CN116390592A - 显示设备及其制造方法 - Google Patents

Abstract

公开一种显示设备及其制造方法。所述显示设备包括：包括多个子像素的基板；形成在所述多个子像素的每一个中的有机发光元件；光控制构件，所述光控制构件包括设置在所述多个子像素的每一个中的光控制图案和位于相邻的光控制图案之间的空气层；以及设置在所述光控制构件上的滤色器层。

Description

显示设备及其制造方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年12月31日提交的韩国专利申请No.10-2021-0194656的优先权权益，通过引用将该韩国专利申请的公开内容整体并入本文，如同在本文完全阐述一样。

技术领域

本发明涉及一种具有改进的光效率的高分辨率显示设备及其制造方法。

背景技术

近来，随着多媒体的发展，平板显示设备的重要性增加。相应地，诸如液晶显示器、等离子体显示器和有机电致发光显示器之类的平板显示设备被商业化。在这些平板显示设备之中，有机电致发光显示器具有快速响应速度、高亮度以及良好的视角。

同时，近年来，随着虚拟现实和增强现实引起了大量关注，对具有高分辨率的紧凑型虚拟现实和增强显示装置的需求日益增加。但是，利用传统的有机电致发光显示器难以满足这种高分辨率和紧凑度的需求。

发明内容

因此，本发明的多个方面旨在提供一种基本上克服了由于相关技术的限制和缺点导致的一个或多个问题的显示设备及其制造方法。

本发明的多个方面提供一种显示设备及其制造方法，其能够防止由于与相邻子像素的颜色混合导致的缺陷并改进光效率。

本发明的附加特点和优点将在下文描述中阐述，部分地根据下文描述将变得显而易见，或者可通过发明实践而获悉。本发明的这些和其他优点可通过书面说明书及其权利要求书和附图中具体指出的结构来实现和获得。

为了实现这些和其他优点，根据本发明的目的，如本文具体化和广义描述的，一种显示设备包括：包括多个子像素的基板；形成在所述多个子像素的每一个中的有机发光元件；光控制构件，所述光控制构件包括设置在所述多个子像素的每一个中的光控制图案和位于相邻的光控制图案之间的空气层；以及设置在所述光控制构件上的滤色器层。

在另一方面，一种显示设备包括：包括多个子像素的基板；形成在所述多个子像素的每一个中的有机发光元件；设置在所述有机发光元件上的封装层；以及设置在所述封装层上的滤色器层，其中所述封装层包括整体形成在所述基板上的第一封装层、在所述第一封装层上形成为角锥形或透镜形的第二封装层和设置在所述第二封装层上的第三封装层，其中在相邻的第二封装层之间形成有空气层，使得从所述有机发光元件发射的光在所述第二封装层和所述空气层之间的界面处被反射。

在又一方面，一种制造显示设备的方法包括：在基板上形成多个晶体管；在所述基板上形成有机发光元件；在所述有机发光元件上形成封装层；在所述封装层上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成支撑层；去除所述支撑层的多个部分以形成多个开口和多个支撑构件；以及使用所述多个支撑构件来蚀刻所述绝缘层。

将理解，前面的大致描述和下文的详细描述都是示例性和解释性的，其旨在对要求保护的本发明提供进一步解释。

附图说明

给本发明提供进一步理解并且并入本申请组成本申请一部分的附图图解了本发明的实施方式，并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：

图1是根据本发明多个方面的有机电致发光显示设备的示意性框图；

图2是图1的子像素的示意性框图；

图3是概念性图解根据本发明多个方面的有机电致发光显示设备的子像素的电路图；

图4是示意性图解根据本发明多个方面的有机电致发光显示设备的结构的透视图；

图5是示出根据本发明多个方面的有机电致发光显示设备的结构的剖视图；

图6A和6B是图解根据本发明多个方面的有机电致发光显示设备的支撑构件的结构的视图；

图7是图解从其中未设置光控制构件LCU的有机电致发光显示设备的有机发光元件发射的光的输出路径的视图；

图8是图解从根据本发明多个方面的有机电致发光显示设备的有机发光元件发射的光的输出路径的视图；

图9A至9G是图解根据本发明多个方面的有机电致发光显示设备的制造方法的视图；

图10是示出根据本发明多个方面的有机电致发光显示设备的另一结构的剖视图；

图11是示出根据本发明多个方面的有机电致发光显示设备的结构的剖视图；

图12是示出根据本发明多个方面的有机电致发光显示设备的结构的剖视图；

图13是示出根据本发明多个方面的有机电致发光显示设备的结构的剖视图；

图14是示出根据本发明多个方面的有机电致发光显示设备的结构的剖视图。

具体实施方式

本发明的优点和特点以及其实现方法通过下文参照附图详细描述的各个方面将很清楚。但是，本发明不限于下文描述的各个方面，而是可按照各种不同的形式实现，提供了公开的多个方面作为示例。提供本发明的公开内容是为了向所属领域的普通技术人员充分告知用以实践本发明的细节，本发明由权利要求书的范围限定。

为了解释本发明的多个方面而在附图中公开的形状、尺寸、比例、角度、数量等是示例性的，本发明不限于图示的细节。在整个说明书中相同的参考标记指代相同的要素。此外，对于可能会不必要地模糊本发明的主题的相关已知技术的详细描述被省略。在本申请中使用“包括”、“具有”和“包含”等术语进行描述的情形下，可添加其他部分，除非上下文有相反指明。

在解释要素时，如果要素被标识为有形或无形(例如电容)的单数，则即使没有单独的明确描述，其性质也可解释为包括裕度范围。

在描述位置关系的情形下，例如，当两部分之间的位置关系被描述为“在……上”、“在……上方”、“在……下方”、“在……旁边”等时，可在这两部分之间设置一个或多个其他部分，除非使用了“直接”。

在描述时间关系的情形下，例如当时间先后顺序被描述为“在……之后”、“随后”、“接下来”、“在……之前”等时，可包括不连续的情形，除非明确描述了时间关系。

尽管使用“第一”、“第二”等来描述各种组件，但这些组件不受这些术语限制。这些术语仅仅是用来将一组件与另一组件区分开，数字通用描述并不暗示除了他们是相似组件之外的任何附加关系。因此，在不脱离本发明的技术精神的条件下，下文提及的第一组件可以是第二组件。

本发明各实施方式的相应特征可彼此部分或整体地连接或组合，并且可在技术上进行各种互锁和驱动；本发明的各个方面可彼此独立地实施，或者可以关联的关系一起实施。

下文，参照附图解释根据本发明的多个方面。

本发明可应用于各种显示设备。例如，本发明可应用于诸如液晶显示设备、有机电致发光显示设备以及电泳显示设备之类的各种显示器。但是，为了便于下文解释，以下描述有机电致发光显示设备。

图1是根据本发明多个方面的有机电致发光显示设备的示意性框图；图2是图1的子像素的示意性框图。

如图1所示，有机电致发光显示设备100可包括：图像处理部102、时序控制部104、栅极驱动部106、数据驱动部107、电源部108以及显示面板109。

图像处理部102可基于从图像处理部102外部的组件接收到的图像数据来输出用于驱动各种装置的驱动信号。例如，图像处理部102可输出数据使能信号、垂直同步信号、水平同步信号、时钟信号等。

时序控制部104可从图像处理部102接收驱动信号以及图像数据。时序控制部104可基于从图像处理部102输入的驱动信号来产生并输出用于控制栅极驱动部106的操作时序的栅极时序控制信号GDC和用于控制数据驱动部107的操作时序的数据时序控制信号DDC。

栅极驱动部106可响应于从时序控制部104提供的栅极时序控制信号GDC向显示面板109输出扫描信号。栅极驱动部106可向多条栅极线GL1至GLm输出扫描信号。在这种情形下，栅极驱动部106可配置为集成电路(IC)的形式，但不限于此。

数据驱动部107可响应于从时序控制部104输入的数据时序控制信号DDC向显示面板109输出数据电压。数据驱动部107可采样并锁存从时序控制部104提供的数字数据信号DATA，并基于伽马电压将数字数据信号DATA转换成模拟数据电压。数据驱动部107可向多条数据线DL1至DLn输出数据电压。在这种情形下，数据驱动部107可配置为IC的形式，但不限于此。

电源部108可输出高电位电压VDD和低电位电压VSS，并将其提供给显示面板109。高电位电压VDD可经由第一电源线EVDD被提供给显示面板109，低电位电压VSS可经由第二电源线EVSS被提供给显示面板109。此时，电源部108输出电压并驱动栅极驱动部106和/或数据驱动部107。

显示面板109可对应于从栅极驱动部106提供的扫描信号以及通过数据驱动部107提供给多条数据线DL1至DLn的数据电压来显示图像。

显示面板109可包括用于显示图像的多个子像素SP。多个子像素SP可包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，或者可包括白色子像素、红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。在这种情形下，白色、红色、绿色和蓝色子像素SP可都具有相同的面积，但是也可具有不同的面积。

如图2所示，一个子像素SP可连接至栅极线GL、数据线DL、第一电源线EVDD和第二电源线EVSS。子像素SP的晶体管和电容器的数量以及子像素SP的驱动方法可根据其像素电路的构造来确定。

图3是概念性图解根据本发明多个方面的有机电致发光显示设备的子像素的电路图。

如图3所示，本发明多个方面的有机电致发光显示设备可包括彼此交叉并限定子像素SP的栅极线GL、数据线DL和电源线PL。在子像素SP中，可设置开关晶体管Ts、驱动晶体管Td、存储电容器Cst和有机发光元件D。

开关晶体管Ts可连接至栅极线GL和数据线DL，驱动晶体管Td和存储电容器Cst可连接在开关晶体管Ts和电源线PL之间。有机发光元件D可连接至驱动晶体管Td。

在具有这种结构的有机电致发光显示设备中，当开关晶体管Ts根据施加给栅极线GL的栅极信号导通时，施加给数据线DL的数据信号被施加给驱动晶体管Td的栅极和存储电容器Cst的一个电极。

驱动晶体管Td根据施加给驱动晶体管Td的栅极的数据信号而导通，结果，与数据信号成比例的电流经由驱动晶体管Td从电源线PL流入有机发光元件D。由此，有机发光元件D发射具有与流经驱动晶体管Td的电流成比例的亮度的光。

此时，存储电容器Cst利用与数据信号成比例的电压来充电，以在一帧内恒定地保持驱动晶体管Td的栅极电压。

尽管图中仅显示了两个晶体管Td和Ts以及一个电容器Cst，但本发明不限于此，可提供三个或更多个晶体管以及两个或更多个电容器。

图4是示意性图解根据本发明多个方面的有机电致发光显示设备的结构的透视图。

根据本发明多个方面的有机电致发光显示设备100可包括各种结构。下文，在第一实施方式中，解释硅上有机发光二极管(OLEDoS)结构，其中利用半导体工艺将有机发光元件形成在硅晶片基板上。但是，本发明不限于具有这种结构的有机电致发光显示设备100。

如图4所示，根据本发明第一实施方式的有机电致发光显示设备100可包括晶片基板110、第一电极132、有机发光层134、第二电极136、封装层160和滤色器层180。

晶片基板110可以是利用半导体工艺形成的硅晶片基板。有源层可形成在晶片基板110的内侧，并且栅极线、数据线和晶体管可设置在晶片基板110上。

可依次形成第一电极132、有机发光层134和第二电极136，以形成有机发光元件E。多个红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素可具有在晶片基板110上以预定间距彼此分隔开的各自第一电极132。

有机发光层134可形成在整个晶片基板110上以覆盖晶片基板110和第一电极132。有机发光层134对于所有的红色、绿色和蓝色子像素共同形成，以从这些子像素发射白色光。

第二电极136可形成在有机发光层134上。第二电极136可形成在全部子像素上以同时向所有子像素施加信号。

封装层160可形成在第二电极136上以防止氧气或湿气渗透到有机发光元件E。封装层160可使用多个层来配置。在一个方面，封装层包括至少一个无机层和一个有机层。

滤色器层180可形成在封装层160上。滤色器层180可包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。

光控制构件(例如图5所示的光控制构件LCU)可设置在封装层160和滤色器层180之间。光控制构件(例如图5的光控制构件LCU)可控制从有机发光层134发射并入射到滤色器层180的光的路径，以防止从具体子像素发射的光泄漏到相邻子像素的滤色器(例如防止绿色光泄漏到红色滤色器)。在一个方面，光控制构件LCU使得从具体子像素发射的光输入到相应的滤色器。此外，光控制构件(例如图5的光控制构件LCU)可允许相邻子像素上的光传输到相应子像素中，由此改进输入到相应子像素的光的效率并改进有机电致发光显示设备100的亮度。

在根据本发明多个方面的具有OLEDoS结构的有机电致发光显示设备100中，由于有源层形成在晶片基板110上以形成晶体管，所以可形成具有卓越电迁移率的单晶(singlecrystal)晶体管。

因此，可显著减小子像素的尺寸，由此制造高分辨率显示设备。

此外，在具有OLEDoS结构的有机电致发光显示设备100中，栅极驱动部和数据驱动部中的晶体管也可由单晶晶体管形成，由此可提高显示响应速度。

OLEDoS结构的有机电致发光显示设备100可应用于各种领域。例如，OLEDoS结构的有机电致发光显示设备100可应用于提供虚拟现实(VR)和增强现实(AR)经历的头部安装装置(HMD)。在一些情形下，VR装置和AR装置被称为延伸现实(XR)装置。

图5是沿图4的线I-I-截取的剖视图，其示出了根据本发明多个方面的有机电致发光显示设备的结构。有机电致发光显示设备100可包括红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)子像素。

如图5所示，在根据本发明第一实施方式的有机电致发光显示设备100中，晶体管T可设置在子像素R和G的每一个的晶片基板110上。

晶体管T可包括：在晶片基板110的内侧设置的有源区112；在晶片基板110的顶表面上形成的栅极绝缘层122；在栅极绝缘层122上设置的栅极114；在栅极绝缘层122和栅极114上形成的层间绝缘层124；以及在层间绝缘层124上设置的源极116和漏极117。

晶片基板110可以是通过生长单晶硅(Si)形成的单晶硅晶片，但不限于此，晶片基板110可以是由各种半导体材料制成的晶片。

有源区112可形成在晶片基板110内。晶片基板110的有源区112的一部分可在晶片基板110的内侧被掺杂杂质，由此有源区112可包括未被掺杂杂质的中心沟道区112a、以及掺杂有杂质并且位于中心沟道区112a的两侧的源极区112b和漏极区112c。

栅极绝缘层122可通过由诸如硅氧化物(SiOx)和/或硅氮化物(SiNx)之类的无机材料制成的单层或多层形成，但不限于此。

栅极114可通过由诸如Cr、Mo、Ta、Cu、Ti、Al和/或铝合金之类的金属制成的单层或者多层形成，但不限于此。

层间绝缘层124可通过由诸如硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)之类的无机材料制成的单层或者多层形成，或者可由诸如光学丙烯酸(photoacrylic)之类的有机材料形成。此外，层间绝缘层124可配置为有机材料层和无机材料层的多层。

源极116和漏极117可通过由诸如Cr、Mo、Ta、Cu、Ti、Al和/或铝合金之类的金属制成的单层或者多层形成，但不限于此。

源极116和漏极117可分别经由形成在栅极绝缘层122和层间绝缘层124中的接触孔与有源区112的源极区112b和漏极区112c欧姆接触。

钝化层126可形成在其上形成有晶体管T的晶片基板110上。钝化层126可由诸如光学丙烯酸(photoacrylic)之类的有机材料形成，但不限于此。

堤层142可在钝化层126上形成在每个子像素的边界处。堤层142可以是限定子像素的分隔壁。堤层142可分隔子像素，以防止从相邻子像素输出的具体颜色的光混合输出。

有机发光元件E可形成在钝化层126上，并且可经由形成在钝化层126中的接触孔连接至晶体管T的漏极117。

有机发光元件E可包括第一电极132、有机发光层134和第二电极136，第一电极132形成在堤层142之间并且经由钝化层126的接触孔连接至晶体管T的漏极117，有机发光层134形成在第一电极132和堤层142上，第二电极136形成在有机发光层134上。

第一电极132可通过由诸如Ca、Ba、Mg、Al、Ag和/或其合金之类的金属制成的单层或多层形成。第一电极132可连接至晶体管T的漏极117。第一电极132可由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)之类的透明金属氧化物或者具有良好导电率的金属制成。

当第一电极132由透明金属氧化物制成时，尽管未在图中示出，但是可在第一电极132的下方形成具有诸如Al或Ag之类的反射表面的反射电极，以反射入射在第一电极132上的光，由此改进光效率。

可对于每个子像素形成第一电极132。

有机发光层134可形成在第一电极132和堤层142上。有机发光层134可包括空穴传输层、空穴注入层、发光层、电子传输层和电子注入层的至少之一。

有机发光层134可以是发射白色光的白色有机发光层，并且基本形成在整个显示设备100上。有机发光层134可形成有串联结构(tandem structure)的两个或更多个叠层。每个叠层可包括空穴传输层、发光层和电子传输层。

有机发光层134可包括以串联结构堆叠的多个发光层。例如，发光层可包括以串联结构堆叠的红色(R)发光层、绿色(G)发光层和蓝色(B)发光层，从而从相应发光层输出的红色光、绿色光和蓝色光可混合，以输出白色光。在这种情形下，空穴传输层、电子传输层和电荷生成层可按照串联结构设置在这些发光层之间。

此外，发光层可包括以串联结构堆叠的黄绿色发光层和蓝色(B)发光层，从而从相应发光层发射的黄绿色光和蓝色光可混合以输出白色光。

在根据本发明第一实施方式的有机电致发光显示设备100中，用于输出白色光的发光层的结构不限于上述结构，而是可具有各种结构。有机发光层134可通过沉积工艺或溶液工艺(solution process)形成在整个晶片基板110上。

第二电极136可由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)之类的透明导电材料、或者可透射可见光的薄金属制成，但不限于此。

当电压被施加给有机发光元件E中的第一电极132和第二电极136时，空穴和电子分别经由空穴传输层和电子传输层迁移到发光层，并且在发光层中彼此结合以发光。

封装层160可形成在第二电极136上。封装层160可包括由无机材料制成的第一封装层162、由有机材料制成的第二封装层164和由无机材料制成的第三封装层166。在这种情形下，无机材料可包括硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiOx)，但不限于此。此外，有机材料可包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚丙烯酸酯或其混合物，但不限于此。

但是，在根据本发明第一实施方式的有机电致发光显示设备100中，封装层160不限于上述三层结构，而且可形成为各种结构。例如，封装层160可具有无机层和有机层的双层结构，或者可具有四层或更多层的结构。

光控制构件LCU可设置在封装层160上。光控制构件LCU可控制从有机发光层134发射并且入射到其上的光的路径，以使得从具体子像素(例如R子像素)发射的光不会引入到相邻子像素(例如G子像素)。此外，光控制构件LCU可通过将要进入相邻子像素的光集中以改进输入到相应子像素的光的效率，由此改进显示设备100的亮度。

光控制构件LCU可包括光控制图案150、支撑构件154、以及位于每个光控制图案150和支撑构件154之间的空气层152。光控制图案150可沿着有机电致发光显示设备100的子像素延伸，并且形成为具有其宽度从底到顶变窄的角锥形(或锥形)剖面。

支撑构件154可形成在每个子像素的光控制图案150的顶表面(或上表面)上。支撑构件154的底表面的一部分可悬垂(overhang)在光控制图案150的顶表面上。支撑构件154可通过在两个相邻的支撑构件154之间形成开口156来与相邻子像素的光控制图案150分隔开预定距离。支撑构件154可被形成为比光控制图案150的顶表面具有更大的面积，从而支撑构件154可从光控制图案150延伸到两侧，并且支撑构件154的底表面(或下表面)可相对于光控制图案150的两个侧表面形成为底切(undercut)形式。

空气层152可被限定为通过光控制图案150和支撑构件154形成的空白空间。也就是说，空气层152可以是通过底切形式的支撑构件154和光控制图案150的谷底(valley)而形成的空白空间。

如图5所示，空气层152的宽度可从底到顶增加。在图5所示的方案中，空气层152具有倒三角形剖面，但是，空气层152也可具有倒锥形剖面。根据光控制图案150的剖面形状，空气层152的剖面可形成为各种形状。空气层152可连接至形成在支撑构件154之间的开口156。

光控制图案150可由诸如SiOx或SiNx之类的无机材料制成。可选地，光控制图案150可由有机材料制成。光控制图案150可将从有机发光元件E发射的光集中，以改进有机电致发光显示设备100的光效率。

当从有机发光元件E发射的光传播到光控制图案150中并且入射在光控制图案150和空气层152之间的界面上时，光由于光控制图案150和空气层152之间的折射率差异而发生折射。基于光控制图案150和相邻材料之间的折射率差异，入射到光控制图案150的边界的光可被反射。在一个方面，空气层152的折射率是1，SiOx的折射率约为1.45，SiNx的折射率约为1.5。此外，一般而言，诸如树脂之类的有机材料具有比无机材料更高的折射率，约为2.0或更高。因此，当从具体子像素的有机发光元件E发射的光传播到相邻子像素并且光以高于临界角的角度入射在光控制图案150和空气层152之间的界面处时，光被全反射，并输入给相应子像素。因此，由于侧向泄漏的光被再次提供给相应子像素，所以经由相应子像素输出的光的强度提高，以改进有机电致发光显示设备100的亮度。

滤色器层180可形成在支撑构件154的顶表面上。支撑构件154可由抗蚀刻无机材料、有机材料或透明金属氧化物制成，并且可防止滤色器层180塌陷到空气层152中并保持滤色器层180的结构完整性。

当空气层152总是保持恒定形状时，通过每个子像素的光控制构件LCU实现的光的集中度(degree of concentration)变为恒定，可在所有子像素中保持恒定亮度。例如，当支撑构件154与滤色器层189一起变形时，由于支撑构件154的重量，空气层152的形状改变并且光控制图案150的形状也改变。空气层152和光控制图案150的形状改变使得经由空气层152和光控制图案150的光反射发生失真，从而会聚到子像素的光的分布产生失真，亮度分布不均匀。

为了防止这个问题，支撑构件154需要保持平坦状态(flat state)。在本发明中，为了保持支撑构件154恒定，设置在每个子像素中的支撑构件154可与相邻子像素的支撑构件154相组合，以防止支撑构件154变形。

也就是说，如图6A和6B所示，一个连接构件154a或多个连接构件154a可形成在相邻子像素的支撑构件154之间，以将相邻子像素的支撑构件154彼此连接。由此，可防止支撑构件154的变形。在一些方面中，相邻子像素的支撑构件154可按照各种方式连接。

由于支撑构件154仅形成在相应子像素中并且开口156形成在相邻子像素的支撑构件154之间，所以形成在支撑构件154的顶表面上的滤色器层180也可被形成为在子像素的边界区处具有开口156。

由于开口156是空白空间并且与空气层152互通，所以开口156也可被视为空气层。

粘合剂192可设置在滤色器层180上，并且保护构件190可设置在粘合剂192上，由此保护构件190可通过粘合剂192附接至滤色器层180。

保护构件190可保护并封装有机电致发光显示设备100，并且可由玻璃或透明膜形成。透明保护膜的非限制性示例包括聚丙烯(PS)膜、聚乙烯(PE)膜、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)膜或聚酰亚胺(PI)膜。

粘合剂192可使用透明光学粘合剂(例如光学透明粘合剂OCA)，但不限于此，可采用各种其他粘合构件。

如上所述，在根据本发明第一实施方式的有机电致发光显示设备100中，由于晶体管T形成在由单晶半导体而不是玻璃或塑料膜制成的晶片基板110上，所以即使子像素的面积显著减小，也可提供期望的高质量图像，由此能够实现高分辨率显示设备100。

此外，在根据本发明第一实施方式的有机电致发光显示设备100中，未形成用于防止子像素R和G之间的光泄漏的黑矩阵，可形成更细微的子像素。这使得能够实现具有超高分辨率的有机电致发光显示设备100。

在根据本发明第一实施方式的有机电致发光显示设备100中，光控制构件LCU设置在滤色器层180的下方，以将从有机发光元件E发射的光进行集中。由此，可防止由于与相邻子像素的颜色混合导致的缺陷，并且改进有机电致发光显示设备100的光效率。下文详细描述由于颜色混合导致的缺陷示例。

图7是图解在不提供光控制构件LCU的有机电致发光显示设备中，从有机发光元件发射的光的输出路径的视图。

如图7所示，从R、G和B子像素发射的白色光通过滤色器层180并输出。此时，关于通过R滤色器的白色光，不同波长带中的光被吸收而仅输出红色光。关于通过G滤色器的白色光，不同波长带中的光被吸收而仅输出绿色光。关于通过B滤色器的白色光，不同波长带中的光被吸收而仅输出蓝色光。

但是，在具有这种结构的有机电致发光显示设备中，黑矩阵未设置在R、G和B滤色器之间以实现高分辨率，通过具体子像素的光可经由其他相邻的子像素区输出。

例如，垂直通过R、G和B滤色器的光①和③在不经过滤波的条件下经由R、G和B子像素输出。

滤色器层180包括具有相似折射率的R、G和B滤色器，并且R、G和B滤色器在子像素之间的界面处彼此接触。由此，子像素的界面具有基本相似的折射率。因此，以预定角度入射到具体子像素并且入射到与相邻子像素的界面的光照原样经由相邻的子像素输出，而没有折射。

尤其是，由于如同在本发明中那样，黑矩阵未设置在高分辨率的有机电致发光显示设备中的R、G和B子像素之间，所以入射在与相邻子像素之间的界面上的光经由相邻子像素直接输出。

例如，光②以某一角度输入给R滤色器并且入射在R子像素和G子像素之间的界面上。基于入射角度，入射的光输入给G子像素，而没有折射或反射。因此，并非从R子像素输出的所有光都从R子像素输出，而是一些光泄漏到相邻的G子像素并经由相邻的G子像素输出。由此，在G子像素中产生红色光和绿色光的不同颜色的混合，从而由于光泄漏导致在屏幕上产生斑点(spot)。

图8是图解在根据本发明多个方面的有机电致发光显示设备中，从有机发光元件发射的光的输出路径的视图。

如图8所示，在根据本发明第一实施方式的有机电致发光显示设备100中，包括光控制图案150、空气层152和支撑构件154的光控制构件LCU形成在封装层160上。支撑构件154形成在R、G和B子像素的每一个中，并且通过开口156与相邻子像素的支撑构件154分隔开。滤色器层180形成在支撑构件154上，并且滤色器层180包括分别形成在R、G和B子像素中的R、G和B滤色器。

由于R、G和B滤色器仅形成在相应子像素的支撑构件154上，所以相邻的R、G和B滤色器彼此分隔开预定距离，从而开口156和相应的空气层152均匀地形成在R、G和B滤色器之间。

在具有这种结构的有机电致发光显示设备100中，从R、G和B子像素的有机发光元件E发射的白色光穿过封装层160和光控制构件LCU传播，然后经由其上的滤色器层180输出。例如，从R子像素的有机发光元件E发射的白色光穿过封装层160和光控制构件LCU传播，然后在通过R滤色器的同时在其他波长带中的光被吸收，从而仅输出红色光。从B子像素的有机发光元件E发射的白色光穿过封装层160和光控制构件LCU传播，然后在通过B滤色器的同时在其他波长带中的光被吸收，从而仅输出蓝色光。从G子像素的有机发光元件E发射的白色光穿过封装层160和光控制构件LCU传播，然后在通过G滤色器的同时在其他波长带中的光被吸收，从而仅输出绿色光。

从子像素的有机发光元件E发射的光①穿过封装层160和光控制构件LCU向上传播，然后经由相应的滤色器输出。

从子像素的有机发光元件E发射并且以预定角度在向上方向上输出的光②在光控制构件LCU中朝向相邻的子像素传播，并且入射在光控制构件LCU的光控制图案150和空气层152之间的界面上。

光控制图案150具有比空气层152更高的折射率，因此使得入射在光控制图案150和空气层152之间的界面上的光在光控制图案150和空气层152之间的界面处被反射。换句话说，朝向相邻子像素传播的光被反射，然后经由相应子像素的滤色器层180输出。

因此，在根据本发明第一实施方式的有机电致发光显示设备100中，从相应子像素的有机发光元件E发射的光不穿透到相邻的子像素而是全部光经由相应的滤色器输出。由于与相邻子像素的颜色混合导致的缺陷被避免，在相应子像素中的亮度得到显著提高。

此外，在根据本发明第一实施方式的有机电致发光显示设备100中，空气层152还形成在R、G和B滤色器之间。由此，由于在滤色器层180和空气层152之间的折射率差异，所以在滤色器层180中朝向相邻子像素传播的光被反射并且经由相应的滤色器输出。因此，由于与相邻子像素的颜色混合导致的缺陷被更有效地避免，在相应子像素中的亮度得到进一步提高。

根据本发明的多个方面，通过提供光控制构件LCU，相比一般的有机电致发光显示设备，光效率提高了约10-25％；并且通过光效率的这种提高，可改进有机电致发光显示设备的亮度。

图9A至9G是图解根据本发明多个方面的有机电致发光显示设备的制造方法的视图。

首先，如图9A所示，在制备通过生长诸如单晶硅之类的单晶半导体材料形成的晶片基板110之后，向晶片基板110的每个子像素掺杂杂质。通过向子像素掺杂杂质，可在晶片基板110中形成包括源极区112b、漏极区112c以及未被掺杂杂质的中心沟道区112a的有源区112。

随后，如图9B所示，可通过使用化学气相沉积(CVD)方法层压作为单层或多层的、诸如SiOx或SiNx之类的无机材料来形成栅极绝缘层122。金属可沉积在栅极绝缘层122上，并且金属可被蚀刻以形成栅极114。

之后，可层压无机材料，以形成单层或多层的层间绝缘层124。然后，金属可被层压并蚀刻，以形成经由相应的接触孔电连接至有源区112的源极区112b和漏极区112c的源极116和漏极117。由此，可完成晶体管T。

随后，如图9C所示，可通过在晶体管T上层压有机材料或者层压无机材料和有机材料，形成钝化层126。然后，诸如ITO或IZO之类的透明导电材料或金属可被层压并蚀刻，以在每个子像素中形成第一电极132。此时，尽管未在图中示出，但是当第一电极132由透明导电材料形成时，在形成并蚀刻第一电极132之前，具有优良反射率的诸如Al或Ag之类的金属可被层压在钝化层126上以形成反射电极。

之后，堤层142可形成在其上形成有第一电极132的钝化层126上。然后，如图9D所示，有机发光材料可被涂覆在整个晶片基板110上，以形成有机发光层134。

接下来，通过以溅射法在整个有机发光层134上层压诸如ITO或IZO之类的透明导电材料来形成第二电极136。

随后，封装层160可形成在第二电极136上。封装层160可包括第一封装层162、第二封装层164和第三封装层166。第一封装层162可整体形成在晶片基板110上。第一封装层162可通过使用CVD方法层压诸如SiOx或SiNx之类的无机材料来形成。第二封装层164可通过涂覆诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛或聚丙烯酸酯之类的有机材料形成。第三封装层166可通过使用CVD方法层压诸如SiNx和SiOx之类的无机材料来形成。

接下来，如图9E所示，在封装层160上层压由诸如SiOx或SiNx之类的无机材料或者诸如树脂之类的有机材料制成的绝缘层150a之后，由具有抗蚀性的有机材料或透明金属氧化物材料制成的支撑层被层压并蚀刻，以在绝缘层150a上形成支撑构件154。可去除支撑层的多个部分，以形成多个开口和多个支撑构件。通过蚀刻，支撑构件154仅形成在子像素中，开口156形成在相邻的子像素之间。可选地，支撑层的多个行部分(portions of rows)和多个列部分(portions of columns)可被去除，以在每个支撑构件附接至相邻的支撑构件的状态下形成连接的支撑构件的格子图案(lattice)。

之后，当使用支撑构件154作为蚀刻掩模对绝缘层150a蚀刻时，蚀刻气体经由在支撑构件154之间的开口156渗透到绝缘层150a中，以对绝缘层150a执行各向同性蚀刻。由此，如图9F所示，在开口156周围蚀刻绝缘层150a，从而在支撑构件154的下方形成其宽度从顶到底增加的角锥形光控制图案150，并且在光控制图案150之间形成空气层152。

接下来，滤色器层180形成在光控制图案150上。例如，可通过在支撑构件154上涂覆R彩色光阻剂(color resist)并且蚀刻R彩色光阻剂以形成R滤色器、在支撑构件154上涂覆G彩色光阻剂并且蚀刻G彩色光阻剂以形成G滤色器、以及在支撑构件154上涂覆B彩色光阻剂并且蚀刻B彩色光阻剂以形成B滤色器，形成滤色器层180。在这种情形下，滤色器层180的R、G和B滤色器以预定距离彼此分隔开，并且与空气层152连通的开口156形成在R、G和B滤色器之间。

图9E至9F例示了形成滤色器层180的一个方面。其他方面包括通过其他方法形成滤色器层180。

之后，如图9G所示，使用诸如OCA之类的粘合剂192将保护构件190附接至滤色器层180，由此完成有机电致发光显示设备100。

如上所述，在根据本发明第一实施方式的有机电致发光显示设备100中，使用支撑构件154作为蚀刻掩模来执行各向同性蚀刻，以形成具有角锥形形状的光控制图案150。

但是，根据本发明多个方面的有机电致发光显示设备100的光控制图案150并非仅形成为角锥形，而是可形成为各种其他形状。

例如，如图10所示，光控制图案150可形成在诸如凸透镜之类的形状。由于具有这种形状的光控制图案150也将从有机发光元件E发射的光集中到相应的子像素，所以可防止由于与其他子像素的颜色混合导致的缺陷，并且改进亮度。

图11是示出根据本发明多个方面的有机电致发光显示设备的结构的剖视图。与图5所示的第一实施方式相同的结构可被省略或简化，可仅详细描述其他结构。

如图11所示，在本实施方式的有机电致发光显示设备200中，在每个子像素的封装层260上可形成包括角锥形或透镜形光控制图案250、支撑构件254和空气层252的光控制构件LCU。晶体管T可包括：在晶片基板210的内侧设置的有源区212；在晶片基板210的顶表面上形成的栅极绝缘层222；在栅极绝缘层222上设置的栅极214；在栅极绝缘层222和栅极214上形成的层间绝缘层224；以及在层间绝缘层224上设置的源极216和漏极217。有源区212可包括未被掺杂杂质的中心沟道区212a、以及掺杂有杂质并且位于中心沟道区212a的两侧的源极区212b和漏极区212c。堤层242可在钝化层226上形成在每个子像素的边界处。有机发光元件E可包括第一电极232、有机发光层234和第二电极236。封装层260可形成在第二电极236上。封装层260可包括由无机材料制成的第一封装层262、由有机材料制成的第二封装层264和由无机材料制成的第三封装层266。保护构件290可通过粘合剂292附接至滤色器层280。

因此，光控制构件LCU可控制从有机发光层234发射并入射到其上的光的路径，以防止从具体子像素(例如R子像素)发射的光输入到相邻子像素(例如G子像素)。此外，光控制构件LCU可通过将要进入相邻子像素的光集中以提高输入到相应子像素的光的强度来改进有机电致发光显示设备200的亮度。

平坦化层284可形成在支撑构件254上，滤色器层280可形成在平坦化层284上。平坦化层284可由诸如光学丙烯酸(photo-acryl)之类的有机材料制成，但不限于此。

平坦化层284可阻挡来自外部的湿气或杂质的渗透，并且还允许滤色器层280稳定地形成在支撑构件254上。也就是说，由于形成平坦化层284，有机电致发光显示设备200的封装特性得到改进，并且有机电致发光显示设备200的结构稳定性得到改进。

平坦化层284可不针对每个子像素而形成，而是可形成在全部子像素上，形成在平坦化层284上的滤色器层280也可形成在全部子像素上，而不是对于每个子像素分隔开。也就是说，在本实施方式的有机电致发光显示设备200中，相邻的滤色器可被形成为彼此接触。

但是，即使在本实施方式的有机电致发光显示设备200中，平坦化层284形成在全部子像素上，形成在平坦化层284上的滤色器层280可被配置为：使得空气层可形成在以预定间距彼此分隔开的R、G和B滤色器之间。

因此，由于在滤色器层280和空气层之间的折射率差异，所以在滤色器层280中传播到相邻子像素的光也被反射并经由相应的滤色器输出。由此可更有效地防止由于与相邻子像素的颜色混合导致的缺陷，并且进一步提高相应子像素的亮度。

图12是示出根据本发明多个方面的有机电致发光显示设备的结构的剖视图。与图5所示的第一实施方式相同的结构可被省略或简化，可仅详细描述其他结构。

如图12所示，在本实施方式的有机电致发光显示设备300中，在每个子像素的晶片基板310上可形成晶体管T。晶体管T可包括设置在晶片基板310的内侧的有源区312、形成在晶片基板310的顶表面上的栅极绝缘层322、设置在栅极绝缘层322上的栅极314、形成在栅极绝缘层322和栅极314上的层间绝缘层324、以及设置在层间绝缘层324上的源极316和漏极317。有源区312可包括未被掺杂杂质的中心沟道区312a、以及掺杂有杂质并且位于中心沟道区312a的两侧的源极区312b和漏极区312c。封装层360可包括由无机材料制成的第一封装层362、由有机材料制成的第二封装层364和由无机材料制成的第三封装层366。保护构件390可通过粘合剂392附接至滤色器层380。

钝化层326可形成在具有晶体管T的晶片基板310上，并且堤层342在钝化层326上形成在子像素之间的边界处。此外，有机发光元件E可形成在钝化层326上。有机发光元件E可包括：形成在堤层342之间并且经由接触孔连接至晶体管T的漏极317的第一电极332；形成在第一电极332和堤层342上的有机发光层334；以及形成在有机发光层334上的第二电极336。

沟槽(trench)311可形成在每个子像素的边界处。沟槽311可防止漏电流出现在相邻子像素之间。沟槽311可被形成为穿透堤层342和至少一部分钝化层326。

在子像素之间的距离被密集地配置以实现高分辨率的情形下，当从一个子像素中的发光层发射光时，在发光层中的电荷移动到另一相邻子像素中的发光层，由此存在出现漏电流的可能性。因此，通过在子像素之间形成沟道311，形成在沟槽311中的有机发光层334的一部分或者全部被切掉，由此防止在相邻子像素之间出现漏电流。

同时，反射构件338(例如第三电极)可形成在有机发光元件E的第一电极332上。反射构件338可与从有机发光层334发射的光通过微腔效应产生相长干涉(或者可使从有机发光层334发射的光共振)，以改进有机发光元件E的光提取效率。

也就是说，从有机发光层334发射的光在第二电极336和反射构件338之间被反射，并且当第二电极336和反射构件338之间的距离是设定距离(即，共振距离)时，从有机发光层334发射的光经由相长干涉而输出，由此提高光提取效率。也就是说，根据从有机发光层334发射的光的波长带，反射构件338与第二电极336之间具有不同的距离，由此提高光的强度。因此，可改进有机发光元件E的光提取效率。

相应地，根据诸如光的波长带之类的各种条件，反射构件338可设置在第一电极332上并且还可设置在第一电极332的下方。可选地，反射构件338可位于层间绝缘层324或栅极绝缘层322处。同时，反射构件338可仅形成在一些子像素中。例如，反射构件338可仅形成在R和G子像素中，反射构件338可不形成在B子像素中。

反射构件338可由具有良好反射率的金属比如Ag或Al形成，但不限于此。

在根据本实施方式的有机电致发光显示设备300中，第二电极336可由通过诸如Ca、Ba、Mg、Al、Ag和/或其合金之类的金属制成的单层或多层形成。

如此，在本实施方式中，通过在晶片基板310上形成沟槽311以断开有机发光层334的一部分或全部，可防止由于侧向漏电流导致的色偏移；此外，通过形成用于调节间距(此间距用于在有机发光元件E中产生共振现象)的反射构件338，可提高光提取效率。

尽管图12中公开了设置有沟槽311和反射构件338的结构，但是设置有沟槽311或反射构件338的结构也是可行的。

此外，在本实施方式的有机电致发光显示设备300中，在每个子像素的封装层360上形成光控制构件LCU，其包括角锥形或透镜形光控制图案350、支撑构件354和位于光控制图案350之间的空气层352。

因此，光控制构件LCU可控制从有机发光层334发射并入射到其上的光的路径，以防止从具体子像素(例如R子像素)发射的光泄漏到相邻子像素(例如G子像素)。此外，光控制构件LCU可通过将要进入相邻子像素的光集中以提高输入到相应子像素的光的强度，改进有机电致发光显示设备300的亮度。

此外，尽管图中未示出，但是在本实施方式的有机电致发光显示设备300中，平坦化层可形成在支撑构件354和滤色器层380之间。

图13是示出根据本发明多个方面的有机电致发光显示设备400的结构的剖视图。与图5所示的第一实施方式相同的结构可被省略或简化，可仅详细描述其他结构。

如图13所示，在本实施方式的有机电致发光显示设备400中，在每个子像素的封装层460上可形成光控制构件LCU，其包括角锥形或透镜形光控制图案450、支撑构件454和位于光控制图案450之间的空气层452。晶体管T可包括：在晶片基板410的内侧设置的有源区412；在晶片基板410的顶表面上形成的栅极绝缘层422；在栅极绝缘层422上设置的栅极414；在栅极绝缘层422和栅极414上形成的层间绝缘层424；以及在层间绝缘层424上设置的源极416和漏极417。有源区412可包括未被掺杂杂质的中心沟道区412a、以及掺杂有杂质并且位于中心沟道区412a的两侧的源极区412b和漏极区412c。堤层442可在钝化层426上形成在每个子像素的边界处。有机发光元件E可包括第一电极432、有机发光层434和第二电极436。封装层460可形成在第二电极436上。封装层460可包括由无机材料制成的第一封装层462、由有机材料制成的第二封装层464和由无机材料制成的第三封装层466。保护构件490可通过粘合剂492附接至滤色器层480。

因此，光控制构件LCU可控制从有机发光层434发射并入射到其上的光的路径，从而防止了从具体子像素(例如R子像素)发射的光输入到相邻子像素(例如G子像素)。此外，光控制构件LCU可通过将要进入相邻子像素的光集中以改进输入到相应子像素的光的强度来改进有机电致发光显示设备400的亮度。

此外，在本实施方式的有机电致发光显示设备400中，反射层444形成在堤层442上。反射层444可由具有良好反射率的诸如Al或Ag之类的金属制成，但不限于此。

反射层444可反射从有机发光层434朝向相邻子像素发射的光并且经由相应子像素的滤色器层480再次输出光。因此，可与光控制构件LCU一起更可靠地防止光入射在相邻子像素上，由此可更可靠地防止由于与相邻子像素的颜色混合导致的缺陷。此外，反射层444用于与光控制构件LCU一起将要进入相邻子像素的光再次输出到相应子像素，由此提高输入到相应子像素的光的强度，从而进一步提高有机电致发光显示设备400的亮度。

由于反射层444反射从有机发光层434朝向相邻子像素侧发射的光，所以反射层444可仅形成在堤层442的光所入射到的区域上，即，仅形成在堤层442的侧表面上。可选地，反射层444可至少形成在堤层442的侧表面上。

可选地，在本实施方式的有机电致发光显示设备400中，反射层444可在有机发光层434的侧表面上而不是堤层442的侧表面上形成为单独的层，以反射从有机发光层434发射的光。在这种情形下，反射层444可被形成为具有大于有机发光层434的厚度。

同时，在本实施方式的有机电致发光显示设备400中，平坦化层可形成在支撑构件454和滤色器层480之间，并且用于断开有机发光层434的沟槽可形成在晶片基板410上。此外，用于微腔效应的反射构件可形成在有机发光元件E中。

图14是示出根据本发明多个方面的有机电致发光显示设备的结构的剖视图。与图5所示的第一实施方式相同的结构可被省略或简化，可仅详细描述其他结构。

如图14所示，在本实施方式的有机电致发光显示设备500中，光控制构件可形成在每个子像素的封装层560中。封装层560可包括由无机材料制成的第一封装层562、由有机材料制成的第二封装层564、以及由无机材料制成的第三封装层566。第二封装层564可具有角锥形或透镜形，空气层565可形成在相邻的第二封装层564之间。此外，滤色器层580可形成在第三封装层566上。晶体管T可包括：在晶片基板510的内侧设置的有源区512；在晶片基板510的顶表面上形成的栅极绝缘层522；在栅极绝缘层522上设置的栅极514；在栅极绝缘层522和栅极514上形成的层间绝缘层524；以及在层间绝缘层524上设置的源极516和漏极517。有源区512可包括未被掺杂杂质的中心沟道区512a、以及掺杂有杂质并且位于中心沟道区512a的两侧的源极区512b和漏极区512c。堤层542可在钝化层526上形成在每个子像素的边界处。有机发光元件E可包括第一电极532、有机发光层534和第二电极536。保护构件590可通过粘合剂592附接至滤色器层580。

因此，由于从有机发光层534发射的光在第二封装层564和空气层565之间的界面处被反射，所以防止了从具体子像素(例如R子像素)发射的光未输入到相应子像素而是输入到相邻子像素(例如G子像素)。此外，通过将要进入相邻子像素的光集中以提高输入到相应子像素的光的强度，可改进有机电致发光显示设备500的亮度。

如图14所示，可在相邻子像素之间以预定间距形成滤色器层580，以在R、G和B滤色器之间形成空气层567。可选地，不同于图中所示，可在子像素之间不具有空气层的条件下形成滤色器层580。

因此，由于在滤色器层580和空气层565之间的折射率差异，在滤色器层580中传播到相邻子像素的光也被反射，并经由相应滤色器输出。由此，可更有效地防止由于与相邻子像素的颜色混合导致的缺陷，此外可提高相应子像素的亮度。

同时，在本实施方式的有机电致发光显示设备500中，平坦化层可形成在第三封装层566和滤色器层580之间，并且用于断开有机发光层534的沟槽可形成在晶片基板510上。此外，用于微腔效应的反射构件可形成在有机发光元件E中。此外，用于将从有机发光层532发射并要进入相邻子像素的光反射回相应子像素的反射层可形成在至少一部分堤层542上和/或有机发光层532的侧表面上。

所属领域的普通技术人员将很清楚，在不脱离本发明的精神或范围的条件下，在本发明中可进行各种修改和变化。因此，本发明旨在涵盖落入所附权利要求书范围及其等效范围内的对本发明的修改和变化。

Claims (23)

1.一种显示设备，包括：

包括多个子像素的基板；

形成在所述多个子像素的每一个中的有机发光元件；

光控制构件，所述光控制构件包括设置在所述多个子像素的每一个中的光控制图案和位于相邻的光控制图案之间的空气层；以及

设置在所述光控制构件上的滤色器层。

2.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述基板由半导体晶片形成。

3.根据权利要求2所述的显示设备，还包括形成在所述多个子像素的每一个中的晶体管，其中所述晶体管包括：

形成在所述半导体晶片的内侧的有源区；

形成在所述半导体层上的栅极绝缘层；

形成在所述栅极绝缘层上的栅极；

形成在所述栅极上的层间绝缘层；以及

形成在所述层间绝缘层上的源极和漏极。

4.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述光控制图案具有角锥形或透镜形形状。

5.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述滤色器层包括R、G和B滤色器，

其中所述R、G和B滤色器的每一个与相邻子像素的滤色器分隔开预定距离。

6.根据权利要求5所述的显示设备，其中在相邻滤色器之间形成有另一空气层。

7.根据权利要求1所述的显示设备，还包括设置在所述光控制图案和所述滤色器层之间的支撑构件。

8.根据权利要求7所述的显示设备，其中相邻子像素的支撑构件彼此分隔开预定距离，并且通过至少一个连接构件连接。

9.根据权利要求7所述的显示设备，其中在所述支撑构件和所述滤色器层之间设置有平坦化层。

10.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述有机发光元件包括：

第一电极；

在所述第一电极上的有机发光层；以及

在所述有机发光层上的第二电极。

11.根据权利要求10所述的显示设备，其中所述有机发光层发射白色光。

12.根据权利要求10所述的显示设备，还包括沟槽，所述沟槽至少形成在钝化层中并且形成在相邻的子像素之间，以断开所述有机发光层。

13.根据权利要求10所述的显示设备，还包括反射构件，所述反射构件形成在所述子像素中以使从所述有机发光层发射的光共振。

14.根据权利要求10所述的显示设备，还包括反射层，所述反射层设置在所述有机发光层的侧表面上以反射从所述有机发光层发射的光。

15.根据权利要求14所述的显示设备，其中在相邻的子像素之间形成有堤层，

其中所述反射层至少形成在所述堤层的侧表面上。

16.根据权利要求1所述的显示设备，还包括设置在所述有机发光元件上的封装层。

17.根据权利要求16所述的显示设备，其中所述封装层包括：

由无机材料制成的第一封装层；

由有机材料制成并且形成在所述第一封装层上的第二封装层；以及

由无机材料制成并且形成在所述第二封装层上的第三封装层。

18.根据权利要求4所述的显示设备，其中基于所述光控制图案和相邻材料之间的折射率差异，入射到所述光控制图案的边界的光被反射。

19.根据权利要求7所述的显示设备，其中所述支撑构件的底表面的一部分悬垂在所述光控制图案的顶表面上。

20.一种显示设备，包括：

包括多个子像素的基板；

形成在所述多个子像素的每一个中的有机发光元件；

设置在所述有机发光元件上的封装层；以及

设置在所述封装层上的滤色器层，

其中所述封装层包括整体形成在所述基板上的第一封装层、在所述第一封装层上形成为角锥形或透镜形的第二封装层、以及设置在所述第二封装层上的第三封装层，

其中在相邻的第二封装层之间形成有空气层，使得从所述有机发光元件发射的光在所述第二封装层和所述空气层之间的界面处被反射。

21.根据权利要求20所述的显示设备，其中所述滤色器层包括R、G和B滤色器，

其中在所述R、G和B滤色器中的相邻滤色器之间形成有另一空气层。

22.一种制造显示设备的方法，包括：

在基板上形成多个晶体管；

在所述基板上形成有机发光元件；

在所述有机发光元件上形成封装层；

在所述封装层上形成绝缘层；

在所述绝缘层上形成支撑层；

去除所述支撑层的多个部分以形成多个开口和多个支撑构件；以及

使用所述多个支撑构件来蚀刻所述绝缘层。

23.根据权利要求22所述的方法，其中所述支撑层的多个行部分和多个列部分被去除，以在每个支撑构件附接至相邻的支撑构件的状态下形成连接的支撑构件的格子图案。

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