红色子像素的电子阻挡层为3041、绿色子像素的电子阻挡层为3042、蓝色子像素的电子阻挡层为3043)、空穴阻挡层306、电子传输层307和电子注入层308。阳极301设置在驱动电路层102的平坦层上，通过平坦层上开设的过孔与驱动晶体管210的漏电极连接。像素定义层510设置在阳极301的背离基底101的一侧，像素定义层510设有像素开口，像素定义层510将阳极301表面的靠近周向边缘的部分覆盖，像素开口将阳极301表面的其余部分暴露出，阳极301表面被像素开口暴露出的部分依次叠设有机功能层的多个膜层及阴极309。每个子像素的阳极301、有机功能层和阴极303形成OLED器件，配置为在相应的像素驱动电路的驱动下出射相应颜色的光线。发光结构层103还可以包括其它膜层，比如设置在像素定义层510上的隔垫柱等。

下面结合图2说明一些示例性实施例的显示基板的制备方法，在一些示例性实施方式中，显示基板的制备过程可以包括如下操作：

1)在基底101上形成驱动电路层102，所述驱动电路层102包括像素驱动电路。示例性地，如图2所示，驱动电路层102的制备过程可以包括：

在基底101上依次沉积第一绝缘薄膜和有源层薄膜，通过构图工艺对有源层薄膜进行构图，形成覆盖基底101的第一绝缘层，以及设置在第一绝缘层上的有源层图案，有源层图案至少包括每个子像素的有源层。

随后，依次沉积第二绝缘薄膜和第一金属薄膜，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成覆盖有源层图案的第二绝缘层，以及设置在第二绝缘层上的第一栅金属层图案，第一栅金属层图案至少包括每个子像素的栅电极和第一电容电极。

随后，依次沉积第三绝缘薄膜和第二金属薄膜，通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，形成覆盖第一栅金属层的第三绝缘层，以及设置在第三绝缘层上的第二栅金属层图案，第二栅金属层图案至少包括每个子像素的第二电容电极，第二电容电极的位置与第一电容电极的位置相对应。第一电容电极和第二电容电极组成存储电容211。

随后，沉积第四绝缘薄膜，通过构图工艺对第四绝缘薄膜进行构图，形成覆盖第二栅金属层的第四绝缘层图案，每个子像素的第四绝缘层上开设有至少两个过孔，两个过孔内的第四绝缘层、第三绝缘层和第二绝缘层被刻蚀掉，暴露出每个子像素的有源层的表面。

随后，沉积第三金属薄膜，通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图，在第四绝缘层上形成源漏金属层图案，源漏金属层至少包括每个子像素的源电极和漏电极，源电极和漏电极分别通过穿过第四绝缘层、第三绝缘层和第二绝缘层的两个过孔与有源层连接。

随后，在形成前述图案的基底101上涂覆有机材料的平坦薄膜，通过掩膜、曝光、显影等工序，在每个子像素的平坦薄膜上形成过孔，该过孔内的平坦薄膜被显影掉，暴露出漏电极的表面，从而形成覆盖基底101的平坦层(PLN)。

至此，在基底101上制备完成驱动电路层102，如图2所示。驱动电路层102中，有源层、栅电极、源电极和漏电极组成像素驱动电路的驱动晶体管210，第一电容电极和第二电容电极组成像素驱动电路的存储电容211。像素驱动电路对每个子像素的OLED器件的驱动可以采用有源矩阵驱动方式。

本示例中，第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或多种，可以是单层、多层或复合层。第一绝缘层可称为缓冲(Buffer)层，用于提高基底101的抗水氧能力，第二绝缘层和第三绝缘层可称为栅绝缘(GI)层，第四绝缘层可称为层间绝缘(ILD)层。第一金属薄膜、第二金属薄膜和第三金属薄膜可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等。有源层薄膜可以采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、氧化铟锌锡(IZTO)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩、聚噻吩等材料。

2)在所述驱动电路层102的远离所述基底101一侧形成阳极层，所述阳极层包括多个所述阳极301。示例性地，在形成前述图案的基底101上沉积阳极薄膜，通过构图工艺对阳极薄膜进行构图，形成包括多个阳极301的阳极层，阳极301形成在驱动电路层102的平坦层上，并通过平坦层上的过孔与驱动晶体管210的漏电极连接。

3)形成像素定义层510。在形成前述图案的基底101上涂覆像素定义薄膜，通过掩膜、曝光、显影等工序，形成具有像素开口的像素定义层510，其中，像素开口内的像素定义薄膜被显影掉，暴露出相应的阳极301表面，像素定义层510将阳极301表面的靠近周向边缘的部分覆盖。像素定义层510的材料可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等。随后，可以在像素定义层510上形成隔垫柱(PS)。

4)在所述阳极301的背离所述基底101的表面形成有机功能层和阴极309。在所述阳极301的背离所述基底101的表面依次形成空穴注入层302、空穴传输层303、电子阻挡层(包括红色子像素的电子阻挡层为3041、绿色子像素的电子阻挡层为3042、蓝色子像素的电子阻挡层为3043)、发光层(包括红色子像素的发光层为3051、绿色子像素的发光层为3052、蓝色子像素的发光层为3053)、空穴阻挡层306、电子传输层307、电子注入层308和阴极309。其中，本步骤的所有膜层可以均采用蒸镀工艺形成。至此，完成发光结构层103的制备。

5)在发光结构层103的背离所述基底101的表面依次形成覆盖层105和保护层106。

6)在保护层106的背离所述基底101的表面形成封装结构层104。示例性地，在保护层106的背离所述基底101的表面依次形成第一无机结构层401的第一子无机层4011和第二子无机层4012、有机层403和第二无机结构层402。其中，第一无机结构层401和第二无机结构层402可以均采用化学气相沉积法形成，有机层403可以采用喷墨打印工艺形成。封装结构层104可有效防止水氧侵入发光结构层103内，保护发光元件310。

基于上文内容，本公开实施例还提供一种显示基板的制备方法，包括：

本公开实施例还提供一种显示装置，包括前文任一实施例所述的显示基板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的实施方式并不一定限定于该尺寸，附图中每个部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了一些例子，本公开的实施方式不局限于附图所示的形状或数值。

在本文描述中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，包括85°以上且95°以下的角度的状态。

在本文描述中，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“内”、“外”、“轴向”、“四角”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开实施例的简化描述，而不是指示或暗示所指的结构具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。

在本文描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定连接”、“安装”、“装配”应做广义理解，例如，可以是固定连接，或是可拆卸连接，或一体地连接；术语“安装”、“连接”、“固定连接”可以是直接相连，或通过中间媒介间接相连，或是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据情况理解上述术语在本公开实施例中的含义。

Claims

一种显示基板，包括依次叠设于基底上的驱动电路层、发光结构层和封装结构层；所述驱动电路层包括像素驱动电路，所述发光结构层包括与所述像素驱动电路连接的发光元件，所述发光元件包括沿远离所述基底的方向依次叠设的阳极、有机功能层和阴极；

所述封装结构层包括沿远离所述基底的方向依次叠设的第一无机结构层、有机层和第二无机结构层；所述第一无机结构层的折射率在沿远离所述基底的方向逐渐减小，或者，所述第一无机结构层的折射率在沿远离所述基底的方向先逐渐增大后逐渐减小；所述第一无机结构层的折射率变化范围为1.51至1.74，所述第二无机结构层的折射率大于1.74；所述第一无机结构层的厚度为0.99μm至1.21μm。
如权利要求1所述的显示基板，其中：所述第一无机结构层包括沿远离所述基底的方向依次叠设的第一子无机层和第二子无机层，所述第一子无机层的折射率为1.68至1.74，所述第二子无机层的折射率为1.57至1.68。
如权利要求2所述的显示基板，其中：所述第一无机结构层的材料为氮氧化硅；所述第一子无机层的厚度为0.8μm至1.15μm，所述第二子无机层的厚度为0.06μm至0.19μm。
如权利要求2所述的显示基板，其中：所述第一无机结构层还包括设置在所述第一子无机层的朝向所述基底一侧的第三子无机层，所述第三子无机层的折射率为1.51至1.72。
如权利要求1至4任一项所述的显示基板，其中：所述第二无机结构层的折射率为1.74至1.88。
如权利要求5所述的显示基板，其中：所述第二无机结构层的材料为氮化硅，所述第二无机结构层的厚度为0.55μm至0.85μm。
如权利要求5所述的显示基板，其中：所述第二无机结构层的折射率为1.82至1.84，或者，所述第二无机结构层的折射率在沿远离所述基底的方向逐渐增大。
如权利要求1至4任一项所述的显示基板，其中：所述有机层的厚度为7.2μm至12.5μm。
如权利要求1至4任一项所述的显示基板，还包括设于所述阴极的背离所述基底的表面上的覆盖层，所述覆盖层的厚度为
至
所述封装结构层设置在所述覆盖层的背离所述基底一侧。
如权利要求9所述的显示基板，还包括设于所述覆盖层的背离所述基底的表面上的保护层，所述封装结构层设于所述保护层的背离所述基底的表面上；所述保护层的材料为LiF，所述保护层的厚度为
至
如权利要求1至4任一项所述的显示基板，包括显示区域，所述显示区域包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，所述发光元件为有机电致发光二极管；

所述红色子像素的所述发光元件中位于阳极和阴极之间的所有膜层的总厚度为
至

所述绿色子像素的所述发光元件中位于阳极和阴极之间的所有膜层的总厚度为
至

所述蓝色子像素的所述发光元件中位于阳极和阴极之间的所有膜层的总厚度为
至
如权利要求11所述的显示基板，其中：所述有机功能层包括发光层；所述阳极和所述发光层之间还设置有以下任一个或多个膜层：空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层；所述发光层和所述阴极之间还设置有以下任一个或多个膜层：空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层；

所述显示区域内以下任意一个膜层连接为一体结构且覆盖所述显示区域：空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极。
如权利要求12所述的显示基板，其中：所述红色子像素的所述发光元件中的发光层的厚度为d1，所述绿色子像素的所述发光元件中的发光层的厚度为d2，所述蓝色子像素的所述发光元件中的发光层的厚度为d3，其中，d1>d2>d3。
如权利要求12所述的显示基板，其中：所述红色子像素的所述发光元件中的电子阻挡层的厚度为D1，所述绿色子像素的所述发光元件中的电子阻挡层的厚度为D2，所述蓝色子像素的所述发光元件中的电子阻挡层的厚度为D3，其中，D1>D2>D3。
如权利要求1所述的显示基板，包括显示区域和位于所述显示区域外围的非显示区域，所述第一无机结构层、所述有机层和所述第二无机结构层的周向边缘均位于所述非显示区域；

所述第二无机结构层在所述基底上的正投影包含所述第一无机结构层在所述基底上的正投影，所述第一无机结构层在所述基底上的正投影包含所述有机层在所述基底上的正投影。
如权利要求15所述的显示基板，其中：所述非显示区域包括隔离坝，所述隔离坝设置在所述有机层的远离所述显示区域的一侧，所述第一无机结构层和所述第二无机结构层的周向边缘设置在所述隔离坝的远离所述显示区域的一侧。
如权利要求15所述的显示基板，其中：所述非显示区域包括栅极驱动电路，所述有机层在所述基底上的正投影包含所述栅极驱动电路在所述基底上的正投影。
一种显示装置，包括权利要求1至17任一项所述的显示基板。
一种显示基板的制备方法，包括：

在基底上形成驱动电路层，所述驱动电路层包括像素驱动电路；

在所述驱动电路层的背离所述基底一侧形成发光结构层；其中，所述发光结构层包括与所述像素驱动电路连接的发光元件，所述发光元件包括沿远离所述基底的方向依次叠设的阳极、有机功能层和阴极；

在所述发光结构层的背离所述基底一侧形成封装结构层；其中，所述封装结构层包括沿远离所述基底的方向依次叠设的第一无机结构层、有机层和第二无机结构层；所述第一无机结构层的折射率在沿远离所述基底的方向逐渐减小，或者，所述第一无机结构层的折射率在沿远离所述基底的方向先逐渐增大后逐渐减小；所述第一无机结构层的折射率变化范围为1.51至1.74，所述第二无机结构层的折射率大于1.74；所述第一无机结构层的厚度为0.99μm至1.21μm。
如权利要求19所述的显示基板的制备方法，其中，所述形成封装结构层的过程中，所述第一无机结构层和所述第二无机结构层均采用化学气相沉积法形成。