CN116166319B - 工艺库的信息编辑方法和装置 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种工艺库的信息编辑方法和装置。该工艺库的信息编辑方法包括：获取lib文件中文件开头中工艺参数的描述，并从PDK路径中的指定文件获取网格单位；将工艺参数的描述，以及网格单位填入PDK路径和标准单元库路径；将确定的金属层数和厚度填写至PDK路径中的layermap路径；根据layermap路径填写PDK路径中的规则文件；通过lib脚本提取各个工艺角下的信息，并填写信息。本发明提供的方案能够实现提高敏捷开发的工作效率并降低可能的错误率的技术效果。

Description

工艺库的信息编辑方法和装置

技术领域

本发明涉及芯片技术应用领域，尤其涉及一种工艺库的信息编辑方法和装置。

背景技术

传统后端设计流程中的解释执行的脚本语言(Tool Command Language，简称TCL)脚本基本都混合了三方面的信息：一是电子设计自动化(Electronic Design Automation，简称EDA)工具命令以及特有的命令选项；二是金属层次，间距等工艺库相关的信息；三是设计约束，布局约束等设计信息。在不同项目中，即使是同一个设计，改变了工具或工艺，Tcl脚本的复用率极低，因此每个项目的超大规模集成电路(Very Large Scale IntegratedCircuit，简称VLSI)流程都需要重新构造。

以数字后端敏捷开发平台Hammer为例，将以上三部分独立开来，EDA工具相关以及工艺库相关信息可以有极高的复用率，一旦完成后变不再需要修改，仅需将更多的工作重心放在设计，布局，性能等约束上。因此对工艺库信息插件有高准确性的要求，手动从大量标准单元库文件和工艺设计包(Process Design Kits，简称PDK)库文件中抓取相关信息并填写，即繁琐又容易出错。

针对上述由于现有技术中工艺库插件编写难度高，需要大量手动编写工作，导致工艺库插件的工作效率低的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明实施例期望提供一种工艺库的信息编辑方法和装置，以至少解决由于现有技术中工艺库插件编写难度高，需要大量手动编写工作，导致工艺库插件的工作效率低的问题。

本发明的技术方案是这样实现的：

第一方面，本发明实施例提供一种工艺库的信息编辑方法，包括：获取lib文件中文件开头中工艺参数的描述，并从PDK路径中的指定文件获取网格单位；将工艺参数的描述，以及网格单位填入PDK路径和标准单元库路径；将确定的金属层数和厚度填写至PDK路径中的layermap路径；根据layermap路径填写PDK路径中的规则文件；通过lib脚本提取各个工艺角下的信息，并填写信息。

可选的，通过lib脚本提取各个工艺角下的信息，并填写信息包括：通过lib脚本提取各个工艺角下的lib信息，并填写lib信息；通过人工填写指令填写层堆叠信息，其中，层堆叠信息包括：最小宽度、间距、偏移和power_strap；通过lib脚本提取到的位信息和特殊单元信息，并填写位信息和特殊单元信息，其中，位信息位于标准单元库的lef文件。

可选的，通过lib脚本提取各个工艺角下的信息包括：确定目标工艺库的PDK路径和标准单元库路径；确定lib文件根目录，选择所需的延时模型；遍历每个VT类型下的所有lib文件，根据VT类型和工艺角信息建立分组；根据每个分组的VT类型，获取对应的目录下指定的文件的路径；通过lib文件的文件名，提取晶体管模型、驱动电压和温度；根据特殊单元类型列表提取lib文件中所有特殊单元的名称和lef文件中的位信息。

可选的，该方法还包括：将SRAM对应的文件依据SRAM的尺寸进行整理，得到依据SRAM的尺寸进行分类的文件；依据文件类型对文件进行分类，得到分类后的文件。

进一步地，可选的，SRAM的命名规则为SRAM{ports}RW{depth}x{width}，其中，ports是指SRAM为单口或双口，depth为SRAM的深度，width为SRAM的数据位宽。

可选的，对SRAM的命名进行重命名，得到重命名后的SRAM的命名，其中，重命名后的SRAM的命名为SRAM{ports}RW{depth}x{width}_PVT_{voltage}V_{temperature}C.lib格式，其中，ports是指SRAM为单口或双口，depth为SRAM的深度，width为SRAM的数据位宽，voltage为工艺角里的电压，小数点替换成P，temperature为工艺角里的温度，负温度用-替换。

可选的，该方法还包括：通过lib脚本读取SRAM中的端口定义，其中，端口定义包括：端口名称和端口极性。

可选的，该方法还包括：根据SRAM的名称，通过lib脚本生成结构化信息的sram-cache.jason文件。

可选的，该方法还包括：在mem.v文件中配置SRAM的控制端口，和控制端口的值。

第二方面，本发明实施例提供一种工艺库的信息编辑装置，包括：获取模块，用于获取lib文件中文件开头中工艺参数的描述，并从PDK路径中的指定文件获取网格单位；第一编辑模块，用于将工艺参数的描述，以及网格单位填入PDK路径和标准单元库路径；第二编辑模块，用于将确定的金属层数和厚度填写至PDK路径中的layermap路径；第三编辑模块，用于根据layermap路径填写PDK路径中的规则文件；第四编辑模块，用于通过lib脚本提取各个工艺角下的信息，并填写信息。

本发明实施例提供了一种工艺库的信息编辑方法和装置。其中，获取lib文件中文件开头中工艺参数的描述，并从PDK路径中的指定文件获取网格单位；将工艺参数的描述，以及网格单位填入PDK路径和标准单元库路径；将确定的金属层数和厚度填写至PDK路径中的layermap路径；根据layermap路径填写PDK路径中的规则文件；通过lib脚本提取各个工艺角下的信息，并填写信息，从而能够实现提高敏捷开发的工作效率并降低可能的错误率的技术效果。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为本发明实施例一提供的一种工艺库的信息编辑方法的流程示意图；

图2为本发明实施例一提供的一种工艺库的信息编辑方法中tech.json文件填写的流程示意图；

图3为本发明实施例一提供的一种工艺库的信息编辑方法中lib信息提取脚本的流程示意图；

图4为本发明实施例一提供的一种工艺库的信息编辑方法中SRAM插件生成脚本的流程示意图；

图5为本发明实施例二提供的一种工艺库的信息编辑装置的示意图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。

需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于限定特定顺序。

还需要说明是，本发明下述各个实施例可以单独执行，各个实施例之间也可以相互结合执行，本发明实施例对此不作具体限制。

实施例一

第一方面，本发明实施例提供一种工艺库的信息编辑方法，图1为本发明实施例一提供的一种工艺库的信息编辑方法的流程示意图；如图1所示，本申请实施例提供的工艺库的信息编辑方法包括：

步骤S100，获取lib文件中文件开头中工艺参数的描述，并从PDK路径中的指定文件获取网格单位；

步骤S102，将工艺参数的描述，以及网格单位填入PDK路径和标准单元库路径；

步骤S104，将确定的金属层数和厚度填写至PDK路径中的layermap路径；

步骤S106，根据layermap路径填写PDK路径中的规则文件；

步骤S108，通过lib脚本提取各个工艺角下的信息，并填写信息。

可选的，步骤S108中通过lib脚本提取各个工艺角下的信息，并填写信息包括：通过lib脚本提取各个工艺角下的lib信息，并填写lib信息；通过人工填写指令填写层堆叠信息，其中，层堆叠信息包括：最小宽度、间距、偏移和power_strap；通过lib脚本提取到的位信息和特殊单元信息，并填写位信息和特殊单元信息，其中，位信息位于标准单元库的lef文件。

具体的，图2为本发明实施例一提供的一种工艺库的信息编辑方法中tech.json文件填写的流程示意图；如图2所示，本申请实施例提供的工艺库的信息编辑方法选用json格式文件存放工艺库相关的信息，json是一种完全独立于编程语言的文本格式，便于多种编程语言读取，提升其适用范围。

标准单元库结构性信息中占比最大的是需要列举出所有工艺角的配置以供后端设计时做选择。每个工艺角配置作为一个组，组内包含lib文件路径(通常选择CCS，NLDM和ECSM三种模型中的一种，lib文件中包含了工艺角信息，以此作为分组依据)，对应的lef文件路径，spice文件路径，gds文件路径，qrc文件路径，verilog文件路径，tplus文件路径以及power_grid文件路径等。

整个tech.json文件填写流程如图2所示。

Step1：确定目标工艺，将工艺库的PDK路径和Stdcelll库(标准单元库)路径设为环境变量方便后续使用；

Step2：任意读取一个lib文件，抓取文件开头关于电容、时间和功耗等单位(即，本申请实施例中的工艺参数)的描述，同时从PDK中的techfile抓取出grid(网格)的单位；

Step3：填入PDK路径和Stdcelll库(标准单元库)路径；

Step4：确定好需要的金属层数和厚度，填写PDK中对应的layermap路径；

Step5：根据确定好的layermap，填写PDK中与之一致的drc和lvs规则文件；

Step6：填写通过lib脚本提取到的关于各个工艺角下的lib信息；

Step7：手动填写在综合过程中不需要用的单元以及设计期望的层堆叠信息，包括min_width(最小宽度)，pitch(间距)，offset(偏移)以及power_strap等；

Step8：填写通过脚本提取到的site信息(位于单元库lef文件)和特殊单元信息(一些只存在于物理设计中的标准单元)。

根据上述流程可以发现，文件大部分内容都可通过lib脚本生成，仅有少部分与不同设计目的相关的信息需要手动填写，极大的提升了整个流程的效率。

可选的，通过lib脚本提取各个工艺角下的信息包括：确定目标工艺库的PDK路径和标准单元库路径；确定lib文件根目录，选择所需的延时模型；遍历每个VT类型下的所有lib文件，根据VT类型和工艺角信息建立分组；根据每个分组的VT类型，获取对应的目录下指定的文件的路径；通过lib文件的文件名，提取晶体管模型、驱动电压和温度；根据特殊单元类型列表提取lib文件中所有特殊单元的名称和lef文件中的位信息。

具体的，需要遍历所有lib文件以供后端设计选择，每个lib文件有对应的VT类型和工艺角信息。常用的VT类型有LVT，SVT，HVT等，从工艺角度来说不同的栅氧层厚度会影响器件的阈值电压，从而器件的响应速度，功耗等信息也会不同。在实际综合和布局布线工作中，可能会同时使用多种VT类型的lib文件。而工艺角信息包含有温度，驱动电压等，此外还包括了不同晶体管模型，常见的有ff，ss，tt，ffg，ssg等，工艺角信息可通过lib文件名来提取。以上内容都可在完整的标准单元库目录下获得。

提取上述信息的脚本不限定编程语言，lib信息提取脚本的主要工作流程如图3所示，图3为本发明实施例一提供的一种工艺库的信息编辑方法中lib信息提取脚本的流程示意图。

Step1：确定目标工艺库的PDK路径以及Stdcell库路径；

Step2：确定lib文件根目录，选择需要的延时模型(CCS，NLDM或ECSM)；

Step3：遍历每个VT类型下的所有lib文件，根据VT类型和工艺角信息建立分组；

Step4：根据每个分组的VT类型，到相应的目录下寻找其它所需文件的路径(以某fab厂工艺库为例，相关文件存放在Backend或Frontend文件夹下)；

Step5：通过lib文件的文件名，提取出晶体管模型，驱动电压，温度等信息；

Step6：根据特殊单元类型列表提取出lib中所有特殊单元的名称(lib文件太大，可以从lef中提取)，以及lef文件中的site信息。

可选的，本申请实施例提供的工艺库的信息编辑方法还包括：将SRAM对应的文件依据SRAM的尺寸进行整理，得到依据SRAM的尺寸进行分类的文件；依据文件类型对文件进行分类，得到分类后的文件。

进一步地，可选的，SRAM的命名规则为SRAM{ports}RW{depth}x{width}，其中，ports是指SRAM为单口或双口，depth为SRAM的深度，width为SRAM的数据位宽。

可选的，对SRAM的命名进行重命名，得到重命名后的SRAM的命名，其中，重命名后的SRAM的命名为SRAM{ports}RW{depth}x{width}_PVT_{voltage}V_{temperature}C.lib格式，其中，ports是指SRAM为单口或双口，depth为SRAM的深度，width为SRAM的数据位宽，voltage为工艺角里的电压，小数点替换成P，temperature为工艺角里的温度，负温度用-替换。

可选的，本申请实施例提供的工艺库的信息编辑方法还包括：通过lib脚本读取SRAM中的端口定义，其中，端口定义包括：端口名称和端口极性。

可选的，本申请实施例提供的工艺库的信息编辑方法还包括：根据SRAM的名称，通过lib脚本生成结构化信息的sram-cache.jason文件。

可选的，本申请实施例提供的工艺库的信息编辑方法还包括：在mem.v文件中配置SRAM的控制端口，和控制端口的值。

具体的，除了标准单元库和PDK库的内容外，还需要将SRAM相关文件整理成结构性的目录结构。SRAM通常由Memory Compiler等工具生成，每种尺寸SRAM的所有文件都放置在一个文件下，需要将文件结构转变成按文件类型分类。

SRAM插件脚本的主要工作流程如图4所示，图4为本发明实施例一提供的一种工艺库的信息编辑方法中SRAM插件生成脚本的流程示意图。

Step1：使用Memory Compiler等工具生成所需的SRAM，SRAM的命名规则为SRAM{ports}RW{depth}x{width}，其中ports是指SRAM为单口或双口，单口为1，双口为2，depth为SRAM的深度，width为SRAM的数据位宽；

Step2：将所有尺寸SRAM不同工艺角下的lib文件重新命名为SRAM{ports}RW{depth}x{width}_PVT_{voltage}V_{temperature}C.lib格式，其中ports是指SRAM为单口或双口，单口为1，双口为2，depth为SRAM的深度，width为SRAM的数据位宽，voltage为工艺角里的电压，小数点替换成P，temperature为工艺角里的温度，负温度用-替换；

Step3：将不同尺寸SRAM生成的文件按文件类型归类，如将行为模型文件放入behavioral文件夹，gds文件方法gds文件夹，同一尺寸不同工艺角的lib文件收集在同一个文件夹，作为lib文件的二级目录；

Step4：使用脚本读取SRAM中的端口定义，主要包括端口名称(如读写使能端口，地址数据端口)和端口极性(如高有效，低有效。上升沿或下降沿等)；

Step5：根据需要用到的SRAM名称，使用脚本生成结构化信息的sram-cache.json文件，内容包括SRAM的名称，宽度，深度，单端或双端，端口名称和极性等；

Step6：针对SRAM的控制端口，在mem.v里例化的SRAM增加控制端口并配置相应的值。

综上，工艺库插件的基础内容已生成完全。整个流程的人工手动修改步骤非常少，基本都已通过脚本实现了的自动化配置和生成。此外，针对同一foundry厂的工艺库，由于不同工艺尺寸下文件结构都一致，本申请实施例提供的工艺库的信息编辑方法可直接进行复用。

此外，使用脚本自动化将标准单元库信息转换成结构化的信息，提高工作效率并降低手动编写带来的错误率。芯片设计中VLSI流程的敏捷开发需要使用结构性的标准单元库信息，以方便脚本提取，提高敏捷开发的工作效率并降低可能的错误率。

本发明实施例提供了一种工艺库的信息编辑方法。其中，获取lib文件中文件开头中工艺参数的描述，并从PDK路径中的指定文件获取网格单位；将工艺参数的描述，以及网格单位填入PDK路径和标准单元库路径；将确定的金属层数和厚度填写至PDK路径中的layermap路径；根据layermap路径填写PDK路径中的规则文件；通过lib脚本提取各个工艺角下的信息，并填写信息，从而能够实现提高敏捷开发的工作效率并降低可能的错误率的技术效果。

实施例二

第二方面，本发明实施例提供一种工艺库的信息编辑装置，图5为本发明实施例二提供的一种工艺库的信息编辑装置的示意图；如图5所示，本申请实施例提供的工艺库的信息编辑装置包括：获取模块50，用于获取lib文件中文件开头中工艺参数的描述，并从PDK路径中的指定文件获取网格单位；第一编辑模块52，用于将工艺参数的描述，以及网格单位填入PDK路径和标准单元库路径；第二编辑模块54，用于将确定的金属层数和厚度填写至PDK路径中的layermap路径；第三编辑模块56，用于根据layermap路径填写PDK路径中的规则文件；第四编辑模块58，用于通过lib脚本提取各个工艺角下的信息，并填写信息。

本发明实施例提供了一种工艺库的信息编辑装置。其中，获取lib文件中文件开头中工艺参数的描述，并从PDK路径中的指定文件获取网格单位；将工艺参数的描述，以及网格单位填入PDK路径和标准单元库路径；将确定的金属层数和厚度填写至PDK路径中的layermap路径；根据layermap路径填写PDK路径中的规则文件；通过lib脚本提取各个工艺角下的信息，并填写信息，从而能够实现提高敏捷开发的工作效率并降低可能的错误率的技术效果。

本发明是参照根据本发明实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。

这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。

这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。

以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种工艺库的信息编辑方法，其特征在于，包括：

获取lib文件中文件开头中工艺参数的描述，并从PDK路径中的指定文件获取网格单位；

将所述工艺参数的描述，以及所述网格单位填入所述PDK路径和标准单元库路径；

将确定的金属层数和厚度填写至所述PDK路径中的layermap路径；

根据所述layermap路径填写所述PDK路径中的规则文件；其中，根据确定好的layermap，填写所述PDK中与之一致的drc和lvs规则文件；

通过lib脚本提取各个工艺角下的信息，并填写所述信息；

其中，选用json格式文件存放工艺库相关的信息；每个工艺角配置作为一个组，组内包含lib文件路径，对应的lef文件路径，spice文件路径，gds文件路径，qrc文件路径，verilog文件路径，tplus文件路径以及power_grid文件路径；

所述lib文件路径选择CCS，NLDM和ECSM三种模型中的一种，所述lib文件中包含了工艺角信息，作为分组依据。

2.根据权利要求1所述的工艺库的信息编辑方法，其特征在于，所述通过lib脚本提取各个工艺角下的信息，并填写所述信息包括：

通过lib脚本提取各个工艺角下的lib信息，并填写所述lib信息；

通过人工填写指令填写层堆叠信息，其中，所述层堆叠信息包括：最小宽度、间距、偏移和power_strap；

通过lib脚本提取到的位信息和特殊单元信息，并填写所述位信息和所述特殊单元信息，其中，所述位信息位于所述标准单元库的lef文件。

3.根据权利要求2所述的工艺库的信息编辑方法，其特征在于，所述通过lib脚本提取各个工艺角下的信息包括：

确定目标工艺库的PDK路径和标准单元库路径；

确定lib文件根目录，选择所需的延时模型；

遍历每个VT类型下的所有lib文件，根据所述VT类型和工艺角信息建立分组；

根据每个分组的所述VT类型，获取对应的目录下指定的文件的路径；

通过所述lib文件的文件名，提取晶体管模型、驱动电压和温度；

根据特殊单元类型列表提取所述lib文件中所有特殊单元的名称和所述lef文件中的位信息。

4.根据权利要求1所述的工艺库的信息编辑方法，其特征在于，所述方法还包括：

将SRAM对应的文件依据所述SRAM的尺寸进行整理，得到依据所述SRAM的尺寸进行分类的文件；

依据文件类型对所述文件进行分类，得到分类后的所述文件。

5.根据权利要求4所述的工艺库的信息编辑方法，其特征在于，所述SRAM的命名规则为SRAM{ports}RW{depth}x{width}，其中，ports是指SRAM为单口或双口，depth为SRAM的深度，width为所述SRAM的数据位宽。

6.根据权利要求5所述的工艺库的信息编辑方法，其特征在于，

对所述SRAM的命名进行重命名，得到重命名后的所述SRAM的命名，

其中，重命名后的所述SRAM的命名为SRAM{ports}RW{depth}x{width}_PVT_{voltage}V_{temperature}C .lib格式，其中，ports是指所述SRAM为单口或双口，depth为SRAM的深度，width为SRAM的数据位宽，voltage为工艺角里的电压，小数点替换成P，temperature为工艺角里的温度，负温度用-替换。

7.根据权利要求4所述的工艺库的信息编辑方法，其特征在于，所述方法还包括：

通过lib脚本读取所述SRAM中的端口定义，其中，所述端口定义包括：端口名称和端口极性。

8.根据权利要求4所述的工艺库的信息编辑方法，其特征在于，所述方法还包括：

根据所述SRAM的名称，通过lib脚本生成结构化信息的sram-cache .json文件。

9.根据权利要求4所述的工艺库的信息编辑方法，其特征在于，所述方法还包括：

在mem .v文件中配置所述SRAM的控制端口，和所述控制端口的值。

10.一种工艺库的信息编辑装置，其特征在于，包括：

获取模块，用于获取lib文件中文件开头中工艺参数的描述，并从PDK路径中的指定文件获取网格单位；

第一编辑模块，用于将所述工艺参数的描述，以及所述网格单位填入所述PDK路径和标准单元库路径；

第二编辑模块，用于将确定的金属层数和厚度填写至所述PDK路径中的layermap路径；

第三编辑模块，用于根据所述layermap路径填写所述PDK路径中的规则文件；其中，根据确定好的layermap，填写所述PDK中与之一致的drc和lvs规则文件；

第四编辑模块，用于通过lib脚本提取各个工艺角下的信息，并填写所述信息；

其中，选用json格式文件存放工艺库相关的信息；每个工艺角配置作为一个组，组内包含lib文件路径，对应的lef文件路径，spice文件路径，gds文件路径，qrc文件路径，verilog文件路径，tplus文件路径以及power_grid文件路径；

所述lib文件路径选择CCS，NLDM和ECSM三种模型中的一种，所述lib文件中包含了工艺角信息，作为分组依据。