KR20230101124A - 디스플레이 장치 - Google Patents

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KR20230101124A
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Abstract

본 명세서는 시야각을 향상시킬 수 있는 디스플레이 장치를 제공한다. 본 명세서의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치는 복수의 서브 화소가 있는 기판, 및 기판 상에서 복수의 서브 화소를 구분하는 복수의 뱅크를 포함하고, 복수의 서브 화소 각각은 복수의 뱅크 사이에 구비된 메인 발광부, 및 메인 발광부와 이격되며 메인 발광부보다 높게 배치된 보조 발광부를 포함한다.

Description

디스플레이 장치{DISPLAY APPARATUS}
본 발명은 영상을 표시하는 디스플레이 장치에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 영상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 이에 따라, 최근에는 액정표시장치(LCD: Liquid Crystal Display), 플라즈마표시장치(PDP: Plasma Display Panel), 유기발광표시장치(OLED: Organic Light Emitting Display), 퀀텀닷발광표시장치(QLED: Quantum dot Light Emitting Display)`와 같은 여러 가지 표시장치가 활용되고 있다.
표시장치들 중에서 유기발광소자를 갖는 유기발광표시장치 및 퀀텀닷발광표시장치는 자체발광형으로서, 액정표시장치(LCD)에 비해 시야각, 대조비 등이 우수하며, 별도의 백라이트가 필요하지 않아 경량 박형이 가능하며, 소비전력이 유리한 장점이 있다.
한편, 유기발광소자가 포함하는 유기발광층은 쉐도우 마스크를 이용한 열증착법에 의해 형성되는데, 최근 표시장치의 대형화에 의해 쉐도우 마스크의 처짐 등이 심하게 발생되어 증착 불량이 증가함에 따라 대면적의 기판에 대해서는 쉐도우 마스크의 적용이 점점 어려워지고 있다.
따라서, 대면적의 유기발광소자를 제조하기 위해 쉐도우 마스크를 이용한 열증착 공정을 대체하여, 액상의 유기발광물질을 잉크젯 장치 또는 노즐 코팅장치를 통해 격벽으로 둘러싸인 영역에 분사 또는 도포 한 후 경화시키는 유기발광 표시장치에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.
본 명세서는 시야각을 향상시킬 수 있는 디스플레이 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치는 복수의 서브 화소가 있는 기판, 및 기판 상에서 복수의 서브 화소를 구분하는 복수의 뱅크를 포함하고, 복수의 서브 화소 각각은 복수의 뱅크 사이에 구비된 메인 발광부, 및 메인 발광부와 이격되며 메인 발광부보다 높게 배치된 보조 발광부를 포함한다.
본 명세서는 뱅크 위에 보조 발광부가 구비됨으로써, 정면 휘도의 저하 없이 시야각이 향상될 수 있다.
또한, 본 명세서는 각 서브화소에 메인 발광부와 별도로 보조 발광부가 추가로 구비됨으로써, 휘도가 향상될 수 있다.
또한, 본 명세서는 하부 뱅크가 상부 뱅크와 이격되면서 상측으로 돌출된 댐을 포함함으로써, 액상의 유기발광물질 도포 시 하부 뱅크 상에 액상의 유기발광물질을 가둬둘 수 있어서 보조 발광부가 용이하게 제조될 수 있다.
본 명세서에서 얻을 수 있는 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 명세서가이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 명세서의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 선 Ⅰ-Ⅰ'의 개략적인 단면도이다.
도 3은 도 2의 A부분의 확대도이다.
도 4는 도 3의 B부분의 확대도이다.
도 5는 본 명세서의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치에서 복수의 화소를 나타낸 개략적인 평면도이다.
도 6은 본 명세서의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 개략적인 단면도이다.
도 7은 도 6의 C부분의 확대도이다.
본 명세서의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 명세서는 이하에서 개시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 명세서의 개시가 완전하도록 하며, 본 명세서가이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 명세서는 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서의 실시 예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 명세서가이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 명세서를을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
본 명세서에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 명세서의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
"X축 방향", "Y축 방향" 및 "Z축 방향"은 서로 간의 관계가 수직으로 이루어진 기하학적인 관계만으로 해석되어서는 아니 되며, 본 명세서의 구성이 기능적으로 작용할 수 있는 범위 내에서보다 넓은 방향성을 가지는 것을 의미할 수 있다.
"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미할 수 있다.
본 명세서의 여러 실시 예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시 예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 명세서의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 개략적인 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 선 Ⅰ-Ⅰ'의 개략적인 단면도이고, 도 3은 도 2의 A부분의 확대도이며, 도 4는 도 3의 B부분의 확대도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 명세서의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)는 복수의 서브 화소(SP)가 있는 기판(110), 및 기판(110) 상에서 복수의 서브 화소(SP)를 구분하는 복수의 뱅크(117)를 포함한다. 복수의 서브 화소(SP) 각각은 복수의 뱅크(117) 사이에 구비된 메인 발광부(MEL), 및 메인 발광부(MEL)와 이격되며 메인 발광부(MEL)보다 높게 배치된 보조 발광부(SEL)를 포함할 수 있다.
일 예에 따른 보조 발광부(SEL)는 복수의 뱅크(117) 각각의 위에 배치됨으로써, 메인 발광부(MEL)보다 높게 배치될 수 있다. 예를 들어, 복수의 뱅크(117) 각각은 메인 발광부(MEL)에 부분적으로 인접한 하부 뱅크(1171), 및 하부 뱅크(1171) 위에 있는 상부 뱅크(1172)를 포함할 수 있다. 보조 발광부(SEL)는 하부 뱅크(1171)의 위에 배치되어서 상부 뱅크(1172)(또는 상부 뱅크(1172)의 측면)에 접촉될 수 있다. 따라서, 보조 발광부(SEL)는 메인 발광부(MEL)보다 뱅크(117)에 더 가깝게 배치되면서 메인 발광부(MEL)보다 높게 배치될 수 있다.
일반적인 디스플레이 장치의 경우, 서로 다른 색을 발광하는 액상의 유기발광물질을 서브 화소 별로 도포하는 용액 공정 시, 서로 다른 색을 발광하는 액상의 유기발광물질이 서브 화소 간에 혼합되는 것을 방지하기 위해, 서브 화소를 구분하는 뱅크의 높이가 높게 구비될 수 있다. 예를 들어, 뱅크는 하부 뱅크와 하부 뱅크 위에 있는 상부 뱅크의 이중 뱅크로 구비될 수 있다. 뱅크의 높이가 높으면, 상대적으로 뱅크의 상면보다 낮게 위치된 발광부로부터 발광되는 광이 뱅크에 부분적으로 가려질 수 있으므로, 시야각이 좁아질 수 있다. 본 명세서의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)는 뱅크 위. 보다 구체적으로, 하부 뱅크(1171)의 상면에 보조 발광부(SEL)가 구비됨으로써, 시야각이 향상될 수 있다.
또한, 본 명세서의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)는 서브 화소(SP)의 중심 부분에 있는 메인 발광부(MEL)와 별개로 서브 화소(SP)의 가장자리 부분에 보조 발광부(SEL)가 추가로 구비됨으로써, 각 서브 화소(SP)의 휘도가 향상될 수 있다.
이하에서는, 도 1 내지 도 4를 참조하여, 본 명세서의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)에 대해 보다 구체적으로 설명한다.
도 2를 참조하면, 기판(110)은 박막 트랜지스터를 포함하는 것으로, 트랜지스터 어레이 기판, 하부 기판, 베이스 기판, 또는 제 1 기판일 수 있다. 기판(110)은 투명 글라스 기판 또는 투명 플라스틱 기판일 수 있다. 이하에서는 기판(110)을 제1 기판이라 정의한다. 제1 기판(110) 상에는 대향 기판(120)이 구비될 수 있다.
대향 기판(120)은 투명 접착부재(미도시)를 매개로 제1 기판(110)과 대향 합착될 수 있다. 예를 들어, 대향 기판(120)은 제1 기판(110)보다 작은 크기를 가지고, 제1 기판(110)의 패드부를 제외한 나머지 부분과 대향 합착될 수 있다. 대향 기판(120)은 상부 기판, 제 2 기판, 또는 봉지 기판일 수 있다. 대향 기판(120)은 접착 부재를 매개로 하는 기판 합착 공정에 의해 제1 기판(110)의 제 1 면과 합착될 수 있다. 이하에서는, 대향 기판(120)을 제2 기판이라 정의한다.
일 예에 따른 제1 기판(110)은 복수의 서브 화소(SP)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 기판(110)은 제1 서브 화소(SP1), 및 제1 서브 화소(SP1)와 인접하는 제2 서브 화소(SP2)를 포함할 수 있다. 일 예에 따른 제1 서브 화소(SP1)는 적색 광을 발광하는 서브 화소일 수 있고, 제2 서브 화소(SP2)는 녹색 광을 발광하는 서브 화소일 수 있다. 복수의 서브 화소(SP) 각각은 실제 빛이 발광되는 최소 단위의 영역으로 정의될 수 있다.
상기 복수의 서브 화소(SP)는 제2 서브 화소(SP2)에 인접하는 제3 서브 화소(SP3, 도 5에 도시됨)를 더 포함할 수 있다. 일 예에 따른 제3 서브 화소(SP3)는 청색 광을 발광하는 서브 화소일 수 있다. 상기 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2), 및 제3 서브 화소(SP3)는 하나의 단위 화소(P)를 구성할 수 있다.
복수의 서브 화소(SP) 각각은 박막 트랜지스터, 및 박막 트랜지스터에 연결된 발광소자를 포함할 수 있다. 발광소자는 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 개재된 발광부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광부는 메인 발광부(MEL)와 보조 발광부(SEL)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 서브 화소(SP) 각각은 적어도 하나의 메인 발광부(MEL)와 적어도 하나의 보조 발광부(SEL)를 포함할 수 있다. 본 명세서에서는 서브 화소(SP) 각각이 1개의 메인 발광부(MEL)와 2개의 보조 발광부(SEL1-1, SEL1-2)를 포함하는 것을 예로 들어 설명한다.
복수의 서브 화소(SP) 각각이 갖는 메인 발광부(MEL)와 보조 발광부(SEL)는 동일한 색의 광을 발광할 수 있다. 메인 발광부(MEL)와 보조 발광부(SEL)는 동일한 용액 공정을 통해 함께 형성되기 때문이다. 메인 발광부(MEL)와 보조 발광부(SEL)는 형성되는 위치만 다를 뿐 동일한 색의 광을 발광하므로, 도 1과 같이 하나의 서브 화소에 포함될 수 있다.
예를 들어, 제1 서브 화소(SP1)는 적색 광을 발광하도록 구비된 제1 메인 발광부(MEL1)와 제2 보조 발광부(SEL1)를 포함할 수 있다. 제2 보조 발광부(SEL1)는 도 2를 기준으로 제1 메인 발광부(MEL1)의 좌상측에 구비된 제1 적색 보조발광부(SEL1-1), 및 제1 메인 발광부(MEL1)의 우상측에 구비된 제2 적색 보조발광부(SEL1-2)를 포함할 수 있다. 제1 적색 보조발광부(SEL1-1)와 제2 적색 보조발광부(SEL1-2)는 제1 메인 발광부(MEL1)보다 높으면서 동일한 위치(또는 높이)에 배치될 수 있다.
제2 서브 화소(SP2)는 녹색 광을 발광하도록 구비된 제2 메인 발광부(MEL2)와 제2 보조 발광부(SEL2)를 포함할 수 있다. 제2 보조 발광부(SEL2)는 도 2를 기준으로 제2 메인 발광부(MEL2)의 좌상측에 구비된 제1 녹색 보조발광부(SEL2-1), 및 제2 메인 발광부(MEL2)의 우상측에 구비된 제2 녹색 보조발광부(SEL2-2)를 포함할 수 있다. 제1 녹색 보조발광부(SEL2-1)와 제2 녹색 보조발광부(SEL2-2)는 제2 메인 발광부(MEL2)보다 높으면서 동일한 위치(또는 높이)에 배치될 수 있다. 1개의 화소(P)가 제3 서브 화소(SP3), 또는 제3 서브화소(SP3)와 제4 서브 화소를 포함하는 경우, 제3 서브 화소(SP3)와 제4 서브 화소 각각은 제1 서브 화소(SP1) 또는 제2 서브 화소(SP2)와 동일한 구조로 구비될 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)는 하나의 서브 화소(SP)에 1개의 메인 발광부(MEL)와 2개의 보조 발광부(SEL)가 구비되므로, 서브 화소에 1개의 발광부만 구비되는 경우에 비해 발광 효율(또는 휘도)가 향상될 수 있다.
한편, 도 3과 같이, 각 서브 화소(SP)가 갖는 보조 발광부(SEL)는 하부 뱅크(1171)의 상면(1171a)에 배치되므로, 메인 발광부(MEL)보다 높게 위치될 수 있다. 그리고, 보조 발광부(SEL)는 메인 발광부(MEL)보다 상부 뱅크(1172)에 더 가깝게 위치될 수 있으므로, 하부 뱅크 상에 발광부가 없는 경우에 비해 시야각이 향상될 수 있다.
다시 도 2를 참조하면, 복수의 서브 화소(SP) 각각은 제 1 기판(110) 상에 구비되며 박막 트랜지스터(112)에 대한 수분 침투를 방지하기 위해 버퍼층(11)을 포함할 수 있다.
또한, 본 명세서의 일 실시예에 따른 서브 화소(SP)들 각각은 버퍼층(11)의 상면에 구비되며 게이트 절연막(111a), 층간 절연막(111b), 보호막(111c)을 포함하는 무기막층(111), 무기막층(111) 상에 구비되는 평탄화층(113), 평탄화층(113) 상에 구비된 제 1 전극(114), 뱅크(117), 메인 발광부(MEL), 보조 발광부(SEL), 제 2 전극(115), 및 봉지층(116)을 포함할 수 있다.
무기막층(111)에는 서브 화소(SP)의 구동을 위한 박막 트랜지스터(112)가 배치될 수 있다. 무기막층(111)은 회로 소자층의 용어로 표현될 수도 있다. 버퍼층(11)은 게이트 절연막(111a), 층간 절연막(111b), 보호막(111c)과 함께 무기막층(111)에 포함될 수 있다. 상기 제 1 전극(114), 메인 발광부(MEL), 보조 발광부(SEL), 및 제 2 전극(115)은 발광 소자에 포함될 수 있다.
상기 발광 소자는 제1 기판(110) 상에 구비된 신호 배선(12)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 도 2와 같이 제1 전극(114)은 박막 트랜지스터(112)에 연결됨으로써, 박막 트랜지스터(112)에 연결된 신호 배선(12)에 전기적으로 연결될 수 있다. 박막 트랜지스터(112)가 포함하는 소스 전극(112c) 또는 드레인 전극(112d)이 신호 배선(12)에 연결될 수 있다.
신호 배선(12)은 복수의 서브 화소(SP) 각각의 구동을 위한 신호 또는 전원을 주는 배선일 수 있다. 일 예에 따른 신호 배선(12)은 게이트 배선일 수 있다. 도 2와 같이, 신호 배선(12)은 제1 기판(110)과 버퍼층(11) 사이에 구비될 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않고 다른 층에 배치될 수도 있다. 신호 배선(12)이 인가하는 신호에 따라 복수의 서브 화소(SP) 각각이 구동되어 발광될 수 있다.
상기 버퍼층(11)은 박막 트랜지스터(112)를 보호하기 위해 제 1 기판(110)과 게이트 절연막(111a) 사이에 형성될 수 있다. 버퍼층(11)은 제1 기판(110)의 일면(또는 앞면) 전체에 배치될 수 있다. 버퍼층(11)은 박막 트랜지스터의 제조 공정 중 고온 공정시 제1 기판(110)에 함유된 물질이 트랜지스터층으로 확산되는 것을 차단하는 역할을 겸할 수 있다. 선택적으로, 버퍼층(11)은 경우에 따라서 생략될 수도 있다.
일 예에 따른 박막 트랜지스터(112)는 액티브층(112a), 게이트 전극(112b), 소스 전극(112c), 및 드레인 전극(112d)을 포함할 수 있다.
액티브층(112a)은 서브 화소(SP)의 회로 영역의 박막 트랜지스터 영역에 형성된 채널 영역과 드레인 영역 및 소스 영역을 포함할 수 있다. 드레인 영역과 소스 영역은 채널 영역을 사이에 두고 서로 나란하도록 이격될 수 있다.
액티브층(112a)은 비정질 실리콘(amorphous silicon), 다결정 실리콘(polycrystalline silicon), 산화물(oxide) 및 유기물(organic material) 중 어느 하나를 기반으로 하는 반도체 물질로 구성될 수 있다.
게이트 절연막(111a)은 액티브층(112a)의 채널 영역 상에 형성될 수 있다. 일 예로서, 게이트 절연막(111a)은 액티브층(112a)의 채널 영역 상에만 섬 형태로 형성되거나 액티브층(112a)을 포함하는 제1 기판(110) 또는 버퍼층(11)의 전면(前面) 전체에 형성될 수 있다.
게이트 전극(112b)은 액티브층(112a)의 채널 영역(111c)과 중첩되도록 게이트 절연막(111a) 상에 형성될 수 있다.
층간 절연막(111b)은 게이트 전극(112b)과 액티브층(112a)의 드레인 영역 및 소스 영역 상에 형성될 수 있다. 층간 절연막(111b)은 회로 영역 및 화소(P)에 광이 발광되는 발광 영역 전체에 형성될 수 있다. 예를 들어, 층간 절연막(111b)은 무기 물질로 이루어질 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되지 않는다.
소스 전극(112c)은 액티브층(112a)의 소스 영역과 중첩되는 층간 절연막(111b)에 마련된 소스 콘택홀을 통해 액티브층(112a)의 소스 영역과 전기적으로 연결될 수 있다.
드레인 전극(112d)은 액티브층(112a)의 드레인 영역과 중첩되는 층간 절연막(111b)에 마련된 드레인 콘택홀을 통해 액티브층(112a)의 드레인 영역과 전기적으로 연결될 수 있다.
드레인 전극(112d)과 소스 전극(112c) 각각은 동일한 금속 재질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 드레인 전극(112d)과 소스 전극(112c) 각각은 게이트 전극과 동일하거나 다른 단일 금속층, 합금의 단일층, 또는 2층 이상의 다중층으로 이루어질 수 있다.
추가적으로, 회로 영역에는 박막 트랜지스터(112)와 함께 배치된 제 1 및 제 2 스위칭 박막 트랜지스터, 및 커패시터를 더 포함할 수 있다. 제 1 및 제 2 스위칭 박막 트랜지스터 각각은 박막 트랜지스터(112)와 동일한 구조를 가지도록 화소(P)의 회로 영역 상에 마련되므로, 이에 대한 설명은 생략하기로 한다. 커패시터는 층간 절연막(111b)을 사이에 두고 서로 중첩되는 박막 트랜지스터(112)의 게이트 전극(112b)과 소스 전극(112c) 사이의 중첩 영역에 마련될 수 있다.
부가적으로, 화소 영역에 마련된 박막 트랜지스터는 광에 의해 문턱 전압이 쉬프트되는 특성을 가질 수 있는데, 이를 방지하기 위하여, 제 1 기판(110)은 박막 트랜지스터(112), 제 1 스위칭 박막 트랜지스터, 및 제 2 스위칭 박막 트랜지스터 중 적어도 하나의 액티브층(112a)의 아래에 마련된 차광층(미도시)을 더 포함할 수 있다. 차광층은 제1 기판(110)과 액티브층(112a) 사이에 마련되어 제1 기판(110)을 통해서 액티브층(112a) 쪽으로 입사되는 광을 차단함으로써 외부 광에 의한 트랜지스터의 문턱 전압 변화를 최소화할 수 있다.
보호층(111c)은 화소 영역을 덮도록 제1 기판(110) 상에 마련될 수 있다. 보호층(111c)은 박막 트랜지스터(112)의 드레인 전극(112d)과 소스 전극(112c) 및 층간 절연막(111b)을 덮는다. 보호층(111c)은 회로 영역 및 발광 영역 전체에 형성될 수 있다. 예를 들어, 보호층(111c)은 패시베이션층의 용어로 표현될 수도 있다. 이러한 보호층(111c)은 생략될 수도 있다.
평탄화층(113)은 보호층(111c)을 덮도록 제1 기판(110) 상에 마련될 수 있다. 보호층(111c)이 생략될 때, 평탄화층(113)은 회로 영역을 덮도록 제1 기판(110) 상에 마련될 수 있다. 평탄화층(113)은 회로 영역 및 발광 영역 전체에 형성될 수 있다.
일 예에 따른 평탄화층(113)은 상대적으로 두꺼운 두께를 가지도록 형성되어 복수의 서브 화소(SP)가 구비되는 표시 영역 상에 평탄면을 제공할 수 있다. 예를 들어, 평탄화층(113)은 포토 아크릴(photo acryl), 벤조 사이클로부텐(benzocyclobutene), 폴리 이미드(polyimide), 및 불소 수지 등과 같은 유기 물질로 이루어질 수 있다.
서브 화소(SP)의 제 1 전극(114)은 평탄화층(113) 상에 형성될 수 있다. 제 1 전극(114)은 평탄화층(113)과 보호막(111c)을 관통하는 콘택홀을 통해 박막 트랜지스터(112)의 드레인 전극 또는 소스 전극에 접속된다.
제 1 전극(114)은 투명한 금속물질, 반투과 금속물질 및 반사율이 높은 금속물질 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다.
디스플레이 장치(100)가 상부 발광 방식으로 이루어지는 경우, 제 1 전극(114)은 반사율이 높은 금속물질 또는 반사율이 높은 금속물질과 투명한 금속물질의 적층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 제 1 전극(114)은 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), Ag 합금, 및 Ag 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/Ag 합금/ITO)과 같은 반사율이 높은 금속물질로 형성될 수 있다. Ag 합금은 은(Ag), 팔라듐(Pd), 및 구리(Cu) 등의 합금일 수 있다.
디스플레이 장치(100)가 하부 발광 방식으로 이루어지는 경우, 제 1 전극(114)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material), 또는 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금과 같은 반투과 금속물질(Semi-transmissive Conductive Material)로 형성될 수 있다.
한편, 제 1 전극(114)을 이루는 재료에는 MoTi가 포함될 수 있다. 이러한 제 1 전극(114)은 애노드 전극 또는 화소 전극일 수 있다.
제1 전극(114)은 하부 뱅크(1171)에 의해 부분적으로 덮일 수 있다. 예를 들어, 하부 뱅크(1171)는 제1 전극(114)의 가장자리 부분을 덮을 수 있다. 하부 뱅크(1171)에 의해 덮이지 않는 제1 전극(114)이 광이 발광하는 발광 영역이 될 수 있다. 반면, 하부 뱅크(1171)에 의해 덮이는 부분은 광이 발광하지 않는 비발광 영역이 될 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 전극(114)의 일부. 예를 들어, 제1 전극(114)이 포함하는 메인 전극(114a) 및 보조 전극(114b)의 일부는 하부 뱅크(1171)에 덮이지 않기 때문에 발광 영역에 포함될 수 있다. 따라서, 본 명세서의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)는 하나의 서브 화소가 2개의 발광 영역. 예를 들어, 메인 발광부(MEL)가 구비된 메인 발광영역과 서브 발광부(SEL)가 구비된 보조 발광영역을 포함할 수 있다.
도 2를 참조하면, 제1 전극(114)은 메인 전극(114a)과 보조 전극(114b)을 포함할 수 있다.
메인 전극(114a)은 메인 발광부(MEL)의 아래에서 메인 발광부(MEL)와 중첩될 수 있다. 전술한 바와 같이, 하부 뱅크(1171)에 의해 덮이지 않는 제1 전극(114)이 메인 전극(114a)일 수 있다. 메인 전극(114a) 상에는 용액 공정에 의해 메인 발광부(MEL)가 형성되므로, 메인 전극(114a)은 메인 발광부(MEL)의 적어도 일부와 중첩될 수 있다.
보조 전극(114b)은 메인 전극(114a)과 연결될 수 있다. 따라서, 보조 전극(114b)은 메인 전극(114a)과 동일한 전원(또는 전압)을 인가받을 수 있다. 보조 전극(114b) 상에는 메인 발광부(MEL)와 동일한 용액 공정을 통해 함께 형성되는 보조 발광부(SEL)가 구비될 수 있다.
보조 전극(114b)은 메인 전극(114a)과 함께 형성될 수 있다. 예를 들어, 보조 전극(114b)과 메인 전극(114a)은 콘택홀이 구비된 평탄화층(113) 상에 소정의 두께를 갖는 금속 물질이 증착된 후, 하프 톤 마스크 또는 멀티 톤 마스크를 이용하여 포토 및 식각 공정이 이루어짐으로써 함께 형성될 수 있다. 이 경우, 메인 전극(114a)과 보조 전극(114b)은 하프 톤 마스크 또는 멀티 톤 마스크에 의해 두께가 서로 다르게 구비될 수 있다.
예를 들어, 보조 전극(114b)의 적어도 일부의 두께(T1)는 메인 전극(114a)의 두께(T2)보다 두껍게 구비될 수 있다. 여기서, 보조 전극(114b)의 적어도 일부는 도 2와 같이, 하부 뱅크(1171)에 의해 덮이지 않는 보조 전극(114b)을 의미할 수 있다. 보조 전극(114b)의 적어도 일부의 두께(T1)가 메인 전극(114a)의 두께(T2)보다 두껍게 구비됨으로써, 상기 보조 전극(114b)의 적어도 일부는 하부 뱅크(1171)에 의해 덮이지 않고 노출될 수 있다. 즉, 도 2와 같이 보조 전극(114b) 적어도 일부의 상면은 하부 뱅크(1171)에 의해 덮이지 않고 노출될 수 있다. 따라서, 하부 뱅크(1171)에 의해 덮이지 않는 보조 전극(114b)은 보조 발광부(SEL)를 발광시키기 위한 애노드로써 기능할 수 있다. 즉, 하부 뱅크(1171)에 의해 덮이지 않는 보조 전극(114b)은 보조 발광부(SEL) 상에 구비되는 제2 전극(115a)과 전계를 형성하여 보조 발광부(SEL)를 발광시킬 수 있다.
마찬가지로, 하부 뱅크(1171)에 의해 덮이지 않는 메인 전극(114a)은 메인 발광부(MEL) 상에 구비되는 제2 전극(115b)과 전계를 형성하여 메인 발광부(MEL)를 발광시킬 수 있다. 메인 전극(114a)과 보조 전극(114b)은 동일한 전압(또는 전원)을 동시에 인가받으므로, 메인 발광부(MEL)와 보조 발광부(SEL)는 동시에 발광될 수 있다.
뱅크(117)는 광이 발광되지 않는 비발광 영역으로, 복수의 서브 화소(SP)들 각각이 갖는 발광 영역(또는 발광부)들 각각을 둘러싸도록 구비될 수 있다. 즉, 뱅크(117)는 발광 영역(또는 발광부)들 각각을 구분(또는 정의)할 수 있다. 일 예에 따른 뱅크(117)는 복수의 서브 화소(SP)를 구분하므로, 제1 기판(110) 상에 복수개가 구비될 수 있다.
상기 뱅크(117)는 평탄화막(113) 상에서 제 1 전극(114)의 가장자리 예를 들어, 보조 전극(114b)의 일부를 덮도록 형성됨으로써, 복수의 서브 화소(SP)들 각각이 갖는 발광 영역(또는 발광부)들을 구분(또는 정의)할 수 있다. 뱅크(117)는 서브 화소(SP)들 각각이 갖는 제 1 전극(114) 각각의 가장자리(또는 보조 전극(114b)의 일부)를 덮고 제 1 전극(114) 각각의 일부(또는 메인 전극(114a))가 노출되도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 뱅크(117)는 제 1 전극(114) 각각의 끝단에 전류가 집중되어 발광효율이 저하되는 문제가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또는, 뱅크(117)는 제 1 전극(114) 각각의 끝단에서 발광부의 두께가 얇아짐으로 인해 제1 전극(114)과 제2 전극(115)이 쇼트되는 것을 방지할 수 있다.
일 예에 따른 뱅크(117)는 하부 뱅크(1171)와 상부 뱅크(1172)를 포함할 수 있다. 상부 뱅크(1172)는 하부 뱅크(1171) 위에 배치될 수 있다. 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상부 뱅크(1172)는 메인 발광부(MEL)와 이격되게 배치될 수 있다. 이는, 메인 발광부(MEL)와 상부 뱅크(1172) 사이에 보조 발광부(SEL)를 배치하기 위함이다. 이에 대해서는 도 4를 결부하여 후술한다.
일 예에 따른 하부 뱅크(1171)는 상면(1171a) 및 상면(1171a)과 연결된 경사면(1171b)을 포함할 수 있다. 상부 뱅크(1172)는 상면(1172a) 및 상면(1172a)과 연결된 경사면(1172b)을 포함할 수 있다. 도 3과 같이, 상부 뱅크(1172)의 경사면(1172b)은 좌측 경사면(1172b-1)과 우측 경사면(1172b-2)을 포함할 수 있다.
하부 뱅크(1171)는 제1 기판(110) 상에서 메인 발광부(MEL)에 부분적으로 인접할 수 있다. 예를 들어, 하부 뱅크(1171)의 경사면(1171b, 도 3에 도시됨) 중 일부가 메인 발광부(MEL)에 인접(또는 접촉)할 수 있다.
상부 뱅크(1172)의 폭(W1)은 하부 뱅크(1171)의 폭(W2)보다 좁게 구비될 수 있다. 이는, 하부 뱅크(1171) 상에 보조 발광부(SEL)가 배치될 수 있는 영역(또는 보조 영역(SA, 도 4에 도시됨))을 확보하기 위함이다. 상기와 같이 상부 뱅크(1172)의 폭(W1)은 하부 뱅크(1171)의 폭(W2)보다 좁게 구비됨으로써, 상부 뱅크(1172)의 경사면(1172b)와 하부 뱅크(1171)의 경사면(1171b) 사이에 소정의 영역(또는 보조 영역(SA))이 형성될 수 있다. 따라서, 후속되는 용액 공정에 의해 보조 발광부(SEL)가 보조 영역(SA)에 형성될 수 있다. 보조 영역(SA)에 형성된 보조 발광부(SEL)는 하부 뱅크(1171) 위에서 상부 뱅크(1172)(또는 상부 뱅크(1172)의 경사면(1172b))에 접촉될 수 있다.
하부 뱅크(1171)는 상대적으로 표면 에너지가 높은 물질로 이루어져 추후 형성되는 메인 발광부(MEL)를 이루는 발광층 재료와의 접촉각을 낮추고, 상부 뱅크(1172)는 상대적으로 표면 에너지가 낮은 물질로 이루어져 추후 형성되는 보조 발광부(SEL)를 이루는 발광층 재료와의 접촉각을 크게 함으로써 인접한 서브 화소로 발광층 재료가 넘치는 것을 방지할 수 있다.
일 예로, 하부 뱅크(1171)는 친수성 특성을 갖는 무기절연물질이나 유기절연물질로 이루어질 수 있으며, 상부 뱅크(1172)는 소수성 특성을 갖는 유기절연물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 하부 뱅크(1171)와 상부 뱅크(1172)는 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않는다.
상부 뱅크(1172)의 상면(1172a)은 보조 발광부(SEL)의 상면보다 높게 구비될 수 있다. 보다 구체적으로, 상부 뱅크(1172)의 상면(1172a)은 보조 발광부(SEL)의 상면 중 가장 높게 위치된 부분보다 높게 구비될 수 있다. 이는, 상부 뱅크(1172)의 두께(UT)를 보조 발광부(SEL)의 두께(ST)보다 두껍게 구비함으로써 이루어질 수 있다. 상부 뱅크(1172)의 두께(UT)가 보조 발광부(SEL)의 두께(ST)보다 두껍게 구비됨으로써, 인접한 서브 화소로 발광층 재료가 넘치는 것을 더 방지할 수 있다.
다시 도 2 및 도 3을 참조하면, 제 1 전극(114) 및 하부 뱅크(117) 상에는 발광부가 형성된다. 보다 구체적으로, 메인 전극(114a) 상에는 메인 발광부(MEL)가 형성되고, 하부 뱅크(117)의 상면 중 일부에는 보조 발광부(SEL)가 형성된다. 하부 뱅크(117) 상에 형성된 보조 발광부(SEL)는 하부 뱅크(117)에 의해 덮이지 않고 노출된 보조 전극(114b)에 접촉될 수 있다.
메인 발광부(MEL)와 보조 발광부(SEL)는 동일한 용액 공정에 의해 함께 형성될 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되지 않으며 별도의 용액 공정으로 서로 다른 위치에 각각 형성될 수도 있다. 예를 들어, 메인 발광부(MEL)는 메인 전극(114a) 상에 형성될 수 있고, 보조 발광부(SEL)는 하부 뱅크(1171)에 의해 덮이지 않은 보조 전극(114b) 상에 형성될 수 있다.
메인 발광부(MEL)는 메인 전극(114a)과 제 2 전극(115)(또는 115b)에 전압이 인가되면 발광될 수 있다. 보조 발광부(SEL)는 보조 전극(114b)과 제 2 전극(115)(또는 115a)에 전압이 인가되면 발광될 수 있다.
메인 발광부(MEL)와 보조 발광부(SEL)는 동일한 공정을 통해 함께 형성될 수 있으므로, 동일한 구조로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 메인 발광부(MEL)와 보조 발광부(SEL) 각각은 정공 수송층(hole transporting layer, HTL), 적어도 하나의 발광층(light emitting layer), 및 전자 수송층(electron transporting layer, ETL)을 포함할 수 있다. 제1 전극(114)에 고전위 전압이 인가되고 제2 전극(115)에 저전위 전압이 인가되면 정공과 전자가 각각 정공수송층과 전자수송층을 통해 발광층으로 이동되며, 발광층에서 서로 결합하여 발광하게 된다. 상기 발광층을 이루는 물질에 따라 적색 광, 녹색 광, 청색 광, 백색 광 등 서로 다른 색의 광이 발광될 수 있다.
예를 들어, 제1 서브 화소(SP1)에서는 적색 광이 발광되는 물질로 발광층이 이루어짐으로써, 제1 전극(114)과 제2 전극(115)의 전계 형성 시, 메인 발광부(MEL)와 보조 발광부(SEL) 각각에서 적색 광이 발광될 수 있다. 제2 서브 화소(SP2)에서는 녹색 광이 발광되는 물질로 발광층이 이루어짐으로써, 제1 전극(114)과 제2 전극(115)의 전계 형성 시, 메인 발광부(MEL)와 보조 발광부(SEL) 각각에서 녹색 광이 발광될 수 있다.
제 2 전극(115)은 발광부와 뱅크(117) 상에 형성된다. 제 2 전극(115)은 서브 화소(SP)들에 공통적으로 형성되는 공통층일 수 있다. 이러한 제 2 전극(115)은 투명한 금속물질, 반투과 금속물질 또는 반사율이 높은 금속물질로 이루어질 수 있다.
디스플레이 장치(100)가 상부 발광 방식으로 이루어지는 경우, 제 2 전극(115)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material), 또는 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금과 같은 반투과 금속물질(Semi-transmissive Conductive Material)로 형성될 수 있다.
디스플레이 장치(100)가 하부 발광 방식으로 이루어지는 경우, 제 2 전극(115)은 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), Ag 합금, 및 Ag 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/Ag 합금/ITO)과 같은 반사율이 높은 금속물질로 형성될 수 있다. Ag 합금은 은(Ag), 팔라듐(Pd), 및 구리(Cu) 등의 합금일 수 있다. 이러한 제 2 전극(115)은 대향전극 또는 캐소드 전극일 수 있다.
제 2 전극(115) 상에는 봉지층(116)이 형성될 수 있다. 봉지층(116)은 발광부 즉, 메인 발광부(MEL)와 보조 발광부(SEL), 및 제 2 전극(115)에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지하는 역할을 한다. 이를 위해, 봉지층(116)은 적어도 하나의 무기막과 적어도 하나의 유기막을 포함할 수 있다. 봉지층(116) 상에는 제2 기판(120)이 구비될 수 있다.
도 2를 참조하면, 제2 전극(115)이 공통층으로 구비됨으로써, 제2 전극(115)은 메인 발광부(MEL), 보조 발광부(SEL), 하부 뱅크(1171), 및 상부 뱅크(1172)를 덮을 수 있다. 제2 전극(115)은 메인 발광부(MEL)와 중첩되는 제1 부분(115b)과 보조 발광부(SEL)와 중첩되는 제2 부분(115a)을 포함할 수 있다.
제1 부분(115b)과 메인 전극(114a)의 전계 형성에 의해 메인 발광부(MEL)가 발광될 수 있다. 제2 부분(115a)과 보조 전극(114b)의 전계 형성에 의해 보조 발광부(SEL)가 발광될 수 있다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 보조 발광부(SEL)는 하부 뱅크(1171)를 덮는 제2 전극(115)과 보조 전극(114b) 사이에 배치될 수 있다. 즉, 보조 발광부(SEL)는 제2 전극(115)의 제2 부분(115a)과 보조 전극(114b) 사이에 배치될 수 있다. 제2 부분(115a)과 보조 전극(114b) 사이에 보조 발광부(SEL)가 배치됨으로써, 제2 부분(115a)과 보조 전극(114b)의 컨택이 방지될 수 있고, 이로 인해 쇼트 발생이 방지될 수 있다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 하부 뱅크(BLK)는 메인 발광부(MEL)와 상부 뱅크(1172) 사이에 있는 보조 영역(SA)을 포함할 수 있다. 보조 영역(SA)은 상부 뱅크(1172)와 하부 뱅크(1171)의 폭 차이에 따라 하부 뱅크(1171)의 상면(1171a)에 구비될 수 있다. 상기 보조 영역(SA)에서 보조 전극(114b)의 적어도 일부가 노출될 수 있고, 노출된 보조 전극(114b)은 보조 발광부(SEL)의 하면에 접촉될 수 있다. 그리고, 후속 공정에 의해 보조 발광부(SEL)의 상면(SE1)에는 제2 전극(115)(또는 제2 부분(115a))이 접촉될 수 있다.
도 4를 참조하면, 보조 발광부(SEL)의 폭(SLW)은 보조 영역(SA)에서 노출된 보조 전극(114b)의 일부의 폭(SEW)보다 넓게 구비될 수 있다. 따라서, 보조 발광부(SEL)는 하부 뱅크(1171)에 의해 덮이지 않고 노출된 보조 전극(114b) 전체를 덮을 수 있다. 따라서, 보조 발광부(SEL)는 보조 전극(114b)과 제2 전극(115)(또는 제2 부분(115a))의 컨택을 방지하는 컨택 방지의 기능도 가질 수 있다.
다시 도 3을 참조하면, 상부 뱅크(1172)는 제1 기판(110)의 두께 방향으로 보조 영역(SA)에서 노출된 보조 전극(114b)에 중첩되지 않거나 일부만 중첩될 수 있다. 이는, 하부 뱅크(1171)의 상면에 보조 발광부(SEL)를 형성하기 위한 보조 영역(SA)을 확보하기 위함이다.
예를 들어, 상부 뱅크(1172)가 하부 뱅크(1171)에 덮이지 않고 노출된 보조 전극(114b)에 일부만 중첩될 경우, 상부 뱅크(1172)의 경사면(1172b)과 하부 뱅크(1171)의 경사면(1171b) 사이에 보조 영역(SA)이 형성될 수 있으므로, 후속 공정에 의해 보조 발광부(SEL)가 보조 영역(SA)에 형성될 수 있다. 다만, 상부 뱅크(1172)가 보조 전극(114b)의 상면 일부를 가리므로, 상부 뱅크(1172)에 의해 덮이지 않는 보조 전극(114b)의 상면과 보조 발광부(SEL)가 접촉되는 면적(또는 보조 영역(SA)의 크기)이 작아져서 발광 효율이 낮아질 수 있다.
상부 뱅크(1172)가 하부 뱅크(1171)에 덮이지 않고 노출된 보조 전극(114b)에 중첩되지 않을 경우, 상부 뱅크(1172)의 경사면(1172b)과 하부 뱅크(1171)의 경사면(1171b) 사이에 형성된 보조 영역(SA)의 크기가 전술한 경우에 비해 더 커질 수 있으므로, 후속 공정에 의해 보조 발광부(SEL)가 보조 영역(SA)에 더 잘 형성될 수 있다. 전술한 바와 같이, 보조 발광부(SEL)는 용액 공정에 의해 형성되기 때문에, 보조 영역(SA)의 크기(또는 폭)이 넓을수록 보조 발광부(SEL)를 이루는 물질이 메인 발광부(MEL) 쪽으로 흘러내리지 않고 보조 영역(SA)에 잘 형성될 수 있다.
또한, 상부 뱅크(1172)가 하부 뱅크(1171)에 덮이지 않고 노출된 보조 전극(114b)에 중첩되지 않을 경우, 노출된 보조 전극(114b) 전체가 애노드로써 기능할 수 있기 때문에, 일부만 중첩되는 경우에 비해 제2 전극(115)과 전계가 잘 형성될 수 있다.
추가적으로, 상부 뱅크(1172)가 노출된 보조 전극(114b)과 중첩되지 않으면, 일부만 중첩되는 경우에 비해 보조 영역(SA)의 폭(SA)이 증가될 수 있고, 이로 인해 보조 발광부(SEL)의 폭(SLW)이 더 증가될 수 있으므로, 발광 효율이 더 향상될 수 있다.
다시 도 2를 참조하면, 본 명세서의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)에 있어서, 복수의 뱅크(117)는 제1 서브 화소(SP1)와 제2 서브 화소(SP2)를 구분하는 제1 뱅크를 포함할 수 있다. 제1 뱅크는 복수의 뱅크 중 하나이므로, 117의 도면부호로 표시될 수 있다. 제1 뱅크(117)는 제1 메인 발광부(MEL1)와 제2 메인 발광부(MEL2) 각각에 부분적으로 인접한 하부 뱅크(1171)와 하부 뱅크(1171) 위에 있는 상부 뱅크(1172)를 포함할 수 있다.
보조 발광부(SEL)는 제1 메인 발광부(MEL1)와 이격되며 제1 메인 발광부(MEL1)보다 높게 배치된 제1 보조 발광부(SEL1), 및 제2 메인 발광부(MEL2)와 이격되며 제2 메인 발광부(MEL2)보다 높게 배치된 제2 보조 발광부(SEL2)를 포함할 수 있다.
여기서, 제1 보조 발광부(SEL1)는 하부 뱅크(1171) 위에서 상부 뱅크(1172)의 일측에 접촉될 수 있다. 보다 구체적으로, 도 3을 참조하면 제2 적색 보조발광부(SEL1-2)는 하부 뱅크(1171)의 상면(1171a)과 노출된 보조 전극(114b) 상에서 상부 뱅크(1172)의 좌측 경사면(1172b-1) 중 일부에 접촉될 수 있다.
제2 보조 발광부(SEL2)는 하부 뱅크(1171) 위에서 상부 뱅크(1172)의 타측에 접촉될 수 있다. 보다 구체적으로, 도 3을 참조하면 제1 녹색 보조발광부(SEL2-1)는 하부 뱅크(1171)의 상면(1171a)과 노출된 보조 전극(114b) 상에서 상부 뱅크(1172)의 우측 경사면(1172b-2) 중 일부에 접촉될 수 있다.
결과적으로, 본 명세서의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)는 하부 뱅크(1171) 위에 보조 발광부(SEL)가 추가로 구비됨으로써, 메인 발광부(MEL)에 의한 정면 휘도의 저하 없이 시야각이 향상될 수 있다.
또한, 본 명세서의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)는 복수의 서브 화소(SP) 각각에 메인 발광부(MEL)와 별도로 보조 발광부(SEL)가 추가로 구비됨으로써, 휘도가 향상될 수 있다.
한편, 본 명세서의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)는 상부 뱅크(1172)를 기준으로 양측에 제1 보조 발광부(SEL1)와 제2 보조 발광부(SEL2)가 배치될 수 있고, 제1 보조 발광부(SEL1)와 제2 보조 발광부(SEL2)는 서로 다른 색의 광을 발광하도록 구비되는 구조적 특징을 가질 수 있다. 여기서, 제1 보조 발광부(SEL1)와 제2 보조 발광부(SEL2) 각각은 하부 뱅크(1171)의 상면 일부에 구비될 수 있고, 제1 보조 발광부(SEL1)는 제1 서브 화소(SP1)의 보조 전극(114b)과 접촉될 수 있고, 제2 보조 발광부(SEL2)는 제2 서브 화소(SP2)의 보조 전극(114b)과 접촉될 수 있다.
도 5는 본 명세서의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치에서 복수의 화소를 나타낸 개략적인 평면도이다.
도 5를 참조하면, 제1 기판(110) 상에는 복수의 화소(P)가 구비될 수 있다. 전술한 바와 같이, 화소(P) 각각은 적색 광을 발광하도록 구비된 서브 화소, 녹색 광을 발광하도록 구비된 서브 화소, 청색 광을 발광하도록 구비된 서브 화소를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 화소(P1)는 적색 광을 발광하도록 구비된 제1 서브 화소(SP1), 녹색 광을 발광하도록 구비된 제2 서브 화소(SP2), 청색 광을 발광하도록 구비된 제3 서브 화소(SP3)를 포함할 수 있다. 제2 화소(P2)는 적색 광을 발광하도록 구비된 제1 서브 화소(SP1'), 녹색 광을 발광하도록 구비된 제2 서브 화소(SP2'), 청색 광을 발광하도록 구비된 제3 서브 화소(SP3')를 포함할 수 있다.
제2 화소(P2)는 제1 화소(P1)와 가로 방향 및/또는 세로 방향으로 인접하게 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 5와 같이, 제2 화소(P2)는 제1 화소(P1)와 세로 방향으로 인접하게 배치될 수 있다. 제1 기판(110) 상에는 복수의 화소(P)가 구비되므로, 도 5와 같이, 복수의 화소(P)는 세로 방향으로 서로 인접하게 배치될 수 있다. 본 명세서의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)에 있어서, 하부 뱅크(1171)는 격자 형태로 구비될 수 있고, 상부 뱅크(1172)는 스트라이프 형태로 구비될 수 있다. 하부 뱅크(1171)는 복수의 서브 화소(SP) 각각이 갖는 제1 전극(114)의 가장자리를 덮기 위해 격자 형태로 구비될 수 있다.
그에 반하여, 상부 뱅크(1172)는 서로 다른 색의 발광층을 포함하는 메인 발광부(MEL) 및/또는 보조 발광부(SEL)가 서브 화소(SP)들 간에 혼합되는 것이 방지되도록 서브 화소(SP)들의 경계 부분 전체에 걸쳐서 배치될 수 있다. 따라서, 제1 화소(P1)의 상부 뱅크(1172)와 제2 화소(P2)의 상부 뱅크(1172)는 서로 연결될 수 있으므로, 도 5와 같이, 상부 뱅크(1172)는 세로 방향의 스트라이프 형태로 구비될 수 있다. 도 5를 기준으로, 세로 방향은 보조 발광부(SEL)의 장변 방향과 나란한 방향일 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되지 않으며 서브 화소(SP)들 각각의 보조 발광부(SEL)가 서로 혼합되지 않으면 상부 뱅크(1172)는 가로 방향의 스트라이프 형태로 구비될 수 있다. 다만, 이 경우에도 스트라이프 형태의 상부 뱅크(1172) 양측에는 서브 화소(SP)들 각각의 보조 발광부(SEL)가 인접하게 배치될 수 있다.
도 6은 본 명세서의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 개략적인 단면도이며, 도 7은 도 6의 C부분의 확대도이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 본 명세서의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)는 하부 뱅크(1171)가 댐(DAM)을 더 포함하는 것을 제외하고, 전술한 도 1에 따른 디스플레이 장치와 동일하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서 동일한 도면 부호를 부여하였고, 이하에서는 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다.
전술한 도 1에 따른 디스플레이 장치의 경우, 보조 발광부(SEL)를 하부 뱅크(1171) 상에 형성하기 위해, 상부 뱅크(1172)의 폭을 하부 뱅크(1171)의 폭보다 좁게 형성하여 보조 영역(SA)을 구비한다. 이에 따라, 보조 영역(SA)에 도포되는 보조 발광부(SEL)의 용액물질이 메인 발광부(MEL) 쪽으로 전부 흘러가지 않고 보조 영역(SA)에 남을 수 있고, 따라서 보조 영역(SA)에 보조 발광부(SEL)가 형성될 수 있다.
그에 반하여, 도 6에 따른 디스플레이 장치의 경우에는, 하부 뱅크(1171)가 상부 뱅크(1172)로부터 이격되어 상측으로 돌출된 댐(DAM)을 포함하도록 구비될 수 있다. 일 예에 따른 댐(DAM)은 도 6 및 도 7과 같이, 하부 뱅크(1171)의 상면(1171a) 가장자리에 구비될 수 있다. 댐(DAM)은 하부 뱅크(1171)와 함께 형성되거나 하부 뱅크(1171)가 형성된 후 하부 뱅크(1171)의 상면(1171a) 가장자리에 별도로 형성될 수 있다. 댐(DAM)이 하부 뱅크(1171)와 별도로 형성될 경우, 도 6과 같이, 댐(DAM)의 경사면은 하부 뱅크(1171)의 경사면(1171b)과 일치하지 않을 수 있다. 그러나, 이 경우, 댐(DAM)은 하부 뱅크(1171)와 다른 물질로 구비될 수 있다. 예를 들어, 하부 뱅크(1171)는 친수성 특성을 갖는 물질로 구비될 수 있고, 댐(DAM)은 소수성 특성을 갖는 물질로 구비될 수 있다. 이 경우, 댐(DAM)은 상부 뱅크(1172)와 함께 동일한 공정을 통해 형성될 수 있다.
댐(DAM)이 하부 뱅크(1171)와 함께 형성될 경우, 댐(DAM)의 경사면은 하부 뱅크(1171)의 경사면(1171b)과 일치되게 구비될 수 있다. 보다 구체적으로, 댐(DAM)은 제1 전극(114)이 형성된 후 하부 뱅크(1171)를 이루는 물질이 증착된 다음, 하프 톤 마스크 또는 멀티 톤 마스크를 이용한 포토 공정과 식각 공정이 순서대로 진행됨으로써 하부 뱅크(1171)와 함께 형성될 수 있다. 이 경우, 댐(DAM)은 하부 뱅크(1171)와 동일한 물질로 이루어지면서 댐(DAM)의 경사면이 하부 뱅크(1171)의 경사면(1171b)과 일치되게 구비될 수 있다.
도 6과 같이, 하부 뱅크(1171) 상면(1171a)의 가장자리에 댐(DAM)이 형성됨으로써, 상기 댐(DAM)과 상부 뱅크(1172) 사이에는 보조 영역(SA)이 형성될 수 있다. 보조 영역(SA)에 보조 발광부(SEL)를 이루는 용액물질(또는 액상의 유기발광물질)이 도포될 경우, 상부 뱅크(1172)와 댐(DAM)이 용액 물질을 가둬둘 수 있다. 따라서, 보조 발광부(SEL)는 댐(DAM)과 상부 뱅크(1172) 사이에 구비된 보조 영역(SA)에 배치될 수 있다. 결과적으로, 본 명세서의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)는 하부 뱅크(1171) 상에 댐(DAM)이 구비됨으로써, 댐(DAM)이 없는 경우에 비해 보조 발광부(SEL)를 이루는 용액물질이 메인 발광부(MEL) 쪽으로 흘러가는 것을 더 효과적으로 차단할 수 있으므로, 이로 인해 보조 발광부(SEL)가 더 용이하게 형성될 수 있다.
도 7을 참조하면, 본 명세서의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)에 있어서, 댐(DAM)의 두께(DT)는 보조 발광부(SEL)의 두께(ST)와 같거나 더 두껍게 구비될 수 있다. 댐(DAM)의 두께(DT)가 보조 발광부(SEL)의 두께(ST)보다 얇으면, 보조 영역(SA)에 도포되는 용액물질이 메인 발광부(MEL) 쪽으로 흘러가서 메인 발광부(MEL)의 두께가 보조 발광부(SEL)의 두께보다 더 두꺼워질 수 있기 때문이다. 이 경우, 메인 발광부(MEL)와 보조 발광부(SEL) 각각에서 발광하는 광의 색이 달라질 수 있기 때문에, 색 순도가 저하될 수 있다. 따라서, 본 명세서의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)는 댐(DAM)의 두께(DT)가 보조 발광부(SEL)의 두께(ST)와 같거나 더 두껍게 구비됨으로써, 메인 발광부(MEL)와 보조 발광부(SEL)의 두께를 유사하거나 동일하게 맞출 수 있고, 이로 인해 색 순도 저하 없이 휘도가 향상될 수 있다.
한편, 본 명세서의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)는 하부 뱅크(BLK)가 댐(DAM)을 더 포함하도록 구비되므로, 보조 전극(114b)은 댐(DAM)과 상부 뱅크(1172) 사이의 보조 영역(SA)에서 노출될 수 있다. 상기 보조 영역(SA)에서 노출된 보조 전극(114b)은 보조 발광부(SEL)의 하면과 접촉될 수 있다. 그리고, 후속 공정에서 형성되는 제2 전극(115)은 메인 발광부(MEL), 보조 발광부(SEL), 하부 뱅크(1171), 상부 뱅크(1172), 및 댐(DAM) 상에 구비될 수 있다. 보다 구체적으로, 공통 전극인 제2 전극(115)은 메인 발광부(MEL)의 상면, 보조 발광부(SEL)의 상면, 하부 뱅크(1171)의 경사면(1171b), 댐(DAM)의 경사면과 상면, 보조 발광부(SEL)에 접촉되지 않은 상부 뱅크(1172)의 경사면(1172b), 및 상부 뱅크(1172)의 상면(1172a)을 덮을 수 있다.
결과적으로, 본 명세서의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)는 메인 발광부(MEL) 상의 제2 전극(115)이 메인 전극(114a)과 전계를 형성할 수 있고, 댐(DAM)과 상부 뱅크(1172) 사이에 구비된 보조 발광부(SEL) 상의 제2 전극(115)이 하부 뱅크(1171)에 덮이지 않고 노출된 보조 전극(114b)과 전계를 형성할 수 있다. 따라서, 본 명세서의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)는 댐(DAM)과 상부 뱅크(1172)로 인해 보조 발광부(SEL)가 용이하게 형성될 수 있고, 메인 발광부(MEL)와 별도로 하부 뱅크(1171) 상에서 댐(DAM)과 상부 뱅크(1172) 각각에 인접하여 배치된 보조 발광부(SEL)로 인해 시야각 및/또는 휘도가 향상될 수 있다.
본 명세서에 따른 디스플레이 장치(100)는 도 2 및 도 6과 같이, 하나의 서브 화소(SP)가 갖는 메인 발광부(MEL)의 양측에 2개의 보조 발광부(SEL)가 구비될 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않으며 메인 발광부(MEL)의 일측에 1개의 보조 발광부(SEL)만 구비될 수 있다. 이 경우, 제1 전극(114)은 메인 전극(114a)의 일측에 연결된 하나의 보조 전극(114b)만을 포함할 수 있다. 그리고, 하부 뱅크(1171)는 하나의 서브화소(SP)가 갖는 메인 전극(114a)의 가장자리, 및 인접한 서브 화소(SP)가 갖는 보조 전극(114b)의 일부를 덮도록 구비될 수 있다. 이 경우에도, 본 명세서에 따른 디스플레이 장치(100)는 보조 발광부(SEL)가 메인 발광부(MEL)보다 상부 뱅크(1172)에 더 가까우면서 하부 뱅크(1171)의 상면에 구비됨으로써, 정면 휘도 저하없이 시야각이 향상될 수 있다. 또한, 이 경우, 하부 뱅크(1171)가 서로 다른 서브 화소(SP)가 갖는 2개의 보조 전극(114b)을 덮지 않아도 되므로, 2개의 보조 전극(114b)을 덮는 경우에 비해 하부 뱅크(BLK)의 폭이 감소될 수 있다. 따라서, 제1 기판(110) 상에 배치되는 복수의 서브 화소(SP)가 고밀도로 집적될 수 있으므로, 고해상도를 더 용이하게 구현할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 명세서는 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 명세서의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 명세서의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 명세서의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 명세서의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 명세서의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 디스플레이 장치
110: 제1 기판 120: 제2 기판
111: 회로 소자층 112: 박막 트랜지스터
113: 평탄화층 114: 제1 전극
115: 제2 전극 116: 봉지층
SP: 서브화소 117: 뱅크
1172: 상부 뱅크 1171: 하부 뱅크
MEL: 메인 발광부 SEL: 보조 발광부
SA: 보조 영역

Claims (20)

  1. 복수의 서브 화소가 있는 기판; 및
    상기 기판 상에서 상기 복수의 서브 화소를 구분하는 복수의 뱅크를 포함하고,
    상기 복수의 서브 화소 각각은,
    상기 복수의 뱅크 사이에 구비된 메인 발광부; 및
    상기 메인 발광부와 이격되며 상기 메인 발광부보다 높게 배치된 보조 발광부를 포함하는 디스플레이 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 보조 발광부는 상기 복수의 뱅크 각각의 위에 있는 디스플레이 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 뱅크 각각은,
    상기 기판 상에서 상기 메인 발광부에 부분적으로 인접한 하부 뱅크; 및
    상기 하부 뱅크 위에 있는 상부 뱅크를 포함하고,
    상기 보조 발광부는 상기 하부 뱅크 위에서 상기 상부 뱅크에 접촉된 디스플레이 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 상부 뱅크의 상면은 상기 보조 발광부의 상면보다 높게 구비된 디스플레이 장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 상부 뱅크는 상기 메인 발광부와 이격되고,
    상기 상부 뱅크의 폭은 상기 하부 뱅크의 폭보다 좁은 디스플레이 장치.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 하부 뱅크는 친수성 특성을 갖고,
    상기 상부 뱅크는 소수성 특성을 갖는 디스플레이 장치.
  7. 제 3 항에 있어서,
    상기 서브 화소 각각은 상기 기판 상에 구비되며 상기 하부 뱅크에 의해 부분적으로 덮이는 제1 전극을 포함하고,
    상기 제1 전극은,
    상기 메인 발광부의 아래에서 상기 메인 발광부와 중첩된 메인 전극; 및
    상기 메인 전극과 연결되며 상기 보조 발광부와 부분적으로 중첩된 보조 전극을 포함하는 디스플레이 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 메인 발광부, 상기 보조 발광부, 상기 하부 뱅크, 및 상기 상부 뱅크를 덮는 제2 전극을 포함하고,
    상기 보조 발광부는 상기 하부 뱅크를 덮는 제2 전극과 상기 보조전극 사이에 배치된 디스플레이 장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 하부 뱅크는 상기 메인 발광부와 상기 상부 뱅크 사이에 있는 보조 영역을 포함하고,
    상기 보조 전극의 적어도 일부는 상기 보조 영역에서 노출되어 상기 보조 발광부에 접촉된 디스플레이 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 보조 발광부의 폭은 상기 보조 영역에서 노출된 상기 보조 전극의 일부의 폭보다 넓은 디스플레이 장치.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 상부 뱅크는 상기 기판의 두께 방향으로 상기 보조 영역에서 노출된 상기 보조 전극에 비중첩되거나 일부만 중첩된 디스플레이 장치.
  12. 제 7 항에 있어서,
    상기 보조 전극의 적어도 일부의 두께는 상기 메인 전극의 두께보다 두꺼운 디스플레이 장치.
  13. 제 3 항에 있어서,
    상기 하부 뱅크는 격자 형태로 구비되고,
    상기 상부 뱅크는 스트라이프 형태로 구비된 디스플레이 장치.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 서브화소는 제1 서브 화소 및 상기 제1 서브 화소에 인접한 제2 서브 화소를 포함하고,
    상기 복수의 뱅크는 상기 제1 서브 화소와 상기 제2 서브 화소를 구분하는 제1 뱅크를 포함하고,
    상기 제1 뱅크는 상기 메인 발광부에 부분적으로 인접한 하부 뱅크와 상기 하부 뱅크 위에 있는 상부 뱅크를 포함하고,
    상기 메인발광부는 상기 제1 서브화소에 구비된 제1 메인발광부와 상기 제2 서브 화소에 구비된 제2 메인발광부를 포함하고,
    상기 보조발광부는 상기 제1 메인발광부와 이격되며 상기 제1 메인발광부보다 높게 배치된 제1 보조발광부, 및 상기 제2 메인발광부와 이격되며 상기 제2 메인발광부보다 높게 배치된 제2 보조발광부를 포함하고,
    상기 제1 보조발광부는 상기 하부 뱅크 위에서 상기 상부 뱅크의 일측에 접촉되고,
    상기 제2 보조발광부는 상기 하부 뱅크 위에서 상기 상부 뱅크의 타측에 접촉된 디스플레이 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 제1 보조발광부는 상기 제2 보조발광부와 서로 다른 색의 광을 발광하는 디스플레이 장치.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 뱅크 각각은,
    상기 기판 상에서 상기 메인 발광부에 부분적으로 인접한 하부 뱅크; 및
    상기 하부 뱅크 위에 있는 상부 뱅크를 포함하고,
    상기 하부 뱅크는 상기 상부 뱅크로부터 이격되어 상측으로 돌출된 댐을 포함하는 디스플레이 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 하부 뱅크 상에서 상기 댐과 상기 상부 뱅크 사이에 있는 보조 영역을 포함하고,
    상기 보조 발광부의 적어도 일부는 상기 보조 영역에 있는 디스플레이 장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 댐의 두께는 상기 보조 발광부의 두께와 같거나 더 두꺼운 디스플레이 장치.
  19. 제 17 항에 있어서,
    상기 서브 화소 각각은 상기 기판 상에 구비되며 상기 하부 뱅크에 의해 부분적으로 덮이는 제1 전극을 포함하고,
    상기 제1 전극은,
    상기 메인 발광부의 아래에서 상기 메인 발광부와 중첩된 메인 전극; 및
    상기 메인 전극과 연결되며 상기 보조 영역에서 상기 보조 발광부와 접촉된 보조 전극을 포함하는 디스플레이 장치.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 메인발광부, 상기 보조 발광부, 상기 하부 뱅크, 상기 상부 뱅크, 및 상기 댐 상에 있는 제2 전극을 포함하고,
    상기 메인발광부 상의 제2 전극은 상기 메인전극과 전계를 형성하고,
    상기 보조발광부 상의 제2 전극은 상기 보조전극과 전계를 형성하는 디스플레이 장치.
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