CN116137787A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

根据本公开的示例性实施方式的显示装置包括：基板，该基板上限定有多个子像素；堤部，该堤部设置在多个子像素之间；至少一个沟槽图案，该至少一个沟槽图案设置在多个子像素之间，并且从至少一个沟槽图案部分地去除堤部的一定厚度的上部部分；缓冲层，该缓冲层位于堤部上，缓冲层通过引发式化学气相沉积(iCVD)方法沉积以覆盖沟槽图案的内表面；以及封装层，该封装层设置在缓冲层上。因此，可以通过防止沟槽中的封装层的膜形成缺陷来提高可靠性，并且可以通过防止诸如明暗点和亮点的显示质量缺陷来改进显示质量。

Description

显示装置

技术领域

本公开涉及显示装置，并且更具体地涉及能够使从多个发光元件发射的光的颜色混合减少的显示装置。

背景技术

近来，随着我们的社会向信息化社会发展，用于可视地表达电信息信号的显示装置的领域已经迅速地发展。对应地，正在开发在薄度、亮度和低功耗方面具有优异性能的各种显示装置。

在这些各种显示装置当中，与具有单独的光源的液晶显示装置不同，有机发光显示装置是自发光显示装置并且由于其不需要单独的光源而可以被制造得轻且薄。另外，有机发光显示装置由于低电压驱动而在功耗方面具有优势，并且在颜色实现、响应速度、视角和对比度(CR)方面是优异的。因此，有机发光显示装置已经被用作下一代显示器。

发明内容

本公开的一方面是提供一种显示装置，使用多个发光单元(或发光结构)的叠层的多叠层结构被应用于该显示装置，以便实现改进的效率和寿命特性。

本公开的另一方面是提供一种显示装置，其能够在通过应用沟槽结构来驱动具有多叠层结构的显示装置时使漏电流减小和/或最小化。

本公开的又一方面是提供一种显示装置，其通过防止沟槽中的封装层的膜形成缺陷而具有改进的可靠性和改进的显示质量。

本公开的目的不限于上述目的，并且本领域技术人员从以下描述中可以清楚地理解以上未提及的其它目的。

根据本公开的示例性实施方式的显示装置可以包括：基板，该基板上限定有多个子像素；堤部，该堤部设置在多个子像素之间；至少一个沟槽图案，该至少一个沟槽图案设置在多个子像素之间，并且从至少一个沟槽图案部分地去除堤部的一定厚度的上部部分；缓冲层，该缓冲层位于堤部上，缓冲层通过引发式化学气相沉积(iCVD)方法沉积以覆盖沟槽图案的内表面；以及封装层，该封装层设置在缓冲层上。

根据本公开的另一示例性实施方式的显示装置可以包括：基板，该基板上限定有多个子像素；堤部，该堤部设置在多个子像素之间；至少一个沟槽图案，该至少一个沟槽图案设置在多个子像素之间，并且从至少一个沟槽图案部分地去除堤部的一定厚度的上部部分；至少一个间隔件，该至少一个间隔件设置在多个子像素之间的堤部上；缓冲层，该缓冲层通过iCVD方法沿着沟槽图案的内部形状和间隔件的弯曲部沉积在沟槽图案的内表面以及堤部和间隔件上；以及封装层，该封装层设置在缓冲层上。

示例性实施方式的其它详细内容包括在详细描述和附图中。

根据本公开，通过应用具有多叠层结构的发光元件，可以表现出高效率并且允许低电流驱动，从而可以提高发光元件的寿命。

根据本公开，可以通过应用沟槽结构来改进通过多个发光元件的公共层的电流泄漏。

根据本公开，可以通过防止沟槽中的封装层的膜形成缺陷来改进可靠性，并且可以通过防止诸如明暗点和亮点的显示质量缺陷来改进显示质量。

根据本公开，可以稳定地确保其中有机层被断开的结构，从而可以改进产率和可加工性。

根据本公开的效果不限于以上示例的内容，并且更多各种效果包括在本说明书中。

附图说明

图1是根据本公开的第一示例性实施方式的显示装置的示意性配置图。

图2是图1的显示装置的子像素的电路图。

图3是例示图1的显示装置的一个像素结构的平面图。

图4是沿着图3的线A-A’截取的截面图。

图5是例示图1的显示装置的外部部分的截面图。

图6是示出iCVD缓冲层的工艺条件的表。

图7A至图7D是示出iCVD缓冲层的表面特性的照片。

图8A至图8D是示出iCVD缓冲层的表面特性的其它照片。

图9是示出沉积在异物上的封装层的膜形成状态的照片。

图10A至图10D是示出沉积在异物上的iCVD缓冲层的膜形成状态的照片。

图11是根据本公开的第二示例性实施方式的显示装置的一部分的截面图。

图12是例示图11的显示装置的外部部分的截面图。

图13是根据本公开的第三示例性实施方式的显示装置的一部分的截面图。

图14是根据本公开的第四示例性实施方式的显示装置的一部分的截面图。

图15是根据本公开的第五示例性实施方式的显示装置的一部分的截面图。

图16是根据本公开的第六示例性实施方式的显示装置的一部分的截面图。

具体实施方式

通过与附图一起参照以下详细描述的示例性实施方式，本公开的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法将变得清楚。然而，本公开不限于本文公开的示例性实施方式，而是将以各种形式实现。示例性实施方式仅通过示例的方式提供，使得本领域技术人员能够完全理解本公开的公开内容和本公开的范围。因此，本公开将仅由所附权利要求的范围来限定。

在附图中例示的用于描述本公开的示例性实施方式的形状、尺寸、比率、角度、数量等仅是示例，并且本公开不限于此。在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。此外，在本公开的以下描述中，可以省略已知相关技术的详细说明，以避免不必要地模糊本公开的主题。本文使用的诸如“包括”、“具有”和“由……组成”的用语通常旨在允许添加其它组分，除非该用语与用语“仅”一起使用。除非另有明确说明，否则对单数的任何引用可以包括复数。

即使没有明确说明，部件也被解释为包括普通误差范围。

当使用诸如“上”、“上方”、“下”和“紧接着”的用语来描述两个部件之间的位置关系时，除非该用语与用语“立即”或“直接”一起使用，否则一个或更多个部件可以位于该两个部件之间。

当元件或层设置在另一元件或层“上”时，该层或元件可以直接设置在该另一元件或层上，或者其它层或元件可以插置在其间。

尽管用语“第一”、“第二”等用于描述各种部件，但是这些部件不受这些用语的限制。这些用语仅用于区分一个部件与其它部件。因此，以下将提及的第一部件可以是本公开的技术概念中的第二部件。

在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。

附图中所示的每个部件的尺寸和厚度是为了便于描述而例示的，并且本公开不限于所示部件的尺寸和厚度。

本公开的各种实施方式的特征可以部分地或全部地彼此附接或组合，并且可以以各种方式在技术上互锁和操作，并且实施方式可以彼此独立地或相关联地执行。

在下文中，将参照附图详细描述本公开的示例性实施方式。

图1是根据本公开的第一示例性实施方式的显示装置的示意性配置图。

参照图1，显示装置100可以包括：显示面板PN，该显示面板PN包括多个子像素SP；选通驱动器GD和数据驱动器DD，该选通驱动器GD和数据驱动器DD向显示面板PN提供各种信号；以及定时控制器TC，该定时控制器TC控制选通驱动器GD和数据驱动器DD。

选通驱动器GD可以根据从定时控制器TC提供的多个选通控制信号GCS来向多条扫描线SL提供多个扫描信号。多个扫描信号可以包括第一扫描信号SCAN1和第二扫描信号SCAN2。

数据驱动器DD可以根据从定时控制器TC提供的多个数据控制信号DCS使用参考伽马电压来将从定时控制器TC输入的图像数据RGB转换成数据信号Vdata。另外，数据驱动器DD可以向多条数据线DL提供转换后的数据信号Vdata。

定时控制器TC使从外部输入的图像数据RGB对准并将其提供给数据驱动器DD，并且可以使用从外部输入的同步信号SYNC来生成选通控制信号GCS和数据控制信号DCS。

图2是图1的显示装置的子像素的电路图。

参照图2，多个子像素SP中的每个子像素的像素电路可以包括第一晶体管至第六晶体管T1、T2、T3、T4、T5和T6以及电容器Cst。

第一晶体管T1可以连接到第二扫描线，并且由通过第二扫描线提供的第二扫描信号SCAN2控制。第一晶体管T1可以电连接在提供数据信号Vdata的数据线与电容器Cst之间。

第二晶体管T2可以电连接在提供有高电位电源信号EVDD的高电位电源线与第五晶体管T5之间。另外，第二晶体管T2的栅极可以电连接到电容器Cst。

第三晶体管T3可以由通过第一扫描线提供的第一扫描信号SCAN1控制，并且可以补偿第二晶体管T2的阈值电压，并且第三晶体管T3可以被称为补偿晶体管。

第四晶体管T4可以电连接到提供有初始化信号Vini的初始化信号线和电容器Cst。另外，第四晶体管T4可以由通过发光控制信号线提供的发光控制信号EM控制。

另外，第五晶体管T5电连接在第二晶体管T2与发光元件120之间，并且可以由通过发光控制信号线提供的发光控制信号EM控制。

第六晶体管T6电连接在提供有初始化信号Vini的初始化信号线与发光元件120的阳极之间，并且可以由通过第一扫描线提供的第一扫描信号SCAN1控制。

在以上描述中，尽管作为示例描述了多个子像素SP中的每个子像素的像素电路包括第一晶体管至第六晶体管T1、T2、T3、T4、T5和T6以及电容器Cst的情况，但是本公开不限于此。

在下文中，将参照图3至图5更详细地描述根据本公开的第一示例性实施方式的显示装置100的像素结构。

图3是例示图1的显示装置的一个像素结构的平面图。

图4是沿着图3的线A-A’截取的截面图。

图5是例示图1的显示装置的外部部分的截面图。

图4作为示例示出了图3的像素结构中的一个子像素的截面。

参照图3至图5，根据本公开的第一示例性实施方式的显示装置100可以包括基板110、缓冲层111、栅极绝缘层112、层间绝缘层113、钝化层114、平坦化层115、堤部116、高电位电源线、扫描线、数据线、初始化信号线、发光控制信号线、第五晶体管T5、发光元件120、间隔件160、缓冲层155和封装层150。

在图3中，为了便于说明，仅示出堤部116和发光元件120的部件当中的阳极121。堤部116可以设置在除了由开口OP和沟槽图案140暴露的区域之外的剩余区域中。此外，在图4中，为了便于说明，仅示出了子像素SP的像素电路的多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5和T6以及电容器Cst当中的第五晶体管T5。

参照图3，多个子像素SP是发光的单独单元，并且发光元件120设置在多个子像素SP中的每个子像素中。多个子像素SP可以包括发射不同颜色的光的第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3。例如，第一子像素SP1可以是蓝色子像素，第二子像素SP2可以是绿色子像素，并且第三子像素SP3可以是红色子像素。然而，本公开不限于此。

多个第一子像素SP1可以设置在多个列中。也就是说，多个第一子像素SP1可以布置在同一列中。另外，多个第二子像素SP2和多个第三子像素SP3可以设置在其中设置有多个第一子像素SP1的多个相应列之间。例如，多个第一子像素SP1可以设置在一列中，并且第二子像素SP2和第三子像素SP3可以一起设置在与其相邻的列中。另外，多个第二子像素SP2和多个第三子像素SP3可以交替地设置在同一列中。然而，本公开不限于此。

另外，尽管描述了多个子像素SP包括第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3，但是多个子像素SP的布置、数量和颜色组合可以根据设计而不同地改变，并且不限于此。

参照图2至图5，沿列方向延伸的高电位电源线PL可以设置在多个子像素SP之间。多条高电位电源线PL是向多个子像素SP中的每个子像素发送高电位电源信号EVDD的线。多条高电位电源线PL中的每条高电位电源线可以设置在第一子像素SP1与第二子像素SP2之间以及第一子像素SP1与第三子像素SP3之间。然而，本公开不限于此。

可以设置沿与多条高电位电源线PL相同的列方向延伸的多条数据线DL。多条数据线DL是向多个子像素SP中的每个子像素发送数据信号Vdata的线。例如，多条数据线DL中的每条数据线可以设置在第二子像素SP2与高电位电源线PL之间以及第三子像素SP3与高电位电源线PL之间。然而，本公开不限于此，并且多条数据线DL可以设置在多条高电位电源线PL与第一子像素SP1之间。

另外，可以设置沿行方向延伸的多条扫描线SL。多条扫描线SL是向多个子像素SP中的每个子像素发送扫描信号SCAN1和SCAN2的线。多条扫描线SL可以包括第一扫描线和第二扫描线。第一扫描线可以设置成在第二子像素SP2与第三子像素SP3之间沿行方向延伸，并且第二扫描线可以与第三子像素SP3交叉并设置成沿行方向延伸。

另外，以与多条扫描线SL相同的方式沿行方向延伸的多条初始化信号线IL可以设置在多个子像素SP之间。多条初始化信号线IL是向多个子像素SP中的每个子像素发送初始化信号Vini的线。多条初始化信号线IL中的每条初始化信号线可以设置在第二子像素SP2与第三子像素SP3之间。多条初始化信号线IL可以设置在第一扫描线SL1与第二扫描线SL2之间。然而，本公开不限于此。

可以设置以与多条扫描线SL相同的方式沿行方向延伸的多条发光控制信号线EL。多条发光控制信号线EL是向多个子像素SP中的每个子像素发送发光控制信号EM的线。多条发光控制信号线EL可以设置成与多条第二扫描线相邻。另外，多条发光控制信号线EL可以被设置成与第三子像素SP3交叉并且沿行方向延伸。第二扫描线SL2可以设置在多条发光控制信号线EL与多条初始化信号线IL之间。

多条线可以分类成发送直流(DC)信号的DC线和发送交流(AC)信号的AC线。在多条线当中，发送作为DC信号的高电位电力信号EVDD或初始化信号Vini的高电位电源线PL和初始化信号线IL可以被包括在DC线中。此外，在多条线当中，发送作为AC信号的扫描信号SCAN1和SCAN2以及数据信号Vdata的扫描线SL和数据线DL可以被包括在AC线中。

多个间隔件160可以设置在多个子像素SP之间。当发光元件120形成在多个子像素SP中时，可以使用作为沉积掩模的精细金属掩模(FMM)。在这种情况下，可以设置多个间隔件160以防止由与沉积掩模接触导致的损坏，并保持沉积掩模与基板110之间的恒定距离。

此外，多个沟槽图案140可以设置在多个子像素SP之间。多个沟槽图案140可以通过部分地去除堤部116的一定厚度的上部部分来形成，但是本公开不限于此，并且多个沟槽图案140可以通过去除整体厚度的堤部116来形成。图4例示了其中例如一个沟槽图案140设置在多个子像素SP之间的情况，但是本公开不限于此。

位于彼此相邻的子像素SP之间的阴极123和有机层122的一部分可以通过沟槽图案140断开。在图3中，例如，例示了沟槽图案140以它们围绕子像素SP的形式被分成多个部分的情况，但是本公开不限于此。

例如，多个沟槽图案140可以包括第一部分141和第二部分142。第一部分141是在多个子像素SP之间沿列方向延伸的部分。第一部分141可以是在第一子像素SP1与第二子像素SP2之间或在第一子像素SP1与第三子像素SP3之间沿列方向延伸的部分。第一部分141可以沿列方向分成多个部分，但不限于此。当第一部分141被分成多个部分时，可以降低阴极123的电阻，并且可以减小由电压降现象引起的亮度差。

第一部分141的至少一部分可以设置在线当中沿列方向延伸的DC线与AC线之间。例如，第一部分141可以沿列方向延伸，并且其至少一部分设置在高电位电源线PL与数据线DL之间。然而，本公开不限于此，并且第一部分141的至少一部分可以与高电位电源线PL或数据线DL交叠。

第二部分142是在多个子像素SP之间沿行方向延伸的部分。第二部分142可以是在第一子像素SP1与第一子像素SP1之间沿行方向延伸的部分。在这种情况下，第二部分142可以从第一部分141沿行方向延伸，或者可以与第一部分141分开设置。第二部分142的至少一部分可以与线当中的沿行方向延伸的DC线或AC线交叠。此外，第二部分142也可以设置在第二子像素SP2与第三子像素SP3之间。

这种沟槽图案140可以使在多叠层结构中产生的横向漏电流减小和/或最小化，这将参照图4和图5更详细地描述。

参照图3至图5，基板110是用于支撑显示装置的其它部件的支撑构件，并且可以由绝缘材料形成。

例如，基板110可以由玻璃或树脂等形成。另外，基板110可以由聚合物或塑料(例如聚酰亚胺(PI))形成，或者可以由具有柔性的材料形成。

基板110可以被分成显示区域AA和非显示区域NA。

显示区域AA是其中显示图像的区域。

构成多个像素的多个子像素SP和用于驱动多个子像素SP的电路可以设置在显示区域AA中。多个子像素SP是构成显示区域AA的最小单元，并且显示元件可以设置在多个子像素SP中的每个子像素中，并且多个子像素SP可以构成像素。例如，包括阳极121、有机层122和阴极123的发光元件120可以设置在子像素SP中的每个子像素中，但不限于此。另外，用于驱动多个子像素SP的电路可以包括驱动元件、线等。例如，电路可以形成为包括薄膜晶体管T5、存储电容器、选通线、数据线等、但不限于此。

非显示区域NA是其中不显示图像的区域。

用于驱动显示区域AA的发光元件120的各种线和电路可以设置在非显示区域NA中。尽管未例示，但是例如在非显示区域NA中可以设置诸如选通驱动器IC和数据驱动器IC的驱动器IC或者用于向显示区域AA的子像素SP和电路发送信号的链接线，但不限于此。

缓冲层111可以设置在基板110上。缓冲层111可以减少湿气或杂质通过基板110的渗透。缓冲层111可以由例如氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)的单层或多层形成，但不限于此。然而，根据基板110的类型或晶体管的类型，可以省略缓冲层111，但不限于此。

第五晶体管T5可以设置在缓冲层111上。

第五晶体管T5可以包括有源层ACT、栅极GE、源极SE和漏极DE。

有源层ACT可以由诸如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅的半导体材料形成，但不限于此。例如，当有源层ACT由氧化物半导体形成时，有源层ACT可以由沟道区域、源极区域和漏极区域形成，并且源极区域和漏极区域可以是导电区域，但不限于此。

栅极绝缘层112可以设置在有源层ACT上。

栅极绝缘层112是用于使有源层ACT和栅极GE绝缘的绝缘层，并且可以由氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)的单层或多层形成，但不限于此。

栅极GE可以设置在栅极绝缘层112上。

栅极GE可以由导电材料形成，例如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金，但不限于此。

层间绝缘层113可以设置在栅极GE上。

用于将源极SE和漏极DE分别连接到有源层ACT的接触孔可以形成在层间绝缘层113中。层间绝缘层113可以由氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)的单层或多层形成，但不限于此。

源极SE和漏极DE设置在层间绝缘层113上。设置成彼此间隔开的源极SE和漏极DE可以电连接到有源层ACT。源极SE和漏极DE可以由导电材料形成，例如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金，但不限于此。

高电位电源线和数据线可以设置在层间绝缘层113上。高电位电源线和数据线可以与源极SE和漏极DE设置在同一层上，并且由与源极SE和漏极DE相同的导电材料形成，但不限于此。例如，高电位电源线和数据线可以由导电材料形成，例如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金，但不限于此。

钝化层114可以设置在高电位电源线、数据线、源极SE和漏极DE上。钝化层114是用于保护钝化层114下方的部件的绝缘层。例如，钝化层114可以由氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)的单层或多层形成，但不限于此。此外，钝化层114可以根据实施方式而省略。

平坦化层115可以设置在钝化层114上。平坦化层115是使基板110的上部部分平坦化的绝缘层。平坦化层115可以由有机材料形成，例如可以由聚酰亚胺或光感亚克力(photoacryl)的单层或多层形成，但不限于此。

多个发光元件120可以在平坦化层115上设置在多个相应子像素SP中。发光元件120可以包括阳极121、有机层122和阴极123。此外，有机层122可以由设置在发光区域中的发光层和设置在包括发光区域的基板110的整个表面上的公共层构成，但不限于此。

阳极121可以设置在平坦化层115上。

阳极121可以电连接到第五晶体管并接收像素电路的驱动电流。由于阳极121向发光层提供空穴，所以阳极可以由具有高功函数的导电材料形成。阳极121可以由例如透明导电材料形成，诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)，但不限于此。

此外，显示装置100可以实现成顶部发光型或底部发光型。在顶部发光型的情况下，可以在阳极121下方添加由具有优异反射效率的金属材料(例如，诸如铝(Al)或银(Ag)之类的材料)形成的反射层，使得从发光层发射的光被阳极121反射并被向上(也就是说，朝向阴极123)引导。另一方面，当显示装置100为底部发光型时，阳极121可以仅由透明导电材料形成。在下文中，假设根据本公开的第一示例性实施方式的显示装置100是顶部发光型。

此外，至少一个沟槽图案140可以设置在多个子像素SP之间。

沟槽图案140可以形成在堤部116中。也就是说，沟槽图案140可以通过部分地去除堤部116的一定厚度的上部部分来形成。此时，尽管未示出，但是底切结构可以在沟槽图案140的内部部分的至少一侧中形成。

如上所述，本公开的发光元件120可以包括阳极121、有机层122和阴极123。

有机层122可以设置在阳极121与阴极123之间。

有机层122是其中通过从阳极121和阴极123提供的电子和空穴的组合来发射光的区域。

根据本公开的第一示例性实施方式的有机层122可以包括设置在多个子像素SP中的每个子像素中的发光层和共同设置在多个子像素SP中的公共层，但不限于此。

也就是说，为了提高有机发光显示装置的质量和生产率，已经提出了用于改进发光元件的效率和寿命以及降低其功耗的各种结构。

因此，除了施加有一个叠层(也就是说，一个发光单元)的发光元件结构之外，已经提出了具有串联结构的发光元件，其中，多个叠层(也就是说，多个发光单元的叠层)用于实现改进的效率和寿命特性。

在这种串联结构的发光元件中，也就是说，在使用第一发光单元和第二发光单元的叠层的双叠层结构中，通过电子和空穴的复合来发射光的发光区域定位在第一发光单元和第二发光单元中的每个发光单元中，并且从第一发光单元的第一发光层发射的光和从第二发光单元的第二发光层发射的光可能分别导致相长干涉，使得在与单叠层结构的发光元件相比时，双叠层结构的发光元件可以提供高亮度。

另外，构成发光元件中的一个像素的多个子像素之间的距离随着有机发光显示装置的分辨率更高而减小。除了发光层之外，诸如空穴注入层EIL、空穴传输层HTL、电荷产生层CGL、电子注入层EIL、电子传输层ETL等的辅助有机层使用公共掩模来沉积成与多个子像素中的所有子像素相对应并形成为公共层，而分别产生不同波长的光的多个子像素中的发光层可以使用精细金属掩模来单独沉积并形成为与各子像素相对应。

在如上所述的发光元件的情况下，当在阳极与阴极之间施加电压时，通过形成在发光元件中的公共层在发光元件的横向方向上产生横向漏电流。因此，由于不仅需要发光的子像素发光而且与其相邻的不需要发光的子像素发光，所以发生颜色混合缺陷。

与单叠层结构的发光元件相比，在使用光的相长干涉的使用第一发光单元和第二发光单元的叠层的双叠层结构的发光元件中，这种颜色混合缺陷可能更严重。

因此，本公开的特征在于，如图3和图4所示，多个沟槽图案140形成在多个子像素SP之间，由此使位于彼此相邻的子像素SP之间的阴极123和公共层的一部分断开，使得当驱动多叠层结构的显示装置时漏电流被减小和/或最小化。

返回参照图3至图5，堤部116可以设置在阳极121和平坦化层115上。堤部116是设置在多个子像素SP之间以分离多个子像素SP的绝缘层。

堤部116可以包括暴露阳极121的一部分的开口OP。堤部116可以是设置成覆盖阳极121的边缘或端部部分的有机绝缘材料。例如，堤部116可以由聚酰亚胺、亚克力或苯并环丁烯(BCB)基树脂形成，但不限于此。

至少一个间隔件160可以设置在堤部116上。

间隔件160可以设置在堤部116上，以在形成发光元件120时保持与沉积掩模的预定距离。也就是说，由于间隔件160，在间隔件160和沉积掩模下方的堤部116和阳极121可以与沉积掩模保持预定距离，并且可以防止由于它们之间的接触而造成的损坏。间隔件160可以形成为其宽度向上变窄的形状，例如锥形形状，从而使与沉积掩模接触的面积减小和/或最小化。

有机层122可以设置在阳极121和堤部116上。在这种情况下，有机层122形成在沟槽图案140的底部上，但不形成在其侧表面上，使得位于相邻子像素SP之间的有机层122的一部分可以被沟槽图案140断开。

有机层122可以包括设置在多个子像素SP中的每个子像素中的发光层和共同设置在多个子像素SP中的公共层。发光层是用于发射特定颜色的光的有机层，并且不同的发光层可以设置在第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每个子像素中。然而，本公开不限于此，并且多个发光层可以设置在所有子像素SP的每个子像素中以发射白光。

公共层是设置成改进发光层的发光效率的有机层。公共层可以形成为遍及多个子像素SP的一个层。也就是说，多个相应子像素SP的公共层可以彼此连接并一体地形成。在这种情况下，公共层可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层、电荷产生层等，但不限于此。

阴极123可以设置在有机层122上。

由于阴极123向有机层122提供电子，所以阴极可以由具有低功函数的导电材料形成。阴极123可以形成为遍及多个子像素SP的一个层。也就是说，多个相应子像素SP的阴极123可以彼此连接并一体地形成。在这种情况下，阴极123可以由例如透明导电材料形成，诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)或镱(Yb)合金，并且阴极还可以包括金属掺杂层，但不限于此。此外，尽管图中未示出，但是阴极123可以电连接到低电位电源线并接收低电位电源信号。

此外，如上所述，多个发光元件120的公共层可以在多个子像素SP的整体上形成为一层。由于多个子像素SP的发光元件120以它们共享公共层的结构形成，所以当特定子像素SP的发光元件120发光时，可能发生电流流向相邻子像素SP的发光元件120的现象(也就是说，电流泄漏现象)。电流泄漏现象可能导致未预期的另一子像素SP的发光元件120发光，这可能导致多个子像素SP之间的颜色混合并增加功耗。另外，由于漏电流，颜色异常和不规则颜色可能被视觉识别，因此，显示质量可能劣化。例如，当多个子像素SP当中仅第一子像素SP1发光时，被提供用于驱动第一子像素SP1的发光元件120的电流的一部分可能通过公共层泄漏到与第一子像素SP1相邻的第二子像素SP2和/或第三子像素SP3。

因此，在根据本公开的第一示例性实施方式的显示装置100中，通过在多个子像素SP之间设置沟槽图案140，可以使通过发光元件120的公共层的漏电流减小和/或最小化。首先，由于多个沟槽图案140形成在多个子像素SP之间，并且公共层和阴极123沿着多个沟槽图案140沉积，所以可以增加漏电流流过的路径的长度。由于用作漏电流的路径的公共层沿着多个沟槽图案140和堤部116形成，所以公共层的长度可以比现有情况增加，并且漏电流的路径的长度可以增加。因此，通过增加漏电流流过的路径的长度，可以增大电阻，并且可以减小流向相邻子像素SP的发光元件120的漏电流。

另外，在根据本公开的第一示例性实施方式的显示装置100中，位于相邻子像素SP之间的阴极123和公共层的至少一部分可以通过沟槽图案140断开。因此，可以使流向相邻子像素SP的漏电流减小和/或最小化。

此外，缓冲层111、栅极绝缘层112、层间绝缘层113和钝化层114可以形成为延伸到显示装置100的外部部分中的非显示区域NA。

另外，平坦化层115和堤部116可以形成在其上直到非显示区域NA的一部分。

堤部116可以形成为覆盖平坦化层115，但不限于此。

尽管未示出，但是可以在其上形成有阴极123的基板110上形成由诸如聚合物等的有机材料形成的覆盖层。然而，本公开不限于此，并且如果需要，可以不形成覆盖层。

覆盖层可以由有机材料或无机材料形成，并且由于覆盖层是通过热蒸发方法形成的，因此覆盖层相对较薄并且可以通过沟槽图案140在相邻子像素SP之间至少部分地断开。例如，覆盖层可以具有约0.1μm的厚度。

在顶部发光型的情况下，覆盖层具有特定的折射率，因此它可以用于收集光以改进光发射，而在底部发光型的情况下，覆盖层用作发光元件120的阴极123的缓冲层。

覆盖层可以用作一个光控制层。覆盖层可以通过控制与外部的折射率的差异来增大覆盖层与外部之间的界面处的反射率。通过这种反射率的增大，覆盖层可以在特定波长处实现微腔效应。在这种情况下，可以形成对于子像素SP1、SP2和SP3中的每个子像素具有不同厚度的覆盖层。

根据本公开的缓冲层155形成在覆盖层上，并且由多个层组成的封装层150可以形成在其上。

作为参考，使用有机材料的器件(包括发光器件)非常易受大气气体、特别是湿气或氧气的影响，并且具有差的耐热性，因此需要彻底的封装工艺。

如果不遵循适当的封装工艺，则器件寿命迅速减少，并且在器件中形成暗点，这可能导致产品缺陷。相反，当在器件制造工艺中应用适当的封装工艺时，可以确保器件可靠性，并且可以制造高质量的器件。

通常，这种封装工艺主要分为两种方法。

一种方法是覆盖方法，其中，将吸湿剂(吸气剂)附接到玻璃或金属的盖，然后使用具有低透水性的粘合剂将盖附接到器件。另一方法是薄膜方法，其中，将几种类型的膜层压并附接到发光器件，或者将膜直接沉积在发光器件上。

其中，具有优异的阻氧性能和阻汽性能的材料主要用于薄膜方法中使用的膜，并且化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、原子层沉积(ALD)等可以用于沉积。

具体描述封装层150，在其上形成有发光元件120的基板110的上表面上形成覆盖层，并且顺序地形成一次保护层150a、有机层150b和二次保护层150c以构成用作封装装置的封装层150。然而，构成封装层150的无机层和有机层的数量不限于此。

在一次保护层150a的情况下，由于一次保护层150a由无机绝缘层形成，所以由于下部台阶，一次保护层150a的叠层覆盖性不好。然而，由于有机层150b用于执行平坦化，所以二次保护层150c不受由于下层引起的台阶的影响。另外，由于由聚合物形成的有机层150b的厚度足够厚，所以可以补偿由异物引起的裂纹。

在包括二次保护层150c的基板110的前表面上，可以设置多层保护膜以面对其用于封装，并且可以在封装层150与保护膜之间插置透明且具有粘合性能的粘合剂。

用于防止从外部入射的光的反射的偏振片可以附接到保护膜上，但不限于此。

此外，在本公开的第一示例性实施方式的情况下，有机层150b可以通过喷墨方法形成。因此，多个坝部170a、170b和170c可以设置在外部部分中的非显示区域NA中，以控制由聚合物形成的有机层150b的流动。另外，坝部170a、170b和170c可以用于阻挡湿气从外侧渗透。

因此，一次保护层150a可以形成为延伸到非显示区域NA的一端，包括坝部170a、170b和170c的上部部分，但是有机层150b可以形成在坝部170a、170b和170c之前，并且二次保护层150c可以覆盖并保护有机层150b。

此外，尽管在子像素SP之间形成沟槽图案140以防止子像素SP之间的漏电流，但是由于封装层150的一次保护层150a没有完全沉积在沟槽图案140中，所以在可靠性评估中出现缺陷。也就是说，当无机层的一次保护层150a直接沉积在沟槽图案140上时，其被沉积同时在沟槽图案140的中间形成空隙，从而导致不良的台阶覆盖。在这种情况下，一次保护层150a没有被适当地沉积，从而导致可靠性的缺陷。此外，由于此，会出现诸如明暗点或亮点的显示质量缺陷。

具体地，一次保护层150a的无机层没有被沉积成完全覆盖异物，由此导致封装层150的膜形成缺陷。也就是说，一次保护层150a没有完全覆盖异物的倒锥形部分，使得在倒锥形部分中形成缝隙。

因此，本公开的特征在于，在封装层150的膜形成之前，通过引发式化学气相沉积(iCVD)方法在沟槽图案140中沉积缓冲层155。可以沉积iCVD方法的缓冲层155以覆盖沟槽图案140的内表面，并且如果缓冲层155的厚度足够薄，则缓冲层155可以沿着沟槽图案140的内部形状沉积。然而，本公开不限于此，并且可以根据沉积条件来沉积以完全填充沟槽图案140的内部。

另外，本公开的缓冲层155可以沿着间隔件160的弯曲部沉积在间隔件160上。

根据本公开的第一示例性实施方式的缓冲层155可以具有0.3μm至1.0μm的厚度，并且一次保护层150a、有机层150b和二次保护层150c可以分别具有0.3μm至1.0μm、1.0μm至11.0μm和0.3μm至1.0μm的厚度。

在这种情况下，缓冲层155可以具有大约1.45到1.60的折射率，并且一次保护层150a和二次保护层150c可以具有大约1.4到1.9的折射率。

缓冲层155可以形成为延伸到外部部分中的非显示区域NA。

形成为延伸到非显示区域NA的缓冲层155可以沿着多个坝部170a、170b和170c的弯曲部沉积在多个坝部170a、170b和170c上。

具体地，由于通过iCVD方法形成的缓冲层155不与其上的一次保护层150a的无机层反应，所以一次保护层150a可以被平滑地沉积。

iCVD方法是其中使用称为液相工艺的使用自由基的链式聚合反应的方法。iCVD方法是通过蒸发引发剂和单体以在气相中引起聚合物反应来在基板的表面上沉积聚合物薄膜的方法。此时，当引发剂和单体简单混合时，不会发生聚合反应，但是当引发剂被位于气相反应器中的高温灯丝分解，由此产生自由基时，单体被相应地活化，并且可以执行链式聚合反应。

由于iCVD方法在没有机溶剂或其它添加剂的情况下仅使用单体和自由基来产生反应，因此可以生产比通过现有的液相工艺的聚合物合成方法更高纯度的薄膜。也就是说，iCVD方法不使用有机溶剂，因此没有由各种杂质引起的缺陷。并且，由于iCVD方法是干法工艺，因此可以在各种类型的基板上进行沉积。另外，由于iCVD方法是在室温下执行的，其优点在于不会由于热而损坏发光元件。

如上所述，在本公开的第一示例性实施方式中，通过在一次保护层150a下沉积iCVD方法的缓冲层155以覆盖沟槽图案140的内表面，可以防止封装层150的膜形成缺陷。因此，可以改进显示装置100的可靠性并防止诸如明暗点或亮点的显示质量缺陷，由此改进显示质量。

另外，与喷墨方法的有机层150b不同，iCVD方法的缓冲层155可以根据工艺条件以共形或平坦的方式沉积。另外，iCVD方法的缓冲层155可以根据工艺条件以可流动的方式沉积(可流动地沉积)。

图6是示出iCVD缓冲层的工艺条件的表。

图7A至图7D是示出iCVD缓冲层的表面特性的照片。

图8A至图8D是示出iCVD缓冲层的表面特性的其它照片。

图6是示出包括引发剂和单体的类型的iCVD缓冲层的工艺条件的表。

图7A至图7D是示出沉积在深度为1μm的沟槽图案上的iCVD缓冲层的表面特性的扫描电子显微镜(SEM)照片。

图8A至图8D是示出沉积在深度为5μm的沟槽图案上的iCVD缓冲层的表面特性的SEM照片。

图7A至图7D示出了沟槽图案的纵横比为1：5的情况，并且图8A至图8D示出沟槽图案的纵横比为5：5的情况。

图7A和图8A示出了根据图6的#1沉积的缓冲层的表面特性，并且图7B和图8B示出了根据图6的#2沉积的缓冲层的表面特性。图7C和图8C示出了根据图6的#3沉积的缓冲层的表面特性，并且图7D和图8D示出了根据图6的#4沉积的缓冲层的表面特性。

参照图6，对于iCVD缓冲层的沉积，例如，使用叔丁基过氧化物(TBPO)的引发剂，同时使用甲基丙烯酸缩水甘油酯(GMA)的单体1或丙烯酸羟乙酯(HEA)的单体2。然而，本公开不限于此，并且乙二醇二丙烯酸酯(EGDA)可以用作单体。除了丙烯酸单体之外，本公开中使用的单体还包括苯乙烯基或硅氧烷基单体。在这种情况下，iCVD缓冲层可以基于0.5μm的厚度而具有约1.50至1.51的折射率，并且可以看出即使当厚度增大时也没有显著的变化。另外，可以看出，无论单体的材料如何，iCVD缓冲层在可见光区域具有约100％的透射率，这与喷墨方法的缓冲层的情况相同。

在单体1的流速在其中诸如引发剂和单体2的流速以及引发剂及单体1和单体2的温度和压力之类的条件相同地设置的状态下被改变时，观察沉积的iCVD缓冲层的表面特性。

此时，引发剂和单体2的流速分别为30sccm和28sccm，引发剂及单体1和单体2的温度分别为30℃、30℃和45℃，并且灯丝、载物台和腔室的温度分别为140℃、30℃和70℃，并且腔室中的压力可以为200mTorr。

在这种状态下，单体1的流速改变为45sccm、56sccm、84sccm和112sccm。

结果，参照图7A至图7D和图8A至图8D，在图6中的#1和#2的情况下，可以看出执行了可流动沉积，而在#3和#4的情况下，执行了共形沉积。当#1中沟槽图案的纵横比为1：5时，可以看出如图7A所示执行可流动沉积，但是当沟槽图案的纵横比为5：5时，可以看出如图8A所示薄膜不能完全覆盖沟槽图案。薄膜是以共形方式沉积(共形沉积)还是可流动地沉积可以通过单体的分数来确定。例如，当单体1和单体2的分数为约1.6：1至2：1时，薄膜可以可流动地沉积，并且当分数为约3：1至4：1时，薄膜可以共形地沉积，但本公开不限于此。

在此，单体1可以用作主单体，单体2可以用作子单体，但本公开不限于此，并且薄膜可以通过两种或更多种单体的共聚根据分数共形地沉积或可流动地沉积。

图9是示出沉积在异物上的封装层的膜形成状态的照片。

图10A至图10D是示出沉积在异物上的iCVD缓冲层的膜形成状态的照片。

图9是如现有情况那样在基板上直接沉积无机层的一次保护层的情况，并且图10A至图10D是在基板上沉积iCVD缓冲层之后沉积一次保护层的情况。

参照图9，可以看出，一次保护层的无机层没有完全覆盖异物的倒锥形部分，使得在倒锥形部分中形成缝隙。

另一方面，参照图10A至图10D，当在基板上沉积iCVD缓冲层之后沉积一次保护层时，可以看出，不管异物的形状如何，iCVD缓冲层和无机层被沉积成完全覆盖异物的倒锥形部分。结果，可以看出，不管异物的形状如何，iCVD缓冲层可以在没有缝隙的情况下沉积在异物上。也就是说，iCVD缓冲层可以在没有缝隙的情况下沉积在倒锥形部分上。

作为参考，异物可能形成在覆盖层上。从发光元件到覆盖层的部件的工艺可以在一个真空腔室中执行，但是封装层的工艺在另一处理腔室中执行，因此异物形成在覆盖层上的可能性可能很高。

此外，还可以通过iCVD方法来沉积本公开的有机层，下面将参照图11和图12详细描述iCVD方法。

图11是根据本公开的第二示例性实施方式的显示装置的一部分的截面图。

图12是例示图11的显示装置的外部部分的截面图。

由于图11和图12的显示装置与图4和图5的显示装置100的不同之处仅在于封装层250的有机层250b的配置，而显示装置的其它配置基本相同，因此将省略多余的描述。相同的附图标记用于相同的部件。

参照图11和图12，根据本公开的第二示例性实施方式的显示装置可以以与上述图4和图5的显示装置基本相同的方式包括基板110、缓冲层111、栅极绝缘层112、层间绝缘层113、钝化层114、平坦化层115、堤部116、高电位电源线、扫描线、数据线、初始化信号线、发光控制信号线、第五晶体管T5、发光元件120、间隔件160、缓冲层255和封装层250。

为了便于说明，图11仅例示了一个子像素的像素电路的多个晶体管和电容器当中的第五晶体管T5。

多个子像素是发光的单独单元，并且发光元件120可以设置在多个子像素中的每个子像素中。

多个间隔件160可以设置在多个子像素之间。

此外，多个沟槽图案140可以设置在多个子像素之间。多个沟槽图案140可以通过部分去除堤部116的上部部分的厚度来形成，但是本公开不限于此，并且多个沟槽图案140可以通过去除堤部116的整体厚度来形成。

位于相邻子像素之间的阴极123和有机层122的一部分可以通过沟槽图案140断开。

沟槽图案140可以使多叠层结构中产生的横向漏电流减小和/或最小化。

也就是说，有机层122和阴极123可以设置在阳极121和堤部116上。在这种情况下，有机层122和阴极123形成在沟槽图案140的底部上，但不形成在其侧表面上，使得位于相邻子像素之间的阴极123和有机层122的至少一部分可以断开。因此，可以使流向相邻子像素的漏电流减小和/或最小化。

此外，缓冲层111、栅极绝缘层112、层间绝缘层113和钝化层114可以形成为延伸到显示装置的外部部分中的非显示区域NA。

另外，平坦化层115和堤部116可以形成在其上直到非显示区域NA的一部分。

尽管未示出，但是可以在其上形成有阴极123的基板110上形成由诸如聚合物等的有机材料形成的覆盖层。

根据本公开的缓冲层255形成在覆盖层上，并且由多个层组成的封装层250可以形成在其上。

根据本公开的封装层250可以被配置成包括形成在缓冲层255上的一次保护层250a、形成在一次保护层250a上的有机层250b、以及形成在有机层250b上的二次保护层250c，但不限于此。

一次保护层250a和二次保护层250c可以由无机绝缘层形成，并且有机层250b可以由iCVD的有机绝缘层形成。

在这种情况下，与本公开的上述第一示例性实施方式不同，不需要在外部部分中的非显示区域NA中设置多个坝部，由此提供减小边框宽度的效果。也就是说，坝部是在作为液相工艺的喷墨工艺中当其被固化时防止油墨扩散和溢出的物理结构。然而，iCVD工艺是气相沉积，不存在油墨扩散和溢出的缺陷。因此，能够去除坝部，结果，与上述第一示例性实施方式相比，提供了边框宽度减小W的效果。

因此，一次保护层250a形成为延伸到非显示区域NA的一端，而有机层250b和二次保护层250c形成为仅延伸到非显示区域NA的一部分，并且二次保护层250c可以覆盖并保护有机层250b。

另外，即使在使用高分辨率头和低粘度材料的情况下，作为湿法工艺的喷墨方法也难以实现1μm或更小的厚度。然而，在iCVD工艺中，由于可以通过干法工艺的沉积时间来控制厚度，所以可以实现1μm或更小的厚度，并且可以稳定地实现约1μm的厚度。

因此，即使在显示区域AA中也可以减小封装层250的厚度，由此实现减少在装置内全反射的光量以及在高分辨率面板中改进颜色视角和防止颜色混合的效果。也就是说，在高分辨率面板中，像素间距(也就是说，像素之间的距离)被减小，但是当使用具有现有厚度的封装层时，光路可能侵入相邻像素，从而导致颜色混合或减小的颜色视角。

此外，如上所述，本公开的特征在于在封装层250的膜形成之前通过iCVD方法在沟槽图案140中沉积缓冲层255。iCVD方法的缓冲层255可以共形地沉积以覆盖沟槽图案140的内表面，或者可以根据沉积条件沉积以完全填充沟槽图案140的内部。

另外，本公开的缓冲层255可以沿着间隔件160的弯曲部沉积在间隔件160上。

缓冲层255可以形成为延伸到外部部分中非显示区域NA的一端。

一次保护层250a可以沉积在形成为延伸到非显示区域NA的缓冲层255上。

具体地，通过iCVD方法形成的缓冲层255不与其上的一次保护层250a的无机层反应，使得一次保护层250a可以被平滑地沉积。

根据本公开的第二示例性实施方式的缓冲层255可以具有0.3μm至1.0μm的厚度，并且一次保护层250a、有机层250b和二次保护层250c可以分别具有0.3μm至1.0μm、0.3μm至1.5μm和0.3μm至1.0μm的厚度。在这种情况下，可以看出，整体厚度为1.2μm至4.5μm，与上述的本公开的第一示例性实施方式的1.9μm至14.0μm相比，整体厚度减小了。

在这种情况下，缓冲层255可以具有大约1.45到1.60的折射率，并且一次保护层250a和二次保护层250c可以具有大约1.4到1.9的折射率。

如上所述，在本公开的第二示例性实施方式中，通过iCVD方法在一次保护层250a下沉积缓冲层255以覆盖沟槽图案140的内表面，可以防止封装层250的膜形成缺陷。

另外，本公开的第二示例性实施方式的特征在于，即使在工艺期间产生异物，iCVD方法的缓冲层255也被沉积成完全覆盖异物的倒锥形部分。因此，缓冲层255和一次保护层250a可以在没有缝隙的情况下沉积在异物上。

另一方面，本公开的iCVD缓冲层可以可流动地沉积以完全覆盖沟槽图案，包括沟槽图案的内部，这将在下面参照图13详细描述。

图13是根据本公开的第三示例性实施方式的显示装置的一部分的截面图。

根据图13的本公开的第三示例性实施方式的显示装置与图11的显示装置的不同之处在于iCVD缓冲层355可流动地沉积，而显示装置的其它配置基本相同。因此，将省略多余的描述。相同的附图标记用于相同的部件。

参照图13，根据第三示例性实施方式的显示装置可以以与上述图11的显示装置基本相同的方式包括基板110、缓冲层111、栅极绝缘层112、层间绝缘层113、钝化层114、平坦化层115、堤部116、高电位电源线、扫描线、数据线、初始化信号线、发光控制信号线、第五晶体管T5、发光元件120、间隔件160、缓冲层355和封装层250。

为了便于说明，图13仅例示了一个子像素的像素电路的多个晶体管和电容器当中的第五晶体管T5。

多个子像素是发光的单独单元，并且发光元件120可以设置在多个子像素中的每个子像素中。

多个间隔件160可以设置在多个子像素之间。

此外，多个沟槽图案140可以设置在多个子像素之间。

位于相邻子像素之间的阴极123和有机层122的一部分可以通过沟槽图案140断开。

沟槽图案140可以使多叠层结构中产生的横向漏电流减小和/或最小化。

尽管未示出，但是可以在其上形成有阴极123的基板110上形成由诸如聚合物等的有机材料形成的覆盖层。

根据本公开的缓冲层355形成在覆盖层上，并且由多个层组成的封装层250可以形成在其上。

根据本公开的封装层250可以包括形成在缓冲层355上的一次保护层250a、形成在一次保护层250a上的有机层250b、以及形成在有机层250b上的二次保护层250c，但不限于此。

一次保护层250a和二次保护层250c可以由无机绝缘层形成，并且有机层250b可以由iCVD的有机绝缘层形成。

在这种情况下，与上述本公开的第二示例性实施方式一样，不需要在外部部分中的非显示区域NA中设置多个坝部，由此提供减小边框宽度的效果。

根据本公开的第三示例性实施方式的缓冲层355可以具有0.3μm至5.0μm的厚度，并且一次保护层250a、有机层250b和二次保护层250c可以分别具有0.3μm至1.0μm、0.3μm至1.5μm和0.3μm至1.0μm的厚度。在这种情况下，可以看出，整体厚度为1.2μm至8.5μm，与本公开的第一示例性实施方式的1.9μm至14.0μm相比，该整体厚度减小了。与第二示例性实施方式相比，仅缓冲层355的厚度不同，但是封装层250的厚度可以相同。

在这种情况下，缓冲层355可以具有大约1.45到1.60的折射率，并且一次保护层250a和二次保护层250c可以具有大约1.4到1.9的折射率。

此外，本公开的第三示例性实施方式的特征在于，在封装层250的膜形成之前，通过iCVD方法可流动地沉积缓冲层355以完全覆盖沟槽图案140，包括沟槽图案140的内部。

缓冲层355可以形成为延伸到外部部分的非显示区域的一端。

一次保护层250a可以沉积在形成为延伸到非显示区域的缓冲层355上。

具体地，通过iCVD方法形成的缓冲层355不与其上的一次保护层250a的无机层反应，并且可流动地沉积以完全覆盖沟槽图案140，使得一次保护层250a可以被平滑地沉积。结果，可以防止封装层250的膜形成缺陷。

另外，即使在工艺期间产生异物，iCVD方法的缓冲层355也可流动地沉积成完全覆盖沟槽图案140以及异物，使得缓冲层355和一次保护层250a可以在没有缝隙的情况下沉积。另外，在缓冲层355可流动地沉积时，可以减缓装置的台阶。因此，在封装层250形成在装置的减缓的台阶上时，其厚度可以形成得更薄，并且在增强纯封装功能方面是有利的。

此外，即使在间隔件形成为倒锥形形状的情况下，本公开也是适用的，这将参照下面的图14至图16详细描述。

图14是根据本公开的第四示例性实施方式的显示装置的一部分的截面图。

图15是根据本公开的第五示例性实施方式的显示装置的一部分的截面图。

图16是根据本公开的第六示例性实施方式的显示装置的一部分的截面图。

图14至图16所示的本公开的第四示例性实施方式、第五示例性实施方式和第六示例性实施方式的显示装置分别与本公开的第一示例性实施方式、第二示例性实施方式和第三示例性实施方式的显示装置的不同之处在于，间隔件460形成为倒锥形，而显示装置的其它配置基本相同。因此，将省略多余的描述。相同的附图标记用于相同的部件。

参照图14至图16，根据本公开的第四示例性实施方式、第五示例性实施方式和第六示例性实施方式的显示装置可以以与上述本公开的第一示例性实施方式、第二示例性实施方式和第三示例性实施方式的显示装置基本相同的方式包括基板110、缓冲层111、栅极绝缘层112、层间绝缘层113、钝化层114、平坦化层115、堤部116、高电位电源线、扫描线、数据线、初始化信号线、发光控制信号线、第五晶体管T5、发光元件120、间隔件460、缓冲层455和655以及封装层150和550。

在图14至图16中，为了便于说明，仅例示了一个子像素的像素电路的多个晶体管和电容器当中的第五晶体管T5。

多个子像素是发光的单独单元，并且发光元件120可以设置在多个子像素中的每个子像素中。

多个间隔件460可以设置在多个子像素之间。本公开的第四示例性实施方式、第五示例性实施方式和第六示例性实施方式的间隔件460的特征在于，其具有倒锥形形状。也就是说，其特征在于，间隔件460的底侧的宽度比其上侧的宽度短。

此外，多个沟槽图案140可以设置在多个子像素之间。

位于相邻子像素之间的阴极123和有机层122的一部分可以通过沟槽图案140断开。

沟槽图案140可以使多叠层结构中产生的横向漏电流减小和/或最小化。

尽管未示出，但是可以在其上形成有阴极123的基板110上形成由诸如聚合物等的有机材料形成的覆盖层。

根据本公开的缓冲层455和655形成在覆盖层上，并且由多个层形成的封装层150和550可以形成在其上。

根据本公开的封装层150和550可以被配置成包括形成在缓冲层455和655上的一次保护层150a和550a、形成在一次保护层150a和550a上的有机层150b和550b、以及形成在有机层150b和550b上的二次保护层150c和550c。

在这种情况下，一次保护层150a和550a以及二次保护层150c和550c可以由无机绝缘层形成。另外，第四示例性实施方式的有机层150b可以由通过喷墨方法形成的有机绝缘层(喷墨方法的有机绝缘层)形成，并且第五示例性实施方式和第六示例性实施方式的有机层550b可以由通过iCVD形成的有机绝缘层(iCVD的有机绝缘层)形成。

当有机层550b由iCVD的有机绝缘层形成时，如在本公开的第二示例性实施方式和第三示例性实施方式中，不需要在外部部分的非显示区域中设置多个坝部，由此提供减小边框宽度的效果。

此外，本公开的第四示例性实施方式、第五示例性实施方式和第六示例性实施方式的特征在于，在封装层150和550的膜形成之前，通过iCVD方法沉积缓冲层455和655。

此时，根据本公开的第四示例性实施方式和第五示例性实施方式的缓冲层455可以共形地沉积成覆盖沟槽图案140的内表面，并且如果缓冲层455的厚度足够薄，则缓冲层455可以沿着沟槽图案140的内部形状沉积。然而，在这种情况下，沉积在其上的一次保护层150a和550a并不完全覆盖间隔件460的倒锥形部分，使得可能在倒锥形部分中形成缝隙(由图14和图15中的虚线示出)。然而，即使在这种情况下，缓冲层455也可以被沉积成完全覆盖间隔件460的倒锥形部分，使得在倒锥形部分中不形成缝隙。

此外，根据第六示例性实施方式的缓冲层655可以可流动地沉积成完全覆盖沟槽图案140，包括沟槽图案140的内部。在这种情况下，在缓冲层655以足够的厚度沉积以覆盖间隔件460的反向锥形部分时，一次保护层550a可以在没有缝隙的情况下沉积在其上。缓冲层455和655可以形成为延伸到外部部分中的非显示区域的一端。

一次保护层150a和550a可以沉积在形成为延伸到非显示区域的缓冲层455和655上。

具体地，通过iCVD方法形成的缓冲层455和655不与其上的一次保护层150a和550a的无机层反应，并且被沉积以覆盖沟槽图案140的内表面或完全覆盖沟槽图案140，使得一次保护层150a和550a可以被平滑地沉积。结果，可以防止封装层150和550的膜形成缺陷。

此外，其特征在于，即使在工艺期间产生异物，iCVD方法的缓冲层455和655也被沉积成完全覆盖异物的倒锥形部分。因此，缓冲层455和655以及一次保护层150a和550a可以在没有缝隙的情况下沉积在异物上。

本公开的示例性实施方式还可以描述如下：

根据本公开的一个方面，提供了一种显示装置。该显示装置包括：基板，该基板上限定有多个子像素；堤部，该堤部设置在多个子像素之间；至少一个沟槽图案，该至少一个沟槽图案设置在多个子像素之间并且从该沟槽图案部分地去除堤部的一定厚度的上部部分；缓冲层，该缓冲层位于堤部上，缓冲层通过引发式化学气相沉积(iCVD)方法沉积以覆盖沟槽图案的内表面；以及封装层，该封装层设置在缓冲层上。

显示装置还可以包括设置在多个子像素中的每个子像素中的阳极、设置在阳极上的有机层和设置在有机层上的阴极，其中，有机层和阴极可以在位于彼此相邻的子像素之间的沟槽图案中断开。

缓冲层可以通过引发剂和至少两种丙烯酸单体的共聚来配置。

引发剂可以包括叔丁基过氧化物(TBPO)，单体可以包括甲基丙烯酸缩水甘油酯(GMA)的单体1和丙烯酸羟乙酯(HEA)的单体2，并且缓冲层可以根据单体1和单体2的分数共形地或可流动地沉积。

单体1和单体2的分数可以设置成3：1至4：1，并且缓冲层可以共形地沉积以沿着沟槽图案的内部形状覆盖沟槽图案的内表面。

单体1和单体2的分数可以设置成1.6：1至2：1，并且缓冲层可以可流动地沉积以覆盖沟槽图案的包括沟槽图案的内部的上部部分。

当异物可能设置在堤部上时，缓冲层可以在没有缝隙的情况下沉积成完全覆盖异物的倒锥形部分。

封装层可以包括设置在缓冲层上的一次保护层、设置在一次保护层上的有机层和设置在有机层上的二次保护层，其中，缓冲层可以设置成延伸到基板的非显示区域。

显示装置还可以包括设置在非显示区域中的多个坝部，其中，有机层可以设置成延伸到多个坝部之前。

缓冲层可以沿着多个坝部的弯曲部沉积在多个坝部上。

有机层可以通过iCVD方法沉积在一次保护层上，并且有机层可以延伸到非显示区域的一部分。

在延伸到非显示区域的一部分的有机层的外侧可以不存在坝部。

显示装置还可以包括设置在多个子像素之间的堤部上的至少一个间隔件。

缓冲层可以沿着间隔件的弯曲部沉积在间隔件上。

间隔件可以具有倒锥形形状，并且缓冲层可沉积成完全覆盖间隔件的倒锥形部分，使得可以不形成缝隙。

沉积在缓冲层上的一次保护层可以在间隔件的倒锥形部分中具有缝隙。

当缓冲层可以可流动地沉积时，一次保护层可以沉积在缓冲层上，使得在间隔件的倒锥形部分中不具有缝隙。

根据本公开的另一方面，提供了一种显示装置。该显示装置包括：基板，该基板上限定有多个子像素；堤部，该堤部设置在多个子像素之间；至少一个沟槽图案，该至少一个沟槽图案设置在多个子像素之间，从至少一个沟槽图案部分地去除堤部的一定厚度的上部部分；至少一个间隔件，该至少一个间隔件设置在多个子像素之间的堤部上；缓冲层，该缓冲层通过iCVD方法沿着沟槽图案的内部形状和间隔件的弯曲部沉积在沟槽图案的内表面以及堤部和间隔件上；以及封装层，该封装层设置在缓冲层上。

当异物可能设置在堤部上时，缓冲层可以在没有缝隙的情况下沉积成完全覆盖异物的倒锥形部分。

间隔件可以具有倒锥形形状，并且缓冲层可以被沉积成完全覆盖间隔件的倒锥形部分，使得可以不形成缝隙。

尽管已经参照附图详细描述了本公开的示例性实施方式，但是本公开不限于此，并且可以在不脱离本公开的技术构思的情况下以许多不同的形式来实现。因此，提供本公开的示例性实施方式仅用于例示目的，而不旨在限制本公开的技术概念。本公开的技术构思的范围不限于此。因此，应当理解，上述示例性实施方式在所有方面都是例示性的，而不限制本公开。本公开的保护范围应基于所附权利要求来解释，并且其等同范围中的所有技术概念应被解释为落入本公开的范围内。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年11月17日在韩国提交的韩国专利申请No.10-2021-0158288的权益和优先权，其全部内容在此通过引用明确地并入本申请。

Claims (27)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：

基板，所述基板上限定有多个子像素；

堤部，所述堤部设置在所述多个子像素之间；

至少一个沟槽图案，所述至少一个沟槽图案设置在所述多个子像素之间，并且从所述至少一个沟槽图案部分地去除所述堤部的一定厚度的上部部分；

缓冲层，所述缓冲层位于所述堤部上，所述缓冲层通过引发式化学气相沉积iCVD方法沉积以覆盖所述沟槽图案的内表面；以及

封装层，所述封装层设置在所述缓冲层上。

2.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：

阳极，所述阳极设置在所述多个子像素中的每个子像素中；

有机层，所述有机层设置在所述阳极上；以及

阴极，所述阴极设置在所述有机层上，

其中，所述有机层和所述阴极在位于彼此相邻的子像素之间的所述沟槽图案中断开。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述缓冲层通过引发剂和至少两种丙烯酸单体的共聚来配置。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述引发剂包括叔丁基过氧化物TBPO，

其中，所述单体包括甲基丙烯酸缩水甘油酯GMA的单体1和丙烯酸羟乙酯HEA的单体2，并且

其中，所述缓冲层是根据所述单体1和所述单体2的分数共形地或可流动地沉积的。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述单体1和所述单体2的所述分数被设置成3：1至4：1，并且

所述缓冲层共形地沉积以沿着所述沟槽图案的内部形状覆盖所述沟槽图案的内表面。

6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述单体1和所述单体2的所述分数被设置成1.6：1至2：1，并且

所述缓冲层可流动地沉积以覆盖所述沟槽图案的包括所述沟槽图案的内部的上部部分。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，当异物设置在所述堤部上时，所述缓冲层在没有缝隙的情况下沉积成完全覆盖所述异物的倒锥形部分。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述封装层包括：

一次保护层，所述一次保护层设置在所述缓冲层上；

有机层，所述有机层设置在所述一次保护层上；以及

二次保护层，所述二次保护层设置在所述有机层上，

其中，所述缓冲层被设置成延伸到所述基板的非显示区域。

9.根据权利要求8所述的显示装置，所述显示装置还包括：

多个坝部，所述多个坝部设置在所述非显示区域中，

其中，所述有机层被设置成延伸到所述多个坝部之前。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述缓冲层沿着所述多个坝部的弯曲部沉积在所述多个坝部上。

11.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述有机层通过所述iCVD方法沉积在所述一次保护层上，并且

所述有机层延伸到所述非显示区域的一部分。

12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，在延伸到所述非显示显示区域的所述一部分的所述有机层的外侧不存在坝部。

13.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：

至少一个间隔件，所述至少一个间隔件设置在所述多个子像素之间的所述堤部上。

14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述缓冲层沿着所述间隔件的弯曲部沉积在所述间隔件上。

15.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述间隔件具有倒锥形形状，并且

所述缓冲层被沉积成完全覆盖所述间隔件的倒锥形部分，使得不形成缝隙。

16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，沉积在所述缓冲层上的一次保护层在所述间隔件的所述倒锥形部分中具有缝隙。

17.根据权利要求15所述的显示装置，其中，当所述缓冲层可流动地沉积时，一次保护层被沉积在所述缓冲层上，使得在所述间隔件的所述倒锥形部分中不具有缝隙。

18.一种显示装置，所述显示装置包括：

基板，所述基板上限定有多个子像素；

堤部，所述堤部设置在所述多个子像素之间；

至少一个沟槽图案，所述至少一个沟槽图案设置在所述多个子像素之间，并且从所述至少一个沟槽图案部分地去除所述堤部的一定厚度的上部部分；

至少一个间隔件，所述至少一个间隔件设置在所述多个子像素之间的所述堤部上；

缓冲层，所述缓冲层通过引发式化学气相沉积iCVD方法沿着所述沟槽图案的内部形状和所述间隔件的弯曲部沉积在所述沟槽图案的内表面以及所述堤部和所述间隔件上；以及

封装层，所述封装层设置在所述缓冲层上。

19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，当异物设置在所述堤部上时，所述缓冲层在没有缝隙的情况下沉积成完全覆盖所述异物的倒锥形部分。

20.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述间隔件具有倒锥形形状，并且

所述缓冲层被沉积成完全覆盖所述间隔件的倒锥形部分，使得不形成缝隙。

21.一种显示装置，所述显示装置包括：

多个子像素，所述多个子像素设置在基板上方；

堤部，所述堤部设置在所述基板上方；

至少一个沟槽图案，所述至少一个沟槽图案形成在所述堤部中并且位于所述多个子像素之间；

缓冲层，所述缓冲层经由应用各向异性化学气相沉积方法形成在所述至少一个沟槽图案内；以及

封装层，所述封装层设置在所述缓冲层上方。

22.根据权利要求21所述的显示装置，其中，

所述缓冲层共形地沉积在所述至少一个沟槽图案内；并且

所述各向异性化学气相沉积方法包括引发式化学气相沉积iCVD方法。

23.根据权利要求21所述的显示装置，其中，

所述缓冲层覆盖所述至少一个沟槽图案的内表面。

24.根据权利要求21所述的显示装置，其中，

所述至少一个沟槽图案与所述堤部的部分去除的部分相对应。

25.根据权利要求21所述的显示装置，所述显示装置还包括：

有机层，所述有机层设置在所述至少一个沟槽图案内，所述缓冲层设置在所述有机层上方。

26.根据权利要求21所述的显示装置，所述显示装置还包括：

有机层，所述有机层设置在所述堤部上方，所述有机层的形成在所述至少一个沟槽图案内的第一部分与所述有机层的形成在所述堤部的上表面上的第二部分断开。

27.根据权利要求21所述的显示装置，所述显示装置还包括：

阳极，所述阳极设置在所述基板上方；

有机层，所述有机层设置在所述阳极上方；以及

阴极层，所述阴极层设置在所述有机层上方，所述缓冲层设置在所述阴极层上方，所述有机层的形成在所述至少一个沟槽图案内的第一部分与所述有机层的形成在所述阳极上方的第二部分断开，所述阴极层的形成在所述至少一个沟槽图案内的第一部分与所述阴极层的形成在所述阳极上方的第二部分断开。

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