CN116193891A

CN116193891A - 一种发光器件、显示装置

Info

Publication number: CN116193891A
Application number: CN202310328834.4A
Authority: CN
Inventors: 王斯琦
Original assignee: BOE Technology Group Co Ltd
Current assignee: BOE Technology Group Co Ltd
Priority date: 2023-03-30
Filing date: 2023-03-30
Publication date: 2023-05-30

Abstract

本发明提供了一种发光器件、显示装置，涉及显示技术领域。该发光器件包括：第一电极和第二电极；至少一个发光层，位于所述第一电极和所述第二电极之间；所述发光层包括至少一种主体材料和至少一种第二组分，所述主体材料包括第一化合物，所述第二组分包括第二化合物；所述第一化合物和所述第二化合物具有第一基团；所述第一基团的结构包括

其中，0.1eV≤T1(第一化合物)‑T1(第二化合物)≤0.5eV，T1为第一三线态能级。本发明提供了一种发光器件，该发光器件的发光效率高，发光层质量高，发光器件的寿命长。

Description

一种发光器件、显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光器件、显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)具有低功耗、高效率、自发光和响应速度快等优点。

OLED发光器件的发光材料一般采用荧光材料或磷光材料，由于磷光材料的内量子效率一般高于荧光材料的内量子效率，因此以磷光发光机制为主的OLED发光器件近来备受瞩目。

相关技术中，红色磷光发光器件和绿色磷光发光器件的效率和寿命可以基本满足商业需求，但是蓝色磷光发光器件的发光效率较低并且寿命较短，应用成本较高。

发明内容

本发明的实施例提供一种发光器件、显示装置，该发光器件的发光效率较高、寿命较长。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

第一方面，提供了一种发光器件，该发光器件包括：

第一电极和第二电极；

至少一个发光层，位于所述第一电极和所述第二电极之间；

所述发光层包括至少一种主体材料和至少一种第二组分，所述主体材料包括第一化合物，所述第二组分包括第二化合物；

所述第一化合物和所述第二化合物具有第一基团；

所述第一基团的结构包括

其中，a表示Z1的数目，b表示Z2的数目，c表示Z3的数目；a、b和c分别独立的选自0或1；

Z1、Z2和Z3分别包括硼、磷、氮、取代或未取代的次甲基和取代或未取代的次硅基中的其中一种；

(Z1)_a、(Z2)_b和(Z3)_c包括的氮原子总数小于或等于2个；

Y包括碳或硅；

Cy包括取代或未取代的C5至C30的芳族基团、以及取代或未取代的C5至C40的杂芳族基团中的其中一种；

其中，0.1eV≤T1(第一化合物)-T1(第二化合物)≤0.5eV，T1为第一三线态能级。

可选的，所述第一化合物还包括第二基团，所述第二基团和所述第一基团链接；

所述第二基团的结构包括取代或未取代的

其中，d表示L1的数目，d选自0或1；L1包括取代或未取代的C6至C60的亚芳基中的其中一种；

L2和L3分别包括取代或未取代的C1至C40的烷基、以及取代或未取代的C6至C60的芳基中的其中一种。

可选的，结构

包括

结构

包括/>

其中，(Ra1)_n表示具有n个相同或不同的Ra1取代基，(Ra2)_n表示具有n个相同或不同的Ra2取代基，(Ra3)_n表示具有n个相同或不同的Ra3取代基，(Ra4)_n表示具有n个相同或不同的Ra4取代基，(Ra5)_n表示具有n个相同或不同的Ra5取代基，(Ra6)_n表示具有n个相同或不同的Ra6取代基，(Ra7)_n表示具有n个相同或不同的Ra7取代基，(Ra8)_n表示具有n个相同或不同的Ra8取代基；

(Ra1)_n、(Ra2)_n、(Ra3)_n和(Ra4)_n中的n分别选自0、1、2、3、4和5中的其中一个；(Ra5)_n、(Ra6)_n、(Ra7)_n和(Ra8)_n中的n分别选自0、1、2、3和4中的其中一个；

Ra1、Ra2、Ra3、Ra4、Ra5、Ra6、Ra7和Ra8分别包括氘，卤素，羟基，硝基，腈基，取代或未取代的氨基，取代或未取代的羧基，取代或未取代的硅基，取代或未取代的硼烷基，取代或未取代的醛基，取代或未取代的磷羟基，取代或未取代的磷烷基，取代或未取代的次磺酸基，取代或未取代的亚磺酸基、取代或未取代的磺酸基，取代或未取代的C1至C40的直链的烷基、烷氧基、硫代烷氧基，取代或未取代的C3至C20的支链亚烷基、支链亚烷氧基、支链亚硫代烷氧基，以及取代或未取代的C3至C20的环亚烷基、环亚烷氧基、环亚硫代烷氧基中的其中一个。

可选的，所述第二化合物的结构包括：

其中，M包括铂或钯；R1、R2、R3和R4中的其中至少一个包括取代或未取代的所述第一基团；

R1、R2、R3和R4分别包括取代或未取代的所述第一基团、芳基、环烷基、环烯基、杂芳基、杂环基、卡宾和n-杂环卡宾中的其中一个；

A1、A2、A3和A4与M形成配位键或共价键，A1、A2、A3和A4分别包括碳、氮、氧、硫、硼、磷和硅中的其中一个；

其中，e表示X1的数目，f表示X2的数目，g表示X3的数目；e、f和g分别独立的选自0或1；

X1、X2或X3分别包括氧，硫，亚硫氧基，羰基，取代或未取代的亚氨基、亚甲基、亚磷烷基、亚硅基、亚硼烷基，取代或未取代的C1至C40的直链的亚烷基、亚烷氧基、亚硫代烷氧基，取代或未取代的C2至C40的亚烯基、亚炔基，取代或未取代的C3至C20的支链亚烷基、支链亚烷氧基、支链亚硫代烷氧基，取代或未取代的C3至C20的环亚烷基、环亚烷氧基、环亚硫代烷氧基，取代或未取代的C5至C60的亚芳基，以及取代或未取代的C5至C60的亚杂芳基中的其中一种。

可选的，所述第二组分包括客体材料，所述客体材料包括所述第二化合物，所述第二化合物属于磷光材料。

可选的，所述发光层还包括至少一种第三组分；

所述第二组分包括敏化剂，所述第三组分包括客体材料；

所述敏化剂包括所述第二化合物，所述客体材料包括荧光材料。

可选的，所述发光器件还包括：空穴传输层和电子传输层；

所述空穴传输层位于所述第一电极和所述发光层之间；所述电子传输层位于所述第二电极和所述发光层之间；

所述空穴传输层和所述电子传输层的至少一个包括所述第二化合物。

可选的，所述电子传输层的所述第二化合物的LUMO能级小于或等于-2.5eV，其中，LUMO为未占有电子的能级最低的轨道。

可选的，所述第二化合物的发光波长的范围为430nm～490nm。

第二方面，本申请实施例提供了一种显示装置，包括第一方面中任一项所述的发光器件。

本申请实施例提供了一种发光器件、显示装置，其中，发光器件包括：第一电极、第二电极和至少一个发光层；所述发光层位于所述第一电极和所述第二电极之间；所述发光层包括至少一种主体材料和至少一种第二组分，所述主体材料包括第一化合物，所述第二组分包括第二化合物；所述第一化合物和所述第二化合物具有第一基团；所述第一基团的结构包括

其中，a表示Z1的数目，b表示Z2的数目，c表示Z3的数目；a、b和c分别独立的选自0或1；Z1、Z2和Z3分别包括硼、磷、氮、取代或未取代的次甲基和取代或未取代的次硅基中的其中一种；(Z1)_a、(Z2)_b和(Z3)_c包括的氮原子总数小于或等于2个；Y包括碳或硅；Cy包括取代或未取代的C5至C30的芳族基团、以及取代或未取代的C5至C40的杂芳族基团中的其中一种；其中，0.1eV≤T1(第一化合物)-T1(第二化合物)≤0.5eV，T1为第一三线态能级。

这样，第一化合物和第二化合物都具有第一基团；具有所述第一基团的第一化合物和所述第二化合物的T1能级较高，可以增加三线态激子的能量转移效率，从而提高发光效率；并且可以满足0.1eV≤T1(第一化合物)-T1(第二化合物)≤0.5eV，这样，可以防止第二组分的能量反向转移至主体材料中，进而避免主体材料劣化，提高了主体材料的质量，延长了发光器件的寿命。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种发光器件的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的另一种发光器件的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的一种发光装置的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例性实施例”、“示例”、“特定示例”或“一些示例”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本申请的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。

另外，还需要说明的是，当介绍本申请的元素及其实施例时，冠词“一”、“一个”、“该”和“所述”旨在表示存在一个或者多个要素；除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上；用语“包含”、“包括”、“含有”和“具有”旨在包括性的并且表示可以存在除所列要素之外的另外的要素；术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于描述的目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性及形成顺序。

相关技术中，红色磷光发光器件和绿色磷光发光器件的效率和寿命可以基本满足商业需求，但是蓝色磷光发光器件的发光效率较低并且寿命较短，一方面，由于相关技术中作为蓝色发光材料的铱(Ir)或铂(Pt)配合物的稳定性较低，导致发光器件的寿命较短；另一方面，可能由于相关技术中蓝色发光材料的非辐射衰减速率(knr)较高并且有效辐射衰减速率(kr)较低，导致配合物的外量子效率较低，进而导致发光效率较低。

其中，有效辐射衰减速率为三线态激子通过发射磷光跃迁至基态的速率，磷光材料吸收电场能量后产生三线态激子，三线态激子通过发射磷光跃迁至基态的过程为有效辐射；

非辐射衰减速率为三线态激子通过非辐射回到基态的速率，非辐射回到基态包括通过三线态激子-三线态激子淬灭；三线态激子和基态属于不同多重态，直接跃迁速率较小，因此三线态激子寿命通常较长，容易发生三线态激子-三线态激子淬灭，三线态激子-三线态激子淬灭生成基态和单线态激子，不发射磷光。

基于此，本发明实施例提供了一种发光器件，参照图1，包括：

第一电极1和第二电极3；

至少一个发光层2，位于第一电极1和第二电极3之间；

发光层2包括至少一种主体材料和至少一种第二组分，主体材料包括第一化合物，第二组分包括第二化合物；

第一化合物和第二化合物具有第一基团；

第一基团的结构包括

Z1、Z2和Z3分别包括硼(B)、磷(P)、氮(N)、取代或未取代的次甲基(CH₂)和取代或未取代的次硅基(SiH₂)中的其中一种；

(Z1)_a、(Z2)_b和(Z3)_c包括的氮原子总数小于或等于2个；

Y包括碳或硅；

本申请实施例中，发光器件包括OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)发光器件。

在示例性的实施例中，第一电极1可以为阳极，第二电极3可以为阴极。

示例性的，第一电极1的材料可以为透明金属氧化物，例如，氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化锌(ZnO)中的任意一种；

或者，第一电极1可以包括叠层设置的透明导电层和反射金属层，透明导电层的材料可以为透明金属氧化物，例如，氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化锌(ZnO)中的任意一种；反射金属层的材料可以包括锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂(LiF)、氟化锂(LiF)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)中的任意一种。

示例性的，第二电极3的材料可以为金属，例如第二电极3的材料可以为铝(Al)、银(Ag)和镁(Mg)的中的至少一种；

或者，第二电极3的材料可以是合金，例如，合金可以为镁银合金、镁铝合金和铝银合金中的至少一种。

上述发光器件可以为顶发射发光器件，或者，也可以为底发射发光器件，这里不进行限定，具体根据实际情况确定。

在一些实施例中，参照图1，发光器件包括一个发光层2；在另一些实施例中，发光器件包括至少两个发光层2。

本申请实施例中，发光层2包括至少一种主体材料和至少一种第二组分，示例的，发光层2包括一种主体材料和一种第二组分；或者，发光层2包括两种主体材料和一种第二组分；或者，发光层2包括一种主体材料和两种第二组分；或者，发光层2包括两种主体材料和两种第二组分。

其中，在一些实施例中，第二组分为客体材料；在另一些实施例中，第二组分为敏化剂，发光层2还包括第三组分，第三组分为客体材料。

在第二组分为客体材料的情况下，发光层2包括主体材料和客体材料，此时，发光层2的发光原理为：主体材料吸收电场能量后产生三线态激子，主体材料的三线态激子将能量转移至客体材料的三线态激子上，客体材料的三线态激子跃迁回基态发出磷光；

在第二组分为敏化剂的情况下，发光层2包括主体材料、敏化剂和客体材料，此时，发光层2的发光原理为：主体材料吸收电场能量后产生三线态激子，主体材料的三线态激子将能量转移至敏化剂的三线态激子上，然后敏化剂将三线态激子的能量转移至客体材料的单线态激子上，客体材料的单线态激子跃迁回基态发出荧光。

本申请实施例中，主体材料包括第一化合物，示例的，第一化合物可以为磷光材料；

第二组分包括第二化合物，示例的，第二化合物可以为磷光材料。

在本申请的一些实施例中，第一化合物为蓝色磷光材料；在本申请的一些实施例中，第二化合物为蓝色磷光材料。

本申请实施例中，0.1eV≤T1(第一化合物)-T1(第二化合物)≤0.5eV，T1为第一三线态能级。示例的，T1(第一化合物)-T1(第二化合物)可以为0.1eV、0.2eV、0.3eV、0.4eV或0.5eV。

第一化合物的第一三线态能级高于第二化合物的第一三线态能级，主体材料的三线态激子将能量转移至客体材料的三线态激子的速率较高，并且可以避免第二化合物的三线态激子的能量反向转移至作为主体材料的第一化合物，进而避免主体材料劣化，提高了主体材料的质量，延长了发光器件的寿命。

本申请实施例中，第一化合物和第二化合物均包括第一基团。

示例的，第一化合物包括一个第一基团，或者，第一化合物包括两个及以上的第一基团；

示例的，第二化合物包括一个第一基团，或者，第二化合物包括两个及以上的第一基团。

第一基团的a、b和c分别独立的选自0或1；

示例的，在a为0的情况下，第一基团不包括Z1；在a为1的情况下，第一基团包括Z1；

在b为0的情况下，第一基团不包括Z2；在b为1的情况下，第一基团包括Z2；

在c为0的情况下，第一基团不包括Z3；在c为1的情况下，第一基团包括Z3。

优选的，Z1、Z2和Z3选自氮(N)或取代或未取代的次甲基(CH)，这样，第一基团的结构更稳定。

Z1、Z2和Z3的次甲基(CH)和次硅基(SiH)中的氢(H)可以被R基团取代，R基团包括氘(-D)，羟基(-OH)，卤素(-F、-Cl、-Br、-I)，硝基(-NO₂)，腈基(-CN)，取代或未取代的氨基(-NH₂)，取代或未取代的羧基(-C(＝O)OH)，取代或未取代的硅基(-SiH₃)，取代或未取代的硼烷基(BH₂)，取代或未取代的甲醛基(-C(＝O)H)，取代或未取代的磷羟基(-P(＝O)H₂)，取代或未取代的磷烷基(-PH₂)，取代或未取代的次磺酸基(-S(＝O)H)，取代或未取代的亚磺酸基(-S(＝O)₂H)，取代或未取代的磺酸基(-OSO₂H)，取代或未取代的C1至C40的直链的烷基、烷氧基或硫代烷氧基，取代或未取代的C3至C20的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基。

(Z1)_a、(Z2)_b和(Z3)_c包括的氮原子总数小于或等于2个，示例的，(Z1)_a、(Z2)_b和(Z3)_c包括的氮原子总数可以为0、1或2。

在示例性的实施例中，芳族基团是指从芳香环衍生出的官能团或取代基。

例如，芳族基团包括但不限于苯基、萘基、蒽基、苊烯基、茚基、菲基、薁基、芘基、芴基、苝基、螺芴基、螺双芴基、苯并菲基、苯并蒽基、荧蒽基、苉基、并四苯基、并茚苯基。

在示例性的实施例中，杂芳族基团是指芳香环中的至少一个碳原子被杂原子取代。杂原子包括但不限于氮原子、硫原子或氧原子。杂芳族基团包括氮原子、硫原子或氧原子中的至少一种。

这里对于杂芳族基团中包括的杂原子的数量不进行限定，具体可以根据实际情况确定。

例如，杂芳族基团包括但不限于苯并恶唑基、苯并噻唑基、吲哚基、苯并咪唑基、吡咯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、咪唑基、吡唑基、咔唑基、噻吩基、噻唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、吲哚并咔唑基、茚并咔唑基、喹啉基、异喹啉基、酞嗪基、喹喔啉基、噌啉基、喹唑啉基、酞嗪基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、苯并喹唑啉基、苯并喹喔啉基、吖啶基、菲咯啉基、呋喃基、吡喃基、恶嗪基、恶唑基、恶二唑基、三唑基、二恶英基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、硫代吡喃基、噻嗪基、苯硫基和N-取代的螺芴基。

本申请实施例中，第一化合物和第二化合物都具有第一基团；具有第一基团的第一化合物和第二化合物的第一三线态能级T1能级较高，主体材料的三线态激子将能量转移至客体材料的三线态激子的效率较高，并且客体材料的三线态激子跃迁回基态发出磷光的效率较高，从而提高发光效率；并且可以满足0.1eV≤T1(第一化合物)-T1(第二化合物)≤0.5eV，这样，可以防止第二组分的能量反向转移至主体材料中，进而避免主体材料劣化，提高了主体材料的质量，延长了发光器件的寿命。

可选的，第一化合物还包括第二基团，第二基团和第一基团链接；

第二基团的结构包括取代或未取代的

本申请实施例中，d为0的情况下，

不包括L1；d为1的情况下，

包括L1。

在一些实施例中，L2和L3连接成环。

本申请实施例中，第二基团可以具有至少一个取代基团，本申请实施例对取代基团的取代位置和取代数量不做具体限定，具体可以根据实际情况确定。

本申请实施例中，第一化合物具有第一基团和第二基团，第一基团和第二基团键合，具有上述结构的第一化合物的结构稳定并且第一三线态T1能级较高，主体材料的三线态激子将能量转移至客体材料的三线态激子的效率较高，提高了主体材料的质量，延长了发光器件的寿命。

可选的，结构

包括/>

结构

包括

(Ra1)_n、(Ra2)_n、(Ra3)_n和(Ra4)_n中的n分别选自0、1、2、3、4或5中的其中一个；(Ra5)_n、(Ra6)_n、(Ra7)_n和(Ra8)_n中的n分别选自0、1、2、3或4中的其中一个；

Ra1、Ra2、Ra3、Ra4、Ra5、Ra6、Ra7和Ra8分别包括氘(-D)，卤素(-F、-Cl、-Br、-I)，羟基(-OH)，硝基(-NO₂)，腈基(-CN)，取代或未取代的氨基(-NH₂)，取代或未取代的羧基(-COOH)，取代或未取代的硅基(-SiH₃)，取代或未取代的硼烷基(-BH₂)，取代或未取代的醛基(-C(＝O)H)，取代或未取代的磷羟基(-P(＝O)H₂)，取代或未取代的磷烷基(-PH₂)，取代或未取代的次磺酸基(-S(＝O)H)，取代或未取代的亚磺酸基(-S(＝O)₂H)、取代或未取代的磺酸基(-OSO₂H)，取代或未取代的C1至C40的直链的烷基、烷氧基、硫代烷氧基，取代或未取代的C3至C20的支链亚烷基、支链亚烷氧基、支链亚硫代烷氧基，以及取代或未取代的C3至C20的环亚烷基、环亚烷氧基、环亚硫代烷氧基中的其中一个。

第一基团的Z1、Z2和Z3的取代基R和第二基团的取代基Ra1、Ra2、Ra3、Ra4、Ra5、Ra6、Ra7和Ra8的取代基包括Ar取代基和R’取代基；

取代基Ar包括C5至C60的芳基或杂芳基的其中一种，并且Ar可以具有一个或多个R’取代基；

R’取代基包括氘(-D)，卤素(-F、-Cl、-Br、-I)，腈基(-CN)，C1至C20的脂族烃基，未取代的C5至C30的芳基或杂芳基，氘(-D)、卤素(-F、-Cl、-Br、-I)、腈基(-CN)和C1至C4的脂肪烷基的其中至少一个取代的C5至C30的芳基或杂芳基。

需要说明的是同一化合物的R、Ra1、Ra2、Ra3、Ra4、Ra5、Ra6、Ra7、Ra8、Ar和R’的其中至少两个可以连接成环。示例的，两个R取代基可以连接成环、Ra1和Ra2可以连接成环、Ra1和Ar可以连接成环、Ar和R’可以连接成环。

本申请实施例中，R、Ra1、Ra2、Ra3、Ra4、Ra5、Ra6、Ra7或Ra8的至少一个亚甲基可以被连接基团X4取代，连接基团X4包括氧原子(-O-)，硫原子(-S-)，硒原子(-Se-)，亚硫氧基(-SO-)，亚磺酸亚基(-SO₂-)，羰基(-C(＝O)-)，硫代羰基(-C(＝S)-)，硒代羰基(-C(＝Se)-)，酯基(-C(＝O)O-)，亚乙炔基(-C≡C-)，取代或未取代的亚乙烯基(-CH＝CH-)、取代或未取代的亚硅基(-SiH₂-)、取代或未取代的亚氨基(-NH-)、取代或未取代的酮亚胺基(-C(＝NH)-)、取代或未取代的亚甲酰胺基(-C(＝O)NH-)、取代或未取代的亚磷羟基(-P(＝O)H₂-)、取代或未取代的C5至C60亚芳基、以及取代或未取代的C5至C60亚杂芳基的至少一种。

在一些实施例中，多个连接基团X4互不相邻。

另外，R、Ra1、Ra2、Ra3、Ra4、Ra5、Ra6、Ra7或Ra8中的连接基团X4可以具有至少一个R’取代基。

本申请实施例对R、Ra1、Ra2、Ra3、Ra4、Ra5、Ra6、Ra7、Ra8、Ar、R’连接基团X4的取代位置和取代数量不做具体限定，具体可以根据实际情况确定。

本申请实施例中，具有第一基团和第二基团的第一化合物的结构稳定并且T1能级较高，提高了主体材料的质量，延长了发光器件的寿命。

示例性的，第一化合物可以包括如下结构中的任意一种：

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/>

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可选的，第二化合物的结构包括：

其中，M包括铂或钯；R1、R2、R3和R4中的其中至少一个包括取代或未取代的第一基团；

R1、R2、R3和R4分别包括取代或未取代的第一基团、芳基、环烷基、环烯基、杂芳基、杂环基、卡宾和n-杂环卡宾中的其中一个；

X1、X2和X3分别包括氧(-O-)，硫(-S-)，亚硫氧基(-SO₂-)，羰基(-C(＝O)-)，取代或未取代的亚氨基(-NH-)、亚甲基(-CH₂-)、亚磷烷基(-PH-)、亚硅基(-SiH₂-)、亚硼烷基(-BH-)，取代或未取代的C1至C40的直链的亚烷基、亚烷氧基、亚硫代烷氧基，取代或未取代的C2至C40的亚烯基、亚炔基，取代或未取代的C3至C20的支链亚烷基、支链亚烷氧基、支链亚硫代烷氧基，取代或未取代的C3至C20的环亚烷基、环亚烷氧基、环亚硫代烷氧基，取代或未取代的C5至C60的亚芳基，以及取代或未取代的C5至C60的亚杂芳基中的其中一种。

第二化合物中的M包括铂(Pt)或钯(Pd)，A1、A2、A3和A4与M形成配位键或共价键，其中，共价键为M与A1、A2、A3或A4各提供一个电子形成电子对；配位键为A1、A2、A3或A4提供孤电子对，M提供空轨道。

需要说明的是，M与A1、A2、A3和A4的其中至少一个形成配位键，第二化合物为配位化合物。

在一些实施例中，R1、R2、R3和R4中的其中一个包括取代或未取代的第一基团；在另一些实施例中，R1、R2、R3和R4中的其中至少两个包括取代或未取代的第一基团。

第二化合物的e、f和g分别独立的选自0或1；

示例的，在e为0的情况下，第二化合物不包括X1；在a为1的情况下，第二化合物包括X1；

在f为0的情况下，第二化合物不包括X2；在b为1的情况下，第二化合物包括X2；

在g为0的情况下，第二化合物不包括X3；在c为1的情况下，第二化合物包括X3。

本申请实施例中，R1、R2、R3、R4、X1、X2和X3的取代基分别包括R基团。R基团的具体结构参照前文中的说明。

本申请实施例对R1、R2、R3、R4、X1、X2和X3中R基团的取代位置和取代数量不做具体限定，具体可以根据实际情况确定。

另外，X1、X2和X3的至少一个亚甲基可以被连接基团X4取代，其中，被连接基团X4取代的多个亚甲基非相邻。连接基团X4的具体结构参照前文中的说明。

其中，X1、X2或X3中的连接基团X4可以具有至少一个R基团。

本申请实施例中，具有

结构的第二化合物的T1能级较高，可以增加三线态激子的能量转移效率，从而提高发光效率；并且第二化合物的结构稳定，提高了发光层2的第二组分的质量，延长了发光器件的寿命。

示例性的，第二化合物可以包括如下结构中的任意一种：

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/>

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可选的，第二组分包括客体材料，客体材料包括第二化合物，第二化合物属于磷光材料。

在一些实施例中，第二化合物的掺杂浓度大于或等于5％，示例的，第二化合物的掺杂浓度可以为5％、6％、7％、8％、9％或10％，具体根据实际设置。

本申请实施例中，主体材料包括第一化合物，客体材料包括第二化合物，第二化合物的第一三线态能级T1能级较高，客体材料的三线态激子跃迁回基态发出磷光的效率较高，从而提高发光效率；第一化合物的T1能级也较高，并且可以满足0.1eV≤T1(第一化合物)-T1(第二化合物)≤0.5eV，这样，可以防止客体材料的能量反向转移至主体材料中，进而避免主体材料劣化，提高了主体材料的质量，延长了发光器件的寿命。

可选的，第二化合物的发光波长的范围为430nm～490nm。

示例的，第二化合物的发光波长可以为430nm、440nm、450nm、460nm、470nm、480nm或490nm。

本申请实施例中，第二化合物的发光波长的范围为430nm～490nm，属于蓝色磷光发光材料，第二化合物的T1能级较高，可以增加三线态激子的能量转移效率，从而提高蓝色磷光发射体的发光效率；并且第二化合物的结构稳定，提高了发光层2的蓝色磷光客体的质量，延长了发光器件的寿命。

可选的，发光层2还包括至少一种第三组分；第二组分包括敏化剂，第三组分包括客体材料；敏化剂包括第二化合物，客体材料包括荧光材料。

本申请实施例中，第一化合物和第二化合物的第一三线态能级T1较高，可以实现T1(第一化合物)>T1(第二化合物)>S1(荧光材料)，主体材料的三线态激子将能量转移至敏化剂的三线态激子的效率较高，然后敏化剂将三线态激子的能量转移至客体材料的单线态激子的效率较高，提高了发光器件的发光效率。

表1提供一些发光层的组分不同时的发光器件对应的测试数据：

表1，发光器件的性能测试结果

	发光层组分	外量子效率	发光效率
				对照组1	H1:B1(95％:5％)	100％	100％
对照组2	H1:D1(97％:3％)	140％	103％
				实验组1	A1:B1(95％:5％)	132％	170％
实验组2	A18:B3(95％:5％)	120％	146％
				实验组3	A22:B20(95％:5％)	117％	229％
实验组4	A1:B1:D1(89％:10％:1％)	156％	210％
				实验组5	A18:B3:D2(89％:10％:1％)	151％	375％

其中，H1为相关技术一种主体材料，结构为

D1为一种荧光材料，结构为

D2为另一种荧光材料，结构为

表1中的外量子效率(External quantum efficiency，EQE)和发光效率为根据对照组1的数据进行的归一化参数。

其中，外量子效率为发出的光子数和注入的电子-空穴对的比值。

根据对照组1和实验组1、2、3的对比，相较于H1和第二化合物的组合，本申请第一化合物作为主体材料、第二化合物作为客体材料的组合的外量子效率更高，发光效率更高。

根据对照组2和实验组4、5的对比，相较于H1和D1的组合，本申请中第一化合物作为主体材料、第二化合物作为敏化剂、D1或D2作为荧光客体材料的组合的外量子效率更高，发光效率更高。

可选的，参照图1，发光器件还包括：空穴传输层5和电子传输层8；

空穴传输层5位于第一电极1和发光层2之间；电子传输层8位于第二电极3和发光层2之间；

空穴传输层5和电子传输层8的至少一个包括第二化合物。

本申请实施例中，第二化合物在空穴传输层5或电子传输层8中做辅助掺杂材料，本申请实施例对掺杂浓度不做具体限定，具体根据实际需求设置。

在一些实施例中，第二化合物作为空穴传输层5的辅助掺杂材料；在一些实施例中，第二化合物作为电子传输层8的辅助掺杂材料；在一些实施例中，第二化合物作为空穴传输层5和电子传输层8的辅助掺杂材料。

需要说明的是，空穴传输层5的第二化合物、电子传输层8中的第二化合物和发光层2中的第二化合物可以相同也可以不同，本申请实施例对此不作具体限定，具体根据实际需求设置。

本申请实施例提供的发光器件，第一载流子传输层5和第二载流子传输层8的至少一个包括第二化合物，第二化合物的结构稳定，提高了载流子传输层的质量，延长了发光器件的寿命。

可选的，电子传输层的第二化合物的LUMO能级小于或等于-2.5eV，其中，LUMO(Lowest Unoccupied Molecule Orbital)为未占有电子的能级最低的轨道。

例如，电子传输层中的第二化合物的LUMO能级可以为-2.5eV、-2.6eV、-2.7eV、-2.8eV、-2.9eV或-3.0eV。

本申请实施例中，一方面，电子传输层的第二化合物的LUMO能级小于或等于-2.5eV，可以实现电子传输的功能；另一方面，第二化合物的T1能级较高，在一定程度上可以阻挡空穴的传输，提高了电子传输的效率。

在一些实施例中，参照图2，发光器件包括位于第一电极1上依次叠层设置的空穴注入层4、空穴传输层5、电子阻挡层6、发光层2、空穴阻挡层9、电子传输层8和电子注入层7。

本申请实施例提供了一种发光器件的制备方法，该方法包括：

S101，在基底上形成阳极1。

上述基底为刚性基底，例如，基底可以是玻璃基底。

本申请实施例对阳极1的形成方法不做具体限定，示例的，形成阳极1的方法可以为真空蒸镀法，例如，在真空度为1×10^-5Pa的环境下蒸镀阳极1。

本申请实施例对沿基底指向阳极1的方向上阳极1的厚度不做限定，示例的，阳极1的厚度范围为的范围为80nm～120nm，例如，阳极1的厚度可以为80nm、90nm、100nm、110nm或120nm。

本申请实施例中，阳极1的材料包括透光金属氧化物，例如，阳极1的材料可以为氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。

S102，形成空穴注入层4。

本申请实施例对空穴注入层4的形成方法不做具体限定，示例的，形成空穴注入层4的方法可以为真空蒸镀法。

本申请实施例对沿基底指向阳极1的方向上空穴注入层4的厚度不做限定，示例的，空穴注入层4的厚度的范围为5nm～15nm，例如，空穴注入层4的厚度可以为5nm、7nm、9nm、10nm、12nm或15nm。

S103，形成空穴传输层5。

本申请实施例对空穴传输层5的形成方法不做具体限定，示例的，形成空穴传输层5的方法可以为真空蒸镀法。

本申请实施例对沿基底指向阳极1的方向上空穴传输层5的厚度不做具体限定；示例的，空穴传输层5的厚度的范围为40nm～80nm，例如，空穴传输层5的厚度可以为40nm、50nm、60nm、70nm或80nm。

S104，形成电子阻挡层6。

本申请实施例对电子阻挡层6的形成方法不做具体限定，示例的，形成电子阻挡层6的方法可以为真空蒸镀法。

本申请实施例对沿基底指向阳极1的方向上电子阻挡层6的厚度不做具体限定；示例的，电子阻挡层6的厚度的范围为5nm～15nm，例如，电子阻挡层6的厚度可以为5nm、7nm、9nm、10nm、12nm或15nm。

S105，形成发光层2。

本申请实施例中，发光层2的形成方法包括共蒸镀法。

示例的，在电子阻挡层6上共蒸镀主体材料和客体材料；主体材料包括第一化合物，客体材料包括第二化合物；

示例的，在电子阻挡层6上共蒸镀主体材料、敏化剂和客体材料；主体材料包括第一化合物，敏化剂包括第二化合物，客体材料包括荧光材料。

本申请实施例对沿基底指向阳极1的方向上发光层2的厚度不做具体限定；示例的，发光层2的厚度的范围为10nm～40nm，例如，发光层2的厚度可以为10nm、20nm、15nm、25nm、30nm、35nm或40nm。

S106，形成空穴阻挡层9。

本申请实施例对空穴阻挡层9的形成方法不做具体限定，示例的，形成空穴阻挡层9的方法可以为真空蒸镀法。

本申请实施例对沿基底指向阳极1的方向上空穴阻挡层9的厚度不做具体限定；示例的，空穴阻挡层9的厚度的范围为5nm～15nm，例如，空穴阻挡层9的厚度可以为5nm、7nm、9nm、10nm、12nm或15nm。

S107，形成电子传输层8。

本申请实施例对电子传输层8的形成方法不做具体限定，示例的，形成电子传输层8的方法可以为真空蒸镀法。

本申请实施例对沿基底指向阳极1的方向上电子传输层8的厚度不做具体限定；示例的，电子传输层8的厚度的范围为20nm～50nm，例如，电子传输层8的厚度可以为10nm、25nm、30nm、35nm、40nm或50nm。

S108，形成电子注入层7。

本申请实施例对电子注入层7的形成方法不做具体限定，示例的，形成电子注入层7的方法可以为真空蒸镀法。

本申请实施例对沿基底指向阳极1的方向上电子注入层7的厚度不做具体限定；示例的，电子注入层7的厚度的范围为0.5nm～2nm，例如，电子注入层7的厚度可以为0.5nm、0.7nm、0.9nm、1nm、1.3nm、1.6nm或2nm。

本申请实施例中，电子注入层7的材料包括具有电子注入性能的金属、金属氧化物或金属氟化物材料，例如，电子注入层7的材料可以为氟化锂(LiF)。

S109，形成阴极3。

本申请实施例对阴极3的形成方法不做具体限定，示例的，形成阴极3的方法可以为真空蒸镀法。

本申请实施例对沿基底指向阳极1的方向上阴极3的厚度不做具体限定；示例的，阴极3的厚度的范围为60nm～100nm，例如，阴极3的厚度可以为60nm、70nm、80nm、90nm、或100nm。

本申请实施例中，阴极3的材料包括金属材料和合金，示例的，阴极3的材料可以为铝(Al)。

本申请实施例提供的发光器件制备方法制备的发光器件，具有发光效率高、寿命长、稳定性高等优点。

本申请实施例提供了一种显示装置，包括上述任一项的发光器件。

上述显示装置可以是柔性显示装置(又称柔性屏)，也可以是刚性显示装置(即不能折弯的显示屏)，这里不做限定。

上述显示装置可以是OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)显示装置；

显示装置还可以是LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示装置)显示装置，其中，液晶显示装置的背光模组可以包括阵列排布的多个发光器件。

示例的，显示装置包括显示基板和发光器件，显示基板包括阵列排布的多个像素驱动电路，发光器件包括阵列排布的红色发光器件、绿色发光器件和蓝色发光器件。每个像素驱动电路包括红色子像素驱动电路、绿色子像素驱动电路和蓝色子像素驱动电路，红色子像素驱动电路与红色发光器件电连接，绿色子像素驱动电路与绿色发光器件电连接，蓝色子像素驱动电路与蓝色发光器件电连接。

例如，参考图3所示，红色子像素驱动电路与红色发光器件100电连接，绿色子像素驱动电路与绿色发光器件200电连接，蓝色子像素驱动电路与蓝色发光器件300电连接。参考图3所示，以位于最左端的红色子像素驱动电路为例说明具体结构，红色子像素驱动电路包括：位于衬底10上的依次层叠设置的缓冲层11、有源层210、栅绝缘层12、栅极金属层(包括栅极110和第一电极212)、绝缘层13、电极层(包括第二电极213)、层间介质层14、源漏金属层(包括源极111和漏极112)、平坦层15、像素界定层302。其中，第一电极212和第二电极213用于形成存储电容。像素界定层302包括开口，开口内设置有红色发光器件100，红色发光器件100的阳极1与薄膜晶体管的漏极112电连接。显示基板还包括位于像素界定层302之上的隔垫物34。需要说明的是，该显示基板中，可以是部分像素界定层上设置有隔垫物，也可以是全部像素界定层上设置有隔垫物，这里不做限定。

红色发光器件100包括阳极1、以及位于阳极1上的依次层叠设置的空穴注入层4、空穴传输层5、电子阻挡层6、红色发光层113、空穴阻挡层9、电子传输层8、电子注入层7、阴极3。

需要说明的是，图3所示的绿色发光器件200和蓝色发光器件300的发光层与红色发光器件100的发光层的材料不同，绿色发光器件的发光层用于发出绿光，蓝色发光器件的发光层用于发出蓝光，红色发光器件的发光层用于发出红光。另外，绿色发光器件和蓝色发光器件的电子阻挡层与红色发光器件的电子阻挡层的材料也不同。除发光层和电子阻挡层以外，绿色发光器件、蓝色发光器件包括的其它膜层均与红色发光器件相同，这里不再赘述。

参考图3所示，该显示装置还可以包括覆盖发光器件的第一无机层421、有机层43、第二无机层422，第一无机层421、有机层43和第二无机层422可以起到封装作用，保护发光器件，延长使用寿命。

上述显示装置可以是电视、数码相机、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件；上述显示装置还可以应用于身份识别、医疗器械等领域，已推广或具有很好推广前景的产品包括安防身份认证、智能门锁、医疗影像采集等。

本申请实施例提供的显示装置具有发光效率高、寿命长、稳定性高等优点。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。