CN116184768A - 一种提升晶圆边缘不完整区域套刻精度的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种提升晶圆边缘不完整区域套刻精度的方法，对于晶圆边缘每一个不完整区域取出数个量测点，并在与该不完整区域相邻的两个区域内各取数个量测点，使得总的量测点数量超过13个，然后利用上述所有取出的量测点的套刻数据进行高阶拟合运算，得到高阶误差补偿参数，将得到的高阶误差补偿参数反馈给自动控制系统，用于自动修正晶圆边缘不完整区域的光刻参数。本发明所公开的方法在与不完整区域相邻的区域内取量测点，与该不完整区域内的量测点组成13点以上的量测数据，用于高阶拟合运算，以达到光刻在套刻精度上的补偿和光刻工艺窗口要求，从而提高了边缘不完整区域的套刻精度，保证了半导体器件的导电性能，提高了晶圆的利用率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种提升晶圆边缘不完整区域套刻精度的方法。
背景技术
在半导体器件的制造过程中，为了在半导体晶圆上形成数层导电图形，要依次把超过20层以上的不同的掩模图形重叠到晶圆上。形成掩模图形的光刻工序是半导体器件制造的重要制程，为了保证半导体器件的导电性能，每层的图形都需要与其他层的图形具有较好的套刻精度。随着半导体技术的发展，电路图形的特征尺寸不断缩小，套刻精度的控制难度也越来越大。
在集成电路制造中，晶圆上当前层(光刻胶图形)与参考层(衬底内图形)之间的相对位置,即描述了当前的图形相对于参考图形沿X和Y方向的偏差和这种偏差在晶圆表面的分布；同时也是检测光刻工艺好坏的一个关键指标。
套刻精度的要求不只在晶圆中心的位置，而是对整片晶圆的要求。但由于集成电路制造中，晶圆会经过许多高温、研磨和薄膜制程，会导致晶圆在边缘套刻精度产生很大的偏差。现行光刻在套刻补偿上，除了对整片晶圆做套刻的线性补偿，也会使用高阶的运算，在每一个区域内透过数点(13点)以上套刻量测值，经过公式的运算，而得到高阶每一个参数，进而对每一个区域的套刻做补偿。
现行晶圆边缘有许多是不完整的区域，每一个区域套刻量测点无法达到13个点以上，故无法做高阶的运算，只能舍弃边缘区域或对边缘区域做线性补偿。然而线性补偿得到的套刻精度无法达到光刻工艺窗口的要求。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供了一种提升晶圆边缘不完整区域套刻精度的方法，以达到提升晶圆边缘不完整区域套刻精度，提高晶圆利用率的目的。
为达到上述目的，本发明的技术方案如下：
一种提升晶圆边缘不完整区域套刻精度的方法，对于晶圆边缘每一个不完整区域取出数个量测点，并在与该不完整区域相邻的两个区域内各取数个量测点，使得总的量测点数量超过13个，然后利用上述所有取出的量测点的套刻数据进行高阶拟合运算，得到高阶误差补偿参数，将得到的高阶误差补偿参数反馈给自动控制系统，用于自动修正晶圆边缘不完整区域的光刻参数。
优选地，在晶圆边缘的不完整区域取4-6个量测点，在与该不完整区域相邻的两个区域内各取4-6个量测点。
优选地，在晶圆边缘的不完整区域取6个量测点，在与该不完整区域相邻的两个区域内各取4个量测点。
通过上述技术方案，本发明提供的一种提升晶圆边缘不完整区域套刻精度的方法在与不完整区域相邻的区域内取量测点，与该不完整区域内的量测点组成13点以上的量测数据，用于高阶拟合运算，以达到光刻在套刻精度上的补偿和光刻工艺窗口要求，从而提高了边缘不完整区域的套刻精度，保证了半导体器件的导电性能，提高了晶圆的利用率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
图1为本发明实施例所公开的一种提升晶圆边缘不完整区域套刻精度的方法示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
本发明提供了一种提升晶圆边缘不完整区域套刻精度的方法，如图1所示，对于晶圆边缘不完整区域A取出6个量测点，并在与该不完整区域相邻的两个区域B和C内各取4个量测点，然后利用上述所有取出的14个量测点的套刻数据进行高阶拟合运算，得到高阶误差补偿参数，将得到的高阶误差补偿参数反馈给自动控制系统，用于自动修正晶圆边缘不完整区域的光刻参数。
自动控制系统利用上述计算得到的高阶误差补偿参数对光刻设备参数进行自动反馈修正，从而提高套刻精度，降低套刻误差。
通过上述方式，有效的提高了量测点采集数量，能够采集到更多的误差信息，在非线性补偿技术的应用中能够获取更精确套刻误差形貌，提高反馈修正的精度。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (3)
1.一种提升晶圆边缘不完整区域套刻精度的方法，其特征在于，对于晶圆边缘每一个不完整区域取出数个量测点，并在与该不完整区域相邻的两个区域内各取数个量测点，使得总的量测点数量超过13个，然后利用上述所有取出的量测点的套刻数据进行高阶拟合运算，得到高阶误差补偿参数，将得到的高阶误差补偿参数反馈给自动控制系统，用于自动修正晶圆边缘不完整区域的光刻参数。
2.根据权利要求1所述的一种提升晶圆边缘不完整区域套刻精度的方法，其特征在于，在晶圆边缘的不完整区域取4-6个量测点，在与该不完整区域相邻的两个区域内各取4-6个量测点。
3.根据权利要求1所述的一种提升晶圆边缘不完整区域套刻精度的方法，其特征在于，在晶圆边缘的不完整区域取6个量测点，在与该不完整区域相邻的两个区域内各取4个量测点。
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2022
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